Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге
Диссертация
Сложность явлений, происходящих при имплантации, обусловлена генерацией большого количества точечных дефектов и их взаимодействием, как с примесями, так и между собой. Несмотря на то, что бор является хорошо изученной примесью в кремнии, детали его кластеризации с междоузельными атомами кремния (/), приводящей к формированию мелких борсодержащих междоузельных кластеров (в научной англоязычной… Читать ещё >
Список литературы
- Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications / edited by T. Steinen // Artech House, Boston-London, 2004.
- Grutzmacher D. Three-Dimensional Si/Ge Quantum Dot Crystals. / D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H. H. Solak,
- H. Sigg, R. T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy and G. Bauer // Nano Lett., Vol.7, No. 10, 2007, pp.3150−3156
- Леденцов, H. H. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры (Обзор) / Н Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П.
- C. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // ФТП. 1998. — Т. 32, Вып. 4. — С. 385−410.
- Lagzi f. Liesegang Rings Engineered from Charged Nanoparticles. / I. Lagzi, B. Kowalczyk and B. A. Grzybowski. // J. Am. Chem. Soc., 2010, 132 (1), pp 58−60-
- Lagzi. Nanoparticle Oscillations and Fronts. /1. Lagzi, Bartlomiej Kowalczyk, Dawei Wang, and Bartosz A. Grzybowski. // Angewandte Chemie International Edition, Volume 49, Issue 46, pages 8616−8619, 2010.
- J.H.Evans. Observations of a Regular Void Array in High Purity Molybdenum irradiated with 2 MeV Nitrogen Ions. / J.H.Evans. //Nature 229 (1971) 403−404
- D.I.R.Norris. Voids in irradiated metals (part I). / D.I.R.Norris // Rad. Effects, v.14, pp. 1−37 (1972) — D.I.R.Norris. Voids in irradiated metals (part II). /
- D.I.R.Norris. // Rad. Effects, v.15, pp.1−22 (1972)
- M. W. Sckerl. Precipitate coarsening and self organization in erbium-doped silica. / M. W. Sckerl, S. Guldberg-Kjaer, M. Rysholt Poulsen, and P. Shi, J. Chevallier. // Phys. Rev. В 59 (1999) 13 494 — 13 497
- A. Shojai. Diffusion of ion implanted neodymium in silica. / A. Shojai, G. T. Reed, and C. Jeynes, //J. Phys. D: Appl. Phys. 25 (1992) 1280−1283
- P. F. P. Fichtner. Precipitate coarsening and Co redistribution after ion implantation in silicon. / P. F. P. Fichtner, W. Jaeger, K. Rademacher, and S. Mantl, // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 59/60 (199f) 632.
- C. Mohr. Formation of silver particles and periodic precipitate layers in silicate glass induced by thermally assisted hydrogen permeation. / C. Mohr, M. Dubiel and H. Hofmeister, // J.Phys.: Condens. Matter 13 (2001) 525−536.
- P. L. F., Hemment et al. Ion beam synthesis of thin buried layers ofSi02 in silicon, / PLF Hemment, KJ Reeson, JA Kilner, RJ Chater, C Marsh, GR Booker, GK Celler, J Stoemenos //Vacuum 36 (1986) 877
- E. Tishkovsky. Influence of amorphization—recrystallization processes ondistribution of selenium and oxygen atoms implanted in silicon. / E. Tishkovsky, K. Feklistov, A. Taskin, M. Zatolokin. //Vacuum 70 (2003) 153−156
- L. A. Maximov. Diffusion interaction in the void system and stability of the void lattice under annealing. / L. A. Maximov, A. I. Ryasanov, // Rad. Effect, 51 (1980) 197
- L. A. Maksimov. Self-organization of precipitates during Ostwald ripening. / L. A. Maksimov, A. I. Ryazanov, К. -H. Heinig and S. Reiss, // Physics Letters A 2 131 996) 73
- V.G.Karpov. Large-scale fluctuations in the diffusive decomposition of solid solutions. / V.G.Karpov, M. Grimsditch//Phys.Rev. В 51 (1995) 518 152
- Borodin V. A. Self-organization kinetics in finite precipitate ensembles during coarsening. / V. A. Borodin, K. -H. Heinig, S. Reiss. // Phys.Rev. В 56 No.91 997) pp 5332−5344
- S. Reiss. Self-structuring of buried Si02 precipitate layers during IBS: A computer simulation. / S. Reiss and K. -H. Heinig, // Nucl. Instrum. and Meth. В 112(1996) 223-
- S. Reiss. Computer simulation of mechanisms of the SIMOXprocess. / S. Reiss and K.H. Heinig, //Nucl. Instrum. and Meth. В 102 (1995) 256-
- Reiss S. Experimental study and modeling of structure formation in buried layers at ion beam synthesis. / S. Reiss, R. Weber, К. -H. Heinig and W. Skorupa. // Nucl. Instrum. and Meth. В 89 (1994) 337
- Reiss S. Ostwald ripening during ion beam synthesis a computer simulation for inhomogeneous systems. / S. Reiss, K.-H.Heinig. // Nucl. Instrum. and Meth. В 84 (1994)^.229
- C. Wagner. Theorie Der Alterung Von Niederschlagen Durch TJmlosen (OstwaldReifung). / C. Wagner. //Z. Elektrochem. 65 (1961) 581
- P.W.Voorhees. The theory of Ostwald Ripening. / P.W.Voorhees // Journal of Statistical Physics, Vol. 38, Nos.½, 1985 pp231−235
- Jian Hua Yao. Theory and simulation of Ostwald ripening. / Jian Hua Yao, K.R.Elder, Hong Guo, and Martin Grant. // Phys.Rev. В 47 (1993) 14 110
- Мясников A. M. Формирование слоистой структуры в распределении атомов бора в кремнии, инициированное ионной имплантацией. / Мясников А. М., Ободников В. И., Серяпин В. Г., Тишковский Е. Г., Фомин Б. И., Черепов Е. И. // Письма в ЖЭТФ Т. 60 (1994) 96−98
- Мясников А. М. Формирование квазипериодического распределения бора в кремнии, инициированное ионной имплантацией. / Мясников А. М., Ободников В. И., Серяпин В. Г., Тишковский Е. Г., Фомин Б. И., Черепов Е. И.//ФТП31 (1997)338−341
- Ободников В. И. Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии. I Ободников В. И., Тишковский Е. Г. // ФТП 32 (1998) 417
- P.Baruch. Radiation defects and impurity diffusion in silicon. II Inst. Phys.Conf.Ser. N31 (1977) pl26
- Г. А. Качурин, Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование. / Г. А. Качурин, Г. В. Гадияк,
- B.И. Шатров, И. Е. Тысченко. // ФТП т.26 (1992) стр. 1977- G.V.Gadiyak, The modeling of radiation enhanced diffusion of boron in silicon. / G.V.Gadiyak, G.A.Kachurin, V.I.Shatrov, I.E.Tyshchenko // J. of Mechanical behaviour of materials. 5 (1994) 307
- P. A. Stolk. Physical mechanisms of transient enhanced dopant diffusion in ion-implanted silicon. / P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson,
- C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, J. M. Poate, H. S. Luftman, and T. E. Haynes-. // J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997)
- D. J. Eaglesham Implantation and transient В diffusion in Si: The source of the interstitials. / D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate II Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
- P.A. Stolk. Implantation and transient boron diffusion: The role of the silicon self-interstitial. / P.A. Stolk, H.-J. Gossmann, D.J. Eaglesham, J.M. Poate, // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. В 96, 187 (1995).
- С. Bonafos. Transient enhanced diffusion of boron in presence of end-of-range defects, / C. Bonafos, M. Omri, B. de Mauduit, G. BenAssayag, A. Claverie, D. Alquier, A. Martinez, and D. Mathiot. // J. Appl. Phys. 82, 2855 (1997).
- E. J. H. Collart. Cluster formation during annealing of ultra-low-energy boron-implanted silicon. /Е. J. H. Collart, A. J. Murrell, and M. A. Foad, J. A. van den
- Berg, S. Zhang, D. Armour, and R. D. Goldberg, T.-S. Wang and A. G. Cullis, T. Clarysse and W. Vandervorst. // J. Vac. Sci. Technol. B 18, 435 (2000) .
- G. Mannino. Issues on boron electrical activation in silicon: Experiments on boron clusters and shallow junctions formation. / G. Mannino, V. Privitera, S. Solmi, N.E.B. Cowern. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 186 (2002) 246 255.
- L. Pelaz. B cluster formation and dissolution in Si: A scenario based on atomistic modeling. / L. Pelaz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, M. Jaraiz, and J. Barbolla. //Appl. Phys. Lett 74, 3657 (1999).
- M. J. Caturla. The fraction of substitutional boron in silicon during ion implantation and thermal annealing. / M. J. Caturla, M. D. Johnson and T. D. de la Rubia. //Appl. Phys. Lett. 72, 2736 (1998).
- W. Windl. First-Principles Modeling of Boron Clustering in Silicon. / W. Windl, Xiang-Yang Liu, and M. P. Masquelier. // Phys. Stat. Sol. (b) 226, 37 (2001) .
- T. J. Lenosky. Ab initio energetics of boron-interstitial clusters in crystalline Si. / T. J. Lenosky, B. Sadigh, S. K. Theiss, M.-J. Caturla, T. D. de la Rubia. // Appl. Phys. Lett., 77,1834 (2000).
- W. Luo. Tight-binding studies of the tendency for boron to cluster in c-Si. II. Interaction of dopants and defects in boron-doped Si. / W. Luo, P. B. Rasband, P. Clancy and B. W. Roberts. // J. Appl. Phys. 84, 2476 (1998).
- T. E. Haynes. Interactions of ion-implantation-induced interstitials with boron at high concentrations in silicon. / T. E. Haynes, D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. C. Jacobson, and J. M. Poate. //Appl. Phys. Lett. 69, 1376 (1996).
- A.D. Lilak. Evolution of {311} type defects in boron-doped structures: Experimental evidence of boron-interstitial cluster formation. / A.D. Lilak, S.K. Earles"M.E. Law, and K.S. Jones. //Appl. Phys. Lett. 74, 2038 (1999).
- C. Bonafos. The effect of boron doping level on the thermal behavior of end-of— range defects in silicon. / C. Bonafos, A. Claverie, D. Alquier, C. Bergaud, A. Martinez, L. Laanab, and D. Mathiot. //Appl. Phys. Lett. 71, 365 (1997).
- W. Windl. First-Principles Study of Boron Diffusion in Silicon. / W. Windl, M.M. Bunea, R. Stumpf, S.T. Dunham, M.P. Masquelier, // Phys. Rev. Lett., 83, 4345 (1999).
- B.Sadigh. Mechanism of Boron Diffusion in Silicon: An Ab Initio and Kinetic Monte Carlo Study. / B. Sadigh, T.J.Lenosky, S.K.Theiss, M. Caturla, T.D. de la Rubia, and M.A.Foad, // Phys. Rev. Lett. 83, 4341−4344 (1999).
- M. Hakala. First-principles calculations of interstitial boron in silicon. / M. Hakala, M. J. Pushka, R. M. Nieminen, // Phys.Rev. B, 61, 8155 (2000).
- R. E. Liesegang, Uber einige Eigenschaften von Gallerten. / R. E. Liesegang // Naturw. Wochschr. 11, 353 (1896)53. http://www.insilico.hu/liesegang/history/history.html
- Kurt H. Stern. The Liesegang Phenomenon. / Kurt H. Stern // Chem. Rev., 1954, 54 (1), pp 79−99
- W. Ostwald, Lehrbuch der allgemeinen Chemie /ed. by W. Ostwald // Engelman, Leipeig (1897) p. 778.
- S. Prager. Periodic Precipitation. / S. Prager, // J.Chem.Phys. 25(4) (1956) p.279
- G. Venz. Nucleation and colloidal growth in concentration gradients (Liesegangrings). / Gerd Venzl and John Ross, // J.Chem.Phys. 77(3) (1982) pp 13 02−1307−200
- Gerd V. Comment on pattern formation in precipitation processes. / Gerd Venzl and John Ross, //J.Chem.Phys. 77(3) (1982) ppl308−1313
- D.Feinn. Spontaneous pattern formation in precipitating systems. / D. Feinn, P. Ortoleva, W. Scalf, S. Schmidt, and M. Wolff, // J.Chem.Phys. 69(1) (1978) pp27−39
- G. T. Dee. Patterns Produced by Precipitation at a Moving Reaction Front. / G. T. Dee. // Phys. Rev. Lett. 57, 275−278 (1986).
- S.Solmi. High-concentration boron diffusion in silicon: Simulation of the precipitation phenomena. / S. Solmi, E. Landi, and F.Baruffaldi. // J. Appl. Phys. 68 (1990)3250.
- V.E.Borisenko. Steady-State Solubility of Substitutional Impurities in Silicon. / V.E.Borisenko and S.Y.Yudin. //Phys. Stat. Sol., (a)101 (1987) 123.
- W. K. Hofker. Influence of annealing on the concentration profiles of boron implantations in silicon. / W. K. Hofker, H. W. Werner, D. P. Oosthoek and H. A. M. de Grefte. // Appl.Phys. A 2 (1973) 265−278
- Ионная имплантация / Х. Риссел, И.Руге. // (М., Наука, 1983)
- Гиббоне. Ионное внедрение в полупроводниках. Часть II. Образование и отжиг радиационных нарушений. / Гиббоне // ТИИЭР т.60 (1972) стр.53−94
- А.Р. Челядинский. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии. / А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров. // УФН т. 173, № 8 (2003) стр.813 846
- Справочник no математике для инженеров и учащихся ВТУЗОВ. / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. / (М., Наука, 1980) с. 786.
- J. F. Ziegler, J. P. Biersack and U. Littmark. http://www.srim.org/
- M. D. Giles. Transient Phosphorus Diffusion Below the Amorphization Threshold. / M. D. Giles //J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
- D. J. Eaglesham. Implant damage and transient enhanced diffusion in Si. / D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, Т. E. Haynes, and J. M. Poate, // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. В 106,191 (1995).
- M. B. Huang. Trapping of Si interstitials in boron doping background: Boron clustering and the «+1» model. / M. B. Huang and I. V. Mitchell. // J. Appl. Phys. 85, 174(1999)
- P. Ehrhart. Bound vacancy interstitial pairs in irradiated silicon. / P. Ehrhart, H. Zillgen, // NIM В 127−128 p27−31 (1997).
- L. I. Fedina. Study of interaction of point defects with dislocations in silicon by means of irradiation in an electron microscope / L. I. Fedina, A. L. Aseev, // Phys. stat. sol. (a) v.95 (1986) p 517−529.
- N. E. B. Cowern. Energetics of Self-Interstitial Clusters in Si. / N. E. B. Cowern, G. Mannino, P. A. Stolk, F. Roozeboom, H. G. A. Huizing, J. G. M. van Berkum, F. Cristiano, A. Claverie, and M. Jaraiz, // Phys. Rev. Lett. 82, 4460 (1999)
- C J.Ortiz. A physically based model for the spatial and temporal evolution of self-interstitial agglomerates in ion-implanted silicon. / C.J.Ortiz, P. Pichler, and T. Fuhner, F. Cristiano, B. Colombeau and N.E.B.Cowern, // J. Appl. Phys. 96, 4866 (2004)
- F. Schiettekatte. Direct evidence for 8-interstitial-controlled nucleation of extended defects in c-Si / F. Schiettekatte, S. Roorda, R. Poirier, M. O. Fortin, S.
- Chazal, and R. Heliou. // Appl. Phys. Lett. 77, 4322 (2000)
- M. P. Chichkine. Growth of Precursors in Silicon Using Pseudopotential Calculations / M. P. Chichkine, M. M. De Souza, and E. M. Sankara Narayanan, // Phys. Rev. Lett. 88, 85 501 (2002)
- L. Colombo. Native defects and their interactions in silicon / L. Colombo. // Physica B: Condensed Matter, Volumes 273−274, (1999), Pages 458−462 .
- J. Zhu. Ab initio pseudopotential calculations ofB diffusion and pairing in Si. / J.203
- Zhu, T, D. dela Rubia, L.H. Yang, C. Mailhiot, G. H. Gilmer. // Phys. Rev. В 54, 4741 (1996)
- A.Claverie. Extended defects in shallow implants / A. Claverie, B. Colombeau, B. De Mauduit, C. Bonafos, X. Hebras, G. Ben Assayag, F. Cristiano, // Appl.Phys.A 76, 1025 (2003)
- Cristiano F. Ion beam induced defects in crystalline silicon. / Cristiano F, Cherkashin N, Hebras X, Calvo P, Lamrani Y, Scheid E, de Mauduit B, Colombeau B, Lerch W, Paul S, Claverie A, // Nucl Instrum Meth В 216 pp.46−56 (2004).
- J. Kirn. Stability of Si-Interstitial Defects: From Point to Extended Defects. / Jeongnim Kim, Florian Kirchhoff, John W. Wilkins and Furrukh S. Khan, // Phys. Rev. Lett. 84, 503−506 (2000).
- Л.И.Федина. Взаимодействие точечных дефектов с атомами бора и фосфора в кристаллах Si при большой скорости генерации пар Френкеля. / Л. И. Федина, А. Л. Асеев. // ФТТ, т.32, в.1, с.60−68 (1990).
- Л.И. Федина, О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si. // ФТП, том 35, вып. 9, стр. 1120 (2001).
- Seiji Takeda, An Atomic Model of Electron-Irradiation-Induced Defects on {113} in Si. // Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) pp. L639-L642.
- M. Kohyama. Atomic structure and energy of the {113} planar interstitial defects in Si / Masanori Kohyama, Seiji Takeda. // Phys. Rev. В 46, 12 305−12 315 (1992) — M. Kohyama. Tight-binding study of the {113} planar interstitial defects in Si /
- Masanori Kohyama, Seiji Takeda. // Phys. Rev. В 51, 13 111−13 116 (1995) — J. Kim. Extended Si {311} defects. / J. Kim, J.W. Wilkins, F.S. Khan, A. Canning, // Phys. Rev. В 55, 16 186−16 197 (1997).
- K.S. Jones. Studies of the interactions between (311) defects and type I and II dislocation loops in Si+ implanted silicon. / K.S. Jones, J. Liu, V. Krishnamoorthy, L. Zhang, R.T. DeHoff. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. В 106, 227−232 (1995).
- K.S. Jones. Systematic Analysis of Defects in Ion Implanted Silicon. / K.S. Jones, S. Prussin, and E.R.Weber. // Appl. Phys. A 45 (1988) 1−34.
- Дж. Хирт. Теория Дислокаций. / Дж. Хирт, И. Лоте. // Москва. Атомиздат. 1972 г. стр. 262.
- Асеев А.Л. О структуре дефектов упаковки окисления в кремнии / Асеев А. Л., Цтглер М., Федина Л. И., // ПОВЕРХНОСТЬ. Физика, химия, механика N10 (1985) стр. 70−77.
- С. T. Chou. {111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon. / С. T. Chou, D. J. H. Cockayne, J. Zou, P. Kringhoj, and C. Jagadish, // Phys.Rev. В v.52 pp, 17 223−17 230 (1995).
- L.Fedina. On the mechanism of {lll}-defects formation in silicon studied by in situ electron irradiation in a high resolution electron microscope. / L. Fedina, t
- A.Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt and J. Vanhellemonts, // Philosophical Magazine A, 1998, Vol.77, No.2, pp.423−435.
- C. Bonafos. Ostwald Ripening of end-ofrange defects in silicon. / C. Bonafos, D.
- Mathiot, and A. Claverie, // J. Appl. Phys. Vol. 83 (1998), pp.3008−3017.
- C. Bonafos. Transient enhanced diffusion of dopant in preamorphised Si: The role of EOR defects / C. Bonafos, A. Martinez, M.M. Faye, C. Bergaud, D. Mathiot, A. Claverie, // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 106, 222−226 (1995).
- G.D. Watkins. Defects in irradiated silicon: EPR and electron-nuclear double resonance of interstitial boron. / G.D. Watkins. // Phys. Rev. B 12 (1975) 5824
- J. R. Troxell. Interstitial boron in silicon: A negative-U system. / J. R.206
- Troxell and G. D. Watkins, //Phys. Rev. В 22, 921−931 (1980).
- J. Zhu, Ab initio pseudopotential calculations of dopant diffusion in Si II Comput. Mater. Sci. 12, (1998), 309−318.
- P. A. Stolk. Trap-limited interstitial diffusion and enhanced boron clustering in silicon. / P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, H. S. Luftman. //Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 568. T
- F. Cristiano. Clusters formation in ultralow-energy high-dose boron-implanted silicon. / F. Cristiano, X. Hebras, N. Cherkashin, A. Claverie, W. Lerch, and S. Paul. //Appl. Phys. Lett. 83, 5407 (2003).
- L. Pelaz. В diffusion and clustering in ion implanted Si: The role of В cluster precursors. / L. Pelaz, M. Jaraiz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. t
- Rafferty, D. J. Eaglesham, and J. M. Poate. //Appl. Phys. Lett. 70, 2285 (1997).
- H.K. Калиткин. Численные методы II (M., Наука, 1978) di.9, с. 368.
- А. А. Самарский. Теория разностных схем // (М., Наука, 1983.) гл. 3, с. 141.
- Numerical Recipes in С, // (Cambridge University Press, 2002) pp.855−856
- P. M. Fahey. Point defects and dopant difflsion in Si. / P. M. Fahey, P. B. Griffin and J. D. Plummer. // Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
- R. B. Fair. Modeling Rapid Thermal Diffusion of Arsenic and Boron in
- Silicon. / R. В. Fair, J. J. Wortman, and J. Liu. // J. Electrochem. Soc. 131 2387 (1984).
- S.Solmi. Diffusion of boron in silicon during post-implantation annealing. / S. Solmi, F. Baruffaldi, R.Canteri. //J.Appl.Phys. 69 (1991) 2135−2142.
- L. H. Zhang. Transient enhanced diffusion without {311} defects in low energy B±implanted silicon. / L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons. // Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2025.
- A. Agarwal. Boron-enhanced diffusion of boron from ultralow-energy ion implantation. I A. Agarwal, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, S. B. Herner, A. T. Fiory, and Т. E. Haynes. //Appl. Phys. Lett. 74, 2435 (1999).
- N. E. B. Cowern. Boride-enhanced diffusion in silicon: Bulk and surface layers. / N. E. B. Cowern, M. J. J. Theunissen, F. Roozeboom, and J. G. M. van Berkum. //Appl. Phys. Lett. 75, 181 (1999).
- П. Хирш. Электронная микроскопия тонких кристаллов. / П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. // Москва: Мир. 1968 г.
- Г. Томас. Просвечивающая электронная микроскопия материалов. / Г. Томас, М.Дж. Гориндж. // М.: Наука, 1983.
- JI. М. Утевский. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. //М.: Металлургия, 1973.
- Дж. Спенс. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения. IIМ.: Наука, 1986.
- Richard L. Petritz, Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface. И
- Physical Review (1958), Vol. l 10, No.6, pp.1254−1262.
- Кучис E.B. Методы исследования эффекта Холла. Il M.: Советское радио, 1974. 328с.
- Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. IIМ.: Наука, 1967.
- Бонч-Бруевич B. JL Физика полупроводников. / Бонч-Бруевич B. JL, Калашников С. Г. // М.: Наука, 1977.
- Won-Eui Hong. Activation and deactivation in heavily boron-doped silicon using ultra-low-energy ion implantation. / Won-Eui Hong and Jae-Sang Ro. // J.Appl.Phys 97, 13 530 (2005).
- E.Landi. Electrical Activation of Boron-Implanted Silicon During Rapid Thermal Annealing. / E. Landi, A. Armigliato, S. Solmi, R. Kogler and E.Wieser. // Appl. Phys. A47, 359 (1988).
- W.K.Hofker. Boron implantations in silicon: A comparison of charge carrier and boron concentration profiles. / W.K.Hofker, H.W.Werner, D.P.Oosthoek, and N.J.Koeman. // Appl.Phys. 4 (1974) 125−133.
- J.C.North. Channeling Study of Boron-Implanted Silicon. / J.C.North, W.M.Gibson. //Appl. Phys. Lett. 16 (1970) 126.
- T.E.Seidel. The isothermal annealing of boron implanted silicon. / T.E.Seidel, A.U.Mac Rae. //Rad.Effects 7 (1971) 1.
- E.Wieser. Electrical activation and damage annealing of boron-implanted silicon by flash-lamp irradiation. / E. Wieser, D.Panknin. // Phys.Stat.Solidi (a) 82 (1984) '171.
- G. L. Vick. Solid Solubility and Diffusion Coefficients of Boron in Silicon. / G. L. Vick and К. M. Whittle. // J. Electrochem. Soc. 116 (1969) 1142.
- F.N.Schwettmann. Characterization of incomplete activation of high-dose boron implants in silicon. II J. Appl. Phys. 45 (1974) 1918.
- K. Feklistov. Boron nonuniform precipitation in Si at the Ostwald ripeningstage. / Konstantin Feklistov, Ludmila I. Fedina. // Physica В 404 (2009) 46 414 644
- K.B. Феклистов. Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации / К. В. Феклистов, Л. И. Федина, А. Г. Черков. // ФТП, 2010 г. том 44, вып. 3, стр 302−305.
- S.M. Myers. Metal gettering by boron-silicide precipitates in boron-implanted silicon. / S.M. Myers, G.A. Petersen, T.J. Headley, J.R. Michael, T.L. Aselage, C.H. Seager. //Nucl. Instrum. Meth. В 127−128 (1997) 291.
- I. Mizushima. Precipitation of Boron in Highly Boron-Doped Silicon. / I. Mizushima, Y. Mitani, M. Koike, M. Yoshiki, M. Tomita and S. Kambayashi. // JpnJ.Appl.Phys. 37 (1998) 1171−1173, Pt. l, No.3B .
- J. L. Hoard. On the structure of elementary boron. / J. L. Hoard, S. Geller, R. E. Hughes. // J. Am. Chem. Soc. 73 (1951) 1892−1893.
- Г. В.Самсонов. Бор его соединения и сплавы. / Г. В. Самсонов, Л. Я. Марковский, А. Ф. Жигач, М. Г. Валяшко. // Изд. Акад. Наук Украинской ССР, Киев 1960.
- Программа Crystal-TRIM из комплекса программ Synopsys ISE TCAD Release 10.0.
- Е.Г. Тишковский. Перераспределение атомов фосфора, имплантированных в сильно легированный бором кремний. / Е. Г. Тишковский, В. И. Ободников, А. А. Таскин, К. В. Феклистов, В. Г. Серяпин. // ФТП, 2000, том 34, вып. 6, стр. 655−659.