Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si (100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4

Диссертация: Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si (100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наличие значительного рассогласования постоянных решеток германия и кремния приводит к возникновению напряжений несоответствия в гетеро-структурах, выращенных на основе этих материалов. Долгое время эта проблема казалась неразрешимой и лишь в середине 70-х годов была высказана идея получения псевдоморфных Si-Ge слоев с толщинами, не превышающими некоторое критическое значение. Такие слои… Читать ещё >

Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si (100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Проблема гетероэпитаксии релаксированных Si-Ge слоев на Si и Ge (современное состояние)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Рост слоев Si, Ge и твердых растворов SiixGex из газовой фазы
    • 1. 3. Поверхностные процессы в гидридной эпитаксии германия и кремния
    • 1. 4. Моделирование кинетики роста слоев Si?.xGex в гидридной технологии
    • 1. 5. Режимы роста Ge и Si пленок при гомо- и гетероэпитаксии
    • 1. 6- Упругие напряжения и дефектообразование в гетеросистемах на основе Ge и S
  • Глава 2. Стационарная кинетика роста слоев Si]. xGex из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Общая характеристика зависимостей состава и скорости роста слоев от основных технологических параметров
    • 2. 3. Модель кинетики роста Si-Ge слоев в методе Si-GeKU-Mro
    • 2. 4. Определение параметров модели
    • 2. 5. Стационарная кинетика роста
    • 2. 6. Основные результаты
  • Глава 3. Нестационарные процессы роста Si-Ge гетерокомпозиций, растущих из атомарного потока Si и молекулярного потока GetU
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Переходные процессы на поверхности роста и распределение С1е на гетеропереходе 8н. хС1сх/8и растущего из сублимирующего источника
  • Si и молекулярного потока GeH
    • 3. 3. Островковый рост и самоорганизация при зарождении пленки Ge, растущей из GeH4. ВО
    • 3. 4. Основные результаты
  • Глава 4. Структурные свойства релаксированных Si-Ge слоев, выращенных из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4 на подложках Si (100)
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Реальная структура слоев Sii-xGex и сверхрешеток [Sii.xGex/Ge], выращенных на Si (100), и распределение Ge в них
    • 4. 3. Остаточные упругие деформации в слоях Sij. xGex и сверхрешетках [SiixGex/Ge], выращенных на Si (100)
    • 4. 4. Закономерности и механизмы дефектообразования в гетероструктурах Sii-xGex/Si (100)
    • 4. 5. Основные результаты

Актуальность. Использование твердых растворов Sii. xGex позволяет существенно расширить функциональные возможности и области применения традиционной кремниевой электроники. Псевдоморфные гетероструктуры на основе кремния, германия и их твердых растворов уже нашли широкое применение в самых разнообразных устройствах микро-, оптои СВЧ-электроники. Дальнейшее продвижение кремний-германиевых гетероструктур в массовое производство полупроводниковых приборов зависит, помимо развития физических принципов работы приборов на гетеропереходах, также от успешной разработки технологии роста и поиска условий получения сложных, в том числе релаксированных, Si-Ge гетерокомпозиций на кремниевых подложках.

Первые основополагающие работы по выращиванию напряженных Si-Ge гетероструктур были выполнены с использованием техники молекуляр-но-пучковой эпитаксии (МПЭ) еще в 1977 году [1]. Отдавая должное этому методу, нельзя не отметить возникающие при его использовании трудности получения стабильного и интенсивного потока атомарного Ge, связанные с низкими температурой плавления и давлением насыщенных паров этого элемента. Сложность, дороговизна и низкая производительность оборудования для МПЭ делают этот метод малопривлекательным для промышленного производства. Эти обстоятельства подвигнули большое число исследователей на поиск альтернативных путей развития Si-Ge технологии.

В последнее десятилетие интенсивно развиваются газофазные методы эпитаксии, использующие гидриды Ge и Si при пониженных давлениях в реакторе [2]. Использование низких давлений в гидридной технологии позволяет улучшить однородность пленок по площади и дает возможность формирования более резких гетеропереходов, что особенно важно при создании структур на-нометрового масштаба. Сравнительно небольшие скорости роста (менее 2 нм/мин), характерные для этой технологии, облегчают контроль толщины выращиваемых слоев, но вместе с тем создают определенные неудобства при эпи-таксии структур с микронными размерами. Особенно остро этот недостаток проявляется при низкотемпературной эпитаксии. Для увеличения скорости роста применяются различные способы ускорения химических процессов на поверхности роста и в объеме реактора, что, в свою очередь, приводит к усложнению технологического оборудования и эпитаксиального процесса.

Наличие значительного рассогласования постоянных решеток германия и кремния приводит к возникновению напряжений несоответствия в гетеро-структурах, выращенных на основе этих материалов. Долгое время эта проблема казалась неразрешимой и лишь в середине 70-х годов была высказана идея получения псевдоморфных Si-Ge слоев с толщинами, не превышающими некоторое критическое значение [3,4]. Такие слои впоследствии нашли применение в быстродействующих гетеробиполярных транзисторах и других устройствах твердотельной электроники. Однако для ряда приложений требуются структуры с гораздо большими толщинами, чем критические. В этой связи активно ведутся работы по изучению дефектообразования в релаксированных гетероси-стемах [5]. Как показали проведенные за последние годы исследования, закономерности формирования дислокационной структуры зависят не только от состава, толщины и температуры роста слоев, но во многом определяются технологией выращивания гетерокомпозиций [6].

В свете вышесказанного в настоящее время актуальна задача поиска и разработки технологии выращивания Si-Ge слоев на Si, которая позволила бы обойти отмеченные недостатки МПЭ и гидридной эпитаксии при пониженном давлении. Одним из возможных вариантов решения этой проблемы может стать сочетание техники молекулярно-пучковой эпитаксии кремния и гидридной эпитаксии германия при пониженном давлении (Si-GeH4-Mn3). Впервые такой способ получения Si-Ge гетерокомпозиций был использован японскими исследователями в 1991 году (см. работу [7] и ссылки в ней). Одновременно независимо от авторов работы [7] в НИФТИ МИГУ начал развиваться вариант метода Si-GeH4-Mn3, в котором, в отличие от [7], был использован сублимирующий источник паров Si [8]. Ожидалось, что использование атомарного потока Si позволит ослабить температурную зависимость скорости роста Si-Ge пленок, а применение газообразного источника Ge устранит проблему получения стабильного атомарного потока этого вещества из жидкой фазы. Более того, применение сублимирующего источника паров Si позволяло просто решить проблему легирования Si-Ge слоев, для чего достаточно выбрать источник с требуемыми типом и концентрацией примеси. Дополнительным преимуществом метода [8] является возможность использования более высоких давi лений гидрида (до 10″ тор), недостижимых в варианте [7].

Цель данной работы состояла в разработке физико-химических основ комбинированного метода Si-GeH4-Mri3 и выращивании данным методом ре-лаксированных Si-Ge гетерокомпозиций на подложках Si (100). Достижение указанной цели потребовало:

1. детального экспериментального изучения закономерностей роста слоев Sii. xGex в зависимости от основных технологических параметров эпитаксиального процесса;

2. проведения теоретического анализа элементарных физико-химических процессов, протекающих на поверхности роста и в объеме реактора и установления их взаимосвязи с наблюдаемыми зависимостями состава и скорости роста Si-Ge слоев от условий их получения;

3. исследования структурных характеристик выращенных гетерокомпозиций и поиска условий для получения релаксированных Si-Ge/Si (100) гетероструктур с низкой концентрацией дислокаций несоответствия в них.

Научная новизна. Физико-химические основы кинетики роста Si-Ge слоев из сублимирующего источника паров Si и молекулярного потока GeH4 разработаны нами впервые. Проведенный анализ позволил с новых позиций объяснить наблюдаемые экспериментальные зависимости состава и скорости роста слоев Sit. xGex от условий их получения и выявить ряд ранее неизвестных особенностей изучаемого метода роста.

1. Впервые в методе Si-GeH4-]Vffl3 с сублимирующим источником Si обнаружена немонотонная зависимость скорости роста Si-Ge слоев от давления GeH4 при постоянных температуре подложки и плотности атомарного потока Si.

2. Теоретически предсказана и экспериментально подтверждена важная роль в ростовом процессе атомарного потока Ge, образующегося за счет распада молекул GeH4 на нагретом источнике паров Si.

3. Впервые определена эффективная кинетическая константа скорости реакции полного распада молекул GeH3 на поверхности роста в методе Si-GeH4-Mn3.

4. Впервые установлена связь между скоростью распада адсорбированных гидридов Ge и резкостью гетерограниц Sii-xGex/Si, формируемых методом Si-GeH4-Mn3.

5. Теоретически найдены условия, при которых пространственно однородное распределение адсорбированных атомов Ge и молекул GeH3 распадается вследствие кинетической неустойчивости процесса пиролиза, приводя на начальных стадиях роста к образованию объемных зародышей.

6. Проведен комплексный анализ свойств реальной структуры релакси-рованных Si-Ge/Si (100) гетерокомпозиций, выращенных методом Si-CieH4-Mn3. '.

Практическая ценность.

1. Разработанная для метода Si-GeH4-Mn3 модель кинетики роста позволяет определить значения технологических параметров для получения слоев Sii-xGex с наперед заданными составом и толщиной.

2. Для метода Si-GeH4-Mn3 развита методика экспресс-оценки минимальной толщины переходной области на гетерогранице SiixGex/Sii-yGey.

3. Релаксированные слои твердого раствора Sii. xGex с х = 0,15 0,2 могут быть использованы в качестве буферного слоя для выращивания на подложках Si (100) разнообразных напряженных Si-Ge гетероком-позиций с толщинами, превышающими критические значения.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Зависимость скорости роста Si-Ge слоев от давления GeH4 в методе Si-GeH4-Mn3 имеет минимум. Причина появления минимума — наличие в данном методе роста двух механизмов массопереноса Ge.

2. Эффективная частота полного распада молекул GeH3 на поверхности слоя Si]. xGex, растущего из сублимирующего источника паров Si и молекулярного потока GeH4, при температурах роста 600 -ь 850 °C определяется выражением v = 2хехр (-0,47(эВ)/?7) с" 1.

3. При росте гетероструктуры Si]. xGex/Si методом Si-GeH4-Mn3, когда вклад атомарного потока Ge в массоперенос этого вещества незначителен, даже при быстрой (мгновенной) откачке GeH4 в окрестности границы вследствие конечной скорости распада поверхностных гидридов Ge образуется переходная область, толщина котор®й уменьшается с увеличением давления GeH4, уменьшением потока атомарного Si и температуры подложки.

4. Плотность наклонных дислокаций в релаксированных слоях Si|xGex, выращенных из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4 при постоянной температуре подложки Si (100), не превы.

S 2 шает 3×10″ см" при Jt < 0,2, а в области составов х = 0,15 0−2 -3×104 см" 2. Указанные слои могут быть использованы в качестве эффективного буфера для выращивания более сложных гетерокомпози-ций, в том числе сверхрешеток.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и двух приложений. Объем диссертации составляет 155 страниц машинописного текста, включая приложения, 52 рисунка и 4 таблицы.

Список литературы

содержит 236 наименований.

Основные результаты, полученные в настоящей работе, подробно изложены в § 2.6, § 3.4 и § 4.5. Ниже приводятся наиболее важные результаты, которые могут быть сформулированы следующим образом.

1. Для метода Si-GeH4-Mn3 разработана оригинальная модель кинетики роста Si-Ge слоев. Модель адекватно описывает экспериментальные данные и объясняет наблюдаемые закономерности вхождения атомов Ge в слои от основных технологических параметров. Впервые экспериментально и теоретически доказано, что в методе Si-GeH4-Mn3 существуют два механизма массопереноса атомов Ge.

2. Впервые теоретически предсказано и подтверждено экспериментально существование минимума на зависимости скорости роста слоев Sii-xGex от давления GeH4 при постоянных температуре подложки и плотности атомарного потока Si. Появление этой особенности связано с разным вкладом двух механизмов массопереноса Ge в зависимости от давления моногермана.

3. Впервые определена эффективная кинетическая константа скорости реакции полного распада молекул GeH3 на поверхности растущего Si-Ge слоя в методе Si-GeH4-Mn3 для области температур 600 н- 850 °С: vGeH3 = 2хехр (-0,47(эВ)/А-Г) с" 1.

4. Впервые показано, что кинетика поверхностных переходных процессов в методе Si-GetLj-Mro вносит существенный вклад в ухудшение резкости границ между слоями SiixGex и Si, когда вклад атомарного потока Ge в общий массоперенос этого элемента незначителен. Изучено влияние условий роста на распределение Si и Ge в окрестности гетерограницы.

5. Разработана методика экспресс-оценки минимального размера переходной области на гетерограницах Sii. xGex/Sii.yGey, формируемых методом Si-GeH4-Mn3.

6. Получено аналитическое условие перехода популяции адсорбированных атомов Ge и молекул йеНз, присутствующих на поверхности при росте слоя из GeHU, из устойчивого состояния в неустойчивое. Исследовано влияние условий роста на устойчивость пространственно однородного распределения адчастиц.

7. Впервые проведен комплексный анализ свойств реальной структуры релаксированных Si-Ge гетероструктур, выращенных на подложках Si (100) методом Si-GeH4-M113 с сублимирующим источником Si.

8. На примере гетероструктур [Si|.yGey/Ge]/Sii.xGex/Si (100) показано, что релаксированные слои Sit. xGex с 0,15 < х < 0,2 могут служить буферами для выращивания нерелаксированных Si-Ge гетерокомпозиций с закритической толщиной и плотностью наклонных дислокаций не.

5 2 более 1×10 см" при условии, что средний состав гетерокомпозиции такой же, как состав буферного слоя.

В заключение автор выражает благодарность всем соавторам за плодотворное сотрудничество в процессе выполнения работы. Автор признателен А. В. Корнаухову за предоставленную возможность работать в лаборатории № 32 НИФТИ ННГУВ. А. Толомасову, Н. В. Гудковой и С. П. Светлову (НИФТИ ННГУ, г. Н. Новгород) — за сотрудничество при проведении ростовых экспериментовА. Д. Гудковой (НИФТИ ННГУ, г. Н. Новгород) и Ю. Н. Дроздову (ИФМ РАН, г. Н. Новгород) — за проведение рентгенодифракционных исследованийВ. И. Вдовину (ИХПМ, г. Москва) — за электронно-микроскопические исследования и анализ закономерностей формирования дислокационной структурыТ. Г. Юговой («Гиредмет», г. Москва) — за проведений металлографических исследованийЭ. А. Штейнману (ИФТТ РАН, г. Черноголовка) — за измерения спектров фотолюминесценциипроф. Б. Дитриху (prof. В. Dietrich, IHP, г. Франкфурт-на-Одере, Германия) — за предоставленную возможность провести исследования комбинационного рассеяния светаП. Б. Орлову («Гиредмет», г. Москва) — за проведение ВИМС-измерений. Автор особенно признателен д. ф.-м. н. Л. К. Орлову (ИФМ РАН, г. Н. Новгород) — за научное руководство диссертационной работой, д. ф.-м. н. В. А. Толомасову (НИФТИ, г. Н. Новгород) — за руководство при проведении ростовых экспериментов и ценные замечания, чл.-корр. РАН С. В. Гапонову (ИФМ РАН, г. Н. Новгород) и акад. РАЕН М. Г. Мильвидскому (ИХПМ, г. Москва) — за моральную и финансовую поддержку, которая способствовала успешному выполнению настоящей работы.

Работа выполнена при поддержке межвузовской программы «Перспективные материалы микроэлектроники» (ИХПМ) и межотраслевой научно-технической программы «Физика и технология твердотельных наноструктур» (грант № 97−2023).

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kasper Е., Herzog И.-J. Elastic strain and misfit dislocation density in Si0.92Ge0.08 films on silicon substrates. // Thin Solid Films. — 1977. — Vf 44. — № 3. — P. 357 -370.
  2. Greve D. W. Growth of epitaxial germanium-silicon heterostructures by chemical vapour deposition. // Materials Science and Engineering. 1993. — V. В18. — P. 22 -51.
  3. Matthews J. W., Blakeslee A. E. Defects in epitaxial multilayers. I. Misfit diclocations. // J. Cryst. Growth. 1974. — V. 27. — № 1. — P. 118 — 125.
  4. Matthews J. W., Blakeslee A. E. Defects in epitaxial multilayers. III. Preparation of almost perfect multilayers. // J. Cryst. Growth. 1976. — V. 32. — № 2. — P. 265 -273.
  5. LeGoues F. K., Meyerson B. S., Morar J. F. Anomalous strain relaxation in SiGe thin films and superlattices. // Phys. Rev. Lett. 1991. — V. 66. — № 22. — P. 2903 -2906.
  6. Karasawa Т., Kunii Y., Tabe M. Thermal stability of B-doped SiGe layers formed on Si substrates by Si-GeH4-B2H6 molecular beam epitaxy. // Jpn. J. Appl. Phys. -1993. V. 32. — Part 1. — № ЗА. — P. 1039 -1044.
  7. Гетероэпитаксия слоев Si. xGex на Si (100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4. В. А. Толомасов, Р. А. Рубцова, С. П. Светлов и др. // Изв. ВУЗов. Сер. «Цветная металлургия». 1994. — № 1 — 2. — С. 172 — 175.
  8. Ge (001) gas-source molecular-beam epitaxy on Ge (001)2xl and Si (001)2xl from ОегНб: growth kinetics and surface roughening. Bramblett T. R., Lu Q., Lee N.-E., et al. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 77. — № 4. — P. 1504 — 1513.
  9. Pseudomorphic growth of GexSi. x on silicon by molecular beam epitaxy. Bean J.
  10. C., Sheng Т. Т., Feldman L. C., et al. // Appl. Phys. Lett. 1984. — V. 44. — № 1. -P. 102- 104.
  11. Measurement of the band gap of GexSiix/Si strained-layer heterostructures. Lang
  12. D. V., People R., Bean J. C., Sergent A. M. // Appl. Phys. Lett. 1985. — V. 47. -№ 12.-P. 1333 — 1335.
  13. Avalanche gain in GeSi/Si infrared waveguide detectors. Pearsall T. P., Temkin H., Bean J. C., Luryi S. // IEEE Electron Device Letters. 1986. — V. EDL-7. — P. 330 — 332.
  14. Atomic layer doping of SiGe by low pressure (rapid thermal) chemical vapor deposition. Tillack В., Kruger D., Gaworzewski P., Ritter G. // Thin Solid Films. -1997, — V. 294. -P. 15- 17. '
  15. Cold-walled UlIV/CVI) batch reactor for the growth of Sii-xGex layers. Thomson E. V., Christensen C" Andersen C. R., et al. // Thin Solid Films. 1997. — V. 294.- P. 72 75.
  16. Caymax M. R., Poortmans J., Van Ammel A. UHV-VLPCVD heteroepitaxial growth of thin SiGe-layers on Si-substrates: influence of pressure on kinetics and on surface morphology. // Solid State Phenomena. 1993. — V. 32 — 33. — P. 361 -372.
  17. Effects of mixing germane in silane gas-source molecular beam epitaxy. Kim K.J., Suemitsu M., Yamanaka M., Miyamoto N. // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 62. -№ 26.-P. 3461 -3463.
  18. UHV-CVD heteroepitaxial growth of Sii-xGex alloys on Si (100) using silane and germane. Vinh L. T., Aubry-Fortuna V., Zheng Y., et al. // Thin Solid Films. -1997.-V. 294.-P. 59−63.
  19. Low temperature growth of silicon-boron layer by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Chen T. P., Lei T. F., Lin H. C., et al. // Appl. Phys. Lett. 1994.- V. 64.-№ 14.-P. 1853 1855.
  20. Low-temperature epitaxial growth of silicon and silicon-germanium alloy by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition. Jung T.-G., Chang C.-Y., Chang T. C., et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. — V. 33. — Part 1. — № 1A. — P. 240 — 246.
  21. Low-temperature growth of microcrystalline silicon using 100% SiH4 by rf glow discharge method. Jagatissa A. H., Hatanaka Y., Nakanishi Y., Ishikawa K. // Appl. Phys. D. 1996. — V. 29. — P. 1636 — 1640.
  22. Bodnar S., Morin C., Regolini J. L. Single-wafer Si and SiGe processes for advanced ULSI technologies. // Thin Solid Films. 1997. — V. 294. — P. 11 — 14.
  23. Cunningham B., Chu J. O., Akbar S. Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by ultrahigh vacuum, chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 59. -№ 27.-P. 3574−3576.
  24. Growth of epitaxial Si. xGex layers on Si (001) surface, by catalytical decomposition of disilane and germane: photoemission studies. Chelly R., Angot T., Bolmont D., Koulmann J. J. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. — № 12. — P. 1733 — 1735.
  25. Relationship between growth processes and strain relaxation in SiixGex films grown on (100)Si-(2xl) surfaces by gas source molecular beam epitaxy. Yasuda Y., Koide Y., Furukawa A., et al. // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73. — № 5. — P. 2288- 2292.
  26. Fujinaga K. Low-temperature heteroepitaxy of Ge on Si by GeH4 gas low-pressure chemical vapor deposition. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. — V. 9. — № 3. — P. 1511−1516.
  27. Si (001)2×1 gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6: growth kinetics and boron doping. Bramblett T. R., Lu Q., Karasawa T., et al. // J. Appl. Phys. 1994.- V. 76.-№ 3.-P. 1884- 1888.
  28. Zhang F. C., Singh J., Bhattacharya P. K. Kinetics of Sii. xGex/Si (0 < jc < 1) growth by molecular beam epitaxy using disilane and germanium. // Appl. Phys. Lett. -1995. V. 67.-№ 1.-P. 85 — 87.
  29. The growth properties of SiGe films on Si (100) using Si2H6 gas and Ge solid source molecular beam epitaxy. Wado H., Shimizu T., Ishida M., Nakamura T. // J. Cryst. Growth. 1995. — V. 147. — P. 320 — 325.
  30. Yamamoto M., Hanna J., Miyauchi M. New low pressure chemical vapor deposition technique for Ge crystalline thin films. // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 63.-№ 18.-P. 2508−2510.
  31. B incorporation in Ge (001) grown by gas-source molecular-beam epitaxy from Ge2H6 and B2H6. Lu Q., Bramblett T. R., Hasan M.-A., et al. // J. Appl. Phys. -1995. V. 78. — № 10. — P. 6027 — 6032.
  32. Akazawa H., Utsumi Y. Reaction kinetics in synchrotron-radiation-excited Si epitaxy with disilane. 1. Atomic layer epitaxy. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. -№ 4. — P. 2725 — 2739.
  33. Akazawa H., Utsumi Y. Reaction kinetics in synchrotron-radiation-excited Si epitaxy with disilane. 2. Photochemical-vapor deposition. // J. Appl. Phys. 1995.- V. 78. № 4. — P. 2740 — 2750.
  34. Utsumi Y. Low-temperature B doping of Si by synchrotron radiation irradiation of disilane/decaborane during gas-source molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. — № 7. — P. 992 — 994.
  35. In situ observation of silicon hydrides on Si (100) surfaces during synchrotron-radiation-stimulated Si2H6 gas source molecular beam epitaxy. Yoshigoe A., Mase K., Tsusaka Y., et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. — № 16. — P. 2364 -2366.
  36. Low-temperature homoepitaxial growth of Si by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition. Rogers J. L., Andry P. S., Varhue W. J., et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. — № 7. — P. 971 — 973.
  37. Thwaites M. J., Reehal H. S. Growth of single-crystal Si, Ge, and SiGe layers using plasma-assisted CVD. // Thin Solid Films. 1997. — V. 294. — P. 76 — 79.
  38. Veprek S" Veprek-Heijman M. G. J. Possible contribution of SiHz and SiH3 in the plasma-induced deposition of amorphous silicon from silane. // Appl. Phys. Lett. -1990.-V. 56.-№ 18.-P. 1766- 1768.
  39. Kakinuma H., Mohri M., Tsuruoka T. Preparation of p-type silicon films by plasma decomposition of a SiRt/Lk/BFj gas mixture. // J. Appl. Phys. 1993. — V. 74.-№ 7.-P. 4614−4619.
  40. Low filament temperature deposition of a-Si:H by hot-wire chemical vapor deposition. Brogueira P., Conde J. P., Arekat S., Chu V. // J. Appl. Phys. 1995. -V. 78. — № 6. — P. 3776 — 3783.
  41. Growth of epitaxial SiGe nanostructures at low temperature on Si (100) using hotwire assisted gas source molecular beam epitaxy. Chelly R., Werckmann J., Angot Т., et al. // Thin Solid Films. 1997. — V. 294. — P. 84 — 87.
  42. Sakai A., Tatsumi T. Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant. // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64. — № 1. — P. 52 — 54.
  43. Growth of high quality Ge films on Si (l 11) using Sb as surfactant. Larsson M. I., Ni W.-X., Joelsson K., Hansson G. V. // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 65. — № 11. -P. 1409- 1411.
  44. С. А., Осипов А. В. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок. // ФТТ. 1995. — Т. 37. — № 7. — С. 2127 — 2132.
  45. Potapov А. V. Self-organizing during film nucleation in GSMBE from silane and germane. // Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg. Russia. June 23 27. — 1997. — Proc. — P. 331 — 334.
  46. CaIculation of the fractional interstitial component of boron diffusion and segregation coefficient of boron in Sio. gGeo^. Fang Т. Т., Fang W. Т. C., Griffin P. В., Plummer J. D. // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 68. — № 6. — P. 791 — 793.
  47. Nonequilibrium boron doping effects in low-temperature epitaxial silicon films.
  48. Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependence on deposition technique and growth atmosphere. Grutzmacher D. A., Sedgwick Т. O., Powell A., et al.//Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 63.-№ 18.-P. 2531 -2533.
  49. В. И., Щербачев К. Д. Исследование упругонапряженных сверхрешеток SiGe-Si методами РД и ПЭМ. // Материалы Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия». Н. Новгород. 10 13 марта 1998 г.-С. Sll -S18.
  50. С. И., Кантер Б. 3., Никифоров А. И. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния. // В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова и С. А. Гринберга. Москва, «Наука». 1990. — Т. 18. — С. 81 — 90.
  51. W. Е., Dow J. D. Scanning tunneling microscope of the «16×2″ reconstructed Si (110) surface. // J. Appl. Phys. 1997. — V. 81. — № 2. — P. 994 -996.
  52. Reconstructions on the Si (113) surface. Sakama H., Kunimatsu D., Kageshima M., Kawazu A. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — № 11. — P. 6927 — 6930.
  53. Nakamura Y., Kawai H., Nakayama M. Influence of defects on the order-disorder phase transition of a Si (001) surface. // Phys. Rev. B. 1997. — V. 55. — № 16. — P. 10 549- 10 560.
  54. Erwin S. C., Baski A. A., Whitman L. J. Structure and stability of Si (114)-(2xl). // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — № 4. — P. 687 — 690.
  55. Fehrenbacher, H. Rauscher, R. J. Behm. Influence of SiH4 deposition on the Si (lll) lxl-„7×7 phase transition. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. — № 24. — P. R17284 — R17287.
  56. Atomic structure of the c (4×2) surface reconstruction of Ge (001) as determined by X-ray diffraction. Ferrer S., Torrelles X., Etgens V. H., et al. // Phys. Rev. Lett. -1995. V. 75. — № 9. — P. 1771 — 1774.
  57. New bonding configuration on Si (lll) and Ge (lll) surfaces induced by the adsorption of alkali metals. Lottermoser L., Landemark E., Smilgies D.-M., et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 80. — № 18. — P. 3980 — 3983.
  58. Теоретический анализ и моделирование методом Монте-Карло изменений микрорельефа поверхности при формировании эпитаксиальных наноструктур. Пчеляков О. П., Яновицкая 3. 111., Рыженков И. П. и др. // Поверхность. 1996. — № 5. — С. 20 — 28.
  59. А. П., Марков В. А., Пчеляков О. П. Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов. // Письма в ЖТФ. 1996. — Т. 22. — В. 24. -С. 54 — 59.
  60. Si (001) step dynamics. Pearson С., Borovsky В., Krueger M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 74. — № 14. — P. 2710 — 2713.
  61. Hibino H., Ogino T. Reducing domain boundaries of surface reconstruction during molecular beam epitaxy on Si (lll). // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. -№ 7.-P. 915−917.
  62. Schwoebel R. L., Shipsey E. J. Step motion on crystal surfaces. // J. Appl. Phys. -1966. V. 37. — № 10. — P. 3682 — 3686.
  63. Larsson M. I., Ni W.-X., Hansson G. V. Manipulation of nucleation by growth rate modulation. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — № 6. — P. 3792 — 3796.
  64. Williams D. R. M., Krishnamurthy M. Step equalization in epitaxial growth: A noise limited process. // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 62. — № 12. — P. 1350 -1352.
  65. Bena I., Misbah C., Valance A. Nonlinear evolution of a terrace edge during step-flow growth. // Phys. Rev. B. 1993. — V. 47. — № 12. — P. 7408 — 7419.
  66. Evidence of spontaneous formation of steps on silicon (100). Zhong L., Hojo A., Matsushita Y., et al. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. — № 4. — P. R2304 — R2307.
  67. Harris. Step-motion-imposed asymmetry during molecular-beam epitaxy on vicinal surfaces. // Phys. Rev. B. 1993. — V. 48. — № 11. — P. 8286 — 8289.
  68. А. С., Перова В. И., Перов А. А. Структура поверхности (110)Si, растущей из молекулярных пучков в вакууме. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998 — № 3. -С. 45 — 48.
  69. Y., Tsong Т. Т. Structure of atomic steps on the 7×7 reconstructed Si (l 11) surface. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — № 11. — P. 6915 — 6918.
  70. Sublimation of the Si (lll) surface in ultrahigh vacuum. Homma Y., Hibino H., Ogino Т., Aizawa N. // Phys. Rev. B. 1997. — V. 55. — № 16. — P. R10237 -R10240.
  71. Smoothing of the surface relief during MBE process as a cause of RHEED oscillation distortions. Katkov M. I., Neizvestny I. G., Ryzhenkov I. P., et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 1997. — V. 5/6. — P. 13 — 22.
  72. Pearson C., Krueger M., Ganz E. Direct tests of microscopic growth models using hot scanning tunneling microscopy movies. // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 76. — № 13. -P. 2306−2309.
  73. С. lO. Кинетика ступени на поверхности кристалла при наличии анизотропиии адсорбции примесей. // В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова и С. А. Гринберга. Москва. „Наука“. 1990. — Т. 18. — С. 31 — 42.
  74. А. V., Krasilnikov А. В., Aseev A. L. Self-diffusion on Si (lll) surfaces. // Phys. Rev. В. 1996. — V. 54. — № 4. — P. 2586 — 2589.
  75. Abbink H. C., Broudy R. M., McCarthy G. P. Surface Processes in the Growth of Silicon on (111) Silicon in Ultrahigh Vacuum. // J. Appl. Phys. 1968. — V. 39. -№ 10.-P. 4673 -4681.
  76. Stich I., Kohanoff J., Terakura K. Low-temperature atomic dynamics of the Si (l 1 l)-7×7. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. — № 4. — P. 2642 — 2653.
  77. Energetics and dynamics of Si ad-dimers on Si (001). Zhang Z., Wu F., Zandvliet H. J. W., et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 74. — № 18. — P. 3644 — 3647.
  78. Jin J.-M., Lewis L. J. Ge-dimer relaxation on Si (100). // Phys. Rev. B. 1994. — V. 49. — № 3. — P. 2201 — 2204.
  79. S. Т., Wu C. D. Atomistic models of vacancy-mediated diffusion in silicon. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — № 4. — P. 2362 — 2366.
  80. Mixed Ge-Si dimer growth at the Ge/Si (001)-(2xl) surface. Patthey L., Bullock E. L., Abukawa Т., et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — № 13. — P. 2538 — 2541.
  81. Wu F., Lagally M. G. Ge-induced reversal of surface stress anisotropy on Si (001). // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — № 13. — P. 2534 — 2537.
  82. Doi Т., Ichikawa M., Hosoki S. The driving force of Si adsorbate: transfer on a Si (001) surface. // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 69. — № 4. — P. 532 — 534.
  83. Nutzel J. F., Abstreiter G. Segregation and diffusion on semiconductor surfaces. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — № 20. — P. 13 551 — 13 558.
  84. Gai Z., Yu H., Yang W. S. Adatom diffusion on Ge (l 11) and the corresponding activation energy barrier. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — № 20. — P. 13 547 -13 550.
  85. Si adatom binding and diffusion on the Si (100) surface: Comparison of ab initio, semiempirical potential results. Smith A. P., Wiggs J. K., Jonsson H, et al. // J.Chem.Phys. 1995. — V. 102. — № 2. — P. 1044 — 1056.
  86. Theis W., Tromp R. M. Nucleation in Si (001) homoepitaxial growth. // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 76. — № 15. — P. 2770 — 2773.
  87. Bedrossian P. J. Si binding and nucleation on Si (100). // Phys. Rev. Lett. 1995. -V. 74.-№ 18.-P. 3648−3651.
  88. Step site bonding on a vicinal Si (100) surface upon СЬ adsorption. Dohnalek Z., Gao Q., Choyke W. J., Yates J. T. Jr. // J.Chem.Phys. 1995. — V. 102. — № 7. — P. 2946 — 2950.
  89. Wang J., Drabold D. A., Rockett A. Binding and diffusion of a Si adatom around the type A step on Si (001) c (4×2). // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 66. — № 15. — P. 1954- 1956.
  90. Kim E., Oh C. W., Lee Y. H. Diffusion mechanism of Si adatoms on a double-layer stepped Si (001) surface. // Phys. Rev. Lett. 1997. — V. 79. — № 23. — P. 4621 — 4624.
  91. Adsorption, thermal reaction, and desorption of disilane on Ge (l 1 l)-c (2×8). Lin D.-S., Hirschorn E. S., Miller Т., Chiang T.-C. // Phys. Rev. B. 1994. — V. 49. -№ 3.-P. 1836- 1843.
  92. Morita Y., Miki K., Tokumoto H. Direct observation of SiHh on a 1%-HF-treated Si (lll) surface by scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett. -1991.-V. 59. -№ 11. -P. 1347- 1349.
  93. Adsorption and desorption kinetics for SiCLj on Si (l 11)7×7. Gupta P., Coon P. A., Koehler B. G., Gearge S. M. // J. Chem. Phys. 1990. — V. 93. — № 4. — P. 2827 -2835.
  94. Akazawa H. Characterization of self-limiting SiH2Cl2 chemisorption and photon-stimulated desorption as elementary steps for Si atomic-layer epitaxy. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. -№ 15. — P. 10 917 — 10 926.
  95. Temperature programmed desorption of molecular hydrogen from a Si (lll) surface: Theory and experiment. Flowers M. C., Jonathan N. В. H., Liu Y., Morris A. // J. Chem. Phys. 1995. — V. 102. — № 2. — P. 1034 — 1043.
  96. Vittadini A., Selloni A. Binding sites, migration paths, and barriers for hydrogen on Si (l 1 l)-(7×7). // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — № 26. — P. 4756 — 4759.
  97. Bratu P., Hofer U. Phonon-assisted sticking of molecular hydrogen on Si (lll)-(7×7). // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 74. — № 9. — P. 1625 — 1628.
  98. Theoretical and experimental optical spectroscopy study of hydrogen adsorption at Si (l 1 l)-(7×7). Noguez C“ Beitia C., Preyss W., et al. // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 76. — № 26. — P. 4923 — 4926.
  99. Rogers D., Tiedje T. Binding energies of hydrogen to the Si (lll) 7×7 surface studied by statistical scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — № 20. — P. R13227 — R13230.
  100. The desorption of molecular hydrogen from Si (100)-2xl and Si (lll)-7×7 surfaces at low coverages. Flowers M. C., Jonathan N. В. H., Morris A., Wright S. // J. Chem. Phys. 1998. — V. 108. — № 8. — P. 3342 — 3352.
  101. Yoshinobu J., Tanaka S., Nishijima M. Elementary chemical-reaction processes on silicon surfaces. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. — V. 32. — Part 1. — № ЗА. — P. 1171 -1181.
  102. Hydrogen Adsorption on and Desorption from Si: Considerations on the Applicability of Detailed Balance. Kolasinski K. W., Nessler W., de Meijere A.,
  103. Li. // Phys. Rev. Lett. 1994. — V. 72. — № 9. — P. 1356 — 1359.
  104. Guyot-Sionnest P., Lin P. П., Miller E. M. Vibrational dynamics of the Si-H stretching modes of the Si (100)/H:2xl surface. // J. Chem. Phys. 1995. — V. 102. -№ 10.-P. 4269−4278.
  105. Pai S., Doren D. First principles calculation of prepairing mechanism for H2 desorption from Si (100)-2xl. // J. Chem. Phys. 1995. — V. 103. — № 3. — P. 1232 -1234.
  106. Greenlief С. M., Liehr M. Hydrogen desorption kinetics from epitaxially grown Si (100). // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64. — № 5. — P. 601 — 603.
  107. Yoo D. S., Suemitsu M., Miyamoto N. Hydrogen desorption process of Si (100)/PH3. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — № 8. — P. 4988 — 4993.
  108. L. В., Segall J., Janda К. C. Recombinative desorption of hydrogen from the Ge (100)-(2xl) surface: A laser-induced, desorption study. // J. Chem. Phys. -1995. V. 102. — № 18. — P. 7222 — 7228.
  109. С. А., Осипов А. В. Термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода на поверхности твердых тел. // Химическая физика.- 1996.-Т. 15.-№ 9.-С. 5−104.
  110. С. А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизмы образования тонких пленок. СПб., Наука. 1996. 304 е., ил.
  111. Kuhne Н. Chemically deposited epitaxial SiixGex thin film growth at atmospheric pressure. // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 62. — № 16. — P. 1967 -1969.
  112. Kuhne H., Richter H. Transport-reaction controlled chemical vapor deposition of epitaxial Sii. xGex thin films and thermodynamic equilibrium composition. // J. Mater. Res. 1993. — V. 8. -№ 1. — P. 131 -137.
  113. Kuhne H. On a substituting, sticking and trapping model of CVD SiixGex layer growth. //J. Cryst. Growth. 1992. — V. 125. — P. 291 — 300.
  114. How CVD Si/Ge layer growth is controlled by each one of the reaction gas components. Kuhne H., Kissinger G., Hinrich P., Richter H. // Mat: Res. Soc. Symp. Proc. 1993. — V. 280. — P.183 — 188.
  115. Kuhne H. Epitaxial chemically vapour deposited Sii. xGex thin film growth at very low total pressure. // Thin Solid Films. 1993. — V. 223. — P. 230 — 234.
  116. Ю. К. Кинетические уравнения неидеальных моделей поверхностных процессов. // Поверхность. 1989. — № 5. — С. 5 — 34.
  117. Ю. К. Теория физико-химических процессов на границе газ -твердое тело. М.: Наука, 1990. — 288 е., ил.
  118. Eres G. Kinetic modeling of the atomic layer epitaxy processing window in group IV semiconductor growth. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. — № 12. — P. 1727- 1729.
  119. A model for heterogeneouse growth of Sij. xGex films from hydrides. Robbins D. J., Glasper J. L., Cullis A. G., Leong W. Y. // J. Appl. Phys. 1991. — V. 69. — № 6.- P. 3729 3732.
  120. Silicon vapor phase epitaxial growth catalysis by the presence of germane. Garone P. M., Sturm J. C., Schwartz P. V., et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.56. -№ 13. P. 1275 — 1277.
  121. Modeling growth of SiixGex epitaxial films from disilane and germane. Malik R., Gulari E., Li S., Bhattacharya P. K. // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73. — № 10. -P. 5193 -5196.
  122. Strain in nanoscale germanium hut clusters on Si (001) studied by x-ray diffraction. Steinfort A. J., Scholte P. M. L. O., Ettema A., et al. // Phys. Rev, Lett.- 1996,-V. 77.-№ 10.-P. 2009−2012.
  123. Atomic force microscopy and photoluminescence study of Ge layers and self-organized Ge quantum dots on Si (100). Palange E., Capellini G., Gaspare L. D., Evangelisti F. // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 68. — № 21. — P. 2982 — 2984.
  124. Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si (001). Mo Y.-W., Savage D. E., Swartzentruber B. S., Lagally M. G. // Phys. Rev. Lett. 1990. — V. 65,-№ 8.-P. 1020- 1023.
  125. Eaglesham D. J., Cerullo M. Dislocation-free Stransi-Krastanow growth of Ge on Si (100). // Phys. Rev. Lett. 1990. — V. 64. — № 16. — P. 1943 — 1946.
  126. А. Ф. Кремний-германиевые квантоворазмерные структуры: способы формирования, перспективы и проблемы. // Материалы Всероссийского совещания „Наноструктуры на основе кремния и германия“.- Н. Новгород. -10 -13 марта 1998 г. С. 15 -16.
  127. Surfactants in epitaxial growth. Copel M., Reuter M. C., Kaxiras E., Tromp R. M. // Phys. Rev. Lett. 1989. — V. 63. — № 6. — P. 632 — 635.
  128. Sunamura H., Shiraki Y., Fukatsu S. Growth mode transition and photoluminescence properties of Si|.xGex/Si quantum well structures with high Ge composition. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 66. — № 8. — P. 953 — 955.
  129. Growth of self-assembled homogeneous SiGe-dots on Si (100). Schittenhelm P., Abstreiter G., Darhuber A., et al. // Thin Solid Flims. 1997. — V. 294. — P. 291 295.
  130. Kinetic instability in the epitaxial growth of semiconductor solid solutions. Ipatova I. P., Malyshkin V. G., Shchukin V. A., et al. // Phys. Low-Dim. Struct.1997.-V. s.-P. 23 -38.
  131. Strain relaxation phenomena in GexSiix/Si strained structures. Hull R., Bean J. C., Eaglesham D. J., et al. // Thin Solid Films. 1989. — V. 183. — P. 117 — 132.
  132. Thermal relaxation of metastable strained-layer GexSii. x/Si epitaxy. Fiory A. T., Bean J. C., Hull R., Nakahara S. // Phys. Rev. B. 1985. — V. 31. — № 6. — P. 4063 -4065.
  133. Dodson B. W., Tsao J. Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow. // Appl. Phys. Lett. 1987. — V. 51. — № 17. — P. 1325 — 1327.
  134. Dodson B. W., Tsao J. Y. Erratum: Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow Appl. Phys. Lett. 51, 1325 (1987). // Appl. Phys. Lett.- 1988.-V. 52.-№ 10. -P. 852.
  135. Critical stresses for SiixGex strained-layer plasticity. Tsao J. Y., Dodson B. W., Picraux S. T., Cornelison D. M. // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 59. — № 21. — P. 2455 -2458.
  136. Dodson B. W., Tsao J. Y. Stress dependence of dislocation glide activation energy in single-crystal silicon-germanium alloys up to 2,6 GPa. // Phys. Rev. B. -1988. V. 36. — № 17. — P. 12 383 — 12 387.
  137. Relaxation of coherent strain in Si. xGex/Si superlattices and alloys. Hauenstein R. J., Miles R. H., Croke E. T., McGill T. C. // Thin Solid Films. 1989. — V. 183.- P. 79 86.
  138. Strain relaxation kinetics in SiixGex/Si heterostructures. Hauenstein R. J., Clemens B. M., Miles R. H» et al. // J. Vac. Sci. Thechnol. B. 1989. — V. 7. — № 4. — P. 767 — 774.
  139. Duan X. F. Thin film relaxation in cross-sectional transmission electron microscopy specimens of GexSii. x/Si strained-layer superlattices. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 66. — № 17. — P. 2247 — 2249.
  140. Tuppen C. G., Gibbings C. J., Hockly M. The effects of misfit dislocation nucleation and propagation on Si/Si|.xGex critical thickness values. // J. Cryst. Growth. 1989. — V. 94. — P. 392 — 404.
  141. Powell A. R., Iyer S. S., LeGoues F. K. New approach to the growth of lowdislocation relaxed SiCic material. // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64. — № 14. — I'. 1856- 1858.
  142. Sakai A., Tatsumi Т., Aoyama K. Growth of strain-relaxed Ge films on Si (OOl) surfaces. // Appl. Phys. Lett. 1997. — V. 71. — № 24. — P. 3510 — 3512.
  143. Влияние состава твердого раствора на дефектообразование в гетероструктурах GexSi|.x/Si, полученных методом МПЭ. Вдовин В. И., Лютович К. Л., Мильвидский М. Г. и др. // Кристаллография. 1992. — Т. 37.- Вып. 2. С. 487 — 496.
  144. Vdovin V. I., Mil’vidskii М. G., Yugova Т. G. Mechanisms of dislocation generation in heterostructures based on SiGe allows. // Solid State Phenomena.1996. V. 47 — 48. — P. 497 — 502.
  145. В. И., Мильвидский М. Г., Югова Т. Г. Механизмы генерации дислокаций в гетероструктурах на основе твердых растворов SiGe. // Кристаллография. 1996. — Т. 41. — № 2. — С. 1087 — 1092.
  146. Calculation of critical layer thickness considering thermal strain in SiixGex/Si strained-layer heterostructures. Huang J., Ye. Z., Lu H., Que D. // J. Appl. Phys. -1998.-V. 83.-№ l.-P. 171 173.
  147. Hull R., Bean J. C. Nucleation of misfit dislocations in strained-layer epitaxy in the GexSi,.x/Si system. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — V. 7. — № 4. — P. 2580 -2585.
  148. S. В., Fitzgerald E. A. Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge (graded)/Si structures. // J. Appl.Phys.1997. V. 81. — № 7. — P. 3108 — 3116.
  149. Misfit dislocation multiplication processes in Sii-xGex alloys for x < 0.15. Tuppen C. G., Gibbings C. J., Hockly M., Roberts S. G. // Appl. Phys. Lett. -1990.-V. 56, — № l.-P. 54−56.
  150. Dislocation patterning a new tool for spatial manipulation of Ge islands. Shiryaev S. Yu., Pedersen E. V., Jensen F., et al. // Thin Solid Films. — 1997. — V. 294.-P. 311 -314.
  151. Weil J. D., Deng X., Krishnamurthy M. Preferential nucleation of Ge islands at self-organized pits formed during the growth of thin Si buffer layers on Si (l 10). // J. Appl.Phys. 1998. -V. 83, — № 1. — P. 212 — 216.
  152. HRTEM study of Si|.xGex multilayer. Werekmann J., Chelly R., Ulhaq-Bouillet C" et al. // Thin Solid 141ms. 1997. — V. 294. — P. 80 — 83.
  153. Strain relaxation of Ge|.xSix buffer systems grown on Ge (001). Li J. H., Holy V.,
  154. Koleske D. D., Gates S. M. Atomic layer epitaxy of Si on Ge (100): direct recoiling studies of film morphology. // J. Appl.Phys. 1994. — V. 76. — № 3. — P. 1615−1621.
  155. Nucleation of dislocation loops in strained epitaxial layers. Jain U., Jain S. C., Harker A. H., Bullough R. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 77. — № 1. — P. 103 — 109.
  156. Ayers J. E. New model for the thickness and mismatch dependensies of threading dislocation densities in mismatched heteroepitaxial layers. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — № 6. — P. 3724 — 3726.
  157. С. С, Монахов Э. В., Похил Г. П. Релаксация напряжений и дефектообразование в эпитаксиальной структуре GexSii-x/Si (100) при ионном облучении. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. — № 10.-С. 80−85.
  158. Reduction in misfit dislocation density by the selective growth of SiixGex/Si in small areas. Noble D. В., Hoyt J. L., King C. A., et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. -V. 56.-№ l.-P. 51−53.
  159. Lattice engineered compliant substrate for defect-free heteroepitaxial growth. Ejeckam F. E., Lo Y. H., Subramanian S., et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. — V. 70.-№ 13.-P. 1685 — 1687.
  160. Analysis of Ino^Gao^As layers on GaAs compliant substrates by double crystal x-ray diffraction. Carter-Coman C., Bicknell-Tassius R., Brown A. S., Jokerst N. M. // Appl. Phys. Lett. 1997. — V. 70. — № 13. — P. 1754 — 1756.
  161. Lo Y. H. New approach to grow pseudomorphic structures over the critical thickness. // Appl. Phys. Lett. -1991. V. 59. — № 18. — P. 2311 — 2313.
  162. Tan T. Y., Gosele U. Twist wafer bonded 'fixed-film' versus 'compliant' substrates: correlated misfit dislocation generation and contaminant gettering. // Appl. Phys. A. 1997. — V. 64. — P. 631 — 633.
  163. McDonald В., Goetzberger А. Измерение глубины диффузных слоев в Si методом косых шлифов. // J. Electrochem. Soc. 1962. — V. 109. — № 2. — P. 141- 149.
  164. И. В., Мурель А. В. Автоматизированный измерительный комплекс для электрохимического C-V-профилирования. // Приборы и техника эксперимента. 1993. -№ 6. — С. 150 — 155.
  165. Heteroepitaxy of Ge-GeSi superlattices on Si (100) substrate by GeH4-Si MBE. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // Int. Conf. on Semicond. and Insul. Mat. April 29 May 3, 1996. Toulouse, France. Abstracts. — P. 92. ¦
  166. А. В., Орлов JI. К. Кинетика роста слоев SiixGex из германа и силана. // Труды Всероссийского совещания «Наноструктуры на основе кремния и германия», г. Н. Новгород, 10−13 марта 1998 г. С. 168 — 171.
  167. А. V., Orlov L. К., Ivin S. V. The growth kinetics of Sii"xGex layers from SiH4 and GeH4. // Thin Solid Films. 1999. — V. 336. — № 1 — 2. — P. 191 -195.
  168. Potapov A. V., Orlov L. K. The growth kinetics of Si).xGex layers from germane and silane. // Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, June 22 26,1998. — Proc. — P. 487 — 490.
  169. Myers-Beaghton A. K., Vvedensky D. D. Nonlinear equation for diffusion and adatom interactions during epitaxial growth on vicinal surfaces. // Phys. Rev. B. -1990. V. 42. — № 9. — P. 5544 — 5554.
  170. Heteroepitaxy of Ge-GeSi superlattices on Si (lOO) substrate by GeH4-Si MBE. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // Int. Conf. «Semiconducting and Insulating Materials». April 29 May 3, 1996. Toulouse, France. — Proc. — P. 92.
  171. Potapov A. V., Orlov L. K. Non-stationary growth kinetics in GeH4-Si MBE: composition abruptness at Sii. xGex/Si interface. // Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, June 23 27, 1997. — Proc. — P. 327 — 330.
  172. Si/SiGe quantum wells grown on vicinal Si (OOl) substrates: morphology, dislocation dynamics, and transport properties. Waltereit P., Fernandez J. M., Kaya S., Thornton T. J. // Appl. Phys. Lett. 1998. — V. 72. — № 18. — P. 2262 -2264.
  173. Наноструктуры на основе кремния и германия'", г. II. Новгород, 10 13 марта 1998 г. — С. 127−133.
  174. Д. О. Диагностика квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InxGai-xAs методом спектроскопии конденсаторной фотоэде. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. Нижний Новгород, 1997. — 162 с.
  175. Исследование гетероэпитаксиальных структур GexSix/Si, полученных в вакууме. Абросимова Jl. Н., Дроздов Ю. Н., Кунцевич Т. С., Толомасов В. А. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1990. — Т. 26. — № 10. — С. 2009 — 2012.
  176. Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys. T. G. Yugova, V. I. Vdovin, M. G. Mil’vidskii, L. K. Orlov, V. A. Tolomasov, A. V. Potapov, N. V. Abrosimov. // Thin Solid Films. 1999. — V. 336. — № 1 — 2. — P. 112−115.
  177. В. И. Электронно-микроскопическое исследование эпитаксиальных структур на основе четверных твердых растворов соединений А3В5. //Дисс. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1987. — 236 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!