Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние примесных ионов на оптическое поглощение и люминесценцию монокристаллических пленок галлиевых гранатов, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии

Диссертация: Влияние примесных ионов на оптическое поглощение и люминесценцию монокристаллических пленок галлиевых гранатов, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые установлено, что оптическое поглощение примесных ионов свинца в эпитаксиальных галлиевых пленках, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе системы РЬО — В2О3, при малом переохлаждении обусловлено электронным переходом ионов Pb2+ (6s2), а при большом переохлаждении дополнительно появляются полосы поглощения, связанные с межвалентными парными переходами… Читать ещё >

Влияние примесных ионов на оптическое поглощение и люминесценцию монокристаллических пленок галлиевых гранатов, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Структура монокристаллов гранатов
    • 1. 2. Жидкофазная эпитаксия монокристаллических пленок гранатов
    • 1. 3. Оптическое поглощение примесных и легирующих ионов в монокристаллах гранатов
    • 1. 4. Люминесценция монокристаллов ОсЬОазОп'.Ш
    • 1. 5. Твердотельные лазеры на основе монокристаллических пленок
  • Выводы главы
  • Глава 2. МЕТОДИКА ВЫРАЩИВАНИЯ И ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ГРАНАТОВ
    • 2. 1. Методика и установка для выращивания монокристаллических эпитаксиальных пленок
    • 2. 2. Методика измерения спектров поглощения
    • 2. 3. Методика исследования спектрально-люминесцентных характеристик
    • 2. 4. Фотографирование монокристаллов граната
  • Выводы главы
  • Глава 3. ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ГАЛЛИЕВЫХ ГРАНАТОВ
    • 3. 1. Подложка из ОсЬвабОп
    • 3. 2. Пленки, выращенные из раствора-расплава на основе системы РЪ0-В
    • 3. 2. Пленки, выращенные из раствора-расплава на основе системы
  • В1203 — В2Оз
  • Выводы главы
  • Глава 4. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ГАЛЛИЕВЫХ ГРАНАТОВ, ЛЕГИРОВАННЫХ ОПТИЧЕСКИ АКТИВНЫМИ ИОНАМИ
    • 4. 1. Ш-содержащие пленки

Актуальность работы. Современный этап развития оптоэлектроники характеризуется потребностью создания компактных оптических схем на тонкопленочных оптических элементах [1]. Привлекают следующие особенности пленочных устройств:

— все элементы находятся на одном основании, что упрощает их взаимодействие;

— плотность светового потока может быть очень высокой даже при средних уровнях мощности пленочного лазера, поскольку большая часть энергии света сосредоточивается в пленке;

— фазовая скорость световой волны в пленочном волноводе может изменяться в зависимости от толщины пленки и вида колебаний.

Технология жидкофазной эпитаксии позволяет получать на немагнитных подложках со структурой граната эпитаксиальные многокомпонентные гранатовые пленки с достаточно высоким кристаллическим совершенством [2−4]. За последнее время были получены и исследованы лазерные тонкопленочные структуры, выращенные в основном на подложках из УзА^Оп (ИАГ) [5−8]. Недостатком этого монокристалла является невысокая изоморфная емкость, обусловленная малым параметром кристаллической решетки (1,2005 нм) [9]. Ионы А13+ являются наименьшими по размерам среди входящих в тетраи октаэдрические подрешетки в структуре граната, а среди входящих в додекаэдрическую подрешетку меньшими размерами по сравнению с У3+ обладают только ионы Ьи3+, УЪ3+, Тш3+ и Ег3+ [10]. Это ограничивает максимальную концентрацию крупных ионов (например, Ш3+), которую можно ввести в эпитаксиальную пленку на подложке ИАГ, поскольку необходимым условием получения эпитаксиальной пленки является согласование параметров решеток пленки и подложки с точностью порядка 0,01% [1,11].

Более высоким параметром кристаллической решетки (1,2383 нм) обладают подложки из Gd3Ga50i2 (ГТГ) [3], на которых также можно синтезировать тонкопленочные лазерные пленки.

Для выращивания монокристаллических гранатовых пленок методом жидкофазной эпитаксии используются растворы-расплавы на основе систем РЬОВ2О3 и БИгОз — В2О3 [1]. Однако при выращивании пленок этим методом в кристаллическую структуру пленки входят ионы раствора-расплава и материала тигля (РЬ2+, пары РЬ2+ и Pb4+, Bi3+, Pt4+). Эти ионы для пленок являются примесными. Обзор литературы показывает, что влияние этих примесных ионов на оптическое поглощение и люминесценцию эпитаксиальных пленок граната в диапазоне длин волн от 200 до 2500 нм изучено недостаточно.

Целью работы являлось исследование влияния примесных ионов, которые переходят в выращиваемую пленку из раствора-расплава, на оптическое поглощение и люминесценцию эпитаксиальных пленок галлиевых гранатов, выращенных на подложках из Gd3Ga50i2 с ориентацией (111). В рамках этого основного направления решаются задачи:

— синтез эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната из растворов-расплавов на основе систем РЬО — В2О3 и В1гОз — В2О3 и исследование влияния примесных ионов на оптическое поглощение выращенных пленок;

— синтез эпитаксиальных пленок с разной концентрацией неодима и исследование люминесцентных свойств иона Nd3+;

— синтез Со-содержащих эпитаксиальных пленок и исследование влияния состава раствора-расплава на валентность легирующих ионов;

— определение положения энергетических уровней оптически активных ионов Nd3+H Gd3+ в выращенных пленках, исходя из экспериментально регистрируемых спектров оптического поглощения.

Научная новизна результатов, составляющих содержание диссертации, заключается в следующем.

1. Впервые получены систематические экспериментальные данные об оптическом поглощении примесных ионов РЬ2+, пары РЬ2+ и РЬ4+, В13+ в эпитаксиальных пленках гадолиний-галлиевого граната, выращенных на подложках ГГГ из растворов-расплавов на основе систем РЬО — В2О3 и В1гОзВ203.

2. Впервые определена концентрационная зависимость времени спада люминесценции Ш-содержагцих эпитаксиальных пленок в диапазоне изменения концентрации неодима от 0,3 до 15 ат. %.

3. Установлены схемы энергетических уровней ионов Ш3+ и 0<13+ в эпитаксиальных гранатовых пленках при комнатной температуре.

4. Впервые методом жидкофазной эпитаксии выращены пленки составов Сс1зОа5012: Со3+ и ОсЬвазО^Со24″. Установлено, что в этих эпитаксиальных пленках ионы Со3+ входят во все три подрешетки структуры граната, а ионы Со2+ - только в тетраэдрическую подрешетку.

Научная и практическая значимость работы:

1. Полученные в настоящей работе систематические экспериментальные данные об оптическом поглощении примесных ионов в выращенных эпитаксиальных пленках представляют собой основу для дальнейшего синтеза новых оптически активных пленок гранатов.

2. Определены оптимальные условия синтеза-содержащих пленок гадолиний-галлиевого граната на подложках ГГГ из растворов-расплавов на основе системы РЬО — В2О3.

3. Определены оптимальные условия синтеза Со-содержащих пленок гадолиний-галлиевого граната на подложках ГТГ из растворов-расплавов на основе систем РЬО — В2О3 и ЕЙгОз — В2О3.

4. Установленные в настоящей работе схемы энергетических уровней ионов Ш3+ и Ос13+ в эпитаксиальных галлиевых пленках открывают новые возможности в теории спектроскопии конденсированных систем.

На защиту выносятся положения:

1. Вклад примесных ионов свинца в оптическое поглощение эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната, выращенных из свинецсодержащего раствора-расплава, при малом переохлаждении обусловлен электронным переходом 1 Эо -> 3Р1 ионов РЬ2+ (280 нм), а при большом переохлаждении ещё и межвалентными парными переходами ионов РЬ2+ и РЬ4+ (550 нм) и переходами с переносом заряда между ионами О2″ и РЬ4+(325 нм).

2. Вклад примесных ионов висмута в оптическое поглощение эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната, выращенных из висмутсодержащего раствора-расплава, обусловлен электронным переходомо -> 3Р1 ионов В13+ (290 нм), причем интенсивность полосы поглощения этого иона уменьшается с ростом концентрации всЬОз в растворе-расплаве.

3. Примесные ионы РЬ2+ в эпитаксиальных пленках гадолиний-галлиевого граната, легированных неодимом, не оказывают существенного влияния на люминесценцию ионов Ш3+.

4. Ионы Со3+ входят во все три подрешетки структуры граната у пленок, выращенных из свинецсодержащего раствора-расплава. У пленок, выращенных из висмутсодержащего раствора-расплава, ионы Со3+ входят в тетраэдрическую и октаэдрическую подрешетки, а ионы Со2+ -в тетраэдрическую. При введении.

ОеОг в раствор-расплав кобальт переходит в двухвалентное состояние и входит только в тетраэдрическую подрешетку.

Апробация работы. Материалы диссертации обсуждались на «IX Национальной конференции по росту кристаллов» (Россия, Москва, 2000 г), Второй Научной конференции «Фундаментальные проблемы физики» (Россия, Саратов, 2000 г), 4-ой Международной конференции «Рост кристаллов и тепломассоперенос» (Россия, Обнинск, 2001 г), «X Национальной конференции по росту кристаллов» (Россия, Москва, 2002 г), 5-ой Международной конференции «Рост кристаллов и тепломассоперенос» (Россия, Обнинск, 2003 г), на научных семинарах Научного центра гидрофизических исследований физического факультета МГУ (2002 г) и научных семинарах отдела Когерентной и нелинейной оптики ИОФ РАН (2003 г).

Основное содержание диссертации опубликовано в 15 работах.

Объем и содержание работы. Объем диссертации составляет 130 страниц текста, включая 47 рисунков, 13 таблиц и список литературы из 84 наименований.

Диссертация содержит четыре главы, каждая из которых заканчивается выводами. В конце работы сформулированы основные результаты и выводы, список цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Впервые установлено, что оптическое поглощение примесных ионов свинца в эпитаксиальных галлиевых пленках, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе системы РЬО — В2О3, при малом переохлаждении обусловлено электронным переходом ионов Pb2+ (6s2), а при большом переохлаждении дополнительно появляются полосы поглощения, связанные с межвалентными парными переходами ионов РЬ2+ и РЬ4+ и переходами с переносом заряда между О2″ и РЬ4+.

2. Впервые установлено, что оптическое поглощение примесных ионов висмута в эпитаксиальных галлиевых пленках, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе системы В1гОз — В2О3, обусловлено электронным переходом ионов Bi3+ (6s2), причем интенсивность этой полосы поглощения уменьшается с ростом концентрации ОёгОз в растворе-расплаве.

3. Показано, что в Nd-содержащих галлиевых пленках, выращенных из раствора-расплава на основе РЬО — В2О3 при малом переохлаждении, примесные ионы РЬ2+ не оказывают влияния на спектр люминесценции ионов Nd3+. Определено штарковское расщепление энергетических уровней ионов Nd3+ в этих пленках при комнатной температуре.

4. Впервые методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе систем РЬО — В2О3 и Bi203 — В2О3 выращены эпитаксиальные пленки составов Gd3Ga50i2: Co и Gd3Ga5Oi2: Co2+ на подложках ГГГ с ориентацией (111).

5. Установлено, что кобальт в эпитаксиальных пленках, выращенных из свинецсодержащего раствора-расплава, находится только в трехвалентном состоянии и входит во все три подрешетки структуры граната.

6. Установлено, что кобальт в эпитаксиальных пленках, выращенных из висмутсодержащего раствора-расплава, находится в двухи трехвалентных состояниях, при этом ионы Со3+ входят в тетраи октаэдрические подрешетки, а ионы Со2+ - в тетраэдрическую подрешетку.

7. Показано, что при введении СеОг в свинецсодержащий и висмутсодержащий растворы-расплавы кобальт переходит в двухвалентное состояние и входит только в тетраэдрическую подрешетку.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность научному руководителю доктору физико-математических наук Рандошкину Владимиру Васильевичу за постоянную помощь, заботу и внимание при выполнении работы. Автор искренне благодарит доктора физико-математических наук Плотниченко Виктора Геннадиевича, кандидата физико-математических наук Беловолова Михаила Ивановича, доктора физико-математических наук Салецкого Александра Михайловича и доктора физико-математических наук Сысоева Николая Николаевича за обсуждение результатов работы и полезные замечания, а также кандидата физико-математических наук Пыркова Юрия Николаевича за помощь в измерениях спектров оптического поглощения в исследуемых пленках, Зыкова-Мызина Кирилла Андреевича за помощь в измерениях люминесценции, Лаврищева Сергея Вадимовича за фотографирование спонтанно растущих монокристаллов граната, а также кандидата физико-математических наук Ушакова Сергея Николаевича за конструктивные советы при выполнении данной работы, кандидата химических наук Кочурихина Владимира Владимировича, Иванова Михаила Анатольевича, кандидата физико-математических наук Усманова Назыма Нурлисламовича, кандидата физико-математических наук Дурасову Юлию Александровну и Виноградову Наталию Николаевну, кандидата физико-математических наук Лаптинскую Татьяну Васильевну за моральную поддержку, а также Васильева Антона Викторовича за проявленное терпение.

Автор выражает глубокую благодарность академику Алексею Ремовичу Хохлову, академику Вячеславу Васильевичу Осико, профессору, доктору физико-математических наук Владлену Васильевичу Коробкину и кандидату технических наук Тимошечкину Михаилу Ивановичу за постоянное внимание, помощь и поддержку в работе на всех её этапах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. П.А., Багдасаров Х. С., Фенин В. В. Выращивание монокристаллических пленок для квантовой электроники. — М.: МЭИ, -1981.-67 с.
  2. A.M., Рыбак В. И., Червоненкис А. Я. Состояние разработок по ЦМД материалам.// Зарубежная электронная техника.- М.: ЦНИИ «Электроника», 1982. — в.6−7. -142 с.
  3. Ю.М. Гранатовые эпитаксиальные структуры спинволновой электроники. // Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. М.: ЦНИИ «Электроника», — 1986. — в. 7. — 56 с.
  4. В.В., Червоненкис А. Я. Прикладная магнитооптика. М.: «Энергоатомиздат», — 1990. — 320 с.
  5. Van der Ziel J.P., Bonner W.A., Kopf L., Van Uitert L.G. Coherent emission from Ho3+ ions in epitaxially grown thin aluminum garnet films // Physics Letters 1972. — V.42A. — №. 1. — P. 105−106.
  6. Van der Ziel J.P., Bonner W.A., Kopf L" Singh S., Van Uitert L.G. Laser oscillation from Ho3+ and Nd3+ ions in epitaxially grown thin aluminum garnet films // Appl. Phys. Lett., 1973. — V.22. — №. 12. — P. 656−657.
  7. M.B., Жеков В. И., Прохоров A.M., Тимошечкин М. И. Спектроскопические свойства пленок Er3Al5.xGaxOi2, полученных методом жидкофазной эпитаксии. // Неорганические материалы, 1979. — т. 15. — №. 7.-С. 1246−1249.
  8. Ferrand В., Chambaz В., Couchaud М. Liquid phase epitaxy: A versatile technique for the development of miniature optical components in single crystal dielectric media // Optical Materials, 1999. — V. l 1. — P. 101−114.
  9. М.А., Осико В. В., Пугачев В. А., Сигачев В. Б., Стрелов В. И., Тимошечкин М. И. Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с хромом и неодимом. // Препринт № 43 ИОФАН. М.: — 1989. 25 с.
  10. А.А. Лазерные кристаллы. М.: Наука, — 1975. — 256 с.
  11. Blank S.L., Nielsen J.W. The growth of magnetic garnet by liquid phase epitaxy. // J. Cryst. Growth. 1972. -V. 17. — P. 302−311.
  12. Menzer G. Die kristallstruktur der granate. Z. fur kritallographie. — 1929. — V. 29. — N ¾. — P. 300−396.
  13. А.Г. Минералогия. M.: Госгеолиздат. — 1950. — 956 с.
  14. К.П., Белянчикова М. А., Левитин Р. З., Никитин С. А. Редкоземельные ферро- и антиферромагнетики. М.: Наука, — 1965. — 320 с.
  15. B.C., Лисицына Е. Е. Синтетические аналоги и имитации природных драгоценных камней. М.: Недра, — 1981. — 158 с.
  16. А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. М.: МИСИС, -2000. -432 с.
  17. А. Физика и техника цилиндрических магнитных доменов. М.: Мир, 1983. — 496 с.(Пер. с англ. Eschenfelder А. Н. Magnetic Bubble Technology. Springer-Verlag, Berlin Heidelberg New York, 1981).
  18. A.A., Богомолова Г. А., Кеворков A.M. Спектроскопические исследования кристаллов со структурой граната // Неорганические материалы, 1975.- т. 11.- №. 5.- С. 884−889.
  19. A.M., Лисовский Ф. В., Раев В. К. и др./ Под ред. Н. Н. Евтихиева, Б. Н. Наумова. Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах. Справочник. М.: Радио и связь, — 1987. — 488 с.
  20. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, — 1984. — 376 с.
  21. Van Erk W., Van Hoek-Martens H.J., Bartels G. The effect of substrate orientation of the growth kinetics of garnet liquid phase epitaxy // J. Cryst. Growth. 1980. — V. 48. — N 4. — P. 621−634.
  22. C.A., Белоусова H.B., Пастухов Э. А., Серебрякова Л. И. Плотность и поверхностное натяжение расплавов Bi203-V20s, Bi203-Ti02 и В1г0з-В20з // Расплавы, 2001. — в. 2. — С. 3−7.
  23. И.В., Скориков В. М., Кутвицкий В. А., Растворимость Pt в расплавах системы В12Оз-ЭхОу, где Э Si, Ti, Ge, Zn, Gd. — Известия АН СССР. Неорганические материалы, — 1981. — т. 17. — № 4. — с. 663−668.
  24. Elwell D., Scheel H.J. Crystal growth from high-temperature solutions. // London, New-York, San-Francisco: Academic Press, London. 1975. — 634 P.
  25. Э.А., Истомин C.A., Белоусова H.B. Физико-химические свойства расплавов Bi203 Fe203 и Bi203 — V205 // Расплавы, — 2000.- № 1. — С. 8−13.
  26. В.И. Физико-химические и кристаллохимические аспекты жидкофазной эпитаксии пленок феррит-гранатов. /Труды ИОФАН. М.: Наука, -1992. т.35. — С.16−48.
  27. Л.М., Журавлев Г. И. Химия и технология ферритов. Л.: Химия, -1983. — 256 с.
  28. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, — 1988. — 574 с.
  29. В.И. Условия кристаллизации и жидкофазная эпитаксия феррогранатов в растворах-расплавах. Кандидатская диссертация. М.: -1988.-256 с.
  30. Gornert P. and Hergt R. Preparation and crystal imperfections of yttrium-iron garnet single crystals grown in flux melts by slowly cooling and gradient transport.// Phys. Stat. Sol. A. 1973. -V. 20. -№ 12. — P.577−588.
  31. Tolksdorf W. Magnetic garnet single crystal growth from fluxed melts.// Acta Electron. 1974. -V. 17. -№ 1. — P.57−67.
  32. Jonker H.D. Investigation of the phase diagram of the system РЬО-ВгОз-РегОз-Y2O3 for the growth of single crystals of Y3Fe50i2 •// J. Cryst. Growth. 1975. -V. 28, — № 1.-P.231−239.
  33. Sobon L.E., Wickersheim K.A., Robinson J.C., Mitchell M.J. Lead contamination of flux-grown garnets and the effect on optical properties // J. Appl.Phys. 1967. -V. 38. -№ 3. -P.1021−1022.
  34. Scott G.B., Page J.L. Pb valence in iron garnet$. // J. Appl.Phys. 1977. -V. 48. — P. 1342−1349.
  35. Hush N.S.Intervalence-transfer absorption. Part 2. Theoretical considerations and spectroscopic data. // Prog. Inorg. Chem. 1967. — V.8. — P. 391 — 435.
  36. Lacklison D.E., Scott G.B., Page J.L. Absorption spectra of Bi3+ and Fe3+ in Y3Ga50i2. // Solid State Communications. 1974. -V. 14. — P.861−863.
  37. Blasse G., Bril A. Investigations on Bi3+ activated phosphors. // J. Chem.Phys. -1968. -V. 48. — № 1. — P. 217−222.
  38. A.K., Котов B.A. Магнитооптика Тонких пленок. М.: Наука, -1988.-190 с.
  39. A.M., Бахтеузов В. Е., Цветкова А. А., Червоненкис А. Я., Черкасов А. П. Влияние примесей на спектры поглощения пленок Bi-содержащих гранатов. // Журнал прикладной спектроскопии, 1981. — т. XXXIV.- в. 3-С. 537−539.
  40. Wood D.L., Remeika J.P. Effect of impurities on the optical properties of yttrium iron garnet. // J.Appl.Phys. 1967. -V. 38. — № 3. — P. 1038−1045.
  41. Wood D.L., Remeika J.P. Optical absorption of tetrahedral Co3+ and Co2+ in garnets. // J. Chem.Phys. 1967. -V. 46. — № 9. — P. 3595−3602.
  42. Geusic J.E., Marcos H.M., Van Uitert L.G. Laser oscillations in Nd-doped yttrium aluminum, yttrium gallium and gadolinium garnets.// Appl. Phys. Lett. -1964.-V. 4,-№ 4.-P. 182−184.
  43. A.A. Исследование индуцированного излучения кристаллов Y3AI5O12 -Nd3+. // ЖЭТФ, 1966, — т. 51. -в.1(7). — С. 49−58.
  44. Справочник по лазерам / Под ред. A.M. Прохорова. М.: Сов. радио, — 1978. — т.1, С.237−296.
  45. В.В. Лазерные материалы. Избранные тр. М.: Наука, — 2002. — 496 с.
  46. A.M., Щербаков И. А. Лазеры на кристаллах редкоземельных гранатов с хромом. // Известия АН СССР. Физическая, 1987. — т.51. № 8. -С. 1341−1353.
  47. В.В. Активные среды твердотельных лазеров. // Известия АН СССР. Физическая, 1987. — т.51. № 8. — С. 1285−1294.
  48. П., Каррас X., Кётитц Г., Леман Р. Спектроскопические свойства активированных лазерных кристаллов. М.: Наука, — 1966. — 207 с.
  49. Х.С., Богомолова Г. А., Гриценко М. М., Каминский А. А., Кеворков A.M., академик Прохоров A.M., Саркисов С. Э. Спектроскопия стимулированного излучения кристаллов Gd3Ga50i2 Nd3+. // ДАН, — 1974.-Т.216 -№ 5 С. 1018−1021.
  50. М.Е., Осико В. В., Сигачев В. Б., Тимошечкин М. И. Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе 4F3/2 → 4Ii3/2 (Я, = 1,33 мкм). // Квантовая электроника, 1991. — т. 18. — № 3. — С. 298 -300.
  51. Е.В., Ильичев Н. Н., Лаптев В. В., Малютин А. А., Остроумов В. Г., Пашинин П. П., Щербаков И. А. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd3Ga50i2. // Квантовая электроника, -1982. т. 9. — № 3. — С. 568 -573.
  52. E.M., академик Прохоров A.M., Самойлов В. П., Щербаков И. А. Измерение вероятностей излучательных переходов с метастабильного уровня Nd3+ в силикатном стекле и кристалле граната. // ДАН, 1974. -т.215 — № 6 — С. 1341−1344.
  53. Keszei В., Paitz J., Vandlik J, Suveges A. Control of Nd, Cr: Gd3Ga50i2 single crystals grown by Czochralski method. // J. Crystal. Growth. 2001. — V. 226.-P. 95−100.
  54. Bonner W.A. Epitaxial growth of garnets for thin film lasers. // J. Electronic Materials. 1974. — V. 3. — № 1 — P. 193−208.
  55. Barrington S.J., Bhutta Т., Shepherd D.P., Eason R.W. The effect of particulate density on performance of Nd: Gd3GasOi2 waveguide lasers grown by pulsed laser deposition.// Optics Communications. 2000. — V. 185. — P. 145−152.
  56. Hellwege K.H., Hufner S., Schmidt H. UV-absorptionsspektren kristalliner salze der seltenen erden. II. Gadoliniumchlorid.// Zeitschrift fur Physik. 1963. — V. 172. — № 4 — P. 460−464.
  57. Азаматов 3.T., Арсеньев П. А., Чукичев М. В. Спектры гадолиния в монокристаллах алюмо-иттриевого граната.// Оптика и спектроскопия, -1970, — т. XXVIII. № 2- С. 289−291.
  58. Ф.З., Добкина Ж. С., Столов A.JL, Ливанова Л. Д. Спектры поглощения и люминесценции Gd3+ в MeF2. // Оптика и спектроскопия, -1966, — т. XX. № 2- С. 283−292.
  59. В.В., Васильева Н. В., Сташун К. В., Сташун М. В. Влияние деградации раствора-расплава на свойства пленок (Bi, Gd, Tm)3(Fe, Ga)50i2. // Неорганические материалы, 1999. — т.35. — № 1. — С. 85−87.
  60. В.В., Васильева Н. В., Салецкий А. М., Сташун К. В., Сысоев H.H., Чуркин А. Н. Оптическое поглощение в эпитаксиальных пленках Gd3Ga5Oi2, выращенных из разных растворов-расплавов. Физическая мысль России, 2000. — в.2. — С.27−33.
  61. М.А. Атомная и молекулярная спектроскопия. И Эдиториал УРСС. М.: -2001.-894 с
  62. В.В., Васильева Н. В., Плотниченко В. Г., Пырков Ю.Н.,
  63. C.B., Иванов М. А., Кирюхин А.А, Салецкий A.M., Сысоев H.H.
  64. Оптическое поглощение ионами Nd3+ и Gd3+ в эпитаксиальных пленках, выращенных на подложках Gd3Ga50i2 из свинец-содержащего раствора-расплава. // ФТТ, 2004, т. 46, в. 6, с. 1001−1007.
  65. В.В., Чани В. И., Цветкова А. А. Коэффициенты распределения редкоземельных элементов при кристаллизации феррит-гранатов. // Письма в ЖТФ, 1987. — т. 13. — в.4. — С. 839−842.
  66. Koningstein J.A. Crystal-field studies of excited states of trivalent neodymium in yttrium gallium garnet and yttrium aluminum garnet. // J. Chem. Phys. 1966. -V. 44. — № 10. — C. 3957−3968.
  67. В.В., Беловолов М. И., Васильева Н. В., Салецкий А. М., Сысоев Н. Н. Люминесценция эпитаксиальных пленок GdsGasO^, содержащихионы Nd3+. Фундаментальные проблемы физики. Тезисы докл.2-й научн. конф, Саратов, 2000. -С.156.
  68. B.B., Васильева H.B., Плотниченко В. Г., Пырков Ю. Н. Оптическое поглощение в эпитаксиальных кобальт-содержащих пленках гадолиний-галлиевого граната. // Письма в ЖТФ, 2000. — т.26. — в.23. -С.55−58.
  69. Н.В., Плотниченко В. Г., Рандошкин В. В., Пырков Ю. Н. Рост и оптическое поглощение в эпитаксиальных кобальт-содержащих пленках гранатов. Тезисы докладов национальной конференции по росту кристаллов. Москва, 2000. — С.322.
  70. B.B.Рандошкин, Н. В. Васильева, В. Г. Плотниченко, Ю. Н. Пырков, А. М. Салецкий, Н. Н. Сысоев, А. М. Галкин, В. Н. Дудоров. Оптическое поглощение в кобальт-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленках граната. // ФТТ, 2003. — т.45. — в.2. — С.242−247.
  71. М.А. Спектры редких земель.// М.: 1953. — 456 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!