Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро-и наноструктур

Диссертация: Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро-и наноструктур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты диссертационной работы использованы в госбюджетных научно-исследовательских работах кафедры ТМ и НА в 2005 г. «Разработка и исследование технологических процессов изготовления контактов к SiC методами импульсной термообработки» (№ гос. регистрации 1 200 502 598) и в 2008—2009 гг. «Разработка теоретических основ построения микросистем, наносистем и программно-аппаратных комплексов для… Читать ещё >

Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро-и наноструктур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений
  • Глава 1. Влияние поверхности подложек SiC на формирование микро- и наноструктур
    • 1. 1. Влияние поверхности подложек SiC на эпитаксиальный слой и характеристики приборных структур
    • 1. 2. Методы формирования поверхности подложек SiC
    • 1. 3. Термодинамические процессы в системах Si-C и Si-SiC
    • 1. 4. Выводы, постановка цели и задач
  • Глава 2. Анализ физико-химических процессов формирования поверхности подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC
    • 2. 1. Тепловые процессы
    • 2. 2. Анализ термоупругих напряжений
    • 2. 3. Анализ термокапиллярных процессов в зоне жидкой фазы
    • 2. 4. Термодинамический анализ реакций межфазного взаимодействия в структуре расплав Si — подложка SiC
    • 2. 5. Синтез и разложение SiC в расплаве S
    • 2. 6. Кинетика процесса растворения SiC в расплаве S
    • 2. 8. Выводы
  • Глава 3. Влияние ЭЛО на физические характеристики поверхности подложек
  • SiC и электрофизические характеристики контактов Ti/n-6H-SiC (0001)
    • 3. 1. Экспериментальные методы исследований
    • 3. 2. Исследование шероховатости поверхности подложек SiC
    • 3. 3. Исследование режимов формирования поверхности подложек SiC при ЭЛО
    • 3. 4. Исследование влияния режимов ЭЛО на параметры контактов Ti/6H-SiC
    • 3. 5. Разработка технологического процесса электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC
    • 3. 6. Выводы

Актуальность диссертационной работы.

Приборы на основе эпитаксиальных слоев (ЭС) карбида кремния (SiC) являются базой высокомощных, высокотемпературных и высокочастотных устройств микроэлектроники. Это объясняется уникальностью его свойств и характеристик, отсутствием для ряда применений альтернатив SiC. В настоящее время формируется новый класс приборов микрои наноэлектроники на основе SiC, обусловленный уникальностью параметров карбида кремния, в частности диодов Шоттки, СИД, транзисторов с высокой подвижностью электронов, МОП-транзиторов, приборов на квантовых ямах на основе гетероструктур, при этом увеличивается степень интеграции БИС на SiC в связи с уменьшением размеров элементов и увеличением качества структуры подзатворного диэлектрика и ЭС, границ раздела и поверхности подложки.

Основным недостатком формирования приборов на SiC является низкий процент выхода годных. Низкая воспроизводимость, нестабильность и неравномерность параметров, высокая дефектность субмикронных и наноразмерных структур в значительной мере обусловлены состоянием поверхности подложки: нарушенным слоем (НС), морфологией и химической чистотой. Сложность формирования расчетных и деградация реальных приборов определяются наличием большой плотности дислокаций и остаточных напряжений в подложке и ЭС, дислокационных центров безызлучательной рекомбинации. Ведущую роль при этом играют винтовые дислокации, ориентированные в [0001] направлении, которые копируются из подложки при росте монокристалла и ЭС.

Необходимым условием улучшения структуры является оптимизация технологии подготовки поверхности подложек SiC. Проблема формирования поверхности с морфологией близкой к атомарно-гладкой и отсутствующим НС, а также вопросы влияния ее физико-химических характеристик на параметры приборов, несмотря на множество работ, остается открытой в области технологии подготовки поверхности подложек микрои наноэлектроники.

Традиционная промышленная подготовка подложек SiC представляет собой длительный процесс, обусловленный хмногоэтапностью комбинаций различных способов обработки, что дополнительно увеличивает стоимость конечно продукта. Так, ограничением применимости промышленной химико-механической полировки (ХМП), несмотря на характерное среднеквадратическое значение (СКЗ) шероховатости такой поверхности 0,1— 0,6 нм, следует считать остаточный НС, загрязнение поверхности агрессивными реагентами, неэкологичность способа. При этом удаление НС проводится на последующих этапах плазменного или водородного отжига, которые могут привести к увеличению СКЗ шероховатости поверхности.

Следовательно, для получения бездефектных монокристаллических подложек и ЭС SiC требуется разработка новых способов формирования поверхности с морфологией близкой к атомарно-гладкой и отсутствующим НС.

Анализ исследований отечественных и зарубежных работ в этой области показал перспективность лучевых технологий, что объясняется локальностью оказываемого на поверхность воздействия и целенаправленным изменением ее характеристик. Прогрессивные методы обработки поверхности: тепловая, ионно-плазменная, лазерная и электронная обработка характеризуются комплексным решением проблемы формирования поверхностиуменьшением СКЗ шероховатости, удалением НС и очисткой. Анализ показал, что наиболее перспективным является метод электронно-лучевой обработки (ЭЛО), отличающийся большей технологичностью, простотой управления, химической чистотой процесса, вакуумной совместимостью с другими технологическими процессами.

Отсутствие физико-технологических исследований электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC представляет основное препятствие активному использованию метода в промышленности для создания эпитаксиальных микрои наноструктур. Актуальность проведения таких исследований повышается в связи с ускоренным развитием наноинустрии, где качество состояния поверхности подложек является основополагающим.

Цель и задачи диссертационной работы.

Целью диссертационной работы является разработка технологии электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания эпитаксиальных микрои наноструктур.

В соответствии с поставленной целью, основными задачами диссертационной работы являются следующие:

— обобщение и выявление особенностей и закономерностей методов подготовки поверхности монокристаллических подложек SiC для формирования на них микрои наноструктур;

— разработка комплексной модели физико-химических процессов формирования поверхности монокристаллических подложек SiC при обработке структуры Si/SiC движущимся низкоэнергетическим ленточным электронным лучом, которая учитывает нелинейные температурные зависимости теплофизических и физико-механических свойств материалов структуры;

— теоретическое исследование термодинамических закономерностей процессов межфазного взаимодействия в системе расплав Si — подложка SiC;

— разработка методики оптимизации режимов электронно-лучевой обработки поверхности монокристаллических подложек SiC;

— исследование влияния электронно-лучевой обработки на морфологию поверхности монокристаллических подложек SiC и электрофизические характеристики тестовых структур.

Объект исследования.

Образцы монокристаллических подложек n-6H-SiC.

Научная новизна работы.

1. Разработана комплексная модель физико-химических процессов формирования поверхности монокристаллических подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC, с учетом температурной зависимости теплофизических и физико-механических свойств материалов структуры.

2. Установлены термодинамические закономерности процессов межфазного взаимодействия расплава Si с подложкой SiC и их корреляция с режимами ЭЛО структуры Si/SiC.

3. Предложена кинетическая модель формирования близкой к атомарно-гладкой поверхности монокристаллических подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC.

Практическая ценность работы;

1. Установлена область оптимальных режимов электронно-лучевого формирования близкой к атомарно-гладкой поверхности монокристаллических подложек SiC, которая обеспечивает шероховатость менее 0,3 нм и отсутствие нарушенного слоя.

2. Разработан технологический процесс электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC, который обеспечивает шероховатость поверхности менее 0,3 нм и отсутствие нарушенного слоя.

3. Разработан технологический процесс получения омических контактов без.

17 1 термообработки на основе Ti/n-6H-SiC (1×10 см") и сформированы контакты со следующими характеристиками: удельным переходным сопротивлением 3,6×10″ Омсм" ~ и плотностью поверхностных состояний на границе раздела порядка 10 ~ см" «.

Положения, выносимые на защиту.

1. Механизм формирования близкой к атомарно-гладкой поверхности монокристаллических подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC.

2. Термодинамические закономерности процессов межфазного взаимодействия расплава Si с подложкой SiC при ЭЛО структуры Si/SiC, с учетом нелинейных температурных зависимостей теплофизических свойств материалов структуры.

3. Технологический маршрут формирования поверхности монокристаллических подложек SiC и режимы ЭЛО структуры Si/SiC.

4. Экспериментальные закономерности влияния режимов ЭЛО на характеристики морфологии поверхности SiC и электрофизические характеристики контактов Ti/n-6H-SiC (1×1017 см" 3).

Внедрение результатов работы.

Результаты диссертационной работы использованы в госбюджетных научно-исследовательских работах кафедры ТМ и НА в 2005 г. «Разработка и исследование технологических процессов изготовления контактов к SiC методами импульсной термообработки» (№ гос. регистрации 1 200 502 598) и в 2008—2009 гг. «Разработка теоретических основ построения микросистем, наносистем и программно-аппаратных комплексов для мониторинга окружающей среды» (№ гос. регистрации 1 200 805 219).

Результаты диссертационной работы внедрены на предприятиях: ООО «Завод Кристалл» (г. Таганрог), ОАО «НЛП КП «Квант» (г. Ростов-на-Дону), а также в учебный процесс на кафедре ТМ и НА ТТИ ЮФУ.

Апробация работы.

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

III Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (ISSCRM-2009), Великий Новгород, 2009;

VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии», Кисловодск, 2006;

— XI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2007;

— XIX и XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2006, 2007;

— Ill Российской студенческой научно-технической конференции «Вакуумная техника и технология», Казань, 2007;

— Международной научно-технической конференции «Микрои нанотехнологии в электронике», Приэльбрусье, 2009;

— I, II, III, и V Ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН, Ростов-на-Дону, 2005;2007,2009;

— Х1П Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика», Зеленоград, 2006;

— Всероссийском смотре-конкурсе научно-технического творчества студентов высших учебных заведений «ЭВРИКА-2005», Новочеркасск, 2005;

— IV Международной научно-технической школе-конференции «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике», Москва, 2006;

— X Международной научной конференции и школе-семинаре «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, 2006;

— VIII Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления», Таганрог, 2006;

— LII Научно-технической конференции профессорско-преподовательского состава, аспирантов и сотрудников Таганрогского государственного радиотехнического университета (ТРТУ), Таганрог, 2006;

Результаты работы отмечены медалью и дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: открытого конкурса Министерства образования на лучшую научную работу студентов по естественным, техническим и гуманитарным наукам в высших учебных заведениях Российской Федерации (Москва, в 2007 — медальв 2006 — диплом) — Всероссийского смотра-конкурса научно-технического творчества (Новочеркасск, 2005) — Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (Москва, 2006).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 24 печатные работы, из них 3 в журналах, входящих в Перечень ВАК. Во ВНИИТЦ зарегистрировано 2 отчета по НИР.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения — общих выводов, списка использованной литературы. Объем работы составляет 171 страниц, включая 57 рисунка, 23 таблиц, 73 формулы и 175 наименований списка использованной литературы, 3 приложения.

Основные результаты диссертационной работы следующие:

1. Разработана комплексная модель процесса электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC на основе физико-химических особенностей процесса ЭЛО структуры Si/SiC.

2. Предложен механизм формирования поверхности монокристаллических подложек SiC близкой к атомарно-гладкой при ЭЛО структуры Si/SiC.

3. Экспериментально установлена связь параметров морфологии поверхности подложки и процесса ЭЛО: формирование поверхности с шероховатостью порядка 0,3 нм при растворении слоя 0,63—15,44 нм (мощности 14,4—15,4 кВт/см, скорости луча 1−2 см/с, и температуре предварительного подогрева 1100 К).

4. Разработан технологический процесс электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC. Получены близкие к атомарно-гладким поверхности {0001} граней монокристаллических подложек n-6H-SiC с СКЗ шероховатости -0,3 нм и отсутствием НС.

5. Разработан технологический процесс получения омических контактов.

17 3 без термообработки на основе Ti/n-6H-SiC (1×10 см"). Получены омические контакты со следующими характеристиками: удельным переходным.

3 2 сопротивлением 3,6×10″ Ом-см" и плотностью поверхностных состояний на границе раздела порядка 10″ см" .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Powell J.A., Larkin D.J., Abel Р.В. Surface morphology of silicon carbide epitaxial films //J. Electronic Mater. 1995. Vol. 24. № 4. P. 295−301.
  2. Powell J.A., Larkin D.J. Process-induced morphological defects in epitaxial CVD silicon carbide // Phys. stat. sol. (b). 1997. Vol. 202. № 1. P. 529−548.
  3. Growth of SiC substrates / J.A. Powell, J. Jerry, S. Muller et al. // International Journal of High Speed Electronics and Systems. 2006. Vol. 16. № 3. P. 751−777.
  4. Takahashi K., Yoshikawa A., Sandhu A. Wide bandgap semiconductors: fundamental properties and modern photonic and electronic devices. Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 2007. 460 p.
  5. Neudek P.G. Progress in silicon carbide semiconductor electronics technology // J. Electronic Mater. 1995. Vol. 24. № 4. P. 283−288.
  6. Neudek P.G. SiC Technology. 1998. 54 p. Electronic resource.
  7. URL: http://www.grc.nasa.gov/WWW/SiC/publications/CRCChapterRev.pdf (access date: 27.03.2007).
  8. Bipolar semiconductor device and process for producing the same: EP 1 739 726 Al. № 5 721 512.1- fill. 25.03.2005- publ. 03.01.2007.
  9. Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении 010. / В. П. Евтихиев, В. Е. Токранов,
  10. A.К. Крыжановский и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 7. С. 860−865.
  11. С.С., Латышев А. В. Атомные ступени на поверхности кремния (111) // Вестник НГУ, Физика. 2007. Т 2. Вып. 2. С. 40−50.
  12. Физико-химические методы обработки полупроводников / Б. Д. Луфт,
  13. B.А. Перевозчиков, А. Н. Возникова и др. / под ред. Б. Д. Луфта. М.: Радио и связь, 1982.136 с.
  14. И. Monnoye S., Turover D., Vicente P. Surface preparation techniques for SiC wafers // Silicon Carbide: recent major advances / Eds. W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl. Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 2003. P. 699−710.
  15. Inversion channel MOSFETs in 3C-SiC on silicon / J. Wan, M.A. Capano, M.R. Melloch et al. // Proc. IEEE Lester Eastman conf. on high performance devices (Newark DE, USA, aug. 6−8, 2002). P 83−89.
  16. Li Y., Cooper J.A., Capano M.A. High-Voltage (3 kV) UMOSFETs in 4H-SiC // IEEE Trans. Electron Devices. 2002. Vol. 49. № 6. P. 972−975.
  17. Quality improvement of IH-nitride epilayers and their heterostructures grown on vicinal substrates by rf-MBE / X.Q. Shen, K. Furuta, N. Nakamura et al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 301−302. P. 404−409.
  18. Electrical properties of MBE-grown AlGaN/GaN HEMT structures by using 4H-SiC (0001) vicinal substrates / N. Nakamura, K. Furuta, X.Q. Shen et al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 301−302. P. 452−456.
  19. Hardin C.W., Qu J., Shih A. Fixed abrasive diamond wire saw slicing of single-crystal silicon carbide wafers // Materials and Manufacturing Processes. 2004. Vol. 19. № 2. P. 355−367.
  20. Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV: pat. 7 422 634 US. № 11/101 110- fill. 04.07.2005- publ. 09.09.2008.
  21. Yih Р.Н., Saxena V., Steckl A.J. A review of SiC reactive ion etching in fluorinated plasmas // Phys. stat. sol. (b). 1997. Vol. 202. № 1. P. 605−642.
  22. Yin L., Huang H. Surface topography in mechanical polishing of 6H-SiC (0001) substrate //Proc. of SPIE. 2007. Vol. 6798−62/2. P. 679 811 (1−10).
  23. Влияние механической обработки на структуру поверхнострзц^^монокристаллов карбида кремния / Н. И. Долотов, Б. И. Левчук, В.В. М"яуярг>-1=-и др. // ФХОМ. 1986. № 4. С. 69−71.
  24. Chemical-mechanical polishing of SiC surfaces using hydrogen peroixde о i -ozonated water solutions in combination with colloidal abrasivet -WO 2005/99 388 A3. № PCT/US2005/11 693- fill. 06.04.2005- publ. 27.10.2005.
  25. Vicente. P, Chaussende D. Single atomic steps on SiC polished surfaces // III
  26. Vs Review. 2002. Vol. 15. № 4. P. 4617.
  27. Chemomechanical Polishing of Silicon Carbide / Zhou L., Audurier V
  28. Pirouz. P. et al. //J. Electrochem. Soc. 1997. Vol. 144. № 6. P. L161-L163.
  29. Powell J. A. and Larkin D. J. Process-induced morphological defects in epitaxig^--Tjfl
  30. CVD silicon carbide // Phys. stat. sol. (b). 1997. Vol. 202. № l. p. 529−548.
  31. A.C. Наноалмазы для полирования // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. С. 670−678.
  32. Electrochemical etching of 6H-SiC using aqueous KOH solutions with lo-s-z surface roughness / M. Kato, M. Ichumura, E. Arai et al. // Jpn. J. Appl. Phy≤=: 2003. Part 1. Vol. 42. № 7A. P. 4233^1236.
  33. Sacrificial anodic oxidation of 6H-SiC / M. Kato, M. Ichumura, E. Arai et аЛГ^
  34. Jpn. J. Appl. Phys. 2001. Part 2. Vol. 40. № 11 A. P. L1145-L1147.
  35. Kato M., Ichimura M., Arai E. Characteristics of Schottky diodes on бН-Э^-^^вС^ surfaces after sacrificial anodic oxidation // Proc. International conference on SITand related materials: ICSCRM-2001 (Tsukuba, Japan, oct. 28 nov. 2, 20 001
  36. Mater. Sci. Forum. 2002. Vol. 389−393. P. 933−936.
  37. Surface processing of silicon carbide substrates / A.S. Bakin, S.I. DorozhkiT~— A.Z. Bogachov et. al. // Mater. Sci. Eng., B. 1997. Vol. 46. № 1−3. P. 370−373
  38. Nisiguchi Т., Ohshima S., Nishino S. Thermal etching of 6H-SiC substrate surface // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. Part 1. Vol. 42. № 4 a. P. 1533−1537.
  39. Harada M., Nagano Т., Shibata N. Surface etching of 6H-SiC (0001) by annealing in vacuum for obtaining an atomically flat surface // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. Part 2. Vol. 41. № 4A. P. L1218-L1220.
  40. Powell J.A., Larkin D.J., Trunek A.J. Gaseous etching for characterization of structural defects in silicon carbide single crystals // Mater. Sci. Forum. 1998. Vol. 264−268. P. 421−424.
  41. Removal of polishing induced damage from 6H-SiC (0001) substrates by hydrogen etching / F. Owman, C. Hallin, Per. Martenson el al. // J. Cryst. Growth. 1996. Vol. 167. № 1. P. 391−395.
  42. Г. Ф. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 232 с.
  43. The effect of plasma etching on the electrical characteristics of 4H-SiC Schottky diodes / N.O.V. Plank, L. Jiang,. A.M. Gundlach et al. // J. Electron. Materials. 2003. Vol. 32. № 9. P. 964−971.
  44. Beheim G.B. Deep reactive ion etching for bulk micromachining if silicon carbide // Handbook series for mechanical engineering. Vol. 17: The MEMS handbook / Ed. M. Gad-el-Hak. London: CRC Press, 2002. P. 21−1-21−12.
  45. ICP etching of SiC / J.J. Wang, E.S. Lambers, S.J. Pearton et al. // Solid-St. Electr. 1998. Vol. 42. № 12. P. 2283−2288.
  46. Hopkins J, Nicholls G., Lea L. Plasma sources for high-rate etching of SiC // Solid-St. Tech. May 2005. Electronic resource. URL: http://www.soHd-state.com/articles/articledisplay.html?id=227 446 (access date: 04.04.2009).
  47. Electron cyclotron resonance plasma etching of n-SiC and evaluation of Ni/n-SiC contacts by current noise measurements / N. Tanuma, S. Yasukawa, S. Yokokura et al. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 2001. Vol. 40. № 6A. P. 3979−3984.
  48. In-situ cleaning of 4H-SiC (0001) surface by using pulsed laser irradiation / K. Abe, O. Eryu, M. Sumitomo et al. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 2003. Vol. 42. № 7A. P. 42414−244.
  49. Brander R.W., Sutton R.P. Solution grown SiC p-n junctions // Brit. J. Appl. Phys. 1969. Vol. 2. P. 309−318.
  50. Syvajarvi M., Yakimova R., Janzen E. Interfacial properties in liquid phase growth of SiC // J. Electrochem. Soc. 1999. Vol. 146. № 4. P. 1565−1569.
  51. Syvajarvi M., Yakimova R., Janzen E. Growth of SiC from the liquid phase: wetting and dissolution of SiC / Diamond and Related Materials. 1997. Vol. 6. № 4. P. 1266−1268.
  52. Knippenberg W.F., Verspui G. The preparation of large single crystals of SiC polytypes by precipitation from solutions // Phil. Res. Rep. 1966. Vol.21. № 2. P. 113−121.
  53. Yaghmaee M.S., Kaptay G. On the Stability Range of SiC in Ternary Liquid Al-Si-Mg Alloy // Mat. Sci. Forum. 1998. Vol. 21. № 2. P. 264−268.
  54. Ю.М., Рейхель Ф., Цветков В. Ф. Растворимость карбида кремния в Sn и Ga // Изв. АН СССР, Неорг. матер. 1982. Т. 18. № 8. С. 1390−1391.
  55. Rendakova S., Ivantsov V., Dmitriev V. High quality 6H- and 4H-SiC pn structures with stable electric breakdown grown by liquid phase epitaxy // Mat. Sci. Forum. 1998. Vol. 264−268. P. 163−166.
  56. Dmitriev V.A., Spencer M.G. SiC fabrication technology: growth and doping // Semiconductors and semimetals. Vol. 52: SiC Materials and Devices / Eds. Y.-S. Park, R.K. Willardson, E.R. Weber. San Diego: Academic Press, 1998. P. 50−56.
  57. Bauser E. LPE-grown surfaces and growth mechanisms // Crystal growth of electronic materials / ed. E. Kaldis. Amsterdam: Elsevier Science, 1985. P. 41−55.
  58. Anisotropy of dissolution and defect revealing on SiC surfaces / M. Syviijarvi, R. Yakimova, A-L. Hylen et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. Vol.11. P.10 041−10 046.
  59. Шиллер 3., Гайзик У., Панцер 3. Электронно-лучевая технология / пер. с нем. В. П. Цишевского, вступ. ст. Б. Е. Патона. М.: Энергия, 1980. 528 с.
  60. Способ и устройство для полировки изделий: а.с. 1 635 463 СССР. № 4 756 542/33(134 731) — опубл. 09.11.1989. Электронный ресурс. URL: http://apollon.sfedu-tgn.m/pls/oisil/web.patentinfo?akey=3718 (дата обращения 10.09.2008).
  61. Г. В., Кравченко А. А., Магаев Л. Г. Блок питания электронной пушки // Активируемые процессы технологии микроэлектроники: сб. науч. трудов. Таганрог, 1986. Вып. 8. С. 89−92.
  62. Г. В., Лисоченко В. Н., Якушев В. М. Блок управления мощностью электронной пушки // Активируемые процессы технологии микроэлектроники: сб. науч. трудов. Таганрог, 1984. Вып. 7. С. 82−87
  63. Способ изготовления мишени кадмикона: пат. 1 409 060 Рос. Федерация. № 4 047 364/21- заявл. 01.04.1986- опубл. 10.01.1996.
  64. Способ обработки поверхности волоконных материалов: пат. 2 023 690 Рос. Федерация. № 5 060 869/33- заявл. 28.05.1992- опубл. 30.11.1994.
  65. Dudko G.V., Kravchenko А.А., Cherednichenko D.I. Electron-Beam Modification of Silicate Glass Surfaces // J. Non-Cryst. Sol. 1995. Vol 188, № 1. P. 87−92.
  66. С.П., Кравченко A.A., Гусев Е. Ю. Влияние электронно-лучевой обработки на параметры фотоэмитирующих структур и фактор шума МКП // Прикладная физика. 2007. № 3. С. 67—73.
  67. Rapid thermal processing of metal contacts to SiC substrates / O.A. Agueev, S.P. Avdeev, R.V. Konakova ct al. // Abstracts of V International Seminar on SiC and Related Materials: ISSCRM-2004 (Novgorod the Great, Russia, may 2427, 2004). P. 68.
  68. Агеев О. А, Гусев Е. Ю. Электрическое поле и ЭДС Дембера в SiC при быстрой термической обработке // Известия ТРТУ. 2004. № 1. С. 106.
  69. Bachman M. RCA-1 Silicon wafer cleaning. 1999. 3 p. Electronic resource. URL: http:// www.ampel.ubc.ca/nanofab/sop/rca-clean-l .pdfaccess date: 10.04.2008).
  70. Ruzyllo J. Wet cleaning technology chemistry // Semiconductor notes. 2006. № 16. 1 p. Electronic resource. URL: http://www.semiconductorglossary.comnotes/ViewFile.asp?Which=71 (access date: 10.04.2008).
  71. Kern W. Handbook of semiconductor wafer cleaning technology: science, technology, and applications. Noyes: William Andrew, 1993. 623 p.
  72. Scace R.I., Slack G.A. Solubility of Carbon in Silicon and Germanium // J. Chem. Phys. 1959. Vol. 30. № 6. P. 1551−1555.
  73. Olesinski R.W., Abbaschian G.J. The C-Si (Carbon-Silicon) system // Bull. Alloy Phase Diagrams. 1984. Vol. 5. № 5. P. 486189.
  74. Chase M.W., Jr. NIST-JANAF Themochemical Tables: Fourth Edition // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1998. Monograph № 9. P. 1−1951. Electronic resource. URL: http://webbook.nist.gov/chemistry/ (access date: 16.12.2008).
  75. Solubility of Carbon in Liquid Silicon Equilibrated with Silicon Carbide / K. Yanaba, M. Akasaka, M. Takeuchi et al. // Mater. Trans., JIM. 1997. Vol. 38. № 11. P. 990−994.
  76. Regrowth mechanisms in flash lamp processing of heteroepitaxial SiC on silicon substrates / M. Smith, R.A. McMahon, M. Voelskow et al. // J. Cryst. Growth. 2005. Vol. 277. P. 162−169.
  77. Landolt-Bornstein: Numerical data and functional relationships in science and technology: new series / Eds. H.H. Landolt, R. Bornstein, W. Dictze et al. Group III, Vol. 17, subvol. c: Technology of Si, Ge and SiC. Berlin: Springer-Verlag, 1983. 651 p.
  78. Belov N.A., Eskin D.G., Aksenov A.A. Multicomponent phase diagrams: applications for commercial aluminum alloys. Amsterdam: Elsevier, 2005. P. 342.
  79. Removal of SiC from molten Si / S. Suhara, N. Yuge, M. Fukai et al. // CAMP-1SIJ. 1989. Vol. 2. P. 1341.
  80. Hall R.N. Electrical contacts to silicon carbide // J. Appl. Phys. 1958. Vol. 29. P. 914−918.
  81. Effect of alloying elements on carbon solubility in liquid silicon equilibrated with silicon carbide / K. Yanaba, Y. Matsamura, T. Narushima. et al. // Mater. Trans., JIM. 1998. Vol. 39. № 8. P. 819−823.1. V
  82. Г. В., Кравченко A.A., Чередниченко Д. И. Формирование предельно гладких поверхностей оптических стекол // Физика и химия стекла. 1987. Т. 13, № 5. С. 740−746.
  83. Anthony T.R., Cline Н.Е. Surface rippling induced by surface tension gradients during laser melting and alloying // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. № 9. P. 3888−3895.
  84. Cline H.E. Surface rippling induced in thin films by a scanning laser // J. Appl. Phys. Vol. 52. № 1. P. 443−448.
  85. G.G., Соггега L. Analysis of temperature and stress profiles induced by a CW line scanned electron beam in <100> oriented silicon // Mat. Res. Symp. Proc. 1983. Vol. 13 (1983)P. 241−246.
  86. A.M., Данилович Н. И., ЛабуновВ.А. Аналитический подход к расчету распределения температуры в многослойных структурах при нагреве сканирующим лазерным излучением непрерывного действия // ИФЖ. 1987. Т. 53. № 6. С. 1000−1010.
  87. Levoska J., Rantala Т.Т., Lenkkeri J. Numerical simulation of temperature distributions in layered structures during laser processing // J. Appl. Surf. Sci. 1989. Vol. 36. P. 12−22.
  88. В.Г. Физико-химическая гидродинамика. М.: Физматгиз, 1959. 700 с.
  89. А.А., Чередниченко Д. И. Устойчивость границы фазового перехода при электронно-лучевой рекристаллизации тонкого слоя поликремния на окисленной подложке // Известия вузов, Электроника. 1998. № 1. С. 31−42.
  90. Bonifaz E.A. Finite element analysis of heat flow in single-pass arc welds // Weld. J. 2000. Vol. 79. № 5. P. 121−125.
  91. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: справочник / Н. Н. Рыкалин, А. А. Углов, И. В. Зуев и др. М.: Машиностроение, 1985. 496 с.
  92. А.А., Гладуш Г. Г. Физические процессы при лазерной обработке материалов. М.: Энергоатомиздат, 1985. 208 с.
  93. Р.Д., Сенаторов Ю. М. Термокапиллярный механизм глубокого проплавления материалов лазерным излучением // Квантовая электроника. 1988. Т. 15. № 3. С. 622−624.
  94. А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 600 с.
  95. А.А., Чередниченко Д. И. Расчет профиля фазового перехода при поверхностном оплавлении подвижным источником тепла // Физика и химия обработки материалов. 1980. № 1. С. 3−8.
  96. Cervera М., Martinez J., Garrido J., Piqueras J. Temperature evolution during scanning electron beam processing of silicon // J. Appl. Phys. A. 1996. Vol. 62.1. P. 4514−57.
  97. Electronic archive «New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties» by Ioffe Institute Electronic resourse. URL: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/ (access date: 21.03.2009)
  98. A.A., Курдюмов С. П., Мажукин В. И. Математическое моделирование. Нелинейные дифференциальные уравнения математической физики. М.: Наука, 1987. 280 с.
  99. Scheel H.J., Capper P. Crystal growth technology: from fundamentals and simulation to large-scale production. Berlin: Wiley-VCH, 2008. 521 p.
  100. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology: new series. Group III. Vol 17. Subvol. c: Technology of Si, Ge and SiC / O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 1984. 651 p.
  101. Lord Н.А. Thermal and stress analysis of semiconductor wafers in a rapid thermal processing oven // IEEE transactions on semiconductor manufacturing. 1988.Vol. 1. № 3. P. 105−114.
  102. В.А. Дилатонная модель термофлуктуационного зарождения трещины // ФТТ. 1983. Т. 25. Вып. 10. С. 3124−3127.
  103. Pearson Е., Halicioglu Т., Tiller W.A. The effect of surface stress on the reconstruction of the Si (lll) surface // Surface science. 1986. Vol. 168. P. 46−51.
  104. Боли В, Уэнер Дж. Теория температурных напряжений: пер с англ. М.: Мир, 1964. 517 с.
  105. Samant A.V., Zhou W.L., Pirouz P. Effect of test temperature and strain rate on the yield stress of monocrystalline 6H-SiC // J. Phys. Stat. Sol., A. 1998. Vol. 166. P. 155−169.
  106. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец и др. / под ред. Р. В. Конаковой. Харьков: НТК «Институт монокристаллов», 2008. 392 с.
  107. Incropera F.P., DeWitt D.P. Fundamentals of Heat and Mass Transfer. NY: John Wiley & Sons, 1996. 886 p.
  108. Смуров И. Ю, Гуськов А. Г., Углов A.A. Термокапиллярная конвекция в мелкой ванне расплава при плавлении твердого тела концентрированным потоком энергии // Изв. АН СССР, сер. Механика жидкости и газа. 1988. № 1. С. 155−162.
  109. А., Жюгжда И. Теплоотдача в ламинарном потоке жидкости. Вильнюс: «Минтис», 1969. 266 с.
  110. Г. Теория пограничного слоя. М.: Наука, 1974. 711с.
  111. Л.Г. Ламинарный пограничный слой. М.: Наука, 1962. 479 с.
  112. Nagamori М., Boivin J.-A., Claveau A. Thermal decomposition of silicon carbides: discussion of «The effect of an electric field on self-sustaining combustion synthesis, parts I and II» / Metallurg. Mater. Trans. B. 1996. Vol. 27B. P. 322−324.
  113. Термодинамические свойства индивидуальных веществ- справочное издание в 4-х т. / Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др. Т. II. Кн. 1. М.: Наука, 1979. 440 с.
  114. Eremenko V. N., Gnesin G.G., Churakov М.М. Dissolution of polycrystalline silicon carbide in liquid silicon // Powder metallurgy and metal ceramics. 1972. Vol. 11. № 6. P. 471−474.
  115. Eremenko V. N, Churakov M.M. Fiz.-Khim. Mekhan. Mat. 1970. № 3. P. 62
  116. Г. А., Молчанов А. Д. Растворение твердых веществ. М.: Химия, 1977. 272 с.
  117. К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение: пер с англ. М.: Мир, 1990. 492 с.
  118. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального п-GaAs в локальном предел / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин и др. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 1. С. 3817.
  119. Zahn W., Zosch A. The dependence of fractal dimension on measuring conditions of scanning probe microscopy. // Fresenius J. Analen. Chem. 1999. Vol. 365. P. 168−172.
  120. Hattori Т. Tends in wafer clean technology // Ultraclean surface processing of silicon wafers: secrets of VLSI manufacturing / ed. T. Hattory. Berlin-Heidelberg: Spriger-Verlag, 1998. P. 439142.
  121. Н.С., Налимов В. В. Вторичная электронная эмиссия // УФН. 1956. Т. XVI. Вып. 4. С. 467−504 с.
  122. Hull R. Properties of crystalline silicon // EMIS datareviews series. Vol. 20: Electronic materials information service. London: INSPEC (IET), 1999. 1016 p.
  123. А.И., Ягушкин Н. И. Перенос и накопление заряда в диэлектриках при облучении электронным лучом // Изв. ВУЗов. Физика. 1988. № 8. С. 20−25.
  124. Дж. Теория и расчет электронных пучков. М.: Сов. радио, 1956. 216 с.
  125. В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. М.: Техносфера, 2006. 160 с.
  126. B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера, 2004. 143 с.
  127. М.О., Яминский И. В. Сканирующая зондовая микроскопия: основные принципы, анализ искажающих эффектов. Электронный ресурс. URL: http://www.spm.genebee.msu.su/members/gallyamov/galyam/galyaml.html (дата обращения: 05.10.2007).
  128. ИСО 4287−1: 1984. Шероховатость поверхности. Терминология. Часть 1. Поверхность и ее параметры. Заменен ИСО 4287: 1997.
  129. П.А., Толстухи на А. Л., Демидов В. Н. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 1999. Т. 65. № 9. С. 27−37.
  130. ИСО 4287: 1997- Геометрические характеристики изделий (GPS). Структура поверхности. Профильный метод. Термины. Определения и параметры структуры.
  131. С.П., Агеев О. А., Гусев Е. Ю. Влияние электронно-лучевой обработки на морфологию поверхности монокристаллов карбида кремния //
  132. Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: труды V междунар. науч. конф. (Кисловодск, 18—23 сент., 2005). Ставрополь -Кисловодск: Изд-во СевКавГТУ, 2005. С. 301−302.
  133. Harris G.L. Properties of silicon carbide // EMIS datareviews series. Vol. 13: Electronic materials information service. London: INSPEC (IET), 1995. 282 p.
  134. Gross R., Sidorenko A., Tagirov L. NATO sci. series II: mathematics, physics and chemistry. Vol. 233: Nanoscale devices — fundamentals and applications. Dordrecht: Springer-Verlag, 2006. 399 p.
  135. Chi R.C.-J. Optical memory device structure using vertical interference from digital thin films: dis.. Ph.D. Cincinnati: University of Cincinnati, 2001. P. 53−57.
  136. Ajayan P.M., Schadler L. S, Braun P.V. Nanocomposite science and technology. Weinheim: Wiley-VCH, 2003. 230 p.
  137. Н.Ф. Физика металлических пленок. Размер и структурные эффекты. М.: Атомиздат, 1979. 263 с.
  138. Э.Я., Клотынып Э. Э., Оганов А. Е. Влияние материала подложки на электрофизические свойства пленок оксида индия // Электронная техника. Сер. 4: Электровакуумные и газоразрядные приборы. Вып. 1 (294). М.: ЦНИИ «Электроника», 1969. С. 50−51.
  139. Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982.208 с.
  140. Roccaforte F., Via F.L., Raineri V. Ohmic contacts to SiC // SiC materials and devices. Vol. 1: Selected topics in electronics and system. Vol. 43 / eds. M. Shur,
  141. S. Rumyantsev, M. Levinstein. London: World Scientific, 2006. P. 718−820.
  142. Зи C.H. Физика полупроводниковых приборов. M.: Энергия, 1973. 656 с.
  143. Fermi level pinning and Schottky barrier characteristics on reactively ion etched 4H-SiC / B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore ct al. // Mater. Sci. Forum. 2000. Vols. 338−342. P. 1029−1032.
  144. Surface barrier height in metal n-6H-SiC structures / A.L. Syrkin, A.N. Andreev, A.A. Lebedev et al. // Materials Sci. Eng. 1995. Vol. B29. P. 198−201.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!