Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H (SO4) 2 с применением методов квантовой химии

Диссертация: Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H (SO4) 2 с применением методов квантовой химии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В работе были использованы различные методы и подходы. При нахождении параметров Изинга и туннельных параметров применен метод псевдоспиновых кластеров. Расчеты колебательных уровней в одномерных потенциалах рассчитаны по программе, реализующей численное решение одномерного уравнения Шредингера. Использован метод корректировки с учётом дифракционных данных потенциальных поверхностей протонов… Читать ещё >

Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H (SO4) 2 с применением методов квантовой химии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Литературный обзор
    • 1. 1. Микроскопическое описание структурного фазового перехода в Н-связанных сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок
      • 1. 1. 1. Общие сведения о сегнетоэлектриках
      • 1. 1. 2. Изинговский гамильтониан
      • 1. 1. 3. Приближение молекулярного поля и приближение кластеров Бете
    • 1. 2. Особенности сегнетоэлектрического поведения и геометрического строения
  • TKHS-материалов
    • 1. 2. 1. Описание структурного фазового перехода
    • 1. 2. 2. Кристаллохимические особенности TKHS-материалов
    • 1. 2. 3. Геометрический изотопный эффект и туннелирование протона
    • 1. 2. 4. Общая характеристика проведённых в диссертации квантовохимических расчетов параметров псевдоспинового гамильтониана
  • Глава II. Вычисление параметров взаимодействия Изинга
    • 2. 1. Нумерация и положительное направление псевдоспинов
    • 2. 2. Метод псевдоспиновых кластеров
      • 2. 2. 1. Двухспиновая модель
      • 2. 2. 2. Кластер из четырёх псевдоспинов
      • 2. 2. 3. Кластер из восьми псевдоспинов
    • 2. 3. Расчёты параметров взаимодействия Изинга посредством метода псевдоспиновых кластеров
    • 2. 4. Электростатический механизм формирования параметров взаимодействия
    • 2. 5. Низкотемпературное упорядочение дейтеронов
    • 2. 6. Выводы
  • Глава III. Расчёты параметра туннелирования
    • 3. 1. Расчёт параметров туннелирования без учёта колебаний «тяжёлых» ядер
      • 3. 1. 1. Профили потенциальной энергии протона
      • 3. 1. 2. Численное решение уравнения Шрёдингера
      • 3. 1. 3. Поправки к адиабатическому потенциалу
    • 3. 2. Расчёт параметров туннелирования с учётом колебаний «тяжёлых» ядер
      • 3. 2. 1. Анализ иерархии частот
      • 3. 2. 2. Влияние реорганизационных мод
        • 3. 2. 2. 1. Медленный перенос лёгкого ядра
        • 3. 2. 2. 2. Быстрый перенос лёгкого ядра
        • 3. 2. 2. 3. Оценка фактора редукции
        • 3. 2. 2. 4. Расщепления уровней для дейтеронов
      • 3. 2. 3. Влияние промотирующей моды
    • 3. 3. Выводы
  • Глава IV. Оценки критической температуры антисегнетоэлектрического перехода
    • 4. 1. Приближение молекулярного поля
      • 4. 1. 1. Статическая модель
      • 4. 1. 2. Динамическая модель
    • 4. 2. Приближение кластеров Бете
      • 4. 2. 1. Случай произвольного кластера
      • 4. 2. 2. Статическая модель для двухспинового кластера
      • 4. 2. 3. Динамическая модель для двухспинового кластера
      • 4. 2. 4. Статическая модель для четырёхспинового кластера
      • 4. 2. 5. Динамическая модель для четырёхспинового кластера
    • 4. 3. Вычисление температуры антисегнетоэлектрического перехода
    • 4. 4. Оценка критической концентрации
  • Глава V. Учёт катионов щелочного металла
    • 5. 1. Влияние катионов на параметры взаимодействия Изинга
      • 5. 1. 1. Моделирование структуры кристалла с катионами
      • 5. 1. 2. Вычисление параметров взаимодействия Изинга
    • 5. 2. Влияние катионов на параметр туннелирования
      • 5. 2. 1. Профиль потенциальной энергии
      • 5. 2. 2. Параметр туннелирования для модели, учитывающей присутствие ионов калия
    • 5. 3. Влияние катионов щелочного металла на оценки критической температуры антисегнетоэлектрического перехода

Развитие теоретического подхода (ов) к описанию сегнетоэлектрических (СЭ) и родственных водородно-связанных материалов на основе широкого применения квантово-химических моделей и вычислительных методов, представляется существенным элементом микроскопической теории структурных фазовых переходов (СФП) в этих, важных в научном и прикладном отношении, кристаллах. Хотя необходимость разработки и применения такого подхода неоднократно обсуждались в литературе (см., например, [1,2]), его конкретная реализация началась сравнительно недавно [3−5].

Принимая во внимание особенности состояния протона на Н-связи в этих кристаллах, описываемого ангармоническим потенциалом с двумя минимумами, в микроскопической теории Н-связанных СЭ обычно используют псевдоспиновые гамильтонианы (ПСГ) — статический, учитывающий только эффективные взаимодействие протонов (псевдоспинов), и динамический, где, кроме того, учитывается движение протона вдоль Н-связи (туннелирование). В соответствии со сказанным, одной из основных задач, возникающих в указанном выше подходе, является выявление физико-химических механизмов формирования основных параметров ПСГ, а также независимое вычисление (без обычно применяемой процедуры «фиттинга» [1]) этих параметров, — а именно, констант взаимодействия псевдоспинов в модели Изинга (параметры Изинга Jij) и параметра туннелирования (12), характеризующего частоту движения протона вдоль Н-связи. Оба этих аспекта — качественный и (полу)количественный — обеспечивают понимание связи свойств рассматриваемых материалов с их химическим составом и строением, что необходимо для более обоснованного прогнозирования таких материалов.

В настоящей работе охарактеризованный выше подход применен для описания особенностей СФП и СЭ поведения материалов семейства КзЩЗО^г общего состава M3(H/D)(A04)2, М = К, RbА = S, Se (семейство TKHS). В последнее время они неплохо изучены различными экспериментальными методами, включая рентгеновскую дифракцию, нейтронографию, неупругое рассеяние нейтронов, калориметрию и др. Из опытных данных следует, что структура кристаллов этого семейства и их СЭ поведение существенным образом отличаются от свойств многих других известных Н-связанных сегнетоактивных веществ, например, кристаллов семейства КН2РО4 (KDP). Самым необычным при этом является то обстоятельство, что сегнетоактивными в случае семейства TKHS фактически являются только дейтерозамещенные кристаллы, в то время как обычные («водородные») остаются в параэлектрическом состоянии вплоть до гелиевых температур [6,7]. Этот факт, как и другие особенности СЭ поведения материалов семейства TKHS, нуждались в теоретическом объяснении. Из-за отсутствия надежных нейтронографических данных при низких температурах (=100 К) не выясненным оставался и вопрос о конкретном расположении лёгких ядер в упорядоченной фазе дейтерированных TKHS-материалов.

Подчеркнем, что до работ [7] вообще не было предпринято попыток теоретического изучения ЖЖ-материалов. Однако в этих работах [7] параметры ПСГ не рассчитывались, а определялись процедурой фиттинга с использованием опытных данных по диэлектрическим свойствам и/или концентрационным х-Тс зависимостям для этих же систем. По этой причине в них не могли быть учтены кристаллографические данные по структурным особенностям материалов, в том числе, геометрический изотопный эффект, т. е. различия в геометрии Ни D-связей, и не содержалось объяснений термодинамического изотопного эффекта.

В полной мере имеющиеся структурные данные для ЖЖ-кристаллов впервые использованы в настоящей работе, в частности для вычисления параметров Изинга. Ранее, в [7], не принималось во внимание также и реальное динамическое поведение протонов, включая протон-протонные корреляции. В то же время рассмотрение в настоящей работе проводили с учетом полученных из расчетов данных по движению (туннелированию) протонов. Учитывались также и корреляции протонов в рамках приближения кластеров Бете, широко применяющегося в теории фазовых переходов в сильно анизотропных ферромагнетиках, сплавах и других материалах.

В итоге, для ЖЖ-материалов впервые удалось выяснить механизм кооперативной связи протонов, объяснить экстремально сильный в низкотемпературном СФП изотопный эффект, получить оценки критической температуры Тс, предложить схему распределения дейтеронов в упорядоченной анти-СЭ фазе.

В процессе выполнения работы был развит алгоритм нахождения параметров ПСГ, который может быть использован для описания СФП порядок-беспорядок и для других Н-связанных систем, в том числе и с иной размерностью сетки H (D)—связей. Некоторые элементы этого алгоритма могут быть применены и для изучения СФП (обычно высокотемпературных), приводящих к фазам с протонной проводимостью. Примененные в работе подходы и методы могут быть применены в молекулярном дизайне новых сегнетоактивных водородно-связанных материалов.

В работе были использованы различные методы и подходы. При нахождении параметров Изинга и туннельных параметров применен метод псевдоспиновых кластеров [4,8]. Расчеты колебательных уровней в одномерных потенциалах рассчитаны по программе [9], реализующей численное решение одномерного уравнения Шредингера. Использован метод корректировки с учётом дифракционных данных потенциальных поверхностей протонов и учёт влияния деформационных мод окружения на их туннелирование [10]. Расчёты электронного строения кластеров и профилей потенциальной энергии выполнены с помощью пакетов квантово-химических программ.

GAMESS US (версия PC GAMESS) и GAUSSIAN-98 [11−13].

Положения, выносимые на защиту, можно сформулировать следующим образом.

1. Безмодельное вычисление параметров взаимодействия модели Изинга (Jij) для материалов семейства TKHS, в рамках метода псевдоспиновых кластеров, использующего квантово-химические расчеты различного уровня для вычисления полных энергий модельных кластеров, содержащих несколько (два, четыре восемь) структурных единиц — Н (А 02-Димеров без учета или с учетом их окружения катионами.

2. Использование «электростатической модели», отвечающей непрямому электростатическому механизму для выяснения природы формирования параметров Jij для семейства TKHS.

3. Нахождение типа распределения дейтеронов в упорядоченной низкотемпературной фазе TKHSкристаллов.

4. Расчет для TKHSматериалов параметров туннелирования (13) на основе хартрифоковских и пост-хартри-фоковских расчетов профилей потенциальной энергии протонов Н-связанных димеров [Н (А04)2]3~ (без учета или с учетом катионного окружения) с последующим вычислением энергии перехода между двумя низшими уровнями протонов и дейтеронов (l/2Ao-i =Ц) путем численного решения одномерного уравнения Шредингера с заданным (рассчитанным) потенциалом. Уточнение потенциальных профилей путем их дополнительной корректировки с учетом дифракционных данных по равновесным положениям протонов на Н-связях. Изучение влияния различных колебательных мод — реорганизационных и «промотирующей» — на величину параметра ?2.

4. Модификация метода кластеров Бете, использованного ранее при изучении KDP [14] для ТХЖ-материалов.

5. Возможность описания особенностей СЭ поведения ЖЖ-материалов в рамках приближения молекулярного поля и метода кластеров Бете на основе рассчитанных параметров ПСГ.

Все работы, приведенные в диссертации, выполнены автором в сотрудничестве с сотрудниками лаборатории квантовой химии ИОНХ РАН, ГНЦ РФ ФГУП НИФХИ им. Л. Я. Карпова и Всероссийского института научно-технической информации (ВИНИТИ).

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, сводки основных результатов и выводов и 5 приложений. Работа содержит 19 таблиц и 15 рисунков, изложена, включая приложения, на 115 страницах машинописного текстасписок литературы включает 95 наименований.

Основные результаты и выводы.

1. На основе применения квантово-химических моделей и расчетов развит независимый теоретический подход к определению параметров псевдоспинового гамильтониана для описания Н-связанных квантовых параэлектриков и антисегнетоэлектриков МъН (А04)2 и М3Б (А04)2- М = K, Rb и A = S, Se. Подход включает выбор структурных моделей, нахождение параметров Изинга, построение потенциальных профилей протонов, а также нахождение параметров туннелирования с учетом коррекции формы потенциального профиля и влияния колебательных мод каркаса.

2. Показано, что природа кооперативной связи протонов, определяющей механизм формирования параметров Изинга, является в основном электростатической.

3. В рамках как непрямого электростатического механизма эффективной связи протонов, так и метода псевдоспиновых кластеров рассчитаны параметры Изинга для рассматриваемых материалов.

4. На основе принципа минимума энергии Изинга предложена схема распределения протонов в низкотемпературной упорядоченной фазе материалов M3D (A04)2, которая в согласии с экспериментальными данными описывает анти-СЭ тип этой фазы, удвоение параметра «Ь» и возможное удвоение параметра «с» параэлектрической решетки при низкотемпературном фазовом переходе.

5. С учётом коррекций к потенциальным профилям протонов рассчитаны значения параметров туннелирования для материалов М3Н (А04)2 и M3D (A04)2.

6. В рамках приближения кластеров Бете получены выражения для определения температуры Тс низкотемпературного анти-СЭ перехода в случае четырёхспинового кластера в решётке кристалла семейства КгН (А04)2. Показано, что все материалы.

M3H (S04)2 остаются в параэлектрической фазе до Т = 0 из-за квантового движения протонов, в то же время все материалы M3D (S04)2 переходят в анти-СЭ фазу. Оба результата соответствуют опытным данным. Получены разумные численные оценки Тс анти-СЭ перехода для M3D (S04)2.

7. Объяснена наблюдаемая резкая зависимость критической температуры низкотемпературного анти-СЭ перехода от степени дейтерирования для изотопно-смешанных материалов MiHxDlx (A04)2.

Показано, что влияние реорганизационных колебательных мод в димере 0}А0-Н/D-0A03 на значение температуры Тс низкотемпературного анти-СЭ перехода не превышает 20%, в то время как заметное влияние промотирующей моды отсутствует.

Показано, что расширение используемых структурных моделей за счет включения катионов щелочного металла не меняет выводов о квантовом параэлектрическом и антисегнетоэлектрическом поведении соответственно материалов М}Н (А04)2 и.

M3D (A04)2, полученных на структурных моделях без учета катионного окружения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. М. Наука 1973.
  2. . А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, «Физматлит» 1995.
  3. А. А., Долин Н. // Нрименение теории гетеролигандных комплексов к Н- связанным сегпетоэлектрикам и родственным материалам. //ДАН 341 (5) (1995) 638.
  4. СП., Лебедев В. Л., Левин А. А. // Кластерные квантовохимические расчёты и приближение кластеров Бете при описании Н-связанных кристаллов. //ДАН 341(6)(1995)776.
  5. А. А., Dolin S. Р. // Molecular Models and Calculations in Microscopic Theory of Order-Disorder Structural Phase Transitions: Application to KH2PO4 and Related Compounds.// J. Phys. Chem. 100 (1996) 6258.
  6. K. // Dielectric Properties and Phase Transitions in ХзН(8О4)2 and X3D (SO4)2 Crystals (X: K, Rb). // J. Phys. Soc. Jpn. 48 (1980) 886
  7. Moritomo Y., Tokura Y., Nagaosa N. et. al. // Role of the Proton Tunneling in the Phase Transition of K3Hi. xDx (SO4)2. // J. Low. Temp. Phys. 99 (1995) 55.
  8. П., Левин А. А., Солин М. В. и Строкач Н. // Механизм протон — протонной связи и свойства «нульмерных» материалов семейства K^H{S0^)2. II ДАН 376 (2001)651.
  9. Т. Ю., Пупышев В. И. // Резонансы на решетках. // Опт. Спектр. 87 (1) (1999) 35.
  10. Granovsky A. A. http://classic.chem.msu.su/gran/gamess/index.html.
  11. Blinc R., Svetina S // Cluster Approximation for Order-Disorder-Type Hydrogen-Bonded Ferroelectrics. II. Application to KH2PO4. // Phys. Rev. 147(2) (1966) 430.
  12. M. E., Гласе A. M. // Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Нринцины и применение.// Мир, М. 1981.
  13. Физика сегнетоэлектрических явлений. Отв. ред. Смоленский Г. А. Л.: Наука 1985.
  14. Р., Жекш Б. // Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решётки. // Мир, М. 1975.
  15. J. // Theory of the Transition in KH2PO4. // J. Chem. Phys. 9 (1941) 16.
  16. U. // Theory of the Transition in KH2PO4. // J. Phys. Soc. Jap. 3 (1948) 271.
  17. H. В., Uehling E. A., Schmidt V. H. // Deuteron Intrabond Motion and Ferroelectricity in KD2PO4. // Phys. Rev. 133 (1964) A165.
  18. R. // On the isotopic effects in the ferroelectric behavior of crystals with short hydrogen bonds. //J. Phys. Chem. Solid 13 (1960) 204.109
  19. В., Callen Н. В., Horwits G. // Cluster Expansion for the Heisenberg Ferromagnet. //Phys. Rev. 130(1963)1798.
  20. R., Svetina S. // Cluster Approximations for Order-Disorder-Type Hydrogen-Bonded Ferroelectrics. L Small Clusters. // Phys. Rev. 147 (1) (1966) 423.
  21. P. G. de Gennes // Collective motions of hydrogen bonds. // Solid State Commun. 1 (1963) 132.
  22. C. // On the theory of cooperative phenomena. // Adv. Phys. 9,149,245 (1960).
  23. H. // Statistical Theory of Super-lattices. // Proc. Roy. Soc. A150, 552 (1935)
  24. Задачи no термодинамике и статистической физике. Под ред. Ландсберга П. М. Мир: 1974.
  25. Р. Статистическая мехаиика. М. Мир: 1967.
  26. К. // Low-Temperature Phase Transitions in Rb3Hi.xDx (XO4)2 (X: S, Se). // J. Phys. Soc. Japan 61 (1992) 162.
  27. Gesi К // Dielectric Properties and Phase Transition in Rb3H (SeO4)2 and Rb3D (SeO4)2 at 1. ow Temperature. // J. Phys. Soc. Japan 50 (1980) 3185−6
  28. Matsuo Т., Inaba A., Yamamuro O., Onoda-Yamamuro N. // J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 8595.
  29. Endo M, Kaneko T, Osaka Y, Makita Y J. // Dielectric Study of the Phase Transition in K3H (SeO4)2 and Isotope Effect. // Phys. Soc. Japan 52 (1983) 3829
  30. Moritomo Y., Tokura Y., Nagaosa N., Suzuki T. and Kumagai K. // Quantum phase transition in K3Di. xHx (SO4)2 // Phys. Rev. Lett. 71 (1993) 2833.
  31. F. // Hydrogen bonding and quantum dynamics in the solid state. // Int. Rev. Phys. Chem. 19(4) (2000) 553.110
  32. Y. // Proton dynamics in hydrogen-bonded systems studied by neutron incoherent scattering. // Ferroelectrics 170 (1995) 23.
  33. Fortier S., Frazer M. E, Heyding D. // Structure of trirubidium hydrogenbis (sulfate), Rb3H (SO4)2 // Acta Cryst. C41 (1985) 1139.
  34. Noda Y., Uchiyama S., Kafuku K. et al. // Structure Analysis and Hydrogen Bond Character of K3H (SO4)2. // J. Phys. Soc. Japan 59 (1990) 2804
  35. Y., Kasatani H. // Possible Origin of the Isotope Effect on the Phase Transition of K3(D, H)(SO4)2. // J. Phys. Soc. Japan 60 (1991) 13
  36. Y., Kasatani H., Watanabe Y., Terauchi H. // Temperature Dependence of Hydrogen Bond Nature in K3H(SO4)2 // J. Phys. Soc. Japan 61(3) (1992) 905.
  37. Noda Y., Tamura I., Nakao H. et.al. // Double q Condensation at V-Point on the Phase Transition of K3D (SO4)2 // J. Phys. Soc. Japan. 63 (1994) 1803
  38. И. П., Верин И. А., Щагина Н. М. // Кристаллическая структура (NH4)3H (SeO4)2 (фазы I). // Кристаллография 31 (1986) 178.
  39. А. И., Макарова И. П., Мурадьян Л. А. и др. // Фазовые переходы и протонная проводимость в кристаллах Rb3H(SeO4)2. // Кристаллография 32 (1987) 682.
  40. Bohn А., Melzer R., Sonntag R. et. al. // Structural study of the high and low temperature phases of the proton conductor Rb3H (SeO4)2. // Solid State Ionics 77 (1995) 111.
  41. R., Sonntag R., Knight K. S. // Rb3H(SeO4)2 at 4K by Neutron Powder Diffraction. // Acta Cryst. C52 (1996) 1061.
  42. Т., Ichikawa M., Olovsson I. // Evidence for breaking of the center of symmetry in zero-dimensional H-bonded quantum paraelectric Rb^HiSO^)^. II Solid St. Comm. 115(2000) 473.
  43. Ichikawa M., Sato A., Kamukae M., et.al. // Structure of ferroelastic K3H (SeO4)2- // Acta Cryst. C48 (1992) 1569.
  44. M., Gustafsson Т., Olovsson I. // K3H(SeO4)2 at 297 and 30 K. // Acta Cryst. C50 111(1994) 330.
  45. Onoda N., Yamamuro 0., Matsuo T. et. al. // Neutron diffraction study on hydrogen bond structure in K^HiSeO^)^ and Kj, D{SeO^ crystals. //J .Phys: Condens. Matter. 12 (2000)8559.
  46. Y., Kasatani H., Watanabe Y., Terauchi H., Gesi K. // Structure Analysis of K3D(SO4)2 at Room Temperature. // J. Phys. Soc. Japan 59 (1990) 3249
  47. Tamura I. and Noda Y. // Hydrogen ordering pattern of K^H{S0^)2 in low temperature phase. // Ferroelectrics 219 (1998) 135.
  48. M., Gustafsson Т., Olovsson I. // Structure of Rb3D(SeO4)2 at 25, 1Ю and 297 K. // Acta Cryst. C48 (1992) 603.
  49. Onoda-Yamamuro N., Yamamura 0., Matsuo Т., Ichikawa M., Ibberson R., David W. I. F. // Neutron diffraction study on hydrogen bond structure in K3H (SeO4)2 and K3D (SeO4)2crystals. // J. Phys.: Condens Matter 12 (2000) 8559.
  50. M., Ferraris G., Ivaldi G. // A very short, and asymmetrical, hydrogen bond in the structure of Na3H(SO4)2 and S-OH vs 0-H…0 correlation. // Acta Cryst. B35 (1979) 525.
  51. W., Fuess H., Ferraris G. //Neutron Diffraction Study of the Hydrogen Bond in Trisodium Hydrogenbissulphate and a Survey of Very Short 0-H…0 Bonds. // Acta Cryst. B38 (1982) 2798.
  52. Mikas U, Hadzi D, Blinc R. // Isotope Effects in Rb^H{SO^ Type Crystals: is the Proton in the Centre of the H Bond. // Ferroelectrics 239 (2000) 375.
  53. W. P. Mason // Theory of the Ferroelectric Effect and Clamped Dielectric Constant of Rochelle Salt. // Phys. Rev. 72 (1947) 854.
  54. A. F. //Theory of ferroelectrics. // Advanc. in Phys. 3 (1954) 85.
  55. J. // On the ferroelectricity of KH2PO4 and KD2PO4 crystals. // Physica 15 (1949) 1019- // Spontaneous polarisation of KH2PO4 and KD2PO4 crystals versus temperature. //Physica 21 (1954)219.112
  56. Grindley R., D. ter Haar // An extension of Slater’s theory of ferroelectricity in KH2PO4. // Proc. Roy. Soc. A250 (1959) 267.
  57. M. // Geometric and quantum aspect of phase transition and isotope effect in hydrogen-bonded ferroelectrics and related materials. // Ferroelectrics, 168 (1995) 177.
  58. R. 0., McMahon M. I., Nelmes R. J. // Neutron diffraction studies of the geometric isotope effect in H-ordering transitions // Ferroelectrics 108 (1990) 165.
  59. McMahon M. I., Pilts R. O., Nelmes R. J. //Neutron diffraction studies of the relationship between Tc and H-bond dimensions in H-ordering transitions. // Ferroelectrics 108 (1990)277.
  60. A. N., Hansen M. S., Lehman M. S. // Isotope effects in the bonds of a-CrOOH and a-CrOOD. //J. Solid State Chem. 21 (1977) 325.
  61. M., Gustafsson Т., Olovsson I., Tsuchida T. // Powder neutron-diffraction profile analysis of zero-dimensional H-bonded crystal НСгОг. // J. Phys. Chem. Solids 60 (1999)1875.
  62. Fujihara Т., Ichikawa M., Gustafsson Т., Olovsson I. and Tsuchida T. // Powder neutron diffraction studies on CrOOH-type zero-dimensional H-bonded crystals. // Ferroelectrics 259(2001) 133.
  63. T. // Phase tansition in organic crystalls based on keto-enol tautomeric molecules. // J. Crystallogr. Soc. Jap., 36(6) (1994) 12.
  64. Т., Izuoka A., Sugawara Т., Moritomo Y., Tokura Y. // Organic hydrogen-bonded dielectrics: Quantum paraelectricity based on tautomerization of 9-hydroxyphenalenonederivatives. // J. Chem. Phys. 101 (1994) 7971.
  65. I., Noda Y., Kuroiwa Y., Mochida Т., Sugawara T. // X-ray diffraction studies on the lock-in phase transition of intramolecular hydrogen-bonded compound d-BrHPLN.// J. Phys.:Condens.Matter., 12 (2000) 8345.
  66. T. // Quantum aspects of low-temperature properties of crystals: A calorimetric study in interaction with spectroscopy and diffraction. // Pure Appl. Chem. 75(7) (2003) 913.113
  67. Levin A. A., Dyachkov P. N. Heteroligand Molecular Systems: Bonding, Shapes and Isomer Stabilities- Taylor and Francis: London and New York, 2002.
  68. П., Диков Ю. П., Рехарский В. И. // Характер структурных искажений в силикатных системах в рамках теории гетеролигандных систем дляквазитетраэдрических комплексов непереходных элементов. // Геохимия 7 (1988) 915.
  69. А. А., Dolin S. Р. // Direct and indirect proton-proton coupling in quantum-chemical • theory of H-bonded materials. // J. Mol. Struct. 552 (2000) 39.
  70. S. P., Levin A. A., Mikhailova T. Yu., Solin M. V., Strokach N. S., Kirillova N. 1. // Quantum Chemistry Application to H — Bonded Ferroelectrics via Mean Field TheoryInvolving Proton Correlation. // Int. J. Quantum Chem. 96 (2004) 247.
  71. S. P., Levin A. A., Mikhailova T. Y., Solin M. V. // Low — Temperature Phase Transition and Structure of Ordered Phase in K^H{SO^)^ (TKHS) — Family Materials. //Adv. Quant. Chem. 44 (2003) 579.
  72. Perrin C, Nielson J. // «Strong» hydrogen bonds in chemistry and biology. // Annu. Rev. Phys. Chem. 48(1997)511.
  73. M. // The 0-H vs 0…0 distance correlation, the geometric isotope effect in OHO bonds, and its application to symmetric bonds. // Acta Cryst. B34 (1978) 2074.
  74. Steiner, T. N.- Saenger, W. // Lengthening of the covalent 0-H bond in 0-H…0 hydrogen bonds re-examined from low-temperature neutron diffraction data of organic compounds. //Acta Cryst. B50 (1994) 348.
  75. S. // Theoretical Studies of Exited State Proton Transfer in Small Model Systems. // J. Phys. Chem. A104 (2000) 5898.
  76. Z. 2001 Private communications. Щ 84. Гольданский В. И., Трахтенберг Л. И., Флёров В. Н. Туннельные явления в химическойфизике. М: Наука 1986.114
  77. М. В., Венер М. В. // Теоретические исследования реакций переноса протона и атома водорода в конденсированной фазе. // Успехи химии 72 (1) (2003) 1.
  78. К. // Infrared and Raman Spectra of Inorganic and Coordination Compounds, 4th ed., Wiley, New York, 1986.
  79. M. A. //Атомная и молекулярная спектроскопия. // Физматгиз, М. 1962.
  80. S. Р., Levin А. А., Mikhailova Т. Y., Solin М .V., Polyakov Е. V., Strokach N. S. // Deuteron Tunneling and Phase Transition in M^D{A0^)2 Antiferroelectrics. // Int. J. Quantum Chem. 100 (2004) 589.
  81. L. I., Fokeyev A. A., Dolin S. P. // Reagent reorganization and promotive modes in barrier preparation for H-tunneling in fluorene-acridine system. // Chem. Phys.1.ett. 341 (2001) 551.
  82. В. Г., Зиненко В. И. // К теории сегнетоэлектриков типа КН2Р0^. IIЖЭТФ 64 (1973) 650.
  83. S. Р., Levin А. А., Mikhailova Т. У., Strokach N. S., Kirillova N. I. // Pseudospin Hamiltonian Parameters from Quantum Chemical Treatment: K^HiSO^)^ (TKHS) Family. //Ferroelectrics 283 (2003) 115−125.
  84. S. P., Levin A. A., Mikhailova T. Yu., Solin M. V., Polyakov E. V., Gavriluyk A. B. // Pseudospin Hamiltonian Parameters Evaluated with Regard to Alkali Metal Ions inК,{НID)(S0^)2 -Materials.//Int. J. Quantum Chem. 104 (2005) 197.
  85. M., Matsubara T. // Theory of Ferroelectrics Phase Transition in KH^PO^ Type Crystals. //Progr. Teor. Phys. 35 (1996) 581.
  86. Л. Д. и Лившиц Е. М. // Квантовая механика. Нерелятивистская теория. // Физматгиз, М. 1963. Оэ
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!