Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Взаимосвязь локальной электронной и локальной кристаллической структуры в соединениях с промежуточной валентностью

Диссертация: Взаимосвязь локальной электронной и локальной кристаллической структуры в соединениях с промежуточной валентностью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В силу специфики ПВ состояния, носящего преимущественно локальный характер, исследование промежуточновалентных соединений при помощи интегральных методов, например, рентгеновской дифракции или рассеяния нейтронов, зачастую оставляет много вопросов. В этом плане неоспоримым преимуществом обладает такой метод исследования локальной электронной и атомной структуры как рентгеновская спектроскопия… Читать ещё >

Взаимосвязь локальной электронной и локальной кристаллической структуры в соединениях с промежуточной валентностью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Проблема промежуточной валентности
    • 1. 2. Свойства промежуточновалентных соединений
      • 1. 2. 1. Рентгеноструктурный и нейтронографический анализ
      • 1. 2. 2. Измерения изомерного сдвига
      • 1. 2. 3. Исследование проводимости
      • 1. 2. 4. Рентгеновская фотоэмиссионная спектроскопия
      • 1. 2. 5. Исследование магнитных свойств
      • 1. 2. 6. Рентгеновская спектроскопия поглощения
      • 1. 2. 7. Измерения фононных спектров
  • Глава 2. Методы рентгеновской спектроскопии поглощения
    • 2. 1. Физические основы ЕХАРЗ-спектроскопии
    • 2. 2. Экспериментальная ЕХАРЗ-станция
    • 2. 3. Методика обработки ЕХАБ8-спектров
      • 2. 3. 1. Выделение %(к)
      • 2. 3. 2. Фурье-анализ
      • 2. 3. 3. Моделирование ЕХАРЗ- функции
      • 2. 3. 4. Вейвлет-анализ
      • 2. 3. 5. Погрешности в методике ЕХАР
    • 2. 4. ХАЫЕЗ-спектроскопия
    • 2. 5. Анализ ХАЫЕЗ-спектров
      • 2. 5. 1. Метод валентного стандарта
      • 2. 5. 2. Метод аналитических функций
      • 2. 5. 3. Метод валентного стандарта БЕРР
  • Глава 3. Исследование температурной зависимости валентности церия в Се№
  • Глава 4. Особенности локальной электронной и кристаллической структур
  • ЕиС^г
  • Глава 5. Исследование особенностей локальной электронной и кристаллической структуры 8ш1. хУх8 методами рентгеновской спектроскопии поглощения
    • 5. 1. Валентное состояние самария в 8ш1. хУх
    • 5. 2. Локальная кристаллическая структура 8ш1. хУх8 — данные ЕХАР8-анализа
    • 5. 3. Взаимосвязь локальной электронной и кристаллической структуры 8ш,.хУх

Вещества, в которых наблюдается состояние с промежуточной валентностью (ПВ), уже долгое время привлекают к себе внимание исследователей, благодаря своим уникальным характеристикам. Любое внешнее воздействие, такое как изменение давления или температуры, как правило, приводит к резкому изменению их электронных и решеточных свойств [1]. «Пограничная» природа ПВ состояния, когда электроны / оболочки проявляют одновременно локализованный и коллективизированный характер, позволяет наблюдать квантовые эффекты на макроскопическом уровне.

Состояние с промежуточной валентностью реализуется, когда близкими по энергии оказываются конфигурации с разным количеством /-электронов на атом. При этом происходит гибридизация локализованных /-уровней и состояний в зоне проводимости. Из-за взаимного влияния зонных эффектов и особенностей локализованных состояний промежуточновалентные соединения проявляют аномалии практически в любой экспериментально измеряемой характеристике, например коэффициентах теплового расширения и удельной теплоемкости [2,3], магнитной восприимчивости [4,5], в кинетических характеристиках, транспортных свойствах [6]. Помимо этого, состояния с промежуточной валентностью при определенных условиях могут оказывать влияние на спектр колебаний решетки за счет динамического перераспределения электронной плотности [7].

В ряде случаев появление промежуточновалентного состояния может являться результатом электронного фазового перехода, причем переход может сопровождаться изменением электрических (металл — диэлектрик), магнитных (магнитное — немагнитное состояние) и решеточных свойств (скачкообразное изменение параметра решетки, в некоторых случаях изменение симметрии) [8].

С момента открытия соединений с промежуточной валентностью прошло уже более 35 лет, однако единая теория, позволяющая описать все многообразие их свойств, до сих пор не создана. Помимо чисто теоретического интереса к ПВ состоянию как к таковому, существует много областей, где подобные соединения находят широкое практическое применение, например в системах хранения информации [9], а также в качестве преобразователей тепловой энергии [10] или эффективных катализаторов [11].

В силу специфики ПВ состояния, носящего преимущественно локальный характер, исследование промежуточновалентных соединений при помощи интегральных методов, например, рентгеновской дифракции или рассеяния нейтронов, зачастую оставляет много вопросов. В этом плане неоспоримым преимуществом обладает такой метод исследования локальной электронной и атомной структуры как рентгеновская спектроскопия поглощения (XAFS-спектроскопия). Высокая селективность метода XAFSспектроскопии, позволяющая изучать локальное окружение выделенного элемента в сложных соединениях, а также возможность одновременного исследования как электронных, так и решеточных свойств делают его незаменимым инструментом для анализа промежуточновалентного состояния. Кроме того, высокое временное разрешение (время возбуждения фотоэлектрона рентгеновским квантом составляет менее 10″ 15 с) открывает возможности, недоступные другим «локальным» методам, например мёссбауэровской спектроскопии, характерное временное разрешение которой не превышает Ю-9 с.

Целью данной работы является исследование взаимосвязи локальной электронной структуры, в частности валентного состояния, и локальной кристаллической структуры промежуточновалентных соединений SmixYxS, EuCu2Si2 и CeNi методами рентгеновской спектроскопии поглощения.

Изучение валентного состояния церия, самария и европия проводилось методом XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure) -спектроскопии выше.

Дш-краев поглощения соответствующих атомов в температурном интервале 20-К300 К. Параметры локальной кристаллической структуры исследовались методом EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure) -спектроскопии выше LnrSm и K-Y краев для Smi-XYXS, L]lrEu и K-Си краев для EUCU2SI2 и LjjpCq и K-Ni для CeNi.

Диссертация организована в следующем порядке.

В первой главе приведен литературный обзор, в котором рассматривается проблема промежуточной валентности и механизмы возникновения промежуточновалентных состояний. Приводится краткий обзор методов исследования состояния с промежуточной валентностью и анализ физических свойств исследуемых соединений.

Во второй главе изложены физические основы рентгеновской спектроскопии поглощения и приведена методика обработки EXAFS и XANES спектров.

Третья глава посвящена исследованию валентного состояния церия в CeNi при помощи XANES спектроскопии. Уточнено абсолютное значение и определена температурная зависимость валентности церия.

В четвертой главе приведены результаты измерений спектров рентгеновского поглощения EuCu2Si2 в температурном интервале 20-К300 К. Изучены особенности локальной структуры соединения, найдены межатомные расстояния и факторы Дебая-Валлера связей Eu-Si, Eu-Cu, Eu-Eu, Cu-Si, Cu-Cu. Определена температурная зависимость валентности европия.

В пятой главе приведены результаты исследования особенностей локальной электронной и локальной кристаллической структуры Sm (.xYxS. Здесь рассмотрены зависимости валентности самария в SmixYxS от температуры и допирования. Установлены параметры локального окружения самария и иттрия — межатомные расстояния, факторы Дебая-Валлера, рассчитаны жесткости связей и определена степень статического разупорядочения в подрешетке самария.

Глава завершается совместным анализом результатов ЕХАР8 и ХАЫЕ8 спектроскопии. Обнаружена корреляция между особенностями локальной электронной и локальной кристаллической структуры. Оценены ключевые параметры промежуточновалентного состояния — энергетическая ширина 4/-уровня Г/и его положение относительно уровня Ферми ДЕ/.

В Заключении приводятся результаты сравнительного анализа температурных зависимостей валентности Се, 8ш, Ей, дается объяснение разной направленности этих зависимостей, формулируются основные выводы работы.

Положения, выносимые на защиту.

1. Методом ХАЫЕ8-спектроскопии исследовано валентное состояние церия в Се№. Обнаружено существенное влияние эффектов многократного рассеяния на форму Х/л-Се ХАМ^-спектра, что позволило уточнить как абсолютное значение валентности церия, так и вид его температурной зависимости.

2. Методами ХАЫЕ8 и ЕХАБЗ спектроскопии определены температурная зависимость валентности европия в ЕиСи2812 и параметры локальной кристаллической структуры. Обнаружено, что статическое разупорядочение в подрешетке меди приводит к уменьшению жесткости связей, формируемых атомами меди.

3. Методом ХАЫЕ8-спектроскопии определена зависимость валентности самария в 8т]. хУх8 (х=0.17, 0.25, 0.33, 0.45) от температуры и допирования иттрием. Обнаружен монотонный рост валентности с температурой (20−300К), а также с ростом концентрации иттрия при Т>50К. При Т<50К монотонность зависимость валентности самария от концентрации примеси нарушается.

4. С помощью ЕХАРЗ-спектроскопии изучены параметры локальной кристаллической структуры промежуточновалентных соединений 8т1хУх8. Длины связей 8ш-8 оказываются значительно больше, чем У-8 и монотонно уменьшаются как с ростом температуры и с увеличением концентрации иттрия, что приводит к локальной деформации кристаллической решетки. Обнаружено, что состав Smo.67Yo.338 имеет минимальные локальные искажения решетки, характеризуемые минимальным значением статического фактора Дебая-Валлера.

5. Совместный анализ данных ЕХАРБи ХАЫЕ8- спектроскопии в 8ш1. хУх8 позволил выявить нарушение закона Вегарда — обнаружена двузначность в зависимости объема ячейки от валентности самария. Установлено, что данная двузначность связана с изменением заполнения зоны проводимости за счет ¿-/-электронов иттрия .

6. Установлена корреляция между локальными кристаллическими и электронными свойствами Вт^У^. Получена оценка энергетической ширины /-уровня Бш Г/ и его глубины залегания ДЕ/.

Выводы.

1. Методом ХАЛЕБ-спектроскопии определена зависимость валентности самария в 8т1хУх8 (х=0.17, 0.25, 0.33, 0.45) от температуры и допирования иттрием. Обнаружен монотонный рост валентности с температурой (20−300К), а также с ростом концентрации иттрия при Т>50К. При Т<50К монотонность зависимость валентности самария от концентрации примеси нарушается.

2. С помощью ЕХАР8-спектроскопии изучены параметры локальной кристаллической структуры промежуточновалентных соединений Бш^хУхЗ. Длины связей Бт-Б оказываются значительно больше, чем У-Б и монотонно уменьшаются как с ростом температуры и с увеличением концентрации иттрия, что приводит к локальной деформации кристаллической решетки. Обнаружено, что состав Smo.67Yo.338 имеет минимальные локальные искажения решетки, характеризуемые минимальным значением статического фактора Дебая-Валлера.

3. Получено прямое независимое доказательство существования однородного ПВ состояния в Бт^хУхБ .

4. Совместный анализ данных ЕХАРБи ХАЛЕБспектроскопии в 8т1. хУх8 позволил выявить нарушение закона Вегарда — обнаружена двузначность в зависимости объема ячейки от валентности самария. Установлено, что данная двузначность связана с заполнением с1-электронами иттрия зоны проводимости.

Результаты, представленные в главе 5, опубликованы в следующих работах: [74,84−96].

Заключение

.

Анализ валентного состояния редкоземельных ионов в Се№, ЕиСи2512 и Зт^хУхБ свидетельствует о том, что повышение температуры приводит к росту локализации валентного /-электрона Ей и Се (что проявляется в уменьшении валентности), и напротив, к увеличению степени делокализации в Для того чтобы понять разную направленность этих процессов, обратим внимание на параметры каждой из конфигураций, между которыми идет конкуренция в случае промежуточной валентности (таблица 7).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Д.И. Хомский. Проблема промежуточной валентности. УФН, 129(3), 443, 1979.
  2. H.S. Suzuki, G. Chena, К. Matsubayashi, К. Imura and N.K. Sato. Specific heat measurement in golden-SmS. Physica B, 378, 726, 2006.
  3. B.C. Sales and R. Viswanathan. Demagnetization due to interconfiguration fluctuations in the RE-Cu2Si2 compounds. J. Low Temp. Phys., 23, 449, 1976.
  4. T. Ito, T. Sato, T. Takahashi, T. Yokoya, T. Higuchi, T. Takeuchi, S. Shin, A. Chainani, H. Kumigashira and N.K. Sato. Electronic structure of black SmS. Phys. Rev. B, 65, 155 201, 2002.
  5. B.C. Sales and D.K. Wohlleben. Susceptibility of interconfiguration-fluctuation compounds. Phys. Rev. Lett., 35, 1240, 1975.
  6. A. Jayaraman, E. Bucher, V. Narayanamurti, and R.G. Maines. Continuous and discontinuous semiconductor-metal transition in samarium monochalcogenides underpressure. Phys. Rev. Lett., 25, 1430, 1970.
  7. P.A. Alekseev, J.M. Mignot, V.N. Lazukov and I.P. Sadikov. Neutron scattering studies of intermediate-valence compounds. Physica B, 34, 281, 2000.
  8. A.V. Tsvyashchenko and L.N. Fomicheva. Valence behaviour and magnetic properties of ytterbium in Y!.xYbx alloys synthesized at high pressure. J. Less-Common Met., 155, 161, 1989.
  9. И.А. Смирнов, B.C. Оскотский. Фазовый Переход Полупроводник -Металл В Редкоземельных Полупроводниках (Монохалькогениды Самария). УФН, 124(2), 241, 1978.
  10. В.В. Каминский, А. В. Голубков, JI.H. Васильев, Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в SmS, Физика твердого тела, 47(7), 1192, 2005.
  11. P.W. Anderson. Valence instabilities and related narrow-band phenomena. In Proceedings Of An International Conference On Valence Instabilities And Related Narrow-Band Phenomena Held At The University Of Rochester, 1977.
  12. F. Mehran, R.S. Title, K.W.H. Stevens and F. Holtzberg. Exchangei ^ i ^ i ^ i interaction of Eu -Sm andMn -Sm in samarium chalcogenides observed byelectron paramagnetic resonance. Phys. Rev. Lett., 27, 1368, 1971.
  13. E.R. Bauminger, I. Nowik, D. Froindlich and S. Ofer. Charge fluctuations in europium in metallic EuCu2Si2. Phys. Rev. Lett., 30, 1053, 1973.
  14. J. Roehler and D. Wohlleben. Energy balance of mixed-valent Eu ions. Phys. Rev. Lett., 49, 65, 1982.
  15. M.I. Nathan, J.E. Smith Jr., J.B. Torrance, F. Holtzberg and J.C. Tsang. Electronic raman scattering and infrared absorption in the samarium monochalcogenides. Phys. Rev. Lett., 34, 467, 1975.
  16. S.M. Shapiro, R. J. Birgeneau and E. Bucher. Magnetic excitations in semiconducting SmS. Phys. Rev. Lett., 34:470, 1975.
  17. A. Jayaraman, A. Chatterjee, A.K. Singh and S. Usha Devi. Pressure-volume relationship and pressure-induced electronic and structural transformations in Eu and Yb monochalcogenides. Phys. Rev. B, 9, 2513, 1974.
  18. C.M. Varma. Mixed-valence compounds. Rev. Mod. Phys., 48, 219, 1976.
  19. R.A. Pollak, J.L. Freeouf, F. Holtzberg and D.E. Eastman. Temperature- and composition-dependent valence mixing of Sm in cation-and anion-substituted SmS observed by x-ray photoemission spectroscopy. Phys. Rev. Lett., 33, 820, 1974.
  20. G.H. Jonker, J.H. van Santen. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure. Physica (Amsterdam), 16, 337, 1950.
  21. A. Iandelli. Samarium compounds crystallizing with the NaCl structure. Z Anorg. All gem. Chem., 288, 81, 1956.
  22. T. Penney and F. Holtzberg. Virtual bound states and configurational mixing in SmixYxS alloys. Phys. Rev. Lett., 34, 322, 1975.
  23. A. Jayaraman, P. Dernier and L.D. Longinotti. Study of the valence transition in SmS induced by alloying, temperature, and pressure. Phys. Rev. B, 11, 2783, 1975.
  24. A. Palenzona, S. Cirafici and F. Canepa. Temperature behaviour of the mixed valence compounds EuCu2Si2 YbCu2Si2 and the reference compounds CaCu2Si2 and GdCu2Si2. J. Less-Common Met., 119, 199, 1986.
  25. V.N. Lazukov, P.A. Alekseev, V.V. Sikolenko, U. Staub, M. Braden, K.S. Nemkovski, C. Pradervand, I.P. Sadikov, L. Soderholm, N.N. Tiden,
  26. E.V. Nefeodova. Lattice anomalies in CeNi unstable valence compound. Appl. Phys. A, 74, s559, 2002.
  27. R.L. Cohen, K. W. West, I. Nowik and E. Bucher. Electronic structure of SmS doped with divalent and trivalent ions. Phys. Rev. B, 16, 4455, 1977.
  28. J. M. D. Coey, S. K. Ghatak and F. Holtzberg, M. Avignon. Electronic configuration of samarium sulphide and related compounds, Mossbauer-effect measurements and a model. Phys. Rev. B, 14, 3744, 1976.
  29. R.B. Beeken, J.W. Schweitzer, E.D. Cater, W.R. Savage. Intermediate valence in SmSbxSi. x alloys. Phys. Rev. B, 17, 1334, 1978.
  30. A. Scherzberg, U. Kabler, Ch. Sauer and J. Roehler, W. Zinn. Field induced valence shift in mixed valent EuCu2Si2. Solid State Comm., 49(11), 1027, 1984.
  31. M.M. Abd-Elmeguid, Ch. Sauer and W. Zinn. On the problem of the valence determination of Eu in mixed-valence compounds EuCu2Si2 and EuPd2Si2- J. Phys. Q Solid State Phys., 18,345, 1985.
  32. S.D. Bader, N.E. Phillips and D.B. McWhan. Heat capacity and resistivity of metallic SmS at high pressure. Phys. Rev. B, 7, 4686, 1973.
  33. A. Rudajevova, D. Vasylyev and O. Musil. Electrical and thermal transport in CeNi and LaNi. Physica B, 378−380, 758, 2006.
  34. M. Campagna, G.K. Wertheim, E. Bucher and L.D. Longinotti. Valence mixing and semiconductor-metal transition in the Sm monochalcogenides. Phys. Rev. Lett., 33, 165, 1974.
  35. K.H. Buschow, M. Campagna and G.K. Wertheim. Intermediate valence in YbAl3 and EuCu2Si2 by x-ray photoemission (XPS). Solid State Comm., 24, 253, 1977.
  36. W.M. Walsh, E. Bucher, L.W. Rupp and L. D. Longinotti. in. In Proceedings of the 19th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials, page 535, 1974.
  37. M.B. Maple and D. Wohlleben. Nonmagnetic 4f shell in the high-pressure phase of SmS. Phys. Rev. Lett., 27, 511, 1971.
  38. M.B. Maple. Magnetism, chapter 5, page 289. Academic, New-York, 1973.
  39. P.W. Anderson. Localized magnetic states in metals. Phys. Rev., 124, 41, 1961.
  40. C.M. Varma and Y. Yafet. Magnetic susceptibility of mixed-valence rare-earth compounds. Phys. Rev. B, 13, 2950, 1976.
  41. L J. Tao and F. Holtzberg. Valence transitions of Sm in monosulfide solid solutions. Phys. Rev. B, 11, 3842, 1975.
  42. P.A. Alekseev, A. Ochiai, E.V. Nefeodova, I.P. Sadikov, E.S. Clementyev, V.N. Lazukov, M. Braden, J.-M. Mignot and K.S. Nemkovski. Collective magnetic excitations in mixed-valence Smo. g3Yo.17S. Phys. Rev. B, 65, 153 201, 2002.
  43. K.A. Kikoin and A.S. Mishchenko. Magnetic excitations in intermediate-valence semiconductors with a singlet ground state. J. Phys., Cond. Matter, 7, 307, 1995.
  44. R.S. Fishman and S.H. Liu. Local symmetry breaking by impurities and mode splitting in doped SmS. Phys. Rev. Lett., 89, 247 203, 2002.
  45. P.G. Pagliuso, J.D. Thompson, M.F. Hundley, M.S. Sercheli, R.R. Urbano, C. Rettori, Z. Fisk, S B. Oseroff, J.L. Sarrao. Antiferromagnetic ordering of divalent Eu in EuCu2Si2 single crystals. Phys. Rev. B, 63, 92 406, 2001.
  46. D. Gignoux, R. Lemaire, F. Tasset, F. Givord. Intermediate valence state of cerium in CeNi. J. Less-Comm. Met., 94, 165, 1983.
  47. T.K. Hatwar, L. Padalia, M.N. Ghatikar, E. V. Sanipathkumaran,
  48. C. Gupta, Rh. Nayak and R. Vljayaraghavan. X-ray absorption spectroscopic study of mixed valence systems EuCu2Si2, YbCu2Si2 and Sm4B3. Solid State Comm., 34, 617, 1980.
  49. R.M. Martin, J. W. Allen, F. Holtzberg, J. B. Boyce. Extended x-ray-absorption fine-structure studies of electron-lattice correlations in mixed-valence Smo.75Yo.25S. Phys. Rev. Lett., 44, 1275, 1980.
  50. E. Beaurepaire, G. Krill, J. P. Kappler. X-ray-absorption near-edge structure study in mixed-valent samarium systems. Phys. Rev. B, 41, 6768, 1990.
  51. T. Penney F. Holtzberg H.A. Mook, R.M. Nicklow and M. W. Shafer. Phonon dispersion in intermediate-valence Smo.75Yo.25S. Phys. Rev. B, 18, 2925, 1978.
  52. P.D. Dernier, W. Weber and L.D. Longinotti. Evaluation of Debye-Waller factors in rare-earth monosulfides, Evidence for softening of optic phonons in mixed valent Smo.7Yo.3S. Phys. Rev. B, 14, 3635, 1976.
  53. E.S. Clementyev, M. Braden, J.-M. Mignot, G. Lapertot, V.N. Lazukov, P.A. Alekseev and I.P. Sadikov. Anomalous lattice dynamics in intermediate-valence CeNi. Phys. Rev. B, 57, R8099, 1998.
  54. E.S. Klement’ev, P. Allenspach, P.A. Alekseev and V.N. Lazukov. Magnetic excitations in the singlet-ground-state ferromagnet PrNi. Physics of Metals and Metallography, 99, Suppl. 1, S12, 2005.
  55. A.L. Ankudinov, J.J. Rehr, S.D. Conradson B. Ravel. Real space multiple scattering calculation and interpretation of x-ray absorption near edge structure. Phys. Rev. В, 58, 7565, 1998.
  56. Д.И. Кочубей, К. И. Замараев, Р. В. Ведринский, B.JI. Крайзман, Г. Н. Кулипанов, JI.H. Мазалов, А. Н. Скринский, В. К. Федоров, Б. Ю. Хельмер, А. Т. Шуваев, Ю. А. Бабанов Рентгеноспектралъный метод изучения аморфных тел. EXAFS-спектроскопия. Новосибирск, 1988.
  57. Е. Sevillano, H. Meuth and J.J. Rehr. Extended x-ray absorption fine structure Debye-Waller factors. Phys. Rev. B, 20, 4908, 1979.
  58. И.М. Дремин, B.A. Нечитайло, O.B. Иванов. Вейвлеты и их использование. УФН, 171, 465, 2001.
  59. A. Grossmann and J. Morlet. Decomposition of hardy functions into, square integrable wavelets of constant shape. SI AM J. Math. Anal., 15, 723, 1984.
  60. M. Munoz, P. Argoul and F. Farges. Am. Mineral., 88, 694, 2003.
  61. A. Grossmann, R. Kronland-Martinet, J. Morl et, M. Holschneider. In Proceedings of the Conference on Inverse Problems, An Interdisciplinary Study, 1986.
  62. H. Funke, M. Chukalina, A.C. Scheinost. Wavelet analysis of extended x-ray absorption fine structure data. Phys. Rev. B, 71, 94 110, 2005.
  63. H. Funke, A.C. Scheinost, M. Chukalina. A new FEFF-based wavelet for EXAFS data analysis. J. Synchrotron. Radiat., 14, 426, 2007.
  64. P.B. Ведринский. EXAFS-спектроскопия новый метод структурного анализа. Соросовский Образовательный Журнал, 5, 79, 1996.
  65. H.J. Leisi, C.F. Perdrisat, P. Scherrer, J.H. Brunner. Hel. Phys. Acta, 32, 161, 1962.
  66. P.P. Deen, N. Kernavanois, L. Paolasini, S. Raymond, A. Barla, G. Lapertot, D. Braithwaite and J. P. Sanchez. Structural and electronic transitions in the low-temperature, high-pressure phase of SmS. Phys. Rev. B, l, 245 118, 2005.
  67. J. Roehler. Zm-absorption on valence fluctuating materials. J. Magn. Magn. Mater., 47&48, 175, 1985.
  68. E. Sobczak and N.N. Dorozhkin. Multiple scattering calculations of Fe К EXAFS for Fe surfaces and nanocrystals. J. Alloy. Сотр., 286, 108, 1999.
  69. U. Staub, A.G. O’Conner, M.J. Kramer, M. Knapp, M. Shi. Site-specific electronic structure of Pr in Pri+xBa2-xCu307.d. Phys. Rev. B, 63, 134 522, 2001.
  70. Zhongrui Li, A. Scherz, G. Ceballos, H. Wende and K. Baberschke. Spin fluctuation in single-crystalline terbium probed by temperature-dependent magnetic EXAFS. Phys. Rev. B, 68, 134 406, 2003.
  71. К. V. Klementiev. Viper for windows, freeware: www.desy.de/ klmn/viper.html. J. Phys. D, 34:209, 2001.
  72. П.А.Алексеев, Р. В. Черников, Р. Кортес, В. Н. Лазуков, А. П. Менушенков К вопросу о валентном состоянии церия в CeNi, анализ данных XANES-спектроскопии. Поверхность N11, стр. 105−106, 2003.
  73. A.P.Menushenkov, R.V.Chernikov, P.A.Alekseev, V.N.Lazukov, R. Cortes, On the cerium valence state in CeNi, XANES data analysis. Abstracts of the 12-th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure, Malmo, Sweden, 22−27 June, 2003, p. 252
  74. E. Stern. Number of relevant independent points in x-ray absorption fine structure spectra. Phys. Rev. B, 48, 9825, 1993.
  75. Р.В.Черников, А. П. Менушенков, К. В. Клементьев, П. А. Алексеев, В. Н. Лазуков, XAFS-спектроскопия EuCu2Si2 Сборник трудов научной сессии МИФИ 2005, т.4, стр. 45.
  76. Р.А. Alekseev, R.V. Chernikov, K.V. Klementiev, V.N. Lazukov and A.P. Menushenkov, XAFS-spectroscopy of EuCu2Si2. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 543, pp.202−204, 2005.
  77. R.W. Joyner, P. Meehan, К J. Martin. Some applications of statistical tests in analysis of EXAFS and SEXAFS data. J. Phys. C, Solid State Phys., 20, 4005, 1987.
  78. V.N. Antonov, A.N. Yaresko, B.N. Harmon. Electronic structure of mixed-valence semiconductors in the LSDA+U approximation. I. Sm monochalcogenides. Phys. Rev. B, 66, 165 208, 2002.
  79. А.П.Менушенков, Р. В. Черников, П. А. Алексеев, В. Н. Лазуков, К. С. Немковский, Е. В. Нефедова, R. Cortes К вопросу о валентности самария в валентно-нестабильном соединении Smo.67Yo.33S. Сборник трудов научной сессии МИФИ 2003, т.4, стр. 38−39.
  80. A.P.Menushenkov, R.V.Chernikov, K.V.Klementiev, P.A.Alekseev, K.S.Nemkovsky, V.N.Lazukov. XAFS-studies of mixed-valence SmixYxS. Annual Report, HASYLAB, DESY, Hamburg, Germany, 545−546, 2003.
  81. Р.В.Черников, А. П. Менушенков, В. В. Сидоров, К. В. Клементьев, П. А. Алексеев, Е. В. Нефедова, К. С. Немковский, Особенности локальной структуры SmixYxS. Сборник трудов научной сессии МИФИ 2006, т.4, стр. 44−45.
  82. A.P.Menushenkov, R.V.Chernikov, K.V.Klementiev, P.A.Alekseev, E.V.Nefedova, V.V.Sidorov, K.S.Nemkovski, Smi. xYxS local structure properties. Annual Report, HASYLAB, DESY, Hamburg, Germany, pp. 685−686, 2005.
  83. А.П.Менушенков, Р. В. Черников, К. В. Клементьев, П. А. Алексеев, В. В. Сидоров XAFS спектроскопия SmixYxS. Сборник аннотаций Научной конференцииИСФТТРНЦ «Курчатовский институт», Москва, 11−13 апреля 2006 г., стр. 104.
  84. А.П.Менушенков, Р. В. Черников, К. В. Клементьев, П. А. Алексеев, В. В. Сидоров, А. В. Рыбина, Низкотемпературные особенности локальной структуры SmbxYxS., ЖЭТФ 132, в.1, стр. 114−120, 2007.
  85. А.П.Менушенков, Р. В. Черников, В. В. Сидоров, К. В. Клементьев, П. А. Алексеев, А. В. Рыбина, Взаимосвязь локальной электронной и локальной кристаллической структур промежуточновалентного SmixYxS. Письма в ЖЭТФ 84, в. З, стр. 146−151, 2006.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!