Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках
Диссертация
Качественное отличие рассматриваемой задачи от задачи квантования простой невырожденной зоны состоит в том, что цри рассеянии на поверхности происходит взаимное превращение легких и тяжелых дырок. Это приводит к тому, что волновая функция частицы в тонкой пленке является суперпозицией волновых функций объемных состояний легких и тяжелых дырок. Это смешивание состояний обуславливает сложный… Читать ещё >
Список литературы
- troves S., Pclu? W. Band structure о} gray tin1. V5, p. m-m.
- Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Дидильковский И. М. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников. УФН, 1976, т.120, в. З, с.337−362.
- Берченко H.H., Пашковский М. В. Теллурид ртути полупроводник с нулевой запрещенной зоной. — УФН, 1976, т.119, в.2, с.223−255.
- Пикус Г. Е. Рассеяние дырок в германии и кремнии. ЖТФ, 1957, т.27, в.7, с.1606−1609.
- Бир Г. Л., Нормантас Э., Пикус Г. Е. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с вырожденными зонами. ФТТ, 1962, т.4, в.5, с. II80-II95.
- Мотт Н., Месси Г. Теория атомных столкновений. М.: Мир, 1969, 756с.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978, 616с.
- BeaUieA.R^LanclshergP.T. Augfcr ej-fecl in semiconductors -Proc.Roy.Socv4959,v. Аа^э, ^/^SL56J p.
- Недорезов С.С. Пространственное квантование в полупроводниковых пленках. ФТТ, 1970, т.12, в.8, с.2269−2276.
- Нормантас Э^ Электропроводность р- Qe в сильном магнитном поле. ФТТ, 1969, т. II, в.10, с.2863−2870.
- Tle.rs-ten И. Acjoas-tic-mode scattering mobitiAg oj- hole.*, 1. diamond 4ype semiconductors-J".Ph^s>. C-hem. SoEcds.- ^e^v.as./vii, p. nsiHi?s.
- Lauae-lz P. Lrus-jieid mobility and gatvanomagne-kic. proper-lle^ oj botes in ge.rma.n, lurri 'urlt'b p^cmon Scattering.-Ph^s. Reu, 4Э6&-, v/I74,n/3, p. 867−8?2.
- V/rteg J.D. Potar- mobiluly oi botes in Ж-Y compounds.-i^Wife^J.H Mobility of -Violes inTFicompounds. — Semicoiiolacki^s ahoi SerrumeiaXs, p. Qi- .
- Lu-ttinger J. M. Quan-ku-n -L'heor^ oj- cupial t-on resonance in oemiconduc-feor-s,.-Ph^c>. Ueir.^956^
- Варшалович Д.А., Москалев A.H., Херсонский B.K. Квантовая теория углового момента. Л.: Наука, 1975, 438с.
- Дьяконов М.И., Перель В. И. О спиновой ориентации электронов при межзонном поглощении света в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1971, т.60, в.5, с.1954−1965.
- Эдмондс А. Угловые моменты в квантовой механике. В кн.: Деформация атомных ядер. — М.: ИИЛ, 1958, с.305−379.
- Раутиан С.Г., Смирнов Г. И., Шалагин A.M. Нелинейные резо-нансы в спектрах атомов и молекул. Новосибирск: Наука, 1979, 312с.23. i) yafeonoTj M X, PereiV.I. «D ecaij of a-tomlc polarization moment-InUrmUonoi conference on
- A-tomcc. Physics Proceedings. Ri^a^WS, p. Ai0−4a2.
- Дымников В.Д. Интеграл столкновений для недиагональнойматрицы плотности. Препринт № 584. — Л.: ЛФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1978.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974, 752с. ге>. Maranzcma Cbnir-tfeuUons -to-the -i-Vieory oi Oie anomalous Hatt e^Jeet in -Jerro-ancL aniij-^erro-maejneltc. maWia&srPh^s.fteAJ, -ОЦуЛбо^ p. A^i-Агд .
- Дьяконов М.И., Перель В. И. 0 возможности ориентации электронных спинов током. Письма в ЖЭТФ, 1971, т.13, в.11, с.657−660.
- D^a-konou H.I.jfereEY.l. Carren-I: Induced Spin OMen-kxkon o^ e? eatr-ons in semiconductors. 4371, v. 55A, n/6, p. A 59−4 60.
- Абакумов B.H., Яссиевич И. Н. Аномальный эффект Холла на поляризованных электронах в полупроводниках. ЖЭТФ, 1971, т.61, в.6(12), с.2571−2579.
- Гельмонт Б.Л., Дьяконов М. И. Примесные состояния в полу -проводнике с нулевой запрещенной зоной. ЖЭТФ, 1972, т.62, в.2, с.713−724.
- Гельмонт Б.Л., Дьяконов М. И. Примесные состояния в полупроводниках с нулевой запрещенной зоной. Материалы 1У зимней школы по физике полупроводников. — Л.: 1972, с.125−156.
- Дымников В.Д., Дьяконов М. И., Перель В. И. Анизотропия им -пульсного распределения фотовозбужденных электронов и поляризация горячей люминесценции в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6, с.2373−2380.
- Карлик И.Я., Мирлин Д. Н., Никитин Л. П., Поляков Д. Г., Сапе-га В.Ф. Разрушение магнитным полем корреляции между спинами и импульсами фото возбужденных электронов в кристаллах ¿-гаД^. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, в.5, с.155−157.
- Горбовицкий Б.М., Перель В. И. Квазиклассическое квантование в магнитном поле для матричных гамильтонианов. ЖЭТФ, 1983, т.85, в.5(H), с.1812−1820.
- Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. -М.: Мир, 1964, 392с.
- Landsberg RT. A/on- racUaUire. -trcuisdlon in semiconductors- Pf^s. Sbi. SofL, 1970, v. k {, NZ 5 p.457 -489.
- Гельмонт Б.Л. Трехзонная модель Кейна и оже-рекомбинация. ЖЭТФ, 1978, т.75, № 2(8), с.536−544.
- АО. &e?monA: B.L. Дц^ег recombination i^ diamond/like. ncurr-оъЗ gap
- Гельмонт Б.JI. Оже-рекомбинация в узкощелевых полупроводниках. ФТП, 1980, т.14, в.10, с.1913−1917.
- Зотова Н.В., Яссиевич И. Н. Оже-рекомбинация в p-lnJU и твердых растворах &QxTn^.xil:S. ФТП, 1977, т. II, в.10, с.1882−1887.
- Дьяконов М.И., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Эффектный механизм энергетической релаксации горячих электронов в полупроводниках р -типа. ФТП, 1977, т. II, в.7, с.1364−1369.
- Hatperlri&I.-kic^TM. Possible anomalies a-t а
- Servuv^e-tal- Sermcohdu. c-lor' -LiMXvi SlUonRev. M od. Phys > vA 0, /W^ p. 755−766.
- ДЬг-CAeosou A.A. On khe еьегЗД o^gap-{ess semiconductor vrc-t4i cohsioter-aM^ masses o^ e? ec4rons and liot&s.--XLo'tJ.Temp •1. Ш8, VM8, Л/а/^р.^Б-ЮЭ.
- Гельмонт Б.JI. Влияние нелокальности потенциала на спектрдырок в полупроводниках с малой шириной запрещенной зоны. -ФТП, 1975, т.9, в.10, с. I9I2-I9I9.
- Baaas> X, Лог-ger Кpeairci о} HgTe and Cd"Hg4x"Te.-Sot.Slat. Corwv^ 1*72, v. HO, Nl, p875-*78 .
- LuJ-t-.b^noi- T M. KofirtW Morton oi electrons and-4955, ^<37, А/й, р. ЗЪ.
- Дэвиссон С., Левин Дк. Поверхностные (таммовские) состояния.- М.: Мир, 1973, 232с.
- Волков В.А., Пинскер Т. Н. Размерное квантование и поверхностные состояния в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.70, в.6, с.2268−2278.
- Волков В.А., Пинскер Т. Н. Закон дисперсии электрона в ограниченном кристалле. ЖЭТФ, 1977, т.72, в. З, с.1087−1096.
- Л/о^кси УД т} Pittsk.erT.iV. Ьоиис1аг^ сопс^с-коп.?, впег^^ ?рес^гат, си^ орксаХ -1гаи.9>1кои?-и. «гаггоих егг^а^.иг^ .^ссеиае, 'i°>l%v.&ii А/1 ^.Ш-Ш.
- Васько Ф.Т. Спиновое расщепление спектра двумерных элект -ронов, обусловленное поверхностным потенциалом. Письмав ЖЭТФ, 1979, т.30, в.9, с.574−577.
- Волков В.А., Пинскер Т. Н. Спиновое расщепление электронного спектра в ограниченных кристаллах с релятивистской зоннойструктурой. ФТТ, 1981, т.23, в.6, с.1756−1759.
- Степанов В.Е., Чалдышев В. А. Таммовские состояния в полу -проводниках. ФТТ, 1970, т.12, в. б, с.1671−1677.
- Мехтиев М.А. Поверхностные таммовские уровни полуметалли -ческих р~ • • ~ Доклады Академии Наук Азербайджанской ССР, 1977, т.33, № 4, с. 19−22.5?. MekViAieu M. к. Tammar-Jaae sia-lec, oj Нс^ЗДДег 6oetd Commun., mi^V.ZZ, a/2?,
- Kahe E.O. band s-ttHtcictr-e oj ihdlum ankmotxtde. r
- X Wiys.Wiem.uotitts^P.2U+Q-2.61.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука, 1965, 203с.
- Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел. М.: Наука, 1967, 491с.
- Bo-ur-er-s Magnetic suoaepUbctu-Uj oi I^Gb
- P+igs.Веяг., 4959, v. IAS,M65-тг .
- Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. -М.: Наука, 1978, 328с.
- Гельмонт Б.Л., Султанов С. Б. Спектр тяжелых дырок в маг -нитном поле. ФТП, 1978, т.12, в.4, с.818−819.
- Миньков Г. М., Рут О.Э., Кружаев В. В. Двумерные поверхностные электроны в Hgee. ФТТ, 1981, т.23, в.9, с.2574−2576.
- Тацд, Ъ.С. Ob&emraUon oj- surface Ь-ounoL stale. ctncl-Уию dim easlo rva? eaer-au &ancl bu electron -bu-n
- TsuiTxC. eCectr-onr-Uthne^lhg elu^dueS oj aq^a^tlzed Sur-^ace accumuWloh touts'. Phtjs.1. A/12, .
- Лифшиц И.М., Косевич A.M. Об осцилляциях термодинамическихвеличин для вырожденного ферми-газа при низких температурах.-Изв.АН СССР, сер.физ., 1955, т.19, № 4, с.395−403.
- Овсюк Н.Н., Синюков М. П. Влияние квантования в приповерхностной области полупроводника на спектры электроотраже -ния. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32, в.5, с.366−370.
- Бабаев Н.А., Багаев B.C., Гапонов C.B., Копыловский Б. Д., Салащенко Н. Н., Стопачинский В. Б. Размерное квантование в тонких пленках теллурида кадмия. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, в. II, с.524−527.
- Kotbas R.M., Holonjjafe Ь. А, Неа&К., At-ta-%Mi №, bupuis R RЪ. Plionon-assis-Led reeombinakori anol ?-tlma^a-t^ol emission in mui-Upte c^ucm-tam- vJeM A ty Ьсцх A s ba A s
- Матулис А., Пирагас К. Превращение тяжелых дырок в легкие в полупроводниковой пленке. ФТП, 1975, т.9, в. II, с. 2202−2205.
- Вг-оен-тлг 3.6. tHeteclrtc response, а -Цап-^а^ег zero-gap semiconductor.-PKys.LettjQ80,v.45,IVQ, p.74»?-7SO,
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. -М.: ГИФМЛ, 1959, 532с.
- Shvartsman L.b. Subbounol stractur-e and Kinetic characteristics oi tkin JUws of gap^ss semi1. VII, -790 .
- Гельмонт Б.Л. Примесные состояния и кинетические эффекты в полупроводниках с особенностями зонного спектра. Дис.. докт.физ.-мат.наук. — Л., ЛФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1974.
- Дьяконов М.И., Хаецкий A.B. Рекомбинация неравновесных носителей в бесщелевом полупроводнике. ФТП, 1980, т.14, в.8, с.1499−1506.
- Дьяконов М.И., Хаецкий A.B. Поверхностные состояния в бесщелевом полупроводнике. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.33, в.2, с. 115—118.
- Дьяконов М.И., Хаецкий A.B. Размерное квантование дырок в полупроводнике со сложной валентной зоной и носителей в бесщелевом полупроводнике. ЖЭТФ, 1982, т.82, в.5, с.1584−1590.
- Хаецкий A.B. Магнитные поверхностные уровни в бесщелевом полупроводнике. ФТП, 1982, т.16, в.9, с.1673−1676.
- Дьяконов М.И., Хаецкий A.B. Релаксация неравновесной матрицы плотности носителей в полупроводникахф с вырожденными зонами. ЖЭТФ, 1984, т.86, в.5, с.1843−1856.