Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек

Диссертация: Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Сравнение теоретической и экспериментальной зависимостей времени безызлучательной Оже-рекомбинации в InAs/GaAs квантовых точках и безызлучательной Оже-рекомбинации в квантовых точках с участием неравновесных носителей заряда в барьерной области позволяет оценить оптимальный размер квантовых точек для создания полупроводниковых лазеров на их основе. При радиусе InAs/GaAs квантовой точки более 50А… Читать ещё >

Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
  • Глава 2. Методика эксперимента и описание образцов
    • 2. 1. Методика эксперимента
      • 2. 1. 1. Методика выращивания однослойных массивов InAs/GaAs квантовых точек
      • 2. 1. 2. Методика проведения спектральных исследований
      • 2. 1. 3. Методика измерения абсолютной величины квантового выхода в гетероструктурах
      • 2. 1. 4. Методика проведения фотолюминесцентных измерений с временным разрешением
    • 2. 2. Описание образцов
      • 2. 2. 1. Исследование спектров фотолюминесценции
      • 2. 2. 2. Идентификация энергетических состояний в квантовых точках
      • 2. 2. 3. Исследование спектров фотолюминесценции в диапазоне температур от 77К до 300К при различных уровнях возбуждения
  • Глава 3. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при малой степени заселенности квантовых точек
    • 3. 1. Времена жизни неравновесных носителей заряда в квантовых точках при малой степени заселенности квантовых точек
    • 3. 2. Процессы переноса носителей в массивах квантовых точек
    • 3. 3. Моделирование процессов переноса носителей в массивах квантовых точек
  • Глава 4. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при высоких уровнях инжекции носителей
    • 4. 1. Эффект заполнения основного энергетического состояния в квантовых точках
    • 4. 2. Исследование значения величины внутренней квантовой эффективности в массивах квантовых точек в широком температурном диапазоне
    • 4. 3. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при температуре 5К
    • 4. 4. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при температуре 77К
    • 4. 5. Расчет зависимости коэффициента безызлучателъной Оже-рекомбинации в квантовых точках от температуры и радиуса квантовой точки
    • 4. 6. Влияние неравновесных носителей заряда в барьерной области на рекомбинационные процессы в квантовых точках

Полупроводниковые гетероструктуры, содержащие квантоворазмерные объекты в последние годы заняли ведущее место в физике полупроводников. Интенсивные исследования полупроводниковых наногетероструктур, содержащих квантовые точки привели к открытию новых явлений, созданию принципиально новых приборов и развитию теории полупроводников. Несмотря на прогресс в изготовлении оптоэлектронных приборов, к началу диссертационной работы ряд фундаментальных характеристик структур на основе квантовых точек не был исследован. Так, не было проведено детального исследования зависимости эффективности излучательной рекомбинации от параметров массива квантовых точек и уровня возбуждения в реальных гетероструктурах. В работах, посвященных фотолюминесцентным исследованиям квантовых точек, практически отсутствовали конкретные значения эффективности излучательной рекомбинации, а характер её зависимости от температуры и уровня возбуждения не обсуждался. Знание этих характеристик важно, как для понимания происходящих в низкоразмерных гетероструктурах фундаментальных процессов, так и для реализации уникальных свойств этих гетероструктур в оптоэлектронных приборах.

Актуальность работы заключается в том, что в работе проводятся детальное исследование рекомбинационных процессов неравновесных носителей заряда в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек в зависимости от температуры, концентрации носителей и среднего размера квантовых точек в массиве.

Целью данной работы являлось — изучение рекомбинационных процессов, определяющих величину внутренней квантовой эффективности в квантовых точках.

Основные задачи: Для достижения поставленной цели в данной работе решались следующие задачи: изготовление методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур InAs/AlGaAs, содержащих высококачественные массивы квантовых точек InAs с различным характерным размеромисследование характера зависимости эффективности люминесценции и времени жизни неравновесных носителей заряда от их концентрации для однослойных массивов квантовых точек InAs различного размера в широком диапазоне температур, разработка модельных представлений о рекомбинационных процессах, определяющих величину внутренней квантовой эффективности люминесценции в квантовых точках.

Объектами исследования являлись гетероструктуры InAs/AlGaAs, содержащие массивы квантовых точек InAs.

Выбор квантовых точек на основе гетеросистемы InAs/GaAs был обусловлен как их практической значимостью, так и тем, что технология получения высококачественных эпитаксиальных гетероструктур хорошо разработана для данной системы.

Методом исследования эффективности излучательной рекомбинации был выбран метод фотолюминесценции с непрерывным возбуждением. Исследовалась неполяризованная фотолюминесценция, обусловленная рекомбинацией оптически возбужденных неравновесных носителей. Данная методика позволяет не только измерить значение эффективности излучательной рекомбинации, но и оценить качество исследуемых объектов, выявить причины зависимости эффективности излучательной рекомбинации от концентрации неравновесных носителей. Для исследования временных характеристик использовался метод фотолюминесценции с временным разрешением. Параллельное измерение величины внутреннего квантового выхода и времен жизни неравновесных носителей заряда в гетероструктурах на основе квантовых точек при различных температурах и уровнях фотовозбуждения позволяет разделить рекомбинационные процессы, определяющие величину внутренней квантовой эффективности.

Представляемые к защите научные положения.

Положение 1.

При равновесном заполнении квантовых точек (при малых значениях фактора заполнения fn и fpп<�Кет) электроны и дырки оказываются пространственно разделены. В этом случае аномально большие значения времени жизни неравновесных носителей заряда в основном состоянии квантовых точек InAs/GaAs (т> 100нс) обусловлены рекомбинацией пространственно разделенных неравновесных носителей заряда.

Положение 2.

В массивах изолированных квантовых точек InAs/GaAs (квантовые точки не обмениваются друг с другом носителями), при концентрациях неравновесных носителей заряда, сопоставимых с концентрацией квантовых точек (n^N^), времена излучательной рекомбинации составляют единицы наносекунд, а значения внутренней квантовой эффективности люминесценции могут достигать 100%.

Положение 3.

При полном заселении основного энергетического состояния неравновесными носителями заряда в InAs/GaAs квантовых точках включается канал безызлучательной Оже-рекомбинации. Конкуренция процессов излучательной рекомбинации и безызлучательной Оже-рекомбинации на пороге заполнения основного состояния квантовой точки определяет величину внутренней квантовой эффективности люминесценции.

Положение 4.

Времена беспорогового и квазипорогового процессов Оже-рекомбинации в квантовых точках InAs/GaAs, а также процесса Оже-рекомбинации с участием неравновесных носителей в барьерной области зависит от радиуса квантовой точки немонотонным образомпри некотором значении радиуса квантовой точки R время Оже-рекомбинации т имеет ярко выраженный минимум.

Основные результаты диссертационной работы изложены в публикациях:

1) A.S.ShkoFnik, V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, E.Yu.Kotelnikov, E.B.Dogonkin, V. G. Talalaev, В. V. Novikov, J. W. Tomm, G. Gobsch «Photoluminescence decay time measurements of self-organized InAs/GaAs quantum dots grown on misoriented substrates.», Nanotechnology 12, pp. 512−514, (2001).

2) В. П. Евтихиев, О. В. Константинов, Е. Ю. Котельников, А. В. Матвеенцев, А. Н. Титков, А. С. Школьник «Исследование квантовых точек InAs на вицинальной поверхности кристалла GaAs методом атомно-силовой микроскопии «, ПЖТФ, 28, сс. 28−30, (2002).

3) L. Ya. Karachinsky, S. Pellegrini, G. S. Buller, A. S. Shkolnik, N. Yu. Gordeev, V. P. Evtikhiev, and V. B. Novikov «Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots grown on misorientated substrates» Appl. Phys. Lett. 84, 7 (2004).

4) A.S. Shkolnik, L.Ya. Karachinsky, N.Yu. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev S. Pellegrini, and G.S. Buller Observation of the bi-exponential ground state decay time behaviour in InAs self-assembled quantum dots grown on misorientated substrates. Appl. Phys. Lett. 86, 211 112 (2005).

5) S. Pellegrini and G.S. Buller L. Y. Karachinsky, A. S. Shkolnik, N.Y. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, I.R. Sellers, M.S. Skolnick, H. Y. Liu and M. Hopkinson Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots (Invited Paper) Proc. of SPIE Volume Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials IX, April 2005, 5725, pp. 309−317 (2005).

6) Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, В.И.Иванов-Омский, В. А. Смирнов, В. П. Евтихиев, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, А. С. Школьник, Г. Г. Зегря. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах. ФТП 39, сс. 1252−1256 (2005).

7) А. С. Школьник, В. П. Евтихиев и Г. Г. Зегря «Соотношение между квазипороговым и беспороговым процессами Оже-рекомбинации в квантовых точках InAs/GaAs.» ПЖТФ, т. 32, вып. 11, (2006).

8) V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, E.Yu.Kotelnikov, V.E.Tokranov, A.S.Shkol'nik and A.N.Titkov «Photoluminescence study of single sheet InAs Quantum Dots arrays on nanopatterned GaAs (001) surfaces» «7th International symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology. St.-Petersburg, Russia, 14−18 JUNE, 1999» .

9) V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, V.E.Tokranov, E.Yu.Kotelnikov, A.V.Ankudinov, A.S.Shkol'nik and A.N.Titkov «Study of InAs Quantum Dots on nanopatterned GaAs (001) surfaces formed by misorientation to [010] direction» «LDSD'99 -international conference on low dimensional structures and devices, Antalya, Turkey» .

10) V.P.Evtikhiev, V.E.Tokranov, I.V.Kudryashov, A.V.Ankudinov, A.S.Shkol'nik and A.N.Titkov «MBE grown InAs quantum dots on nanopatterned GaAs (001) surfaces formed by misorientation to [010] direction» на «26th international symposium on compound semiconductors, 22−26 August, 1999, Zeiss Planetarium, Berlin, Germany» .

11) E.Yu.Kotelnikov, V.P.Evtikhiev, V.E.Tokranov, I.V.Kudryashov, M.G.Rastegaeva, A.S.Shkol'nik, A.V.Ankudinov and A.N.Titkov «The characteristics of InAs QD lasers fabricated on misoriented substrates» X conference on laser optics, St.-Petersburg, Russia, 2000.

12) E.Yu.Kotelnikov, V.P.Evtikhiev, A.S.Shkol'nik, V.E.Tokranov, I.V.Kudryashov, M.G.Rastegaeva and A.V.Ankudinov «InAs quantum dots heterostructures MBE grown on the vicinal GaAs (OOl) surfaces misoriented to the [010] direction» MRS 2000, BOSTON, USA.

13) A.S.Shkol'nik, V.P.Evtikhiev, I.V.Kudryashov, E.Yu.Kotelnikov, E.B.Dogonkin, V. G. Talalaev, В. V. Novikov, J. W. Tomm, G. Gobsch «Photoluminescence decay time measurements of the self-organized InAs/GaAs quantum dots grown on the misoriented substrates» «9th International symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology. St.-Petersburg, Russia, 18−22 JUNE, 2001» .

14) A. S. Shkolnik, L. Ya. Karachinsky, S. Pellegrini, G. S. Buller, N. Yu. Gordeev, В. V. Novikov, G. G. Zegrya and V. P. Evtikhiev Elementary processes determining the carrier lifetime in InAs/GaAs quantum dot arrays. 12th International symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology. St.-Petersburg, Russia, 21−25 JUNE, 2004.

15) V. M. Mikoushkin, V. V. Biyzgalov, Yu. S. Gordeev, V. P. Evtikhiev, A. S. Shkolnik, S. L. Molodtsov and D. V. Vyalich. InAs/GaAs quantum dot shape determination. 12th International symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology. St.-Petersburg, Russia, 21−25 JUNE, 2004.

16) A.V.Savelyev, A.S.Shkolnik, S. Pellegrini, L.Ya.Karachinsky, A.I.Tartakovskii and R.P.Seisyan Carrier transfer and radiative recombination in self-organized InAs/GaAs QD array: DC current injection pump-probe experiment and solvable models. 13th International symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology. St.-Petersburg, Russia, (2005).

17) A.S.Shkolnik, L.Ya.Karachinsky, N.Yu.Gordeev, G.G.Zegrya, K.A.Kupriyanov, V.P. Evtikhiev, S. Pellegrini and G.S.Buller, Lifetime of non-equilibrium charge carriers in semiconductor InAs/GaAs Quantum Dots.. 13th International symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology. St.-Petersburg, Russia, (2005).

Заключение

.

В ходе выполнения данной диссертационной работы получены следующие основные результаты:

1. Проведенные экспериментальные исследования зависимости времени жизни пространственно разделенных ННЗ показали, что при комнатной температуре в изолированных квантовых точках достижимы большие времена жизни ННЗ, и поэтому изолированные квантовые точки, являются перспективным объектом, для создания приборов зарядовой памяти.

2. Доля ННЗ, участвующих в процессах переноса составляет десятки процентов от общего количества инжектированных носителей.

3. Внутренняя квантовая эффективность однослойных массивов квантовых точек может достигать 100%, а излучательные времена жизни неравновесных носителей заряда в однослойных массивах квантовых точек составляют единицы наносекунд.

4. Исследование зависимостей интенсивности люминесценции из основного состояния квантовых точек от времени показало, что при концентрациях инжектированных носителей, соответствующих заполнению основного состояния при температуре 77К происходит резкий спад времени жизни неравновесных носителей заряда в основном состоянии квантовых точек.

5. Сопоставление результатов экспериментальных исследований времени жизни неравновесных носителей заряда и теоретических расчетов коэффициента Оже-рекомбинации в квантовых точках показало, что процесс безызлучательной Оже-рекомбинации зависит от радиуса КТ, а эффективность процесса безызлучательной Оже-рекомбинации растет с увеличением температуры.

6. Анализ экспериментальной зависимости времени Оже-рекомбинации от радиуса квантовой точки показал, что при определенных значениях радиуса квантовой точки время безызлучательной Оже-рекомбинации сравнимо со временем излучательной рекомбинации в квантовых точках. Минимальное значение времени безызлучательной Оже-рекомбинации, которое достигается при значении радиуса КТ ~ 25А, составляет 2−10″ 9с.

7. Показано, что канал безызлучательной Оже-рекомбинации может значительно снижать величину внутренней квантовой эффективности люминесценции, являющуюся определяющим параметром для таких приборных характеристик как величина порогового тока и дифференциальная эффективность. Полученный результат имеет большую важность с точки зрения применения КТ в приборных структурах. Так, слабые вариации характерного размера ансамбля КТ могут оказывать влияние на эффективность канала безызлучательной рекомбинации связанного с процессом Оже-рекомбинации.

8. Сравнение теоретической и экспериментальной зависимостей времени безызлучательной Оже-рекомбинации в InAs/GaAs квантовых точках и безызлучательной Оже-рекомбинации в квантовых точках с участием неравновесных носителей заряда в барьерной области позволяет оценить оптимальный размер квантовых точек для создания полупроводниковых лазеров на их основе. При радиусе InAs/GaAs квантовой точки более 50А каналы безызлучательной Оже-рекомбинации оказываются подавлены и не дают существенного вклада в значение внутренней квантовой эффективности массивов квантовых точек.

Показать весь текст

Список литературы

  1. L., Glas F., Marzin J.Y., Charasse M.N., Roux G.Le. «Growth by molecular beam epitaxy and characterisation of InAs/GaAs strained-layer superlattices», Appl.Phys.Lett., 47, 1099(1985).
  2. I. L. Aleiner and R. A. Suris, «Morphological stability of a vicinal surface in molecular epitaxy», Sov. Phys. Solid State 34, 809 (1992)
  3. U.Woggon «Optical properties of semiconductor quantum dots» Springer, (1996)
  4. Sotomayor Torres C.M., Wang F.D., Ledentsov N.N., Y.-S.Tang. Proc SPIE The International Society for Optical Engineering (1994) v.2141, p.2.
  5. In: Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, ed. By G. Abstreiter, A. Aydinli, J.-P. Leburton, NATO ASI Series. Series E: Applied Sciences (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, The Netherlands. 1997), v.344,
  6. А.И., Онущенко A.A., «Квантовый размерный эффект в трехмерных микрокристаллах полупроводников», Письма в ЖЭТФ, 34, 363 (1981).
  7. S. Watanabe, Е. Pelucchi, В. Dwir, М. Н. Baier, К. Leifer, and Е. Кароп Dense uniform arrays of site-controlled quantum dots grown in inverted pyramids Appl.Phys.Lett. 84, 2907 (2004).
  8. Stranski I.N., L. Von Krastanov. Akad. Wiss. Lit. Mainz Abh. Math. Maturwiss. Kl. Lib., 146, 797 (1939).
  9. А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов, (М., Наука, 1974).
  10. Alferov, Zh. I, and Kazarinov, R.F. Semiconductor laser with electrical pumping, U.S.S.R. Patent 181 737. (1963)
  11. Kroemer, H. A. proposed class of heterojunction lasers, Proc. IEEE 51, 1782−1783 (1963).
  12. Woodall J.M., Rupprecht H., and Pettit G.D. Solid state device conference, June 19, 1967, Santa Barbara, California. (1967).
  13. Alferov Zh., Andreev V.M., Garbuzov D.Z., Zhilyaev Yu.V., Morozov E.P., Portnoi E.L., and Trofim V.G. Sov.Phys.Semicond. 4, 1573. (1971).
  14. Hayashi I., Panish M.B., Foy P.W.- and Sumski S. Junction lasers wich operate continuously at room temperature, Appl.Phys.Lett. 17, 109. (1970).
  15. P.K., Neave J.H., Joyce B.A., «Angle-resolved photoemission from As-stable GaAs (001) surfaces prepared by MBE», J.Phys. C., v. 14, p.167 (1981).
  16. Olsen G.H., Nuese C.J., Ettenbery M. Low threshold l, 25mkm Vapor-grown InGaAsP lasers. Appl.Phys.Lett., v.34, p.262−264, (1979).
  17. Thompson G.H.B., Kirby P.A. (GaAl)As lasers with a heterostructurefor optical confinement and additional heterojunctions for extreme carrier confinement. IEEE J. Quantum Electron., QE-9, N2, p.311, (1973).
  18. J.P. van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, Wiegman, W.A. Nordland, «Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs-Al0.2Ga0.sAs multilayer structures», Appl.Phys.Lett, 26, 463(1975).
  19. Y., Sakaki H. «Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current», Appl.Phys.Lett., 40, 939 (1982).
  20. M., Miayamoto M., Suematsu Y. «Gain and threshold of three-dimensional quantum-box lasers», IEEE J.Quant.Electron., QE-22, 1915 (1986).
  21. Asryan L.V., Suris R.A., Inhomgeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser. Semicond.Sci.Technol. 11, 554 (1996).
  22. Solomon G.S., Trezza J.A., Harris J.S., Effects of monolayer coverage, flux ratio, and growth rate on the island density of InAs islands on GaAs. Appl.Phys.Lett. 66, 3161 (1995).
  23. Leon R., Lobo C., Clark A., Bozek R., Wysmolek A., Kuriewski A., Kaminska M., Different paths to tunability in III-V quantum dots. J.Appl.Phys. 84, 248(1998).
  24. Chu L., Arzberger M., Bohm G., Abstreiter G., Influence of growth conditions on the photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots. J.Appl.Phys. 85, 2355 (1999).
  25. D., Krishnamurthy M., Reaves C.M., Denbaars S.P., Petroff P.M. «Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces», Appl.Phys.Lett. 63, 3203 (1993).
  26. I.V. Kudryashov* V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, E.Yu. Kotel’nikov, A.K. Kryganovskii and A.N. Titkov «Effect of GaAs (OOl) surface misorientation on the emission from MBE grown InAs quantum dots» Cryst. Growth 201/202, 1158(1999).
  27. Hirayma H, Matsunaga K, Asada M and Suematsu Y, «basing action of Ga0.67In0.33As/GaInAsP/InP tensile-strained quantum-box laser», Electron.Lett. 30, 142 (1994).
  28. Mukai K., Nakata Y., Shoji H., Sugawara M., Otsubo K., Yokoyma N., Ishikawa H., Electron.Lett. 34, 1588 (1998).
  29. G., Shchekin O.B., Csutak S., Huffaker D.L., Deppe D.G., «Room-temperature continuous operation of a single-layered 1.3 mkm quantum dot laser», Appl.Phys.Lett. 75, 3267 (1999).
  30. Schafer F., Reithmaier J.P., Forchel A., High-performance GalnAs/GaAs quantum-dot lasers based on a single active layer. Appl.Phys.Lett. 74, 2915 (1999).
  31. Y. Arakawa, Н. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982) — M. Asada, M. Miyamoto, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1915 (1986).
  32. Krahl M., Bimberg D., Bauer R.K., Mars D.E., and Miller J.N., «Enchancement of nonradiative interface recombination in GaAs coupled quantum wells», J.Appl.Phys.Lett. 67, 434 (1990).
  33. Blood P., Colak S., and Kucharska I., «Influence of broadening and high-injection effect on GaAs-AlGaAs quantum well lasers», IEEE J. Quantum Electron. QE-24, 1593 (1988).
  34. Blood P., Fletcher E.D., Woodbridge K., Heasman K.C., and Adams A.R., «Influence of the barriers on the temperature dependence of threshold current in GaAs/AlGaAs quantum well lasers», IEEE J. Quantum Electron. QE-25, 1459(1989).
  35. Nelson R.J., and Sobers K.G., «Minority-carrier lifetimes and internal quantum efficiency of surface free GaAs», J.Appl.Phys. 49, 6103 (1978).
  36. Г. Г. Зегря, А. С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998).
  37. Huffaker D. L. and Deppe D. G., «Electroluminescence efficiency of 1.3 fim wavelength InGaAs/GaAs quantum dots», Appl.Phys.Lett. 73, 520 (1998).
  38. S. Ghosh, P. Bhattacharya, Е. Stoner, J. Singh, Н. Jiang, S. Nuttinck, J. Laskar. Appl. Phys. Lett., 79, 722 (2001).
  39. D.I.Chepic, Al. L. Efros, A.I.Ekimov et.al. J. Luminescence, 47, 113, (1990)
  40. Al. L. Efros and M. Rosen, Phys. Rev. Lett., 78, 1110 (1997).
  41. .Л., «Трех-зонная модель Кейна и Оже рекомбинация», ЖЭТФ 48, 268 (1978).
  42. A., «Auger recombination in InGaAsP», Appl.Phys.Lett. 42, 512 (1983).
  43. M., «Green's-function formalism of band-to band Auger recombination in semiconductors. Correlation effect.», Phys.Rev. В 26, 917 (1982).
  44. Agrawal G.P.and Dutta N.K., Long-Wavelength Semiconductor Lasers (Van Nostrand Reinhold, New York, 1983).
  45. J.L. Pan. Phys. Rev. B, 46, 3977 (1992).
  46. Г. Г. Зегря, B.A. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992).
  47. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998).
  48. M.I. Dyakonov, V.Yu. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 130
  49. S. A. Maksimenko, G. Ya. Slepyan, N. N. Ledentsov, V. P. Kalosha, A. Hoffmann and D. Bimberg, Light confinement in quantum dots, 8th Int.Symp. Nanostructures: Physics and Technology, p.219 (2000)
  50. L. V. Asryan, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, R. A. Suris, and D. Bimberg, J. Appl. Phys. 90, 1666 (2001).
  51. J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L., Andre E., Vatel O. «Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs», Appl.Phys.Lett. 64, 196 (1994).
  52. V. P. Evtikhiev, A. K. Kryganovskii, A. B. Komissarov et.al. Inst. Phys. Conf.Ser. 155,351 (1996)
  53. D. V. O’Connor and D. Phillips, Time-Correlated Single Photon Counting (Academic, London, 1984).
  54. J. M. Smith, P. A. Hiskett, I. Gontijo, L. Purves, and G. S. Buller, Rev. Sci. Instrum. 72, 2325 (2001).
  55. Zh. I. Alferov, A. B. Zhuravlev, E. L. Portnoi, andN. M. Stel’makh, Sov. Tech. Phys. Lett. 12, 452 (1996).
  56. L. Landin, M.-E. Pistol, C. Pryor, M. Persson, L. Samuelson, and M. Miller Phys. Rev. В 60, 16 640 (1999).
  57. P. D. Buckle, P. Dawson, S. A. Hall, X. Chen, M. J. Steer, D. J. Mowbray, M. S. Skolnik, M. Hopkinson. J. Appl. Phys., 86, 2555 (1999).
  58. R. Heitz, М. Veit, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. В 56, 10 435 (1997).
  59. D. Z. Garbuzov, V. P. Evtikhiev, N. I. Katsavets et al. J. Appl. Phys. 75, 4152(1994).
  60. A.Javier, D. Magana, T. Jennings and G.F.Strose «Nanosecond exciton recombination dynamics in colloidal CdSe quantum dots under ambient conditions» Appl.Phys.Lett. 83, 1483 (2003)
  61. M.Niirmal, D.J.Norris, M. Kuno, M.G.Bawedi, Al.L.Efros and M.Rosen. «Observation of the „Dark Exciton“ in CdSe Quantum Dots», Phys. Rev. Lett. 75,3728,(1995)
  62. M.Niirmal, C.B.Murray and M.G.Bawedi «, Phys. Rev. B. 50, 2293, (1994)
  63. M.G.Bawedi, P.J.Carroll, W.L.Wilson and L.E.Brus, J.Chem. Phys. 96, 946(1992)
  64. E. B. Dogonkine, V. N. Golovatch, A. S. Polkovnikov, A. V. Pozdnyakov, and G. G. Zegrya, Proceedings of the 8th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, 2000, p.399.
  65. S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices 2nd ed. (Wiley, New York, 1981)
  66. S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri and S. Franchi «Carrier thermal escape and retrapping in self-assembled quantum dots» Phys.Rev.B 60, 8276 (1999)
  67. R.Heitz, M. Grundman, N.N.Ledentsov et.al. Phys.Rev.B 56, 10 435 (1997)
  68. H.Yu.Lucett, C. Roberts and R. Murray, Appl.Phys.Lett. 69, 4087 (1996)
  69. T. F. Boggess, L. Zhang, D. G. Deppe, D. L. Huffaker, and C. Cao, Appl. Phys. Lett. 78,276 (2001).
  70. E. Segawara, Phys. Rev. В 51, 10 743 (1995).
  71. В.Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997).
  72. Quantum Well Lasers, ed. by P. S. Zory, Jr. (Academic Press, Inc., 1993).
  73. A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc., A249, 16 (1959).
  74. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978).
  75. Б.Л. Гельмонт, З. Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982) —
  76. Б.Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, И. Н. Яссиевич. ФТП, 18, 1803 (1984) — Б. Л. Гельмонт, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин. ФТТ, 29, 2351 (1987).
  77. A. Haug. J. Phys. С: Sol. St. Phys., 16, 4159 (1983).
  78. M. Takeshima. Phys. Rev. B, 28, 2039 (1983).
  79. V.A.Kharchenko, M. Rosen, J. Luminescence, 70, 158, (1996)
  80. Г. Г.Зегря, А. С. Полковников. Тезю докл. 2-й Росс. конф. по физике полупроводников т. 1, 95, (1996)
  81. E.B.Dogonkine, V.N.Golovach, A.S.Polkovnikov et.al., 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology 399, (2000)
  82. И.И.Новиков, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Е. С. Семенова, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, Г. Г. Зегря, ФТП, 39, 507 (2005)
  83. I.P. Marko, A.D. Andreev, A.R. Adams, et. al. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9, 1300 (2003).
  84. E.O.Kane, J. Phys. Chem. Sol 1, 249 (1957).
  85. Р.А.Сурис, ФТП, 20, 2008 (1986)
  86. I.Yu.Solov'yov and G.G.Zegrya Appl.Phys.Lett. 82, 2571 (2003)
  87. В., Albrecht M., Oshinowo J., Forchel A., Arakawa Y., «Rapid carrier relaxation in self-assembled InxGai-xAs/GaAs quantum dots», Phys.Rev. В 54, 11532(1996).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!