Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках

Диссертация: Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наряду с феноменологическим модельным подходом к рассмотрению явлений в примесных полупроводниках с глубокими уровнями шло развитие и микроскопической теории. Здесь был достигнут существенный прогресс в понимании электронных состояний примесных центров (в частности имеющих незаполненные с1-состояния), мультиплетной структуры уровней. Но, так как в микроскопической теории электронные состояния… Читать ещё >

Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ ДЛЯ ОПИСАНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И МЕТОДЫ РАСЧЕТА ИХ
  • ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ
    • 1. Метод псевдопотенциала
    • 2. Квазизонный метод кристаллического поля
    • 3. Двухзонное приближение Келдыша
    • 4. Модель потенциала нулевого радиуса
    • 5. Эффективный гамильтониан для описания электронов и дырок в условиях внешней деформации
  • ГЛАВА 2. МОДЕЛЬ ЦЕНТРА 8пА8 В ваАБ В УСЛОВИЯХ ВНЕШНЕЙ ДЕФОРМАЦИИ
    • 1. Смещение максимума полосы люминесценции в поле внешней одноосной деформации
    • 2. Расчет зависимости поляризационного отношения излучения от давления
    • 3. Влияние обменного взаимодействия дырок центра и экситона на особенности движения и расщепления линии излучения. в поле внешней одноосной деформации
  • Основные результаты главы
  • ГЛАВА 3. ПОДАВЛЕНИЕ ЭФФЕКТА ЯНА-ТЕЛЛЕРА В ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
    • 1. Проявление взаимодействия с колебаниями Е-типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации
    • 2. Проявление взаимодействия с колебаниями Р -типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации
    • 3. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с тетрагональными колебаниями (^-Е задача) в условиях внешней деформации
    • 4. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с тригональными колебаниями в условиях внешней деформации Оз-Б задача)
  • Основные результаты главы
  • ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ СЛУЧАЙНЫХ ПОЛЕЙ, СОЗДАВАЕМЫХ ЗАРЯЖЕННЫМИ ПРИМЕСЯМИ В КРИСТАЛЛАХ
    • 1. Влияние случайных полей на электронную структуру нейтральных акцепторов
    • 2. Влияние случайных полей на поляризацию люминесценции при переходах зона проводимости — акцептор
  • Основные результаты главы

Неослабевающий интерес к глубоким примесным центрам в полупроводниках, нашедший отражение в ряде обзоров [1−5], монографии Милнса [6] и других публикациях [7], обуславливает их интенсивные теоретические и экспериментальные исследования. В последнее время расширился класс полупроводниковых соединений, увеличилось число дефектов, которые можно отнести к глубоким центрам, дальнейшее развитие получили методы расчета их электронной структуры. Такое повышенное внимание к этому виду примесных полупроводников связано с существованием у них целого ряда физических и химических свойств важных с точки зрения их практического использования.

Понимание структуры глубоких уровней, вводимых примесями и дефектами, относится к одной из наиболее актуальных проблем современной физики полупроводников. Отличительными особенностями подобных центров являются короткодействующий (по сравнению с кулоновским) характер потенциала и малый размер орбиты локализованного состояния. В связи с этим возникают трудности с определением вида волновой функции глубокого дефекта, которая должна содержать вклады от большей (по сравнению с мелким примесным центром) части к-пространства и от нескольких зон. Кроме того, вследствие значительной энергии ионизации, сравнимой с шириной запрещенной зоны, глубокий уровень уже невозможно связать с тем или иным экстремумом валентной зоны или зоны проводимости. Дополнительные сложности описания физических процессов, протекающих с участием глубоких примесей, обусловлены сильным искажением кристаллической решетки вблизи дефекта, большим электрон-фононным взаимодействием, существованием в ряде случаев незаполненных ё-состояний, возможной многозарядностью центров. Наконец, обменное взаимодействие частиц, связанных на центре, также может существенным образом сказываться на особенностях электронной структуры примесных атомов в полупроводниках. Все эти причины вели к поиску простых моделей глубоких центров, наиболее распространенной из которых стала модель потенциала нулевого радиуса, использованная Луковским при рассмотрении процесса фотоионизации глубоких примесей [8]. В рамках этой же модели впоследствии были получены формулы для поляризации среды вблизи центра [9], учтена роль дальнодейст-вующей кулоновской составляющей примесного потенциала в процессе фотоионизации [10], рассмотрено влияние электрон-фононного взаимодействия [11,12], рассчитано примесное поглощение в электрическом [13,14] и магнитном полях [15,16]. В.Л. Бонч-Бруевич использовал модель потенциала нулевого радиуса при изучении безиз-лучательных переходов на глубокие уровни [17,18]. Перель и Яссиевич [19] обобщили модель Луковского на случай взаимодействия центра с двумя зонами, их идеи получили дальнейшее развитие при учете конкретной зонной структуры [20−23], возможной многозарядности [24], при анализе многофононных явлений [25].

Наряду с феноменологическим модельным подходом к рассмотрению явлений в примесных полупроводниках с глубокими уровнями шло развитие и микроскопической теории [26−33]. Здесь был достигнут существенный прогресс в понимании электронных состояний примесных центров (в частности имеющих незаполненные с1-состояния), мультиплетной структуры уровней. Но, так как в микроскопической теории электронные состояния находятся численными методами, их использование для анализа конкретных физических явлений затруднительно, особенно при многообразии воздействий на центры.

Поэтому в диссертации рассмотрение тех или иных экспериментальных данных базируется на использовании метода эффективного (эквивалентного) гамильтониана, в котором внешние воздействия трактуются как малые операторные добавки к основному гамильтониану центра. Структура гамильтониана определяется требованиями симметрии, а его параметры (константы деформационного потенциала, g-фaктopы дырок) берутся из сопоставления с опытом. Немаловажным преимуществом такого подхода является сохранение физической наглядности рассматриваемых вопросов и простота интерпретации экспериментальных результатов.

Актуальность темы

определяется необходимостью объяснения и прогнозирования свойств полупроводников, легированных центрами с глубокими уровнями, при внешних воздействиях (изотропная и одноосная деформации, магнитное поле). Подобный анализ возможен на основе феноменологических моделей центров.

Цель работы состоит:

1. В объяснении пьезоспектроскопических свойств глубокого акцептора 8пАя в ваАв в рамках одной модели центра.

2. В рассмотрении влияния внешней одноосной деформации на проявление электронно-колебательного взаимодействия в примесных комплексах полупроводниковых кристаллов.

3. В выяснении влияния случайных полей на структуру нейтрального акцептора и поляризацию люминесценции при переходах зона проводимости — акцептор в условиях внешней деформации.

Практическая и научная ценность работы обусловлена тем, что предлагаемая модель глубокого центра 8пм в ваАэ хорошо описывает имеющиеся экспериментальные данные и может способствовать дальнейшему развитию теории примесных полупроводников с глубокими уровнями.

Рассчитанная величина нагрузки, при которой происходит подавление эффекта Яна-Теллера, позволяет в экспериментальных условиях определить, какой вид искажений является преимущественным в данном центре полупроводника, и оценить величину энергии внутренних искажений.

Предлагаемый в работе способ учета влияния полей, создаваемых заряженными примесными центрами, позволяет определить концентрацию неконтролируемой примеси.

Научная новизна работы состоит в том, что впервые удалось объяснить все известные пьезоспектроскопические данные по центру 8пАз в ваАэ в рамках единой модели.

В отличие от работ, встречавшихся нам ранее, вид функции распределения случайно расположенных заряженных центров, позволяющей учесть их влияние на поляризационное отношение, получен из первых принципов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Модель глубокого примесного центра 8пАз в ваАв, согласно которой замещение мышьяка атомом олова ведет к возникновению в запрещенной зоне полупроводника двух близлежащих Г8-уровней — основного и возбужденного, дает возможность объяснить экспериментальные данные по смещению линии и поляризации ре-комбинационного излучения в поле внешней деформации Р||[001] и Р||[111] .

2. Эта же модель объясняет экспериментальные данные по рекомбинации эк-ситона, связанного на акцепторном центре 8пА8 в ваАв. Зависимость сдвига экситон-ной линии от величины давления Р для случаев Р||[001] и Р||[111] с учетом обменного взаимодействия дырок центра и экситона, полученная в рамках модели хорошо согласуется с экспериментом.

3. Внешнее одноосное давление Р||[001] приводит к углублению и смещению минимума адиабатического потенциала на ось [001] в случае взаимодействия с тетрагональными искажениями и к подавлению вибронного взаимодействия при некоторой деформации в случае взаимодействия с тригональными искажениями. И, наоборот, одноосная деформация Р||[111] подавляет тетрагональные искажения при определенном давлении и приводит к углублению и смещению минимума АП на ось деформации в случае взаимодействия с искажениями F-типа.

4. Предлагаемая модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора позволяет оценить концентрацию заряженных центров в полупроводнике. Оценка концентрации производится при сопоставлении рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси [001] с экспериментальными данными при низких температурах.

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах:

1. И. В. Костин, Е. Б Осипов, H.A. Осипова, Н. О. Сорокина. Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора SnAs в GaAs // ФТП. — 1995. Т. 29, в.8. — С. 1382−1387. (0,17 п. л. / 0,04 п. л.).

2. Е. Б. Осипов, О. В. Воронов, И. В. Костин, H.A. Осипова, Н. О. Сорокина. Модель акцептора SnAs в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля // ФТП. -1996. — Т. 30, в.12 — С.2149−2153. (0,14 п. л. / 0,03 п. л.).

3. Е. Б. Осипов, О. В. Воронов, Н. О. Сорокина, В. Б. Борисов. Влияние полей случайно расположенных в кристалле полупроводника заряженных центров на электронную структуру нейтральных акцепторов и поляризацию люминесценции при переходах зона проводимости — акцептор // ФТП.-1999. Т. ЗЗ, в. 5- С.580−582. (0,17 п. л. / 0,04 п. л.).

4. Костин И. В., Осипов Е. Б, Осипова H.A., Сорокина Н. О. Поляризация люминесценции при переходах электронов на уровень глубокого акцептора при замещении атомом олова атома мышьяка в GaAs // Депонировано в ВИНИТИ 05.07.94. № 1665-В94.-12с. (0,69 п. л./0,17 п. л.).

5. Воронов О. В., Костин И. В., Осипов Е. Б., Осипова H.A., Сорокина Н. О Влияние обменного взаимодействия дырок центра SnAs в GaAs на особенности движения и расщепления экситонной линии излучения в поле деформации // Депонировано в ВИНИТИ 02.03.95. № 593-В95. -13с. (0,75 п. л. /0,15 п. л.).

6. Воронов О. В., Костин И. В., Осипов Е. Б., Осипова H.A., Сорокина Н. О. Магнитооптические свойства центра SnAs, связывающего экситон в GaAs // Депонировано в ВИНИТИ 02.03.95. № 594-В95.-7с. (0,40 п. л. / 0,08 п. л.).

7. Осипов Е. Б., Воронов О. В., Костин И. В., Осипова H.A., Сорокина Н. О. Проявление взаимодействия с колебаниями Е-типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации // Депонировано в ВИНИТИ 30.11.95. № 3172-В95−12с. (0,69 п. л./0,14 п. л.).

8. Осипов Е. Б., Воронов О. В., Костин И. В., Осипова H.A., Сорокина Н. О. Проявление взаимодействия с колебаниями F-типа в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации // Депонировано в ВИНИТИ 17.04.96. № 1259-В96.-11с. (0,64 п. л./0,13 п. л.).

9. Осипов Е. Б., Воронов О. В., Костин И. В., Осипова H.A., Сорокина Н. О. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с неполносимметричными колебаниями в условиях внешней деформации // Депонировано в ВИНИТИ 26.06.96. № 2113-В96.-23с. (1,33 п. л. / 0,27 п. л.).

10. Осипов Е. Б., Воронов О. В., Сорокина Н. О., Борисов В. Б. Влияние полей случайно расположенных заряженных центров на поляризацию люминесценции // ФТТ,-2000.-t.42, № 3-с.446−448. (0,17 п. л. / 0,04 п. л.).

11. Костин И. В., Осипов Е. Б, Осипова H.A., Сорокина Н. О. Поляризация люминесценции при переходах электронов на уровень глубокого акцептора в GaAs: Тезисы докл. XXXII научной конф. студентов и преподавателей ЧГПИ. — Череповец, 1994. -с.86−87. (0,06 п. л. / 0,015 п. л.).

12. Осипов Е. Б., Воронов О. В., Костин И. В., Осипова H.A., Сорокина Н. О. Особенности вибронного взаимодействия в примесных центрах полупроводников в условиях внешней деформации: Тезисы докл. всероссийской конф. «Химия твердого тела и новые материалы». — Екатеринбург, 1996. -Т.2. — С.212. (0,06 п. л. / 0,012 п. л.).

13. Осипов Е. Б., Воронов О. В., Осипова H.A., Осипова И. Е., Сорокина Н. О. Влияние случайных полей, создаваемых несовершенствами в кристаллах, на поляризацию люминесценции при одноосных давлениях в полупроводниках: Тезисы докл. VII.

1еждунар. научно-технической конф. «Оптич., радиоволн., тепловые методы и тства контр, природной среды, матер, и пром. изделий».- Череповец, 1997. С.159−1,17 п.л./0,03 п.л.) чпов Е.Б., Борисов В. Б., Осипова Н. А, Сорокина Н. О. Влияние полей слу-толоженных в кристалле полупроводника заряженных центров на поляри-несценции в условиях одноосной деформации при переходах с-зона -^ник трудов Международной конференции OS-98. Ульяновск: изд-во 194. (0,06 п. л. / 0,015п. л.).

Основные результаты главы:

1. Случайные поля в кристаллах, создаваемые заряженными примесями дают дополнительное расщепление уровня акцептора, которое, в силу хаотичности направления этих полей приводит к уменьшению степени поляризации люминесценции в условиях внешней одноосной деформации полупроводника.

2. Вместо обычного описания деполяризации излучения методом эффективной температуры, в главе предложена модель учета влияния кулоновского поля случайно расположенных заряженных центров на основное состояние акцептора в поле внешней одноосной деформации.

3. Вид функции распределения случайно расположенных заряженных центров, позволяющей учесть их влияние на поляризационное отношение, получен из первых принципов.

4. Сопоставление рассчитанных в данной модели поляризационных характеристик люминесценции при давлении вдоль оси [001] с экспериментальными данными при низких температурах позволяет оценить концентрацию заряженных центров.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Queisser H.J. Festkorperprobleme X1. — Berlin, 1971. — S. 45−65.
  2. А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках // ФТП.- 1974. -Т.8. -№ 1.-С.З-29.
  3. F., Landonisi G., Preriosi В. // Rep. Progr. Phys.-1974. -Vol.37- P. l 101.
  4. В.Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях, А all ФТП,-1978. Т.12. — № 4.-С.625−652.
  5. В.Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях A B // ФТП,-1978. Т.12. — № 4. — С.625−652.
  6. В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках // ФТП.-1984. Т.18. — № 1.-C.3−23.
  7. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977, — 562с.
  8. Совещание по глубоким центрам в полупроводниках: Краткое содерж. докл. -Одесса.: 1972. 127с.
  9. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors // Solid State Commun.-1965. Vol.3. — P.299−302.
  10. В.Г., Колесников H.B. Расчет сечений фотоионизации некоторых примесных центров в кремнии // ФТП, — 1974. Т.8. № 10.- С.1987−1989.
  11. В.М. К теории оптического поглощения в полупроводниках с однооименно заряженными примесными центрами // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1974. — Т .15. — № 5. — С. 520−524.
  12. A.A., Пихтин А. Н. Влияние температуры на спектры оптического поглощения глубокими центрами в полупроводниках// ФТТ.- 1974. Т. 16. — № 7.- С.1837−1843.
  13. В.М. К теории оптического поглощения в полупроводниках с глубокими уровнями в запрещенной зоне // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1975. -Т.16.- № 1.-С .3−8.
  14. B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем // ФТТ. 1971. — Т.13. — № 11.- С.3266−3274.
  15. Е.Б., Яковлев В. А. О влиянии штарковского квантования на поглощение света глубокими примесями // ФТП, — 1974. Т.8. — № 8. — С. 15 771 582.
  16. В.А. Фотоионизация глубоких примесных центров в квантующем магнитном поле // ФТП, — 1974. Т.8. — № 5. — С.1000−1003.
  17. Е.Б., Яковлев В. А. О влиянии магнитного и электрического полей на поглощение света глубокими примесями. // ФТП, — 1974. Т.8. — № 12.- С.2325−2328.
  18. Бонч-Бруевич B.JI. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1971. -Т.12. — № 5. — С.586−593.
  19. Бонч-Бруевич B. J1. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках. Захват горячих электронов // Вестн. Моск. ун-та. Физ., астрон. 1971. — Т.12. -№ 6. — С.631−636.
  20. В.И., Яссиевич И. Н. Модель глубокого примесного центра в полупроводниках в двухзонном приближении // ЖЭТФ.- 1982. Т.82. № 1.-С.237−245.
  21. Н.М., Логинова И. Д., Яссиевич И. Н. Фотоионизация глубоких h-центров в полупроводниках // ФТТ.- 1983. Т.25. — № 6. — С. 1650−1659.
  22. Е.Б., Осипова H.A. Двухфотонные межзонные переходы электронов через глубокие примесные уровни в узкозонных полупроводниках // ФТП.-1983. Т.17. — № 12. — С.2216−2218.
  23. Н.М., Сиповская М. А., Сметанникова Ю. С. Экспериментальное определение характеристик глубоких центров в кристаллах АШВУ на основе двухзонной модели // ФТП, — 1982. Т.16. — № 12.- С.2194−2196.
  24. Э.З., Пахомов А. А., Яссиевич И. Н. Модель глубокого примесного центра в многодолинных полупроводниках // ЖЭТФ.- 1987. Т.93. — № 10.-С.1410−1418.
  25. Н.С., Ребане Ю. Т., Яссиевич И. Н. Потенциал ионизации многозарядных глубоких примесей в кубических полупроводниках // ФТП,-1985. Т.19. — № 1.-С.96−100.
  26. В.Н., Меркулов И. А., Перель В. И., Яссиевич И. Н. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ.- 1985. Т.89. -№ 10. — С.1472−1486.
  27. Lindefelt U., Zunger A. Quasibands in Green’s function defect models // Phys. Rev. -1981, Vol.24, № 10. P.5913−5931.
  28. Lindefelt U., Zunger A. Quasiband cristal-field method for calculating the electronic structure of localized defects in solids // Phys. Rev.-1982. Vol.26, № 2. — P.846−895.
  29. Fazzio A., Caldas M.J., Zunger A. Many electron multiplet effects in the spectra of 3d impurities in heteropolar semiconductors // Phys. Rev. -В., 1984. Vol.30, № 6. -P.3430−3455.
  30. Caldas M.J., Fazzio A., Zunger A. A universal trend in the binding energies of deep impurities in semiconductors // Appl. Phys. Lett. 1984. — Vol.45, № 6. — P.671−673.
  31. Katayama-Yoshida H., Zunger A. Calculation of the spinpolarized electronic structure of an interstitial iron impurity in silicon // Phys. Rev. B. 1985. — Vol.31, № 12. — P.7877−7899.
  32. Haldane F.D.M., Anderson P.W. Simple model of multiple charge state of transition-metal impurities in semiconductors // Phys. Rev. B. 1976. — Vol.24, № 6. — P.2553−2559.
  33. Fleurov V.N., Kikoin К. A. On the theory of the deep levels of transition metal impuries in semiconductors // J. Phys. C. 1976. — Vol.9, № 9. — P. 1673−1683.
  34. Н.П., Мастеров В. Ф. Электронная структура глубоких центров в GaAs // ФТП, — 1977.- Т.П. № 8. — С.1470−1477.
  35. S.T. // Rev. Mod. Phys. 1978. — Vol.50, № 4. — P.797−858.
  36. M. // Adv. Phys. 1980. — Vol.29, № 2. — P.409−525.
  37. S.T. // Sol. St. Commun. 1973. — Vol.14. — P.1255.
  38. Pantelides S. T, Sah C.T. // Sol. St. Commun. 1972. — Vol.11. — P.1713.
  39. Pantelides S. T, Sah C.T. // Phys. Rev. 1974. — Vol.lOB. — P.621.
  40. Jaros M, Ross S.F. J. // Phys. C: Sol. St. Phys.-1973. Vol.6. — P.3451.
  41. Ross S. F, Jaros M. // Phys. Lett. -1973. Vol.45A. — P.355.
  42. M. J. // Phys. C: Sol. St. Phys. 1975. — Vol.8. — P.2455.
  43. M. J. // Phys. C: Sol. St. Phys. 1975. — Vol.8. — P.2550.
  44. Ross S. F, Jaros M. // Sol. St. Commun. 1973. — Vol.13. — P.1751.
  45. M. J. // Phys.C: Sol. St. Phys. 1971. — Vol.4. — P.2979.
  46. Animaly A, Heine V. // Phil. Mag. 1965. — Vol.12. — P. 1249.
  47. Abarenkov J, Heine V. // Phil. Mag. -1965. Vol.12. — P.529.
  48. Cohen M. L, Bergstresser Т.К. // Phys. Rev. 1966. — Vol.141. — P.789.
  49. Lannoo M" Decarpigny J.N. // Phys. Rev. 1973. — Vol.8. — P.5704.
  50. Decarpigny J. N, Lannoo M. // J. de Phys. 1973. — Vol.34. — P.651.
  51. M. // J. de Phys. 1973. — Vol.34. — P.869.
  52. Lohez D, Lannoo M. // J. de Phys. 1974. — Vol.35. — P.647.
  53. Kane E.O. Band Structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Sol. 1957. -Vol.1, № 4. — P.249−261.
  54. Jl.B. Глубокие уровни в полупроводниках // ЖЭТФ.- 1963. Т. 45. -№.1, — С.364−375.
  55. Kohn W, Luttinger J.M. // Phys. Rev. 1955. — Vol.97. — P.869.
  56. Kohn W, Luttinger J.M. // Phys. Rev. 1955. — Vol.97. — P. 1727.
  57. W., Luttinger J.M. // Phys. Rev. 1955. — Vol.98. — P.915.
  58. Lax M. // Phys. Rev. 1960. — Vol.119. — P. 1502.
  59. Bethe H., Peierls R. Quantum theory of the deuteron // Proc. Roy. Soc. 1935. -Vol.148, № 1. — P.146−152.
  60. A.M., Зельдович Я. Б., Переломов A.M. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. М.: Наука, 1966.- 340с.
  61. Ю.Н., Островский В. Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. JL: Изд. Ленингр. ун-та, 1975, — 240с.
  62. В.Б., Лифшиц Е. М., Питаевский Л. П. Квантовая электродинамика. -М.: Наука, 1989.- 728с.
  63. Burstein Е., Picus G., Henvis В., Wallis R.J. J. // Phys. Chem. Sol. 1956. — Vol.1. -P.65.
  64. R. // Phys. Rev. 1955. — Vol.99. — P.465.
  65. R.A., Blakemore J.S. // Sol. St. Comm. 1971. — Vol.9. -P.319.
  66. Ju.J., Kornilov B.V. // Phys. St. Sol. 1970. — Vol.42. — P.617.
  67. R.A., Blakemore J.S. //Phys. Rev. B: Sol. St. 1971. — Vol.4, № 6. -P.1873−1876.
  68. Ю.Н., Корнилов Б. В. Оптическое поглощение в кремнии п-типа, легированном цинком // ФТП. 1971. — Т.5. — № 1. — С.69−76.
  69. Rosier L.L., Sah C.F. // J. Appl. Phys. 1971. — Vol. 42. — P.4000.
  70. M., Willmann F. // Opt. Communs. -1971.-Vol.4. P. 178.
  71. E., Picus G., Sclar N. // Photoconductivity Conference. 1956. -Wiley, NewJork. — P.353.
  72. J.S., Sarver C.E. // Phys. Rev. 1968. — Vol.173, № 3. — P.767.
  73. В.И., Яссиевич И. Н. // Материалы X Зимней школы по физике полупроводников. 1983. — Ленинград. — С.4−25.
  74. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. -М.: Наука, 1989.- 768с.
  75. Luttinger J.M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: general theory // Phys. Rev. 1956. — Vol.102, № 4. — P. 1030−1041.
  76. S., Kleiman L. //Phys. Rev.-1963. Vol.132. — P.1080.
  77. Schairer W., Bimberg D., Kottier W., Cho K., Schmidt M. Piezospectroscopic and magneto-optical study of Sn acceptor in GaAs // Phys. Rev. В.- 1976.- Vol.13, № 8. -P.3452−3466.
  78. И.В., Осипов Е. Б., Осипова H.A., Сорокина H.O. Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора SnAs в GaAs// ФТП.-1995. Т.29. — № 8.- С.1382−1387.
  79. Е.Б., Воронов О. В., Костин И. В., Осипова Н.А, Сорокина Н. О. Модель акцептора SnAs в GaAs в условиях внешней деформации и магнитного поля// ФТП. 1996. — Т.30. — № 12, — С.2149−2153.
  80. И.В., Осипов Е.Б, Осипова H.A. Константы деформационного потенциала глубоких акцепторов в модели короткодействующего потенциала центра // ФТП, — 1993. Т.27. — № 10, — С.1743−1746.
  81. И.Б.Берсукер. Строение и свойства координационных соединений. -Ленинград.: Химия, 1971.-312с.
  82. Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е. Б., Седов В. Е. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении // ФТП, — 1987. -Т.21. № 3. — С.415−420.
  83. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972, — 584с.
  84. U.Opik, M.H.L.Pryce // Proc.Roy.Soc. 1957. — А. 238. — Р 425.
  85. Б.И.Шкловский, А. Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1979. 416с.
  86. Н.С., Адамия З. А., Аладашвили Д. И., Аширов Т. К., Гуткин A.A., Осипов Е. Б., Седов В. Е. Константы деформационного потенциала и зарядовое состояние ян-теллеровского центра Cuoa в GaAs // ФТП,-1987. Т.21. — № 3.-С.421−426.
  87. Н.С., Аширов Т. К., Гуткин A.A. Анизотропное подавление эффекта Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в полупроводниках при одноосном давлении // ФТТ.-1982. Т.24. — № 7, — С.2046−2052.
  88. Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е. Б., Седов В. Е. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого ян-теллеровского центра при одноосном давлении // ФТП.-1987. -Т.21. № 3. — С.415−420.
  89. Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е. Б., Рещиков М. А. Роль обменного взаимодействия в пьезоспектроскопических эффектах, связанных с центром Мп в GaAs // ФТП. -1987. Т.21. — № 10. — С. 1847−1853.
  90. Н.С., Гуткин A.A., Осипов Е. Б., Седов В. Е., Цацульников А. Ф. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра CuGa в GaAs // ФТТ.-1990.- Т.32. № 9. -С.2667−2676.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!