Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками

Диссертация: Моделирование взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Растровый электронный микроскоп (РЭМ) является исследовательским прибором, который широко используется во многих областях науки и техники для изучения свойств и структуры твердых тел. Способность РЭМ управлять и перемещать по поверхности образца сфокусированный электронный луч позволяет всесторонне исследовать материалы, обладающие высокой чувствительностью к внешним воздействиям. В то же время… Читать ещё >

Моделирование взаимодействия электронных пучков с полярными диэлектриками (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Полярные материалы и исследование их основных свойств
    • 1. 1. Основные понятия физики полярных диэлектриков
      • 1. 1. 1. Общие характеристики сегнетоэлектрических явлений в кристаллах
      • 1. 1. 2. Пироэлектрические измерения
      • 1. 1. 3. Доменная структура и переключение поляризации
    • 1. 2. Исследование взаимодействия электронных пучков с полярными материалами
      • 1. 2. 1. Явления, наблюдаемые при электронной бомбардировке твердых тел
      • 1. 2. 2. Изучение доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе
      • 1. 2. 3. Влияние облучения на свойства сегнетоэлектриков
  • Выводы по главе
  • Глава 2. Исследование роли теплового фактора при формировании изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в РЭМ
    • 2. 1. Пироэлектрический отклик при локальном воздействии теплового зонда постоянной интенсивности
      • 2. 1. 1. Математическое моделирование процесса распространения тепла в неограниченном пространстве
      • 2. 1. 2. Выражение пироэлектрического сигнала в аналитическом виде. Составляющие пиросигнала
      • 2. 1. 3. Тепловое поле в образце
      • 2. 1. 4. Пироотклик в кристаллах различной конфигурации
      • 2. 1. 5. Обсуждение результатов
    • 2. 2. Разработка программного комплекса построения теоретической микрофотографии доменной структуры
    • 2. 3. Формирование пироэлектрического изображения в режиме пульсирующего теплового зонда
      • 2. 3. 1. Моделирование пироэлектрического отклика
      • 2. 3. 2. Расчет изображения доменной структуры сегнетоэлектриков
  • Выводы по главе
  • Глава 3. Пироотклик нелинейного пироэлектрика в окрестности фазового перехода
    • 3. 1. Постановка задачи математического моделирования
    • 3. 2. Методика решения задачи
    • 3. 3. Анализ влияния пироэлектрических и теплофизических характеристик на форму пиросигнала в области температуры Кюри
    • 3. 4. Сопоставление результатов моделирования с экспериментом
      • 3. 4. 1. Форма пироотклика в одномерном приближении
      • 3. 3. 2. Экспериментальные результаты
  • Выводы по главе
  • Глава 4. Моделирование динамики доменной границы в неоднородном тепловом поле
    • 4. 1. Равновесная конфигурация и динамика доменной границы с закрепленными краями
    • 4. 2. Моделирование движения свободной доменной границы
  • Выводы по главе
  • Глава 5. Полевые эффекты инжектированного заряда
    • 5. 1. Методика инжекционного контакта
    • 5. 2. Моделирование поляризационного тока сегнетоэлектрического кристалла
  • Выводы по главе

Растровый электронный микроскоп (РЭМ) является исследовательским прибором, который широко используется во многих областях науки и техники для изучения свойств и структуры твердых тел. Способность РЭМ управлять и перемещать по поверхности образца сфокусированный электронный луч позволяет всесторонне исследовать материалы, обладающие высокой чувствительностью к внешним воздействиям. В то же время приходится учитывать изменения, которые могут происходить в исследуемых образцах при воздействии электронного пучка РЭМ.

Распространение методик растровой электронной микроскопии на полярные материалы (и сегнетоэлектрики в частности), проявляющие реакцию на электрические и тепловые воздействия электронного зонда, позволяет получать отклик и создавать новые способы формирования изображения и исследования электрических свойств образцов. Это делает их особенно интересным объектом электронной микроскопии.

Однако методики электронно-микроскопических исследований используют в основном стандартный режим изучения поверхности, основанный на взаимодействии электронного зонда с потенциальным рельефом поверхности сегнетоэлектрика, который создается доменной структурой. Взаимодействие электронного луча с поверхностью различных сегнетоэлектрических образцов изучено не в полном объеме. Это связано с отсутствием достаточной информации, касающейся особенностей формирования отклика, являющегося видеосигналом, а также механизмов взаимодействия электронного зонда с сегнетоэлектрическими образцами.

Поэтому исследование взаимодействия электронных пучков с поверхностью полярных материалов, понимание особенностей формирования изображения, полученного растровым методом, а также возможности его интерпретации — актуальные направления в рассматриваемой области.

Целью работы является расчет и моделирование различных аспектов взаимодействия электронного зонда с полярными материалами и изучение возможности их использования для формирования РЭМ-изображений исследуемых образцов. Для реализации поставленной цели были рассмотрены следующие научные задачи, решение которых и составило содержание диссертационной работы:

1. Моделирование пироэлектрического отклика сегнетоэлектрического кристалла на воздействие постоянного и пульсирующего теплового зонда и исследование возможностей пироэлектрического зонда для формирования изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в РЭМ.

2. Исследование особенностей формы пироэлектрического отклика нелинейного пироэлектрика.

3. Исследование равновесной конфигурации и динамики статистической модели доменной границы в неоднородном тепловом поле.

4. Моделирование процесса переполяризации кристалла в режиме ин-жекционного тока.

Научная новизна основных результатов работы состоит в следующем:

1. Проведено моделирование формы пироотклика сегнетоэлектрического кристалла на локальное воздействие теплового зонда.

2. Показано, что диффузия тепла приводит к существенному размыванию пироэлектрического изображения доменных границустановлена роль скорости сканирующего зонда в уменьшении ширины размытия продольных и перпендикулярных границ.

3. Исследован характер изображения доменов, полученных в режиме пульсирующего теплового зонда при различных способах детектирования.

4. Исследованы особенности формы пиросигнала нелинейного пироэлектрика, обусловленные наличием температурных зависимостей пироэлектрических и теплофизических характеристик в окрестности фазового перехода.

5. Проведены экспериментальные исследования пирооткликов в нелинейном режиме в кристаллах TTC. Полученные результаты показали качественное согласование экспериментально наблюдаемой формы пироотклика с данными модели, модифицированной к одномерному случаю.

6. Проведено статистическое моделирование движения свободной и закрепленной доменных границ в неоднородном тепловом полеустановлена возможность эффектов самоорганизации в подобных системах.

7. Разработана модель поляризационного тока, воспроизводящая основные особенности экспериментальных импульсов в инжекционном режиме.

Практическая значимость проведенных исследований заключается в следующем:

1. Анализ разработанных математических моделей позволяет наглядно видеть факторы, влияющие на формирование изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в РЭМ. Учет этих факторов — необходимая основа для подбора оптимальных режимов формирования изображения полярных диэлектриков в РЭМ.

2. Исследования формы пироотклика нелинейного кристалла, обусловленную наличием температурных зависимостей теплофизических и пироэлектрических характеристик, актуальны с точки зрения принципиальной возможности экспериментальной оценки характера нелинейности кристалла по форме пиросигнала.

3. Созданная прикладная программа конструирования теоретической микрофотографии произвольной доменной структуры в режиме постоянного или пульсирующего пирозонда защищена свидетельством об официальной регистрации программ для ЭВМпостроена учебная имитационная модель распространения тепла от источника типичных конфигураций.

Основные результаты диссертационной работы были получены автором при проведении исследований, выполнявшихся в 2001;2004 гг. в рамках НИР «Взаимодействие электронных пучков средних энергий с сегнетоэлектрическими материалами» (гос. per. № 01.20.12 498).

Математические модели и программные средства, отраженные в диссертации, используются в учебном процессе Амурского государственного университета в дисциплинах «Уравнения математической физики», «Численные методы и математическое моделирование», в курсовом проектировании и выполнении научно-исследовательских работ по специальностям 10 200 -«Прикладная математика» и 10 400 — «Физика».

На защиту диссертационной работы выносятся следующие защищаемые положения:

1. Диффузия тепла приводит к размытию изображения доменной границы, наблюдаемой в РЭМ в режиме пирозонда. Увеличение скорости сканирования зонда не увеличивает, а уменьшает ширину изображения плоской границы на микрофотографии.

2. В нелинейном режиме наблюдаемый максимум пиротока определяется в основном пиковой зависимостью пирокоэффициента от температуры. Роль аномалии теплоемкости в окрестности точки Кюри невелика.

3. Микроскопическая стохастическая модель фазовой границы в условиях однородного градиента температуры может проявлять эффекты самоорганизации.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XV Международной научно-практической конференции «Математические методы в технике и технологиях» (Ангарск, 2002) — III Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Благовещенск, 2002) — XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков «Процессы переключения в сегнето-электриках и сегнетоэластиках» (Тверь, 2002) — Региональной школе-симпозиуме «Физика и химия твердого тела» (Благовещенск, 2003) — VI Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Владивосток, 2003) — Региональной научнопрактической конференции «Молодежь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2004) — Международной научно-практической конференции «Fundamental Problems of Opto and Microelectronics» (Хабаровск, 2004).

На созданную в процессе диссертационного исследования программу расчета теоретических микрофотографий растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектриков получено свидетельство об официальной регистрации программ для ЭВМ № 2 004 610 571.

Публикации и личный вклад автора. По материалам диссертации опубликованы 20 работ: 7 статей (из них две — в рецензируемых журналах), свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ, 12 тезисов докладов. Все основные результаты и математические модели, отраженные в соавторских публикациях, получены непосредственно диссертантом. Выбор направлений исследования, постановка задачи, анализ и обобщение результатов, а также формулировка выводов по работе осуществлены совместно с научным руководителем. Соавторы совместных публикаций принимали участие в постановке и проведении некоторых физических и вычислительных экспериментов, обработке данных.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и четырех приложений. Рукопись диссертации содержит 152 машинописные страницы основного текста, 71 рисунок, литературный перечень из 152 наименований и 22 страницы приложений.

Выводы по главе.

Построена серия моделей, отражающая динамику переполяризации в режиме инжекции электронов под электрод. В основе моделей лежат принципы эволюции доменной структуры, полученные на основе анализа возможных механизмов переполяризации сегнетоэлектрических образцов. Разработанная на этих принципах математическая модель дает качественное сходство между модельными импульсами тока и экспериментально полученными в инжекционном режиме.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проведено моделирование формы пироэлектрического отклика сегнетоэлектрического кристалла на воздействие постоянного и пульсирующего теплового зонда. Получены формы пиросигнала для кристаллов различных размеров и конфигурации доменных границ в случае воздействия на них неподвижного и движущегося теплового зонда. Разделение пи-роотклика на две компоненты и анализ их роли позволил наглядно интерпретировать факторы, влияющие на формирование результирующего пиросигнала, а также оптимизировать расчеты модельных зависимостей.

2. Разработана программа моделирования теоретических микрофотографий доменной структуры сегнетоэлектриков, полученных в режиме постоянного и пульсирующего пирозонда. Приведена серия моделей для доменов с различной конфигурацией, отражающих основные особенности формирования контраста пироизображения. Показано, что диффузионный характер распространения тепла приводит к размытию изображения доменных границ на микрофотографиях. Для модельной доменной структуры, характерной для кристаллов ТГС, показано наличие «теней» на теоретических микрофотографиях, воспроизводящих аналогичные особенности экспериментально наблюдаемых доменов.

3. Установлено, что в режиме постоянного пироэлектрического зонда разрешение определяется как диаметром зонда, так и скоростью его сканирования и зависит от ориентации границы. Ширина изображения перпендикулярной доменной границы определяется масштабом длины Пекле и уменьшается с ростом скорости движения зонда. Ширина изображения достаточно протяженной продольной доменной границы не может быть сделана малой. В этом случае рациональным представляется использование пульсирующего теплового зонда.

4. В случае формирования изображения пульсирующим пирозондом ширина доменной границы на микрофотографии не зависит от ее ориентации. Контраст изображения определяется как диаметром пучка, так и частотой пульсаций зонда. Детальная структура границы будет зависеть от способа детектирования сигнала.

5. В нелинейном режиме в условиях сильного нагрева основным фактором, определяющим нелинейность пироотклика, является пиковая зависимость пирокоэффициента от температуры. Роль аномалии теплоемкости вблизи температуры сегнетоэлектрического перехода не-великВасчеты показали, что максимум пиротока достигается при близких конфигурациях теплового поля независимо от мощности теплового источника. При этом температура Кюри достигается на расстояниях, примерно равных половине радиуса источника.

6. Проведены экспериментальные исследования пирооткликов в нелинейном режиме в тонких кристаллах с однородным по площади тепловым пучком. Полученные результаты показали качественное согласование экспериментально наблюдаемой формы пироотклика с данными модели, модифицированной к одномерному случаю.

7. Рассмотрена дискретная статистическая модель доменной границы, базирующаяся на основных принципах физики макроскопических систем. Проведено моделирование равновесной конфигурации и динамики закрепленной и свободной доменной границы в поле градиента температуры.

Рассчитан вклад дополнительной компоненты пироимпульса, который обусловлен движением доменной границы в неоднородном тепловом поле.

Исследование показало возможность возникновения автоколебаний скорости, связанных с энтропией системымодель, построенная на монотонных принципах поведения каждого звена обнаруживала элементы самоупорядоченности движения.

8. С целью объяснения закономерностей образования тока переполяризации в режиме инжекционного контакта построена серия последовательно усложняющихся моделей, при определенных параметрах воспроизводящая основные особенности экспериментальных импульсов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Шур М. С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М: Наука, 1971.-465 с.
  2. Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир, 1981.-526 с.
  3. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981. 725 с.
  4. В. М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука, 1986.-248 с.
  5. . А., Леванюк А. П., Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М: Наука, 1995. — 304с.
  6. Н. Д., Данилычева М. Н., Новик В. К. Пироэлектричество. -М.: Знание, 1989.-64с.
  7. В. М. Сегнетоэлектрики полупроводники. — М.: Наука, 1976. -408с.
  8. Титанат бария, /под ред. Белова Н. В. М.: Наука, 1973. — 263с.
  9. Физика диэлектриков и полупроводников. / под ред. Шувалова Л. А. -Волгоград: Изд. «Волгоградская правда», 1978. 198с.
  10. Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. -555с.
  11. И. С. Основы сегнетоэлектрическтва. М.: Атомиздат, 1973. -463с.
  12. В. Ф., Кременчугский Л. С, Самойлов Б. Ф., Щедрина Л. В. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. Киев: Наук, думка, 1989.-224с.
  13. Практическая растровая электронная микроскопия. / Под ред. Гоулд-стейна Дж. и Яковица X. Пер. с англ. М.: Мир, 1978. — 656 с.
  14. Электреты. / Под ред. Сесслера Г. Пер. с англ. М.: Мир, 1983. — 486 с.
  15. А. Р., Фридрихов С. А. Вторично эмиссионные методы исследования твердого тела. — М.: Наука. 1977. — 552 с.
  16. . А. Сегнетоэлектричество в кристаллах и жидких кристаллах: природа явлений, фазовые переходы, нетрадиционные состояния вещества. // Соросовский Образовательный Журнал. 1996. № 4. С.81−89.
  17. .А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами. // Соросовский Образовательный Журнал. 1997. № 12. С. 95 101.
  18. С. Д. Пироэлектрический и электретный эффекты тригли-цинсульфата: Автореф. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1975.
  19. О.В. Определение коэффициента униполярности по частотным зависимостям пиротока. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. Т.2. № 4. С.299−300.
  20. .А. Пироэлектрические материалы: свойства и применения. // Соросовский Образовательный Журнал. 1998. № 5. С. 96−101.
  21. А. А., Богомолов А. А., Чернышева H. Н. Коэффициент тепловой диффузии кристаллов ТГС с различными примесями.// В кн.: Тез. докл. XVI Веер. конф. по физике сегнетоэлектриков. 2003. С. 50.
  22. . А., Спиридонов Т. П., Минаева К. А., Федорихин В. А., Дав-тян А. В. О характере аномалий тепловых и упругих свойств кристаллов триглицинсульфата с примесями. // Кристаллография. 1982. Т. 27. № 2. С. 313−319.
  23. . А. Рагула Е П., Архангельская С. В., Шнайдшейн И. В. О логарифмической сингулярности теплоемкости вблизи фазовых переходов в одноосных сегнетоэлектриках. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып.1. С.106−108.
  24. А. А., Дабижа Т. А., Малышкина О. В., Солнышкин А. В. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента. // Известия РАН. Сер. физич. 1996. Т. 60. № 10. С. 186.
  25. Bogomolov A.A., Malyshkina O.V., Solnyshkin A.V. Effect of temperature gradient on the surface domain structure in DTGS crystals. // Ferroelectrics. 1997. V.191. P.313−317.
  26. JI. А., Урусовская А. А, Желудев И. С., Залесский А. В., Семи-летов С. А., Гречушников Б. Н., Чистяков И. Г., Пикин С. А. Современная кристаллография. Т.4. М.: Наука, 1981. — 472 с.
  27. С. Д., Карпельсон А. Е. Третичный пироэффект и распределение потенциала в пьезоелектриках. // ФТТ. 1971. Т. 13. Вып. 10. С. 31 043 106.
  28. Ikeda Т., Tanaka Yo. and Toyoda H. Piezoelectric properties of trigliycine-sulphate. // Japanese journal of applied physics. 1962. V. 1. P. 13−21.
  29. Hadni A., Thomas R. Laser stydy of reversible nucleation sites in triglicine sulphate and applications to pyroelectric detectors. // Ferroelectrics. 1972. V. 4. P. 39−49.
  30. A.A., Дабижа Т. А., Жаров С. Ю. Процессы локальной переполяризации термического происхождения в монокристаллах ТГС различной толщины. // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. — Калинин: Калининский государственный университет, 1983. С. 70−74.
  31. С. А., Попов В. М., Шувалов Л. А. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата. // Известия РАН. Сер. фи-зич. 1984. Т. 48. № 6. С. 1226−1229.
  32. Э. М. Влияние модуляции температуры на спонтанную поляризацию сегнетоэлектрика. // ФТТ. 1986. Т. 28. С. 1268−1270.
  33. О.В. Исследование пироэлектрических свойств поверхностного слоя кристаллов германата свинца. // Сегнетоэлектрики и пьезо-электрики. Тверь: Изд-во ТвГУ. 1995. С.79−84.
  34. С.Н., Куянцев М. А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата. // ФТТ. 1998. Т.40. Вып. 8. С. 1542−1545.
  35. R. М., Malyshkina О. V., Prokofieva N. В., Soshin S. S. Effect of domain structure realignment on the pyroelectric current temperature dependence in gadolinium molybdate crystals. // Ferroelectrics. 2001. V. 251. P. 207−212.
  36. Hadni A., Thomas R., Ungar S. and Grbaux X. Drastic modifications of electrical properties of ferroelectric crystal plates with thickness. The cast of triglycine sulphate. // Ferroelectrics. V. 47. 1983. P. 201−220.
  37. Hadni A., Thomas R. Laser study and applications to pyroelectric detectors. // Ferroelectrics. V. 49. 1972. P. 39−49.
  38. Miller R. C., Savage A. Further experiments on the sidewise motion of 180° domain walls in BaTi03. // Phys. Rev. 1959. V. 115. P. 1176−1180.
  39. Miller R. C., Savage A. Motion of 180° domain walls in metal electroded barium titanate crystals as a function of electron field and sample thikness. // J. Appl. Phys. 1960. V. 31. P. 662−669.
  40. Merz W. J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric Ba-Ti03 single crystals. // Phys. Rev. 1954. V. 95. P. 690−698.
  41. В. А., Дуда В. M., Дудник Е. Ф, Синяков Е. В. Динамика доменных границ в монокристаллах титаната висмута. // ФТТ. 1974. Т.16. Вып. 9. С. 2787−2789.
  42. JI. И., Попов Э. С. Плотность поверхностной энергии и спонтанное движение доменных стенок в кристаллах TTC. // Изв. АН СССР, Сер физич.1975. Т. 39. № 4. С. 854−856.
  43. Н. В. Доменная структура, неоднородность поляризации и некоторые физические свойства кристаллов TTC с различной степенью дефектности. //Автореф. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1997.
  44. JI. И. Доменная структура и процессы 180° переполяризации модельных сегнетоэлектриков. // Автореф. д-ра физ.-мат. наук. Воронеж. 1991.
  45. Шур В. Я., Румянцев Е. JL, Бачко Р. Г., Миллер Г. Д., Фейер M. М., Байер P. JI. Кинетика доменов при создании периодической доменной структуры в ниобате лития. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 10. С. 1831−1837.
  46. D. С., Utschig N., Shur V. Ya. and Shur A. G. The dynamics of domain walls determined from acoustic emission measurements. // Ferroelec-trics. 2003.V. 290. P. 207−215.
  47. Shur V. Ya., Rumyantsev E. L., Nikolaeva E. V. and Shihkin E. I. Formation and evolution of charged domain walls in congruent lithium niobate. // J. Appl. Phis. 2000. V. 77. P. 3636−3638.
  48. Шур В. Я., Румянцев Е. Д., Куминов В. П., Субботин A. JL, Николаева Е.
  49. B. Движение плоской доменной стенки в сегнетоэлектрике сегнетоэла-стике молибдате гадолиния. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 1. С. 126−129.
  50. Е. И. Скачки Баркгаузена при движении одиночной сегнетоэлектриче-ской доменной стенки. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып.6. С. 1089−1092.
  51. Shur V. Ya. and Rumyantsev E. L. Kinetics of ferroelectric domain structure: retardation effects. //Ferroelectrics. 1997. V. 191. P. 527−541.
  52. Шур В. Я., Ломакин Г. Г., Куминов В. П., Пелегов Д. В., Белоглазов С.
  53. C., Словиковский С. В., Соркин И. Л. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых приращениях в релаксорной PLZT керамике. // ФТТ. 1999.1. Т.41.Вып.З.С. 505−509.
  54. Шур В. Я., Негашев С. А., Субботин А. Л., Пелегов Д. В., Борисова Е. А., Бланкова Е. Б., Тролиер МакКинстри С. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата — титаната свинца при кристаллизации. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып.2. С. 306−309.
  55. Шур В. Я., Кожевников В. Л., Пелегов Д. В., Николаева Е. В., Шишкин Е. И. Фрактальная природа скачков Баркгаузена в сегнетоэлектриках. Тезисы XV Всер.конф. по физике сегнетоэектриков, Ростов н/Д, г. Азов, 1999. С. 70.Л
  56. Shilnikov А. V., Nesterov V. N., Burkhanov A. I. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribition to the dielectric pro-pities of ferroelectrics. // Ferroelectrics. 1996. V. 175. P. 145−151.
  57. В. И., Лучанинов А. Г. Моделирование переполяризации кристалла и керамики типа ВаТЮ3. // Изв. АН. Сер. физич. 2001. Т. 65. № 8. С. 1114.
  58. А. И., Нестеров В. Н., Шильников А. В., Димза В. И. Процессы поляризации и переключение в неупорядоченных материалах типа керамики PLZT в присутствии примеси металлов. // Изв. РАН. Сер. физич. 1995. Т. 59. № 9. С. 93−96.
  59. В. Н., Шильников А. В. Моделирование на ЭВМ лапласового давления и его роль в некоторых процессах перестройки доменной структуры сегнетоэлектриков. // XIV Веер. конф. По физике сегнето-электриков. Тезисы докладов. Иваново. 1995. С. 340.
  60. В. Н., Шильников А. В., Бурханов А. И. Процессы переключения в сегнетоэлектриках и их моделирование. // Сб. трудов Междунар. Научно-практической конф. «Пьезотехника-95». МП Книга. Ростов. 1995. Т1. С. 126−137.
  61. Parlunski К. Domain pattern formation near phase transation challenge for computer simulations. // Ferroelectrics. 1997. V.191. P. 245−253.
  62. Г. В., Ходырев А. В. Моделирование движения доменной границы в конденсированных средах. // Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках: Тез. докл. семинара, поев, памяти В. М. Рудяка Тверь, 2002. С. 15.
  63. Л. И., Булатова Л. Г., Попов Э. С., Шильников А. В., Чеботарев А. А., Тихомирова Н. А., Баранов А. И., Шувалов Л. А. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов TTC. // Кристаллография. 1982. Т.27. Вып. 2. С. 305−312.
  64. Л. И., Тихомирова Н. А., Гинзберг А. В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата. // ФТТ. 1988. Т. 30. Вып. 9. С. 2692−2697.
  65. Kanaya К., Ono S. and Ishigaki F. Secondary electron emission from insulators. // J. Appl. Phys. 1978. V. 11. P. 2425−2437.
  66. Yong Y. C., Thong J. T. L. and Phang J. С. H. Determination of secondary electron yield from insulators due to a low-kV electron beam. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 4543−4548.
  67. Renoud R., Attard C., Ganachaud J-P., Bartholome S. and Dubus A. Influence on the secondary electron yield of the space charge induced in an insulating target by an electron beam. // Condens. Matter. 1998. V. 10. P. 5821−5832.
  68. Ю. Я., Севастьянов M. А. Аномалия вторично электронной эмиссии в окрестности точки Кюри титаната бария. // Докл. АН СССР. 1985. Т. 284. № 3. С. 610−612.
  69. Melchinger A. and Hofmann S. Dynamic double layer model: Description of the time dependent charging phenomena in insulators under electron beam irradiation. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 6224−6232.
  70. Pensak L. Conductivity Induced by electron bombardment in thin insulting films. // Phys. Rev. 1949. V. 75. P. 472−478.
  71. Fujioka H., Miyaji K. And Ura K. A new method for measuring charging characteristics of an electrically floating target under electron beam irradiation. // Sci. Instrum. 1988. V.21. P. 583−586.
  72. Hwu J. J. and Joy D. C. Dynamic charging in the low voltage SEM. // Electron Microscopy. 1998. V.l. P. 467−468.
  73. Suga H., Tadokoro H. and Kotera M. A simulation of the beam induced charging up of insulators. // Electron Microscopy. 1998. V. 1. P. 177−178.
  74. Aristov V. V. and Kokhanchik L. S. Scanning electron microscopy investigation of lithium niobate properties. //Ferroelectrics. 1992. V. 126. P. 353−358.
  75. В. М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. 255с.
  76. Коханчик J1. С. Оценка эффективного потенциала между сегнетоэлек-трическими доменами в LiNb03 методом растровой электронной микроскопии. // Изв. РАН. Сер. физич. 1993. Т. 57. № 8. С. 62−66.
  77. JI. С. Методические особенности исследования сегнетоэлек-трических материалов в РЭМ. // Заводская лаборатория. 1994. № 7. С. 2125.
  78. А. С. Взаимодействие поверхности кристалла PbZnnM^Cb с электронным лучом в РЭМ. // Тез. докл. XI Всес. конф. по электронной микроскопии. 1979. М.: Наука. С. 78.
  79. JI. С. Развитие метода растровой электронной микроскопии для исследования сегнетоэлектрических доменов разного типа. // В кн.: Тез. докл. XIII Всес. Конф. По электронной микроскопии. 1987. С. 481 482.
  80. Uchicawa Y., Ikeda S. Application of scanning electron microscopy (SEM) to analisis of surface domain structure of ferroelectrics. // Scanning electron microscopy. 1981. № 1. P. 209−220.
  81. Le Bihan R. and Beudon D. Study of ferroelectrics domain structure on Ba-Ti03 crystals by pulling methods. //Ferroelectrics. 1984.V. 77. P. 185−188.
  82. Le Bihan R. Study of Ferroelectric and Ferroelastic Domain Structures by Scanning Electron Microscopy. // Ferroelectrics. 1989. V. 97. P. 19.
  83. Aristov V. V., Kazmiruk V. V., Ushakov N. G., Yakimov E. B. and Zaitsev S. I. Scanning electron microscopy in submicron structure diagnostics. // Vakuum. 1988. V. 38. P. 1045−1050.
  84. А. А., Бородин В. 3. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе. // Изв. АН СССР. Сер. физич., 1984. Т. 4. № 6. С. 1086−1089.
  85. А. А. Исследование сегнетоэлектриков при помощи РЭМ. // Авто-реф. канд. физ.-мат. наук. Ростов-на Дону, 1981.
  86. Sogr A. A. Domain Structure of Ferroelectrics Observed in the Scanning Electron Microscope. // Ferroelectrics. V. 97. 1989. P. 47−57.
  87. А. А. Использование режима электронно-стимулированной поляризации в сегнетоэлектриках для формирования изображения доменной структуры в РЭМ. // Изв. РАН. Сер. физич. Т. 60, № 2. 1996. С. 174−179.
  88. Sogr A. A. and Kopylova I. В. Observation of the Domain Structure of Ferroelectrics with the Scanning Electron Microscope. // Ferroelectrics. 1997. V. 191. P. 193−198.
  89. А. А., Копы лова И. Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС. // Изв. РАН. Сер. физич. Т. 64. № 6. 2000. С. 1199−1202.
  90. И.Б. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата. // Автореф.канд. физ.-мат. наук. Благовещенск, 1996.
  91. Eng L. М., Fousek J. and Gunter P. Ferroelectric domains and domain boundaries observed by scanning force microscopy. // Ferroelectrics. 1997. V. 191. P.211−218.
  92. Hadni A., Thomas R. Laser of reversible nucleation sites in triglycine sulphate and applications to pyroelectric detectors. // Ferroelectrics. V. 4. 1972. P. 3949.
  93. Clay W, Evans B. J., Latham R. V.. A nondestructive pyroelectric display of an antiparallel polarization distribution in single-crystal barium titanate. //J. Phys. D: Appl. Phys. V. 7. 1974. P. 1456−1470.
  94. Latham R. V. A theoretical interpretation of the pyroelectric response from a scanning micro heat probe. // J. Phys. D: Appl. Phys. V. 9. 1976. P. 22 952 304.
  95. M. H. Оценка теплового воздействия электронного зонда в растровой электронной микроскопии рентгеноспектральном анализе. // Изв. РАН. Сер. физич. Т. 57. № 8. 1993. С. 163−171.
  96. Е. В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. — Ташкент: «ФАН», 1972.150 с.
  97. Е. В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент: «ФАН», 1986. 139 с.
  98. С. Д., Гаврилюк И. В., Евсеев И. И., Полушкина О. В. Свойства кристаллов ТГС, выращенных из облученных затравок. // В кн.: Тез. докл. XIII конф. по физ. сегнетоэлектриков. Тверь. 1992. С. 96.
  99. JI. И., Тихомирова Н. А., Гинзберг А. В. Кинетика переключения локально облученных образцов ТГС. // ФТТ. 1998. Т. 30. Вып. 9. С. 2692−2697.
  100. Н. А., Донцова JI. И., Гинзберг А. В. Диффузия локально облученных дефектов в локально облученных кристаллах ТГС. // ФТТ. 1998. Т. 30. Вып. 10. С. 3135−3137.
  101. В., Sessler G. М. and West J. Е. Charge diagnostics for electron irradiated polymer foils. // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. P. 315−316.
  102. Gross В., Sessler G. M. and West J. E. Charge dynamics for electron irradiated polymer foils electrets. // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 45. P. 2841−2851.
  103. В. В., Колышева М. В., Клевцова Е. А., Макаров В. В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении внешнего электрического поля и температуры. // Материаловедение. 2001. № 7. С. 6−8.
  104. Ivanov V. V., Kolysheva М. V., Klevtsova Е. A. On the relation of macroscopic polarization in DTGS crystals. // Ferroelectrics. 2000. V. 238. P. 65−72.
  105. Е. А. Диэлектрические свойства монокристаллов ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов. // Авто-реф.канд. физ.-мат. наук. Тверь, 2002.
  106. А. А., Копылова И. Б. Униполярность диэлектрического гистерезиса в монокристаллах ТГС, индуцированная электронным облучением в РЭМ. // Изв. РАН. Сер. физич. 1996. Т. 60. № 10. С. 150−152.
  107. А. А., Масловская А. Г. Моделирование пироэлектрического отклика сегнетоэлектрического кристалла при локальном воздействии теплового зонда. // Вестник Амурского государственного университета. -Благовещенск, 2001. № 11. С. 19−22.
  108. А. А., Масловская А. Г. Влияние пироэффекта на формирование изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в РЭМ. // Изв. РАН. сер. Физ. 2003. Т. 67. № 8. С. 1191−1194.
  109. А. Г. Моделирование теоретических микрофотографий доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме пирозонда. // Материалы V региональной научно-практической конференции Молодежь XXI века: шаг в будущее. Благовещенск: МАП, 2004. Т.4. С. 8−9.
  110. А. А., Масловская А. Г. Оценка разрешения РЭМ изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме теплового воздействия. // Журнал технической физики. 2004. Т. 74. № 11. С. 111−114.
  111. Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 004 610 571 (Российская Федерация). Программа расчета теоретической микрофотографии растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектриков. // Масловская А. Г., Согр А. А.
  112. А. Г., Согр А. А. Влияние нелинейных пироэлектрических свойств на форму пироэлектрического отклика. // Тез докл. регион, школы симпозиума Физика и химия твердого тела. — Благовещенск, 2003. С 57−58.
  113. П. А., Масловская А. Г., Согр А. А. Моделирование пироотк-лика в окрестности фазового перехода. // Информатика и системы управления. Благовещенск, 2004. № 7. С. 57−64.
  114. А. А., Масловская А. Г., Точилина Л. Г. Моделирование равновесной конфигурации и динамики доменной границы в неоднородном тепловом поле. // Вестник Амурского государственного университета. -Благовещенск, 2001. № 15. С. 25−26.
  115. А. А., Масловская А. Г., Колотова Л. Г. Автоколебания в статистической модели доменной границы в поле градиента температуры. // Вестник Амурского государственного университета. Благовещенск, 2002. № 19. С. 22−24.
  116. А. Г. Компьютерное моделирование доменной границы сег-нетоэлектриков в тепловом поле. // Тез. докл. II Всесибир. конгресс женщин-математиков. Красноярск, 2001. С. 136−138.
  117. А. Г., Согр А. А. Особенности формирования пироотклика нелинейного пироэлектрика. // Сб. тез. IV регион, научн. конф. Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование. Владивосток, 2003. С. 77−78.
  118. Л. К., Малов Ю. И Дифференциальные уравнения математической физики. М.: МГТУ им. Баумана, 1996. — 350 с.
  119. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука. 1964. -490 с.
  120. Э. М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел. М.: Наука, 1985. — 480 с.
  121. Цой В. М. Методы расчета задач тепломассопереноса. — М.: Наука, 1984. -478 с.
  122. Г. Математические методы в физике. М.: Атомиздат, 1970. -712 с.
  123. С. Уравнения с частными производными для научных работников и инженеров. -М.: Мир, 1985. 383с.
  124. В. А. Ильин, Э. Г. Позняк. Основы математического анализа. М.: Физматлит, 2002. — 646с.
  125. В. МаЛсаё 8/2000. СПб: Питер. 2001. — 592 с.
  126. В.Г. Система инженерных и научных расчетов. Ма^аЬ 5х -в 2-х т. М.: Диалог МИФИ. 1999. — 670с.
  127. В. Г. Инструментальные средства МаЙаЬ 5х М.: Диалог МИФИ, 2001.-324с.
  128. Ю., Кетков А., Шульц М. МаЙаЬ 6.x: программирование численных методов Санкт — Петербург: БХВ — Петербург, 2004. — 660с.
  129. Н. А., Донцова Л. И., Пикин С. А., Гинзберг А. В., Адоме-нас П. В. О причинах ориентирования нематических жидких кристалловна поверхности скола кристалла триглицинсульфата. // Кристаллография. 1978. Т. 23. Вып. 23. С. 1239−1247.
  130. Г. И., Охапкин В. А., Чепелев Ю. JL, Шур В. Я. Эмиссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца. // Письма в ЖТФ. Т. 39. № 9. С. 397−399.
  131. Nakatani N. Ferroelectric domain structure of triglycine sulphate observed using a scanning electron microscope. // Japan. J. Appl. Phys. 1973. V. 12. № 11. P. 1723−1728.
  132. Le Behan R., Maussion M. Study of the surface of ferroelectric crystals with the scanning electron microscope. // Ferroelectrics. 1974.V. 7. P. 307−308.
  133. В. А., Николаев В. И., Попов И. Н. Наблюдение развития доменной структуры монокристаллов NaNC>2 в растровом электронном микроскопе // ФТТ. Т. 29, Вып. 6. 1987. С. 1855−1857.
  134. А.А., Бородин В. 3. Переполяризация сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе. // Изв. АН СССР. Сер. физич. Т. 41, № 7. 1977. С. 1498−1501.
  135. Sogr A. A. and Kopylova I. В. The domain contrast and polarization reversal of TGS crystals by scanning electron microscopy in IBIC mode. // Ferroelectrics. 1995. V. 172. P. 217−220.
  136. Ч. Физика кристаллических диэлектриков: Пер. с англ. М.: Изд-во ин. лит-ры., 1978. — 512 с.
  137. Callaby D. R. Domain wall velocities and the surface layer in BaTi03. // J. Appl. Phys., 1965. V. 36. № 9. P. 2751−2760.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!