Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние высокого давления на кинетические эффекты в халькогенидах ртути и кадмия

Диссертация: Влияние высокого давления на кинетические эффекты в халькогенидах ртути и кадмия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В работе исследованы кинетические эффекты в халькогенидах ртути НдТе., //^.е, Нц,$, в твердых растворах Hjfi-xCdx&G и селениде кадмия под давлением до 40 Ша при температурах 4,2. 400 К и магнитной индукции до 7 Тл. Изучение влияния давления на явления переноса в полупроводниках позволяет оценить ряд зонных параметров (величину энергетической щели, ее барический коэффициент), определить положение… Читать ещё >

Влияние высокого давления на кинетические эффекты в халькогенидах ртути и кадмия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. Кинетические эффекты в полупроводниках под давлением (обзор)
    • 1. 1. Кинетические эффекты
    • 1. 2. Влияние давления на зонную структуру и кинетические эффекты в полупроводниках
    • 1. 3. Кристаллическая структура и физические свойства халькогенидов ртути и кристаллов //^i-icCd^Se
    • 1. 4. Полиморфизм халькогенидов ртути и кадмия при высоком давлении
    • 1. 5. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Аппаратура высокого давления
    • 2. 1. Л. Камеры гидростатического давления
      • 2. 1. 2. Получение высоких квазигидростатических давлений до 40 ГПа
    • 2. 2. Измерение кинетических эффектов в полупроводниках под давлением
      • 2. 2. 1. Измерение сопротивления и термоэдс
      • 2. 2. 2. Установки для измерения гальваномагнитных эффектов при температурах 4,2.300 К под давлением
    • 2. 3. Приготовление и аттестация образцов
    • 2. 4. Погрешности измеряемых величин
    • 2. 5. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 3. Влияние высокого гидростатического давления на кинетические эффекты в кристаллах H^Sе. и И^^^СЫ^Эе
    • 3. 1. Изменение удельного сопротивления" коэффициента
  • Холла, термоэдс и магнитосопротивления селенида ртути под давлением в области устойчивости кубической фазы
    • 3. 2. Удельное сопротивление, эффект Холла, термоэдс и магнитосопротивление кристаллов 4-х C-dx. Se в условиях всестороннего сжатия до 2 ГПа
    • 3. 3. Кинетические эффекты в кристаллах Ся?*. S е при температуре 4,2 К
    • 3. 4. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 4. Переход бесщелевой полупроводник- полупроводник с широкой запрещенной зоной в халькогенидах ртути и твердых растворах H^-xCdx. Se
    • 4. 1. Структурный фазовый переход в кристаллах Нфе% и Ug^xC^xSe- под давлением
    • 4. 2. Влияние давления на кинетические эффекты в полупроводниковых фазах, имеющих структуру киновари
    • 4. 3. Фазы высокого давления халькогенидов ртути — аналоги полупроводников У1 группы периодической системы
    • 4. 4. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 5. Переход полупроводник-металл в халькогенидах ртути и твердых растворах H^-i-xCbfzL^ ПРИ сверхвысоком давлении
    • 5. 1. Влияние сверхвысокого давления на кинетические эффекты в HfrQe-yfyTe, и H^-^cCd^S^
    • 0. 5. )
    • 5. 2. Кинетические эффекты в металлических фазах халькогенидов ртути при высоком давлении
    • 5. 3. Кинетические эффекты в фазе высокого давления селени-да кадмия
    • 5. 4. Краткие
  • выводы

Изучение узкощелевых полупроводников является важным направлением физики твердого тела, поскольку в этих материалах основные закономерности поведения электронов проводимости в конденсированных средах выражены наиболее рельефно. Из-за малости энергетической щели относительное ее изменение при внапних воздействиях (например, под давлением) и связанные с этим особенности физических свойств гораздо ощутимее, чем в материалах с широкой энергетической щелью, что имеет большое научное и практическом значение. Наибольший интерес представляет изучение халькогенидов ртути UfyTt «, и их твердых растворов с халькогенидами кадмия, которые относятся к бесщелевым полуцроводникам и полупроводникам с регулируемой энергетической щелью [l]. В последние годы эти материалы широко применяются в качестве высокочувствительных приемников инфракрасного излучения, оптических фильтров и т. д. [2],.

При относительно небольших давлениях 0,8−1,5 Ша (I ГПа = I09 Па = 10 кбар) халькогениды ртути переходят в гексагональную структурную модификацию и приобретают совершенно иные свойства [3]. До последнего времени исследованию фаз высокого давления было посвящено немного работ. Наиболее изучена гексагональная модификация сульфида ртути — киноварь, стабильная при нормальных условиях. Она является оптически активным веществом, широко применяемым в технике. Гексагональные фазы других халькогенидов ртути — HflTe и — также могут быть зафиксированы при атмосферном давлении в области температур Т? 160 К. Особую ценность представляет то обстоятельство, что в одних и тех же веществах (халькогенидах ртути) могут быть созданы фазы с сильно отличающимися характеристиками. Это дает возможность управлять их свойствами с помощью давления. Очевидно, что исследование свойств гексагональных фаз высокого давления халькогенидов ртути со структурой киновари представляет большой интерес. Такие исследования способствуют установлению взаимосвязей между бесщелевыми полупроводниками и другими классами материалов.

Высокое давление используется в работе как инструмент для зондирования электронной структуры фаз высокого и низкого давлений халькогенидов ртути и кадмия. При воздействии давления экстремумы энергетических зон полупроводникового кристалла различным образом смещаются по шкале энергий. Измеряя кинетические эффекты в кристалле под давлением, можно определить вид зонной структуры. Как показали Пол и др., барические коэффициенты энергетических экстремумов в кристаллах со структурой алмаза и цинковой обманки примерно одинаковы для одних и тех же точек зоны Бриллюэна [Vj. Это обстоятельство позволило установить зонную структуру классических полупроводников О-г, Si, Jn$ 6, а позднеебесщелевых полупроводниковсi-Sh, J• Таким путем можно изучать электронную структуру и фаз высокого давления.

Цель настоящей работы — исследовать влияние давления на кинетические эффекты в фазах низкого и высокого давления халькогенидов ртути и твердых растворов Od^St. В связи с этим предстояло решить следующие задачи:

— создать камеры повышенной надежности для получения гидростатических давлений до 2 ГПа и квазигидростатических давлений до 40 ГПа;

— исследовать электропроводность, термоэдс, магнитосопро-тивление и другие кинетические эффекты в указанных кристаллах при давлениях до 40 ГПа;

— выявить новые фазовые превращения в исследуемых кристаллах ;

— по кинетическим эффектам установить вид электронной структуры фаз высокого давления халькогенидов ртути и кадмия.

Научная новизна работы может быть сформулирована следующим образом:

— создана оригинальная аппаратура высокого давления для исследования кинетических эффектов в кристаллах при гидростатическом давлении до 2 ГПа и квазигидростатическом давлении до.

40 ГПа. Впервые развита методика измерений термоэдс в интервале давлений от 10 до 40 ГПа;

— в области устойчивости кубической фазы изучены зависимости сопротивления, термоэдс, коэффициента Холла и магнитосопро-тивления кристаллов HpS& и He}i-xCdx.Se от давления. Получены новые подтверждения известной модели Гровса и Пола зонной структуры бесщелевых полупроводников;

— обнаружены фазовые превращения кристаллов ttfji-xCdx.Se. в гексагональную структуру киновари под действием давления 1.2,5 ГПа. Показано, что модификации халькогенидов ртути со структурой киновари представляю? собой полупроводники с широкой запрещенной зоной, которые являются аналогами полупроводников У1 группытеллура и селена;

— обнаружены фазовые переходы халькогенидов ртути и кристаллов Ufli’X CcLjc^t в металлическое состояние под давлением 10. 30 ГПа. Установленное совпадение барических зависимостей сопротивления и термоэдс металлических фаз высокого давления халькогенидов ртути, с одной стороны, и металлических фаз теллура и селена, — с другой, позволяет предположить сходство их электронных структур;

— впервые исследованы термоэлектрические и гальваномагнитные эффекты в фазе высокого давления селенида кадмия, имеющей структуру каменной соли. На основе полученных экспериментальных данных делается вывод о том, что фаза высокого давления селенида кадмия является сильно легированным полупроводником с широкой энергетической щелью, убывающей с ростом давления.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

— разработанные камеры повышенной надежности позволяют проводить длительные эксперименты при гидростатическом давлении до 2 Ша (а.с. В 835 824), изучать фазовые переходы полупроводникметалл в твердых телах при квазигидростатическом сжатии до 40 Ша и определять параметры носителей заряда в фазах высокого давления по измерениям сопротивления и термоэдс;

— показано, что с помощью давления можно в широких пределах изменять свойства халькогенидов ртути и кадмия, получая бесщелевой полупроводник, полупроводник с заданной энергетической щелью или металл. При этом сопротивление и термоэдс изменяются в диапазонах Ю" 4 — Ю3 (Ю8) Ом. см и Ю-3 В/К — Ю" 6 В/К соответственно.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и выводов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ВЫВОДЫ.

В работе исследованы кинетические эффекты в халькогенидах ртути НдТе., //^.е, Нц,$, в твердых растворах Hjfi-xCdx&G и селениде кадмия под давлением до 40 Ша при температурах 4,2. 400 К и магнитной индукции до 7 Тл. Изучение влияния давления на явления переноса в полупроводниках позволяет оценить ряд зонных параметров (величину энергетической щели, ее барический коэффициент), определить положение энергетических экстремумов в зоне Бриллюэна. Метод всестороннего давления позволил в свое время установить зонные структуры широкозонных полупроводников Si, Gz и др. и бесщелевых полупроводников HcjTe *.

В настоящей работе метод всестороннего давления использован для изучения зонной структуры известных и впервые обнаруженных фаз высокого давления халькогенидов ртути, твердых растворов Htyi-x Cdx Sе. и селенида кадмия, а также исходных кубических фаз кристаллов и Hcj i-x % е — бесщелевых и узкощелевых полупроводников.

На основе полученных результатов можно сделать следующие выводы.

1. В работе создана оригинальная аппаратура высокого давления для исследования гальваномагнитных и термоэлектрических эффектов в кристаллах при гидростатическом давлении до 2 Ша (а.с. № 835 824) и квазигидростатических давлениях до 40 Ша. С ее помощью впервые освоена методика измерений термоэдс в интервале давлений 10.40 ГПа.

2. Исследовано влияние гидростатического давления на сопротивление, термоэдс, коэффициент Холла и магнитосопротивление кристаллов Me^S-e. и И21-Х Odsc. S&. в области устойчивости кубической фазы (до 0,8 .2,0 Ша). Получены новые подтверждения известной модели зонной структуры этих бесщелевых и узкощелевых полупроводников (модели Гровса-Пола).

3. Обнаружены фазовые превращения кристаллов Cefx Se в гексагональную структуру киновари под действием давления. Показано, что модификации халькогенидов ртути со структурой киновари представляют собой полупроводники с широкой запрещенной зоной, являющиеся аналогами теллура и селена. Определены основные параметры зонной структуры этих материалов (ширина запрещенной щели, ее барический коэффициент, подвижность и тип носителей заряда). Сделано предположение о том, что зонная структура 7е и fl^ie в фазе киновари подобна зонной структуре теллура и селена, т. е. экстремумы зоны проводимости и валентной зоны находятся з точках Н или зоны Бриллюэна.

4. Впервые обнаружены фазовые переходы халькогенидов ртути HgTe. .HfS е 9 H^S и кристаллов tt^i-x CJxS^. в металлическое состояние при давлениях 101, 21−2, 303, 24±3 (ЗГ =0,2) — 24±3 (эс =0,35), 2I±3 (х =0,5) ГПа, соответственно. Установленное совпадение барических зависимостей сопротивления и термоэдс металлических фаз высокого давления халькогенидов ртути, с одной стороны, и металлических фаз высокого давления теллура и селена, с другой, позволяет предположить сходство их электронных структур.

5. Впервые исследованы термоэлектрические и гальваномагнитные эффекты в фазе высокого давления селенида кадмия со структурой каменной соли. Сделан вывйд о том, что фаза высокого давления может являться сильно легированным полупроводником с широкой энергетической щелью, убывающей с ростом давления.

Б заключение автор выражает глубокую благодарность научному руководителю работы доктору физико-математических наук профессору И. М. Цидильковскому за постоянное внимание и обсуждение результатов работы, кандидату физико-математических наук Н. Г. Глузману за помощь и поддержку при выполнении работы, а также всем сотрудникам лаборатории полуцроводников и других отделов Института физики металлов, оказавших содействие автору.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978. — 328 с.
  2. Н.Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М.: Воен.издат. Мин. Обороны СССР, 1982. 208 с.
  3. Л.Ф., Кабалкина С. С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: Наука, 1979. 174 с.
  4. Твердые тела под высоким давлением/ под ред. В. Пола и Д. Вар-шауэра. М.: Мир, 1966. — 524 с.
  5. И.М. Термомагнитные явления в полупроводниках М.: Физматгиз, I960, 396 с.
  6. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1970. 303 с.
  7. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эн-дерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: 1983. 384 с.
  8. А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. 616 с.
  9. Pitt G.D. Developments in high pressure physics. Contemp. Ehys., 1977, voL 18, N1 2, p.137−164.
  10. Starcloff Т.Н., Joannopoulos I. D, The electronic structure of trigonal Л, а &bdquo-Те for pressure near the phase transition points.-J.Chem.Ehys., 1978, vol.68, N2 2, p.579−584. ,
  11. Von Boehm J., Isomaki H.M. Pressure, dependence of the relativistic band edges of trigonal Те and Se. Ehys.Rev.B., 1981,1. T vol.24, № 12, p.6945−6953.
  12. Isomaki H.M., von Boehm J. Behavour of the optical gap of trigonal Se under pressure. — Solid State Communs., 1980, vol. 34, m 8, p.709−711.
  13. Blum P.A., Deaton B.C. Properties of group VIB Elements under pressure. П. Semiconductor-to-metal transition of tellurium. Phys.Rev.A, 1963, vol.137, E 5A, p. A1410-A1417.
  14. Bundy P.P., Dunn K.J. Electrical behaviour of Se and Те to pressure of about 500 kbar. J.Chem.Phys*, 1979, vol.71, ® 4, p. 1550−1558.
  15. M.B., ЕремецМ.И., Косичкин Ю. В., Толмачев A.H., Широков А. М. Влияние давления на внутризонное поглощение в теллуре. ~М., 1978. 52 с. (Препринт /ФИАН: № 100).
  16. Ф.Дж., Шредер П. А., Фойлз К.Л, Грейг Д. Термоэлектродвижущая сила металлов. М.: Металлургия, 1980. 248 с.
  17. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова Думка, 1975, 704 с.
  18. И.М. Эффект Нернста-Эттинсгаузена в теллуриде ртути. 8-я Всесоюзная конференция по полупроводникам (Ленинград, 1955 г.). — Вестник АН СССР, 1956, т.2, с. Ш- ЖЭТФ, 1957, т.27, № 8, с.1744−1752.
  19. Porowski S., Zakrzewski Т. Measurements of the temperature dependence of the Hall constant in HgQ? e under pressure. -Phys.Stat, Sol., 1965, vol.11, Ni 1, p. K39-K41.
  20. Piotrzkowski R., Porowski S., Dziuba Z., Ginter J., Giriat W., Sosnowski L. Band Structure of HgTe. Phys.Stat.sol., 1965, vol.8, p. K135-K139.
  21. Porowski S., Galazka M.C. Pressure phase transition of HgSe.-Ehys.Stat.Sol., 1964, vol 5, № 2, p. K71-K72.
  22. Н.Б., Бе л oy сова O.H., Бовина Л. А., Стафеев В. И., Пономарев Я. Г. Исследование бесщелевого состояния, возникающегоу сплавов Hcj ^Cd^ Те под действием давления. ЖЭТФ, 1974, т. бб, с.330−347.
  23. Narita S., Egawai М., Suizu К., Katayama М., Mizukati S. Effect 1 of Hydrostatic pressure on Cd^Hg^^Te alloys. Appl.Ehys., 1 1973, vol.2, № 3, p.151−156.
  24. H.H., Пашковский M.B. Теллурид ртути полупроводник с нулевой запрещенной зоной. — Успехи физ. наук, 1976, т.119, № 2, с.223−255.
  25. Кот М.В., Мшенский В. А. Структура и электрические свойства системы CdSe-HySe. Изв. АН СССР, сер.физ., 1964, т.28, № б, с.1069−1072.
  26. Katazaki К. Lattice constants and phase transition at Gd3^Hg1xSe. -Phys.Stat.Sol., (a), 1980, vol.58, 1 2, p, K157-K159.
  27. Kalb A., Leute V. The miscibility gap of system GdSe-HgSe. -Ehys.Stat.Sol., (a), 1971, vol.5, № 3, p. K199-K201.
  28. Slodowy P.A., Giriat W. The dependence of the Energy gap on the composition in the mixed crystals С^хЯ^^х3®' Ehys.Stat. Sol., (Ъ), 1971, vol.48, № 2, p.463−466.
  29. Iwanowski R.J., Dietl Т., Srymanska W, Electron mobility and electron Scattering in Cd^Hg^^Se BiixecL crystal. J. Phys.
  30. Chem.Sol., 1,978, vol.39, № 10, р.1059-Ю70.
  31. Kelson D.A., Broerman J.G., Summers C.J., Whitsett C.H. Electron transport in the Hg^^Cd^Se alloy system, Phys. Re v., B, 1978, vol.18, Ш 4, p.1658−1672.
  32. Mariano A.N., Warekois E.P. High pressure phases of some compounds of Groups II-VI. Science, 1963, vol.142,p.672−673.,
  33. Ford P.L., Miller A, J., Saunders G.A., Yogurtcu У.К., iFurdi-na J.M., Jaczyncki M. The effect of pressure on the elastic constants of mercury selenide up to phase transition. J. Phys. C: Solid State Hays., 1982, vol.15, hi 4, p.657−671.
  34. Jayaraman A., Klement W, Jr, Kennedy G. C, Melting and poli-morphic transitions for Some Group II-VI compounds at high pressure. Ehys.Rev., 1963, vol.130, Ш 6, p.2277−2283.
  35. А.В., Сошников В. И. О фазовой диаграмме ЩТе . -Изв. АН СССР, неорг.матер., 1982, т.18, № 4, с.685−686.
  36. А.В., Сошников В. И. О фазовой диаграмме Изв. АН СССР, неорг.матер., 1980, т.16, * 5, с.928−929.
  37. Lac am A., Peyronneau J., Engel L. J, Lombos B.A. Pressure-induced phase transitions in mercury chalcogenides. Chem.Phys. Lett, 1973, vol.18, Ш 1, p.129−131.
  38. J.Phys., 1976, vol.54, Ш 1, p.48−55.
  39. J. $ Smith A.C* Phase transition in mercury telluride. — Phys. Rev, Lett., 1961., vol.7, N2 4, p.124−125.
  40. Pitt G.D., McCartney J.M., Lees J., Wright D.A. Electrical and phase properties of alloys at high pressures J.Phys.D: Appl.Ehys., 1972, vol.5, № 7, p.1330−1343.
  41. Morissy J.H., Pitt G.D., Vyas M.K.R. High pressure electrical and phase properties of alloys. J.Ehys.C: Solid State, 1974, vol.7, № 4, p.113−126.
  42. Minomura S#, Samara G.A., Drickamer H.G. Temperature coefficient of resestantce of High pressure phase in Si, Ge and Some. III-V and II-VI compounds. — J.Appl.Phys., 1962, vol.33, N111, p.3196−3197.
  43. Jonson R.T., Horosin I.B. High pressure effects on the resistivity of Single-crystal Gadmium Sulphide. High temp.-high pressure, 1976, vol.8, № 1, p.31−44.
  44. Edwards A.L., Drickamer H.G. Effect of pressure- on the absorption Edges of Some III-V, II-VI and I-VII compounds. -Phys.Rev., 1961, vol.122, № 4, p.1149−1157.
  45. Owen N.B., Smith P.L.Martin J.E., Wright A.J. X-ray diffraction of ultra-high pressure. J.Phys.Chem.Solids, 1963, vol.25, № 12, p.1519−1524.
  46. Bundy F.P. Ultrahigh pressure apparatus using cemented tungsten carbide pistons with sintered diamond tips. Rev.Sci. Instrum., 1975, vol.46, № 10, p.1318−1324.
  47. Aicardi J.-P- Contribution al1 etude des barges, bandes demission du cinabre (HgS-<>0. These doct.sci.phys., Univ.sci. techn., Languedoc, 1977. — 174 p.
  48. Doni E., Eesca L., Rodriquez S., Becker W.M. Electronic energy levels of cinnabar (oC- HgS). Phys.Rev.B, 1979, vol.20, № 4, p.1663−1668.
  49. Pai M., Buttrey D., Joshi G.M., Honig J.M. Electrical and magnetic properties of c
  50. Butti C., Raymond Д., Bombre F. Effect photo Hall du cinabre.-Phys.Stat.Sol.(a), 1976, vol.36, № 1, p.133−137.
  51. К. Применение техники высоких давлений при исследованиях твердого тела. М.: Мир, 1972. 231 с.
  52. Механические свойства материалов под высоким давлением / подред. Х. Л. Пью. М.: Мир, 1973, т.1, 296 с.
  53. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Uliyanitskaya U.M. Measurements of the thermoelectric properties of metals and semiconductors at quasihydrostatic pressures up to 60 kbar.1.Bismuth. High temp.-high press., 1973″ vol.5, № 3, p.261−264.
  54. P.H., Опаленко А. А. Методы создания и измерения давления в мессбауэровских экспериментах. Приборы и техника эксперимента, 1981, № 6, с.7−16.
  55. Jayaraman A. Diamond anvill cell and high pressure physical investigation. — Rev. of modern Physics, 1983″ vol.55″ J® 1″ p.65−108.
  56. E.G. Бомба высокого давления для работы при низких температурах. Приборы и техника эксперимента, 1963, № 4, с.148−151.
  57. Г .Г., Краснопевцева Т. В., Парецкая В. М. Новый немагнитный нержавеющий сплав с высокой твердостью и износостойкостью. Сб.научн.трудов ЩИИ ЧМ. — М., 1971, вып.78, с. 134−137.
  58. А.С. № 835 824 (СССР). Камера высокого давления / В.В.Щенни-ков. Опубл. в Б.И., 1981, № 21.
  59. Whalley Е., Laverhne A. Area Hydraulic Seal for pressure of 50 kilibar. Rev.Soi.Instrum., 1976, vol.47, NS 1, p.136−137.
  60. Bridgmari P.W. Physics of high, pressure. New York-Dover, 1970. 398 p.
  61. .С. Исследование и развитие низкотемпературных камер с фиксированным гидростатическим давлением* В кн.: Физические исследования при высоких давлениях / под ред. А. ИЛайсаа-ра. — Таллин, 1977, чЛ, с. 146−152.
  62. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov A.P. Device of toroid type for High temp.-high press., 1977, vol.9, I® 6, p.637−639.
  63. Fuhs W., Schlotter P., Stuke J. Electrical and optical properties of amorphous and monoclinic Se under very high pressure. Ehys.Stat.Sol.(b), 1973, vol.57, Ш 2, p.587−592.
  64. Г. Н. Автономные камеры высокого давления для исследования эффекта Мессбауэра при низких температурах. Приборы и техника эксперимента, 1980, № I, с.200−203.
  65. Л.Ф., Избранные труды. Твердое тело при высоких давлениях. М.: Наука, I98I. 288 с.
  66. Karunakaran С., Vijayakumar V., Vaidya S.N., Kunte N.S., Surykarayana S.S. Effect of pressure ort electrical resistivity and thermoelectric power of FeS. Mat.Rev.Bull., 1980, vol.15, № 2, pi.201−206.
  67. K.M., Цидильковский И. М., Родионов К. П. Явления переноса в легированном антимониде индия при высоких давлениях. -ЯГТ, 1965, т.7, с.1561−1562.- I7E
  68. Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (справочник). Киев: Наукова Думка, 1979, — 768 с.
  69. Sakai IT., Takemura К., Tsujji К. Electrical properties of highpressure metallic modification of Iodine. J.Phys.Soc.Jap., 1982, vol.51, № 6, p.1811−1816.
  70. Н.Б., Кувшинников С. В., Минина Н. Я., Скипетров ЕЛ. Способ повышения гидростатичности сжатия при низких температурах в бомбах фиксированного давления. Приборы и техника эксперимента, 1973, № 6, с.160−163.
  71. Г. А. Исследование осцилляций Шубникова-де Гааза в узкощелевых полупроводниках Hy .Se и Inx Автореферат канд.дисс. ^ Свердловск, Ш УНЦ АН СССР, 1980.-19 с,
  72. Н.П., Паранчич С. Ю., Паранчич Л. О. Термоэлектрическая эффективность узкозонных твердых растворов Cdx fy^Se.
  73. Укр.физ.ж., 1975, т.20, № II, с.1923−1925.7ge Dietl Т., Szymanska W. Electron Scattering in HgSe. J.Phys.
  74. Chem.Solids, 1978, vol.39, № 10, p.1041−1057.
  75. Ramesh T.G., Shubha V. Transport properties under pressure in HgSe.- J.Phys. Cs Solid State Phys., 1982, vol.15, № 30,p.6193−6198.
  76. А.И., Регель A.P. Электрические свойства твердых растворов селенида ртути и селена. ЖТФ, 1951, т.21, № 3, с.316−327.
  77. Lehoczky S.L., Broerman L.G., Nelson D.A., Whitsett C.R. Temperature-dependent electrical properties of HgSe. Phys.Rev. E, 1974, vol.9, Ш 4, p.1598−1620.
  78. Н.Г., Щенников B.B. Исследование фазы высокого давления HgSe . ОТТ, 1979, т.21, № 10, с.3192−3194.
  79. Krevs Y.E., Xutsiv R. V, Pashkovski M. V, Petrov P.P. Temperature dependence of the intrinsic concentration of mercury selenide. Phys.Stat.Sol.(a), 1974, vol.65, p. K43-K45.
  80. Г. И., Цидильковский И. М. Явления переноса в п- InS&. mt 1962, т.4, № 9, с.2490−2506.
  81. Л.Д. Особенности эффекта Шубникова-де Гааза в узкощелевых полупроводниках. Автореферат канд.дисс. Свердловск, ИШ УНЦ АН СССР, 1981.
  82. В.В., Гавалешко Н. П., Глузман Н. Г., Паранчич Л. Д. Структурный фазовый переход в сплавах Colx. Sz.. ФГТ, 1980, т.22, № 9, с.2868−2870.
  83. Н.Г., Цидильковский И. М., Щенников В. В. Фазовые переходы в соединениях ИCdx S’e., вызванные высоким давлением до 100 кбар. В сб.: Влияние высокого давления на структуру и свойства материалов / ИСМ АН УССР, Киев, 1983, с.18−21.
  84. Е.Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Халькогениды П, 1У и У групп периодической системы. М.:Наука, 1967. -176 с.
  85. В.В., Глузман Н. Г. Термоэдс гексагонального селенида ртути. ОД, 1982, т.15, № 4, с.715−717.
  86. Ohtani A., Seike Т., Motohayashi Ш, Onodera A. The electrical properties of HgTe and HgSe under very high pressure. — J.Phys.Chem.Solids, 1982, vol.43, Ш 7, p.627−632.
  87. Щенников 5.5., Глузман Н. Г. Переход бесщелевой полупроводник-полупроводник-металл в теллуриде ртути под давлением. ФГГ, 1981, т.23, № 10, с.3091−3094.
  88. И.М., Щенников В. В., Глузман Н. Г. Металлизация халькогенидов ртути в условиях сверхвысокого давления. ФГТ, 1982, т.24, № 9, с.2658−2562.2
  89. Bridggian P.W. The compression of 39 substance to 100,000 fcg/cm. Ppoc.Amer.Acad.Arts.Sci., 1943″ vol.76, p.55−70.
  90. И.М., Щенников B.B., Глузман Н. Г. Термоэдс халькогенидов ртути при сверхвысоком давлении. ФГП, 1983, т.16, № 5, с.958−860.
  91. Н.Г., Цидильковский И. М., Щенников В. В. Явления переноса в халькогенидах ртути при сверхвысоком давлении. В сб.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982, т.1, с.139−140.
  92. Dunn K.J., Bundy P.P. Behavior and properties of Sulfur atpressures 300 kbar and higer. irn book- High pressure Science and Technology. Sixth AIRAFT conference, Plenum Press, Hew York and London, 1979, vol.1, p.172−176.
  93. Dunn K.J., Bundy F.P. Electrical behaviour of sulfur up to 600 kbar metallic state. — J.Chem.Phys., 1977, vol.67,
  94. K? 11, p.5048−5053* 102. Golopentia D.A., Ruoff A.L. Behavior of Sulfur at high pressures and low temperatures. J.Appl.Phys., 1981, vol.52, № 3, p.1328−1331.
  95. Werner A, Sanjjurio’o I.A., Cardona M. X-rays investigation of the phase transition in the GexSi^x Solid solutions at high pressure, Sol. State Conmmns., 1982, vol.42, p.155−158.
  96. Doerre G, Joannopoulos J.D. Electronic States of Те above the high-pressure phase transition. Phys. Rev, Letters, 1979″ vol.43, № 14, p.1040−1043.
  97. Aoki K., Shimomura 0., Minomura S. Crystal structure of the high-pressure phase of Tellurium. Technical report of ISSP, 1979, Ser.A., N1 983, p.1−19.
  98. Werner A., Hochheimer H.D., Strossnor K., Jayaraman A. High-pressure X-ray diffraction studies on HgTe and HgS to 20 GPa.-Phys.Rev., B, 1983, vol.28, № 6, p.3330−3334.
  99. Huang Т., Ruoff A.L. Pressure-induced phase transitions of HgTe. Phys.Stat.Sol.(a), 1983, vol.77, p. K193-K197.
  100. Hung Т., Ruoff A. L, Pressure-induced phase transitions of HgSe.-Phys.Rev.В., 1983, vol.27, N? 12, p.7811−7812.
  101. Huang T., Ruoff A.L. Pressure-induced phase transition of HgS.- J.Appl.Phys., 1983, vol.54, № 9, p.5459−5461.
  102. Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, 1979. 192 с.
  103. Н.ф. Переходы металл-диэлектрик. М.: Наука, 1979. -344 с.
  104. О.В., Лагунова Т. С. Аномальное магнитосопротив-ление в соединениях A$Bs при низких температурах. В сб.: Труды Всесоюзной конф. по физике полупроводников, Баку, 1982, т.1, с.167−168.
  105. .А., Аронов А. Г., Ларкин А. И., Хмельницкий Д. Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках. ЖЭТФ, 1981* т.81, № 2, с.768−783.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!