Циклотронный резонанс (ЦР) в полупроводниках [1] является одним из мощных инструментов получения информации об их свойствах: эффективной массе и знаке носителей зарядазаконе дисперсии носителейвзаимодействии носителей с колебаниями решетки и дефектамитипах и концентрации последних. Информация извлекается из экспериментальных данных по температурно-частотной зависимости кривой поглощения ЦР. Практический интерес представляют резонансная частота, площадь, форма и. йпфина линии циклотронного резонанса.
Измерение полуширины линии циклотронного резонанса 5и> дает возможность идентифицировать различные механизмы рассеяния носителей заряда (поскольку 8ш пропорциональна обратному времени релаксации тока и, грубо говоря, представляет собой сумму вероятностей различных процессов рассеяния).
Существуют два предельных случая циклотронного резонанса — классический ЦР, когда тепловая энергия носителя Т велика по сравнению с его циклотронной энергией Ни и (соответствующее магнитное поле называется классическим) и квантовый ЦР (КЦР), когда реализуется обратное неравенство Ншд «Т (соответствующее магнитное поле называется квантующим).
Фундаментальный вклад в теоретические и экспериментальные исследования ЦР в нашей стране был сделан в Проблемной радиофизической лаборатории при МПГУ группой исследователей под руководством Е. М. Гершензона (см [2,11] и цитированную там литературу). На сегодняшний день эти работы стали классическими.
На настоящий момент для классического ЦР имеется хорош, ее согласие экспериментальных и теоретических результатов по температурно-полевым зависимостям ширины линии ЦР для всех механизмов рассеяния носителей в полупроводниках: на фононах, ионизованных и нейтральных примесях (см. [3] и цитированную там литературу).
Кривая поглощения ЦР оказывается наиболее острой при низких тепературах, когда, во-первых, фононные механизмы уширения. сильно подавлены, а во-вторых, соответствующим выбором температурного интервала можно эффективно «включать и выключать» рассеяние на примесях того или иного типа.
В низкотемпературной области (Ни?н > Т) также наблюдается хорошее согласие теории и экспериментов по КЦР при рассеянии носителей, на фононах и ионизованных примесях [4]. Исключение составляют нейтральные примеси. Все попытки добиться сколь-либо удовлетворительного согласия теоретически рассчитанных температурно-полевых зависимостей полуширины линии КЦР (см. [5−8] и цитированную там литературу) с получаемыми на эксперименте [4], не принесли результатов на протяжении трех десятилетий.
При описании рассеяния’электронов на нейтральных примесях в полупроводниках в неквантующдх-адашитных полях с успехом используется формула Эргинсоя (ФЭ) [9]. Эргинсой получил свою формулу для сечения рассеяния электронов на мелких нейтральных примесях в полупроводниках, подставив в сечение рассеяния медленных электронов на атоме водорода с учетом поляризационных эффектов, диэлектрическую постоянную (полупроводника) и эффективный боровский радиус. Использование ФЭ для теоретических рассчетов ширины линии классического ЦР при рассеянии носителей на нейтральных примесях в полупроводниках [10], приводит к хорошему согласию с экспериментом. В частности, ФЭ позволяет правильно оценить полуширину линии ЦР [11]. В случае же КЦР, несмотря на большое количество работ и солидный «возраст» проблемы, вопрос остается открытым.
Были сделаны попытки приспособить для этой цели ФЭ (не выходя, однако, при этом за рамки борновского приближения (БП)). Для описания рассеяния вводится псевдопотенциал центра, подобранный таким образом, чтобы в борновском приближении при Н = 0 для сечения рассеяния получалась ФЭ. Этот псевдопотенциал используется затем для описания рассеяния в квантующем магнитном поле по теории возмущений [4]. Рассчитанная таким образом полуширина линии КЦР превышает измеренную больше чем на порядок и имеет совершенно иную зависимость от магнитного поля Н и температуры Т. Попытки модернизировать эту схему ситуацию не улучшили.
Используя метод квантового кинетического уравнения Ю. А. Гурвич в работе [8] исследовал в БП уширение линии ЦР в полупроводниках в квантующем магнитном поле нейтральными и заряженными статическими дефектами и фононами. Эхо позволило существенно выйти за рамки имевшихся частных результатов, полученных ранее без использования квантового кинетического уравнения.
Таким образом, можно констатировать:
А) Все предыдущие теоретические результаты по КЦР (в том числе ив [8]) были получены в рамках БП по взаимодействию с примесями и фононами.
Б) Согласие между теорией и экспериментом по КЦР, когда основным является рассеяние на нейтральных примесях, отсутствовало даже для полупроводников с изотропной эффективной массой, причем причины расхождения были абсолютно неясны. (Тем более была неясна ситуация в полупроводниках с неизотропным спектром носителей).^ штуации, когда все расчеты ограничиваются рамками теории возмущений по взаимодействию носителей с примесями, представляется естественным искать решение проблемы отказавшись от использования БП.
Целью диссертационной работы явилось:
1. Теоретическое исследование влияния рассеяния носителей на нейтральных примесях на уширение линии КЦР в полупроводниках различной структуры, в условиях, когда взаимодействие носителя с индивидуальной примесью не предполагается слабым.
2. Устранение существовавших на протяжении нескольких десятилетий резких расхождений между расчетными и экспериментальными зависимостями полуширины линии КЦР от температуры и магнитного поля в полупроводниках, при рассеянии носителей на нейтральных примесях.
Выход за рамки БП по взаимодействию с примесями в сильных магнитных полях имеет и особый интерес. Дело в том, что специфической особенностью взаимодействия заряженных частиц с атомами в присутствии магнитного поля является возможность появления новых магнитопримесных (МП) состояний, структура которых определяется как магнитным полем, так и конкретным видом примесного потенциала.
На протяжении длительного времени изучение МП состояний носителей и кинетических явлений при наличии таких состояний было, в основном, ограничено задачей кулоновского примесного потенциала (см. [12−18] и цитированную там литературу). В тоже время, характер МП состояний заряженных частиц в потенциале конечного радиуса действия оставался мало исследованным. В значительной мере это объясняется тем, что такие состояния, в отличие от магнитокулоновских [18], реализуются в намного более жестких условиях — при низких температурах и малых концентрациях примесей. Поэтому имевшиеся экспериментальные данные долго не создавали достаточного стимула для проведения интенсивных исследований в указанном направлении.
Однако исследования последних лет (см. обзор [19] и цитированную в нем литературу) показали, что картина явлений, обусловленных возникновением МП состояний носителей заряда на центрах конечного радиуса значительно богаче, чем в случае кулоновскуго^ютенциала. Это объясняется, во-первых, разнообразием энергетических спектров МП состояний на центрах конечного радиуса, связанным с возможностью различных соотношений между радиусом действия примеси, радиусом волновой функции и магнитной длиной, меняющихся в реальных веществах в широких пределах. Во-вторых, такие МП состояния намного более чувствительны к изменению магнитного поля и виду примесного потенциала, чем в аналогичной ситуации кулоновской задачи. В третьих, помимо магнитного поля и вида потенциала центра, характер МП состояний определяется конкретной зонной структурой вещества, что наиболее сильно проявляется именно в МП состояниях потенциала конечного радиуса.
Особенности энергетических спектров таких МП состояний непосредственно проявляются в кинетических коэффициентах, определяемых взаимодействием носителей с центрами конечного радиуса. На сегодняшний день имеется целый ряд экспериментов, подтверждающих существование и определяющую роль МП состояний носителей на нейтральных примесях с конечным радиусом действия потенциала в кинетике низкотемпературных явлений. К ним относятся эксперименты по осциля-циям эффекта де Гааза-Ван Альфена в В1 [20], эксперименты по фотопоглощению на примесях в Се [21] и ¿-'г [22] в квантующем магнитном поле, эксперименты [23] по фотоотрыву электрона с МП состояний центров в образцах п — С ¿-Б при низких температурах. Обнаружено, что резонансные эффекты рассеяния носителей, обусловленные наличием МП состояний, приводят к возникновению пиков и провалов коэффициента поглощения электромагнитного поля в определенных интервалах частот. В статических полях, при энергиях носителей, соответствующих энергиям МП уровней, происходит смена температурно-полевых зависимостей продольной и поперечной проводимостей, в соответствии с различным характером электрон-примесного взаимодействия в различных областях Т и Н. В ряде случаев, с ростом Н, рост поглощения может сменится его спадом, или наоборот, что связано с исчезновением или возникновением МП уровней при изменении магнитного поля. Именно наличием МП состояний носителей (на нейтральных примесях) обусловлена тонкая структура линии (гармоники) КЦР в полупроводниках в случае, когда рассеяние на них является доминирующим [24−26].
Однако вопрос о влиянии МП состояний нейтральных примесей в полупроводниках на форму главной линии (не гармоник) КЦР до настоящего времени остается открытым, даже для простейшего случая сферически-симметричного примесного потенциала и изотропной массы носителей. Более того, поскольку все расчеты ширины линии КЦР при рассении носителей на нейтральных примесях проводились ранее лишь в рамках БП, возможность такого влияния даже не обсуждалась. Тем более, это относится к полупроводникам, в которых эффективная масса носителей анизотропна, а примесный потенциал не является сферически-симметричным.
С другой стороны, с точки зрения моделирования л экспериментального изучения энергетических спектров МП состояний в потенциале конечного радиуса и их проявлений в различного рода кинетических явлениях, идеальными объектами являются именно полупроводники, в которых, благодаря малым эффективным массам носителей заряда и большим значениям диэлектрической проницаемости, относительно легко реализуется ситуация сильного (для возникновения МП состояний) магнитного поля. Итак;
Актуальность темы
исследований определяется:
1. Ролью циклотронного резонанса в изучении полупроводников г где ЦР является одним из мощных инструментов получения информации об их свойствах, особенно в низкотемпературной: области.
2. Отсутствием сколь-либо удовлетворительного согласия между результатами теории и экспериментов по КЦР при рассеянии носителей на нейтральных примесях даже в полупроводниках с изотропным спектром (электронов).
3. Абсолютной неясностью и неизученностью, в теоретическом плане, КЦР в полупроводниках с неизотропным спектром носителей, при рассеянии последних на нейтральных примесях, а также влияния на линию поглощения типа нейтральной примеси (формы и глубины ее потенциала).
4. Отсутствием каких-либо теоретических результатов, касающихся роли МП состояний носителей на нейтральных примесях в уширении линии КЦР.
5. Отсутствием на момент начала работы теоретических результатов по ушире-нию линии КЦР нейтральными примесями, выходящих за рамки БП.
6. Ролью полупроводников как объектов для моделирования и экспериментального изучения спектров МП состояний носителей на нейтральных примесях.
Построение последовательной: теории КЦР в полупроводниках: при рассеянии носителей заряда на нейтральных примесях (не ограниченной рамками БП) позволило решить все перечисленные задачи.
Постейший способ расчета линии ЦР в классическим случае (при высоких температурах Т) — решение уравнений движения с силой жидкого трения: Р = -т*и/т, где т* - эффективная масса носителя заряда, т характерное время релаксации его скорости v, не зависящее от энергии электрона. Учет зависимости т от энергии электрона требует, вообще говоря,-использования классического кинетического уравнения. Целесообразность использования кинетического подхода при интерпретации экспериментов по классическому ЦР в полупроводниках для различных механизмов рассеяния подтверждена работами ведущих отечественных авторов (см. рабатьг [2} и цитированную там литературу, выполненные под руководством Е.М.Гершензона) и зарубежных [3] ученых.
При низких температурах существенным становится квантование движения электрона в магнитном поле [27,28]. При этом в квантующих магнитных полях заселена, в основном, нижняя зона Ландау1 ^ и под действием резонансного электрического, поля происходят переходы только между нулевой и первой зонами Ландау. Поэтому для анализа линии поглощения КЦР необходимо пользоваться квантовым кинетическим уравнением.
Однако квантовое кинетическое уравнение, получаемое стандартным методом [29], оказывается исключительно сложным. Дело в-том> что наличие в гамильтони-1 ' Например в ОаАв для полей Я ~ 3.6 • 104Гс величина Ьын/Т = 13 при температуре 4.2К ане электрона, зависящего от координат векторного потенциала, делает задачу формально трансляционно-неинвариантной [30], из-за появления «паразитной» зависимости от г: матрица плотности оказывается зависящей от г даже в трансляционно-инвариантной физической: ситуации.
Задача существенно упрощается при выборе в качестве независимых переменных в вигнеровском представлении обычной матрицы плотности координаты и кинематического (р — е/сА), а не кинетического р импульса [8,31]. Как показано в [30], такой выбор переменных естественным образом вытекает из рассмотрения трансляционных свойств матрицы плотности. При этом вигнеровская матрица плотности Р (к, г, ?) зависит от г только в пространственно-неоднородном случае (от тех и только тех переменных, чтои классическая функция распределения). Именно градиентно-инвариантный подход был использован в [8]. Однако трансляционно-инвариантное кинетическое уравнение для вигнеровской матрицы плотности авторы [8,30,31] получшш в борновском приближении по взаимодействию носителей с дефектами.
В диссертации подход [8,30,31] обобщен на случай, когда взаимодействие носитель — нейтральная примесь не является слабым. В рамках проведенного, обобщения: 1) Получена система квантовых кинетических интегро-дифференциальных уравнений для трансляционно-инвариантной одноэлектронной вигнеровской матрицы плотности и одноцентрового коррелятора в смешанном представлении, без использования теории возмущений по взаимодействию носителей заряда с рассеивающими центрами. 2) Найдено решение полученной системы уравнений для примесных центров малого радиуса гс (гс <с I = уск/еН магнитная длина) и при слабом перемешивании уровней Ландау отдельным рассеивателем. 3) Показана, что в рамках сделанных допущений линейная по Е компонента вигнеровской матрицы плотности может быть-представлена & мультипликативной форме Р1(к, е) = Ф (к)/(е) При этом функция Ф зависит только от поперечного кинематического импульса Ьк и не зависит от рассеивающего примесного потенциала. Функция же / зависит от продольной (вдоль Н) энергии электрона е и выражается через матричные элементы оператора рассеяния электрона в зонах Ландау 0 и 1 на потенциале изолированного примесного центра, усредненном по вращению электрона в магнитном поле Я.
Матричные элементы оператора рассеяния очевидным образом связаны с амплитудой коэффициента прохождения электрона через одномерный (усредненный по движению в магнитном поле) потенциал примеси. Полюса же последней определяют спектр МП состояний в одномерном потенциале.
Поскольку функция Р1 определяет ток, из сказанного следует, что форма кривой поглощения КДР определяется видом спектра МП состояний носителей в примесном потенциале. 2).
На существование МП состояний электрона на нейтральных примесях первым указал Ю. А. Бычков [33]. Им было предсказано, что в присутствии магнитного поля, сколь угодно-мелкий примесный сферически-симметричный потенциал притяжения, даже нулевого радиуса, связывает заряженную частицу. В. Г. Скобов [34] решил задачу рассения электрона Ландау на центре нулевого радиуса. Полюса амплитуды рассеяния [34] дают спектр квазисвязанных МП состояний [33]. Дальнейшее развитие теория МП состояний носителей с изотропной эффективной массой на сферически-симметричном потенциале конечного радиуса получила в работах [35−37,19]. На настоящий момент теорию таких МП состояний и юс проявлений в кинетике низкотемпературных явлений в полупроводниках можно считать достаточно полной [19].
В работах [38−40] было обнаружено, что резкая анизотропия эффективной массы электрона (характерная для полупроводников IV группы) радикальным образом меняет характер МП состояний на нейтральных центрах. А именно, при ориента-—* ции Н вдоль тяжелой массы, одномерный потенциал, в котором движется электрон, оказывается глубоким. Т. е. в нем содержится несколько МП уровней. При уменьшении Н последние переходят в континуум с периодом ~ VН. При пересечении МП уровнемграницы континуума одномерная яма становится или прозрачной или абсолютно непроницаемой (в зависимости отчетности МП уровня). Это обусловливает осцилядии кинетических коэффициентов, периодичные по магнитному полю как vii [38−40].
Результаты [38−40] были получены в допущениях, что примесный потенциал явля.
2) Связанные и квазисвязанные МП состояния электрона на нейтральной примеси являются ничем иным, как состояниями в квантующем магнитном ноле. Впервые ?)~ центры в полупроводниках (в отстутствие магнитного поля) были экспериментально обнаружены Е. М. Гершензоном с сотрудниками [32]. ется сферически-симметричным, а перемешивание уровней Ландау изолированным рассеивателем мало. Однако, в полупроводниках с анизотропной массой носителей, потенциал мелких примесей, вследствие деформации волновой функции примесного электрона, оказывается несферическим [41], перемешивание же уровней Ландау примесным центром можно считать слабым отнюдь не всегда. Однако вопросы влияния несферичности примесного потенциала и сильного перемешивания уровней Ландау на спектры МП состояний (а тем более на кинетические коэффициенты) до последнего времени вообще не обсуждались.
Научная новизна результатов, полученных в диссертации определяется следующими основными моментами: Впервые проведено теоретическое изучение влияния рассеяния носителей на мелких нейтральных примесях в полупроводниках различной зонной структуры на уширение линии КЦР, не ограниченное рамками БП. Найдена формула, описывающая линию поглощения КЦР в условиях наличия аксиальной симметрии при взаимодействии носителя со сфероидальными изоэнер-гетическими поверхностями с индивидуальной примесью, в квантующем магнитном поле, справедливая вплоть до нулевых температур. Анализ полученной формулы поглощения позволил найти все основные закономерности уширения линии КЦР от магнитного поля, температуры и параметра анизотропии эффективной массы электрона. Впервые дано качественное объяснение и получено хорошее количественное согласие с наблюдаемыми на эксперименте зависимостями полуширины линии КЦР от температуры и напряженности магнитного поля в полупроводниках с изотропной эффективной массой электронов при рассеянии последних на мелких нейтральных донорах. Выявлена определяющая роль МП состояний носителей на нейтральных примесях в уширении линии КЦР в таких полупроводниках. Для систем носителей заряда с резко анизотропной эффективной массой в квантующем магнитном поле предсказано существование специфического спектра МП состояйий электронов в потенциале мелких нейтральных примесей малого радиуса. Обнаружена динамическая зависимость такого спектра от напряженности магнитного поля, заключающаяся в том, что при его уменьшении МП уровни переходят в континуум с «нестандартным» периодом Я¼. Это приводит, как впервые показано в работа, к возникновению принципиально нового типа осцилляций полуширины линии ЙЦР.
Впервые построена последовательная теория предсказанных осцилляций. Анализ полученных результатов обнаружил радикальную перестройку полуширины линии КЦР с изменением магнитного поля, обусловленную изменением характера рассеяния носителей на МП состояниях различной четности при их переходе в континуум. Исследованы температурные особенности предсказанных осцилляций. Для случая взаимодействия носителей с резко анизотропной эффективной массой с нейтральными примесями малого радиуса, но произвольной глубины, впервые предсказана осцилляционная зависимость полуширины линии КЦР от глубины примесного потенциала. Полученные в диссертации результаты непосредственно указывают на принципиальную зависимость поглощения КЦР от типа рассеивающих нейтральных примесей и индуцированных на них МП состояний. Основные результаты работы 3 ^:
1) На основе кинетического градиентно-инвариантного подхода [30,8], построена последовательная 4) теория КЦР для случая рассеяния электронов на нейтральных центрах:
А) При изотропной эффективной массе электрона ш* и сферически-симметричном примесном потенциале и (г) и радиуса гс, удовлетворящих неравенствам: и |" Й2/ш*гс2, гс2 «/2 (В.1).
Б) При резко анизотропной эффективной массе электрона (шз = шц «т1 = т2 — ту) и сфероидальном примесном потенциале 11(р, г) и радиуса г 2 = тах (гр, Гц), удовлетворяющих неравенствам:
П2/т]1Гс2 «| и |<< Я/тхгс2, гс2 < I2 (В.II).
Первые из неравенств В.1 и В. II, ограничивающие сверху глубину примесного потенциала гарантируют слабое перемешивание уровней Ландау изолированной примесью [19]).
2) Получена формула т-приближения, описывающая линию поглощения КЦР при рассеянии носителей на нейтральных примесях (в условиях (В.1, В. П)), спра.
3) Везде ниже спектр носителей предполагается квадратичным.
4) Без использования теории возмущений по взаимодействию носителей с мелкими примесными центрами. ведливая для широкого диапазона магнитных полей, температур ТС Ншн и расстроек частоты Аш < 8ш <с (Д<^> = ш — и-#, ш — частота электрического поля). Показано, что время релаксации т (е, Аш) и сдвиг частоты г/(е, Аш) задаются оператором одноцентрового рассеяния электрона на одномерном потенциале примеси, усредненном по поперечному движению в магнитном поле, его продольной энергией е и расстройкой Аио от резонанса.
3) Устранены существовавшие до сих пор резкие расхождения между расчетными и экспериментальными зависимостями полуширины линии КЦР 8и>(Н, Т), в полупроводниках с изотропным спектром носителей (п — ОаАв), при их рассеянии на мелких нейтральных примесях.
4) Установлена решающая роль рассеяния носителей с изотропной эффективной массой на МП состояниях нейтральных примесей в уширении линии КЦР в ультраквантовом пределе. Обнаружена смена зависимости бсо от Н и Т в областях их значений, соответствующих резонансному рассеянию на МП состояниях, где полуширина линии КЦР достигает максимального значения.
5) Обнаружено, что в полупроводниках с резко анизотропным энергетическим спектром носителей заряда с изменением Н имеют место периодические по Н¼ осцилляции полуширины линии КЦР, обусловленные резонансным рассеянием на МП состояниях электрона в аксиально-симметричном потенциале мелкой нейтральной примеси при их переходе в континуум. Исследована зависимость полуширины линии КЦР 6и>(Н, Т) в условиях осцилляций. Показано, что при выходе в континуум четного МП уровня полуширина линии КЦР обращается в ноль, в случае же выхода нечетного МП уровня 8ш достигает наибольшего значения. Обсуждается возможность наблюдения предсказанных осцилляций в полупроводниках 4-й группы.
6) Впервые проанализировано влияние МП состояний носителей на нейтральных примесях с потенциалом малого радиуса и произвольной глубины на линию поглощения КЦР. В частности, предсказаны осцилляции полуширины линии КЦР периодичные по я½ для глубоких примесей с глубинами потенциала, близкими к резонансным.
Структура диссертациии: Диссертация состоит из Введения, 3-х глав, Заключения и двух Приложений.
Основные результаты настоящей главы опубликованы в работе [45]. Работа [45] выполнена автором совместно с С. П. Андреевым и Ю. А. Гурвичем.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
Сильное магнитное поле является основным инструментом исследования энергетических спектров и механизмов взаимодействия носителей заряда в различных веществах, в том числе важнейшего аспекта этих проблем — изучение спектров заряженных частиц в потенциале изолированных атомных систем (примесей) и влияния этих спектров на кинетические свойства вещества. Такие исследования необходимы для создания сверхчистых образцов, используемых в различных отраслях современной промышленности — радиоэлектронной, компьютерной и т. д., в связи с исключительным интересом, проявляемым в последнее время к созданию активных систем, где использование веществ с МП состояниями, индуцированными магнитным полем на примесном потенциале конечного радиуса, позволило бы относительно просто создавать инверсную заселенность и недостижимые до настоящего момента частоты генерации и решения целого ряда других прикладных задач. Кроме того, лишь в веществах возможно моделирование различного рода квантовомеханических объектов-атомов и отрицательных ионов в экстремально сильных внешних полях, которые в свободном пространстве реализовать не удается. И, наконец, но не в последнюю очередь, возможность реализации регулируемых магнитным полем квантовых состояний заряженных частиц на нейтральных примесях открывает большие перпектцвы в связи с выявлением механизмов образование глубоких примесей в полупроводниках, а особенно в диэлектриках — где они вообще неясны, и в связи с исследованиями в области теории фазовых переходов типа металл-диэлектрик в неупорядоченных системах — т. е. глубинных проблем строения вещества.
С точки зрения анализа энергетических спектров и получения информации о механизмах взаимодействия носителей заряда с различными атомными системами (примесями), как уже говорилось, исключительно эффективным инструментом является метод ЦР.
Изолированные атомные системы разделяются на два основных класса: кулонов-ские и (нейтральные) примеси с конечным радиусом действия потенциала. Свойства носителей заряда в сильном магнитном поле и примесном потенциале кулоновско-го типа интенсивно изучались в течение последних сорока лет. В то же время вопросы теории энергетических спектров и кинетических явлений в веществах с МП состояниями на примесях с конечным радиусом действия потенциала оставались совершенно неизученными. В значительной степени это было связало с недоверием, проявляемым в продолжении более чем десятилетия к возможности существования связанных состояний заряженных частиц на нейтральных примесях (¿-)~-центров) в наиболее широко исследуемых материалах — полупроводниках и последующими сомнениями в наличии таких состояний в сильных магнитных полях. Лишь в 70-х годах предсказания о реализации таких состояний получили достоверное экспериментальное подтверждение [32]. Первые же эксперименты, проведенные в магнитном поле, выявили определяющую роль МП состояний носителей заряда на нейтральных примесях в кинетике низкотемпературных явлений для широкого класса примесных потенциалов в различных веществах. Это дало мощный импульс теоретическим исследованиям.
В течение нескольких лет рядом авторов были разработаны общие принципы анализа (и проделаны конкретные расчеты) спектров слабосвязанных состояний заряженных частиц на примесях конечного радиуса действия потенциала во внешних (электро-) магнитных полях. На их основе была построена последовательная теория кинетических явлений в веществах различной (зонной) структуры (см. обзор [19]).
Исключение составил лишь ЦР на нейтральных примесях в квантующем магнитном поле. Как мы уже говорили, до последнего времени, все расчеты линии поглощения КЦР в полупроводниках при рассеянии носителей на нейтральных центрах были ограничены рамками борновского приближения. Настоящая диссертация закрывает этот пробел.
На защиту выносятся следующие основные положения:
А) Линия поглощения КЦР в полупроводниках при рассеянии носителей на нейтральных примесях в широком диапазоне магнитных полей, температур и расстроек частоты описывается формулой т-приближения. При этом, время релаксации и сдвиг частоты, определяющие поглощение, задаются матричными элементами оператора рассеяния электрона на одномерном потенциале примеси, усредненном по поперечному движению в магнитном поле.
Б) МП состояния носителей на нейтральных примесях играют решающую роль в уширении линии поглощения КЦР в полупроводниках. Дан анализ влияния рассеяния носител^ейтта МН состоянияхнатшттггопоглощетотя КЦР «интрекем диапазоне Т и Н. Проведено исследование спектров МП состояний и их роли в уширении линии КЦР в зависимости от типа примеси.
В) Дано теоретическое объяснение экспериментов по уширению линии ЦР нейтральными примесями в полупроводниках с изотропной эффективной массой носителей в ультраквантовом пределе. Устранены расхождения между экспериментами по КЦР при рассеянии носителей с изотропной эффективной массой на нейтральных примесях и теорией.
Г) Предсказаны периодичные по Н¼ осцилляций полуширины линии КЦР в полупроводниках с резко анизотропной эффективной массой электрона, обусловленные переходом МП уровней носителей на нейтральной примеси в континуум при уменьшении Н. Развита последовательная теория предсказанных осцилляций и их детальный анализ в широком диапазоне Т и Н.
Подчеркнем здесь, что впервые предсказанные в диссертации осцилляции полуширины линии КЦР на МП состояниях электрона Ландау с резко анизотропной эффективной массой, являются четко выраженными в полупроводниках 1У-й группы при реально достижимых в настоящее время в эксперименте температурах и на-пряженностях магнитного поля. Так при температуре Т=4.2К и магнитных полях, меняющихся в интервале Н — (8.4 • 103 ~ 1.6 ¦ 105) Гс полуширина линии поглощения КЦР в окрестности пиков поглощения, меньше расстояния между пиками, как минимумов 2.5 раза (см. рис.10,11)).
Таким образом в диссертации, на основе проведенных автором оригинальных исследований в области теоретической физики взаимодействия заряженных частиц с веществом и физики твердого тела, решена важная научная (и прикладная) задача: построена «Теория квантового циклотронного резонанса в полупроводниках при рассеянии носителей на нейтральных примесях» 17).
17) Представляется, что завершающими шагами развитой в диссертации теории КЦР в полупроводниках с МП состояниями нейтральных примесей должны быть:1) Снятие ограничений, обусловленных предположениями о слабом перемешивании уровней Ландау отдельной примесью. 2) Анализ динамики МП состояний электрона на нейтральных примесях и их роли в уширении линии КЦР в полуповодниках с анизотропной массой носителей, при изменении параметра анизотропии масс от очень малых значений до единицы.
74 ч.
Практическая ценность. Развитая в диссертации последовательная теория КЦР в полупроводниках при рассеянии носителей на нейтральных примесях и полученные на ее основе конкретные результаты имеют общетеоретическое значение, т.к. они углубляют наши представления о физике элементарных квантовомехани-ческих процессов в веществе. Эти результаты представляют также практическую ценность, так как позволяют весьма просто проводить качественные оценки линии поглощения КЦР в полупроводниках ¿-ак с изотропной, так и с анизотропной эффективной массой носителей. В частности, это относится к определению зависимости полуширины линии КЦР от температуры, напряженности магнитного поля, а также концентрации нейтральных примесей в широких диапазонах изменения последних в ультраквантовом пределе. Полученые в диссертации результаты позволили понять причины неудач всех попыток теоретиков объяснить эксперименты по КЦР при рассеянии носителей на нейтральных примесях и устранить имевшиеся расхождения. Формулы развитой в диссертации теории КЦР позволяют проводить точные расчеты таких представляющих практический интерес параметров, как резонансная частота, площадь и ширина линии ЦР в полупроводниках различной структуры и широкого диапазона типов нейтральных примесей, температур и напряженностей магнитного поля.
