Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках

Диссертация: Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В четвертой главе собраны результаты исследований симметрии фононных спектров и различных физических процессов, происходящих с участием фононов в кристаллах с решеткой халькопирита. Получены правила отбора для ИК поглощения, КР и МБР света, рассеяния медленных нейтронов колебаниями решетки, проанализированы оптические переходы в электронном спектре, происходящие с участием фононов, обсуждены… Читать ещё >

Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Теория энергетической зонной структуры кристаллов с решеткой халькопирита
    • 1. Кристаллическая структура и свойства симметрии энергетических зон
    • 2. Соотношения совместности групп симметрии решеток халькопирита и сфалерита
    • 3. Потенциал возмущения
    • 4. Метод псевдопотенциала в применении к кристаллам с решеткой халькопирита
    • 5. Учет релятивистских эффектов при вычислении энергетической зонной структуры
  • ГЛАВА II. Энергетическая зонная структура полупроводников А2В4с|
    • 1. Полупроводники с прямой и «псевдопрямой» энергетической щелью
    • 2. Структура энергетических зон кристаллов с прямой энергетической щелью
      • 2. 1. Соединение
      • 2. 2. Соединение
      • 2. 3. Соединение ЪгЪпАЬо
      • 2. 4. Соединение Т-П&еЛЬц
      • 2. 5. Соединение 'СсСЗпР^
      • 2. 6. Соединение СсСВ^бо
      • 2. 7. Соединение Ъь^пР^
      • 2. 8. Соединение СсС&ер?
    • 3. Структура энергетических зон кристаллов с «псевдоггрямой» энергетической щелью «
      • 3. 1. Соединение ¿л ?1 Ллр&bdquo
      • 3. 2. Соединение 1к (к,
      • 3. 3. Соединение и Л Рг
      • 3. 4. Соединения Сс1 ?1 Рг и МС* ?1 Ря
        • 3. 4. 1. С (1ЬР^
        • 3. 4. 2. Мд & Рг
  • ГЛАВА III. Энергетическая зонная структура полупроводников' А1В3С^
    • I. ¿/-электроны атомов благородных металлов и проблема построения кристаллического потенциала
    • 2. -Энергетическая зонная структура соединений (л В3с|
      • 2. 1. Соединение СиМ £г
      • 2. 2. Соединение Си М
      • 2. 3. Соединение Си (и ?&
      • 2. 4. Соединение Си 9(
      • 2. 5. Соединение С (1 9(1 Те &
      • 2. 6. Соединение (кП £ц,
      • 2. 7. Соединение & А
      • 2. 8. Соединение СиУпТе-г
    • 3. Энергетическая зонная структура соединений Ц В3с|
      • 3. 1. Соединение ЛйМ^г,
      • 3. 2. Соединение М (та? &
      • 3. 3. Соединение Ц
  • — 4 ~
    • 3. 4. Соединение
    • 3. 5. Соединение ЛдУпВа
    • 3. 6. Соединение ДдУпЗъ^
    • 3. 7. Соединение ЯдОпТе^
    • 4. Экспериментальное проявление Ж -зон атомов благородных металлов. Строение
  • И О) п валентной зоны соединений, А В С|
    • ГЛАВА 1. У. Симметрия нормальных колебаний и оптические свойства кристаллов со структурой халькопирита
    • 1. Симметрия решеточных колебаний соединений А2В4С| и А1В3С|
    • 2. Правила отбора для инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света на колебаниях решетки халькопирита
    • 3. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки халькопирита
    • 4. Правила отбора для неупругого рассеяния нейтронов в кристаллах со структурой халькопирита
    • 5. Теория инфракрасной дисперсии света в кристаллах с решеткой халькопирита
    • 6. Упругие волны в кристаллах халькопирита, рассеяние Мандельштама-Бриллю
  • ГЛАВА V. Применение модели жестких ионов к исследованию колебательных спектров кристаллов с решеткой халькопирита
    • 1. Общая характеристика модели
    • 2. Кулоновская часть динамической матрицы
    • 3. Вклад короткодействующих нецентральных сил в динамическую матрицу
    • 4. Упрощение динамической матрицы, основанное на симметрии и кристаллохими-ческих особенностях тройных соединений
    • 5. Качественный анализ длинноволновых оптических колебаний в кристаллах с решеткой халькопирита
    • 6. Определение параметров модели жестких ионов на основе экспериментов по ИК отражению, поглощению и КР света
    • 7. Вычисление упругих и пьезоэлектрических постоянных
  • Г~ Л |Г
  • ГЛАВА VI. Решеточная динамика соединений А^В С?! и
    • 1. Соединение 2пЗсР^
    • 2. Соединение СсССеРг
    • 3. Соединение 2п (кР^
    • 4. Соединения СЖЪ’ьР^ } ЪгВ/гР^
  • Со (.&пРг
    • 4. 2. СоС5пРг и ЪгЗпРг
    • 5. Соединение Ъ1г8сЛ$э
    • 6. Соединение
    • 7. Сульфиды
  • ЧЛ.СиСаВг
    • 7. 3. СиУп$
    • 8. Селениды
    • 8. 1. Л^йгЯе^
    • 8. 2. ???<7/2,5%
    • 9. Теллуриды. ъл. Лд (я>Тег
    • 9. 3. Л#Ые г
    • 9. 4. ?6 ¿"Те*
    • 10. Модель тензорного заряда в решеточной динамике соединений А2В4с| и А1В3с|
  • Константы поляронной связи
    • 11. Модель жестких ионов и химическая связь в тройных полупроводниках
  • ГЛАВА VII. Анизотропия явлений переноса в полупроводниках А2В4с| и А1В3С|
    • 1. Экспериментальные исследования подвижности и механизмов рассеяния нор д с сителей заряда в соединениях, А В С^ и А1В3С| (обзор)
      • 1. 1. Механизмы рассеяния
      • 1. 2. Соединения
      • 1. 3. Соединения А1В3с|
    • 2. Теория анизотропии кинетических явлений в полупроводниковых соединениях тетрагональной сингонии
    • 3. Теория анизотропии кинетических явлений для различных вариантов энергетической зонной структуры соединений А2В4С| и А1В3С|

В современной физике твердого тела существенно увеличился удельный вес исследований новых материалов, необходимых душ удовлетворения возрастающих потребностей техники. При этом изучаются все более сложные в смысле кристаллической структуры и химического состава вещества. Рост технологических трудностей и дороговизны эксперимента повышает ценность теоретических исследований таких фундаментальных характеристик сложных соединений, как энергетическая зонная структура и динамика кристаллической решетки, на основе которых возможно прогнозирование свойств изучаемых веществ. Настоящая работа содержит результаты наших исследований по теории энергетической зонной структуры, динамике кристаллической решетки и теории явлений переноса в тройных полупроводниковых соединениях типа А%^с| и кристаллизирующихся в решетку халькопирита.

Разработанная, теория позволила обсудить результаты многочисленных экспериментальных исследований физических свойств названных соединений и предсказать некоторые новые их свойства.

Систематические исследования физических и физико-хиштческих свойств тройных полупроводниковых соединений в СССР начаты Н.А.Го-рюновой и ее сотрудниками [17, 64, 65, 161]. С конца 60-х, начала 70-х годов интенсивные исследования свойств этих соединений ведутся уже во многих зарубежных странах, особенно в США, Англии, Франции, Японии. В 1975 г, в США выпша первая зарубежная монография, посвященная физическим и физико-химическим свойствам тройных алма-зоподобных полупроводников [4771. р Д С ТОЛ.

Интерес к полупроводникам АВ’С^ и, А В С^ обусловлен оригинальным сочетанием их физических и физико-химических свойств. Эти соединения являются ближайшими электронными, химическими и кристаллохимическими аналога,®двойных соединений и и обладают рядом свойств, присущих этим бинарным аналогам. Вместе с тем тройные соединения имеют некоторые существенные отличительные особенности, которые и создают цринципиально новую основу для. их практического применения. Они оптически анизотропны и обладаю высокой нелинейной восщшимчивостью, что служит основой для их применения в различных нелинейных оптических устройствах [477]. Б ряде работ [27, 89, 151, 395] установлена сильная поляризационная зависимость краевого излучения и фотоактивного поглоп / г щенпя кристаллами, А В-05?, что может быть использовано для создания светодиодов и лазеров, излучение которых будет обладать поляризацией. В [19] сообщается о создании оптического квантового генератора на основе Сс1 Рг, при этом обращается внимание на низкий порог генерации в этом соединении по сравнению с — на этом же кристалле наблюдались неустойчивости фототока [130] и тока [7з]. Фоточувствительность диодов из Сй 81 Лл^сравнима с соответствующим значением для фотодиода из, что позволяет считать С (1!э1 Лля одним из малочисленных потенциальных конкурентов в качестве материала для солнечных элементов [39]. 4 5.

Отличительной особенностью диодов на основе кристаллов, А В С^ является чувствительность фотоответа к поляризации линейно-поляризованного излучения [27, 89, 203, 395] - эта особенность дает возможность применять созданные диоды в качестве высокочувствительных селективных фотоанализаторов поляризованного излучения, работающих при комнатной температуре. В [2041 сообщается о создании фот о приемника на основе структуры 2ц (к Рг с новой функциональной возможностью, которая заключается в управлении знаком фототока посредством изменения положения плоскости поляризации линейно-поляризованного излучения. Рассмотренная структура может быть использована в полнриметрии и специальных системах лазерной связи, обладающих «скрытым» характером модуляции излур д с чения по поляризации. Перечень свойств соединений, А В С^ и т я р

А В С2, интересных для полупроводниковой электроники, может быть продолжен.

Физические основы, на которых базируются созданные и предсказанные приборы и устройства, заложены в особенностях электронной энергетической структуры, кристаллической структуры и свойств колебаний решетки, цравил отбора для оптических переходов, свойств дефектов.

В связи с изложенными обстоятельствами целью данной работы явилось: а) разработка методов вычисления параметров энергетической ¦зонной структуры сложных полупроводниковых соединений на основе тлеющихся методов и сведений о зонной структуре элементарных и бинарных полупроводников и применение этих методов к соединениям А2В4с| и А1В3с| - б) построение модели динамики кристаллической решетки слож-. ных псщуцроводниковых соединений А2В4с|. и А^В^С^, которая позволила бы с использованием минимального числа эмпирических параметров восстановить фоноиный спектр кристалла, объяснить и предска.-зать'экспериментальные особенности этих соединений, связанные с / колебаниями решеткив) выяснение специфических особенностей полупроводниковых соединений А2В4с| И А^В^Ср, связанных с анизотропией кристаллической структуры, усложнением электронного и фононного спектров, с целью предсказания новых явлений, представляющих интерес для полупроводниковой электроники.

Диссертационная работа, помимо введения, содержит семь глав, заключение, выводы, приложения и список литературы.

В первой главе изложена техника расчета энергетической зонной структуры кристаллов с решеткой халькопирита. Первые работы в этом направлении выполнены с использованием метода теории возмущений, в котором в качестве невозмущенного принимается зонный спектр кристаллов с решеткой сфалерита. В расчетах по теории возмущений не учитывается реальная кристаллическая структура халькопирита — тетрагональное сжатие решетки и смещения анионов из узлов гранецентрированной подрешетки. Эти работы, однако, тлеют и свое преимущество — поскольку дают возможность установить генезис энергетических уровней халькопирита из уровней сфалерита. и позволяют найти общность и различия в зонной структуре этих соединений.

Дальнейшее развитие техники расчета энергетической зонной структуры соединений Л2В4с| сделано в работах [185 — 187, 327]. В этих работах расчеты проведены без. цривлечения теории возмущений, тетрагональное сжатие учтено точно, однако пренебрегается смещением анионов из узлов гранецентрированной подрешетки.

Последовательный учет всех структурных особенностей решетки халькопирита (тетрагонального сжатия, смещения анионов из узлов гранецентрированной подрешетки) при расчетах зонного спектра сделан в работах [184,438]. Наиболее тщательно в этих работах проанализировано влияние смещения анионов на энергетический зон.

Г) л [Г т о п ный спектр соединений, А В С)? и, А В С^.

Обобщение метода псевдопотенциала для расчета зонного спектра соединений А2В4с| и А^С^ на случай учета спин-орбитального взаимодействия сделано в нашей работе.

163].

Во второй главе представлены результаты расчетов энергер Д Гтической зонной структуры соединений, А В’С^. Установлены особенностикраев энергетических зон и расположение высших энергетических уровней этих соединений. Предсказаны некоторые специфические.

2 4 5 особенности строения энергетических зон соединений, А В С^. Проанализированы многочисленные экспериментальные данные по электрическим, фотоэлектрическим, оптическим, гальванои термомаг.

2 4 5 нитным явлениям в соединениях А" В С*?.

В третьей главе представлены результаты расчетов энергети.

Т О с ческой зонной структуры соединений, А В С^. Дан детальный анализ имеющихся экспериментальных сведений. Обсуждено влияние заполненныхоболочек благородных металлов на энергетическую зонную структуру и возможность проявления ¿—уровней в различных физических явлениях.

В четвертой главе собраны результаты исследований симметрии фононных спектров и различных физических процессов, происходящих с участием фононов в кристаллах с решеткой халькопирита. Получены правила отбора для ИК поглощения, КР и МБР света, рассеяния медленных нейтронов колебаниями решетки, проанализированы оптические переходы в электронном спектре, происходящие с участием фононов, обсуждены допускаемые симметрией типы рассеяния носителей заряда на фононах. Дан качественный анализ колебательных спектров соединений с решеткой халькопирита на основе их сопоставления со спектрами бинарных аналогов. Развита теория Ж дисперсии света в кристаллах с решеткой халькопирита. Рассмотрена теория упругих волн в кристаллах тетрагональной системы, для решено уравнение Кристоффеля и исследована анизотропия распространения акустических волн в этом кристалле.

В пятой главе развита модель жестких ионов применительно к кристаллам с решеткой халькопирита. Короткодействующая часть потенциальной энергии записана в приближении взаимодействия первых соседей. Двум неэквивалентным связям — С5 (А1 -С®-) и.

А С.

В — С (В — Сь) отвечают две силовые матрицы, которые выражаются через 5 независимых констант. Сформулирован также приближенный вариант теории, в котором силовые матрицы имеют симметрию, аналогичную силовым матрицам сфалерита. — в этом случае теория содержит всего 3 независимые константы, описывающие короткодействующие силы. Развит метод вычисления кулоновской части взаимодействия. Получены формулы для вычисления упругих и пьезоэлектрических постоянных. Разработан метод определения параметров силового взаимодействия из оптических экспериментов по ИК поглощению и отражению. Дан полуколичественный анализ длинноволновых оптических колебаний.

В шестой главе модель жестких ионов применена к вычислению.

О / [Гг о р фононных спектров соединений, А В С-? и, А В С<?. Параметры силового взаимодействия определены 'путем подгонки теоретических мод под эксперимент с минимизацией среднеквадратичных отклонений. Фонон-ный спектр некоторых кристаллов вычислен в длинноволновом пределе, а также длят основных симметричных точек и направлений зоны Бриллюэна, вычислены силы осцилляторов ИК активных частот и компоненты тензора диэлектрической проницаемости. Вычислены упругие и пьезоэлектрические постоянныеиз экспериментальных значений сил осцилляторов определены константы поляронной связи. Исследовано неаналитическое поведение длинноволновых оптически активных частот, дана интерпретация экспериментов по ИК поглощению и отражению. Для выяснения вопроса о применимости модели точечного иона к тройным соединениям, фононный спектр Z/г Л и Щ, А вычислен. в модели тензорного заряда, результаты сопоставляются с расчетами по модели точечного иона. Из сопоставления параметров силового взаимодействия различных тройных и бинарных соединений сделаны некоторые количественные выводы о характере химичес.

— 14 кой связи в тройных соединениях.

В седьмой главе представлено рассмотрение анизотропии явлений переноса в соединениях А2В4с| и А^С®. Нами развита теория анизотропии явлений переноса в кристаллах тетрагональной системы, дано подробное рассмотрение характера анизотропии для некоторых типичных вариантов структуры краев энергетических зон.

В заключении намечены возможные перспективы дальнейших исследований, в разделе выводы кратко суммированы результаты представленной работы.

В приложениях приведены параметры структуры кристалличес.

О / С т о л кой решетки соединений, А В Ср и, А В Ср., некоторые результаты теоретико-групповых исследований, вычисленные по усовершенствованной модели Кейна эффективные массы электронов и дырок соеди-2 4 п нений, А В Со, экспериментальные значения пиков отражения и мо/О дулядионных спектров, вместе с вычисленными энергиями прямых зона-зонных переходов, измеренные длинноволновые оптические частоты и некоторые другие параметры, имеющие отношение к динамике решетки.

Основные положения, представленные к защите" I. Создание метода вычисления энергетической зонной структуры сложных алмазоподобных соединений, основанного на кристалло-химической близости этих соединений к элементарным и бинарным полупроводника!, 1. 2. Обнаружение и исследование неизвестных ранее особенносо, А стей электронной энергетической структуры соединении, А В^С^ и.

3.Результаты теоретико-группового анализа решеточных колебаний и физических процессов, связанных с ними, для. кристаллов с решеткой халькопирита.

4. Развитие моделей силового взаимодействия ионов в тройных соединениях и впервые полученные результаты вычислений фо-нонных спектров и характеристик химической связи кристаллов.

А^В4С| и А1В3С|.

5. Указание особенностей анизотропии явлений переноса для конкретных моделей краев энергетических зон тетрагональных кристаллов, на основе которых могут быть проведены детальные исследования расположения экстремумов зон и законов дисперсии носителей заряда.

6. Разработка физических основ микроскопической теории оптических, фотоэлектрических, кинетических явлений в тройных ал-мазоподобных соединениях, выявление: общих свойств тройных и бинарных полупроводников, а также специфических особенностей тройных соединений, обусловленных анизотропией кристаллической структуры.

Научную новизну работы составляют:

— предлагаемая модель «перенесения» атомных форм-факторов из простых соединений в более сложные при наличии общности химической связи и доказательство црименимости этой модели к большой группе кристаллов;

— предсказание двух принципиально различных вариантов строения зоны проводимости в соединениях А^В4с| и А^В^С^, впоследствии подтвержденное экспериментальными исследованиями;

— обнаружение новы:-: закономерностей в строении валентной зоны тройных соединений, обусловленных особенностями кристаллической структуры;

— предлагаемый метод-интерпретации оптических и рентгеновских спектров тройных соединений, основанный на сопоставлении энергетических зонных спектров тройных и бинарных аналогов;

— выявление качественных особенностей в спектрах ЙК поглощения и отражения, КР и МБР света, рассеяния тепловых нейтронов решеткой, спектров УФ поглощения с участием фононов, рассеяния носителей заряда решеткой и т. п. на основе теоретико-группового анализа;

— развитие и реализация модели жестких ионов применительно к. вычислению соононных спектров, упругих и пьезоэлектрических поп г г ТЯГ стоянных, констант поляронной связи соединений, А БС^ и, А В С^;

— установление связи между анизотропией спектров ИК поглощения и отражения и особенностями спектров механических поляритонов в тройных соединениях;

— определение количественных характеристик химической связи в тройных соединениях из оптических ИК спектров и выявление на их основе закономерностей изменения химической связи при переходе от бинарных соединений к тройным и в ряду тройных соединений;

— предсказание новых особенностей явлений переноса, обусловленных спецификой строения краев энергетических зон в тетрагональных кристаллах.

Научная и практическая ценность. Представленные в настоящей работе исследования всвоей совокупности являются основой для создания полной микроскопической, теории физических свойств тройных алмазоподобных соединений. Анализ многочисленных•экспериментальных данных показывает, что теория объясняет многие факты и имеет предсказательную силу.

Установленные нами общие особенности тройных и бинарных полупроводников, а также предсказанные специфические особенности тройных соединений представляют теоретическую основу для прогнозирования свойств материалов полупроводниковой электроники на основе тройных соединений.

Наличие предсказанных наш различных вариантов строения краев энергетических зон в соединениях А^В^Ср и А^В^С® и возможность смены этих вариантов при изменении состава (твердотельные сплавы) или под влиянием внешних воздействий (давление) а позволяет направленным образом менять свойства материалов.

Обнаруженные нами особенности строения краев энергетических зон и специфическая поляризационная зависимость края поглощения уже в настоящее время используются для конструирования фотоцриемников-анализаторов излучения. На основе этих же особенностей могут быть созданы светодиоды и лазеры, излучение которых будет обладать поляризацией.

Предсказанная сильная анизотропия эффективных масс электрор л ^ нов в некоторых соединениях, А В С^ и наличие конкурирующих экстремумов зоны проводимости могут привести к неустойчивостям твердотельной плазмы в соответствии с механизмом Ридли — Уоткип-са. и служить основой для конструирования генераторов высоких колебаний Ганна.

Теоретико-групповые исследования свойств колебаний и найденные нами правила отбора представляют основу для. понимания и интерпретации оптических и иных процессов, происходящих с участием фононов.

Полученные в работе данные о колебательных спектрах конкрет.

Г} л г— Т О /2 ных соединений, А В и, А В^ могут быть использованы при выборе материалов для конструирования приборов, работающих в ИК диа-тазоне.

Предсказанные закономерности изменения химической связи при переходе от бинарных соединений к тройным и в ряду тройных соединений полезны при выборе материалов с наперед заданными свойствами.

Обнаруженные особенности анизотропии явлений переноса тройных соединений создают основу для детального исследования структуры краев энергетических зон тетрагональных полупроводников и могут быть полезными при конструировании соответствующих приборов.

Представленная совокупность исследований закладывает новое научное направление: «Теоретические основы физических свойств тройных алмазоподобных соединений» .

Апробация работы.

Основное содержание работы докладывалось на У1-Х Всесоюзных совещаниях по теории полупроводников (Кишинев, 1964 г., Тарту, 1966 г., Киев, 1975 г, Тбилиси, 1978 г., Новосибирск, 1980 г.) — 1У-У Всесоюзных конференциях по химической связи в полупроводниках и полуметаллах (Минск, 1970 г., 1974 г.) — Конференции молодых ученых и специалистов Сибири и Дальнего Востока (Красноярск, 1969 г.) — III Всесоюзном симпозиуме по полупроводникам сложного состава (Ужгород, 1979 г.) — Всесоюзном совещании «Физико-химические и физические свойства полупроводников типа А2В4с| и А2в|с|» (Кишинев, 1971 г.) — Всесоюзных конференциях «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1976 г., 1979 г.) — Всесоюзной конференции по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа А3В5 и А234С§ (Ашхабад, 1971 г.) — Всесоюзной конференции по теории твердого тела (Москва, 1969 г.) — 1-П Всесоюзных совещаниях по методам расчета энергетической зонной структуры и физических свойств кристаллов (Киев, 1976 г., 1979 г.) — 1-П Всесоюзных семинарах по зонной теории и теории динамики решетки (Донецк, 1978 г., Одесса, 1980 г.) — различные аспекты этой работы обсуждались на семинарах лабораторий СФТИ (г.Томск), ЛФТИ (г.Ленинград), ШП СО АН СССР (г.Новосибирск), ШФ АН МССР, Ш АН Лит. ССР, на семинаре кафедр квантовой механики и квантовой химии Ленинградского госуниверситета, физическом семинаре Кемеровского госуниверситета.

По материалам диссертации опубликованы статьи [" 42,50−52, 66,116−118,128,132,134,136,163,164,171−196,198,237,307,327, 436,438−440]. I.

выводы.

1. Показано, что основные качественные особенности зонного спектра тройных алмазоподобных соединений вытекают из их сопоставления, с использованием техники теории возмущений, с бинарныо (Г О Р. ми аналогами, А В и, А В.

2. Для большой группы соединений доказана применимость модели перенесения" атомных форм-факторов из бинарных соединений (для которых форм-факторы определены из эксперимента) в тройные при вычислении энергетической зонной структуры. р /) рг Т О (2.

3. Установлено, что соединения, А В С£> и, А В разбиваются на две группы с существенно различным устройством дна зоны проводимости: «прямозонные», у которых на краю поглощения реализуется прямой разрешенный переход, эффективные массы электронов малы (#1%? ОЛт. о) и слабо анизотропны- «псевдопрямозонные», у которых на краю поглощения реализуется либо прямой запрещенный, либо непрямой переход, предсказана сильная анизотропия эффективных масс электронов в центре зоны Бриллюэна {яг^, т^-О.дМе,.

4. Установлено, что вершина валентной зоны большинства соединений и АХВ3С2 происходит из уровня Е (Г15) сфалерита, расщепленного кристаллическим (Лкр.) и спин-орбитальным Ис.о.) взаимодействиями. При существенном искажении анионнойранецентрщюванной подрешетки (& Р^, Л^ & Рл) указана возможность реализации вершины валентной зоны в точке Т (00 X/с).)тмечены особенности края поглощения, характерные для разных вари-1нтов устройства краев зон.

5. Показано, что интерпретация спектров отражения и модуляционных спектров в глубине собственного поглощения тройных соединеним может быть сделана путем сопоставления главным максимумам отражения прямых зона-зонных переходов, имеющих аналоги в сфалерите, структуры на главных пиках возникают из-за расщепления уровней сфалерита и наличия прямых переходов, которым в сфалерите отвечают непрямые переходы.

6. Методами теории групп для кристаллов халькопирита установлено, что в однофононном ИК поглощении активны 3 моды для.

Е Ht и 6 для Е1 ?' - для* однофононного КРС активно 13 мод. Найдены также правила отбора для двухфононных Ж поглощения и КРС, правила отбора для МЕР, рассеяния тепловых нейтронов решеткой, непрямых переходов в электронном спектре, рассеяния носителей заряда решеткой. Сильная анизотропия Ж отражения объяснена характером спектра поляритонов.

7. Из численного решения уравнений теории упругости для тройных' соединений найдено, что имеется 13 продольных нормалей, 9 акустических осей, из которых 8 являются направлениями конической рефракции звука, определены направления распространения чисто поперечных звуковых волн, установлено, что характер распространения поперечных акустических волн существенно отличается от случая изотропного кристалла, в то время как для продольных волн эти отличия менее существенны.

8. Установлено, что основные особенности фононных спектров тройных соединений могут быть описаны в простейшей модели — приближение первых соседей для короткодействующих сил, модель точеч-ï-oro иона или тензорного заряда для кулоновских сил. Вычисленные бононные спектры для 21 кристалла, силы осцилляторов, компоненты щругого, диэлектрического и пьезоэлектрического тензоров позво-шли интерпретировать многочисленные экспериментальные данные.

9. Из анализа вычисленных параметров связи установлено, что прочность связи ослабляется с увеличением атомного номера компонентов соединениянайдено, что в тройных соединениях имеют место распределения зарядов, близкие к чисто ковалентному Б° С^" 1″, чисто ионному А1+ В3+ с|~ и случай конфигурации А2+ В2+ с|~. Близость параметров связи в бинарных и тройных полупроводниках' позволяет предсказать свойства последних по известным свойствам бинарных.

10. Из вычисленных значений констант акустического 9) оптического 9с, 1 Г деформационных потенциалов, констант полярон-ной связи и анализа правил отбора сделаны выводы: акустическое и полярное оптическое рассеяние в тройных соединениях того .же порядка, что и в бинарных, неполярное оптическое рассеяние на порядок ниже в тройных, чем в £с, & - медцолинное рассеяние в тройных соединениях должно быть интенсивнее, чем в бинарных и элементарных из-за усложнения электронного и фононного спектров и ослабления правил отбора.

11. Показано, что угловая зависимость кинетических коэффициентов в продольном и поперечном классическом слабом магнитном поле качественно различна для трех типичных вариантов строения краев энергетических зон соединений А2В4С2 • ж «что может быть золожено в основу детального исследования расположения экстрему-лов: зон и законов дисперсии.

заключение

.

В настоящей работе показано, что расчеты по методу псевдопотенциала с использованием простых моделей кристаллических псевдопотенциалов позволили получить результаты, объясняющие многочисленные экспериментальные данные и предсказывающие некор и с торые особенности электронных спектров соединений, А В С^ и ахв3ф.

Анализ с позиции теории групп колебаний кристаллической решетки халькопирита, а также ряда физических процессов, происходящих с участием фононов, объясняет основные качественные особенности соответствующих экспериментов. Предложенная модель силового взаимодействия в халькопирите — когда короткодействующие нецентральные силы учтены только в приближении первых соседейприводит к хорошему количественному соответствию фононного спектра эксперименту, за исключением нескольких наинизших частот, для которых имеется лишь качественное соответствие.

Нами указаны особенности анизотропии явлений переноса для трех наиболее вероятных моделей краев энергетических зон тетрагональных кристаллов, на основе которых могут быть проведены детальные исследования расположения экстремумов зон и законов дисперсии носителей заряда. Для дальнейших исследований автору представляется перспективным:

— обобщить теорию энергетической зонной структуры соединений А^В4с| и А^В3С? с учетом замкнутых ¿-/-оболочек 2п, СУ, Си. > и спин-орбитального взаимодействия, с целью получения более полной информации об энергетических уровнях, расположенных в пределах валентной зоны;

• развить метод вычисления температурной зависимости энергети-юских уровней, с учетом анизотропии теплового расширения решет-си и анизотропии среднеквадратичных температурных отклонений атомов, для понимания аномального поведения Ед (Т), и.

Ас, с (Т);

— разработать методы расчета плотности электронных состояний, действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости, электронной плотности, что позволит глубже понять рентгеновские и оптические спектры кристаллов, а также природу химической связи в них;

— построить детальную феноменологическую модель силового взаимодействия в тройных соединениях, вычислить фононные спектры по всей зоне Бриллюэна, плотность фононных частот и построить термодинамику кристаллов А2В4с| и а*в3с| ;

— сформулировать динамическую теорию кристаллической решетки халькопирита исходя из первых принципов — энергетической зонной структуры, диэлектрической матрицы — с целью получения единого подхода к описанию физических явлений в тройных соединениях;

— построить теорию анизотропного рассеяния в тройных соединениях на акустических и оптических колебаниях решетки, ионизированных примесях и т. д., для понимания анизотропного характера подвижности и ее температурного поведения;

— изучить особенности температурных, концентрационных, полевых и барических зависимостей кинетических коэффициентов, для типичных вариантов зонной структуры соединений А2В4с| и А^В3^, с целью объяснения известных закономерностей и предсказания новых.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Прочный интерес к физике сложных полупроводников сложился у автора под влиянием доктора химических наук, лауреата Государственной премии, профессора Нины Александровны Горюновой. Её кипучей энергии, активному интересу к теории сложных полупроводниковых соединений, стимулирующим обсуждениям многих вопросов я весьма обязан. Работы написанные совместно с Ниной Александровной для меня наиболее дороги.

В процессе работы автору часто приходилось в той или иной форме сотрудничать с экспериментаторами. Заведующий лабораториейJiffl д.х.н. В. Д. Прочухан, ст.н.с., к.ф.-м.н. Ю. В. Рудь предоставляли возможность обсуждения наших работ на семинарах в ЖГИ, знакомили с результатами, полученными в лаборатории, с ними автор координировал план исследований. Вопросы связанные с оптическими свойствами полупроводников в УФ области мы конструктивно обсуждали с зав. лабораторией ИПФ АН МССР д.ф.-м.н. В. В. Соболевым. Член—корреспоццент АН Лит. ССР, д.ф.-м.н., профессор А. Ю. Шилейка заинтересованно и критически обсуждал наши результаты по энергетической зонной структуре на различных совещаниях и на семинаре в ИП АН Лит.ССР. Мы также плодотворно сотрудничали с лабораторией полупроводников Киевского пединститута, руководимой к.ф.-м.н. доцентом И. И. Тычинок.

Первые работы По зонной теории полупроводников А2В4с| выполнены нами совместно с зав. лабораторией СФТИ, к.ф.-м.н. В. А. Чалдышевым, активно поддержавшим эти исследования и ст.н.с., к.ф.-м.н. Г. Ф. Караваевым, предоставившим результаты теоретико-групповых исследований, имеющих отношение к зонной структуре.

Развитие метода расчета энергетических зон и. применение его ко одс т 'з с всему классу соединений, А В С>> и, А В Сг> сделано в наших работах с Ю. И. Полыгаловым (к.ф.-м.н., доцент КемГУ), который вложил много труда в создание библиотеки действующих программ по расчету зон. Ст.н.с. СФТИ, к.ф.-м.н. А. М. Ратнер выполнил совместно с наш трудоемкие исследования влияния структурных особенностей решетки на положение энергетических зон. Работы по теории колебании кристаллической решетки мы начинали совместно с В.Г.Тютере-вым (ст.н.с. СФТИ, к.ф.-м.н.), в самые последние годы работы цродолжались совместно с сотрудниками КемГУ — асс.А. В. Копытовым и м.н.с. В. Е. Владимировым.

Большой труд в оформление рукописи вложен лаборантом Л. Г. Поте евой.

Всем перечисленным товарищам приношу сердечную благодарность.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Ш., Мамедов B.K. Фотопроводимость монокристаллов «ФТП», 1980, т.18, J& 5, с. 892 — 896.
  2. Т.К., Мменков А. Н., Прочухан ВД., Рудь Ю. В., Таштанова М. Электрические свойства и фотопроводимость кристаллов к- типа «ДАН СССР», 1974, т.216,1. I, с. 56 58.
  3. Г. К., Мамедов А., Прочухан В Д., Рудь ЮЗ. Диодные структуры на кристаллах M? Slfi «„ФШ“, 1978, т. 12, № 9, с, 1732 1737.
  4. Г .К., Пичахчи Г. И., Прочухан ВД., Рудь Ю. В., Таштанова М., Рыбакова Т. В. Оптическое поглощение в крио-таллах „„Известия вузов СССР. Физика“, 1975,, JS 4, с. 142 144.
  5. ГЛ., Прочухан В. Д., Рудь Ю.В, Скршшин В. А., Таштанова М. Термоэдс и эффективная масса дьфок в кристаи -лах „ФТП“, 1973, т. 7, № II, с. 2172−2174.
  6. Аверкиева Г .К, Прочухан В Д“, Рудь Ю. В., Таштанова М. Электрические свойства чистых и леифованных монокристаллов „Изв. АН Узб. ССР, сер.физ.-мат. наук“, 1974, В 2, с. 46 — 50.
  7. Аверкиева Г .К*, Прочухан БД., Рудь Ю. В, Таштанова М. Жидкие полупроводники и металлы в сплавах разреза &-(SnJls~Jnlk-„ФШ“, 1974, т. 8, J6 4, с. 711 715.
  8. И.П., Борщевский A.C., Иванов B.C. Оптические и фотоэлектрические свойства CdfoM^ „ФТП“, 1973, т. 7, & I, с. 114 118.
  9. ИЛ., Иванов B.C., Борщевский A.C. Спектры алектроотражения кристаллического и стеклообразного СсСОеЛ^- „фШ' 1973, т. 7, ti 2, с. 425−426.
  10. И.Х., Златкин Л .Б, Спектры оптического отражения монокристаллов Zn-Si?, „ДАН СССР', 1966, т. 168,№ 3, с.547−549.
  11. А., Векилов Ю. Х., Кадышевич А. Е., Исаков А. П. Динамика решетки соединении A2B6 „ФТТ“, 1974, т.16, № 10, с. 2860−2865.
  12. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках, „Наука“, Л. 1970.
  13. А.П., Бергер Л .И., Довлетов К. Электропроводностьи термоэдс в твердом и жвдком состояниях: „Изв.
  14. АН typKM. CCP, сер. физ.-тех.-хим. и геогр. наук“, 1973, ie 6, с. 88−90.
  15. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. „Наукова думка“, Киев, 1975.
  16. М.Л., Валов Ю. А., Горюнова H.A., Златкин Л. Б., Имен-ков А.Н., Козлов М. М., цдренков Б. В. Оптические и фотоалект-рические свойства монокристаллов £г /д, „ДАН СССР', 1965, т.163, & 3, с.606−608.
  17. Л.И., Петров В. М. Оптические и фотоэлектрические свойстваганические материалы“, 1970, т. 6, № 7, с. 1348−1349.
  18. Л.И., Прочухан В. Д. Тройные алмазоподобные полупроводники, „Металлургия“, М., 1968.
  19. Ф.М., Гарбузов Д. З., Горюнова п.А., лошако-ва г.В., гЫвкш u.M., Шпеньков Г. 11. Иалучатеуцдая рекомбинация в кристаллах „ФТП“, 1968, т. 2, jte 5, с. 744−747.
  20. Ф.М., Горюнова H.A., Орлов В. М., В*вкин G.M., Соколова В. И., цветкова Е.В., Шпеньков Г. П. Оптический квантовый генератор на CdBn^ с возбуждением электронным пучком „№“, 1968, т.2,? 8, C. X2I8-I220.
  21. Бир ГЛ., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. „Наука“, ШМ, 1972.
  22. Дж. Пространственная симметрия и оптические свойства твердых тел. т.1, 2, „Мир“, М., 1978.
  23. H.G., Мамедов Б. Х., Османов Э. О. Инфракрасные спектры кристаллов некоторых соединений типа А^А)^ -пуШ“, 1970, т. 4, Je 3, с. 596−598.
  24. И.В., Кароза А. Г., Смирнова Г. Ф. Исследование оптических свойств твердых растворов ^ ~ „Журнал прикладной спектроскопии“, 1980, т. 33, № 4, с.718--722.
  25. М., Кунь 1уан. Динамическая теория кристаллических решеток. ИЛ. М. 1958.
  26. A.C., Валов Ю. А., Горюнова H.A., Османов Э. О., Рывкин С. М., Шпеньков Г.11. Иаяучатеяьная рекомбинация в кристаллах и „ФТИ“, 1968, т. 2,.№ 9, с. 1367−1369.
  27. A.C., дагина Н.Е., Лебедев A.A., Овезов К., Полушина И. К., ЗДъ Ю.В. диффузионные п-р-переходы из CtiGtJh^ „ФТП“, 1976, т.10, & 8, с. 1571−1573.
  28. Борщевский: A.C., Дагина Н. Е., Лебедев A.A., Овезов К., Подушина И. К., ЗДь Ю. В. Фоточувствительность Cd0&^^ к линейнфоляризованному излучению „ФПГ, 1976, т. 10,1. J& 10, с. 1905−1910.•
  29. A.C., Кунаев A.M., Кусаинов С. Г., Лебедев A.A., Рудь Ю. В., Увдалов Ю. К. Фотоэлектрические свойства кристаллов CclfoP^ „ФШ“, 1975, т. 9, № 5, с. 1021−1023.
  30. A.C., Кунаев A.M., Кусаинов С.Г., 1^дь Ю. В. Изучение зонной структуры сложных полупроводников с помощью фотодиалектрического эффекта „Известия вузов С00Р. Физика“, 1975, № 4, с. 140−142.
  31. A.C., Кусаинов С. Г., 1Удь Ю.В., Увдалов Ю. К. Электрические свойства кристаллов CcLGtP^ легированных ивдием- „ФТП“, 1974, т. 8, № 10, с. 2027−2030.
  32. А.О., Лебедев A.A., Мальцева ИЛ., Овезов К., ^удьЮ.В., Увдалов Ю. К. Электрические и фотоэлектрическиесвойства диодов на основе Cd fa?, „ФШ“, 1975, т. 9, ^ 10, с. 1949−1955.
  33. A.C., Мальцева И. А., ЗДь Ю.В., Увдалов Ю. К. Поведение меди в кристаллах CdCt^ „ФШ“, 1976, т.10, В 6, с. IIQI-1I03.
  34. A.C., Ю.В., Таштанова М., Увдалов Ю.К. Фазовый переход кристалл расплав и проводимость CcCG&?^ ~~ „ФТП“, 1974, т. 8, № I, с. 165−168.
  35. А.О., ЗДь Ю.В., Таштанова М., Ушакова Т. Н. Электропроводность CcL ^ ^^ в связи с фазовыми переходами „ФТП“, 1974, т. 8, № 5, с. 892−897.
  36. A.C., ЗДъ Ю.В., Увдалов Ю. К. Энергетическийспектр и подвижность носителей зарзда в нелегированных кристаллах Cc?(kP^ „Ш.“, 1973, т. 7, № 8, с. 1570- 1574.
  37. П.К., Уфимцев В. Б., Харахорин Ф. Ф., Халина E.H. Фотоэдс твердых растворов CuJ^U^ „фш“, 1979, т. 13, i, с. 161−163.
  38. И.О., Щербина Л. А. Гальваномагнитные явления в многодолинных полупроводниках „ФШ“, 1978, т.12, № 3, с. 549−554.
  39. А.Г., Горюнова H.A., Кесаманлы’Ф.П., Митюрев В. К., 1^дь Ю.В., Слободчиков C.B. Электрические и фотоэлектрические свойства ibiSif^ „Укр.физ.журнал“, 1965, т. 10, & 8, с. 867−872.
  40. А.Г., Любченко A.B., Потыкевич И. В., ТЫчина И.И. Прилипание основных носителе в монокристаллах CdSi?^ П типа — „Укр.физжурнал“, 1973, т. 18, Je I, с. 140−145.
  41. А.Г., Плечко Р. Л., Валов Ю. А., Горюнова H.A. Некоторые физические свойства полупроводникового соединения1. CclSIP.- „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1966, т. 2, № II, с. 2078−2079.
  42. А.Г., Наплавной A.C., Г^дзивил В.II., Тычина И. И., Шаренко В. Е. Оптические свойства и зонная структура
  43. CoiSiP^- „ФШ“ 1971, т.5, № II, с. 2197−2200.
  44. A.A., Специфические дефекты структуры соединении А^В4^ ПФТТ“, 1973, т. 15,' & 5, с. 1430−1435.
  45. A.A., Гашимзаде Ф. М., 1'оркнова H.A., Кесаманле Ф. П., Наследов Д. Н., Османов Э. О., 1Удь Ю. В. Исследование физико-химических и электрических свойств кристаллов тройных полупроводниковых соединений, типа ~ „Изв.
  46. АН СССР, сер. физ.,“ 1964, т. 28, J* 6, с. 1085−1089.
  47. A.A., Горюнова H.A., Османов Э. О., ЗДь Ю.В., Третьяков Д. Н. Исследование кристаллов- „ДАН СССР', 1964, т. 154, *5, с. Iil6-IlI9.
  48. A.A., Кесаманлы Ф. П., ЗДь Ю.В. Получение и свойства „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1967, т. 3, $ 6, с. 974−930.
  49. A.A., Крадинова Л. В., Прочухан В. Д. Рзнтгеногра-фическое исследование полупроводникового сплава Zfi-SitS&i- „Кристаллография“, 1970, т. 15, & 4, с. 820−621.
  50. Л.Н., Логачев Ю. А., Мойжес Б. Я., Юрьев М. С. Фо-нонный спектр и тепловое расширение германий и кремния- ФТГ, 1971, т. 13, № 2, с. 450−459.
  51. Ю.Х., Исаков А. П. Упрутие постоянные и характерно1. О (2тики динамики решетки некоторых соединений А' Щ „ФТТ“, 1971, т. 13, jfe 4, с. IIO7-II62.
  52. В.Е., Копытов A.B., Пошгавной A.C. Взшеточная динамика Zn-Gt^i И JlgGtt? z, в модели тензорного заряда- „Известия вузов СССР. Физика“, 1980, 16 9, с. 40−44.
  53. В.Е., Копытов A.B., Пошгавной A.C. Анизотропна распространения упругих волн в JI^GolS^ „Кристалл ография“, 1981, т. 26, № 3, с. 619−621 .
  54. В.Е., Поплавной A.C. Константы поляронной связи для некоторых соединений А^В^С^ и -„Спектроскопия конденсированных сред“, Сборник трудов. Издательство Кемеровского университета. Кемерово, I98Q, с.
  55. В.В., Горюнова H.A., Коршак, Н.М., Мамаев С., Назаров А. Некоторые свойства р-СоС?>п Jh^j- „ФТТ“, 1965, т. 7, J* 12, с. 3655−3657.
  56. Ф.М. Зонная структура полупроводниковых соединений типа А^В^С^ 00 структурой халькопирита „ФТТ“, 1963, т. 5, № 4, с. II99-I20I.
  57. И.О., Горыня В. А., луговой В.и., Тычина И. И. Комбинационное рассеяние света в кристаллах ZtzGei^- „ФТТ“, 1975, т. 17, № 9, с. 2631−2634.
  58. И.С., Горыня В. А., Луговой В. Й., Тычина И.й. Двухфононное инфракрасное поглощение кристаллов-„Укр.физ .журнал“, 1975, т. 20, № 9, с. I428-I43I.
  59. И.О., Горыня В. А., Луговой В. И., Тычина И.И.,
  60. И.Ю. Комбинационное рассеяние света в1. CdSi?- „ФТТ“, 1976, т. 18, & 6, с. 1777−1779.
  61. И.С., Горыня В. А., Луговой В. В., Тычина И. И. Особенности края собственного поглощения монокристаллов ZtrSiPb И Zn.dk? „ФТТ11, 1974, т. 16, В 5, с. 1574−1576.
  62. И.С., Горыня В. А., Серый В. И., ТЫчина И.И., Ильин М. А. Спектр колебательных состояний в монокристаллах СсС&-Ръ „ФТТ“, 1975, т. 17, № I, с. 44−47.
  63. И.О., Жарков И. Н., Луговой В. В., Тычина И. И., Серый В. И. Структура длинноволнового края поглощения кристаллов CclQtP^ „ФТТ“, 1973, т. 15, & 7, с. 2238−2239.
  64. И.О., Крыськов U.A., Теннакун М., Тычина И. И., Чукичев М. В. Катод „люминесценция кристаллов CcLSiP^- „ФТП“, 1980, т. 14, № 5, с. 975−978.
  65. И.С., Луговой В. И., Тычина И. И., Ткачук И.Ю. Спектр комбинационного рассеяния света в кристаллах
  66. CcL SitL „ФТТ“, 1974, т. 16, № 9, с. 2768−2769.
  67. И.С., Луговой В. В., Вэдзивил В.П“ Длинноволновый край собственного поглощения кристалла СсС&-i- „ФТТ“, 1972, т. 14, Je 12, с. 3678−3690.
  68. H.A. Химия алмазоподобных полупроводников, Изд. ЛГУ, 1963.
  69. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники -„Советское радио“, 1968.
  70. H.A., Белле М. Л., Златкин Л. Б., Лошакова Г. В., Поплавной А. С., Чалдышев В. А. Оптические свойства и зонная структура ZuSn. /халькопирит и сфалерит/- „ФТП“, 1968, т. 2, В 9, с. 1344−1351.
  71. H.A., Григорян G.C., Златкин Л. Б. 0 структуре зоны проводимости ZfrSifb „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1966, т. 2, „12, с. 2125−2129.
  72. H.A., Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ЗДь Ю.В. Электрические свойства кристаллов р- „ФТТ“, 1964, т.6, J* I, с. II3-II5.
  73. H.A., Кесаманлы Ф. П., Османов Э. О., 1Удь Ю.В. Кристаллический и стеклообразный „Физика, доклады к ХЖ научной конференции ЛИСИ“, Л.“, 1965, с. 49−50.
  74. H.A., Кесаманлы Ф. Н., Османов Э. О., 1Удь Ю.В. Исследование некоторых свойств- Известия
  75. АН СССР. Неорганические материалы“, 1965, т. I, № 6, с. 885−889.
  76. H.A., Леонов Е. И., Орлов В. М., Родионов Л. Ф., Сондаевский В. П. Неустойчивости тока в- „Письма в ЗИЭта“, 1970, т. 12, № 10, с. 459−461.
  77. H.A., Машев С., Прочухан В. Д. 0 некоторых свойствах полупроводника CoiSn-J^ электронного аналога арсенвда индия — „ДАН СССР“, 1962, т. 142, Jfe 3, с. 623−626.
  78. H.A., Тычина И. И., Хансеваров Р.Ю. Некоторые фотоэлектрические свойства монокристаллов гь CcCGef^ и
  79. ФШ“, 1967, т. I, Je I, с. 141—143.
  80. B.C., Лебедев A.A., Овезов К., Прочухан В. Д., 1Удь Ю.В., Яковенко A.A. Спектры фотоэдс поверхностно- барьерных диодов Jn-ZnOt?^ „ФШ“, 1975, т.9, № 8, с. 1605−1607.
  81. B.C., Марков Ю. Ф., Рыбакова Т. В. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах „ФТТ“, 1975, т. 17, В 7, с. 1993−1995.
  82. ТВ. Григорьева B.C., Прочухан В. Д., 1Удь Ю.В., Таштанова М., Яковенко A.A. Явления переноса в твердом и жидком Z- „ДАН СССР“, 1974, т. 216, № 2, с. 303−305. „* ' *
  83. B.C., Прочухан В. Д., 1Удь Ю.В., Яковенко A.A. Подвижность и энергетический спектр дырок в монокрис -таллах „ФТП“, 1974, т. 8, 8, с.1582−1585.
  84. А.Н., Бунин М. А., Блохин М. А., Борщевский A.C., Прочухан В. Д. Взнтгеноспектралыюе исследование электронной структуры полупроводниковых фосфидов типа А2В4С| и А3В5 „ФШ“, 1977, т. II,? 2,0.379−387.
  85. М.И., Магдиев Б. Н., Магомедов А. Б. О зонной структуре Cdanjli^ „ФШ" — 1975, т. 9, № 9, 0.1747- 1751.
  86. М.И., Магомедов А. Б. Исследование электрических свойств ft,-типа при всестороннем давлении „ФШ“, 1974, т. 8, Jfc I, с. 45−49.
  87. М.И., Магомедов А.Б. Влияние гидростатического давления на коэффициент Холла и электропроводность
  88. CcL^^ju- „ФШ“, 1976, т. 10, № 4, с. 641−645.84. даунов М.И., Магомедов А. Б. Некоторые кинетические коэффициенты во всесторонне упруго-деформированном сильно легированном Cd$n р-типа „ФШ“, 1980, т. ±4,& 2, с. 341−345.
  89. Г. Б., Абаренков И. В. Квазирелятивистские поправки в методе псевдопотенциатв. „ФТТ“, 197о, т.17, № 7, с. 2038—2040.
  90. ЗА., Кучер Т. И., Тодпыго К. Б. Собственные частоты колебаний решетки германия, рассчитанные в различных приближениях „ФТТ“, 1961, т. 3, J? 8, с. 2482−2494.
  91. З.А., Кучер Т. И., Толпыго К. Б. Частоты и амплитуды колебаний атомов кристалла типа алмаза для волнового вектора направленного по диагонали грани куба- „ФТТ“, 1962, т. 4, & I, с. 104−109.
  92. А.Й., Иванова Г. С., Курбатов Л. Н., Синшын Е. В., Харахорин Ф. Ф., Холина E.H. Рекомбинационное излучение полупроводниковых соединений Си. Дк)^ -„ФШ“, 1975, т. 9, J* 6, с. II28-II32.
  93. Ч., Овезов К., Нрочухан В. Д., 1^дь Ю.Б., Сергинов М. Фотоэлектрические свойства и возможности практического использования гомодиодов из CcC/Si JJ^ -ФШ“, 1976, т. 10, Jfe9, с. 1659−1663. '
  94. Ч., 1^дь Ю.В., Аллаыазаров А., Сергинов М., Остнов Э. О. Исследование дефектов решетки в кристаллах"Изв. АН 1Уркм. GGP, сер. физ.-тех. хим. и геол. наук“, 1975, № 6, с. 18−25.
  95. Домашевская 'З.П., Бугаков A.M. Строение валентной зоны1. Л 5тройных фосфвдов типа, А В Всесоюзная конференция „Тройные полупроводники и их применение“. Тезисы докладов. Изд."Штиинца“. Кишинев, 1976, с. 8−11.
  96. В.И., Соболев В. В. Оптические спектры отражения соединений группы А2В4с| в области их фундамзнтального поглощения „Изв. АН Молд. ССР, физ.-тех. и мат. науки“, 1973, № 1, с. 40−46.
  97. Р.Ф., Звездин В. К., Широковский В. П. Релятивистский расчет электронного спектра меди „ФММ“, 1973, т. 35, В 3, с. 460−466.
  98. Р.Ф., Широковский В. 11. Потенциал и электронная плотность кристаллической меди „ФШ“, 1975, т. 40, ЙЗ, с. 500−511.
  99. О.В., Кесашнлы Ф. П., Полушина И.К., Скрш1~ кин В. А. Термоэдс и эффективная масса носителей токав „ФТП“, 1971, т. 5, № 2, о. 351−353.
  100. В.П., Сергеева В. М., Штрум ЕЛ. Полупроводниковые соединения с общей фор^лой АВ^ „Ж1Ф, сер.А“, 1958, т. 28, № 10, с. 2093−2108.
  101. Л.Б., Иванов Е. К. Оптическое отражение монокристаллов СсС Зп-Ж^в области энергии фатонов I II эв- „ФТП“, 1969, т. 3, № 6, с. 926−928.
  102. Л.Б., ИвановЕ.К., Караваев Г. Ф., Чапдышев В. А. Зонная структура и оптические свойства СсСвгРъ- „ФТП“, 1971, т. 5,? II, с. 2058−2063.
  103. Л.Б., Иванов Е. К., Свдорин В. К., Сидорин К. К., Старцев Г .11. Влияние разупорядочивания на оптическиепостоянные С<£ & в области собственного поглощения- „ФТП“, 1974, т. 8, № 7, с. 1277−1280.
  104. Л.Б., Марков Ю. Ф. Оптические колебания в кристалле ЗгЗ^/д, „Опт. и спектр.“, 1972, т. 32, 4, с. 764−768.
  105. JI.Б., Марков Ю. Ф., Орлов В. М., Соколова В. И., Шур М.С. Отражение и поглощение кристаллов СсСЗп-^ в инфракрасной области спектра „ФШ 1970, т. 4, Jte 7, с. 1387−1390.
  106. Л.Б., Марков Ю. Ф., Полушина И. К. Значение эффективной шссы электронов проводимости в Cd- „ФШ“, 1969, т. 3, te 10, с. I590−1O9X.
  107. Л.Б., Новиков Б. В. Сравнение оптических и фотоэлектрических исследований монокристаллов- „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1966, т.2, Jfe 12, с. 2255−2256.
  108. Л .Б., Новиков Б. В. Фотоэлектрические свойства монокристаллов 2n-Sig „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1967, т. 3, Je I, с. 78−89.
  109. Ю.Ф., Вуль С. П., Шилейка А. Ю. Спектры злектроотражения Cd-S11 ФШ „, 1971, т. 5, Je Ii, с. 2209−2211.
  110. Ю.Ф., Кривайте Г. З., Шилейка А. Ю. Исследование спектров отражения монокристаллов ZfzSn.f^}
  111. CccSripD Ъп. Sn. и CdSnJh^ -„Литовский физический сборник“, 1975, т. 15, № 4, с. 605−616.
  112. Ю.Ф., Рацоунис A.B., Шилейка А. Ю., Борщевс-кий A.C., Увдалов Ю. К. Спектры термоотражения и отражения CciGtP^ „ФШ“, 1974, т. 8-, JE 8, с. 1549−1556.
  113. Дж. Теория энергетической зонной структуры. М. „Мир“, 1969.
  114. Г. Ф. Правила отбора для непрямых переходов в кристаллах „ФТТ“, 1964, т. 6, J6 12, с. 3676−3678.
  115. Г. Ф. Исследование энергетического спектра и правил отбора для непрямых переходов электронов в кристаллах. Кавд. дисс. Томский государственный университет им. В. Б. Куйбышева. Томск, 1965.
  116. Г. Ф. Правила отбора для непрямых переходов в кристаллах со структурой цинковой обманки. „Изв. вузов СССР. Физика“, 1966, Jfc 3, с. 64−70.
  117. Г. Ф., Борисенко С. И. Зонный спектр и оптическое поглощение в Всесоюзная конференция „Тройные полупроводники и их применение“. Тезисы докладов. Изд. „Штиинца“, Кишинев. 1976, с. 59−62.
  118. ИЗ. Караваев Г. Ф., Борисенко С. И. Зонный спектр и оптическое поглощение в „г tdSnJk^- „Изв. вузов СССР. Физика“, 1978, J“ 6, с. 28−34.
  119. Г. Ф., Кривайте Г. З., Полыгалов Ю. И., Чадды-шев ВЛА., Шилейка А. Ю. Зонная структура и спектры электроотражения CcLSnJh^- „ФТП“, 1972, т. 6, Jt II, с. 22II-22I5.
  120. Г. Ф., Кривайте Г. З., Чапдышев В. А., Шилейка А. Ю. Поляризационные свойстваи/- переходов в CctSnл, и CdSn-P^ „ФШ“, 1974, т. 8, & 6, с. 1110−1×16.
  121. Г. Ф., Поплавной A.C. Исследование энергетического спектра электронов в полупроводниковых соединениях с решеткой халькопирита по теории возмущений- „ФТТ“, 1966, т. 8, № 7, с. 2143−2148.
  122. Г. Ф., Поплавной A.C., Тютерев В. Г. К динамике решетки халькопирита „Изв. вузов СССР. Физика“, 1970, № 10, с. 42−48.
  123. Г. Ф., Наплавной A.C., Чалдышев В. А. Особенности зонной структуры полупроводников с решеткой халькопирита „ФШ 1968, т. 2, № 1, с. 113−115.
  124. ЭЛ., Сихарулидзе Г. А., Тучкевич В. М., /ханов Ю.И., Шшрцев Ю. В. Оптические явления в CdSibJl-i^ р типа — „ФШ“, 1967, т. I, JE 2, с. 276−280.
  125. И.А., Звонков Б. Н., Колосов Е. Е. Холловская подвижность дырок в монокристаллах CctSn-Q „фш“ f 1977, т. II, В 9, с. 1843−1846.
  126. Р.К., /ханов Ю.И., Шшрдев Ю. В. двойное лучепреломление в CctSnJIi^-. „ФШ“, 1970, т. 4, № 2, с. 362−365.
  127. Р.К., /ханов Ю.И., Шшрцев Ю. В. Зонная структура USnJib- „ФШ“, 1971, т. 5, JE3, c.'514-oal.
  128. Ф.П., Коршак Н. М. Комплексное исследование эффектов переноса в кристаллах CcLSvlAi^ „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1967, т. 3, № 3, с. 490−492.
  129. Ф.П., Кроитору С. Г., ЗДь Ю.В., Соболев В. В., Сырбу H.H. Энергетическая структура зон некоторых кристаллов группы А2В4с| „ДШ СССР“, 1965, т. 163,4, с. 868−869.
  130. Ф.П., Наследов Д. Н., ЗДь Ю.В. Термоэдс и поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена в кристаллах Р- Zu Su Л- „ФТТ“, 1964, т. 6, № 7, с. 2187-^190.
  131. Ф.П., Наследов Д. Н., 1Удь Ю.В. Эффекты переноса в кристаллах р-типа Z^Ge^i^ „Физика .Доклады на ХШ научной конференции ЛИСИ“. Л. Изд. ЛИСИ, 1965, с. 51−52.
  132. О.В. Неприводимые представления пространственных групп. Изд. АН УССР. Киев. 1961.
  133. В.А., Фердшн И. А., Леонов Е. И., Орлов В. М., Горюнова H.A., Пышкин С. Л., Рздауцан С. И. Неустойчивость фототока и многофотонные процессы в CoiSn-?^ „Письма в ЖЭ1Ф“, 1970, т. 12, В 8, с. 399−402.
  134. Н.М., Прочухан В. Д., Рудъ Ю. В., Сергинов М. Фотопроводимость кристаллов Coi Si Л^ „Изв. АН Туркм. ССР сер. физ.-тех. хим. и геол. наук“, 1973, tel, с. I03-II0.
  135. Н.В., Поплавной A.C., ципивка Ю.И. Анизотропия кинетических явлений в тройных полупроводниковых соединениях А^В^С^ „Изв* вузов СССР. Физика“, 1980, JE8, с. 69−74.
  136. В.м., Гальчинецкий Д. П., Карась З. Р., Нестерова Т., Скловская ИЛ. Электрические и оптические свойства сплавов систем(Cu.Jh.Te)3faX) — „Укр.физ .журнал“, 1970, т. 15, 2, с. 210−216.
  137. Г. З., Корнеев Е. Ф., Шилейка А. Ю. Спектры алект-роотраженда ZzSn^s^ 11 Щ“, 1971, т. о, И, с. 2242−2244.
  138. Г. З., Крадинова JI.B., Шилейка А. Ю. Спектры электроотражения ZnSnfi^ „ФТП“, 1972, т. 6, № 11, с. 2306−2308.
  139. Г. З., Шилейка А. Ю. Спектры алектроотражения и зонная структура? г&Лд, „ФШ“, 1973, т. 7, № 9, с. I796−1799.
  140. С.И., Фарберович О. В. Теоретическое исследование зонной структура хлористой меди под давлением- „ФТТ“, 1930, т. 22, Jfe 9, с. 2823−2826.
  141. С.И., Фарберович О. В., домашевская З.П. Зонр Сная структура соединений А*3. I. Расчет М0ПВ методом и интерпретация „ФШ“, 1980, т. 14, J“ 7, с. 1315 — 1323.
  142. Курганский С. И, Фарберович О. В., домашевская о.11ос .
  143. Зонная структура соединений AB. П. Влияние et-состояний металла „ФШ“, 1980, т. 14, & 7, с. I4I2-I4I5•
  144. Л.Д., Лившиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М., Ф№, 1959,
  145. A.A., Овезов К., Прочухан В. Д., ЗДь Ю.В“, Сергинов М. Фотопроводимость кристалловв поляризованном свете „Письма в Ж1Ф“, 1976, т. 2, & 9, с. 385−390.
  146. A.A., Овезов К., ЗДь Ю.В. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных диодов Си, Cd Sit{, — „ФШ“, 1976, т. 10, J& I, с. 134−136.
  147. Г. В., Илечко PJL., Вайполин A.A., Павлов Б. В., Валов Ю. А., Горюнова H.A. Получение и некоторые свойства полупроводниковых соединений Ъг&кР^ и CdSnQ- „Изв. АН GG0P. Неорганические материалы „, 1966, а:.2, * II, с. 1966−1968.
  148. В.В., йдзивил В.П., Ткачук И. Ю., Шаренко В. Е. Длинноволновый край собственного поглощения кристаллов CdSifl „ФШ“, 1972, т. 6, № 10, C. I9II-I9I4.
  149. Г. Я. Теория групп и её применение в физике. ФШ., М., 1958.
  150. А.У. Исследование электрофизических свойств соединений CtcGaSe^, СссЗиЗе^, (асЛв-ве^ в твердом и жидком состояниях „ФТП“, 1970, т. 4, № 8,с. I417−1420.
  151. Ю.Ф., Григорьева B.C., Задохин Б. С., Макова Т. В. Колебательный спектр и оптические постоянные монокристаллов ZibGe „Опт. и спектр.“, 1974, т.36, Jtl, с. 163−166.
  152. Ю.Ф., Громова Т. М., £удь Ю.В., Таштанова М. Спектры комбинационного рассеяния монокристаллов Ъг Sirfs^- „ФТТ“, 1975, т. 17, В 4, с. 1226−1229.
  153. Ю.Ф., Гёшетняк Н. Б. Инфракрасные спектры поглощения и отражения монокристаллов UGe.fl „Опт. и спектр. У, 1972, т. 33, В 3, с. 520−524.
  154. B.C., Толпыго К. Б. Злектрические, оптические и другие свойства кристаллов типа алмаза. I. „ЖШ“, 1957, т. 32, & 3, с. 520−525.
  155. В.М., йдауцан С .И., цуркан А. Е. Исследование фундаментального оптического поглощения в крис -таллах тверцых растворов (Ад Te*) 3“ (^^z ^^?(i-x) — „Опт. и спектр.“, 1975, т. 39, & 3, с. 519−524.
  156. А., Машев С., Карымшаков Р.К. Некоторые оптические свойства твердых растворов по разрезу
  157. Изв. АН Туркм. ССР, сер. физ-.-тех.~хим. и геол. наук“, 1972, № 5, с. 36−40.
  158. Оптические свойства полупроводников. „Мир“, м., 1970.1.U. Исщсжьскш Б. В., Карпович И. А., Звонков Б. Н. Холловс-кая подвижность электронов в монокристаллах CdSn. Р^ „ФШ“, 1976, т. 10, 5, с. 1004−1006.
  159. ПолупроводникиА^В4^. Пои редакцией Горюновой H.A. и Валова Ю. А. „Советское радио“, 1974.
  160. Ю.И. Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа А2В4с| и А^В?с| с решеткой халькопирита. Канд. диссертация. Томский госуниверситет им. В. В. Куйбышева. 1971.
  161. Ю.И., Поплавной A.C. Энергетическая зонная структура CdSyiJ.jz и CdGe Jh^ „Изв. вузов СССР. Физика“, I9OI,)?12, с. 78−82 .
  162. Ю.И., Поплавной, А .С., 1&-тнер A.M. Энергетическая зонная структура- „Тезисы докладов IX совещания по теории полупроводников“. Изд. Тбилисского университета. Тбилиси, 1978, с. 293−294.
  163. Т.А. 0 подвижности алектронов в Ш“, 1970, т. 4, № 7, с. 1239−1243.
  164. Т.А., Зимкин И. Н., И^чкевич В.М., Штрцев Ю. В. Анизотропия зоны проводимости в CdSn-Jl^ „ФШ“, 1968* т. 2, & 10, с. 1454−1462.
  165. Т.А., Сихарулидзе Г. А., ^учкевич В.М., Шмар-цев Ю. В. Гальваношгнитные явления в CdSnJis^ „ФТТ“, 1966, т. 8, & 6, с. I85I-I858.
  166. Т.А., Сихарулидзе Г. А., Тучкевич З. М., Штрцев Ю. В. Исследование зависимости коэффициента Холла от индукции магнитного поля в CdSnJliпа „ФШУ 1967, т. I, № 5, с. 799−601.
  167. Т. А., Шшрцев Ю. В. Структура зоны проводимости в CdiSibJhb „ФШ“, 1970, т. 4, # 4, с. 727−732.
  168. Поляроны. Под ред. Ю. А. Фщюова. „Наука“, M., 1975.
  169. A.C. К теории псевдопотенциала. „Изв.ву-зов СССР. Физика“, 1966, As I, с. 180−181.
  170. A.C. Структура энергетических зон фосфида алюминия „ФТТ“, 1966, т. 8, & 8, с. 2238−2240.
  171. A.C. Структура энергетических зон некоторых1. Q Ц О, А 5полупроводников типа A 3 и АВС£• Канд. диссер -тация. Томский госуниверситет им. В. В. Куйбышева. Томск. 1967.
  172. A.C. Структура энергетических зон? tS'ia^ и Z/zGef^ „изв. вузов СССР. Физика“, 1968, Ju 9, с. 142−145.
  173. A.C. Структура энергетических зон TjnSnJh^ „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1969, т.5, № 3, с. 4984)01.
  174. A.C. О кинетических явлениях в полупроводни1. Т о сковых соединениях типа, А В С^ с решеткой халькопирита- „Изв. вузов CGCP. Физика“, 1972, № 7, с. 46−51.
  175. A.C., Караваев Г. Ф. Энергетический.спектр электронов „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1968, т. 4, te 2, с. 196.200.
  176. A.C., Подыгаяов Ю. И. Структура энергетических зон соединений C^&O-S^^ CuGaSe^ и Cu.(}a, lez- „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1971, т. 7, te 10, с. 1706-I7I0.
  177. A.C., Подыгалов Ю. И. Структура энергетических зон соединений Си. * CuJfbTe^- „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, I97X, т. 7, te 10, с. I7II-I7X4.
  178. A.C., Подыгалов Ю. И. Простой модельный потенциал для расчета зонной структуры кристаллов с решеткой халькопирита „Изв. вузов СССР. Физика“, 1971, te II, с. 132−135.
  179. A.C., Подыгалов Ю. И. Структура энергетических зон полупроводников типа Дд > JgJnTe^ „Изв. вузов СССР. Физика „, 1974, te3, с. 77−81.
  180. A.C., Подыгалов Ю. И., 1&-тнер A.M. Структура энергетических зон соединений JgGaS^, ЛдваЯе^- „Изв. вузов СССР. Физика“, 1974, te II, с. 24−29.
  181. A.C., Подыгалов Ю. И., Ратнер A.M. Структура энергетических зон полупроводниковс решеткой халькопирита „Изв. вузов СССР. Физика“, 1976, te 6, с. 7−12.
  182. A.C., Подыгалов Ю. И., Ратнер A.M. Влияние смещений анионов на зонную структуру кристаллов с решеткой халькопирита. Сборник „Химическая связь в кристаллах и их физические свойства“, т. I, изд. „Наука итехника“, Минск, 1976, с. 59−66.
  183. A.C., Попыгалов Ю. И., Чалдышев В.А, Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита. I. ZytSiPz „Изв. вузов СССР. Физика“, 1969, J“ II, с. 58−66.
  184. A.C., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита. n.^A'^A^ZtA'^i- „Изв. вузов СССР. Физика“, 1970, № 6, с. 95−100.
  185. A.C., Пшыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита Ш. ZnSnil, СсСйъР^^ЪгОеД^) Си0е^Л)
  186. Cd (kPXb „Изв. вузов СССР. Физика“, 1970, J*7, с. 17−22.
  187. A.C., Тютерев В. Г. Рзшеточная динамика тройных алмазоподобных полупроводников со структурой халькопирита „Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах“. Изд. „Наука и техника“, Минск, 1972, с. 327−332.
  188. A.C., Тютерев В. Г. Правила отбора для неупругого рассеяния нейтронов в кристаллах со структуройхалькопирита и фаттинита. „Изв. вузов СССР. Физика“, 1973,)* 5, с, 133−138.
  189. A.C., Тютерев В.Г“ Динамика кристаллической решетки халькопирита в модели жестких ионов „ФТТ“, 1975, т. 17, В I, о. 313−316.
  190. A.C., Тютерев В. Г. Рзшеточная динамикав модели жестких ионов „ФТТ“, 1975, т. 17, Je 4, с. 1055−1060.
  191. A.C., Тютерев З. Г. Динамика кристаллической решетки (мЛ^^л. „Изв.вузов СССР. Физика“, i97o, te 6, с. 51−57.
  192. A.C., Тютерев В. Г. Динамика кристаллической решетки полупроводников А2В4с| и ¡-с решеткой халькопирита в модели жестких ионов „Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Том I“, изд. „Наука"и техника“, Минск, 1976, с. II5-I24.
  193. A.C., Тютерев В. Г. Вэшеточная динамика CcLtkfl- „Изв. вузов СССР. Физика“, 1976, & 6, с. I09-II3.
  194. A.C., Тютерев В. Г. К теории инфракрасной дисперсии света в кристаллах с решеткой халькопирита- „Изв. вузов СССР. Физика“, 197а, & 6, с. 39−43.
  195. A.G., Чаддышев В .А. Жоче* зонной структуры арсенида галлия по методу псевдопотенциала „Изв. вузов СССР. Физика“, 1966, № 4, с. 177−179.
  196. А., Штье Ж.-П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов. „Мир“, М., 1973.198. 1&-тнер A.M., Поплавной A.C., Полыгалов Ю. И. Энергетическая зонная структура „Изв. вузов GCCP. Физика“, 1980, № 9, с. 91−93.
  197. З&удонис A.B., Шилейка АЛО. Спектры термопоглощения и термоотражения монокристалла ZnSiP^ „ФТП“, 1975, т. 9, .№ 8, с. 1539−1543.200. 1Удь Ю.В., Мальцева И. А. Поляризация люминесценции кристаллов CdCefl „ФШ“, 1977, т. II, й I, с. 201- 204.
  198. ЗДь Ю.В., Шльцева И. А. Анизотропия рекомбинационногоизлучения кристаллов А^В4с| „ФТТ“, 1977, т. 19, & 3, с. 870−873•
  199. ЗДь Ю. В, Мальцева И. А. Анизотропия люминесцентных свойств „ФШ“, 1977, т. II, & 6, с. 1033- 1042.
  200. ЗДъ Ю.В., Соболев В. В., Шестадкий С. Н. Краевое поглощение кристалла ЕпЗпД^ „ФШ“, 1968, т. 2, № 6, с. 893−895.
  201. ЗДь Ю.З., Увдалов Ю. К., Дагина Н. Е. Поляризационно-чувствительные гетерофотоэлементы л- СсСббР^Р'СквеЖ. „ФШ“, 1979, т. 13, № 3, с. 515−520.
  202. Г. А., Тучкевич В. М., Уханов Ю. И., Шмарцев Ю. В. Оптические и шгнитооптияеские явления в Cci&nJk^ „ФТТ“, 1966, т. 8, Ь 4, с. II59-II64.
  203. Г. А., 1Учкевич В.М., Уханов Ю. И., Шма^дев Ю. В. Спектры отражения CdSnJi^ „ФШ“, 1967, т. 1, № 2, с. 309−311.
  204. В.В. Спектра отражения и электроотражения соединений А2В4с| „Изв. АН GCCP. Неорганические ш-териалы“, 1973, т. 9, & 6, с. I060-I06I.
  205. Л.М., Бондарь И. В., Сливка В. Ю. Спектры отражения монокристаллов CuGfi (ЗхЯе^-х)^ „ФШ“, 1977, т. II, Jfe 8, с. I645−1646.
  206. К.Б. Физические свойства решетки типа каменной соли, построенной из деформируемых ионов „ЖЭТФ“, 1950, т. 20, № 6, с. 497−509.
  207. К.Б. дальнодействующие силы и уравнения динамики гомеополярных кристаллов типа алмаза „ФТТ“, 1961, т. 3, № 3, с. 943−956.
  208. Р., Горюнова H.A. Получение и некоторые свойства нового тройного полупроводникового соединения типа A^^l d^BiP^ „изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1968, т. 4, № 12, с. 21 012 105.
  209. .Г. Микроскопическая диэлектрическая проницаемость полупроводника „ШШ“, 1974, т. 67, je 4 /10/, о. 1552−1558.
  210. В.Г. динамика кристаллической решетки тройных ал мазоп сдобных полупроводников. Канд. дисс. Томскийгосуниверситет им. В. В. Куйбышева. Томск. 1975.
  211. O.A., Бир ГЛ. Правила отбора, для неупругогорассеяния нейтронов в кристаллах рутила. „ФШ“, 1969, т. 3, № 8, с. II88-II9I.
  212. О.В., Акоцджанов Р. Г., Курганский С. И., дошшевская Э.П. Теоретическое и экспериментальное изучение зонной структуры соединения С**- С&- -„фтт“, 1979, т. 21, В 10, с. 2935−2940.
  213. Ф.И. Теория упругих волн в кристаллах „Наука“, М., 1965.
  214. У. Псевдопотенциалы в теории металлов, изд. „Мир., М., 1968.
  215. У. Теория твердого тела, изд. „Мир“, М., 1972.
  216. В., Коэн М., Уэйр д. Теория псевдопотенциала, изд. „Мир“, М., 1973.
  217. Хил сум К., Роуз-инс И. А. Полупроводники типа A3BO, Ш1,1. М., 1963,
  218. Хохлачев ПЛ. Гальвано- и термомагнитные явления в
  219. Cci?e)x „фш“, 1973, т. 7, В о. 250−252.231. цццильковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках, изд. „Наука“, М., 1972. энергетического спектра
  220. В.А. Возможная структураУкристаллов типа халькопирита „Изв. вузов СССР. Физика“, 1962, & 2, с. 98−103.
  221. В.А., Захаров H.A., Золотарев М.л. Плотность% . 4электронного заряда и химическая связь в- Всесоюзная конференция „Тройные полупроводники и их применение“. Тезисы докладов. Изд. „Ытиинца“, Кишинев, 1976, с. 6-в.
  222. В.А., Караваев Г. Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа халькопирита „Изв. вузов СССР. Физика“, 1963, & 5, с. 103−105.
  223. В.А., Покровский В. Н. Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита —- „Изв. вузов СССР. Физика“, i960, J* 2, с. 173−181.
  224. Чернявский В .11. Электрические свойства
  225. СьУк „Укр. физ. журнал“, 1973, т. 18, Je II, с. I76I-I764.
  226. В.П., Падыгалов Ю. И., Поплавной A.C. Оптические свойства и зонная структура Си У п. „Укр. физ. журнал“, 1972, т. 17, Je 9, с. 1537−1539.
  227. ИЛ. Исследование спектров молекулярного рассеяния света ряда кристаллов с помощью ионного аргонового лазера непрерывного действия „Газовые лазерыи их применение. Труды ФИАН СССР“, 1977, т. 102, с. 129−201.
  228. Г. П. Спектральное распределение фотоэдс и излучательной рекомбинации в кристаллах CdSnfji- „Изв. АН СССР. Неорганические материалы“, 1969, т. 5, № 6, с. 1143−1145“
  229. Г. Теория групп в физике твердого тела- Изд. „Мир“, M., 1971.
  230. Abrahams S.С., Barns R.L., Bernstein J.L., Turner E.H. Absolute sense of piezoelectric coefficients in the chalcopyrites ZnGeP2 and AgGaS2-„Solid State Communs.“, 1974, v.15,N 4, p.737−739.
  231. Abrahams S.C."Bernstein J.L. Crystal structure of luminescent ZnSiP2-„J.Chem.Phys.“, 1970, v.52,N11,p.5607−5613.
  232. Abrahams S.C."Bernstein J.L. Luminescent piezoelectric
  233. CdSiP2: normal probability plot analysis, crystal struc2 4 сture and generalized structure of the, А В family -„J.Chem.Phys.“, I97I, v.55,N2,p.796−803″
  234. AbrahamsS.C., Bernstein J.L. Piesoelectric nonlinear optic
  235. CuGaSg and CuInS2 crystal structure: sublattice distortion
  236. A ' 2 i 5 in, А ±-гС2 and a type chalcopyrites-„d.Chem.Phys.“, 1973, v.59,N10,p.5415−5422.
  237. Abrahams S.U."Bernstein J.L. Piezoelectric nonlinear optic OuGaSe2 and CdGeAs2: crystal structure, chalcopyrite mic-rohardness and sublattice distortion „J.Chem.Phys.“, 1974, v. fol, iJ3, p. ll40-II46.
  238. Abrahams b.c., Hsu ij'.S.L. JDebye temperatures and cohesive properties -„J.Chem.Phys.“, 1975, v.63,N3, p. IIfo2-IIb5.
  239. J247.Akimchenko I.P., Leonov E.I., Orlov V.M., Sokolova V.I. Photoconductivity spectra of CdSnPg-„J.Phys.Chem.Solids“, 1972, v.33,fl8,p.li?bt?-lbb9.
  240. Alekperova ii.E., Gezalov M.A., Goryunova N.A., Mamedov B.N.1.fra-red absorption by the ZnSiPg lattice-„Phys.Stat.Solidi“, 1970, v.41,N I, p. K57-Kb0.
  241. Alekperova E.E., Valov Yu.A., Goryunova N.A., Ryvkin S.M.,
  242. Shpenkov G.P. Recombination radiation spectra in ZnSiP2 crystals -„Phys.Stat.Solidi“, 1969, v.32,N1,p.49−54.
  243. Alvarez de C.V., Cohen M.L. Calculated band structure and reflectivity spectra of ZnGeP2 -„Phys. Rev. Lett.“, 1973, v.30, N20, p.979−982.
  244. Alvarez de C.V., Cohen M.L., Petroff Y., Shen Y.K. Calculated and measured reflectivity of ZnGeP2-nPhys.Rev.B.Solid State“, 1974, v.10,N12ip.5175^5183.
  245. Alvarez de C.V., Cohen M.L., Ley L., Kowalczyk S.P., Mc Peely P.R., Shirley D.A., Grant R.W. Electronic density of states and bonding in chalcopyrite-type semiconductors-„Phys.Rev.B--Solid State“, 1974, v.10,N2,p.596−598.
  246. Alward J.P., Pong C.Y., WootenP. Band structures and opticalproperties of CdSnP2 and CdSnAs2-„Phys.Rev.B.Condensed Matter“, 1979, v.19,N12,p.6337−6340.A
  247. Ambrazevicius G., Babonas G., Kavaliauskas J., Krivaite G., 2 4 5
  248. Shileika A. Optical spectra of the A B^C2 type semiconductors-„J.de Physigue (Prance)“, I975, v.36,N9,p.C3-II5-C3-I2I.
  249. Ambrazevicius G., Babonas G., Shileika A. Termoreflectancespectra of CdSiP2-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1977, v.82,NI, p. K45-K48.
  250. Ambra^zevicius G., Babonas G., Shileika A. Reflectance spectra of CdSiP2 and ZnSiP2-„Phys.Stat.Solidi (b)“, I979, v.95,p.643−647.
  251. Anderson W.J., Won Yu Phil, Park Y.S. Optical rotatory dispersion of AgGaS2-„0pt.Communs.“, 1974, v. II, N4, p.392−395.
  252. Animalu A.O.E. The spin-orbit interaction in metals and semiconductors- „Phil.Mag.“, 1966, v.13,N121,p.53−69.
  253. Attoresi M., Pinczuk A., Gavini A. Proc. 13-th Int. Oonf. Physics of semiconductors. Stuttgart, 1974, p. 321−325.
  254. Aumerich F. jMula G., Baldereschi A., Meloni P. Electronic band structure of 2−4-52 compounds-„Ternary compound. Third Int. Conf. of ternary compounds. Bristol and London. Conf. ser. N 35^1977,p.159−168.
  255. Austin I.G., Goodman C.H.L., Pengelly A.E. New semiconductors with the chalcopyrite lattice-„J.Electrochem. Soc.“, I956, v. I03, Nil, p.609−610.
  256. Averkieva G.K., Goryunova K.A., Prochukhan V. i)., Hud iu.V., Ser-ginov M. Electronic properties of CdSiAs2 crystals-„Phys.Stat. Solidi“, I969, v.34,N i, p. K5-K8.
  257. Babonas G., Bendorius K., Shileika A. Pressure dependence of the forbidden energy gap in ZnSiAs2 and ZnSiP2-„Phys. Stat. Solidi (b)“, I974, v.62,NI, p. KI3-K15.
  258. Banerjee R., Varshni Y.P. Lattice dynamics of III-V compounds-„Canad. J. of Phys.“, 1969, v.47,N4,p.451−462.
  259. Bettini M., Holzapfel W.B. GrGnaisen parameters of I"* phonons in CdSiP2, CuA1S2 and CuGaS2-„Solid State Communs.“, 1975, v.16,HI, p.27−30. >77.Bettini M., Miller A. Optical phonons in ZnGeP2and CdGeP2
  260. Phys. Stat. Solidi (b)"', 1974, v.66,N2,p.579−586. ?78.Bettini M., Suga S., Cho K., Marschall H. Magneto-optical studies • of exitons in AgGaS2-„Solid State Communs.2,1976,v.18,HI, p.17−21.
  261. Bhar G.C., Smith R.C. Optical properties of II-IV-V2 and
  262. Bondar I.V., Karosa A.G., Smirnova G.P. Infrared reflectivity spectra of CuGaxInjzS2 s°lid solutions-nPhys.Stat.Solidi (b)“, 1978, v.86,N2,p.KI7I-KI74.
  263. Borchi E., De Gennaro S. Nearly-free-electron susceptibility of noble metals-„Phys.Rev.B.Solid State“, 1972, v.5,N12,p.4761−4767.
  264. Boyd G.D., Kasper H.M., Mc Fee J.H., Stolz F.G. Linear and nonlinear optical properties of some ternare selenides-„IEEE J. Quantum Electronics“, 1972, v.8,N12,p.900−908.
  265. Boyd G.D."Kleinman D.A. Parametric interaction of focused
  266. Gaussian light beams-„J.Appl.Phys.“, 1968, v.39,N8,p.3597−3639.
  267. Brandt G., R§ uber A."Schneider J. ESR and X-ray analysis of the ternary semiconductors CuA1S2, CuInS2 and AgGaSg-„Solid State Communs.“, 1973, v.12,N6,p.481−483.
  268. BrooksH. Scattering by ionized impurities in semiconductbrs-„Phys. Rev.“, I95I, v.83,N4,p.879.
  269. Braun Y/., Cardona Electronic density of states of amorphous CuGaS2 and ZnGeAs2-„Phys.Stat. Solidi (b)“, I976, v.76,NI, p.25I-257.
  270. Braun W., Goldmann A."Cardona M. Partial. density of valence states of amorphous and crystalline AgInTe2 and CuInSe2 -Phys.Rev.B.Solid State“, 1974, v.10,N12,p.5069−5074.
  271. Brudnyi V.N."Budnitskii D.L., Krivov M.A., Melev V.G. P-n-type conversion and optical properties of 2.0 Mev electron -irradiated ZnSnAs2-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1976, v.35,N2,p.425−43o.
  272. Burdik G.A. Energy band structure of copper-„Phys.Rev.“, 1963, v.129,N1,p.138−150.
  273. Z93.Carlone C., 01ego D., Iayaraman A., Cardona M. Pressure dependence of the Raman modes and pressure induced phase changes in CuGaS2 and AgGaS2-„Phus.Rev.B.Condenced matter“,-1980,v.22, N8, p.3877−3885.
  274. Chizhikov V.l."Panyutin V.L. Band structure calculation of electronic properties in CuIn^^Ga^eg-„Phys.Stat.Solidi (b)“, v.104,N2,p.435−440.
  275. Chodorow M. The band structure of metallic copper -„rhys.Rev.11 1939,v.55,N7,p.675.
  276. Chow P.O., Liu ii. Relativistic effects on the electronic band structure of compound semiconductors -„Phus.Rev,“, I965, v. l40A, N 5, p.1817−1826.
  277. Christensen N.E. The band structure of silver and optical interband transitions-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1972, v.54,N2, p.551−563.
  278. Clark B.C., Gazis D.C., Wallis R. i1. frequency spectra of body -centered cubic lattices -„Phys.Rev.1964,v.134,N6A, p.1486−1491.
  279. Ulaus R. Light scattering by optical phonons and polaritons in perfect crystals-„Jfhys. St at. Solidi (b)“, 1972, v.50,N1,p.11−32.
  280. Cochran W. Theory of the lattice vibrations of germanium -„Proc. Roy. Soc. Ser. A.“, 1959, v.253,N1273,p.260−276.
  281. Cochran W. Dynamical, scattering and dielectric properties of ferroelectric crystals-„Adv. in Phys.1969,v.18,N72, p.157−192.
  282. Cordts W., Heinrich A., Monecke J. Electronic band structure of pseudodirect chalcopyrite semiconductors I. CdSiP2 and ZnSiP2-nPhys.Stat.Solidi (b)“, 1979, v.96,N1,p.201−209.
  283. J03.Cound V.M., Davies P.H., Hulme K. j5*., Robertson D. The electro-optic coefficients of silver thiogallate (AgGaS2) of
  284. Phys. C. Solid State Phys., 1970, v.3,N4,p.Lfe3-L84.
  285. Dick B.G., 0verhauser A.W. Theory of the dielectric constants of alkali halide crystals-„Phys.Rev.“, I958, v. II2,NI, p.90−103.
  286. Donetskich V.I., Poplavnoi A.S., Sobolev V.V. Optical proper3 5ties and energy band structure correlation of sphalerite (A^B^) and chalcopyrite (A2B4c|)crystals-„Phys.Stat.Solidi (b)“, I97I, v.48,N2,p.541−546.
  287. Elliott R.J., Thorpe M.F. Group theoretical selection rules in inelastic neutron scattering-„Proc.Phys.Soc.“, 1967, v.91, part.4,M574,p.903−916.
  288. Erginsoy C. Neutral impurity scattering in semiconductors -„Phys.Rev.“, 1950, v.79,N6,p.1013−1014.
  289. Falicov L.M., Cuevas M. Mobility of electron in compensated semiconductors.II.Theory.-„Phys.Rev.“, 1967, v.164,H3,P.1025−1032.
  290. J)'olberth O.G.von, Pfister H. ileue ternare halbleitende phosphide MgGeP2, CuSi2P3 und CdGeP2-„Acta crystallogr.“, I96l, v.14, A3, p.325−326.
  291. Gallay J., Deschanvres A., Gaillard S., Alibert C. Electroreflec-tance and band structure of ZnSiAs^^P^ allows-„Phys.Rev.B. Solid State“, 1975, v. II, N12, p.5199−5202.
  292. Gallay J., Deschanvres A."Gaillard S., Alibert C. Electroreflec-tance and band structure of ZnSiAs2xP^ allows-„J.de Physique. Suppl.“, I975, v.36,N9,p.C3-I23 C3-I27.
  293. Gan J.N., TauS J., Lambrecht V.G., Robbins M. On the 3d-electron contribution to the electronic structure of tetrahedral I-III-VI2 compounds-„Solid State Communs.“, 1974, v.15,N3, p. b05−607.
  294. Gan J.N., Tau? J., Lambrecht V.G., Robbins M. Optical properties of (CuInSe^^UZnSe)^ system -„Phys.Rev.B.Solid State“, 1975, v.12,N12,p.5797−5802.
  295. Gan J.N., Tauc J., Lambrecht V.G."Robbins M. Raman and infrared spectra of the (CuInSe2)j-„Phys.Rev.B. Solid State“, 1976, v.13,N8,p.3610−3616 .
  296. D.B., Holmes P. J. „Jennings I.C., Marathe B.R., Parrott J.iS. The properties of ZnSnAs2 and CdSnAs2-„J.Phys.Chem.Solids“, 1962, v.23,sept.p.I29I-I302.
  297. Goldmann A. Band structure and optical properties of tetra-hedrally coordinated Cu and Ag halides-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1977, v.81,NI, p.9−47.
  298. Goldmann A., Tejeda J., Shevchik N.I., Cardona M. Density of valence states of CuCl, CuBr, Cul and Agi -„Phys.Rev.B.Solid State“, 1974, v.10,N10,p.4388−4402.
  299. Goodman C.H.L. A new group of compounds with diamond type (chalcopyrite) structure-„Naturefl, 1957, v.179,N16,p.828−830.
  300. Gorban I.S., Gorynya V.A., Lugovoi V.I."KrasnolobN.P., Salivon G.I., Tychina I.I. One and two-phonon Raman scattering in- ternary phosphides ZnSiP2, ZnGeP2,CdSiP2-„Phys. Stat. Solidi (b)“, 1979, v.93,N2,p.531−538.
  301. Goryunova N.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.I., Chaldyschev V.A.2 4 5
  302. Energy band structure of ternary diamond-type A B C2 semiconductors -, lPhys. Stat. Solidi „, 1970, v. 39, N1, p. 9−17.
  303. Grimsditch M.H., Holah G.D. Brilloin scattering and elastic moduli of silver thiogallate CAgGaS2)-„Phys.Rev.B.Solid State““, 1975, v. 12, N10, p. 4377−4382.
  304. Gusatinskii A.N., Bunin M.A., Blokhin M.A., LIinin V.I., Prochukhan V.D., Averkieva G.K. X-ray spectroscopic investigation2 4 5of the electronic structure of A B C2 -type semiconducting phosphides-„Phys.Stat.Solidi (b)M, 1980, v.100,N2,p.739−745.
  305. Hahn H. von,?'rank G., Klinger W., Meyer A., St8rger G. Untersuchungen uber ternare chalkogenide V. Uber einige ternare chalkogenide mit chalkopyritstruktur -„Z.Anorg.Allg.Chemie“, 1953, Bd.271,N3−4,s.I53-I70.
  306. Hall S.R., Stewart J.M. The crystall structure refinement of chalcopyrite CuPeS2-„Acta Crystallogr.“, I973, v. B29,N3,p.579−585.
  307. Hengehold R.L., Pedrotti P.L., Ultraviolet reflectivity and electron -energy-loss spectra of AgGaS2 and CuGaS2-„J. Appl.
  308. Phys.“, 1975, v.46,N12,p.5202−5204.
  309. Herman F., Skillman S. Atomic structure calculations N.Y. Englewood Cliffs. Prentice Hall.1963.
  310. Holah G.D. Infrared dielectric dispersion in silver thiogal-late-„Opts.Communs.u, 1972, v.5,N1,p.10−13.
  311. Holah G.D. Optical phonons and polaritons in ZnSiP2-„J.Phys. C. Solid State Phys.“, I972, v.5,NI4,p.I893-I902.
  312. Holah G.D., Grimsditch M.H. Brilloin scattering determination of the elastic moduli of AgGaS2 and their influence on the analysis of the optical phonon data-„J.de Physique Suppl.“, I975, v.36,N9,p.C3-I85 C3-I88.
  313. Holah G.D., Webb J.S.Montgomery H. Lattice dynamics of AgGaSg-„J.Phys.C.Solid State Phys.“, 1974, v.7,N21,p.3875−3890.
  314. Honeyman W.N. Preparation and properties of single crystalls CuA1S2 and CuAlSe2-„J. Phys.Chem.Solids“, 1969, v.30,N8,p.1935−1940.
  315. Honeyman W.N."Wilkinson K.H. Growth and properties of single crystals of group I-III-VI2 ternary semiconductors-„J.Phys.1.ndon) D.Appl.Phys.“, 1971, v.4,N8,p.II82-II85.
  316. Eorig W., Neumann H., H8bler „H. J. „Kiihn G. Temperature dependence of the absorption edge in CuInSe2-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1977, v.80,NI, p. K2I-K24.
  317. Horig W., Neumann H., Schumann B., Ktlhn G. Optical properties of CuGaSe2 near and above the fundamental absorption edge -„Phys.
  318. Stat.Solidi (b)“, 1978, v.85,N1,p.K57-K6I.
  319. Hubner K. Ionicity and effective charges in II-IV-V2 compounds -„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1972, v.52,N1,p.K33-K35.
  320. Hiibner K., Unger K. Spin-orbit splittings in II-IV-V2 compounds -„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1972, v.50,N2,p.K105-K10?.
  321. Hiibner K., Unger K. Spin-orbit splittings and effective charges in I-I1I-VI2 compounds-, iPhys.Stat.Solidi (b)“, 1972, v.54, Nl, p. K65-Kb7.
  322. Humphreys R.G. First and second -order Kaman scattering in ZnSiPg-„Ternary Compound. Third Int. Conf. of ternary compounds Bristol and London.Conf.ser. N35"l977,p.I05-II2.
  323. Humphreus R.G., Pamplin B.R. Optical absorption on ZnSiP2-„J. de Physique.Suppl.“, 1975, v.36,K9,p.C3-I59 C3-I62.
  324. Isomura S., Masumoto K. Some optical properties of ZnGeP2 and CdGeP2-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1971, v.6,U2,p.KI39-KI4I.350.1somura S., Masumoto K. Preparation and some optical properties of ZnGeP2and CdSiP2-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1972, v.13,HI, p.223−229.
  325. Jayaraman A., Harayanamurti V., Kasper H.M., Chin M.A., Maines R.G. Pressure dependence of the energy gap in some I—III-VI2 compound semiconductors-„Phys.Rev.B.Solid State“, 1976, v.14,И8, p.3516−3519.
  326. Johnston W.D. Nonlinear optical coefficient and the Ramanscattering efficiency of LO and TO phonons in acentric insulating crystals-„Phys.Rev.B.Solid State“, 1970, v. I, N8, p.3494−3503.
  327. J53.Joshi U.V. Studi of lattice vibrational modes in CuGaS2 by using fourier transform spectroscopy-„J.Phys.Chem.Solids“, 1979, v.40,NI, p.93−95.
  328. Jollie A.M., Alibert C., Gallay J., Deschanvres A. fundamental edge optical study of Zn^^Cd^As^-„Solid State Communs.“, 1976, v.19, N4, p.369−372.
  329. Kaminov I, P., Buehler E., Wernick J.H. Vibrational modes in ZnSiP2-„Phys.Rev. B. Solid State“, 1970, v.2,N4,p.960−966.
  330. Kaminov I.P."Johnston W.D. Quantitative determination of Bourses of the electrooptic effect in LiNbO^ and LiTaO^ -„Phys. Rev.“, I967, v.160,N3,p.519−522.
  331. Kane E.O. Band structure of indium antimonide-„J.Phys.Chem. Solids“, 1957, v. I, N4, p.249−261.
  332. Kanellis G., Kampas K. Phonons optiques par reflexion infrarouge des composes ternaires AgGaSe2 et AgGaTe2-„J.de Physique“ 1977, v.38,U7,p.833−839.
  333. Kanellis G., Kampas K. Par-infrared reflection spectra of AgInSe2 and AgInTe2-nMat.Res.Bull., I978, v. I3,NI, p.9-l6.
  334. Keating P.N. Effect of invariance requirements on the elastic strain energy of crystals with application to the diamond structure-„Phys.Rev.“, 1966, v.145,N2,p.637−645.
  335. Kesamanly P.P., Nasledov D.N., Rud Yu.V. Electrical properties of p-type ZnSnAs2 crystals at low temperatures-„Phys.Stat. Solidi (a)“, I965, v.8,N2,p.KI59-Kl62.
  336. Kildal H. Band structure ofCdGeAs2 near K=0 -„Phys.Rev.B.Solid State“, I974, v.10,N12,p.5082−5087.
  337. Kildal H., Iseler G.W. High-order nonlinear processes in CdGeAs2 -„Phys.Rev.B.Condens.Matter“, 1979, v.19,N10, p.5218−5222.
  338. Kisiel A., Turowski M., Czeppe T., Giriat W. Pundamental reflectivity of CuIn2S^, ZnIn2S^ and CuInS2 in the 2+60 ev. energy range-„Ternary Compounds. Third Int.Conf.of ternary compounds. Bristol and London. Conf.Ser.N35,1977,p.259−264.
  339. Kleinman L., Mednick K. Energy bands and effective masses of CuCl-„Phys.Rev.B.Condens.Matter“, 1979, v.20,N6,p.2487−2490.
  340. Kolodziejczak J., Sosnovski L. Termoelectromotive force and Nernst-Ettingshausen effect in InSb -„Acta Phys. Polonica“, 1962, v, 21, N4,p.399−413″
  341. Kono S., 0kusawa M. X-ray photoelectron study of the valence band in I-III-VI2 compounds -nJ-Phys.Soc.Jap.“, 1974, v.37,N5, p.1301−1304.
  342. Korol E.N., Tolpygo K.B. Dynamical theory of A^B crystals with fractional and variable charges of ions-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1971, v.45,N1,p.71−83.1. T 1 ?
  343. Koschel W.H., Bettini M. Zone-centered phonons in A B C^ chal-copyrites-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1975, v.72,N2,p.729−737.
  344. Koschel W.H., Hohler V., Rauber A., Baars J. Optical phonons in CuA1S2 -„Solid State Communs.“, 1973, v.13,N7,p.IOII-1016.
  345. Koshel W.H., Sorger jj'., Baars J. Raman and infrared spectra of ZnSiAsg-„Solid State Communs.“, 1974, v.15,N4,p.719−723.
  346. Koschel W.H., Sorger F., Baars J. Optical phonons in AIB-3c| compounds-„J.de Physique Suppl.“, 1975, v.36,N9,p.C3-I77-C3-I8I.
  347. Kranzer D. Mobility of holes of zinc-blende III-V and II-VI compounds-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1974, v.26,Hi, p.11−52.
  348. Krivaite G., Borschevskii A.S., Shileika A. Valence band structure of CdGeAs2 from electroreflectance spectrum-^Phys.Stat. Solidi (b)“, I973, v.57,NI, p. K39-K4I.
  349. KQhnel G., Siegel W., Ziegler E. Photoconductivity of ZnSiP2 near the absorption edge-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1975, v.30,N1, p. K25-K27.
  350. Kuno K. Dynamique de re-seau de Composes presentant la structure de la blende -„Annales de physique“, 1973−1974, v.8,N5,p.319−401.
  351. Kwan C.C.Y., Woolley J.C. Electroreflectance spectra of some II-IV-As2 compounds-„Can. J. of Physics“, 1970, v.48,N18,p.2085−2096.
  352. Lauwers H.A., Herman M.A. Force field of A (1)-B (11I)-S2 chal-copyrite compounds at aero wave vector -„J.Phys. Chem. Solids"1977,v.38,N9,p.983−989.
  353. Lerner L.S., CuGaSe2 and AglnSegi preparation and properties of single crystals-„J.Phys.Chem.Solids“, 1966, v.27,NI, p.1−8.
  354. Leroux-Hugon P. Propertites de quelques composes ternaires semiconductenrs -„Compt.Rends.“, 1963, v.256,NI, p. II8-I2o.
  355. Leroux Hugon P. Etude experimentall de la structure de bande du compose CdSnAs2 -„J.Phys.Chem.Solids“, 1966, v.27, N8, p.1205−1218.
  356. Lietz M., Rossler U. Bestimmung der Energiebandstructur von Kristallen mit Chalkopyritgitter nach der KP-Storungsrechnung -„Z.Naturforsch.“, I964, Bd. I9a, N7/8,s.850−856.
  357. Lin-Chung P.-J., Teitler S. Relativistic pseudopotential method -„Phys.Rev.B.Solid State“, 1972, v.6,N4,p.I4I9-I425.
  358. Lind M.D., Grant R.W. Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2 -„J.Chem.Phys.“, 1973, v.58, N1, p.357−362.
  359. Liu L. Effects of spin-orbit coupling in Si and Ge -„Phys.Rev.“ 1962, v.126,N4,p.I3I7-I328.
  360. Lockwood D.J. Raman spectrum of AgGaS2 revisited: temperature dependence of the degenerate modes -„Ternary compound. Third Int.Conf. of ternary compounds. Bristol and London. Conf.ser. N35″, 1977, p.97−103.
  361. Lockwood D.J., Montgomery H. Raman spectrum of AgGaS2 -„J.Phys. C. Solid State Phys.“, 1975, v.8,N19,p.3241−3250.
  362. Lockwood D.J., Montgomery H. Raman spectrum of AgGaS2 -„J. de Physique.Suppl.“, 1975, v, 36, N9,p.C3-I83 C3-I84.
  363. Look D.C., Manthuruthil J.C. Electron and hole conductivity in CuInSe2-nJ.Phys.Chem.Solids“, 1976, v.37,N2,p.173−180.
  364. Loucks T.L. Relativistic electronic structure in crystals.I. Theory.-nPhys.Rev.“, I965, v. I39A, N4, p. I333-I337.
  365. Loudon R. The Raman effect in crystals-„Adv. in Phys.“, 1964, v.13,N52,p.423−482.
  366. Loudon R. Light scattering spectra of solids. Spring-Verlag. Berlin (Heidelberg), New-York, 1969.
  367. Luciano M.J., Vesely C.J. X-ray photoelectron emission measurements of the valence band density of states and core levelsof CuA1S2 -„Appl.Phys.Lett.“, 1973, v.23,N8,p.453−454.
  368. Makey H., Sybert J.R. Magnetoconductivity of a Fermi ellipsoid with anisotropic relaxation time -„Phys.Rev.“, 1969, v.180,N3, p.678−681.
  369. Maltseva I.A., Mamedov A., Rud Yu.V., Undalov YuK. The photosensitivity of diodes based on CdGeP2: In crystals -„Phys. Stat. Solidi (a)“, 1978, v.50,N2,p.445−448.
  370. Mani K.K., Singh R.P. Effective charges and lattice dynamics of zincblende structure crystals.I. Effective charges -„Phys. Stat. Solidi (b)“, 1973, v.56,N2,p.723−730.
  371. Mani K.K., Singh R.P. Effective charges and lattice dynamics of zincblende structure crystals.±±.Dynamics of UaAs, Cdl’e, A1S b, InSb, ZnS -„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1973, v.57,NI, p.289−298.
  372. Maradudin A.A., Vosko S.H. Symmetry properties of the normal vibrations of a crystals -„Rev.Mod.Phys.“, 1968, v.40,HI, p.1−37.
  373. J-OI.Masumoto K., Isomura S. Preparation and electric properties of single crystals and doped crystals of ZnSnAs2 semiconductor -„Trans.of Hat.Res. Institute for metalls“, I966, v.8,N5,p.200−209.
  374. Masumoto K., Isomura S., Goto W. The preparation and properties of ZnSiASgjZnGePg and CdGeP2 semiconducting compounds-„J.Phys. Chem. Solids“, 1966, v.27,N11/12,p.1939−1947.
  375. Matyas M., Hoschl P. The semiconducting properties of CdSnAs2 -„Czech.J.Phys.“, 1962, v. BI2,N10,p.788−795.
  376. Matyas M., Minarik L. The magnetoresistance effect on n-type CdSnAs2-„Czech.J.Phys.“, 1967, v. BI7,NII, p.926−927.
  377. Mc Murry H.L., Solbrig A.W., Boytter J.K., Noble C. The use of valence force potentials in calculating crystal vibrations -„J.Phys.Chem.Solids“, 1967, v.28,N12,p.2359−2368.
  378. Medvedkin G.A., Rud Yu.V., Valov Yu.A."Sokolova V.I. Photoconductivity of p-type CdSnP2 single crystals-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1978, v.45,N2,p.K95-K99.
  379. Merten L. Polariton dispersion in biaxial and uniaxial crys-tals~"Phys.Stat.Solidi“, 1968, v.30,K2,p.449−454.
  380. Merten L., Lamprecht G. Directional dependence of extraordinary infrared oscillator parameters of uniaxial crystals (I)-„Phys. Stat. Solidi“, I970, v.39,N2,p.573−580.
  381. Migliorato P., Shay J.L., Kasper H.M., Sigurd Wagner. Analysis of the electrical and luminescent properties of CuInSe2 -nJ. Appl.Phys.“, 197 5, v.46,M, p.1777−1782.
  382. Miller A., Clark W. Electrical properties of ZnGeP2 and CdGePg-„J.de Physique.Suppl.“, 1975, v.36,N9,p.C3−73 C3−75.
  383. Miller A., Holah G.D., Clark W.C. Infrared dielectric dispersion of ZnGeP2 and CdGeP2-„J.Phys.Chem.Solids“, I974, v.35,N6,p.685−693.
  384. Miller A., Holah G.D., Dunnett W.D., Iseler G.W. Optical phonon in AgGaSe2-„Phys.Stat.Solidi (b)“, I976, v.78,N2,p.569−576.
  385. Mittleman S.D., Singh R. Electrical properties of cadmium and zinc doped CuInS2-„Solid State Communs.“, 1977, v.22,NI0,p.b59-bb2.
  386. Miyaguchi T., Yamamoto N., Hamakava Y., Kishino T. Composition dependence of band gaps of CuGaIxInJ{S2-„Jap. J.Appl.Phys.“, I973, v. I2tU4tp.b0b-b07.
  387. Nahory R.E., Shah J., Leite R.O.C., BUehler E., Wernic J.H. Sharp line photoluminescence in ZnSiP2-„Phys.Rev.B.Solid State“, 1970, v. I, N12, p.4677−4686.
  388. Nelin G. Harmonic lattice dynamics of germanium-„Phys.Rev.B. Solid State“, 1974, v.10,N10,p.4331−4339.
  389. Nelson D.F., Lax M. New symmetry for acousto-optic scattering
  390. VPhys.Rev.Le11.“, 1970, v.24,N8,p.379−380.
  391. Noblank J.P., Loudette J., Durrafourg G., Robertson D.S. Visible catodoluminescence of AgGaS2~"Appl.Phys.Lett.“, 1972, v.20,N7, p.2t?7−259.422.0kamoto K., Kinoshita K. Electrical andjoptical properties of
  392. Pantelides S.T., Harrison W.A. Structure of the valence bands of zinc-blende-type' semiconductors-„Phys.Rev.B.Solid state“, 1975, v. II, N8, p.3006−3021.
  393. Parkes J., Tomlinson R.D."Hampshire M.J. Electrical properties of CuInSe2 single crystals-„Solid State Electronics“, 1973, v.16,N7,p.773−777.
  394. Parmenter R.H. Symmetry properties of the energy bands of the zinc blende structure -„Phys.Rev.“, 1955, v.100,N2,p.573−579.
  395. Pasemann L., Cordts W., neinrich A."Monecke J. Band structurecalculation of ZnSiP2 -„Phys.Stat.SolidiCb)“, I976, v.77,N2, p.527−533.
  396. Penn D.R. Wave-number-dependent dielectric function of semi-conduct or s- „Phys. Rev.“, 1962, v.128,N5,p.2093−2097.
  397. Pikhtin A.N., Razbegaev V.N., Goryunova N.A., Leonov E.I., 0rlov V.M., Karavaev G.F., Poplavnoi A.S.Chaldyshev V.A. Energy band structure and optical properties of CdSnP2-„Phys.Stat.Solidi (a)“ 1971, v.4iNI, p.3II-3I8.
  398. Pollak F.H., Cardona M. Piezo-electroreflectance in Ge, GaAs and Si-„Phys.Rev.“, 1968, v.172,N3,p.8l6−829.
  399. Polygalov Yu. Ii, Poplavnoi A.S., Ratner A.M. Anion shift influence on band structure of crystals with chaicopyrite lattice-„J.de Physique.Suppl.“, 1975, v.36,N9,p.C3-I29 C3-I35.
  400. Raudonis A, Grigoreva V.S."Prochukhan V.D., Shileika A. Thermo-reflectance spectra and energy band structure of ZnGeP2 crys-tals-„Phys.Stat.Solidi (b)“, 1973, v.57,N1,p.415−421.
  401. Ray B. Electrical phenomena in II-IV-V2 compounds-„Proc.of the Int. Conf. on the Physics and Chemistry of Semiconductor. He-terojunctions and Layer Structures. Akademiac Kiado.Budapest, I97I, v.5 (suppl. section), p.339−347.
  402. Ray B., Paine A.J., Burrel G.J. Preparation and some physical properties of ZnGeP2-nPhys.Stat.Solidi“, 1969, v.35,N1,p.197−204.
  403. Regolini J.L., Levonczuk S., Nikitine S., Schwab C. Optical properties of CuGaS2near the fundamental absorption edge-„Phys. Stat. Solidi (b)“, 1973, v.55"N1,p.193−200.
  404. Riede V., Neumann H., Sobotta•H., Tomlinson R.D., Elliott E., Ho-warth L. Infrared study of lattice and free carrier effects in p-type CuGaTe2 single crystals -„Solid State Communs.“, 1980, v.33,N5,p.557−559.
  405. Riede V., Sobotta H., Neumann H., Hoang H.N., Moller W., Kuhn G. Infrared lattice vibration spectra of CuInSe2 and CuGaTe2 „Solid State Communs.“, 1978, v.28,N6,p.449−454.
  406. Riede V., Sobotta H., Neumann H., Hoang H.N., MSller W., Kuhn G. Infrared optical properties of CuInTe2-„Phys.Stat-Solidi (b)“, 1979, v.93,N2,p.K93-K97.
  407. Rosenberg A.J., Strauss A.J. Properties of CdSnAs2~"Bull.Amer. Phys.Soc. „, 1960, v. 5, NI, p.83.“
  408. RSssler U., Treusch J. Semi-empirical band structure theory -„Rep.Prog'r.Phys.“, 1972, v. 35, N8,p. 883−947.
  409. Rowe J.E., Shay J.L. Extension of the quasicubic model to ternary chalcopyrite crystals -„Phys.Rev.B.Solid State“, 1971, v.3,N2,p.451−453.
  410. Rubinstein M., Ure R.W. Preparation and characteristics of ZnSnP,-„J.Phys.Chem.Solids“, 1968, v.29,N3,p.551−555.
  411. Sandrock R. ,'i'reusch J. Simmetric-eigenschaften der Energiebander der Chalkopyritstructur -„Z.Naturforsch.“, 1964, Bd. I9a, N7/8,3.844−850.
  412. Schluter Ch., Schluter M. The electronic structure of SnS2 and SnSe2 -„Phys, Stat. Solidi (b)“, 1973, v.57,NI, p.145−155.
  413. Scott J.P., Raman spectra and lattice dynamics of ot -berlinite (A1P04) -„Phys.Rev.B.Solid State“, I97I, v.4,N4,p.I360-I366.4.58.Segall B. Permi Surface and energy bands of copper -„Phys. Rev.“, 1962, v.125,NI, p.109−122.
  414. Sermage B., Barthe-Levin P., Papdopoulo-Scherle A. Variation avec la temperature de la bande imterdite du champ cristallin et du couplage spin-orbite en centre de zone de AgGaSe2 at AgGaTe2-„J. de Physique.Suppl.“, I975, v.36,N9,p.C3-I37 C3-I43.
  415. Shay J.L., Buehler E., WernicAJ.H. Electroreflectance study of the energy-band structure of CdSnP2-."Phyo.Rev.B.Solid State“, 1970.v.2,NIu, p.4104−4109.
  416. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors. Pergamon Press. New-York.1975.
  417. Shileika A. Energy band structure and modulation spectra of A2B4c| semiconductors -„Surf.Sei.“, 1973, v.37,N3,p.730−747.
  418. Shirakawa T., 0kamura K., Nakai J. Photovoltaic effect of ZnSiP2 crystals from Zn melt -„Phys.Lett.“, 1979, v.73A, N5/6,p.442−444.
  419. Siegel W., Heinrich A., Ziegler E. Electron and hole mobility in ZnSiP2 -„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1976, v.35,N1,p.269−279.48I.Siegel W., Ziegler E. Analysis of Hall measurements on ZnSiP2-„Phys.Stat.solidi (a)“, 1974, v.21,N2,p.639−647.
  420. Siegel W, Ziegler E., KGhnel G. Some electrical properties of p-ZnSiAs2-„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1973, v.15,N2,p.521−524.
  421. Sikharulidze G.A., Ukhanov Yu.I. Absorption of polarized light in CdSnAs2 crystals -„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1968, v.26,HI, p.- K33-K36.
  422. Snell J.L., Burrell G.J., Moss T. S,"Mabberley J.C. Optical and electrical properties of ZnSiAs2 -„ГХ Intern.Conf. on the physics of semiconductors“, Moscow, July 23−29,1968, „Nauka“, Leningrad, 1968, v.2, p. I227-I233.
  423. Snow E.C. Self-consistent energy bands of metallic copper by the augmented-plane-wave method.II.-„Phys.Rev.“, 1968, v.171, N3, p.785−789.
  424. Soma T., Morita A. Perturbation theory of covalent crystals.II. Lattice vibration spectra in Si and Ge -„J.Phys.Soc.Jap,“, 1972, v.32,N1,p.38−45.
  425. Somogyi K. Electrical properties of ZnGeP2 at relatively low temperatures -„Phys.Stat.Solidi (a)“, I973, v. I8,N2,p.K95-K97.1.90. Somogyi K. Low-temperature behavior offsolution-grown ZnGeP2 crystals -„Phys.Stat.Solidi (a)“, 1974, v.25,N1,p.141−147.
  426. Somogyi K., Bertoty I. Some electrical properties ofjZnGePg crystals -“ Jap. J.Appl.Phys. „, 1972, v. II, N1, p. ЮЗ-Ю6.
  427. Somogyi K., Bertoty J. Herstellung und electrische Eigenschaften von GaP, ZnGeP2 und ZnSiP2-„Preiberger Forsch.“, 1975, Bd. 175, s.127−137.
  428. Soven P. Relativistic band structure and Permi surface of thallium. I.-'"Phys.Rev.“, 1965, v. I37A, N6, p. I706-I7I7.
  429. Spiess H.W., Haeberlen U., Brandt G., Rauber A., Schneider J. Nuclear magnetic resonance in I-III-VI2 semiconductors-„Phys. Stat. Solidi (b)“, 1974, v.62,HI, p.183−192.
  430. Spitzer W.G., Wernick J.H., Wolfe R. Electrical and optical properties of CdSnAs2 -„Solid State Electronics“, 1961, v.2,N2/3, p.96−99.
  431. Springthorpe A.J."Harrison J.G. MgSiP2: a new member of the II-IV-V2 semiconducting compounds -„Nature“, 1969, v.222,N5197, p.977.
  432. Springthorpe A.J., Monk R.W. Some electrical properties ofsolution-growth n-ZnSiP2 and p-ZnGeP2-„Phys.Stat.Solidi (a)H, 1970.v.I, HI, P. K9-K12.
  433. Springthorpe A.J., Pamplin B.U. Growth of some single crystal 2 a t>
  434. A B C2 semiconducting compounds -„J. Cryst. Growth“, 1968, v.3, N4, p.313−316.
  435. Strauss A.0., Rosenberg A.J. Preparation and properties of CdSnAs2-„J.Phys.Chem.Solids“, 1961, v.17,N¾, P.278−280.
  436. Takada S. Relativistic formulation of the Green’s function method in periodic lattices-„Progr. of Theor.Phys.“, 1966, v.36,N2,p.224−230.
  437. Takeda t. Linear methods for fully relativistic energy-band calculations -„J.Phys.F.Metal Phys.“, 1979, v.9,N5,p.815−829.
  438. Talwar D.N., Agrawal B.K. Lattice dynamics of II-VI, III-V compounds-„Solid State Communs.“, I972, v. II, NI2, p. I69I-I694.
  439. Talwar D.N., Agrawal B.K. Optical studies ofjlattice vibrations in sphalerite crystals a theoretical approach -„Phys.Stat. Solidi (b)“, 1974, v.63,N2,p.441−452.
  440. Tanaka S., Kawami S."Kobayashi.H., Sasakura H. Luminescence in CuGaS22xSe2X mixed crystals growth by chemical vapor transport-“ J. Phys.Chem. Solids“, 1977, v.3B, N6, p.680−681.
  441. Tell B., Bridenbaugh P.M. Aspects of the band structure of CuGaS2 and CuGaSe2 -„Phys.Rev.B.Solid State“, 1975, v.12,N8, p.3330−3335.
  442. Tell B., Hammonds E.M., Bridenbaugh P.M., Kasper H.M. Photoconductivity in AgInSe2 J.Appl.Phys.», 1975, v.46,N7,p.2998−3001.
  443. Tell B., Kasper H.M. Optical and electrical properties of
  444. AgGaSg and AgGaSe2 -«Phys.Rev.B.Solid State», 1971, v.4, N12, p.4455−4459.
  445. Tell B., Kasper H.M. Exitons and the spin-orbit splitting in CuGaS2 -«Phys.Rev.B.Solid State», 1973, v.7,N2,p*740−742.
  446. Tell B., Kasper H.M. Electrical properties of AgInSe2 -«J.Appl. Phys.», 1974, v.45,N12,p.5367−5370.
  447. Tell B., Kasper H.M. Current saturation in AgInSe2 -«J.Appl. Phys.», 1975, v.46,N2,p.931−932.
  448. Tell B., Shay J.L., Kasper H.M. Electrical properties, optical properties and band structure of CuGaS2 and CuInS2 -«Phys. Rev.B.Solid State», I97I, v.4, N8, p.2463−2471.
  449. Tell B., Shay J.L., Kasper H.M. Electroreflectance and absorption-edge studies of AgGaS2 and AgGaSe2 -«Phys.Rev.B.Solid State», 1972, v.6,N8, p.3008−3012.
  450. Tell B., Shay J.L., Kasper H.M. Some properties of AgAlTe2 and AgInTe2 -«Phys.Rev.B.Solid State», 1974, v.9,N12,p.5203−5208.
  451. Tell B., Shay J.L., Kasper H.M., Barns R.L. Valence band structure of CuGaxInI-xS2 allows -«Phys.Rev.B.Solid State», 1974, v.10,N4,p.1748−1750.
  452. Tell B., Thiel PiA. Photovoltaic properties of p-n-junctions in CuInS2 -«J.Appl.Phys.», I979, v.50,N7,p.5045−5046.
  453. Teranishi T., Sato K. Optical, electrical and magnetic prpper-. ties of chalcopyrite CuPeS2 -«J. de Physique.Suppl.», 1975, v.35, N9, p. C3-I49 C3-I53 .
  454. Teranishi T., Sato K., Kondo K. Optical properties of a magnetic semiconductor: chalcopyrite CuFeSg.I.Absorption spectra of CuPeS2 and Fe-doped CuA1S2 and CuGaS2 -«J.Phys.Soc.Jap.», I974, v.36,N6,p.l6l8-l624.
  455. Thwaites M.J., Tomlinson R.D."Hampshire M.J. Electroreflectance data for single crystals of CuInTe2 and CuGaTe2 -«Ternary Compound. Third Intern.Conf. of ternary compounds. Bristol and London. Conf. ser. N35», 1977, p.237−248.
  456. Thwaites M.J."Tomlinson R.D."Hampshire M.J. The observationof a direct energy band gap for CuInTe2 singler crystals using electroreflection technique -«Solid State Communs.», 1977, v.23, N 12, p.903−906.
  457. Thwaites M.J., Tomlinson R.D., Hampshire M.J. The observation of optical transitions from valence band states in CuInTe2-«Phys. Stat. Solidi (b)», I979, v.94,NI, P.2II-2I4.
  458. Treusch J. Green’s function method for energy band calculations including spin-orbit coupling -«Phys.Stat.Solidi», 1967, v.19, N 2, p. 603−607.
  459. Treusch J., Eckart P., Madelung 0. Energy band structure of ZnS -«II-VI semiconducting compounds», ed.D.G.Thomas, New-York, 1967, p.588−593.
  460. Turner E.H., Buehler E., Kasper H. Electro-optic behavior and dielectric constants of ZnGeP2 and CuGaS2 -«Phys.Rev.B.Solid State», 1974, v.9,N2,p.558−561.
  461. Valov Yu.A., Gorjunova N.A., Leonov E.I., 0rlov V.M. Preparation and properties of ternary I1-IV-V2 lauers and heterojunctions based on them -«Acta Phys.Acad.Sei.Hung.», 1973, v.33,N1,p.I-I5.
  462. Van Nam Nguen, Hobler H.-J., Kuhn G. Electrical properties of n-type CuInSe2 single crystals -«Solid State Communs.», 1978, v.25,Nil, p.899−902.
  463. Varshni Y.P. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI and III-V semiconductors (I) -«Phys.Stat.Solidi», 1967, v.19,N2,p.459−514.i27.Vetelino J.F., Mitra S.S. Lattice dynamics of cubic SiC -«Phys. Rev.», I969, v. I78,N3,p.I349-I352.
  464. Vetelino J.F., Mitra S.S."Namjoshi K.V. Lattice dynamics of ZnTe: Phonon dispersion, multiphonon infrared spectrum, mode Grunaisen parameters and thermal expansion -«Phys.Rev.», 1970, v.2, N4, p.967−973.
  465. Vyas M.K.R., Pitt G.D. Hydrostatic pressure resistivity variation in the-type ZnSiP2, CdSiP2, CdGeAs2-«J.Phys.C.Solid State Phys.», 1974, v.7, N23, p. L423-L426.
  466. Weisberg L.R. Anomalous mobility effects in some semiconductors and insulators -«J.Appl.Phys.tt, I962, v.33,N5,p.I8I7-I82I.
  467. Weisz G. Band structure and Fermi surface of white tin -«Phys. Rev.», 1966, v. I49, N2, p.504−518.
  468. Wiley J.D., iDi Domenico M. Lattice mobility of holes in III-V compounds -«Phys. Rev.B.Solid State», 1970, v.2,N2,p.427−433.
  469. Wolfe C.M., Stillman G.E., Lindley W.T. Electron mobility in high-purity GaAs -«J.Appl.Phys.», 1970, v.41,N7,p.3088−3091.
  470. Won Yu Phil. Sharp line and broad-band emission inAgGaS2 crystals -«J.Appl- Phys.», 1974, v.45,N2,p.823−827.
  471. Won Yu Phil. Radiative recombination in melt-grown and Cd -implanted CuInSe2 -«J.Appl.Phys.», 1976, v.47,N2,p.677−684.
  472. Won Yu Phil, Anderson W.J., Park Y.S. Anomalous temperaturedependence of the energy gap of AgGaS2 -«Solid State Communs.» -1973,v.13,N11,p.1883−1887.
  473. Won Yu Phil, Downing D.L., Park Y.S. Electrical properties of CuGaS2 single crystals -«J.Appl.Phys.», 1974, v.45,N12,p.5283−5288.
  474. Won Yu Phil, Park Y.S. Sharp-line and broad-band emission in AgGaS2 crystals-«J.Appl.Phys.», 1974, v.45,N2,p.823−827.
  475. Wooley J.C."Williams E.W. Some cross-substitutional alloys of CdTe -«J.Electrochem.Soc.1966,v.113,N9,p.899−901.
  476. Yamamoto N. Photoluminescences and exitation spectra of some I-III-VI2 compounds-«Jap.J.Appl.Phys.», 1976, v.15,N10,p.1909−1914.
  477. Yamamoto N., Horinaka H., Miyauchi T. Temperature dependence of tetragonal distortion and crystal field splitting in CuGaS2 -«Jap.J.Appl.Phys.», 1979"v.18,N?, p.255−259.
  478. Yamamoto N., Miyauchi T. Direct measurement of phase-shift difference upon reflection in|puGaS2 -«Jap.J.Appl.Phys.», 1974, v. I3,NII, p. I9I9-I920.
  479. Yamamoto N., Miyauchi T. Preparation of CuAlj^Ga^Sg alloys and measurement of phase-shift difference upon reflection -«J. de Physique.Suppl.», 1975, v.36,N9,p.C3-I55 C3-I57.
  480. Yamamoto N., Tohge N., Miyauchi T. Vapor growth of CuGaSg and its optical properties -«Jap.J.Appl.Phys.», 1975, v.14,N2,p.192−196.
  481. Zalar S.M. High temperature resistivity of the chalcopyrite compound CuInTe2-«J.Electrochem.Soc.», 1966, v.113,N3,p.230−234.
  482. Zallen R., Paul W. Effect of pressure on interband reflectivity spectra of germanium and related semiconductors -«Phys. Rev.», 1967, v.155,N3,p.703−711.
  483. Ziegler E., Siegel W. Effective Masse und Beweglichkeit der Locher in p-ZnSiAs2-«Kristall und Technik», 1975, Bd.10,N6, s.673−679.
  484. Ziegler E., Siegel W., Heinrich A. Hall data analysis and effective hole mass of p-ZnSiP^ -«-fuys.Stat.Solidi (a)», 1974, v.24, NI, p. K79-K83.
  485. Ziegler E., Siegel V/., Heinrich A. First -orders NPO scattering in p-ZnSiAs2 and p-CdSiAs2 -«Phys.Stat.Solidi (ajh, 1976, v.36, N2, p.491−494.
  486. Ziel l.P. van der, Meixner A.E., Kasper H.M., Ditzenberger J.A. Lattice vibrations of AgGaS2, AgGaSe2 and CuGaS2 -«Phys.Rev. B. Solid State», I974, v.9,N10,p.4286−4294.
  487. Zielinger J.P., Nognet C., Tapiero M. Photoelectronic properties of CuGaS2 -«Ternary compound. Third Intern. Conf. on ternarycompounds. Bristol and London. Coni'.ser. N35», 1977, p.145−157.
  488. Zlatkin L.B., Markov Yu.F."Stekhanov A.I., Shur M.S. Lattice reflection and constants of ZnSnP^ crystals with chalcopyrite and sphalerite structure -«Phys.Stat.Solidi», I969, v.32, N1, p. 473−479.
  489. Zurcher P., Meier ?'. Spin-polarized photoelectrons from semiconductors with chalcopyrite structure: ZnSiAs2 and ZnGeAs2 -«J.Appl.Phys.1979, v. 50, !l 5, p. 3687−3690.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!