Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах

Диссертация: Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Во второй главе на основе обобщенной модели Хаббарда, расширенной за счет учета электрон-деформационного взаимодействия, исследовалась зависимость между степенью заполнения узкой разрешенной зоны и изменением объема элементарной, ячейки. Была построена система уравнений самосогласования. Исследование ее показало, что в кристалле, описываемом обобщенной моделью Хаббарда, при частичном заполнении… Читать ещё >

Влияние деформации на зарядовое упорядочение в кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. ЗАРЯДОВОЕ ШОРЯДОЧЕНИЕ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЕ. II
    • I. Зарядовое упорядочение веществ с узкими энергетическими зонами проводимости. II
    • 2. Теоретические основы описания зарядового упорядочения в кристаллах
  • Глава II. ЭЛШЩ-ДЕШРМАВДОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ОБОБЩЕННОЙ МОДЕЛИ ХАББАРДА
    • I. Деформационные эффекты в узкозонных полупроводниках
    • 2. Гамильтониан описываемой мод еж. Система уравнений самосогласования
    • 3. Изменение объема кристаллов, описываемых обобщенной моделью Хаббарда
  • Глава III. ДЕФОРМАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ В ЗАРЯД0В
  • ШОРЯДОЧЕННОМ СОСТОЯНИИ
    • I. Энергетический спектр. Плотность состояний
    • 2. Система уравнений самосогласования
    • 3. Связь между деформацией решетки и полярными состояниями электронов в кристаллах
  • Глава.
    • 1. У. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦИОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ В ЗУС
    • I. Влияние деформации на Ш в зарядовоупорядоченное состояние
    • 2. Магнитная восприимчивость кристаллов в 3 У С
    • 3. Электропроводность в ЗУ С
  • ВЫВОДЫ

Поведение электронов в узких энергетических зонах во. многом определяется межэлектронным и электрон-деформационным взаимодействием, которые в обычной зонной теории, оперирующей одно-электронным приближением, учитываются самосогласованным образом и считаются малыми поправками, введенными в расчеты по теории возмущений.

В подавляющем большинстве описание веществ с зарядовым упорядочением требует для своего понимания именно привлечения этих двух типов взаимодействия, которые из возмущающих поправок в зонных веществах становятся определяющими в соединениях с зарядовым упорядочением или промежуточной валентностью. Отметим, что полной теории, описывающей фазовый переход (Ш) в зарядово-упоря-доченное состояние (ЗУС) и свойства соединений в этом состоянии, в настоящее время не существует, потому что это многоэлектронная задача, при решении которой приходится отказываться от многих привычных методов физики твердого тела (таких, как кинетическое уравнение Больцмана, одноэлектронное приближение и др.).

Для описания явлений ЗУС в настоящее время существует ряд моделей [16, 66, 67, 77], подчеркивающих тот или иной вид взаимодействия. И хотя эти модели не в состоянии полностью охарактеризовать явления ЗУС, их применение в большинстве случаев позволяет выявить главные причины, которые привели к Ш в указанное состояние. За последние годы открыты десятки новых соединений [16], обладающих ЗУС, сопровождающимся самопроизвольным, согласованным сжатием кристаллической решетки [68, 69]. Произошел большой сдвиг в способах легирования таких соединений и контроле стехиометрического состава. Успехи на этом пути во многом привели к прогрессу в физическом понимании природы ЗУС в таких соединениях, как магнетит, окислы титана и ванадия, различные интерметаллические соединения и соединения переходных металлов, и стимулируют поиск новых эффектов, связанных с зарядовым упорядочением в кристаллах.

Существенным обстоятельством, обусловившим рост интереса к исследованию ЗУС, явилось то, что в последние годы появились реальные сферы практического приложения этого яркого физического явления. Так, фазовый переход в ЗУС (часто это переход металл-диэлектрик) можно использовать при конструировании критических терморезисторов, оптической записи и хранения информации [б]. Наиболее важным, по-видимому, является тот факт, что большинство хороших катализаторов — это вещества с промежуточной валентностью, переходящие в ряде случаев в низкотемпературной фазе в ЗУС [52].

В настоящей работе проводится исследование влияния ЗУС на физические характеристики кристаллов. Отличие от предыдущих работ в этом направлении состоит в одновременном учете корреляции между электронами, электрон-деформационного и зеемановского взаимодействий, рассмотрении произвольных концентраций электронов, влияния внешнего давления и расчете новых физических характеристик кристаллов в ЗУС. Это позволило получить качественно новые результаты и дать объяснение целому ряду экспериментальных данных.

Так как будет исследоваться короткодействующее межэлектронное взаимодействие и проводиться качественное рассмотрение, то наиболее эффективным и приемлемым из методов самосогласованного.

— б поля будет являться приближение молекулярного поля [41], которое стало основным приближением в данной работе.

Диссертация состоит из из введения, четырех глав, выводов, списка литературы, приложения и примечания.

Первая глава носит обзорный характер. В ней обсуждаются наиболее характерные типы веществ, испытывающих переход в ЗУС, и влияние этого состояния на их физические характеристики кристаллов. Особое внимание уделяется основным факторам, стимулирующим этот переход, определяющим его характер. Рассматриваются наиболее распространенные модели, привлекаемые для теоретического исследования критерия перехода и некоторых свойств ЗУС. Наличие в литературе детальных обзоров по этой тематике (б, 27, 52, 80, 85J позволяет нам ограничиться только вопросами, получившими свое развитие в последующих главах.

Во второй главе на основе обобщенной модели Хаббарда, расширенной за счет учета электрон-деформационного взаимодействия, исследовалась зависимость между степенью заполнения узкой разрешенной зоны и изменением объема элементарной, ячейки. Была построена система уравнений самосогласования. Исследование ее показало, что в кристалле, описываемом обобщенной моделью Хаббарда, при частичном заполнении зоны имеет место изменение объема элементарной ячейки. Эта деформация самосогласованным образом связана с распределением электронов по состояниям и степенью заполнения зоны. Существует концентрационная область, при которой кристалл находится в сжатом состоянии. Показано, что максимальное сжатие элементарной ячейки происходит при степени заполнения зоны, меньшей или равной половине.

В третьей главе изучается связь между деформациями и электронным спектром, а также распределением электронов по состояния, имеющая самосогласованный характер в кристалле с волной зарядовой плотности, что является одной из причин структурных и изоструктурных фазовых переходов в кристаллах. Изменение распределения электронов по состояниям в свою очередь влияет на равновесный объем элементарной ячейки и вызывает ее деформацию. Самосогласованно рассмотрено электрон-деформационное взаимодействие в обобщенной модели Хаббарда, описывающей зарядово-упоря-доченное состояние, определена связь между степенью заполнения электронной зоны, объемом элементарной ячейки и параметром зарядового упорядочения.

В четвертой главе рассмотрено влияние электрон-деформационного взаимодействия на статистические, термодинамические и кинетические характеристики кристалла, находящегося в состоянии с волной плотности заряда. Рассмотрены аномалии температурной зависимости парамагнитной восприимчивости, проводимости, химического потенциала при переходе в ЗУС. Показано, что этот переход, сопровождающийся самосогласованным сжатием решетки, может быть превращением как второго, так и первого рода, при этом наблюдается температурный гистерезис рассматриваемых физических характеристик.

Научная новизна работы. Разработан самосогласованный метод учета электрон-деформационного взаимодействия в кристаллах, обнаруживающих пространственное перераспределение заряда. Используя этот метод, проведено исследование влияния этого взаимодействия на характеристики кристалла в ЗУС.

Произведен анализ условий смены типа фазового перехода электронной подсистемы в зарядово-упорядоченное состояние в зависимости от соотношения упругих констант кристалла, величины электрон-деформационного и кулоновского взаимодействий и давления.

Объяснено аномальное поведение магнитной восприимчивости и проводимости кристаллов при переходе их в состояние с волной зарядовой плотности.

Практическая ценность работы. С практической точки зрения работа ценна тем, что проведенные в ней исследования позволяют объяснить скачкообразный характер и температурный гистерезис ряда физических характеристик кристаллов при переходе в ЗУС. Полученный критерий смены типа фазового перехода дает возможность путем легирования, внешнего давления, термической обработки и др. изменять сознательно температуру Ш и его тип. Полученные результаты стимулируют постановку новых экспериментов, так как вопрос об уменьшении области существования ЗУС или полного ее уничтожения занимает одно из важнейших мест при создании образцов с высокотемпературной сверхпроводимостью.

Основные результаты по теме диссертации апробированы в работах [15, 20−22, 25, 29, 31−35,' 38, 43−47] и докалдывались на Республиканской школе молодых ученых и специалистов «Актуальные проблемы физики полупроводников» (Фергана, 1982 г.) — IX-й конференции молодых ученых и специалистов, посвященной 60-летию образования СССР (Львов, 1982 г.) — У1-й Всесоюзной конференции по статистической физике (Львов, 1982 г.) — Х-ом Всесоюзном симпозиуме «Электронное строение и физико-химические свойства тугоплавких соединений и сплавов» (Львов, 1983 г.) — УП Уральской школе по магнитным и редкоземельным полуцроводникам (Свердловск, 1983 г.) — 1У-й Всесоюзной конференции по кристаллохимии интерметаллических соединений (Львов, 1983 г.) — ХУ1-Й Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений (Тула, 1983 г.) — XI-ом Совещании по теории полупроводников (Ужгород, 1983 г.) — Межвузовской научно-практической конференции «Проблемы прочности, надежности и долговечности деталей и конструкций» (Кировоград, 1983 г.) — Всесоюзном симпозиуме «Неоднородные электронные состояния» (Новосибирск, 1984 г.) — П-й Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1984 г.) — У1 Всесоюзном координационном совещании «Материаловедение полупроводниковых П У соединений A BJ» (Каменец-Подольский, 1984 г.) — Научном семинаре теоретического отдела Ш АН УССР (Киев, 1984 г.) — П-м Всесоюзном совещании «Электронная динамика в зарядово-упорядоченных кристаллах» (Черноголовка, 1984) — ежегодных конференциях сотрудников и преподавателей Черновицкого госуниверситета (1979;1983 гг.).

Защищаемые положения.

1. Методика самосогласованного учета электрон-деформационного взаимодействия в кристаллах с волной зарядовой плотности.

2. Переход электронной подсистемы в ЗУС вследствие электрон-деформационного взаимодействия сопровождается самосогласованным сжатием элементарной ячейки и в зависимости от физических характеристик кристалла может быть превращением как первого, так и второго рода. При этом происходит перестройка энергетического спектра и наблюдаются аномальные температурные, полевые и концентрационные зависимости физических величин кристаллов.

3. Температурная зависимость электропроводности и магнитной восприимчивости при ШП 1-го рода в зарядово-упорядоченное состояние вследствие электрон-деформационного взаимодействия претерпевает разрыв и обнаруживает гистерезис.

ВЫВОДЫ.

1. Связь между деформацией решетки и электронным спектром, а также распределением электронов по упорядоченным состояниям имеет самосогласованный характер. Переход электронной подсистемы в ЗУС сопровождается уменьшением объема элементарной ячейки.

2. Кристалл находится в сжатом состоянии в ограниченном интервале концентраций электронов. Рост ширины зоны проводимости и уменьшение величины кулоновского отталкивания электронов соседних узлов приводит к увеличению этого интервала. Иех при этом смещается от 0 до I.

3. Переход электронной подсистемы в ЗУС, вследствие взаимодействия электронов с решеткой, может быть превращением 1-го рода. Этому способствуют большие межэлектронные корреляции, сильное электрон-деформационное взаимодействие и малая упругость кристалла.

4. Внешнее всестороннее давление приводит к изменению характеристической температуры и типа фазового перехода в упорядоченное состояние. В случае сильно локализованных взаимодействующих электронов рост давления способствует стабилизации ЗУС.

5. Перестройка энергетического спектра вследствие согласованной деформации кристалла при переходе электронной подсистемы в ЗУС приводит к аномальным температурным зависимостям магнитной восприимчивости, проводимости и других физических характеристик.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А., Горьков Л. П., Дзялошинский И. Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.: ГИШЛ, 1962. -1. АЛА п 111 о •
  2. С. И., Тимочко Б. М. Электронное упорядочение-«в двумерной обобщенной модели Хаббарда. ШМ, 1979, 48, № 2, с.469−475.
  3. С.И., Тимочко Б. М. Волны зарядовой плотности в кристаллах. У®-, 1979, 24» № 5″ с.627−636.
  4. А.Г., Кудинов Е. К. Фазовый переход при сильном электрон-фононном взаимодействии. ЖЭТФ, 1968, 55, № 4, с.1344−1355.
  5. Р. Фазовые переходы. М.: Мир, 1967. 288 с.
  6. А.А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. М.: Наука, 1979. -183 с.
  7. Л.Н., Хомский Д. И. Трехмерное упорядочение волн зарядовой плотности в квазиодномерных и слоистых кристаллах. -ЖЭТФ, 1977, 73, № 3, с.1149−1161.
  8. Л.Н. Структурный (пайерлсовский) переход в квазиодномерных кристаллах. УФН, 1975, 115, вып.2, с.263−300.
  9. В.Н., Щеголев И. Ф. Низкотемпературный фазовый переход в комплексе Qh CTCNQ) z. Письма в ЮТФ, 1974, 20, № 6, с.404−407.
  10. Р.А., Стасюк И. В. Электрон-деформационное взаимодействие и сжатие решетки в кристаллах, описываемых моделью Хаббарда. УШ, 1980, 25, № 3, с. '404−410.
  11. В.Д., Дидух Л. Д. Косвенное обменное взаимодействие через узкие зоны проводимости. <ШМ, 1978, 46, № I, с.348−352.
  12. В.Д. О зарядовом упорядочении в узкой, частично заполненной d -зоне. УШ, 1978, 23, № 7, с.1041−1045.
  13. Л.Д., Прядко Л.'Ш., Стасюк И. В. Корреляционные эффекты в узкозонных материалах. Львов: Вища школа, 1978. 120 с.
  14. Зубарев Д. Н. Двухвременная функция Грина в статистической физике. УФН, I960, 71, № I, с.71−116.
  15. М.Н., Скрипник Ф. В., Ткач В. И. Оптические свойства окислов переходных металлов. В кн.: Тезисы докл. Республиканской школы молодых ученых и специалистов «Актуальные проблемы физики полупроводников». — Фергана, 1982.
  16. Г. В., Ионов С. П. Зарядово-орбитальное упорядочение в неорганических кристаллах и его проявление в спектрах ЯКР. -Изв. АН СССР, сер.физ., 1978, 42, № 6, с.1297−1315.
  17. O.K., Фрадкин Е. С. Применение метода спектральных плотностей к системам с парным взаимодействием. ТМФ, 1970, 5, № 3, с.417−438.
  18. Е.В., Петраковский Г. А., Завадский Э. А. Физика маг-нитоупорядоченных веществ. Новосибирск: Наука, 1976. 287 с.
  19. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М.: Гостех-издат, 1951. 477 с.
  20. С.В., Ницович М. В., Ткач В. И. Электронный фазовый переход в зарядово-упорядоченных кристаллах с учетом деформационных эффектов. УМ, 1983, 28, № 10, е.1578−1581.
  21. С.В., Ткач В. И. Фазовые переходы порядок-беспорядок в системе сильнокоррелирующих электронов. 'Физическая электроника, 1983, вып.27, Львов, с.27−32.
  22. Н.И., Ницович В. М., Ткач В. И. Исследование особенностей магнитной восприимчивости соединений переходных металлов в области низких температур. УФЖ, 1984, 29, № 8, с.1262−1264.
  23. Н.И., Ницович В. М. Влияние магнитного поля на зарядовое упорядочение в кристаллах. УШ, 1981, 26, № 7,с.1160−1163.
  24. Н.И., Ницович В. М., Прядко Л. Ф. Влияние зарядового упорядочения на физические характеристики кристаллов в рамках обобщенной модели Хаббарда. Препринт № I ИШ АН УССР, Киев, 1981, с. 42.
  25. П.И., Лопатюк С. В., Ткач В. И. Деформационные эффекты при переходе кристаллов в зарядово-упорядоченное состояние. В кн.: Тезисы докладов и сообщений межвузовской научно-практической конференции. Кировоград, 1983, с. 49.
  26. Н.Ф., Дэвис Э. А. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 с.
  27. Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с.
  28. В.М., Лопатюк С. В., Ткач В. И. Особенности парамагнитной восприимчивости зарядово-упорядоченного кристалла. ФТТ, 1984, 26, вып.4, с. I245−1247.
  29. В.М., Кановский И. Я. Кулоновское взаимодействие электронов и волны зарядовой плотности. Препринт ИТФ-79−21р, ИТФ АН УССР, Киев, 1979, с. 19.
  30. В.М., Лопатюк С. В., Борец Н. Я., Ткач В. И. Влияние зарядового и магнитного упорядочения на физические свойства кристаллов. В кн.: Тезисы докл. У1 Всесоюзной конференции по статистической физике., Львов, 1982, с. 62.
  31. М.В., Лопатюк С. В., Ткач В. И. Динамика фазового перехода в кристаллах с электронным упорядочением. В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания «Электронная динамика в зарядово-упорядоченных кристаллах». М., 1984, с.48−49.
  32. В.М., Лопатюк С. В., Ткач В. И. Влияние электрон-деформационного взаимодействия на магнитное и зарядовое упорядочение в узкозонных полупроводниках. В кн.: Тезисы докладов XI совещания по теории полупроводников. — Ужгород, 1983, с. 433.
  33. .М., Лопатюк С. В., Ткач В. И., Скаб С. С. Электронное упорядочение в упругих кристаллах. Препринт № 14 ИФ АН УССР, Киев, 1984, с. 30.
  34. Э.А., Щеткин И. С. Физические свойства квазиодномерных соединений переходных металлов с халькогенами. Шизика низких температур, 1980, 6, № 7, с.821−841.
  35. И.В., Ткач В. И., Скаб С. С. Фазовые переходы порядок-беспорядок в соединениях типа В кы.: Тезисы докладов
  36. У1 Всесоюзного координационного совещания «Материаловедение полупроводниковых соединений1. Каменец-Подольский, 1984, с.57−58.
  37. Ю.Г. Современное состояние метода двухвременных функций Грина и квантовая теория поля. М.: Наука, 1973. 415 с.
  38. А.Г., Клингер М. И., Ницович В. М. 0 корреляции между электронами в узких примесных зонах полупроводников. -ЖТФ, 1957, 27, № 12, с.2784−2785.
  39. Дж. Эффективное поле в теории магнетизма. М.: Мир, 1968. 271 с.
  40. И.В., Григорчук Р. А. Теория деформационных эффектовв соединениях с редкоземельными и переходными ионами. Препринт ИТФ-81−17р, ИТФ АН УССР, с. 34.
  41. Ткач В. И, Северова Т. Б. Магнитная восприимчивость интерметаллических соединений в зарядово-упорядоченном состоянии. Вкн.: Тезисы докл. 1У Всесоюзной конференции по кристаллохимии интерметаллических соединений, Львов, 1983, с.128−129.
  42. В.И., Курек И. Г., Пронишин И. В. Влияние электрон-деформационного взаимодействия на зарядовое упорядочение в кристаллах. В сб.: Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума „Неоднородные электронные состояния“. Новосибирск, 1984, с.116−117.
  43. В.И., Мойсеенко Н. И. Влияние электрон-деформационного взаимодействия на магнитные свойства, а зарядово-упорядоченных систем. В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания „Электронная динамика в зарядово-упорядоченных кристаллах“. М., 1984, с.50−51.
  44. В.И., Северова Т. Б., Мунтяну Р. П. Особенности упорядоченных состояний в двумерных системах. В кн.: „Тезисы П Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок. Ивано-Франковск, 1984, с.III.
  45. С.В. Методы квантовой теории магнетизма. М.: Наука, 1975. -527 с.
  46. И.И. Бесфононная статическая проводимость неупорядоченных систем. 1977, 22, № 9, с.1475−1481.
  47. Р., Джебелл Т. Дальний порядок в твердых телах. М.: Мир, 1982. 447 с.
  48. Д.И. Об электронном упорядочении в кристаллах. Препринт ШН СССР им. Лебедева, 3 105, М., 1969, с. 20.
  49. Д.И. Электронные корреляции в узких зонах (модель i Хаббарда). ШМ, 1970, 26, № I, с.31−57.53.-Шкловский Б. И. Прыжковая проводимость полупроводников в сильном магнитном поле. Ф ЖЭТФ, 1971, 61, № 5, с.2033−2037.
  50. Anderson P.W. New approach, to the theory of sepurexchange interaction.- Phys.Rev., 1959, Ц5, N 1, p.2−12.
  51. Adler D., Brooks H. Theory of semiconductors-to-metal transition.- Phys.Rev., 1967, 155, N 3, p.826−840.
  52. Bak P., Brazovsky S.A. Theory of quasi-one-dimensional conductors.- Phys.Rev., 1968, ВГ7, N 8, p.3154−3164.
  53. Bari R.A. Effects of short-range interactions on electron-charge ordering and lattice distortions in the localised state.- Phys.Rev., 1972, N 8, p.2662−2670.
  54. Bari R.A., Adler D., Lange R.V. Electrical conductivity in narrow 'energy band.- Phys.Rev., 1970, B2, N 8, p.2898−2905.59* Boekema G. Mossbauer and SR studis on magnetite.-Phil.Mag., 1980, B42, N3, p.409−418.
  55. Gabib D. Electrical conductiviti in the Cullen and Callen chain-Phys.Stat.Sol., 1974, B65,N1,p.51−55.
  56. Gabib D. Electrical conductivity of the narrov-half-filled band Hubbard model with nearest-neighbot interaction.-Phys.Rev., 1975, B12,N6,p.2189−2193.
  57. Care С. ML, March. Ы.Н. Electron crystallization.-Adv.Phys., 1975, 24, W1,p.101−116.
  58. Caron L.G., Miljak M., Jerome D. Electronic properties of TTF-ICNQ: A connection between theory and experiment.-J.Phys., 1978,^29,N12,p.1355−1363.
  59. Chu G.W., Testardi L.R., Di Salvo F.G., Moncton D.E. Pressure effects on the charge-density-wave phases in 2H-TaSe2.-Phys.Rev., 1976, BU, 12, p.464−467.
  60. Cullen J.R., Callen E.R. Multiple ordering in magnetite.-Phys. Rev., 1973, B7,N1"P"397−402.
  61. Di Salvo P.J. Arelation between the charge density instability and superconducting 0? c in layered compounds .-Perroelectries, 1977,17,N1−2,p.361−364.
  62. Fazekus P., Tosatti E., Proc.Int.Conf.Phys.Semicond., 13th Int. Conf., ed Pumi P.G., Rome, 1976, p.415.
  63. Grier B.H., Parks R.D., Shapiro S.M., Ma^krzak P.-Ground state properties and magnetic excitations of the mixed valence state: Cerium-based alloys.-Phys.Rev., 1981, B24, N11, p.6242−6252.
  64. Gosard A.C., Remeika J.P., Kosuge K., Kachi S., Yasuoka H.-Phys.Rev. 1974, B9,N4,p.1230−1239.
  65. Hubbard J. Generalised Wigner lattises in one dimension and some application on tetracyanoquinodimethane (TCNQ) salts.-Phys.Rev., 1978, BV7,N2,p.194−205.73* Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands.-Proc.Roy.3oc., 1963, A276, p.238−257.
  66. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands.3.-Proc.Roy.Soc., 1964, A281, p.401−419.
  67. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands.4.-Proc.Roy.Soc., 1965, A285, N 3, p.542−557.
  68. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands.5.-Proc.Roy.Soc., 1967, A296, p.82−99.77“ Ionova G. et al. Orbital-charge ordering in crystals.- Phys. Stat.Sol., 1977, B84, Ж 2, p.493−501.
  69. Ihle D., Lorenz B. Electron correlation theory of Pe^O^.-Phil.Mag., 1980, 42, N 3, p.337−347.
  70. Ihle D., Lorenz B. Green function theory of electron correlations above and below the Verwey transition in magnetite doped with impurities.- J.Phys., 1977, ?10, N 9, p.1473−1490.
  71. Ionov S.P., Ionova G.V., Lubimov V.S., Makarov E.P. Instability of crystal lattices with respect toelectron density redistributions.- Phys. St at. Sol., 1975, ВЦ, И 1, p. 11−57.
  72. Izujama T. Asence pf complete ferromagnetism in s-band models.-Progr.theor.phys., 1972, ?7, N 7, p.2136−2137.
  73. Jizumi M., Shirane G. Crystal symmetry of the low temperature phase of magnetite.- Sol. state comm., 1975, N 4, Ц, p.433−436.
  74. Kittel C. Model of exchange-inversion magnetization.- Phys. Rev., 1960, 120, И 2, p.335−342.84″ Kubo K. Optical absorption in a narrow band.- J.Phys.Soc.Jap., 1971, 21, H 1, p.30−38.
  75. Klinger M.I., Samokhvalov A.A. Electron conduction in magnetite and ferrites.- Phys.Stat.Sol., 1977, B72., N 1, p.9−48.
  76. Lee P.Ар., Rice T.M., Anderson P.W. Conductivity from charge or spin density waves.-Sol.stat.comm., 1974"14>N8,P>703−709″
  77. Lorenz B., Ihle D. Calkulation of the electrical conductivity above and below the verwey transition of magnetite.-Phys.Stat. Sol.1975,B69.U2,p.451−457.
  78. Lorenz B., Ihle D. Electron-phonon versus Coulomb interaction effects at the verwey transition of Fe^O^.-Phys.Stat.Sol., 1979, B96. U2,p.659−669.
  79. Maki K. Hew nonlinear conduction mechanism in charge density wave condensates in two ore three space dimensions.Phys.Lett., 1979, А70″ N5, p.449−451.
  80. Mott N.?. Electrons in disordered struetures.-Adv.Phys., 1967, 16, Ы61,p.49−144.
  81. Manakova L.A., Manakov E.F., LubimoV V.S., Ionov S.P. Some pecula-ritis of charge ordere systems at constant electrik field.-Phys.Stat.Sol., 1977, B84, N1, p.1−6.
  82. Manakova L.A., Ionov S.P. The ordering types in the extended Hubbard model with electron-phonon interaction.-Phys.Stat.Sol. 1984. B121,111, p. 275−287.
  83. Shubin S., Wonsowsky S. Zur electronemen theorie der metalle.-Sow.Phys., 1935,7,N2,p.292−329.
  84. Shabalovskaja S.A., Lotkov A.I.Electron phase transition in (DiNi? Sol.Stat.Comm., 1979,^2,p.735−738.
  85. Shabalovskaja S.A., Lotkov A.I., Baturin A.A.Electron properties anomalis on the stage preseding rombohedral phase in TiNi.- 93
  86. Sol.Stat.Comm., 1982,?1,p.15−17.
  87. Shubin S., Wonsowsky S. On the electron theory of metals.-Proc. Roy.Soc., 1984, A»)45 «N1,p.159−180.
  88. Shinker C., Marezio M. The ord. er-disord.er transition of Ti^ pairs in Ti407 and (Ti1 «V.)^.-Phil.Mag., 1980, B42,N3,P.Ф53.
  89. Selte K., Kjekskus A., Andersen A.P.Magnetik structure and properties of Mn.^Pe.j.As phases.-Acta chem.scand.1974,28,N1,p.6l-70.
  90. Shimizu M. On the conductions of ferromagnetism by the band model IX.-Prog.Phys.Soc., 1965,86,N549,p.147−157.
  91. Shirane G., Chikazumi S., Akimitsy J., Chiba K., Matsui M., Pujii Y. Neutron scattering from lowtemperature phase of magnetite.
  92. J.Phys.Soc.Jap., 1975,^9,N4,p.949−957.
  93. Shimizy M. On the theory of ferromagnetism by the band model.-Proc.Phys.Soc., 1964, M"N539,p.397−408.
  94. Stasyk I.V., Grigorchuk R.A. The theory of the strain effects in the crystails, described by the s (d)-f model.-Phys.Stat. Sol., 1982, B112,N1,p.327−338.
  95. Tu R.S., Kaplan T.A.Effect of interatomic interactions on the zero-bandwidth Hubbard Hamiltonian.-Phys .Stat.Sol., 1974, B63, N2, p.659−662.
  96. Vonsovsky S.V., Kathnelson M.I. Some types of instabilitis in the electron energy spectrum, of the polar model of the polarity State.-J.Phys., 1979,012,N11,p.2043−2053.
  97. Yamada Y. Lattice instabilities in coupled pseudospin phonon system.-Perroelectries, 1977,16,N1−4,p.49−58.1. ПРИМЕЧАНИЕ
  98. В.М., Лопатгок С. В., Борец Н. Я., Ткач В. И. Влияние зарядового и магнитного упорядочения на физические свойства кристаллов. В кн.: Тезисы докладов У1 Всесоюзной конференции по статистической физике, Львов, 1982, с. 62.
  99. В.М., Ткач В. И., Скаб С. С., Пронишин И. В. Зарядовоеи магнитное упорядочение в соединениях переходных металлов. -В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания «Электронная динамика в зарядово-упорядоченных кристаллах». М., 1984, с.9−12.
  100. В.М., Лопатюк С. В., Ткач В. И. Динамика фазового перехода в кристаллах с электронным упорядочением. В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзного совещания «Электронная динамика в зарядово-упорядоченных состояниях». М., 1984, с.48−49.
  101. В данных работах исследовалось поведение физических характеристик кристаллов при переходе электронной подсистемы в состояние с волной зарядовой плотности.
  102. Диссертант принимал участие в постановке задачи и разработке методики расчета. Им проведены расчеты температурной зависимости параметра порядка и анализ полученных результатов.
  103. В данных работах исследовались деформационные эффекты в системе локализованных взаимодействий электронов в узких энергетических.: зонах, описываемых моделью Хаббарда.
  104. С.В., Ткач В. И. Фазовые переходы порядок-беспорядокв системе сильнокоррелирующих электронов. Физическая электроника, 1983, вып.27, Львов, с.27−32.
  105. Н.И., Ницович В. М., Ткач В. И. Исследование особенностей магнитной восприимчивости соединений переходных метал лов в области низких температур. У31, 1984, 29, № 8,с.1262−1264.
  106. В.И., Северова Т. Е. Магнитная восприимчивость зарядово-упорядоченного кристалла интерметаллических соединений. В кн.: Тезисы докл. 1У Всесоюзной конференции по кристаллохимии интерметаллических соединений. Львов, 1983.
  107. И.В., Ткач В. И., Скаб С. С. Фазовые переходы порядок1. П Убеспорядок в соединениях типа, А В. В кн.: Тезисы докладов У1 Всесоюзного координационного совещания «Материаловедение полупроводниковых соединений Каменец-Подольский, 1984, с.57−58.
  108. В.И., Вивчарюк В. Н., Пронишин И. В. Парамагнитная восприимчивость зарядово-упорядоченного кристалла. В кн.: Тезисы доклада ХУ1 Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений. Тула, 1983, т.2, с. 155.
  109. Диссертант принял участие в постановке задачи, проделанных расчетах и анализе полученных результатов. Им было произведено сопоставление с имеющимися экспериментальными данными и найдено практическое подтверждение сделанных в работе выводов.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!