Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0, 63 Pb0, 32 Ge0, 05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
Диссертация
Особенности поведения примеси таллия в массивных равновесных образцах селенида свинца достаточно подробно изучены и описаны в литературе. Установлено, что при легировании селенида свинца таллием проявляется эффект самокомпенсации примеси, причем особенности самокомпенсации описываются в рамках простейшей модели самокомпенсации примеси одиночными вакансиями. Однако, на практике, для изготовления… Читать ещё >
Список литературы
- Н.Х. Абрикосов, J1.E. Шелимова. «Полупроводниковые материалы на основе соединений А4В6», М., Наука, 1968, 384 с.
- R.F. Brebrick. «Composition Stability Limits of Binary Semiconductor Compounds», J. Phys. Chem. Sol., 18,2/3, p. 116−128 (1961).
- G.G. Libowitz, J.B. Lightstone. «Characterization of Point Defects in Nonstoichiometric Compounds from Thermodynamics Considerations», J. Phys. Chem. Sol., 28, 7, p. 1145−1154 (1967).
- В.П. Зломанов, A.B. Новоселова. «Р-Т-х-диаграммы состояния систем металл-халькоген», М., Наука, 1987.
- W.W. Scanlon. «Recent Advances in the Optical and Electronic Properties of PbS, PbSe, PbTe and their Alloys», J. Phys. Chem. Sol., 8, p. 423−428 (1959).
- A.F. Gibson «The Absorbsion Spectra of Single Crystals of Lead Sulpfuride, Selenide and Telluride», Proc. Phys. Soc. (London), B65, part 5, p. 378−388 (1952).
- Е.Д. Девяткова, В. А. Саакян «Температурная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов PbTexSei. x», ФТТ, 10, 5, с. 1563−1565 (1968).
- P.J. Lin, Z. Kleiman. «Energy Bands of PbTe, PbSe and PbS», Phys. Rev., 142, p. 478−489 (1966).
- S. Rabii. «Investigation of Energy-Band Structures and Electronic Properties of PbS and PbSe», Phys. Rev., 167, 3, p. 801−808 (1968).
- J.M. Tung, M.Z. Cohen. «Realistic Band Structure and Electronics Properties of SnTe, GeTe and PbTe», Phys. Rev., 180, 3, p. 823−826 (1969).
- F. Herman, R.Z. Kortum, I.B. Ortenburger, J.P. Van Dyke. «Realistic Band Structure of GeTe, SnTe, PbTe, PbSe and PbS», J. De Physique, 29, 176, p. C4−62−77 (1969).
- J.B. Conklin, E.L. Johnson, G.W. Pratt. «Energy Bands in PbTe», Phys. Rev., 137,4A, p. A 1282−1294 (1965).
- L.G. Ferreira. «Deformation Potentials of Lead Telluride», Phys. Rev. 137, 4A, p. 1601−1609 (1965).
- D.L. Mitchell, R.F. Wallis. «Theoretical Energy-Band Parameters of the Lead Salts», Phys. Rev., 151, 2, p. 581−595 (1966).
- J.O. Dimmok, G.B. Wright. «Band Edge Structure of PbS, PbSe and PbTe», Phys. Rev., 135, ЗА, p. 821−830 (1964).
- Ю.И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов. «Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS», M., Наука, 1968, 383 с.
- Е. Квятковский. «Строение валентной зоны соединений AIVBVI», ФТТ, 32,10, с. 2862−2868 (1990).
- Г. С. Бушмарина, И. А. Драбкин, М. А. Квантов, О. Е. Квятковский. «Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова», ФТТ, 32, 10, с. 2869−2880 (1990).
- М.К. Житинская, В. И. Кайданов, И. А. Черник. «О непараболичности зоны проводимости теллурида свинца», ФТТ, 8, 1, с. 295−297 (1966).
- И.А. Черник, В. И. Кайданов, М. Н. Виноградова, Н. В. Коломоец. «Исследование валентной зоны теллурида свинца с помощью явлений переноса», ФТП, 2, 6, с. 773−781 (1968).
- И.А. Черник, М. Н. Виноградова, Н. В. Коломоец, Д. П. Семенцина. «К вопросу о зонной структуре селенистого свинца «, ФТП, 2, 8, с. 1173−1175 (1968).
- И.А. Черник, В. И. Кайданов, Е. Д. Ненсберг, В. В. Поляков. «К вопросу о структуре зоны проводимости сернистого свинца», ФТП, 2, 1, с. 142−144 (1968).
- Б.Я. Мойжес, Ю. И. Равич. «О механизмах рассеяния и роли межэлектронных столкновений в w-PbTe», ФТП, 1, 2, с. 188−195 (1967).
- В.И. Тамарченко, Ю. И. Равич, Л. Я. Морговский, И. Н. Дубровская. «О числе Лоренца и других кинетических коэффициентах в вырожденных образцах PbTe, PbSe nPbS», ФТТ, И, 11, с. 3206−3213 (1969).
- С. Грязнов, Ю. И. Равич. «Об анизотропии рассеяния носителей в РЬТе», ФТП, 3, 9, с. 1310−1315 (1969).
- Ю.И. Равич, Л. Я. Морговский. «К теории рассеяния носителей на оптических и акустических фононах в полупроводниках типа РЬТе», ФТП, 3,10, с. 1528−1539 (1969).
- В.И. Тамарческо, Ю. И. Равич. «Влияние столкновений между носителями на эффект Нернста и другие явления переноса в невырожденных полупроводниках», ФТП, 2,12, с. 1729−1737 (1968).
- JU.I. Ravich, В.А. Efimiva, V.I. Tamarchenko. «Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenids. I. Theory», Phys. Stat. Sol.(b), 43,1, p. 11−33 (1971).
- Ju.I. Ravich, B.A. Efimiva, V.I. Tamarchenko. «Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenids. II. Experiment», Phys. Stat. Sol.(b), 43, 2, p. 453−469 (1971).
- И.А. Черник, В. И. Кайданов. «О подвижности «легких» и «тяжелых» дырок и межзонном рассеянии в теллуриде свинца», Труды ЛПИ, 325, с. 43−55 (1971).
- В.И. Кайданов, С. А. Немов, Ю. И. Равич «Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа А4В6», ФТП, 28, 3, с. 369−393 (1994).
- Т.А. Гаврикова, В. А. Зыков, С. А. Немов «Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe», ФТП, 27, 2, с. 200−204 (1993).
- В.А. Зыков, Т. А. Гаврикова, С. А. Немов, «Особенности самокомпенсации в пленках PbSe», ФТП, 30,4, с. 386−388 (1996).
- Ф. Крегер. «Химия несовершенных кристаллов», М., Мир, 1969.
- Л.И. Бытенский, В. И. Кайданов, Р. Б. Мельник, С. А. Немов, Ю. И. Равич. «Самокомпенсация акцепторов вакасиями в сульфиде и селениде свинца, легированных таллием», ФТП, 14, 7, стр. 74−79 (1980).
- Л.И. Бытенский, В. И. Кайданов, В. П. Макеенко, Р. Б. Мельник, С. А. Немов. «Самокомпенсация донорного действия висмута в теллуриде свинца», ФТП, 18, 3, с. 489−492 (1984).
- Т.Л. Ковальчик, Ю. П. Маслаковец. «Влияние примесей на электрические свойства теллуристого свинца», ЖТФ, 26, 11, с. 2417 (1956).
- Б.А. Ефимова, Г. Ф. Захарюгина, Л. В. Коломоец. Известия академии наук СССР Неорганические материалы, 4,1, с. 32 (1968).
- В.А. Зыков, Т. А. Гаврикова, С. А. Немов. «Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца», ФТП, 29, 2, с. 309−315 (1995).40."Физические величины», под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова, М., Энергоатомиздат 1991.
- Л.Д. Дудкин, Н. А. Ерасова, В. И. Кайданов, Т. И. Калашникова, Э. Ф. Косолапова. «Влияние примеси индия на электрофизические свойства теллурида олова», ФТП, 6,11, с. 2294−2296 (1972).
- Г. С. Бушмарина, И. А. Драбкин, В. В. Компаниец, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, М. А. Шахов. «Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием», ФТТ, 28, 4, с. 1094−1099 (1986).
- А.Е. Цуркан, О. Г. Максимова, В. И. Верлан. «Сложные полупроводники и их физические свойства», Кишинев, Штиница, 1971, с. 128−134.
- Landolt-Bornstein. «Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology», Ed. O. Madelung, Berlin: Springer-Verlag, vol. 17, subvol f (1983).
- В.И. Кайданов, И. С. Лискер. «К вопросу об определении гальвано и термомагнитных эффектов в полупроводниках», ИФЖ, 8, 5, (1965).
- С. Л. Пышкин. «Лазерные методы получения полупроводниковых структур и их иследование», Кишинев, «Истина», 1988, 99с.
- Ю.В. Афанасьев, О. Н. Крохнн. «Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные среды», труды ФИ АН СССР, 52, с. 118−170(1970).
- С.В. Гапонов, H.H. Салащенко. Электронная промышленность, 1, с. 11−20 (1976).
- ИВ. Немчинов. ««, ПММ, 29, 1, с. 134−140 (1965).
- А.Ф. Гончаренко, И. В. Немчинов, В. М. Хазинс. ПМТФ, 3, с. 13−18 (1976).
- С.В. Гапонов, A.A. Гудков, Б. М. Лускин. ЖФТ, 51, с. 1000−1004 (1981).
- Жерихин. «Лазерное напыление тонких пленок», Современные проблемы лазерной физики, Итоги науки и техники. 1, с. 197−221 (1990).
- Л.И. Бытенский, В. И. Кайданов, Р. Б. Мельник, С. А. Немов, В. И. Равич. «Самокомпенсация акцепторов вакасиями в сульфиде и селениде свинца, легированных таллием», ФТП, 14, 7, с. 74−79 (1980).
- В.А. Зыков, Т. А. Гаврикова, С. А. Немов, П. А. Осипов. «Явление самокомпенсации в тонких слоях PbSe: Tl», ФТП, 33, 1, с. 27−30 (1999).
- С.А. Немов, С. Ф. Мусихин, П. А. Осипов, В. И. Прошин. «Энергетический спектр твердых растворов (Sno>65Pbo-35)o, 95Geo, o5Te» ФТТ, 42, 4, с. 47−49 (2000).
- В.М. Грабов. «Явление переноса и межэкстремумное рассеяние носителей заряда в полуметаллах», «Физика твердого тела», материалы межвузовской научной конференции. Барнаул, БГПИ, АГУ, с. 31−34 (1982).
- В.И. Кайданов, Ю. И. Равич. «Глубокие и резонансные в полупроводниках типа А^В^», УФН, 145, с. 51−86 (1985).58. «Физические величины», под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова, М., Энергоатомиздат, 1991.
- В.М. Грабов. «Закономерности межэкстремумного рассеяния носителей заряда в полуметаллах», «Полупроводники с узкой запрещенной зоной и-126полуметаллы», материалы VII всесоюзного симпозиума, Львов, 1986, часть 2, с. 194−196.
- G.S. Bushmarina, I.A. Drabkin, D.V. Mashovets, R.V. Parfeniev, D.V. Shamshour, M.A. Shachov. PhysicaB, 169, c. 687 (1991).
- С.А. Немов, С. Ф. Мусихин, Р. В. Парфеньев, В. Н. Светлов, Д. Н. Попов, В. И. Прошин, Д. В. Шамшур. «Влияние добавок Ge на распределение компонентов и сверх- проводящий переход в пленках SnizPbzTe: In», ФТТ, 37, 11, с. 3523−3525 (1995).
- Н.В. Коломоец. «Влияние межзонных переходов на термоэлектрические свойства вещества», ФТТ, 8, 4, с. 997−1003, (1966).
- С. Грязнов, Г. А. Иванов, Б. Я. Мойжес, В. Н. Наумов, В. А. Немчинский, В. Н. Редько. «Влияние межзонного механизма рассеяния на кинетические явления в p-BiixSbx», ФТТ, 24, 8, с. 2335−2343 (1982).