Электронный парамагнитный резонанс собственных и примесных дефектов в нейтронно-облученном карбиде кремния с природным и измененным изотопным составом
Диссертация
Таким образом, методом ЭПР исследованы мелкие доноры N и мелкие акцепторы В в кристаллах SiC и мелкие доноры Р и As в кристаллах кремния с измененным изотопным составом Si и С. В результате изменения содержания изотопов 29Si и 13С, имеющих ненулевые магнитные моменты, произошли существенные изменения в спектрах ЭПР мелких доноров N и мелких акцепторов В в SiC, а также мелких доноров Р и As… Читать ещё >
Список литературы
- G. Watkins, in Deep Centres in Semiconductors, edited by S.T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986), p. 147.
- L.A. de S. Balona and J.H.N. Loubser, J. Phys. C: Solid St. Phys. 3,2344 (1970).
- N.M. Pavlov, M.I. Iglitsyn, M.G. Kosaganova, and V.N. Solomatin, Sov. Phys. Semicond. 9, 845 (1975).
- V.S. Vainer, and V.A. Il’in, Soviet Physics: Solid State 23,2126 (1981).
- J. Schneider and K. Maier, Physica В 185, 199 (1993).
- M. Kunzer, Thesis Universitat Freiburg i. Brsg, 1995.
- T. Wimbauer, B.K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Scharmann, and H. Overhof, Phys. Rev. В 56, 7384 (1997).
- E. Sormann, N.T. Son, W.M. Chen, O. Kordina, C. Hallin, and E. Janzen, Phys. Rev. В 61, 2613 (2000).
- Mt. Wagner, B. Magnusson, W.M. Chen, E. Janzen, E. Sormann, C. Hallin, and J.L. Lindstrom, Physical Review В 62,16 555 (2000).
- H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, G. Battistig, and I. Vickridge, Phys. Rev. В 62, 10 126 (2000).
- H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, L. Henry, and M.F. Barthe, Phys. Rev. В 62, 10 841 (2000).
- P.G. Baranov, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Physica B, 308−310, 680 (2001).
- S.B. Orlinskii, J. Schmidt, E.N. Mokhov, and P.G. Baranov, Phys. Rev. В 67, 125 207 (2003).
- J. Isoya, H. Kanda, Y. Uchida, S.C. Lawson, S. Yamasaki, H. Itoh and Y. Morita, Phys. Rev. Ii 45, 1436(1992).
- N.T. Son, P. I I. Hai, and E. Janzen, Materials Science Forum, Trans Tech Publications, Switzerland, Vols. 353−356, pp. 499−504 (2001).
- N. T. Son, P. N. Hai, and E. Janzen, Phys. Rev. В 63,201 201® (2001).
- N. T. Son, B. Magnusson, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 81,3945 (2002).
- V.Ya. Bratus', I.N. Makeeva, S.M. Okulov, T.L. Pctrenko, T.T. Petrcnko and H.J. von Bardeleben, Materials Science Forum, Tran. Tech. Publications, Switzerland, Vols. 353−356, 517(2001).
- V. Ya. Bratus, I. N. Makeeva, S. M. Okulov, T. L. Petrenko, Т. T. Petrenko, H. J. von Bardeleben, Physica В 308−310, 621 (2001).
- N.T. Son, P.N. Hai, and E. Janzen, Phys. Rev. Lett. 87,45 502 (2001).
- N. T. Son, B. Magnusson, Z. Zolnai, Л. Ellison, and E. Janzen, Mater. Sci. Forum vol. 457−460,437 (2003).
- T. Umeda, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, T. Kamiya, Phys. Rev. В 69, R121201 (2004).
- Mt. Wagner, N.Q. Thinh, N.T. Son, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, C. Hallin, W.M. Chen, and E. Janzen, Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsnkuba, Japan Mater. Sci. Forum 389−393, 501 (2002).
- Mt. Wagner, N. Q. Thinh, N. T. Son, W. M. Chen, E. Janzen, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, C. Hallin, and J. L. Lindstrom, Phys. Rev. В 66, 155 214 (2002).
- Th. Lingner, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth, U. Gerstmann, E. Rauls, Z. Hajnal, Th. Frauenheim, H. Overhof, Phys. Rev. В 64,245 212 (2001).
- V.V. Konovalov, M.E. Zvanut, and J. van Tol, Phys. Rev. В 68, 12 102 (2003).
- F.P. Larkin and A.M. Stoneham, J. Phys. С 3, LI 12 (1970).
- P. Deak, J. Miro, A. Gali, L. Udvardi, and H. Overhof, Appl. Phys. Lett. 75,2103 (1999).
- L.Torpo, R.M. Nieminen, K.E. Laasonen, and S. Poykko, appl. Phys. Lett. 74, 221 (1999).
- A. Zywietz, J. Furthmuller, and F. Bechstedt, Phys. rev. В 59, 15 166 (1999).
- Young-Hoon Lee and James W. Corbett, Phys. Rev. В 8, 2810 (1973) — Young-IIoon Lee and James W. Corbett, Phys. Rev. В 9,4351 (1974).
- J.L. Hastings, S.K. Estreicher, and P.A. Fedders, Phys. Rev. B, 56, 10 215 (1997).
- W.E. Carlos et al" Bull. Am. Phys. Soc. 48, (2003) p. 1322.
- D.A. Redman, S. Brown, R.H. Sands, and S.R. Rand, Phys. Rev. Lett. 67, 3420 (1991).
- T.E.M. Staab, A. Sieck, M. Haugk, M.J. Puska, Th. Frauenheim, and H.S. Leipner, Phys. Rev. В 65, 115 210 (2002).
- K.K. Shvarts, Y.A. Ekmanis, Radiation and photostimulated processes in inorganic materials, ed. by V.M. Tuchkevich, Riga, 363 (1981).
- A.A. Sitnikova, E.N. Mokhov, and E.I. Radovanova, phys. stat. sol. (a) 135, K45 (1993).
- E.N. Mokhov, E.I. Radovanova and Л.Л. Sitnikova, Springer Proceeding in Physics, Vol. 56, Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III, Editors: G.L. Harris, M.G. Spencer, and C.Y. Yang, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1992, pp. 231−234.
- R.N. Kyutt, A.A. Lepneva, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, A.S. Tregubova, M.M. Shcheglov, and G.F. Yuldashev, Sov. Phys. Solid State 30, 1500 (1988) Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 30,2606 (1988).
- A.I. Girka, A.D. Mokrushin, E.N. Mokhov, V.M. Osadchiev, S.V. Svirida, and A.V. Shishkin, Sov. Phys. JETP 70,322 (1990) Zh. Eksp. Teor. Fiz. 97, 578 (1990).
- L. Henry, M.-F. Barthe, C. Corbel, P. Desgardin, G. Blondiaux, S. Arpiainen, and L. Liszkay, Phys. Rev. В 67, 115 210 (2003).
- H.N. Loubser and J.A. van Wyk, Diamond Res. 11 (1977).
- Xing-Fei He, N.B. Manson, and P.T.H. Fisk, Phys. Rev. В 47 (14), pp. 8809−8815 (1993).
- B.A. Ильин, Исследование точечных термических дефектов в монокристаллах карбида кремния методом ЭПР, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. Наук, Ленинград, 1981.
- L. Patrick, W.J. Choyke, Phys. Rev. В 5, 3259 (1972).
- W.J. Choyke, in: Radiation Effects in Semiconductors, 1976. -Conf. Ser. 31, Bristol and London: the Institute of Physics, 1977, pp. 58−69.
- A.van Duijn-Arnold, J. Mol, R. Verberk, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, Phys. Rev. В 60, 15829(1999).
- A. v. Duijn-Arnold, R. Zondervan, J. Schmidt, P.G. Baranov, and E.N. Mokhov, Phys. Rev. В 64, 85 206 (2001).
- Masri, Surface Science Reports 48, pp. 1−51 (2002)
- Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, G. Ramm, A.D.Roenkov, Krist und Techn. 14, 729 (1979).
- O.N. Godisov, A.K. Kaliteevskii, V.I. Korolev, B.Y. Ber, V.Y. Davydov, M.A. Kaliteevskii, P. S. Kop’ev, Semiconductors 35, 877 (2001).
- V.G. Grachev, Zh. Eksp. Teor. Phys. 92,1834 (1987) Sov. Phys. JETP 65, 7029 (1987).
- I.V. Ilyin, M.V. Nluzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Physica В 340−342, 128 (2003).
- G.D. Watkins and J.W. Corbett, Phys. Rev. 134, Л1359 (1964) — 138, Л543 (1965).
- J.R. Morton and K.F. Preston, J. Magn. Reson. 30, 577 (1978).
- J.L. Hastings, S.K. Estreicher, and Р.Л. Fedders, Phys. Rev. B, 56, 10 215 (1997
- Л. Gali, P. Deak, P. Ordejon, N. T. Son, E. Janzen, W. J. Choyke, Phys. Rev. В 68, 125 201 (2003).
- Л. Mattausch, M. Bockstendte, and O. Pankratov, Phys. Rev. В 69, 45 322 (2004).
- E. Raus et al., Physica B, vols.340−342, p.184 (2003).
- A.Gruber, A. Drabenstedt, C. Tietz, L. Fleury, J. Wrachtrup, C. von Borczyskowski: Science 276 (1997), p. 2012 and references therein.
- W. Kohn and J.M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955) — Phys. Rev. 98, 915 (1955).
- A.F. Kip, C. Kittel, R.A. Levy, and A.M. Portis, Phys. Rev. 91, 1066 (1953).
- П.Г. Баранов, Ю. П. Вещунов, Н. Г. Романов, Письма в ЖЭТФ 32, 3 (1980) P.G. Baranov, Yu.P. Veshchunov, N.G. Romanov, JETP Lett. 32, 1 (1980).].
- G. Feher, Phys. Rev. 114, 1219 (1959).
- D.K. Wilson, Phys. Rev. 134, A265 (1964).
- G. Feher, J.C. Hensel, and E.A. Gere, Phys. Rev. Lett. 5, 309 (1960).
- H.H. Woodbury and G.W. Ludwig, Phys. Rev. 124, 1083 (1961).
- А.Г. Зубатов, И. М. Заритский, C.H. Лукин, Е. Н. Мохов и В. Г. Степанов, ФТТ 27, 322 (1985) A.G. Zubatov, I.M. Zaritskii, S.N. Lukin, E.N. Mokhov, and V.G. Stepanov, Sov. Phys. Solid State 27, 197 (1985).
- J.L. Ivey and R.L. Mieher, Phys. Rev. В 11, 849 (1975).
- E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, W.C. Mitchel, Mat. Sci. Forum 433−436,499 (2003).
- N.T. Son, J. Isoya, S. Yamasaki, and E. Janzen, Book of Abstracts of ECSCRM 2004, CNR Area della Ricerca, Bologna (Italy).
- П.Г. Баранов, A.H. Ионов, И. В. Ильин, П. С. Копьев, Е. Н. Мохов, В. А. Храмцов, ФТТ, 45, 984 (2003).
- S.Greulich-Weber, Phys.Stat.Sol.(a) 162, 95 (1997).
- C.F. Young, К. Xie, Е.Н. Poindexter, G.J. Gerardi, and D.J. Keeble, Appl.Phys. Lett. 70, 1858 (1997).
- G. Feher and E.A. Gere, Phys. Rev. 114,1245 (1959).
- M.T. Bennenbroek, Л. Arnold, O.G. Polucktov, P.G. Baranov, and J. Schmidt, Phys. Rev. В 54, 11276(1996).
- D.M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B.K. Meyer, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, and P.G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 45 504 (2002).
- H. Ovcrhof and U. Gerstmann, Phys. Rev. В 62, 12 585 (2000).
- G.D. Watkins and Frank S. Ham, Phys. Rev. В 1,4071 (1970).
- E.I I. Калабухова, Закономерности температурного поведения донорных состояний в
- SiC в кн. Радиоспектроскопия конденсированных сред, Гл. II, Киев, 157−176 (2000).
- W.V. Smith, P.P. Sorokin, I.L. Gelles, and G.J. Lasher, Phys. Rev. 115, 1546 (1959).
- Keith L. Brower, Phys. Rev. Lett. 44, 1627 (1980).
- K. Murakami, H. Kuribayashi, and K. Masuda, Phys. Rev. В 38,1589 (1988).
- R.P. Messmer and G.D. Watkins, Phys. Rev. В 7,2568 (1973).
- G.G. DeLeo, W.B. Fowler, and G.D. Watkins, Phys. Rev. В 29, 3193 (1984).
- S.T. Pantelides, W.A. Harrison, and F. Yndurain, Phys. Rev. В 34, 6038 (1986).
- F.G. Anderson, Phys. Rev. В 39, 5392 (1989).
- Сиисок публикации, но теме диссертации
- I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Multivacancy clusters in silicon carbide // Proc. of the 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, Aarhus, Denmark, July 28-August 1,2003.
- I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Multivacancy clusters in silicon carbide // Physica В 340−342, pp.128 (2003).
- И.В. Ильин, M.B. Музафарова, E.H. Мохов, П. Г. Баранов, Многовансионные комплексы в карбиде кремния // VI Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 27−31 октября 2003 г., сс. 461 462.
- I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, S.G. Konnikov, P.G.Baranov, High-Temperature Stable Multi-Defect Clusters in Neutron Irradiated Silicon Carbide: Electron Paramagnetic Resonance Study// Materials Science Forum, Vols. 483−485- pp. 489−492.