Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты

Диссертация: Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кроме формы стационарного спектра важной характеристикой фотолюминесценции является характер затухание интенсивности свечения во времени. Кинетика спада послесвечения определяется как собственными свойствами материала, так и присутствующими в кристалле дефектами. В частности, для n-GaAs было обнаружено аномально длительное послесвечение спектральных линий НТЭФЛ, которое обусловлено захватом дырок… Читать ещё >

Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • с т р
  • ГЛАВА 1. Основные электронные и оптические свойства GaAs
    • 1. 1 Общие сведения
    • 1. 2 Характеристики материала
    • 1. 3 Экситонная фотолюминесценция GaAs
    • 1. 4 Соотношение интенсивностей экситонных линий
    • 1. 5 Затухание фотолюминесценции во времени
    • 1. 6 Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. Техника эксперимента

2. 1 Характеристика исследовавшихся образцов. 4 2 2. 2 Установка для эпитаксиального роста GaAs. 4 3 2. 3 Насыщение источника галлия мышьяком. 4 4 2. 4 Газофазная эпитаксия арсенида галлия. 4 6 2. 5 Общее описание установки для оптических измерений. 4 7 2. 6 Оптическая схема установки. 4 9 2. 7 Криогенная техника. 5 О 2. 8 Схемы регистрации.

2. 9 Методы обработки экспериментальных данных.

ГЛАВА 3. Использование стационарных спектров экситонной фотолюминесценции для диагностики эпитаксиальных слоев n-GaAs.

3. 1 Экситонные спектры компенсированного GaAs. 5 7 3. 2 Определение концентрации мелкой примеси и подвижности 5 9 основных носителей по соотношению спектральных линий экситонной фотолюминесценции n-GaAs.

3. 3 Использование поляритонной люминесценции для 6 5 характеристики качества n-GaAs.

3. 4 Использование полуширины линии D°x для оценки качества 7 4 эпитаксиальных слоев n-GaAs.

3. 5

Выводы 8 О

ГЛАВА IV. Заселение центров захвата дырок в n-GaAs.

4. 1

Введение. 8 1 4. 2 Захват носителей на ловушки. Эксперимент. 8 6 4. 3 Захват носителей на ловушки. Обсуждение.

4. 4

Выводы.

ГЛАВА V. Освобождения дырок с центров захвата.

5. 1 Закон затухания фотолюминесценции на больших временах 1 0 8 5. 2 Влияние температуры, одноосного давления и магнитного 1 1 1 поля на затухания фотолюминесценции.

5. 3 Распад центров захвата в результате многочастичных 114 процессов.

5. 4 Вероятность освобождения дырки в результате Оже 1 1 6 рекомбинации.

5. 5 Кинетика затухания спектральных линий D х и D°h.

5. 6 Влияние центров захвата дырок на стационарные спектры п- 12 4 GaAs.

5. 7 Центры захвата дырок и собственные дефекты.

5. 8

Выводы:

Широкое применение полупроводниковых материалов в быстро развивающихся сегодня областях электронной техники выдвигает задачи всестороннего изучения общих физических закономерностей и явлений в полупроводниковых кристаллах, а также свойств конкретных полупроводниковых соединений. Бурное развитие физики полупроводников привело к появлению обширного спектра задач, связанных с совершенствованием методов получения и исследования полупроводниковых материалов. В частности, актуальной является задача получения чистых эпитаксиальных слоев, которая представляет как научный, так и практический интерес. Чистые эпитаксиальные слои используются при изготовлении широкого класса полупроводниковых приборов, что обуславливает важность изучения их физических свойств. Развитие технологии полупроводников и получение материалов, обладающих новыми свойствами, требует создания новых методик определения параметров полупроводников и совершенствования методов диагностики их качества, т.к. традиционными методами не всегда возможно достаточно полно характеризовать новые полупроводниковые материалы.

Одним из методов позволяющих получить разнообразную информацию о процессах и явлениях, происходящих в полупроводниковых кристаллах, является изучение спектров фотолюминесценции материалов и временных характеристик затухания люминесценции. Действительно, фотолюминесцентные свойства полупроводников определяются, как энергетической структурой кристалла, так и кинетикой фотовозбужденных носителей. При низкой температуре рожденные межзонным оптическим возбуждением (hv >Eg) электроны (е) и дырки (h) релаксируют по энергии и заселяют энергетические уровни вблизи границы запрещенной зоны. Из этих состояний они могут рекомбинировать, испуская квант света с энергией, близкой к Её. Такие процессы излучательной рекомбинации и определяют краевую фотолюминесценцию. Известны различные механизмы излучательной рекомбинации в полупроводниковых кристаллах. При низких температурах свободные электроны и дырки могут связываться в экситоны. Возможна также рекомбинация с участием примесей (переходы зона-примесь, донорно-акцепториая рекомбинация, аннигиляция связанных экситонов и др.). Таким образом, оптические спектры краевой фотолюминесценции материала отражают, как структуру энергетических состояниями вблизи края зоны, так и процессы динамики носителей в полупроводниках. Зависимость люминесцентных свойств полупроводниковых материалов от кинетики возбужденных носителей делают его чувствительным диагностическим инструментом при анализе физических процессов в полупроводниках, не приводящим к разрушению материала. Особенно привлекательна оптическая диагностика при изучении чистых эпитаксиальных слоев, где другие (традиционные электрофизические) методы измерений бывают затруднены или невозможны.

Среди большого числа полупроводников особое место занимает GaAs. Благодаря таким свойствам, как прямая зона и большая подвижность он находит широкое применение в оптоэлектронных приборах, СВЧ технике и полупроводниковых детекторах. В частности, перспективным направлением применения GaAs являются детекторы рентгеновского излучения, для которых требуются чистые эпитаксиальные слои. Технология роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия хорошо разработана и позволяет получать материал высокой степени чистоты (ND-NA~1012 см'3). Определение параметров материала такой чистоты с помощью электрофизических измерений сталкивается с серьезными трудностями. С другой стороны в GaAs наблюдается мощная фотолюминесценция вблизи краевой области, которая на сегодняшний день достаточно хорошо изучена. Надежно идентифицирована природа спектральных линий экситонного спектра GaAs, который является наиболее эффективным каналом излучательной рекомбинации в чистом арсениде галлия. Это позволяет использовать спектры низкотемпературной экситонной фотолюминесценции (НТЭФЛ) арсенида галлия для сравнительного анализа качества чистого материала и количественных оценки параметров, определяющих свойства приборов на его основе (концентрация свободных носителей и их подвижность). Возможность использования спектров НТЭФЛ для сравнительной оценки концентрации примеси в эпитаксиальных слоях GaAs обсуждалась в печати [1, 2, 3 4, 5]. Однако форма спектра НТЭФЛ содержит информацию не только о примесных центрах, участвующих в излучательных переходах, но и о центрах не связанных с излучательной рекомбинацией. Действительно, одним из основных факторов влияющих на динамику распределения возбужденных носителей является их взаимодействие с локализованными состояниями, т. е. с состояниями, возникающими вследствие локального искажения потенциала зонной структуры. В монокристаллах такие локальные искажения обусловлены присутствием в них инородных химических элементов (примесей), а также точечных дефектов структуры (вакансии, антисайты и т. п.). Их присутствие, даже в небольших количествах, приводит к нарушению трансляционной симметрии кристалла и локальному искажению зонной структуры. Это может повлечь за собой изменение вероятностей рекомбинации носителей вблизи дефектов и кардинально поменять динамику релаксации свободных носителей и других квазичастиц (например-экситонов) в полупроводнике. Таким образом, примеси и дефекты могут существенно изменить функцию пространственно-энергетического распределение носителей, определяющую электронные свойства материала. В частности, в работе [6] было показано, что соотношение между каналами выхода излучения через свободные и связанные экситоны существенным образом зависит от присутствия дефектов в кристаллах. Поэтому спектры НТЭФЛ можно использовать для определения такого важного параметра полупроводниковых материалов, как подвижность носителей, которая зависит от всей совокупности дефектов в материале.

Кроме формы стационарного спектра важной характеристикой фотолюминесценции является характер затухание интенсивности свечения во времени. Кинетика спада послесвечения определяется как собственными свойствами материала, так и присутствующими в кристалле дефектами. В частности, для n-GaAs было обнаружено аномально длительное послесвечение спектральных линий НТЭФЛ [7], которое обусловлено захватом дырок в локализованные состояния и последующим медленным их освобождением. Дальнейшие исследования показали, что центры захвата обладают метастабильными свойствами, т. е. имеют большое различие времен захвата носителя и его освобождения и, следовательно, являются дырочными ловушками. Таким образом, кинетика спада интенсивности фотолюминесценции может служить критерием присутствия в материале подобных ловушек.

Цель данной работы — экспериментальное изучение люминесценции чистых эпитаксиальных слоев GaAs с целью применения результатов для диагностики качества эпитаксиальных слоев GaAs высокой степени чистоты и количественных оценок электрофизических параметров материала с помощью анализа спектров НТЭФЛ. Выяснение физической природы дефектов снижающих электрофизические параметры материала и определение причин появления таких дефектов.

Научная новизна:

Проведенные нами исследования позволили установить, что изменение электрофизических свойств чистого арсенида галлия вызвано теми же причинами, которые приводят к трансформации спектра низкотемпературной экситонной фотолюминесценции,.

На электрофизические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия существенное влияние оказывают центры захвата дырок, ответственные за длительное послесвечение двух спектральных линий: экситона, связанного на нейтральном доноре (D°x), и излучательного перехода донор-зона (D°h). Увеличение концентрации таких центров в материале приводит к снижению подвижности свободных носителей. Практическая значимость.

Результаты фотолюминесцентных исследований позволили разработать неразрушающий, бесконтактный метод определения электрофизических характеристик (концентрации и подвижности носителей) эпитаксиальных слоев n-GaAs высокой степени чистоты (ND-Na~1012 cm0). Защищаемые положения:

Положение 1 (О доминировании линии свободного экситона в чистом арсениде галлия).

Полное домииирование линия свободного экситона в спектре низкотемпературной фотолюминесценции арсенида галлия наступает при концентрациях мелких доноров Nd-Na<1012 см'3 и подвижности свободных электронов це (т=77К)>200 000 см /В*с.

Положение 2 (Об эффективной температуре и диффузионной длине свободных экситонов в арсениде галлия высокой степени чистоты). Эффективная температура подсистемы фотовозбужденных свободных экситонов и их диффузионная длина, определенные по спектрам НТЭФЛ при низких температурах (Т<4,2 К), отражают степень чистоты арсенида галлия.

В арсениде галлия с концентрацией мелкой донорной примеси ND.

12 3.

Na<10 см' диффузионная длина свободных экситонов при Т=2К составляет более 10 мкм, а эффективная температура менее 7К. Положение 3 (О центрах захвата дырок в арсениде галлия): Эпитаксиальные слои n-GaAs содержат точечные дефекты, являющиеся двухзарядовыми центрами захвата дырок, ответственными за длительное послесвечение спектральных линий D°x и D°h. Увеличение концентрации таких центров захвата дырок приводит к уменьшению подвижности свободных электронов в арсениде галлия и проявляется в уширении линии экситона, связанного на нейтральном доноре, в спектре НТЭФЛ материала.

Объем и структура диссертации:

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, содержит 147 страниц, содержит 49 рисунков и список литературы из 124 наименований.

Выводы:

1) Затухание фотолюминесценции, обусловленное распадом центров захвата дырок, происходит в соответствии с законом Беккереля.

2) Освобождение дырок с центров захвата, ответственных за длительное послесвечение спектральных линий D°x и D°h низкотемпературной экситонной фотолюминесценции арсенида галлия, происходит безактивационно в результате Оже процесса.

3) Центры захвата дырок, ответственные за длительное послесвечение спектральных линий D°x и D°h низкотемпературной экситонной фотолюминесценции арсенида галлия, связаны с комплексами собственный дефект — мелкий донор, которые являются дырочными ловушками.

4) Дырочные ловушки, ответственные за длительное послесвечение спектральных линий D°x и D°h, являются одной из основных причин снижения подвижности основных носителей в чистых эпитаксиальных слоях арсенида галлия с концентрацией остаточной примеси ND-NA<10l5cm" 3.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении приведем список основных выводов работы: Фотолюминесцентные и электрофизические исследования эпитаксиальных слоев арсенида галлия высокой степени чистоты (Nd-Na<1015 см" 3) показали, что:

• монотонное изменение электрофизических характеристик GaAs (концентрации мелкой примеси и подвижности свободных электронов) сопровождается плавной трансформацией спектра НТЭФЛ.

• по мере уменьшения концентрации примеси и увеличения подвижности основных носителей в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции (Т=2К) происходит относительное увеличение интенсивности свободного экситона по сравнению с экситоном, связанным на нейтральном доноре.

• полное доминирование линии свободного экситона в спектре низкотемпературной фотолюминесценции арсенида галлия наступает при.

1 «7 1 концентрации мелких доноров ND-NA"10 см» и подвижности свободных электронов Це (Т=77К) «200 000 см2/В-с.

• с уменьшением концентрации примеси и увеличения подвижности основных носителей происходит понижение эффективной температуры свободных экситонов. увеличение их диффузионной длины и времени жизни.

Исследования аномально длительного послесвечения линий НТЭФЛ D°h и D°x в эпитаксиальных слоях арсенида галлия позволили установить, что:

• длительное послесвечение наблюдается в материале с концентрацией примеси Nd-Na>1014 см" 3. Концентрация центров захвата дырок в материале может быть оценена из относительной доли световой энергии, излучаемой образцом после окончания импульса возбуждения.

• центры захвата дырок, ответственные за длительное послесвечение спектральных линий НТЭФЛ D°h и D°x, являются двухзарядовыми.

• увеличение концентрации центров захвата дырок, ответственных за длительное послесвечение линий НТЭФЛ D°h и D°x, приводит к уменьшению подвижности свободных носителей в материале.

• вероятность захвата дырок центрами зависит от температуры, одноосного сжатия образца и магнитного поля, приложенного к образцу. Причем увеличение температуры, одноосное сжатие и магнитное поле при Т=4,2 °К приводят к падению вероятности захвата дырок. В то время, как зависимость вероятности захвата от величины магнитного поля при Т=2 К имеет локальный максимум.

• Затухание интенсивности фотолюминесценции, обусловленное освобождением дырок с центров захвата, описывается законом Беккереля I (t)=I0/(l+pt)a, причем показатели степени в нем составляют: a (D°h) =1 и a (D°x) =1,3, и не зависят от концентрации центров в материале, температуры, одноосного сжатия и магнитного поля.

Автор приносит свою благодарность Юрию Васильевичу Жиляеву за предложение темы и руководство работой и выражает глубокую признательность Владимиру Васильевичу Криволапчуку за плодотворное сотрудничество. Я искренне благодарю Леонида Михайловича Федорова за проявленный интерес и поддержку в работе, а так же всем сотрудникам лаборатории «Физических явлений в полупроводниковых эпитаксиальных структурах» за оказанную в работе помощь.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Z. Н. Lu, М. С. Hanna, D. М. Szmyd, E.G. Oh and A. Majerfeld Determination of donor and acceptor densities in higt-purityGaAs from photoluminescenceanalysis. // Appl. Phys. Lett., 1990,56 (2), p. 177.
  2. H. F. Pen, F. A. J.M. Driessen, S. M Olsthoorm and L. J. Giling The influence of impurity concentration on exciton photoluminescence in GaAs and InP. // Semicond. Sci. Technol., 1992, V.7, p. 1400−1406.
  3. G.Oelgart, S. Gramlich, T. Bergunde, E. Richter, M. Weyer, Assessment of compensation ratio in higt-purity GaAs using photoluminescence.// Materials Sience and Engineering B44, 1997, p. 228−232.
  4. К.Д.Глиичук, А. В. Прохорович Особенности определения концентрации мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров экситонной люминесценции. // ФТП, 2001, т.36, в.5, с.519−524.
  5. К.Д.Глиичук, А. В. Прохорович Особенности определения концентрации мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров краевой люминесценции. // ФТП, 2002, т.37, в.2, с.159−165.
  6. В.В Травников., В. В. Криволапчук Влияние интенсивности возбуждения на характер взаимодействия экситонов с дефектами и примесями. // ФТТ, 1986, т. 28, в.4. с. 1210 1215.
  7. А.В. Акимов, А. А. Каплянский, В. В. Криволапчук, Е. С. Москаленко Проявление метастабильных локализованных состояний дырок в медленной кинетике краевой люминесценции n-GaAs. // Письма в ЖЭТФ, 1987, т. 46, № 1,с.35.
  8. A.Thiel, Н. Zs. Koelsh//Analog. Chem., 1910, v. 66, p. 288.
  9. V.M. Goldschmidt // Trans.Farad.Soc., 1929, v. 25, p. 253.
  10. Ж.И.Алфёров, Б. В. Царенков // ФТП, т. 19, с. 2113
  11. H.Barrey, Bebb and E.W.Williams Transport and optical phenomena // in Semiconductors and Semimetals ed. by Willardson R.K. and Beer A.C., 1972, v. 8, p. 321−392.
  12. В.И. Гавриленко и др. Оптические свойства полупроводников // Киев, 1987.
  13. И.Б.Ридли Квантовые процессы в полупроводниках.// М., Мир, 1986, 304 с.
  14. Ю.М.Бурдуков, Ф. М. Гашимзаде, Ю. А. Гольдберг и др. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение // Сб. под редакцией Ф. П. Кесаманлы и Д. Н. Наследова, М., Наука, 1973,471с.
  15. J.M. Luttinger, W. Kohn Motion of Electrons and Holes in Perturbed Periodic Fields.// Phys.Rev., 1955, v. 97, No 3, p. 869−883.
  16. Landolt-Bornstein. New series // ed. by O. Madelung, Springer, Heidelberg, 1982, Group 3, v. 17.
  17. S.T.Pantelides The Electronic Structure of Impurities and Other Point Defects in Semiconductors. // Rev.Mod.Phys., 1978, v. 50, No. 4, p. 797−858.
  18. P. Смит Полупроводники.// пер. с англ. М.- Мир, 1982, 560 с.
  19. P.Summers, R. Dingle, D.E. Hill Far Infrared Absorbtion and Potoconductivity in Epitaxial n-Type GaAs.// Phys.Rev. B, 1970, № 4, p. 1603−1606.
  20. N.O.LipaH, A. Balderischi Angular Momentum Theory of Localised States in Solids. Investigation of Shallow Acceptor States in Semiconductors.// Phys. Rev. Let, 1970, v. 25, № 24, p. 1660−1664.
  21. F.Bassani, S. Iadonisi, B. Preziozi Electronic Impurity Levels in Semiconductors.// Rep. Progr. Phys, 1974, v. 37, № 9, p. 1099−1210.
  22. H.B.Bebb, R.A. Chapman Application of Quantum Defect Techniques to Photoionisation of Impurity in Solids. // J.Phys. Chem. Sol, 1967, v. 28. № 10, p. 2087−2097.
  23. R.F.Kirkman, R.A.Stradling, P.J. Lin-Chuhg An Infrared Study of the Shallow Acceptor in GaAs. // J. Phys. C, 1978, v. l 1, № 2, p. 419−433.
  24. D.J.Ashen, PJ. Dean, D.T.J.Hurle, J.B.Mullin, A.M.White The Incorporation and Characterisation of Acceptors in Epitaxial GaAs. // J.Phys.Chem.Sol., 1975, v. 36, № 10, p. 1041−1053.
  25. Л.Г.Гассанов, Е. П. Лауре, М. П. Лисица, Ф. В. Моциый Фотолюминесценция GaAs и ее использование в полупроводниковом приборостроении. // Киев, 1987, АН УССР Институт Физики Препринт № 11−71с.
  26. В.Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках//С-Петербург, 1997,
  27. G.M. Martin, A. Mittoneau, A. Mircea Electron Traps in Bulk and Epitaxial GaAs Crystals. // Electron. Let., 1977, v. 13, № 7, p. 191−192.
  28. A.Mittoneau, G.M.Martin, A. Mircea Hole Traps in Bulk and Epitaxial GaAs Crystals. // Electron. Let., 1977, v. 13, № 22, p. 666−667.
  29. Weisbuch, Borge, Vinter Quantum Semiconductor structures // Academic Press Inc., Harcourt Brace Jovanovich Published, 1991.
  30. С.М.Рывкин Фотоэлектрические явления в полупроводниках. // М., ФИЗМАТГИЗ, 1963, 494 с.
  31. Т.Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис Полупроводниковая оптоэлектроника. // М., Мир, 1976,431 с.
  32. Д.З.Гарбузов, В. Б. Халфин Эффективность и времена излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа GaAs // Л., 1980, препринт.
  33. D.Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Christen Kinetics of relaxation and recombination of nonequilibrium carriers in GaAs. // Phys. Rev. B, 1985, 31, p. 7788.
  34. C.J.Hwang // Phys. Rev. B, 1973, v. 8, p. 646.
  35. И.М.Викулин, В. И. Стафеев Физика полупроводниковых приборов. // М., Радио и связь, 1990,262 с.
  36. Л.С.Берман, А. А. Лебедев Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках. // Л., Наука, 1981, 175с.
  37. Е. В. Кучис. Методы исследования эффекта Холла. // Советское радио, 1974, 328с.
  38. С.Г Конников., А. Ф Сидоров Электронно-зондовые методы исследования полупроводников. //М., Энергия, 1978.
  39. Ж. Панков Оптические процессы в полупроводниках. // М., Мир, 1971,456 с.
  40. Р.Нокс Теория экситонов. // М., Мир, 1966,219 с.
  41. Р.Е.Холстед Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения. // Физика и химия соединений А2В6, М., Мир, 1970,296 с.
  42. D.D.Sell Resolved Free-Exciton Transitions in the Optical Absorption Spectrum of GaAs. // Phys.Rev., 1972, v. B6, № 10, p. 3750−3753.
  43. M.D.Sturge Optical Absorption of Arsenide between 0,6−275 eV.// Phys.Rev., 1962, v. 127, № 3, p. 768−776.
  44. M.J.Nathan, G. Burns Recombination Radiation in GaAs. // Phys.Rev., 1963, v. 129, № l, p. 125−128.
  45. M.A.Gilleo, P.T.Bailey, D.E.Hill Free-Carrier and Exiton Recombination Radiation in GaAs. //1. Phys.Rev., 1968, v. 174, № 3, p. 898−906. 2. Phys.Rev., v. B3, № 10, p. 3581.
  46. A.Baldereshi, N.O.Lipari Energy Levels of Direct Excitons in Semiconductors with Degenerate Bands. // Phys. Rev., 1971, v. B3, № 2, p. 439−451.
  47. К.Б.Толпыго Физические свойства решетки типа каменной соли, построенной из деформируемых ионов. // ЖЭТФ, 1950, т.20, № 6, с. 497 509.
  48. М.Борн, Хуан Кунь Динамическая теория кристаллических решеток. //М., ИЛ, 1958, с. 200.
  49. С.И.Пекар Теория электромагнитных волн в кристалле, в котором возникают экситоны. //ЖЭТФ, 1957, т. ЗЗ, с. 1022−1031.
  50. С.И.Пекар К теории добавочных электромагнитных волн в кристаллах в области экситоного резонанса. // ФТТ, 1962, т.4, с. 13 011 311.
  51. J.J.Hopfield Theory of contributions of excitons to the complex dielectric constants of crystals. // Phys.Rev., 1958, v. ll2,p. 1555−1567.
  52. В.М.Агронович Дисперсия электромагнитных волн в кристаллах. // ЖЭТФ, 1959, т. 37, с.430−441.
  53. D.D.Sell, R. Dingle, S.E.Stokowski and J.V.Dilorenzo Polariton Reflectance ahd Photolumihescencce in Higt-Purity GaAs. // Phys.Rev., 1973, v. B7,№ 10, p. 4568−4586.
  54. E.H.Bogardus, H.B.Bebb Bound-Exciton Free-Exiton Band-Acceptor Donor-Acceptor and Auger Recombination in GaAs. // Phys. Rev., 1968, v. 176, № 3, p. 993−1002.
  55. А.Ф.Кравченко, В. В. Назинцев, А. П. Савченко, А. С. Терехов Влияние электрон-эксионных столкновений на форму линии люминесценции связанных экситонов в арсениде галлия. // ФТТ, 1979, т. 21, в. 5, с. 15 511 553.
  56. J. A. Rossi, C.M.Wolfe, G.E.Stillman, J.O.Dimmock Identificati of Exciton-Neutral Donor Complexes in the Photoluminescence of High-Purity GaAs. // Solid State Commun., 1970, v. 8, №. 23, p. 2021−2024.
  57. R.R.Sharma, S. Rodrigues Exciton-Donor Comylexes in Semiconductors.// Phys. Bev., 1967, v. 159, № 3, p. 649−651.
  58. С.М.Зубкова, Е. В. Смелянская, Е. И. Шульзингер Энергия связи экситонно-примесных-комплексов в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки. // ФТП, 1998, т. 32, № 5, с. 583−587.
  59. G.E.Stillman, C.M.Wolfe, J.O.Dimmok Magnetospectroscopy of shallow donors in GaAs. // Solid State Comm., 1969, v.7, № 13, p. 921−925.
  60. G.E.Stillman, D.M.Larsen, C.M.Wolfe, H.C.Brand Precision verification of effective mass theory for shallow donore in GaAs. // Solid State Commun., 1971, v. 9, № 24, p. 2245−2249.
  61. R.J.Almassy, D.S.Reynolds, C.W.Litton, K.K.Bajaj, G.L.McCoy Obaervation. of the shallow residual donors in high purity epitaxial GaAs by means of photoluminescence spectroscopy. // Solid. State Commun., 1981, v. 38, № 10, p. 1053−1056.
  62. D.S.Reynolds, C.W.Litton, Z.B.Smith, K.K.Bajaj Photolumiescence studies of exciton-ionized donor complexes in high purity epitaxial GaAs. // Solid State Commun., 1982, v. 44, № 1, p. 47−50.
  63. J.R.Haynes Experimental proof of the excistence of a new electronic complex in semiconductors.// Phye.Rev.Letters., 1960, v. 4, № 7, p. 361−363.
  64. H.Heim, P. Hiesinger Luminescence and Exitation Spectra of GaAs. // Phys.Stat.Sol., 1974, v. B6, № 2, p. 461−470.
  65. H.Venichaus Excitation intensity dependence of shallow donor bound exiton luminescence in GaAs. // J. of Luminescence, 1978, v. 16, № 3, p. 331 341.
  66. D.C.Reynolds, D.W.Langer, C.W.Litton, G.I.McCoy,. K.K.Bajaj Intensity-reversal in the donor bound exciton luminescence of GaAs. // Solid State Commun., 1963, v. 46, № 6, p. 473−476.
  67. C.Weisbuch, G. Fishman Kinetics of excitons and polaritons in pure GaAs studied by optical spin orientation. // J. of Luminescence, 1976, v. 12/13, p. 219−224.
  68. A.P.Kravchenko, V.V.Nazintsev, A.P.Savchenko, Y.M.Zaletin Influence f i of Infrared Illumination on Excited Lumminescence of GaAs. //
  69. Phys.Stat.Sol.(b), 1980, v. 98, № 2, p. K155-K157.
  70. R.Ulbrich, B. Moreth Free Hole-Neutral Donor Recombinationin High Purity GaAs. // Solid State Commun., 1974, v. 14, № 4, p. 331−334.
  71. R.R.Sharma, S. Rodrigues Theory Excitons Bound to Ionized Impurities in Semiconductors. // Phys.Rev., 1967, v. 153, № 3, p. 823−827.
  72. W.Gorzkowski, M. Suffczynski Exciton bound to ionized donors. // Phys.Lett., 1969, v. 29A, № 9, p. 550.
  73. A.M.White, P.J.Dean, L.L.Taylor, R.C.Clark, D.Y.Ashen and J. B. Mullin The photoluminescence Spectrum of Bound Excitons in InP and GaAs. // J. Phys., 1972, v. C5, № 13, p. 1727−1737.
  74. E.Becquerel, C.R., 51,921, (1860) — Ann de chim et de phys., 62, 5(1861) — La lumier, т.1, 1867.
  75. A.Becquerel, C.R., 113,618,672(1891), Journ. de Phys. (3), 1, 137 (1892).
  76. E. Wiedeman, Ann. d.Phys., 37,177(1889)
  77. E. Wiedeman und G.C.Schmidt, Ann. d.Phys., 54,604 (1895)-201 (1895)
  78. L.Nicols and E. Merrit // Studies in luminescence, 1912
  79. P.Lenard, F. Schmidt udd R. Tomaschek, D. Hand // .Exp.Phys., 1928, 23, part 1 и 2.
  80. Блохинцев // ДАН СССР, 1934, 26, 76.
  81. Э.И.Адирович Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов//М., 1951,350 с.
  82. Th.Forster, Experimentelle und teoretische Unteruchung deszwischenmolekularen Ubergangs von elektronenAnregungsenergie //
  83. Ztsch.Naturforsch. A., 1949, Bd. 4a, p. 321−327.
  84. А.Н.Васильев, В. В. Михайлин Введение в спектроскопию твердого тела//Издательство Московского Университета, 1987,192 с.
  85. А.Милне Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках // М., Мир, 1977, 562 с.
  86. S.T.Pantelides // Rev. Mod. Phys, 1978,50,797
  87. В.Ф.Мастеров, Б. Е. Саморуков Глубокие центры в соединениях АШВУ // ФТП, 1978, т. 12, в. 4, с. 625−652.
  88. В.Ф.Мастеров Глубокие центры вполупроводниках // ФТП, 1984, т. 18, в.1, с. 3−23.
  89. И.Н.Ильин, В. Ф. Мастеров Многоэлектронные эффекты в задаче глубоких уровней в АПГВУ// ФТП, 1978, т.12, в.4, с. 772−775.
  90. В.Ф.Мастеров Электронная структура глубоких центров в арсениде галлия // Известия высших учебных заведений, 1983, т. 10, с. 45−55
  91. M.Lax Giant Traps. //Phys.Chem.Solid, 1959, v. 8, p. 66.
  92. M.Lax Cascade Capture of Electrons in Solids.// Phys. Rev, 1960, v. 119, p. 1502.
  93. В.Н.Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич Теория захвата электронов на притягивающие центры в полупроводниках при фотовозбуждении.// ЖЭТФ, 1977, т. 72, в. 2, с. 674−686.
  94. В.Н.Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. // ФТП, 1978, т. 12, в.1, с. 332.
  95. В.Н.Абакумов, И. А. Меркулов, В. И. Перель, И. НЛссиевич К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр. // ЖЭТФ, 1985, т. 89, в. 4, с. 1472−1486.
  96. Н.Т.Баграев EL-2-центр в GaAs: Симметрия и метастабильность // ЖЭТФ, 1991, т. 100, № 4, с.1378−1391.
  97. М.К.Шейкман, АЛ. Шик Долговременные релаксации и остаточная фотопроводимость в полупроводниках. // ФТП, 1976, т. 10, в. 2, с. 209 233.
  98. J1. ДЛандау, Е. М. Лифшиц Квантовая механика // М., Наука, 1989, 767с.
  99. M.G.Graford, G.E.Stillman, J.A.Rossi, Jr. N. Holonyak // Phys.Rev., 1968, № 168, p. 867.
  100. D.V. Lang, R.A. Logan //Phys.Rev.Lett., 1977, v. 39, p. 635.
  101. P.M.Mooney // J.Appl.Phys., 1990,67, Rl.
  102. T.N.Theis, P.M.Mooney, S.L.Wright // Phys.Rev.Lett., 1988, v. 60, p. 361.
  103. А.Э.Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров // ФТП, 1989, т. 23, с. 804.
  104. C.J.Armistread, S.P.Najda, R.A.Stradling, J.C.Maan // Solid State Commun., 1985, v. 53, p. 1109.
  105. S.Huant, S.P.Najda, B. Etienne // Phys.Rev.Lett., 1990, v. 65, p. 1486.
  106. А.В.Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, В. Г. Шофман Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном n-GaAs. // ФТП, 1990, т. 24, № 1, с. 82.
  107. А.В.Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, В. Г. Шофман Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs высвободившихся в результате Оже-распада локализованных состояний. // ФТП, 1991, т. 25, в. 4, с. 713−717.
  108. А.В.Акимов, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, В. Г. Шофман Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия // ФТП, 1993, т. 27, в. 2, с. 310−322.
  109. В.В.Криволапчук, Н. К. Полетаев Влияние метастабильныхсостояний на высвечивание экситонов в n-GaAs. // ФТП, 1998, т. 32, в. 3, с. 307−310.
  110. В.В.Криволапчук, М. М. Мездрогина, Н. К. Полетаев Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-GaAs. // ФТТ, 2003, т. 45, в. 1, с. 29−32.
  111. В.В.Криволапчук, М. М. Мездрогина, Н. К. Полетаев Заселение метастабильных состояний в n-GaAs. // ФТТ, 2003, т. 45, в. 5, с. 785−789.
  112. Ди Лоренцо Д. В. Эпитаксиалыюе выращивание GaAs из газовой фазы. // Материалы для оптоэлектроники. Перевод с англ.Е. И. Гиваргизова и С. Н. Горина., М., Мир, 1976, с. 153−158.
  113. V. L. Dostov, Y. V. Zhilyaev, I. P. Ipatova, A. Y. Kulikov, Y.N. Makarov and G.R. Markaryan // High-Purity Materials, 1989,4, 74.
  114. J. R. Knight, D.E.Effer, P. R. Evans The preparation of high purity gallium arsenide by vapon-phase epitaxial growth. // Solid State Electron., 1965, v. 8, №. 2, p. 179.
  115. Полевые транзисторы на арсениде галлия под ред. Д. В. Ди Лоренцо и Д. Д. Канделуола // М., Радио и связь, 1988,495с. (S. G. Bandy, D. М. Collins, С. К. Nishimoto, Electron. Lett. 1979.- V.15.-P. 218.)
  116. В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов // М., Советское радио, 1975, 328 с.
  117. Э.И.Рашба, Г. Э. Гургенишвили К теории краевого поглощения в полупроводниках. // ФТТ, 1962, т. 4, № 4, с. 1029−1031.щ 116. В. В. Травников, В. В. Криволапчук Кинетика поляритоннойлюминесценции. // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т.36. В.6. С.196 199.
  118. В .В .Травников, В .В .Криволапчук Кинетика и люминесценция поляритонов. // ЖЭТФ. 1983. Т.85. В.6. С.2087 2090.
  119. В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, В. В. России, Т. В. Россина, В. В. Травников Влияние интенсивности возбуждения на люминесценцию поляритонов в арсениде галлия. // ФТТ, 1986, т. 28, в. 1, с. 201- 207.
  120. Ю. В. Жиляев, В. В. России, Т. В. Россина, В. В. Травников Поляритонная люминесценция // // ФТТ, 1986, т. 28, в. 9, с. 2688- 2695.
  121. В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, Т. А. Орлова, Н. К. Полетаев, JI. М. Федоров, Ш. А. Юсупова Корреляция электрофизических и люминесцентных свойств GaAs высокой чистоты. // Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, в. 19, с. 25−29.
  122. Б. Л. Харченко В.А.Яссиевич И. Н. Оже-рекомбинация экситонно примесных комплексов. // ФТТ, 1987, т. 29, в. 8, с. 2351−2360.
  123. Ю.В. Жиляев, Р. Н. Кютт, И.П.НикитинаНестехиометрия в тонких пленках GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии // :ЖТФ, 1990, т.60, в.11, с.201−203
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!