Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние облучения ионами гелия на структуру тонких пленок серебра

Диссертация: Влияние облучения ионами гелия на структуру тонких пленок серебра
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Полученные в данной работе результаты, касающиеся модельных представлений осаждения пленок серебра могут найти применение в технологии производства интегральных схем. Результаты данной работы вносят вклад в понимание процессов, происходящих при осаждении тонких металлических пленок, что имеет практическую значимость для применений тонких пленок, включающих солнечные батареи, механические… Читать ещё >

Влияние облучения ионами гелия на структуру тонких пленок серебра (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Особенности образования тонких металлических пленок и методики приготовления пленочных образцов. (Обзор литературы)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Основные понятия роста тонких пленок
      • 1. 2. 1. Классическая модель однородного зародышеобразования
      • 1. 2. 2. Модель, основанная на уравнениях для скорости атомов
      • 1. 2. 3. Основные процессы роста тонких пленок
      • 1. 2. 4. Поверхностная диффузия
    • 1. 3. Методы осаждения тонких пленок
      • 1. 3. 1. ФОПпроцессы
      • 1. 3. 2. ХОР процессы
    • 1. 4. Приготовление исследуемых образцов тонких пленок серебра и методика их исследования
  • Глава 2. Рост тонких металлических пленок в начальной стадии под действием потока частиц
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Основные уравнения модели
    • 2. 3. Анализ результатов модели
    • 2. 4. Выводы к главе 2
  • Глава 3. Образование дефектов и распределение кристаллитов в пленках серебра при облучении их ионами гелия
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Особенности получения облученных ионами гелия образцов тонких серебряных пленок
    • 3. 3. Распределение кристаллитов по размерам в облученных ионами гелия образцах тонких пленок серебра
    • 3. 4. Морфология облученных пленок серебра
    • 3. 5. Выводы к главе 3
  • Глава 4. Кинетическая модель радиационно-индуцированного изменения микроструктуры металлических пленок
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Экспериментально установленное изменение структуры пленок серебра, облучаемых ионами гелия
    • 4. 3. Феноменологическая модель, описывающая вымирание гексагональной фазы в пленках серебра под действием облучения ионами гелия
    • 4. 4. Выводы к главе 4

Актуальность темы

Многие годы тонкие металлические пленки (и среди них, в частности, пленки серебра) привлекают внимание исследователей и успешно применяются в различных областях науки и техники. Актуальность научных исследований тонких металлических пленок обусловлена многообразием структур, особыми физико-техническими характеристиками, а также возможностью моделирования явлений, которые трудно изучать в массивных телах. По сравнению с массивными телами пленки приобретают ряд свойств, которые, вообще, не наблюдаются в массивных телах. Уже в пленках толщиной порядка 100 нм поверхностные свойства материала становятся главными по сравнению с его объемными свойствами. Например, очень тонкие пленки благородных металлов, таких как серебро, обладают спектрально — селективными свойствами, именно, пропускают видимое излучение и отражают инфракрасное, что находит их широкое применение при создании теплосберегающих стекол. Крайне актуальным является исследование рельефа поверхности металлических пленок, степени их шероховатости. Достаточно указать, что при отражении света от шероховатой поверхности серебра, кроме излучения на основной частоте появляется световая волна с удвоенной частотой, так называемая отраженная вторая гармоника. Обычно контролируемая степень шероховатости производится электрохимическим методом анодного травления. Актуальным представляется влиять на шероховатость пленки серебра с помощью облучения ее потоками ионов инертных газов, например, потоками ионов гелия. Под влиянием облучения изменяется не только шероховатость поверхности пленки, могут происходить также структурные фазовые превращения в тонких пленках серебра. В связи с этим понимание механизмов и природы формирования структуры и особенностей физических свойств конденсированных пленок представляется актуальной исследовательской задачей физики конденсированного состояния.

Цель работы.

Основной целью диссертационной работы является установление в результате комплексных исследований качественно новых закономерностей физических процессов, происходящих в тонких пленках серебра под влиянием облучения их ионами гелия.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе были сформулированы следующие задачи:

1. Построить кинетическую модель для описания эволюции плотности адатомов на поверхности кристалла при облучении ее потоком атомов с учетом взаимодействия адатомов с приповерхностными вакансиями и друг с другом.

2. В рамках выше названной модели аналитически получить зависимость от времени плотности адатомов при различных температурах подложки и различных интенсивностях облучения.

3. Исследовать морфологию поверхности тонких пленок серебра как необлученных, так и облученных ионами гелия с энергией 10 кэВ в интервале доз 1 ¦ 1012×5−1016 ион/см2. Выяснить закон распределения кристаллитов, образующихся под действием бомбардировки ионами гелия.

4. Построить физическую модель, описывающую изменения микроструктуры облученных пленок серебра, в частности, распад гексагональной фазы и переход в кубическую гранецентрированную структуру решетки пленки серебра.

Научная новизна работы.

1. Построена новая модель, основанная на нелинейном кинетическом уравнении, включающем взаимодействия адатомов с приповерхностными вакансиями и адатомов между собой.

2. В рамках новой модели аналитически получена зависимость от времени плотности адатомов на поверхности подложки, подвергающейся действию облучения потоком нейтральных атомов с учетом температурной зависимости плотности вакансий.

3. Выяснены морфологические изменения поверхности пленки серебра под действием облучения ионами гелия при различных температурах. Показано, что под действием облучения ионами гелия происходит измельчение кристаллитов в пленки серебра, и распределение их по размерам подчинено логнормальному распределению.

4. Построена новая модель структурно — фазовых превращений в пленке серебра под действием бомбардирующих ионов, на основе которой показано, что зародыши гексагональной структуры под действием облучения вымирают, и выживает гранецентрированная структура пленок серебра.

Научная и практическая значимость работы.

Полученные в данной работе результаты, касающиеся модельных представлений осаждения пленок серебра могут найти применение в технологии производства интегральных схем. Результаты данной работы вносят вклад в понимание процессов, происходящих при осаждении тонких металлических пленок, что имеет практическую значимость для применений тонких пленок, включающих солнечные батареи, механические покрытия, а также микроэлектромеханические системы и микрожидкостные приборы.

Результаты морфологического исследования поверхности пленок серебра имеют научную и практическую значимость для возможностей исследования рамановского (комбинационного) рассеяния света на поверхности пленок благородных металлов.

Модельные представления, связанные с описанием структурнофазовых превращений в тонких пленках серебра под действием облучения ионами гелия, согласуются с экспериментальными результатами других авторов и позволяют расширить знания о закономерностях изменения кристаллической структуры металлов.

Результаты работы в целом могут найти применение в учебно-методическом процессе в вузах при разработке спецкурсов и написании учебных пособий по физике конденсированного состояния, физике тонких металлических пленок для студентов физических специальностей.

Положения, выносимые на защиту.

1. Новая физическая модель, основанная на нелинейном кинетическом уравнении, включающем взаимодействия адатомов с приповерхностными вакансиями и адатомов между собой, в которой аналитически получена зависимость от времени плотности адатомов на поверхности подложки под действием облучения потоком нейтральных атомов с учетом температурной зависимости плотности вакансий.

2. Результаты исследования морфологии поверхности тонких пленок серебра как необлученных, так и облученных ионами гелия в интервале доз НО12 н- 5-Ю16 ион/см2. Установлено, что под действием бомбардировки ионами гелия происходит измельчение кристаллитов образца, и распределение их по размерам подчиняется логнормальному закону распределения. Облучение поликристаллических пленок серебра пучком ионов Не+ с энергией Е=10 кэВ приводит к образованию высокодисперсных структурных неоднородностей в виде: микродвойников, дислокаций, блистеров и других структурных дефектов.

3. Новая кинетическая модель радиационно-индуцированного изменения микроструктуры облученных тонких пленок серебра, в рамках которой показано, что под влиянием облучения ионами гелия в пленках серебра происходит постепенный распад гексагональной фазы и переход в кубическую гранецентрированную структуру, согласующийся с экспериментальными данными других авторов.

Апробация работы.

Результаты, полученные в диссертации, докладывались на следующих конференциях: XV международное совещание «радиационная физика твёрдого тела», г. Севастополь 2005 г.- международная конференция «XV петербургские чтения по проблемам прочности», г. Санкт — Петербург 2005 г.- отраслевой семинар «Физика радиационных повреждений материалов атомной техники», г. Обнинск 2005 г.- международный симпозиум «Процессы самоорганизации в универсальной истории», г. Белгород, 2004 г.

Публикации по теме диссертации.

Основные результаты, изложенные в диссертации, опубликованы в 8 научных работах. Одна из них опубликована в журнале «Известия Тульского государственного университета, серия „Физика“», другая в журнале ВАНТ, Сер. материаловедение и новые материалы, находящихся в перечне ВАК России.

Личный вклад соискателя.

Основные научные результаты, изложенные в диссертации, получены либо лично соискателем, либо при его непосредственном участии.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 155 наименований. Содержание работы изложено на 110 страницах, в 30 рисунках и 3 таблицах.

4.4. Выводы к главе 4.

Предложена новая феноменологическая модель радиационно-индуцированной эволюции микроструктуры облученных тонких пленок серебра, в рамках которой показано, что под влиянием облучения ионами гелия в тонких высокочистых пленках серебра происходит постепенный распад гексагональной фазы и переход в кубическую гранецентрированную (ГЦК) структуру. Проведенное теоретическое описание согласуется с экспериментальными результатами анализа влияния облучения ионами гелия на структурные изменения в тонких пленках серебра, которые показали, что в процессе формирования и роста тонких пленок при конденсации серебра на подложках оптического кварцевого стекла и на сколах кристалла NaCl и слюды, образуются неравновесные выделения гексагональной фазы, постепенно распадающиеся при воздействии облучения ионами гелия, и структура пленки переходит в кубическую гранецентрированную структуру серебра.

Заключение

.

Проведенный в диссертации комплекс исследований по физике тонких пленок серебра, подвергнувшихся облучению ионами гелия, вносит вклад в решение проблемы установления природы физических механизмов основных процессов, происходящих в тонких металлических пленках.

1. Проанализирован большой экспериментальный материал, касающийся изменения структуры тонких пленок серебра под действием облучения ионами гелия. Исследована морфология поверхности тонких пленок серебра как необлученных, так и облученных ионами гелия с энергией 10 кэВ в интервале доз 1-Ю12 ч 5-Ю16 ион/см2. Анализ экспериментальных результатов показал, что под действием облучения ионами гелия происходит измельчение кристаллитов в пленках серебра, и распределение их по размерам подчинено логнормальному распределению.

2. Предложено теоретическое описание процесса осаждения пленок, основанное на нелинейном кинетическом уравнении, включающем взаимодействия адатомов с приповерхностными вакансиями и адатомов между собой, на основе которого аналитически получена зависимость от времени плотности адатомов на поверхности подложки, подвергнувшейся облучению потока быстрых частиц с учетом температурной зависимости плотности вакансий.

3. Построена кинетическая модель радиационно-индуцированного изменения микроструктуры облученных тонких пленок серебра, в рамках которой показано, что под влиянием облучения ионами гелия в пленках серебра происходит постепенный распад гексагональной фазы и переход в кубическую гранецентрированную структуру, согласующийся с экспериментальными данными других авторов.

В заключение, с огромным удовлетворением выражаю глубокую благодарность моему научному руководителю — доктору физикоматематических наук, профессору, Красильникову Владимиру.

Владимировичу за выбор темы, постоянный интерес к работе и обсуждение результатов.

Выражаю искреннюю благодарность доктору физико-математических наук, профессору Камышанченко Николаю Васильевичу, доктору химических наук, профессору Лопанову Николаю Александровичу, кандидату химических наук Перистому Владимиру Александровичу, кандидату химических наук Лопановой Евгении Александровне, а также всем соавторам совместных работ, за консультации, помощь и полезные указания, данные ими при выполнении этой работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К. Seshan, editor. Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques. Noyes Publications, Norwich, NY, 2002.
  2. O. Auciello and A. R. Krauss, editors. In Situ Real-Time Characterization of Thin Films. John Wiley and Sons, Inc., New York, NY, 2001.
  3. P. Herman. Optical Diagnostics for Thin Film Processing. Academic Press Inc., San Diego, CA, 1996.
  4. F. Roozeboom and N. Parekh. Rapid thermal processing systems: a review with emphasis on temperature control.// Journal of Vacuum Science and Technology B, 1990. V. 8(6). P. 1249−1259.
  5. F. Liu, A. H. Li, and M. G. Lagally. Self-assembly of two-dimensional islands via strain-mediated coarsening.// Physical Review Letters. 2001. V. 87(12):art. no. P. 126 103.
  6. C. Wu, С. H. Crouch, L. Zhao, J. E. Carey, R. Younkin, J. A. Levinson, E. Mazur, R. M. Farrell, P. Gothoskar, and A. Karger. Near-unity below-bandl60 gap absorption by microstructured silicon.// Applied Physics Letters. 2001. Y.78.P. 1850−1852.
  7. М.Б. Гусева. Ионная стимуляция в процессах образования тонких пленок на поверхности твердого тела.// Соровский образовательный журнал. 1998. № 10. С.106 112.
  8. А.Р. Smith and Н. Jonsson. Dimer and string formation during low temperature silicon deposition on Si (001).// Phys. Rev. Lett. 1996. V.77. P. 1326 1329.
  9. J. Wang and A. Rockett. Simulation diffusion on Si (001)2×1 surfaces using a modified interatomic potential.//Phys. Rev. B. 1991. V. 43. P. 12 571 12 579.
  10. Z.Y. Zhang, F. Wu, H.J.W. Zandvliet, B. Poelsema, H. Metiu, and M. G. Lagally. Energetics and dynamics of Si ad-dimers on Si (001).// Phys. Rev. Lett. 1995. V. 74. P. 3644−3647.
  11. F. Wu. Scanning tunneling microscopy studies of growth of Si and Ge on Si (001). PhD dissertation. Univ. Wisconsin. Madison 1996.
  12. Z.Y. Zhang, F. Wu, and M. Lagally. An atomistic view of Si (OOl) homoepitaxy.// Annu. Rev. Mater. Sci. 1997. V. 27. P. 525 553.
  13. Y.W. Mo, J. Kleiner, M.B. Webb, and M.G. Lagally. Activation energy for surface diffusion of Si on Si (001): A scanning tunneling — microscopy study.// Phys. Rev. Lett. 1991. V. 66. P. 1998−2001.
  14. G. Broks and P.J. Kelly. Dynamics and nucleation of Si ad dimmers on the Si (100) surface.// Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76. P. 2362 — 2365.
  15. H.T. Dobbs, D.D. Vvedensky, and A. Zangwill. Theory of quantum dot formation in Stranski Krastanov systems.// Appl. Surf. Sci. 1998. V. 123/124. P. 646−652.
  16. С. А. Кукушкин, B.B. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). С.-Петербург. Наука. 1996.
  17. Н. Luth. Surfaces and interfaces of solid materials. 3rd ed. Springer Verlag. 1998.
  18. J.H. Neave, P.J. Dobson, B.A. Joyce, and J. Zhang. Reflection high energy electron diffraction oscillations for vicinal surface — a new approach to surface diffusion measurements.// Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 100 — 102.
  19. B. Voigtlander, T. Weber, P. Smilauer, and D.E. Wolf. Ttansition from island growth to step flow for Si/Si (100) epitaxy.// Phys. Rev. Lett. 1997. V. &8.P. 2164−2167.
  20. J.A. Venables. Rate equation approaches to thin film nucleation kinetics.// Phil. Mag. 1973. V. 27. P.697 738.
  21. J.A. Venables. Nucleation cflculations in a pair binding model.// Phys. Rev. B. 1987. V. 36. P.4253 — 4262.
  22. G.S. Bales and D.C. Chrzan. Dynamics of irreversible island growth during sub monolayer epitaxy. Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 6057 6067.
  23. Y. Drune, G.S. Bales, J. Joacobsen, C. Boragno, and K. Kern. Measuring surface diffusion from nucleation island densities. Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 5991 -6006.
  24. D.R. Frankl and J.A. Venables. Nucleation on substrates from the vapour phase.// Adv. Phy. 1970. V. 19. P. 409 456.
  25. M.J. Stowell. Capture numbers in thin film nucleation theories. Phil. Mag. 1972. V. 26. P.349−374.
  26. J. Villian, A. Pimpinelli, and D. Wolf. Layer by layer growth in molecular beam epitaxy.// Comments Condensed Matter Phys. 1992. V. 16. P. 1.
  27. J.A. Venables, F.L. Vetcalfe, and A. Sugawara. Competing processes and controlling energies at the Ag/Ge (lll) interface.// Surf. Sci. 1997. V. 371. P. 420−430.
  28. V.N.E. Robinson and J.L. Robins." Nucleation kinetics of gold deposition onto UHV cleaved surfaces of KC1 and NaF «// Thin Solid Films, 5(1970)313−327.
  29. A. Puskeppel and M. Hausdorff.» Epitaxial nucleation of Au on KBr (100) surfaces"// Thin Solid Films, 35(1976)99−112.
  30. K. Albert and E.F. Wassermann." Nucleation of gold on zinc oxide «// Thin Solid Films, 37(1976)65−71.
  31. G. Dumpich. Quantitative analysis of the growth of gold films on carbon layers.// Thin Solid Film. 1985. V. 127. P. 323 335.
  32. G. Dumpich and E.F. Wassermann.» Nucleation and growth of aluminium films on carbon layers"// Surface Science, Volume 87, Issue 1, 1 August 1979, Pages 141−151 //Surf. Sci, 20(1974)155.
  33. V.N.E. Robinson and J.L. Robins." Nucleation kinetics of gold deposited onto UHV cleaved surfaces of NaCl and KBr"// Thin Solid Films, 20(1974)155−175.
  34. B. Lewis and J.C. Anderson. In Nucleation and Growth of Thin Films. Academic Press. London. 1978.
  35. R. Vincent.// Proc. R. Soc. London, Ser. A. 1971. V. 321. P. 53.
  36. M.J. Stowell and Т.Е. Hutchieson." Nucleation kinetics in thin film growth: II. Analytical evaluation of nucleation and growth behaviour"// Thin Solid Films. 1971. V. 8. P. 41−53.
  37. Rockett, A.- Greene, J.E.- Jiang, H.- Ostling, M.- Petersson, C.S. Dopant redistribution during the solid-phase growth of CrSi2 on Si (100).// J. Appl. Phys. 1988. V.64: P. 4187−93.
  38. P., Паркер P. Рост монокристаллов. M.: 1974.
  39. Eshelby, J.D., Solid State Physics, ed. by. Seitz, F. and Turnbull, D. Academic Press, New York: 1956. V. 3.
  40. Л.В. Радушкевич. Курс статистической физики. М.: Просвещение. 1966.
  41. Takayanagi, К.- Tanishiro, Y. Dimer-chain model for the 7*7 and 2*8 reconstructed surfaces of Si (lll) and Ge (lll).// Phys. Rev. В 1986. V. 34. P. 1034−40.
  42. M. Harsdorff. Heterogeneous Nucleation and Growth of Thin Films.// Thin Solid Film. 1982. V. 90. P. 1−14.
  43. J.D. Doll and A. Voter.// Ann. Rev. Phys. Chem. 1987.V. 38. P. 413.
  44. S. Wang and G. Ehulich. Adatom diffusion on W (211): Re, W, Mo, Ir, and Rh. // Surf. Sci. 1988. V. 206. P. 451−474.
  45. D.W. Basset and M J Parsley. Field ion microscope studies of transition metal adatom diffusion on (110), (211) and (321) tungsten surfaces.// J. Phys. D. 1970. V.3.P. 707−716.
  46. R. T. Tung and W.R. Graham. Single atom self-diffusion on nickel surfaces. // Surf. Sci. 1980. V. 97. P. 73−87.
  47. D.W. Basset and P.R. Webber. Diffusion of single adatoms of platinum, iridium and gold on platinum surfaces. // Surf. Sci. 1978. V. 70. P. 520−531.
  48. K. Stolt, W.R. Graham, and G.J. Ehrlich. Surface diffusion of individual atoms and dimers: Re on W (211).// J. Chem. Phys. 1976. V. 65. Р/ 3206−3222.
  49. W.R. Graham, and G.J. Ehrlich. Surface diffusion of atom clusters.// J. Phys.: Metal Phys. F. 1974. V. 4. P. L212-L214.
  50. T.T. Tsong and R. Casanova. Migration behavior of single tungsten atoms and tungsten diatomic clusters on the tungsten (110) plane.// Phys. Rev. B. 1980. V. 22. P. 4632−4649.
  51. D.W. Bassett. Migration of platinum adatom clusters on tungsten (110)surfaces.// J. Phys. C. 1976. V. 9. P. 2491−2503.
  52. X. P. Cowan and T.T. Tsong.// Phys. Rev. A. 1975. V. 53. P. 943.
  53. V.R. Dhanak and D.W. Basset. Field ion microscope studies of submonolayer rhodium films on (110) tungsten and molybdenum surfaces.// Surf. Sci. 1990. V. 238. P. 289−292.
  54. P. J. Feibelman. Rebonding effects in separation and surface-diffusion barrier energies of an adatom pair.//Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. P. 2766−2769.
  55. X. U.M. Titulear and J.M. Deutsch.//1982. V. 77. P. 472.
  56. X. U. Landman and M.F. Shlesinger. Cluster motion on surfaces: A stochastic model.//Phys. Rev. B. 1977. V. 16. P. 3389−3405.
  57. G. Ehrlich and K. Stolt.// Ann. Rev. Phys. Chem. 1980. V. 31. P. 603.
  58. G.L. Kellogg. Diffusion behavior of Pt adatoms and clusters on the Rh (100) surface. //Appl. Surf. Sci. 1993. V. 67. P. 134−141.
  59. S.C. Wang and G. Ehulich. Structure, stability, and surface diffusion of clusters: Irx on Ir (lll). // Surf. Sci. 1990. V. 239. P. 301−332.
  60. H.J. Ernst, F. Fabre, R. Folkerts and J. Lapujoulade.// J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. P. 1809.
  61. J. de la Figuera, J.E. Pristo, O. Ocal and R. Miranda. Creation and motion of vacancy islands on solid surfaces: A direct view. // Solid State Commun. 1994. V. 89. P. 815−818.
  62. K. Morgenstern, G. Rosenfeld, B. Poelsema and G. Cosma. Brownian Motion of Vacancy Islands on Ag (lll).// Phys. Rev. Lett. 1995. V. 74. P. 20 582 061.
  63. W. Ostwald. Uber die Vermeintliche Isomeric des rotten und gelben Guecksilbrxyds und die Oberflachenspannung fester Korper.// Z. Phys. Chem. 1900. BdS. 495 -503.
  64. I.M. Lifshitz and V.V. Slyozov. The kinetics of precipitation from supersaturated solid solution.// J. Phys. Chem. Solid. 1962. V. 19. N Уг. P. 35 -50.
  65. C. Wagner. Theorie der Altrung von Nieederschlagen durch Umblosen (Ostwald Reifund).// Z. Elecnrochem. 1961. Bd. 65. N 7/8. P. 581−591.
  66. G. Venzl. Dynamics of first-order phase transitions: Theory of coarsening (Ostwald ripening) for open systems.// Physical reviewa. 1985. V.31.N 5. P.3431 -3439.
  67. F.C. Frank, J.H. Van der Merwe.// Proc. Roy. Soc. 1950. V. A 200. P. 125 -134.
  68. M. Volmer and A. Weber. Keimbildung in ubersatigen Debilden.// Z. Phys. Chem. 1926. Bd A 119. N ¾. S. 277 301.
  69. R. Kaischew and I.N. Stranski. Zur Kinetischen Aibeitung der Keimbildungsgeschwindigkeit.// Z. Phys. Chem. 1934. Bd. 26. N 4/5. S. 317 -326.
  70. P. Wynblatt and T. Ahn. Sintering and Catalysis. Ed G.C. Kuczynski. Plenum. New York. 1975.
  71. G. Zinmeister. Theory of condensation Pt. C. Aggreegate size distribution in island film.// Thin Solid Films. 1969. V.4 N 5. P. 363 386.
  72. H. Schmeisser. Growth and mobility effects of gold clusters on rocksalt (100) surfaces studied with the method of quantitative image analysis Part I: Cluster size distributions. //Thin Solid Films. 1974. V. 22. P. 83−97.
  73. S. Stoyanov and D. Kashchiev. Current Topics in Materials Science. Vol. 7. Ed E. Kalidis. North Holland. New York. 1981.
  74. M. Zinke Allmang, L.C. Feldman, S. Nakagara and B.A. Davidson. Growth mechanism and clustering phenomena: The Ge-on-Si system.// Phys. Rev. B. 1989. V. 39. P. 7848−7851.
  75. M. Futamoto, M. Handbucken, С.J. Harland, G.W. Jones and J.A. Venables. Visualization of submonolayers and surface topography by biassed secondary electron imaging: Application to Ag layers on Si and W surfaces. H Surf. Sci. 1985. V. 150. P. 430−450.
  76. V.A. Listvan. Determination of time dependence of domain growth by direct observation of small metal clusters. // Surf. Sci. 1986. V. 173. P. 294−309.
  77. E. Bauer, M. Mundschau, W. Swiech and W. Telies. Surface studies by low-energy electron microscopy (LEEM) and conventional UV photoemission electron microscopy (РЕЕМ). // Ultramicroscopy. 1989. V. 31. P. 49−57.
  78. M.G. Lagally, Y.W. Mo, R. Kaiotis, B.S. Swartzentruber and M.B. Webb. In Kinetics and Ordering and Growth at Surfaces. Ed. M.G. Lagally. Plenum. New York. 1990.
  79. Y.W. Mo, R. Kaiotis, B.S. Swartzentruber, M.B. Webb and M.G. Lagally.// J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. P. 201.
  80. R. Yartig, A.P. Janssen and J.A. Venables. Nucleation and growth in the system Ag/Mo (100): A comparison of UHV-SEM and AES/LEED observations. // Surf. Sci. 1978. V.74. P. 69−78.
  81. G.W. Jones, J.M. Norskov and J.A. Venables. Energies controlling nucleation and growth processes: The case of Ag/W (110).// Phys. Rev. Lett. 1990. V. 65. P. 3317−3320.
  82. J.A. Venables.// J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. P. 870.
  83. R. F. Bunshah, (ed.). Deposition Technologies for Films and Coatings. Noyes Publications. NJ. 1982.
  84. D.M. Mattox. Handbook of Physical Vapor Deposition Processing. Noyes Publications. NJ. 1998.
  85. J.E. Mahan. Physical Vapor Deposition of Thin Films. John Wiley & Sons. New York. 2000.
  86. A. Elshabini-Riad and F.D. Barlow, III, (ed.). Thin Film Technology Handbook. McGraw-Hill. New York. 1997.
  87. McClanahan, D., and Laegreid, N. Production of Thin Films by Controlled Deposition of Sputtered Material. In: Sputtering by Particle Bombardment III, Topics in Applied Physics. R. Behrisch and K. Wittmaack, eds. 64:339. Springer Verlag. Berlin. 1991.
  88. F.M. Penning. U.S. Patent 2,146,025 (Feb. 1935).
  89. K. Wasa, and S. Hayakawa. Low Pressure Sputtering System of the Magnetron Type.// Rev. Sci. Instrum. 1969. V. 40. P. 693−697.
  90. J.S. Chapin. Res./Dev. 1974. V. 25. P. 37.
  91. D.M. Mattox. J. Vac. Sci. Technol. 1973. V. 10. P. 47.
  92. R.F. Bunshah, and A.C. Raghuram. J. Vac. Sci. Technol. 1972. V. 9. P. 1385.
  93. T. Takagi, I. Yamada, and A. Sasaki. J. Vac. Sci. Technol. 1975. V. 12. P. 1128.
  94. Т. Takagi. Ionized Cluster Beam Deposition and Epitaxy. Noyes Publ. NJ. 1988.
  95. I.H. Khan. In: Handbook of Thin Film Technology. L. Maissel and R. Clang, eds. 10−1. McGraw-Hill. New York. 1970.
  96. В.Г. Дзенковский, И. С. Мартынов, В. Ф. Рыбалко, Г. Д. Толстолуцкая. Сочетание методов ОР и ПЭМ при исследовании тонкопленочных образцов.// ВАНТ. Сер. ФРП и РМ. Харьков. 1987. Вып. 3(4) С. 68−70.
  97. Дж. Стронг. Практика современной физической лаборатории. Ленинград: Изд-во ОГИЗ. 1948.
  98. Я. Б. Зельдович. К теории образования новой фазы, кавитация.// ЖЭТФ. 1942. — Т. 12. — С. 525−538.
  99. В.Г. Бабаев, М. Б. Гусева Адсорбция паров металла в условиях ионного облучения.//Изв. АН СССР. 1973. — Т. 37. -№ 1. — С. 2596−2601.
  100. Liang-Huei Chen, Chi-Yun Chen, Yuh-Lang Lee. Nucleation and Growth of Clusters in the Process of Vapor Deposition. // Surface Science. 1999. -Vol. 429.-P. 150−160.
  101. Ya.A. Rraftmakher, P.G. Strelkov. Equilibrium concentration of vacancies in metals.// Vacancies and Interstitials in Metals. North Holland, Amsterdam, 1969.-P. 59−79.
  102. C. Wagner and M. Shottky.// Z. Physik. Chem. B. 1930. V. 11. P. 163.
  103. J.I. Frenkel. The electric double layer of metals.// Z. Physik. 1928. V. 35. P. 652.
  104. W. Hashckowsky and P.G. Strelkov.// J. Phys. USSR. 1937. V. 12. P. 45.
  105. P.G. Strelkov.// J. Phys. USSR. 1937. V. 12. P. 73.
  106. П.В. Гордон, C.A. Кукушкин, A.B. Осипов. Методы возмущений в кинетике роста нанокластеров.// ФТТ. 2002. — Т.44. — Вып. 11. — С. 20 792 083.
  107. Г. А. Малыгин Самоорганизация дислокаций и локализация скольжения в пластически деформируемых кристаллах.// ФТТ. 1995. — Т.37. — Вып. 1. -С. 3−42.
  108. И.К. Кудрявцев Химические нестабильности. М.: Изд. МГУ, 1987.-254 с.
  109. Kerson Huang. Statistical Mechanics. John Wiley & Sons. Inc. New York -London.1963.
  110. A.S. Bakai, S.N. Sleptsov, and A.I. Zhukov. Radiation Diffusive Model of Film Densification in Ion — Atomic Flux Deposition.// Met. Phys. Adv. Tech. 1996. V. 15. P. 953 -968.
  111. A.S. Bakai, S.N. Sleptsov, A.I. Zhukov, I.G. Marchenko, A.N. Sleptsov, and F.N. Reznichenko. Low Temperature Densification of Chromium Films Induced by Bombardment with Argon and Chromium Ions.// Met. Phys. Adv. Tech. 1996. V. 16. P. 99- 109.
  112. B.B. Красильников, B.B. Сирота, C.E. Савотченко, Яссер Эль Генди. Образование дефектов в пленках серебра при облучении их ионами гелия.// Научные ведомости БелГУ. Серия: физико математические науки. 2005. № 2 (22), Вып. И. С. 241−246.
  113. Технология тонких пленок (Справочник). Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. М.: Советское радио.1977. Т.2. 768с.
  114. П. Гроссе. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир. 1982. 270с.
  115. В.И. Емельянов, Н. И. Коротеев. Эффект гигантского комбинационного рассеяния света молекулами, адсорбированными на поверхности.// Успехи физ. Наук. 1981. Т. 135. № 2. С. 345−361.
  116. В.В. Слабко. Нелинейно оптические преобразования частот.// Соровский образовательный журнал. 1999.№ 5. С. 105 — 111.
  117. W.K. Chu, J.W. Mayer, М.А. Nicolet. Backscattering spectrometry. New York: Academic Press. 1978. 376 p.
  118. A.M. Jloy, В. Д. Кельтон. Имитационное моделирование. Классика CS. 3-е изд. Изд. Дом «Питер», 2004. 848 с.
  119. Г. Крамер. Математические методы статистики. Пер. с англ. Под ред.
  120. A.Н. Колмогорова. М.: Мир. 2-е изд. 1975. 648 с.
  121. Н.В. Камышанченко, И. С. Мартынов, Н. Н. Матюшенко, И. М. Неклюдов,
  122. B.Ф. Рыбалко. Структурные изменения в пленках серебра при облучении ионами гелия.// Научные ведомости, серия «Физика». Изд-во БелГУ. 2000. № 1(10). С. 120−130.
  123. V. Teodosic. Resistivity of thin silver layers during Heavy-Ion Irradiation. Appl. Phys. Letters.// 1968. V. 9. P. 209.
  124. B. Navinsek, G.Carter.// Appl. Phys. Letters. 1968. V. 10. P. 91.
  125. Л.П. Тищенко, Т. П. Перегон, Я. М. Фогель, А. Л. Серюгин, И. С. Мартынов. Образование и отжиг дефектов, возникающих в тонких пленках серебра, облученных ионами гелия.// Атомная энергия. 1974. Т. 37. Вып. 3.1. C. 246−247.
  126. А.И. Стогний, Н. Н. Новицкий, О. М. Стукалов. и др. Получение методом ионно-лучевого распыления и оптические свойства полупрозрачных пленок серебра. // Поверхность. 2003. — № 10. — с. 74−77.
  127. В.В. Слезов, И. М. Лифшиц. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов.// Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1958. Т.35. № 2. С. 479−492.
  128. P.G. Debenedetti. Metastable Liquids: Concepts and Principles. Princeton Univ. Press. 1996.
  129. A.C. Pan, T.J. Rapple, D. Chandler, and N.P. Balsara.// J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 3692−3696.
  130. A.A. Lefebvre, J.H. Lee, N.P. Balsara, and B. Hammouda.// J. Chem. Phys. 2002. V. 116. P. 4777−4781.
  131. A.A. Lefebvre, J.H. Lee, N.P. Balsara, and C. Vaidyanathan.// J. Chem. Phys. 2002. V. 117. P. 9063 -9073.
  132. H.E. Stanley. Introduction to Phase Transition andCritical Phenomena. Oxford. Univ. Press. 1971.
  133. M.C. Tamargo, L. Zeng, W. Lin, S. Guo, Y.Y. Luo. In: Proc. 2nd Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes. Chiba. 1998. (Omsha. Tokyo.1998). P. 703.
  134. И.М. Неклюдов, А. Н. Морозов. Структурные превращения в пленках Ni при облучении и послерадиационных отжигах.// Труды XIV Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, изд. Москва. 2004. С. 262 266.
  135. К. Sagel. Tabellen zur Rontgenstrukturanalyze. Berlin. 1958.
  136. А.И. Бублик. Электроннографическое исследование тонких пленок серебра//Докл. АН СССР, 1954,95,521.
  137. Н. Konig. Darmstadt Hexagonalessilber //Angew. Chem., 1958. Bd. 70,110.
  138. М.И. Новгородова, А. И. Горшков и др. Новые структурные модификации серебра// Докл. Ан СССР, 1978.
  139. Б.К. Вайнштейн Структурная электронография. М.: изд. АН СССР, 1956. с. 48,88.
  140. К. Эндрюс, Д. Дайсон, С. Клоуне. Электронограммы и их интерпретации. -М.: Мир, 1971. 256 с.
  141. П.А. Панчеха, Б. Т. Бойко. Метод микропучка в темнопольной электронной микроскопии для определения объема и формы кристалликов. // Заводская лаборатория. 1972. Т. 5. С. 552.
  142. В.В. Красильников, С. Е. Савотченко, В. В. Сирота, Яссер Эль Генди. Кинетическая модель радиационно индуцированного изменения микроструктуры металлических пленок.// Региональный вестник молодых ученых. 2006. № 3. С. 10−14.
  143. William D. Callister, Jr. Materials Science and Engineering. An Introduction. John Wiley & Sons. Inc. New York. 2003.
  144. С.Н. Родников, В. А. Лихачев, С. В. Шишкина, В. М. Кондратов. Вопросы металловедения в гальванотехнике и коррозии: Учебное пособие. -Горький: изд. ГГУ, 1989. 104 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!