Твердофазные взаимодействия при термическом окислении структур Me/GaAs и MeO/GaAs (Me = Fe, Co, Ni)
Диссертация
В настоящее время большое внимание уделяется исследованиям интерфейсных взаимодействий в гетероструктурах с нанесенными хемостимуляторами, в частности, ?/-металл/полупроводник. Особое место занимают металлы триады железа, что, с одной стороны, обусловлено их уникальными магнитными свойствами, с другой — определенным разнообразием степеней окисления и относительно высокой реакционной способностью… Читать ещё >
Список литературы
- Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности: в 2-х т. / К. Хауффе.
- Окисление металлов. 1 и 2 т. / под ред. Ж. Бенара. — М.: Металлургия, 1968.499 с.
- Роберте М. Химия поверхности раздела металл-газ / М. Роберте, Ч. Макки. — М.: Мир, 1981, —539 с.
- Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов / П/Кофстад. — М.: Мир, 1969. —392 с.
- Graham M.J. Characterization and growth of oxide films / M.J. Graham, R.J. Hussey // Corrosion Science. — 2002. — V. 44. — P. 319—330.
- Hollowaya P.H. Kinetics of the reaction of oxygen with clean nfbkel single crystal surfaces: I. Ni (100) surface / P.H. Hollowaya, J.B. Hudsona // Surface Science. — 1974. — V. 43, № 1. — P. 123—140.
- Hollowaya P.H. Kinetics of the reaction of oxygen with clean nickel single crystal surfaces: II. Ni (lll) surface / P.H. Hollowaya, J.B. Hudsona /^ Surface Science. 1974. — V. 43, № 1. — P. 141—149.
- Kopatzki E. Step Faceting: Origin of the Temperature Dependent Induction Period in Ni (100) Oxidation / E. Kopatzki, R.J. Behm // Physical review Letters. — 1995.1. V. 74.—P. 1399—1402.
- Tyuliev G.T. XPS/HREELS study of NiO films grown on Ni (tfSl) / G.T. Tyuliev, K.L. Kostov // Physical review B. — 1999. — V. 60. — P. 2900—2907.
- Norton P.R. A photoemission study of the interaction of Ni (100), (110) and (111) surfaces with oxygen / P.R. Norton, R.L. Tapping, J.W. Goodale // Surface Science.1977, —V. 65, № 1. —P. 13—36.
- Electrochromic nickel oxide thin films deposited under different sputtering conditions / F.F. Ferreira et all. // Solid State Ionics. — 1996. — V. 86—88. — P. 971—976.
- Ramsey M.G. Autoionization and Auger features of clean and oxygen-exposed surfaces of Fe, Co and Ni / M.G. Ramsey, G.J. Russell // Physical review B. — 1985.1. V. 32.—P.3654—3661.
- Leygraf C. A LEED-AES study of the oxidation of Fe (110) and Fe (100) / C. Ley-graf, S. Ekelund // Surface Science. — 1973. — V. 40, № 3. — P. 609—635.
- Pignocco A.J. LEED studies of oxygen adsorption and oxide formation on an (011) iron surface / A.J. Pignocco, G.E. Pellissier // Surface Science. — 1967. — V.7, № 3. — P. 261—278.
- Sakisaka Y. Electron-energy-loss-spectroscopy study of oxygen chemisorption and initial oxidation of Fe (100) / Y. Sakisaka, T. Miyano, M. Onchi // Physical review В.— 1984. —V. 30.—P. 6849—6855. |
- Allenspach R. Oxygen on Fe (100): An Initial-Oxidation Study by Spin-Polarized Auger Spectroscopy / R. Allenspach, M. Taborelli, M. Landolt // Physical review Letters. — 1985. —V. 55. —P. 2599—2602.
- Magnetic Structure of Oxidized Fe (001) / B. Sinkovic et al. // Physical review Letters. — 1990, —V. 65. —P. 1647—1650.
- Kim H.-J. Oxidation of the Fe (l 10) surface: An Fe304(l 11)/Fe (l 10) bilayer / H.-J. Kim, J.-H. Park, E. Vescovo // Physical review B. — 2000. — V. 61. — P. 15 284— 15 287.
- Ветрова E.M. Эволюция фазового состава в оксидных пленках железа при термооксидировании / Е. М. Ветрова // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2003. — Т. 5, № 3. — С. 303—305.
- GaAs oxidation and the Ga-As-0 equilibrium phase diagram / C.D. Thurmond etal.//J. Electrochem. Soc. — 1980. — V. 127, № 6. —P. 1366—1371.г
- Oxide-substrate and oxide-oxide chemical reactions in thermally, annealed anodic films on GaSb, GaAs and GaP / G.P. Schwarz et al. // J. Electrochem. Soc. — 1980. —V. 127, № 11. —P. 2483—2499.
- Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R.
- Skheyta-Kabbani, M. Gendry // Physical review B. — 1994. — V.49. — P. 11 159—11 167.
- Wilmsen C.W. Oxide layers on III—V compound semiconductors / C.W. Wilmsen // Thin Solid Films. — 1976. — V. 30, № 1−2-3. — P. 105—117.
- Wilmsen C.W. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs / C.W. Wilmsen, R.W. Ku, K.M. Ceib // J. Vac. Sci. Technol. — 1979. — V. 16, № 5. —P. 1434—1438.
- Oxidation properties of GaAs (110) surfaces / P. Pianetta et al. // Phys. Rev. Lett. 1976.37. P. 1166—1169.
- Local atomic electronic structure of oxide/GaAs and Si02/Si interfaces using highresolution XPS / F.I. Grunthaner et al. // J. Vac. Sci. Thechnol. — 1979. — V. 16, № 5. —P. 1443—1453.
- Фазовый состав и структура собственных оксидных слоев на полупроводни-J гках, А В / Т. П. Свиридова и др. // Новые материалы электронной техники: сб. науч. тр. / Сибирское отделение. Наука. Новосибирск, 1990. — С. 62—84.
- Oxide layers on GaAs prepared by thermal, anodic and plasma oxidation: in depth profiles and annealing effects / K. Watanabe et al. // Thin Solid Films. — 1979. — V. 56. —P. 63—73.
- Nature and growth of anodic and thermal oxides on GaAs anfl AlxGa|.xAs / P. Schmuki et al. // Corrosion Science. — 1999. — V.41. — P. 1467—1474.
- Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry // Physical review B. — 1994.^— V. 49. — P. 11 159—11 167.
- Characterization of oxide layers on GaAs substrates / D.A. Allwood et al. // Thin Solid Films. — 2000. — V.364. — P. 33—39.
- GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra high vacuum / A. Guillen-Cervantes et al. // Thin Solid Films. — 2000. — V. 373. — P. 19—163.
- Passeggi M.C.G. Jr. Auger electron spectroscopy analysis of the first stages of thermally stimulated oxidation of GaAs (100) / M.C.G. Passeggi Jr., I. Vaquila, J. Ferron // Applied Surface Science. — 1998. — V. 133. — P. 65—72.
- Lockwood D.J. Raman Spectroscopy of Oxides of GaAs Formed in Solution / D. J. Lockwood // Journal of Solution Chemistry. — 2000. — V. 29, № 10. — P. 1027—1038.
- Hollinger G. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An x-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers / G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry // Physical review B. 1994. — V. 49. — P. 11 159—11 167.
- Brozel M.R. Properties of Gallium Arsenide, 3rd ed / M.R. Brozel, G.E. Stillman1. stitution of Electrical Engineers, 1996. — 1010 p. V-
- An X-ray photoelectron spectroscopy study of native oxides on GaAs / G.P. Schwartz et al. // J. Electrochem. Soc. — 1979. — V. 126. — P. 1737—1749.
- Термическое окисление в технологии ИС на GaAs / И. А. Ахинько и др. // Микроэлектроника. — 1996. — Т. 25. — С. 153—157.
- Quagliano Lucia G. Detection of AS2O3 arsenic oxide on GaAs lurface by Raman scattering / Lucia G. Quagliano // Applied Surface Science. — 2000. — V. 153. — P. 240—244.
- Миттова И.Я. Термическое окисление арсенида галлия в «беспримесной» и примесной атмосферах / И. Я. Миттова // Неорг. материалы. 1992. — Т. 28, № 5. —С. 917—927.
- Cape G.A. Roman scattering studies of the GaAs native oxide, interface / G.A. Cape, W.E. Tennant, L.G. Hale // J.Vac. Sci. Technol. — 1977. — V. 14, № 4. — P. 921—923.л
- Миттова И.Я. Кинетика термооксидирования GaAs марки САГОЧ-1(111) в1. V, кислороде / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, Е. В. Тихомирова // Физикохимия материалов и процессов в микроэлектронике. Воронеж. Изд-во ВГУ, 1989. — С. 166—170.
- An XPS analysis of the oxide films on GaAs / Y. Mosokawa et al. // Proc.7 Inter. Vac. Congr. and 3 Inter. Conf. Solid Surf. Int. Union Vac. Sci. Technol. and Appl.
- Vienna, 1977. — P. 631—634.
- Миттова И.Я. Термическое окисление GaAs в кислороде / И. Я. Миттова, Н. И. Пономарева // Физикохимия гетерогенных систем: сб. науч. тр. — Воронеж, 1988. —С. 27—31. к
- Butera R.A. Mechanism for reactive chemistry at metal-semiconductor interfaces
- R.A. Butera, C.A. Hollingsworth // Phys. Rev. B. — 1988. — V. 37. — P. 10 487—10 495.
- Плюсин Н.И. Механизм атомного перемешивания при формировании границы раздела переходного металла с кремнием / Н. И. Плюсин, А. П. Миленин // Поверхность. — 1996. — № 2. — С. 64—74.
- Плюсин Н.И. Кинетический механизм формирования границы раздела металл-полупроводник / Н. И. Плюсин, А. П. Миленин // Поверхность. — 1997. — № 3. — С. 36—45.
- Физико-химические особенности формирования границ раздела переходов металл-соединение, А В и возможности прогнозирования межфазных взаимодействий / Бреза Ю. и др. // Поверхность. — 1998. —№ 5. — С. 110—127.
- Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл-InP и металл-GaAs / Е. Ф. Венгер и др.- под ред. Р. В. Коньковой. — Киев, 1999, —234 с.
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Ред. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. — М.: Мир, 1982. — 576 с.
- Аристархова А.А. Анализ начальных стадий формирования границы раздела переходный металл-GaAs методом спектроскопии ионногорассеяния / А.А. Аристархова//Поверхность. — 1990. — № 11. — С. 107—113.
- Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю. Д. Третьяков."1 — М.: Химия, 1978. —360 с.
- Kurtin S. Fundamental transition in the electronic nature of solids / S. Kurtin, T.C. Megille, C.A. Mead // Phys. Rev. Lett. — 1969. — V. 22, № 26. — P. 1433—1436.
- Бехштедт Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бех-штедт, Р. Эндерлайн. — М.: Мир, 1990. — 488 с.
- McGilp J.F. Schottky contacts to cleaved GaAs (110) surfaces. II. Thermodynamic aspects / J.F. McGilp, A.B. McLean // Appl. Phys. Lett. — 1987/— V. 51, № 4. — P. 185—188.
- Chemisorptions of Mn on GaAs (l 10) surface / Fu Xuaxiang et al. // Surface Science. — 1995. — V. 341. — P. 273—281.
- Effects of interface reactions on electrical characteristics of meJal-GaAs contacts / K.M. Yu et al. // Appl. Phys. Lett. — 1987. — V. 51, Issue 3,-^ P. 189—191.
- Fe3GaAs/GaAs (001): a stable and magnetic metal-semiconductor heterostructure / B. Lepinea et al. // Thin Solid Films. — 2004. — V. 446. — P. 6—11.
- The ternary compound Fe3Ga2. xAsx: a promising candidate for epitaxial and ther-modynamically stable contacts on GaAs / S. Deputier et al. // Journal of Alloys and Compounds. — 2002. — V. 262—263. — P. 416—422.
- Solid state phase equilibria in the Fe-Ga-Sb ternary system at 600° С / S. Deputier et al. // Journal of Alloys and Compounds. — 2002. — V.340. — P. 132—140.
- Spin-resolved photoelectron spectroscopy of ultrathin Fe films on GaAs (OOl) / N. Takahashi et al. // Surface Review and Letters. — 2002. — V. 9, № 2. — P. 693—698.
- Прогнозирование фазового состава переходных слоев, образующихся на границе между арсенидом галлия и никелем / Н. А. Тестова и др. // Неорганические материалы.— 1986. —Т. 22,№ 11. —С. 1781—1785.
- An exploratory study of the reactive Ni-GaAs (110) interface / M.D. Williams et al. // Solid State Commun. — 1984. — V. 51, № 10. — P. 819.
- Han Q. Schmidt-Fetzer R. Reaction Diffusion at the Interface of Mo/GaAs Contacts / Q. Han, R. Schmidt-Fetzer // Z. fur Metallkunde. — 1993. — Bd. 84, № 9. —1. J1. S. 605—612.
- Рожанский H. В. Исследование взаимодействия тонких пленок Pd с монокристаллом GaAs в процессе отжига в электронном микроскопе / Н. В. Рожанский, А. Г. Акимов // Поверхность. — 1990. — № 12. — С. 57—68.
- Thermal treatment of the MIS and intimate Ni/n-LEC GaAs Schottky barrier diodes / G. Nuhoglu et al. // Applied Surface. — 1998. — V.135. — P. 350—356.
- Effect of thermal annealing on Co/n-LEC GaAs (Te) Schottky contact / G. Nuhoglu et al. // Solid State Comm. — 2000. — V. 115. — P. 291—295.
- Ayyildiz E. The effect of thermal treatment on the characteristic parameters of Ni/—, Ti/— and NiTi/n-GaAs Schottky diodes / E. Ayyildiz, A. Turut // Solid State electronics. — 1999. — V. 43. — P. 521—527.
- Growth of cobalt on GaAs (001) studied by photoemission and photoelectron diffraction / S. Abobou et al. // Surface Rev. and Lett. — 1998. — V. 5, № 1. — P. 285—288. П73.