Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотолиз азида свинца и гетеросистем на его основе

Диссертация: Фотолиз азида свинца и гетеросистем на его основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы: Основные результаты диссертационной работы обсуждались и докладывались на Международной конференции «Физико — химические процессы в неорганических материалах» (г. Кемерово, 2001) — Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов -» 2002″ (г.Москва 2002 г), ХЬ Международной научной студенческой конференции «Студент и научно — технический… Читать ещё >

Фотолиз азида свинца и гетеросистем на его основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Кристаллическая структура азида свинца
    • 1. 2. Физико — химические свойства PbN
    • 1. 3. Оптические свойства PbNo
    • 1. 4. Фотоэлектрические свойства PbN
    • 1. 5. Электрофизические свойства. Тип носителей заряда
    • 1. 6. Диаграмма энергетических зон азида свинца
    • 1. 7. Фотолиз азида свинца
    • 1. 8. Исследование фотоэлектрических свойств гетеросистем
  • PbNo — металл (полупроводник)"
    • 1. 9. Модели фотолиза азидов тяжелых металлов
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Синтез азида свинца и приготовление образцов для исследования
    • 2. 2. Масс — спектрометрический метод исследования процесса фотолиза
    • 2. 3. Метод инверсионной вольтамперометрии
    • 2. 4. Методика измерения спектров диффузного отражения
    • 2. 5. Актинометрия источника излучения
  • ГЛАВА 3. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ГАЗООБРАЗНОГО ПРОДУКТА ФОТОЛИЗА РЫЧб (Аб) И ГЕТЕРОСИСТЕМ «РЬх6 (Аб) — МЕТАЛЛ (А&- РЬ, Си, (Я, N1)», «РЬЛб (Аб) — ПОЛУПРОВОДНИК (сате, СаБ, СсШе, сао, Си20)>>
    • 3. 1. Кинетические закономерности фотохимического разложения РЬЫ6(Аб)
    • 3. 2. Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем „РЬЫ6(Аб) — металл“
    • 3. 3. Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем „РЬЫ6(Аб) — полупроводник“
    • 3. 4. Исследование темпового пост -газовьщеления
  • ГЛАВА 4. ИДЕНТИФИКАЦИЯ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРОДУКТА ФОТОЛИЗА РЫЧ6(Аб) II ГЕТЕРОСИСТЕМ „РЫЧ6(Аб)
  • МЕТАЛЛ" — „РЫЧ6(Аб) — ПОЛУПРОВОДНИК“
    • 4. 1. Идентификация твердофазного продукта разложения азида свинца
    • 4. 2. Спектрофотометрическое исследование фотолиза РЬК6(Аб)
    • 4. 3. Спектрофотометрическое исследование фотолиза гетеросистем „РЬЫ6(Аб) — металл (РЬ, Сё, Си)“,
  • РЬЫ6(Аб) — полупроводник (СёТе, Сс18, Си20)“
    • 4. 4. Определение лимитирующей стадии процесса роста частиц фотолитического свинца
  • ГЛАВА 5. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ „РЬГ*б (Аб) — МЕТАЛЛ (РЬ, Си, Сс1, N0″,
  • РЫЧ6 (Аб) — ПОЛУПРОВОДНИК (СаТе, СсЮ, СаБе, С<�Ю, Си20)“
    • 5. 1. Диаграммы эгергетических зон „РЬК6(Аб) — металл“
    • 5. 2. Фотопрцессы в гетеросистемах „РЬЫб (Аб) — металл“
    • 5. 3. Диаграммы эгергетических зон гетеросистем
  • РЬЫ6(Аб) — полупроводник (СсГГе, СёЭ, Си20)»
    • 5. 4. Темновые процессы в гетеросистемах «РЬЫб (Аб) — полупроводник»
    • 5. 5. Фотопроцессы в гетеросистемах «РЬМ6(Аб) — полупроводник»
    • 5. 6. Расчет кинетических параметров фотолиза РЬК6(Аб) и гетеросистем «РЬИб (Аб) — металл (полупроводник)» 98 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И
  • ВЫВОДЫ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

В настоящее время в физике и химии твердого тела большое внимание уделяется исследованию физических и физико-химических процессов, протекающих в энергетических материалах, к которым относятся и азиды тяжелых металлов (ATM), а так же в гетеросистемах на их основе при различных энергетических воздействиях, в частности, под действием света. Важной особенностью гетеропереходов, которая представляет интерес для исследователей, изучающих каталитические и физико-химические твердофазные процессы, является изменение узкозонными полупроводниками фотоэлектрической чувствительности широкозонных полупроводников [1, 2−9]. Изучение природы и закономерностей протекания элементарных химических реакций, составляющих сложный многостадийный процесс фотохимического разложения, выяснение механизма фотолиза таких гетеросистем, исследование широкого ряда факторов, влияющих на этот процесс, представляет значительный теоретический и практический интерес, связанный с возможностью направленного регулирования фотохимической чувствительности энергетических материалов.

Среди разнообразных фоточувствительных систем особое место занимают гетеросистемы «PbNe — металл (полупроводник)», один из компонентов которых (PbN6) необратимо разлагается под действием света.

Ранее было показано [2 — 9], что создание контактов азида свинца с металлами и полупроводниками приводит к изменению фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азида свинца в области собственного поглощения PbNe и появлению фоточувствительности в длинноволновой области. Было так же установлено, что изменение метода синтеза оказывает влияние на состояние поверхности, положение уровня Ферми [2, 9−14], фотохимические и фотоэлектрические свойства азида свинца. Однако, систематические исследования процесса фотолиза азида свинца и гетеросистем «азид свинца — металл (полупроводник)» были проведены преимущественно для азида одного метода синтеза (Ам) [2- 9], для других же методов синтеза (в частности Аб) имеются данные отдельных экспериментов [2, 5, 10, 11]. Изучение фотолиза азида свинца (гетеросистем на его основе), обладающего иными (чем исследованный) состоянием поверхности и положением уровня Ферми актуально как в практическом, так и теоретическом отношении.

Цель работы Исследование природы и закономерностей процесса фотолиза азида свинца (метод синтеза Аб) и гетеросистем «РЬК6(Аб) — металл (А&РЬ, Си, Сё, №)», «РЫчЦАб) — полупроводник (СёБ, Сс? е, С<1Те, СсЮ, Си20)» при воздействии света X = 380 нм в интервале интенсивностей 7.95×1014 -5.56×1015 квантхсм^хс*1, при Т= 293К.

В задачи работы входило:

1. Определить качественный и количественный состав продуктов фотолиза азида свинца и гетеросистем «РЫМ6(Аб) — металл (А£, РЬ, Си, Сё, №)», ''РЬЩАб) — полупроводник (СёБ, СаБе, СбТе, СсЮ, Си20)" .

2. Исследовать кинетические закономерности фотолиза азида свинца и гетеросистем «РЬК6(Аб) — металл», «РЬЫб — полупроводник» в зависимости от интенсивности падающего света и предварительных световых обработок.

3. Построить диаграммы энергетических зон контактов азида свинца с металлами и полупроводниками. Установить вероятный механизм переноса носителей заряда через границу раздела «РЬЫб (Аб) — металл», «РЬМ6(Аб) -полупроводник.

4. Оценить эффективные константы скорости фотолиза азида свинца, гетеросистем «РЬЫб (Аб) — металл» и «РЬК6(Аб) — полупроводник» .

5. Предложить экспериментально обоснованную модель фотолиза ге-тероситем «РЬЫ6(Аб) — металл», «РЬМ6(Аб) — полупроводник» .

Научная новизна:

1. Впервые проведены систематические исследования кинетических закономерностей фотолиза РЬЫ6 (Аб) и гетеросистем «РЬН6(Аб) — металл (А&РЬ, Си, Сё, №)», «РЫчГ6(Аб) — полупроводник (СёБ, СаБе, Сс1Те, СсЮ, Си20)» в зависимости от интенсивности падающего света (А, = 380 нм) и предварительных световых обработок.

2. Впервые установлено, что твердофазным продуктом фотолиза РЬМ6(Аб) и гетеросистем «РЬК6(Аб) — металл», «РЬМ6(Аб) — полупроводник» при X = 380 нм является свинец, а газообразный (азот) и твердофазный (свинец) продукты фотолиза образуются в стехиометрическом соотношении в основном на поверхности образцов.

3. Построены диаграммы энергетических зон гетеросистем «РЬЫб (Аб) -металл» и «РЬЫ6(Аб) — полупроводник» .

4. Установлен вероятный механизм переноса носителей заряда через границу раздела систем «РЬЫ6(Аб) — металл» и «РЬЫ6(Аб) — полупроводник» .

5. Определены эффективные константы скорости фотолиза РЬЫ6(Аб), гетеросистем «РЬЫ6(Аб) — металл (А§-, РЬ, Си, Сё, N0» и «РЬК6(Аб) — полупроводник (СёБ, СёЭе, СёТе, СсЮ, Си20)» .

6. Впервые методом инверсионной вольтамперометрии проведен качественный и количественный анализ твердофазного продукта фотолиза азида свинца.

7. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза РЬЫ6(Аб) в контакте с металлами и полупроводниками.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные результаты могут служить основой для создания систем с регулируемым уровнем фоточувствительности. А так же позволят прогнозировать и направленно изменять поведение энергетических материалов. Методы исследования и результаты работы используются в курсе лекций «Методы исследования неорганических материалов».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Твердофазным и газообразным продуктами фотолиза РЬЫ6(Аб) и гетеросистем «РЬКб (Аб) — металл», «РЫМ6(Аб) — полупроводник» являются свинец и азот.

2. Твердофазный и газообразный продукты фотолиза РЬЫ6(Аб) и гетеросистем «РЬЫ6(Аб) — металл (А&РЬ, Си, Сё, №)», «РЬЫ6(Аб) — полупроводник (С<18,.

СёБе, СсГГе, С<�Ю, Си20)" образуются в стехиометрических соотношениях и в основном на поверхности образцов.

3. Лимитирущей стадией процесса фотолиза РЬЫб (Аб) и гетеросистем «РЬЩАб) — металл (А&РЬ, Си, Сё, N0», «РЬЩАб) — полупроводник (СёБ, Сс18е, СсГГе, СсЮ, Си20)» является диффузия анионных вакансий к нейтральному центру.

4. Модель фотолиза гетеросистем «РЬИб — металл (полупроводник), включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения носителей заряда, образования твердофазного и газообразного продуктов разложения, формирования микрогетерогенных систем азид-металл (продукт фотолиза).

Апробация работы: Основные результаты диссертационной работы обсуждались и докладывались на Международной конференции «Физико — химические процессы в неорганических материалах» (г. Кемерово, 2001) — Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов -» 2002″ (г.Москва 2002 г), ХЬ Международной научной студенческой конференции «Студент и научно — технический прогресс» (г. Новосибирск, 2002), XXIX конференция студентов и молодых ученых КемГУ (.Кемерово, 2002) — XXX апрельской конференции молодых ученых КемГУ (Кемерово, 2003) — Второй областной конференции «Молодые ученые Кузбассу» (Кемерово, 2003) — ХЫ Международной научной студенческой конференции «Студент и научно — технический прогресс» (г. Новосибирск, 2003), четвертой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт — Петербург, 2002) — 12 — Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ -12 (Томск, 2003) — II — Всероссийской конференции молодых ученых «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии» (Томск, 2003).

Результаты работы изложены в 18 научных публикациях.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, основных результатов и выводов, списка цитируемой литературы из 127 найме.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ II ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что продуктами фотохимического разложения PbN6(A6) и гетеросистем «РЬЫб (Аб) — металл (полупроводник)» являются азот и свинец. Показано, что продукты фотолиза образуются в стехиометрическом соотношении в основном на поверхности образцов.

2. Установлено, что при воздействии на PbN6(A6) и гетеросистемы «PbN6(A6) — металл (полупроводник)» светом А,=380 нм в интервале интенсивностей 7.95×1014 — 5.56×1013 квант х см'2 х с" 1 реализуются кинетические кривые, состоящие из четырех участков: I — начального, II — стационарного, III — ускорения, IV — насыщения.

3. Рассчитаны и построены диаграммы энергетических зон гетеросистем «PbN6(A6) — металл (полупроводник)». Установлено, что фототок в гетеро-системах «PbN6(A6) — полупроводник (CdTe, CdS, СщО)» обусловлен над-барьерным прохождением носителей через контакт.

4. Рассчитаны эффективные константы скорости фотолиза PbN6(A6) и гетеросистем «PbNo (A6) — металл (полупроводник)». Установлено, что лимитирующей стадией фотолиза является диффузия анионных вакансий к нейтральному центру.

5. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза гетеросистем «PbN6(A6) — металл» и «PbN6(A6) — (полупроводник)», включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения неравновесных носителей заряда, образования конечных продуктов, формирования микрогетеросгруктур «PbN6(A6) — Pb (продукт фотолиза)».

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ. 4.1. Минск: Высшая школа, 1964. — 390 с.
  2. , Ю.А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений: Дис.. доктора хим. наук.-Томск. 1976.-480с.
  3. Захаров, Ю. А Сенсибилизация фотолиза азида свинца неорганическими полупроводникам и/Ю. А Захаров, Э. П. Суровой //Физика и техника полупроводников 1974. — Т.8.- № 2. — С.385−387.
  4. , Э.П. Сенсибилизация полупроводниками фоточувствигельности азидов свинца и серебра/ Э. П. Суровой, Ю. А. Захаров, Д. Г. Кулагин, М. А. Шустов М.А./ ТЛИ. Томск, 1976. — 22с. — Деп. в ВИНИТИ 10.11.77 г., № 4203−77.
  5. , Э.П. Катализ полупроводниками фотопроцессов в азидах свинца и серебра / ТЛИ. Томск, 1981. — 18с. — Деп. ОНИИТЭХИМ 22.02.81 г., № 169X11−81.
  6. , Ю.А. Сенсибилизация фотолиза азида свинца неорганическими полупроводниками / Ю. А. Захаров, Суровой Э. П. //Физика и техника полупроводников. 1974. — Т.8. № 2. — С.385−387.
  7. , Э.П. Сенсибилизация полупроводниками фоточувствительности азидов свинца и серебра/ Э. П. Суровой, Ю. А. Захаров, Д. Г. Кулагин, М. А. Шустов / ТЛИ. Томск, 1976. — 22с. — Деп. в ВИНИТИ 10.11.77 г., № 4203−77.
  8. , Э.П. Направленное регулирование процесса фотолиза азидов свинца, серебра, таллия металлами и неорганическими полупроводниками: Дис. доктора хим. наук. Кемерово, 2001. — 500 с.
  9. , Ю.А. Сенсибилизация металлами фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азидов серебра и свинца/ Ю. А. Захаров, Э. П. Суровой Э.П. // ЖНиПФиК. -1981. Т. 25. — № 1. — С. 24−29.
  10. , Э.П. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем «азид свинца металл»/ Э. П. Суровой, С. В. Расматова, Ю. А. Захаров, Л.И. Бугерко//Материаловедение. — 2002. — № 9. — С. 27 -33.
  11. , Ф.И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении: Автореф. дис. доктора хим. наук. Кемерово, 1997. — 43 с.
  12. , Н.А. Фотохимическое разложение нитевидных кристаллов азидов тяжелых металлов: Автореф. дис. .канд. хим. наук: Новосибирск, НГУ. 1989. -22 с.
  13. , JI.B. Спектры энергетических состояний и некоторые особенности реакций разложения азидов тяжелых металлов: Автореф. дис.. канд. хим. наук. Минск, БГУ, 1978. — 21 с
  14. , JI.H. Химия и технология взрывчатых веществ. М.: Машиностроение. -1985.-352 с.
  15. Hattori, К Lead Azide, Pb (N3)2 (Form I) (Form II)/ K. Hattori, W. Mc. Crone//Analytical chemistry. -1956. V.28. — No. 11. — P. 1791 -1792.
  16. Energetic Manerials V. 1. Physics and chemistry of the inorganic azides/ Ed. Fair H.D., Walker R.F./ New-York-London, Plenum Press, 1977. 382 p.
  17. Evans, B.L. Structure and stability of inorganic azides/ B.L. Evans, A.D. Yoffe // Proc. Roy. Soc. London A. -1957. V.238. — P.568−580.
  18. Gray, P. Chemistry of inorganic azides // Quart. Revs. Chem. Soc. London. -1963. V.17. — P.771−793.
  19. Choi, C. Neutron Diffraction Study of a -Pb (N3)2/ C. Choi, H. Boutin// Acta Cryst. 1969. -B.25. -C. 982−985.
  20. Iqbal, Z. Infrared and Raman Spectra of Single Crystal a -Lead Azide / Z. Iqbal, W. Garrett, C.W. Brown, S.S. Mitra. //J. Chem. Physics. -1971. — V.55. No. 9. pp. 4528−4535.
  21. Varma, S.P. Infrared sbsorbtion spectra of doped and undoped lead azide/ S.P.
  22. Varma, F. Williams // J. Chem. Phys. 1973. — V. 59. — No.2. — pp. 912 -913.
  23. Varma, S.P. Effect of photodecomposition on the Infrared sbsorbtion spectra of lead azide. I. Far. Infrared/ S.P. Varma, F. Williams //J. Chem. Phys. 1974. V. 60. -No. 12. -pp. 4950−4953.
  24. Varma, S.P. Effect of photodecomposition on the Infrared sbsorbtion spectra of lead azide. П. Near Infrared / S.P. Varma, F. Williams. // J. Chem. Phys. 1974. -V. 60. — No. 12. — pp. 4956 -4960.
  25. Fair, H. D. Optical and electrical properties of thin films of a lead azide/ H. D. Fair, J.A. Forthyth //J. Phys. Chem. Solids. Pergamon Press. — 1969. — V. 30. — pp. 2259−2570.
  26. Deb, S.K. Optical absorption spectra of azides //Trans. Farad. Soc. 1969.- V. 65. -P. 3187−3194.
  27. Deb, S.K. Optical absorption spectra of azides //Trans. Farad. Soc. 1970. — V.66. P. 471−476.
  28. , Ф.И. Спектры поглощения HK р азида свинца/Ф.И. Иванов, Ю. А. Захаров, MA. Лукин// Перспективы горно — металлургической индустрии. -Новокузнецк, 1999. — С. 173−181.
  29. , Ю.А. Термостимулированная люминисценция азида свинца /Ю.А. Захаров, С. М. Руколеев, B.C. Лоскутов // Деп ВИНИТИ -1975. № 3276 -75. 9 с.
  30. Downs, D.S. Photoeffects in a -Lead Azide / D.S.Downs, M Biais // Bull. Am. Phys. Soc. 1971.-V.16.-p.636.
  31. Deb, S.K. Optical and Photoconductivity in Unstable Azides// Trans. Faraday Soc. 1969.-V.65.-p.3187−3194.
  32. Dedman, A.J. Photoconductivity in a -PbN
  33. Evans, B.L. Physics and chemistry of certain inorganic azides/ B.L. Evans, A.D. Yoffe, P. Grey //Chem. Rev. 1959. — V. 59. — № 4. — p. 515 — 568.
  34. Кук, M.A. Наука о промышленных взрывчатых веществах. М.: Наука, 1980. — 56 с.
  35. , Г. Г. ФотоЭДС в азидах серебра и свинца/ Г. Г. Савельев, Ю. А. Захаров, Ю. В. Гавршценко //ИзвестияВУЗов. Серия «Физика». 1968. — Т.74. -№ 7. -С.71−72.
  36. , Ю.А. Сенсибилизация фотопроводимости и фото-ЭДС азидов тяжелых металлов, окрашенных органическими красителями/ Ю. А. Захаров, Ю. В. Гавршценко, Г. Г. Савельев //Изв. ТЛИ. 1970. — Т.185. -С.69−71.
  37. , Ю.В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и оптическая сенсибилизация этого процесса органическими красителями: Автореф. дис. .канд. хим. наук. Томск: ТГУ, 1969. 15 с.
  38. , Г. Г. Фотолиз азидов тяжелых металлов и его оптическая сенсибилизация/ Г. Г. Савельев, Ю. А. Захаров Ю.А., Ю. В. Гавршценко, Е. П. Абакумов //ЖНиПФИК.-1969. Т.14. — № 6. — С.466−468.
  39. , С.П. Изучение дырочной и ионной проводимости в поляризационной ячейке Вагнера/ С. П. Баклыков, Ю. А. Захаров //Химия твердого состояния: Меж. вуз. сб. научн. тр.- Кемерово. КемГУ, 1981.- 4.1. С. 3−13.
  40. , Г. Т., Изучение начальной стадии термолиза, а PbNo / Г. Т. Шечков, Ю. А. Захаров, В. А. Каплин // Кинетика и катализ. — 1970. — Т.2. — № 3. — С. 623 -627.
  41. Verneker P.V.R. Photodecomposition of a -PbN6 in the solid state/ P.V.R. Verneker, J.A. Forthyth//J. Phys. Chem. 1967. — V. 72. — No. 12. -p. -3736 -3741.
  42. Verneker, V.R.P. Photodecomposition of Solid Metal Azides //Journal of Physical Chemistry. 1968. — V.72.-No. 5. — P. 1733−1736.
  43. , Г. Г. Влияние добавок Cu2+ и Ag+ на термическое разложение, электропроводность и фотопроводимость PbNo/ Г. Г. Савельев, Ю. А. Захаров, Г. Т. Шечков, Р.А. Васкугкова//Известия ТЛИ. 1966. — Т. 151. — С. 1191−1194.
  44. , Э.П. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия/ Э. П. Суровой, Ю. А. Захаров, Л. Н. Бугерко //Неорганические материалы. 1996. — Т.32. — № 2. — С. 162−164.
  45. Hall, Р.В. Photodecomposition end electron structure of lead azide/ P.B. Hall, F. Williams //Chem. Phys. V. 58. — № 3. — P. 1036 -1042.
  46. , Ю.А. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в азиде свинца/ Ю. А. Захаров, Л. В. Колесников, А. Е. Черкашин, С. П. Баклыков // Оптика и спектроскопия. 1978. — Т. 45. -Вып. 4.-С. 725−729.
  47. , А.Б. Энергетическая зонная структура и химическая связь в га-логенидах серебра и азидах металлов: Дис. канд .физ-мат наук. Кемерово, КемГУ, 1993. — 191 с.
  48. Ю.А. Процессы возбуждения и переноса электронов в азиде свинца/ Ю. А. Захаров, С. П. Баклыков // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1979. -Т.15. -№ 12. С. 2146−2150.
  49. Ю.В. Влияние электрического потенциала поверхности на сенсибилизированный фотолиз азида свинцаЛО.В. Гавршценко, Г. Г. Савельев, Ю. А. Захаров // Изв. ТЛИ. -1969. Т. 199. — С. 112 -115.
  50. Ф. Быстрые реакции в твердых веществах/ Ф. Боуден, А. Ф. Иоффе. -М.: Мир.-1969.-247с.
  51. Wiegand, D.A. Photoproduction of disoder in PbNe and TIN3// Phys. Rev. Bui. -1974. V. 10. — No 4. — P. 1241−1247.
  52. Todd, Dr. G. Thermal and photolitic decomposition of the lead azide in air/ Dr. G. Todd, E. Parry//Nature.- 1962. -V. 196.-No 4851.-P.250−253.
  53. , Ю.А. Фотолиз азидов свинца, серебра и некоторых систем на их основе / Ю. А. Захаров, Е. П. Абакумов, Э. П. Суровой // Изв. ТЛИ. 1970. — № 251.-С. 373−382.
  54. , Э.П. Формирование под действием света гетеросистем «азид свинца свинец»/ Э. П. Суровой, Ю. А. Захаров, JI.H. Бугерко, С. М. Сирик, Л. И. Шурыгина, С. В. Расматова // ЖНиПФиК. — 2001. — Т. 46. — № 3. — С. 1−9.
  55. , Ю.А. Низкотемпературный фолтолиз и люминисценция азидов1.lсвинца серебра и таллия / Ю. А. Захаров, С. И. Руколеев, B.C. Лоскутов // Химия высоких энергий. 1979. — Т.13. — № 1. — С. 61−65.
  56. Э.П. Влияние металлов на фотохимическую и фотоэлектрическуючувствительность азидов свинца и серебра / Э. П. Суровой, Ю. А. Захаров /ТЛИ: Томск, 1976. — 24с. — Деп. в ВИНИТИ 20.10.1977 г., № 4065−77.
  57. Garret, W.L. Photodecomposition kinetics of Pb (N3)2 studied by optical extinction and N2 gasevolution / W.L. Garret, D.A. Wiegand // J. Phys. Chem. 1982. — V.86.- № 19. P.3884 — 3894
  58. , Л.И. Фотолиз гетеросистем «азид таллия металл'7Л.И. Шурыгина, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугерко// Химическая физика — 2003. — Т.22. — № 6. — С. 17−22.
  59. , Л.И. Автокатализ фотолиза азида таллия/ Л. И. Шурыгина, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугерко// Химия высоких энергий. 1999. — Т.ЗЗ. — № 5. — С. 387- 390.
  60. , A.B. Исследование фотохимического разложения азида серебра/ Е. В. Прохорин, В. В. Яковлев, Г. Б. Манелис // Химия высоких энергий. 1976.- Т.10. -№ 1. С.59−63.
  61. , Ю.В. Математическое моделирование реакций фотолиза азидов тяжелых металлов / Ю. В. Гавршценко, Г. Г. Савельев // Известия ТЛИ. 1970. -№ 251.-С. 255−267.
  62. , В.Г. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов /В.Г. Кригер, A.B. Ханефт, O.A. Колпаков // Химия твердого состояния: Меж. вуз. сб. научн. тр. Кемерово, 1981. — С.56−58.
  63. , О.Л. Кинетические особенности фото и радиационных процессов в системах с ростом центров рекомбинации: Автореф. дисс. канд. физ. мат. наук. — Кемерово. — КемГУ. — 1990. -22с.
  64. , В.Г. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов / В. Г. Кригер, A.B. Ханефт, O.A. Колпаков // Химия твердого состояния: Меж. вуз. сб. научн. тр.- Кемерово, 1981. С.56−58.
  65. , Ю.А. Электроника фотохимического разложения неорганических солей / Ю. А. Захаров, С. И. Руколеев, B.C. Лоскутов // 7 Всес. сов. по кинетике и механизму реакций в твердом теле: Тез. докл. Черноголовка. — 1978. — С. 10 -13.
  66. , В.Г. Физико-химические процессы в системах с ростом центров рекомбинации/ В. Г. Кригер, A.B. Каленский, В.В. Вельк// Известия Вузов. Серия «Физика». 2000. — Т. 43. — № 11. — С. 124−129.
  67. , В.Г. Кинетика и механизмы реакций твердофазного разложения неазидов тяжелых металлов: Дис. доктора физ. мат. наук. — КемГУ. Кемерово, 2002.-369 с.
  68. , A.B. Топохимическая модель автокаталитического разложения азида свинца// Журнал физической химии. 1982. Т. 66. — № 7. — С. 1722−1778.
  69. , A.B. Механизм образования молекулярного азота при разложении азида свинца // Журнал физической химии. 1996. — T.70. — № 4. — С.639−642
  70. , A.B. Оценка нормальной составляющей скорости роста ядер свинца при термическом разложении азида свинца, // Журнал физической химии. -2001.-Т. 75.-№ 1.-С. 19−23.
  71. , С.М. Фотолиз азида серебра и гетеросистем «азид серебра металл», «азид серебра — полупроводник»: Автореф. дис. канд.. хим. наук. Кемерово: КемГУ, 1999.-20 с.
  72. , Л.И. Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе: Автореф. дис. канд. хим. наук. Кемерово: КемГУ, 2000.-20 с.
  73. , П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972. — 399 с
  74. , Р. Полупроводники. -М.: Мир, 1982. 560с.
  75. Бонч-Бруевич В.А., Физика полупроводников/ В.А. Бонч-Бруевич С. Г. Калашников М.: Наука, 1977. — 672с.
  76. , П.С. Физика полупроводников. М: Высшая школа, 1975. — 583 с.
  77. , B.C. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов / B.C. Фоменко, И.А. Подчерняева/ Справочник. М.: Атомиздат, 1975
  78. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1988. Т.1. -С. 116, 379.
  79. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1990. Т.2. — С. 443, 551,558.
  80. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1992. Т.З. — С. 4.
  81. , А.И. Конструирование и расчет вакуумных систем/А.И. Пипко, B.JI. Плесковский, Е. П. Пенчко. М.: Энергия, 1979. -504 с.
  82. , Э.П. Определение количественных характеристик газового потока методом полного разложения /Э.П. Суровой, С. М. Сирик, JI.H. Бугерко/ Кем-ГУ. Кемерово, 1996. — 15с. — Деп. в ВИНИТИ 24.01.96 г., № 1677−96.
  83. , М.А. Определение квантового выхода фотолиза по оптическим данным методом полного разложения / М. А. Шустов, Ю. А. Захаров // Изв. ВУЗ. «Хим. и хим. технол.» 1979. — Т.22, № 7. — С.827−830.
  84. , Х.З. Инверсионная вольтамперометрия твердых фаз. -М.: Химия, 1972. -С.44−47.
  85. , Ф. Инверсионная вольтамперометрия /Ф. Выдра, К. Штулик, Э. Кулакова М.: Мир, 1980. — 240 с.
  86. , Н.Г. Свинец. М.: Наука, 1986. 357 с.
  87. , И.М. Органические реагенты в неорганическом анализе. М.: Химия, 1980.-448 с.
  88. , Ф. Комплексные соединения в аналитической химии/ Ф. Умланд, А. Янсен, Д. Тиринг, Г. Вюнш М.: Мир, 1975.-530 с.
  89. , А.И. Кинетика и механизм циклообразования этанол амина в комплексных соединениях платины (П): Дис.. канд. хим. наук. Ленинград: ЛХТИ, 1972−118 с.
  90. Сирик, С. М Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра/ С. М Сирик, Э. П. Суровой, JI.H. Бугерко// Химическая физика. -2000. -Т.19. -№ 10. С. 68−71.
  91. , С.М. Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра/ С. М. Сирик, Э. П. Суровой, J1.H. Бугерко// Химическая физика -2001.-Т. 20.-№ 12.-С. 15−18.
  92. , Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике. М.: Мир, 1985.-Т. 2.-544 с.
  93. , Б.У. Связь эффекта Гершеля с электронной фотоэмиссией/ Б. У. Барщевсий, Ю. Я. Гуревич // Доклады Академии наук СССР. 1970. — Т. 191. № 1. С. 115−118.
  94. , Б.У. Частицы металла в диэлектриках / Б. У. Барщевский, Ю.Я. Гуревич//Физика твердого тела. -1970. -Т.12. С.3380−3382.
  95. , A.M. Теория электронной эмиссии из металлов/ А. М. Бродский, Ю. Я. Гуревич -М: Наука, 1973. 265с.
  96. , C.B. Изучение закономерностей формирования продуктов фотолиза азида свинца// «Студент и научно технический прогресс»: Тез. докл. XLI Международ, конф. — Новосибирск, 2003. — С 119 -120.
  97. , C.B. Образование продуктов при фотохимическом разложении азида свинца// «Материаловедение, технологии и экология в третьемтысячелетии»: Тез. Докл. II Всеросс. конф. молодых ученых — Томск, 2003. -С. 152.
  98. , C.B. Фотолиз гетеросистем «PbN6(A6) Cu20"// Сб. научн. труд. II — областной научн. конф. «Молодые ученые Кузбассу»: — Кемерово, 2003. -С. 175 — 177.
  99. , C.B. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем «азид свинца -металл (Cd, Ni, Pb)// «Студент и научно технический прогресс»: Тез. докл. XL Международ, конф.- Новосибирск, 2002-С 184.
  100. C.B. Исследование закономерностей формирования продуктов фотолиза гетеросистем азид свинца оксид меди (I) / C.B. Расматова, Э. П. Суровой, Л. Н. Бугерко // Материаловедение. № 7. 2003. С. 18 — 24.
  101. , C.B. Формирование продуктов фотолиза гетеросистем азид свинца оксид меди (I). // Сб. научн. тр. Второй областной научн. конф. «Молодые ученые Кузбассу»: — Кемерово, 2003. — С. 170 -172.
  102. , C.B. Фотолиз гетеросистем «PbN6 (Аб) CdTe"// «Ломоносов -2002»: Тез. докл. Международ, конф. — М.: МГУ, 2002. — Т.2. — С.-284.
  103. , В.Ф. Практикум по физике полупроводников М.: Просвящение, 1976.-207с.
  104. А., Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник /А. Милне, Д. Фойхт М.: Мир, 1966. — 432с.
  105. .Л., Полупроводниковые гетеропереходы / Б. Л. Шарма, Р.К. Пуро-хит М: Советское радио, 1979. — 266с.
  106. , К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. — 415 с.
  107. , А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М.: «Наука», 1971−480 с.
  108. , Т. Теория фотографического процесса Л.: Химия, 1973 — 512 с.
  109. , Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. — 558с.
  110. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М: Физмат-гю, 1963 — 494 с.
  111. , Л.И. Закономерности формирования микрогетерогенных систем при фотолизе азида таллия/ Л. И. Шурыгина, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугер-ко//Химическая физика. 2003. — Т. 22. — № 9. — С. 24 — 28.
  112. , С.М. Катализ фоторазложения азида серебра продуктами реакции/ С. М. Сирик, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугерко//Химическая физика. 1999. — Т. 18. -№ 2.-С. 44−46.
  113. , С.М. Фотолиз гетеросистем AgN3(Aj) металл/ С. М. Сирик, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугерко// Химическая физика. — 2000. — Т. 19. — № 8. — С. 20−23.
  114. , С. М. Кинетика фотолиза гетеросистем азида серебра с теллуридом кадмия и оксидом меди (I)/ С. М. Сирик, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугерко//Журнал физической химии. 2000. — Т.74. — № 5. — С. 927 — 933.
  115. , Л.И. Фотолиз гетерогенных систем азид таллия полупроводник/ Л. И. Шурыгина, Э. П. Суровой, Л.Н. Бугерко//Химическая физика. -2003. -Т. 22.- № 6. — С. 17 — 22.
  116. , С.М. Фотолиз гетеросистем азид серебра оксид меди (1)/ С. М. Сирик, Э. П. Суровой, Ю. А. Захаров, Л.Н. Бугерко// ЖНиПФиК- 2002. — Т. 47. -№ 5. с. 19−27
  117. , C.B. Исследование фотолиза систем на основе «PbN6(A6) -полупроводник"/ C.B. Расматова, И. В. Шахова // XXX апрельская конф. молодых ученых КемГУ: Тез. докл.- Кемерово, 2003. вып. 3. — Т.2. — С. 155−156.
  118. Расматова, С. В Фотолиз гетеросистем «азид свинца полупроводник (Си20, CdTe)"// IV -Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто — и наноэлектронике: Тез. докл.- Санкт — Петербург, 2002. С. 34.
  119. , C.B. Исследование процесса фотолиза гетеросистем «PbNo (Аб)
  120. Cu20» // «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии»: Тез. докл. П -Всеросс. конф. молодых ученых Томск, 2003. -С. 150.
  121. , А.Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм. -М.: Наука, 1980.-264 с.
  122. , C.B. Определение кинетических параметров фотолиза азида свинца / C.B. Расматова, Л.И. Шурыгина// Сб. научн. трудов II областной научн. конф. «Молодые ученые Кузбассу». — Кемерово, 2003. — С. 174 -175.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!