Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Улучшение параметров излучательной рекомбинации инжекционных лазеров на основе гетероструктур с активной областью квазинулевой размерности: В системах А3В5 и А2В6

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые удалось синтезировать квантоворазмерные островки CdSe в активной области BeMgZnSe/ZnCdSe лазерных гетероструктур (сине-зеленый диапазон видимой части спектра) и провести детальное исследование инжекционных лазеров на их основе. Реализация в гетероструктурах новой конструкции дробно-монослойной области рекомбинации позволила создать инжекционные сине-зеленые лазеры, обладающие увеличенным… Читать ещё >

Улучшение параметров излучательной рекомбинации инжекционных лазеров на основе гетероструктур с активной областью квазинулевой размерности: В системах А3В5 и А2В6 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Состояние вопроса и обзор литературы
    • 1. 1. Параметры излучательной рекомбинации, характеризующие работу полупроводникового инжекционного лазерного диода
    • 1. 2. Преимущества лазеров на основе активной области квазинулевой размерности
    • 1. 3. Молекулярно-пучковая эпитаксия для роста квантоворазмерных гетероструктур и способы создания квантоворазмерных систем
  • Глава 2. Особенности технологии формирования лазерных гетероструктур пониженной размерности
    • 2. 1. Лазерные структуры с массивами квантоворазмерных (ln, Ga) As островков в матрице (AI, Ga) As, выращенные на подложках GaAs и InP
    • 2. 2. А2В6 наноструктуры со сверхтонкими дробно-монослойными вставками CdSe в ZnSe матрице
  • Глава 3. Люминесцентные характеристики инжекционных лазерных гетероструктур
    • 3. 1. Особенности подготовки образцов и проведения экспериментов
    • 3. 2. Пороговые и дифференциальные характеристики (ln, Ga, AI) As инжекционных лазеров
    • 3. 3. Сине-зеленые лазеры на основе халькогенидов бериллия с дробно-монослойной активной областью
  • Глава 4. Температурные зависимости параметров излучательной рекомбинации низкоразмерных лазерных АЗВ5 структур
    • 4. 1. Температурная зависимость пороговой плотности тока (ln, Ga, AI) As лазеров на основе гетероструктур, выращенных на GaAs подложке
    • 4. 2. Эффективность вынужденной и спонтанной излучательной рекомбинации
    • 4. 3. Лазеры на основе гетероструктур с квантоворазмерными островками в системе InAs/lnGaAs/lnP

С момента создания первых лазерных источников, полупроводники, как рабочее тело для лазеров, привлекли к себе особое внимание, во-первых, возможностью создания лазеров в широком диапазоне длин волнот далекой инфракрасной области до ультрафиолетового диапазона, во-вторых, возможностью достижения больших значений КПД, близких к 100%, и в-третьих, компактностью и простотой конструкции лазерного диода. Эти возможности обусловлены как высокой концентрацией активных центров в полупроводниковом кристалле, так и особенностями их энергетической зонной структуры, обуславливающей значительно более широкий диапазон энергий для оптических переходов, чем, например, в обычных газовых лазерах, для которых характерны узкополосные дискретные переходы.

Возможность управления выходными излучательными характеристиками путем изменения таких внешних параметров как температура, давление, напряженность магнитного поля и других делает полупроводниковые лазеры (ПЛ) незаменимыми техническими устройствами и уникальными физическими объектами.

Экономичность, малые размеры и простота устройства промышленно выпускаемых сейчас лазерных диодов во многом обуславливают их дешевизну и коммерческую доступность среди лазеров всех прочих типов.

За последнее время инжекционные ПЛ получили широкое распространение в различных устройствах обработки информации, дальномерах и локационных системах, в системах волоконно-оптической связи, они также интенсивно используются для решения многих медицинских задач.

Однако реализация упомянутых преимуществ возможна только в оптимальных, с точки зрения конструкции, лазерных диодах, обладающих высокой эффективностью излучательных процессов, создание и изучение которых при постоянном улучшении их люминесцентных параметров является и на сегодняшний день актуальной исследовательской задачей, определяющей дальнейшее практическое применение ПЛ.

По аналогии с тем, как в свое время открытие гетероперехода инициировало активные теоретические и практические исследования полупроводниковых лазерных диодов во всем мире, в настоящее время необходимость применения гетероструктур пониженной размерности с латеральными размерами активной области порядка длины волны де Бройля носителей в материале, представляется наиболее перспективной с точки зрения расширения возможностей полупроводниковых инжекционных лазеров. В подобных гетероструктурах вследствие пространственного ограничения инжектированных носителей проявляются эффекты размерного квантования и, как результат, осуществляется качественное видоизменение картины плотности состояний. В предельном случае носители заряда ограничены во всех трех направлениях и модификация электронных свойств выражена наиболее отчетливо.

Теоретические расчеты прогнозируют для лазеров на основе нульмерной активной области низкое значение пороговой плотности тока и ее высокую температурную стабильность, увеличение скорости модуляции и достижение более узких спектров оптического усиления.

Несмотря на то, что на практике приходится иметь дело с реальными объектами, свойства которых несколько отличаются от теоретически предсказанных (как обычно и бывает, когда появляется новый класс лазеров), использование наноостровковой активной области уже сейчас позволяет создавать принципиально новый класс полупроводниковых лазеров со значительно улучшенными характеристиками и преобладающими над свойствами лазеров на квантовых ямах.

К началу данной работы была предложена и осуществлена технология выращивания лазерных гетероструктур с активной областью на основе кван-товоразмерных островков. Нанообъекты формировались в результате роста полупроводников с различающимися параметрами кристаллической решетки (InAs/GaAs, CdSe/ZnSe и др.) при соблюдении условия псевдоморфной гете-роэпитаксии, когда критическая толщина образования дислокаций несоответствия, превосходит критическую толщину, соответствующую началу ост-ровкового роста.

В системе материалов (ln, Ga) As/GaAs была продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре, но вместе с тем отсутствовали исследования механизмов внутренних утечек, особенностей температурных зависимостей пороговой плотности тока и спектров излучения, знание которых позволяет выработать практические рекомендации по конструктивному улучшению лазерных диодов с целью достижения большей эффективности лазерных процессов.

Незначительное время жизни сине-зеленых лазеров в системе А2В6 (несколько секунд), вследствие их катастрофически быстрой деградации, не позволяло изучать свойства подобных структур и данные по исследованию излучательной рекомбинации в них отсутствовали вообще.

Целью данной работы являлось повышение эффективности излучательной рекомбинации в низкоразмерных полупроводниковых лазерных гетер оструктурах при помощи детального исследования их электролюминесцентных параметров.

Для достижения указанной цели решался следующий комплекс задач:

1. Практическая реализация методик электролюминесцентного исследования процессов излучательной рекомбинации в полупроводниковых лазерах на основе низкоразмерных гетероструктур;

2. Исследование приборных характеристик инжекционных лазеров пониженной размерности;

3. Выявление особенностей спонтанной и вынужденной излучательной рекомбинации в лазерах на основе гетероструктур с активной областью квазинулевой размерности;

4. Исследование влияния температуры на основные характеристики кванто-воразмерных лазерных гетероструктур;

5. Выработка и практическая реализация рекомендаций по оптимизации параметров гетероструктур с целью улучшения выходных излучательных характеристик полупроводниковых лазерных диодов.

Приоритет представляемой работы состоит, во-первых, в самом выборе объекта для исследования — нового поколения полупроводниковых лазерных диодов, излучающих в чрезвычайно важных с практической точки зрения областях: инфракрасный диапазон (лазеры на основе соединений АЗВ5) и сине-зеленая область видимой части спектра (лазеры на основе соединений А2В6). Во-вторых, проведенные исследования являются пионерскими в данной области и полученные результаты обсуждаются впервые.

Практическая значимость работы:

Исследование излучательной рекомбинации в полупроводниковых ин-жекционных лазерах методами электролюминесценции дает информацию об эффективности процессов накачки, преобразования и выхода полезного излучения.

Изучение температурных особенностей основных излучательных параметров позволило выработать практические рекомендации по улучшению приборных характеристик инжекционных лазеров на основе квантоворазмер-ных гетероструктур.

Анализ полученных результатов позволил создать серию низкоразмерных гетероструктур и лазерных диодов на их основе с улучшенными ватт-амперными и спектральными характеристиками. Впервые показано, что использование более широкозонной в сравнении с GaAs матрицы AIGaAs позволяет значительно подавить термическое обеднение состояний квантовых точек при комнатной температуре, являющейся основной причиной термической деградации лазерных характеристик на их основе. Вызванное этим улучшение локализации неравновесных носителей позволило получить рекордно низкую пороговую плотность тока 62 А/см2 при комнатной температуре.

Исследования механизмов внутренних утечек из состояний квантово-размерных островков в (ln, Ga, AI) As лазерных гетероструктурах показали возможность снижения пороговой плотности тока при комнатной температуре до значений порядка 15 А/см2.

Впервые исследованы структурные и оптические свойства InAs нано-объектов в матрице InGaAs на подложках InP и при низких температурах (77 К) реализована низкопороговая лазерная генерация при пороговом токе 11 А/см2 на длине волны 1.9 мкм, что является наименьшим значением пороговой плотности тока при наибольшей длине волны излучения, когда-либо опубликованных для инжекционных лазеров на основе гетероструктур квазинулевой размерности.

Впервые удалось синтезировать квантоворазмерные островки CdSe в активной области BeMgZnSe/ZnCdSe лазерных гетероструктур (сине-зеленый диапазон видимой части спектра) и провести детальное исследование инжекционных лазеров на их основе. Реализация в гетероструктурах новой конструкции дробно-монослойной области рекомбинации позволила создать инжекционные сине-зеленые лазеры, обладающие увеличенным временем жизни и впервые осуществить устойчивую квазинепрерывную работу с рекордно высокой выходной мощностью 200 мВт.

К защите представляются следующие научные положения:

1. Использование нескольких слоев квантоворазмерных островков (ln, Ga) As, помещенных в матрицу (AI, Ga) As в качестве активной области полупроводниковых инжекционных лазеров позволяет за счет увеличения энергии локализации неравновесных носителей снизить абсолютную величину пороговой плотности тока при комнатной температуре до 62 А/см2 и увеличить диапазон ее температурной стабильности до значений характеристической температуры Т0 = 430 К.

2. Применение фосфида индия в качестве подложки для роста лазерных ге-тероструктур сильно модифицирует энергетический спектр состояний, локализованных в квантоворазмерных островках InAs, помещенных в матрицу (ln, Ga) As и позволяет создавать инжекционные лазеры, излучающие на длине волны 1.9 мкм с рекордно низкими значениями пороговой плотности тока в 11 А/см2 при 77 К.

3. Использование оригинальной конструкции квантоворазмерных гетерост-руктур на основе системы материалов (Be, Mg, Zn, Cd) Se позволяет создавать инжекционные сине-зеленые лазеры, обладающие увеличенным временем жизни, за счет пространственного разделения дефектных областей и областей излучательной рекомбинации, которые демонстрируют устойчивую работу в с выходной мощностью 200 мВт при квазинепрерывной накачке.

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных конференциях и симпозиумах: Международном симпозиуме по свойствам, получению и приборному применению структур на квантовых точках (Саппоро, Япония, ноябрь 1996 г., июнь 1998 г.) — 39-й Международной конференции по электронным материалам (Форт Коллинс, США июнь 1997 г) — Международной конференции CLEO.

Pacific Rim'97 (Chiba, Japan, июль 1997 г.) — Международных симпозиумах «Наноструктуры: Физика и технология» (СПб, июнь 1998 г., июнь 1999 г., июнь 2000 г.) — 2-й Международной конференции «Nondestructive Testing and Computer Simulation in Science and Engineering» (СПб, июнь 1998 г.) — 10-й Международной конференции по полупроводниковым и изолирующим материалам (Беркли, США, июнь 1998 г.) — Международной конференции CLEO®/Europe-EQEC'98 (Глазго, Великобритания, сентябрь 1998 г.) — 1-й Международной конференции для молодых ученых по Оптике Лазеров (СПб, июнь 2000 г) — Международной школе по нанотрубкам и наноструктурам «Nanotubes & Nanostructures» (Santa Margherita di Pula, Italy, сентябрь 2000 г.) — Международной конференции (EURESCO) по фундаментальным аспектам науки о поверхности (Castelvechio Pascoli, Italy, октябрь, 2000 г.).

По материалам диссертации опубликовано 20 печатных работ [154 156, 159−175], в том числе 11 статей и 9 тезисов докладов на международных научных конференциях.

Заключение

.

В ходе диссертационной работы были получены следующие основные результаты:

1. Использование активной области квазинулевой размерности в системах АЗВ5 и А2В6 для создания полупроводниковых инжекционных лазеров позволяет значительно улучшить их выходные излучательные характеристики;

2. Использование сверхтонких CdSe вставок в матрице ZnSe для создания дробно-монослойной активной области BeMgZnSe/ZnCdSe лазеров приводит к эффективному пространственному разделению областей излучательной рекомбинации и областей скопления дефектов и, как результат, повышение эффективности процессов излучательной рекомбинации;

3. Эффективная пространственная локализация неравновесных носителей в самоорганизующихся CdSe нанообъектах позволяет увеличить в низкоразмерных сине-зеленых инжекционных лазерах внутренний квантовый выход вынужденного излучения до 40% при комнатной температуре;

4. Созданные с использованием халькогенидов бериллия сине-зеленые лазерные диоды обладают улучшенной деградационной устойчивостью и характеризуются увеличенным временем жизни, что позволяет реализовать их устойчивую работу в одномодовом режиме с выходной мощностью 200 мВт при квазинепрерывной накачке;

5. Использование (ln, Ga) As упорядоченных трехмерных островков, помещенных в матрицу (ln, Ga, AI) As и выращенных на подложках GaAs, InP, в активной области инжекционных лазеров, позволяет за счет модификации энергетического спектра перекрыть диапазон достигаемых длин волн 0.85 -г- 2 мкм;

6. Высокая пороговая плотность (1 кА/см2) тока в лазерах с одним слоем InAs наноостровков объясняется мощной делокализацией инжектированных носителей из активной области. Увеличение числа слоев квантово-размерных островков привело к увеличению энергии локализации неравновесных носителей и, как результат, к уменьшению пороговой плотности тока до 300 А/см2 (для 3 слоев) и до 100 А/см2 (для 10 слоев). Одновременно была увеличена и дифференциальная квантовая эффективность, соответственно, с 30% до 50%;

7. Использование более широкозонного твердого раствора AIGaAs вместо GaAs в качестве матрицы квантовых точек позволило значительно снизить пороговую плотность тока до 62 А/см2 и поднять эффективность вынужденного излучения до 65% при комнатной температуре за счет предотвращения термического выброса носителей из квантоворазмерных островков. Кроме того, это привело к увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока до значений характеристической температуры То = 430 К;

8. Пороговая плотность тока в (ln, Ga) As/AIGaAs низкоразмерных лазерных гетероструктурах может быть снижена до 15 А/см2 при комнатной температуре без качественного изменения внутренней структуры и состава слоев за счет снижения общего уровня безызлучательных потерь и повышения квантовой эффективности;

9. В (ln, Ga) As/(AI, Ga) As структурах, выращенных на GaAs и InP подложках, в широком диапазоне температур (вплоть до комнатной) и во всем диапазоне плотностей порогового тока лазерная генерация происходит через состояния, локализованные в наноостровках. Явным доказательством этого является наличие монотонного характера зависимости длины волны излучения лазерной генерации от температуры;

10. Наличие температурной зависимости пороговой плотности тока в лазерах с активной областью на основе (ln, Ga) As квантоворазмерных островков обусловлено температурным ростом безызлучательных процессов и снижением эффективностей спонтанной и вынужденной рекомбинации. Внутренние модальные потери не проявляют сильной зависимости от температуры и составляют 7 см" 1 и 1 см" 1 для структур, выращенных на GaAs и InP подложках, соответственно;

11. Реализована лазерная генерация на длине волны 1.9 мкм с пороговой о плотностью тока 11 А/см при 77 К в структуре с активной областью на основе квантоворазмерных InAs островков в матрице (ln, Ga) As, выращенной на подложке InP.

В заключении хотелось бы поблагодарить моего научного руководителя к.т.н. В. В. Лобачева за постоянный интерес и помощь на всех этапах подготовки данной работы, чьи советы и рекомендации во многом способствовали успешному завершению диссертационной работы.

Отдельное спасибо хочется выразить к.ф.-м.н. С. В. Зайцеву за дружескую поддержку и помощь на ранних стадиях написания работы.

Также хочу поблагодарить за поддержку и посильную помощь моих коллег Н. Ю. Гордеева, A.M.Георгиевского, Л. Я. Карачинского, И. И. Новикова, С. В. Иванова, С. В. Сорокина, В. М. Устинова.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур 1. Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32(1), с.З.
  2. Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах: в 2 т., М., Мир, 1981.
  3. P. S.Zory, Jr. Quantum Well Lasers. Academic Press, Inc. 1993.
  4. П.Г.Елисеев Введение в физику инжекционных лазеров. М., Наука, 1983.
  5. О.В.Богданкевич, С. А. Дарзнек, П. Г. Елисеев. Полупроводниковые лазеры. М., Наука, 1976.
  6. R.N.Hall, G.E.Fenner, J.D.Kingsley, T.J.Soltys, R.O.Carlson. Coherent light Emission from GaAs junctions // Phys. Rev. Lett., 1962, v.9, p.366.
  7. M.I.Nathan, W.P.Dumke, G. Burns, F.H.Dill, Jr., G.J.Lasher. Stimilated emission of radiation from GaAs p-n-junctions//Appl. Phys. Lett., 1962, v.1, p.62.
  8. N.Holonyak, Jr., S.F.Bevacqua. Coherent (visible) light emission from Ga (As1. XPX) junctions//Appl. Phys. Lett., 1962, v.1, p.82.
  9. В.С.Багаев, Н. Г. Басов, Б. М. Вул, Б. Д. Копыловский, О. Н. Крохин, Ю. М. Попов, Е. П. Маркин, А. Н. Хвощев, А. П. Шотов. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п-переходе в GaAs II ДАН СССР, 1963, т.150, с. 275.
  10. W.E.Engeler, M.Gartinkel. Characteristics of a continuous high power GaAs junction laser//J. Appl. Phys. 1964, v.35, p.1734.
  11. H.M.Ciftan, P.P.Debye. On the parameters which affect the CW output of GaAs lasers // Appl. Phys. Lett., 1965, v.6, p.120.
  12. П.Г.Елисеев, В. П. Страхов. Полупроводниковый квантовый генератор непрерывного действия с выходной мощностью в несколько ватт // Журнал технической физики, 1970, т.40, с. 1564.
  13. Ю.А.Дрожбин, Ю. П. Захаров, В. В. Никитин. Генерация ультракоротких световых импульсов на ПКГ на GaAs // письма в журнал экспериментальной и теоретической физики, 1967, т.5, с. 180.
  14. В.Д.Курносов, А. А. Плешков, Л. А. Ривлин. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов // Труды IX Международной конференции по физике полупроводников, 1969, Ленинград, Наука, т.1, с. 582.
  15. D.F.Nelson, M. Gershenzon, A.Ashrin. Band-filling model for GaAs injection luminescence //Appl. Phys. Lett., 1963, v.2, p.182.
  16. В.С.Багаев, Ю. Н. Берозашвили, Б. М. Вул. О механизме рекомбинационного излучения арсенида галлия // Физика твердого тела, 1964, т.6, с. 1399.
  17. J.C.Dyment, L.A.D'Asaro. Continuous operation of GaAs injection lasers on diamond heat sink at 200 К//Appl. Phys. Lett., 11(9), 292 (1967).
  18. Ж.И.Алферов, Р. Ф. Казаринов. // Авторское свидетельство, СССР, 1963, № 28 448.
  19. H.Kroemer. A proposed class of heterojunction injection lasers // Proc. IEEE, 1963, v.51, p.1782.
  20. Ж.И.Алферов, В. М. Андреев, В. М. Королько. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетероперходом в системе AlAs-GaAs // Физика и техника полупроводников, 1968, т.2, с. 1545.
  21. Ж.И.Алферов, В. М. Андреев, Е. Л. Портной, М. К. Туркан. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе с низким порогом генерации при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников, 1969, т. З, с. 1328.
  22. W.T.Tsang. Extremely low threshold (AI, Ga) As graded-index waveguide separate confinement heterostructures lasers grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.217.
  23. J.P. van derZiel, R. Dingle, R.C.Miller, W. Wiegmann, W.A.Nordland. Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs-AI0.2Ga0.eAs // J. Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, p.463.
  24. R.D.Dupuis, P.D.Dapkus, N. Holonyak, E.A.Rezek, R.Chin. Room-temperature laser operation of quantum well Gai-xAlxAs-GaAs laser diodes grown by meta-loorganic chemical vapour deposition //Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, p.295.
  25. N.Holonyak, Jr., R.M.Kolbas, R.D.Dupuis, and P.D.Dapkus. Quantum-well het-erostructure lasers II IEEE J. Quantum Electron., 1980, v. QE-16(2), p.170.
  26. Ж.И.Алферов, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсеньев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов. Квантоворазмерные InGaAsP/GaAs (Х = 0.86^-0.78 мкм) лазеры раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников, 1988, т.6, с. 1031.
  27. Н.Ю.Антонишкис, И. Н. Арсеньев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, А. Б. Комисаров, А. В. Кочерян, Т. А. Налет, Н. А. Стругов. Мощный непрерывный гетеролазер с диэлектрическим зеркалом // Письма журнал технической физики, 1988, т.14, с. 699.
  28. П.Г.Елисеев. Коммуникационные лазеры // Труды Физического института им. П. Н. Лебедева М., Наука, 1992, т.216, с.З.
  29. S.Y.HU, D.B.Young, S.W.Corzine, A.C.Gossard, and L.A.Coldren. High efficiency and low threshold InGaAs/AIGaAs quantum well lasers // J. Appl. Phys., 1994, v.76, p.3932.
  30. P.Blood. Heterostructures in semiconductor lasers // published in «Physics and technology of heterostructure devices», ed. D.V.Morgan and R.H.Williams, Peter Perigrinus, 1991, Chapter 7, p.231.
  31. I.Hayashi. Heterostructure lasers // IEEE Trans. Electron. Dev., 1984, v. ED-31, p.1630.
  32. D.Bimberg, M. Grundmann, N.N.Ledentsov. Quantum Dot heterostructures, John Wiley & Sons Ltd., 1998.
  33. Y.Arakawa and H.Sakaki. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current//Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.939.
  34. Y.Miyake, H. Hirayama, K. Kudo, S. Tamura, S. Arai, M. Asada, Y. Miyamoto, and Y.Suematsu. Room-temperature operation of GalnAs/GalnAsP/lnP SCH lasers with quantum-wire size active region // IEEE J. Quantum Electron., 1993. v. QE-29, No.6, p.2123.
  35. Е.Кароп, M. Walther, J. Christen, M. Grundmann, C. Caneau, D.M.Hwang, E. Colas, R. Bhat, G.H.Song, and D.Bimberg. Quantum wire heterostructures for optoelectronic applications // Superlattice and Microstructures, 1992, v. 12, p.491.
  36. I.Suemune and L.A.Coldren. Band-mixing effects and excitonic optical properties of GaAs quantum wire structures comparison with quantum wells // IEEE J. Quantum. Electron., 1988, v. QE-24, p.1778.
  37. S.Tiwari and J.M.Woodall. Experimental comparison of strained quantum wire and quantum well laser characteristics//Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, p.2211.
  38. T.Yuasa, M. Ogawa, K. Ando, and H.Yonezu. Degradation of (AI, Ga) As DH lasers due to facet oxidation //Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, p.119.
  39. S.H.Xin, P.D.Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J.L.Merz, J.K.Furdyna. Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy//Appl. Phys. Lett, 1996, v.69(25), p.3884.
  40. K.Nakano. Degradation Model for ll-VI Compounds Semiconductor Lasers // Proc.lnt. Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Eds. K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya, Y. Nakano, Chiba, Japan, 1998, p.395.
  41. L.V.Asryan and R.A.Suris. Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser // Semicond. Sci. Tech-nol., 1996, v.11(4), p.554.
  42. L.V.Asryan and R.A.Suris. Temperature dependence of the threshold current density of a quantum dot laser // IEEE J. Quantum. Electron., 1998, v. QE-34, p.851.
  43. A.Y.Cho and J.R.Arthur. Molecular beam epitaxy // Progr. Solid State Chem., 1975, v.10(3), p.157.
  44. A.Y.Cho. Morphology of epitaxial growth of GaAs by molecular beam method: the observation of surface structures // J. Appl. Phys., 1970, v.41(7), p.2780.
  45. T.lrisawa, Y. Arima, and T.Kuroda. Periodic changes in the structure of a surface growing under MBE conditions // J. Cryst. Growth, 1990, v.99, pp.491.
  46. S.M.Wang, T.G.Andersson, and P.M.J.Ekenstedt. Temperature dependent transition from two-dimensional to three-dimensional growth in highly strained lnxGai. xAs/GaAs (0.36 < x < 1) single quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1992, v.61(26), p.3139.
  47. N.Grandjean, J. Massies, and F.Raymond. Molecular beam epitaxy of InGaAs on GaAs (001) with and without surfactant action: a comparative study // Proc. European Workshop on MBE, Bardonecchia, Italy, 1993, PB4.
  48. D.Saito, H. Yonezu, T. Kawai, M. Yokozeki, and K.Pak. Increase in critical thickness and optical emission range in (lnAs)1(GaAs)n strained short-period su-perlattices // Jpn. J. Appl. Phys., 1994, v.33(9A), p. L1205.
  49. Ал.Л. Эфрос, А. Л. Эфрос. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре // Физика и техника полупроводников, 1982, т.16(7), с. 1209.
  50. O.Brandt, L. Tapfer, K. PIoog, R. Bierwolf, M. Hohenstein, F. Phillipp, H. Lage, and A.Heberle. InAs quantum dots in a single-crystal GaAs matrix // Phys. Rev. B, 1991, v.44(15), p.8043.
  51. G.D.Stucky, J.E.Mac Dougall. Quantum confinement and host/guest chemistry: probing a new dimension // Science, 1990, v.247(4943), p.669.
  52. W.A.Saunders, P.C.Sercel, H.A.Atwater, and K.J.Vahala. Vapour phase synthesis of crystalline nanometer-scale GaAs clusters // Appl. Phys. Lett., 1992, v.60(8), p.950.
  53. C.W.White, J.D.Budai, S.P.Withrow, J.G.Zhu, S.J.Pennycook, R.A.Zuhr, D.M.Hembree Jr., D.O.Henderson, R.H.Magruder, M.J.Yacaman,
  54. G.Mondragon, S.Prawer. Encapsulated nanocrystals and quantum dots formed by ion beam synthesis // Proc. Conf. IBMM-96, USA, 1996.
  55. R.K.Jain and R.C.Lind. Degenerate four-wave mixing in semiconductor-doped glasses // J. Opt. Soc. Am., 1983, v.73(5), p.647.
  56. S.Y.Chou. Nanoimprint lithography and lithographically-induced self-assembling innovation methods for nanostructures manufacturing // EURESCO Conf. on fundamental aspects of surface science, Castelvechio Pascoli, Italy, 2000.
  57. K.Thonke. Definition of semiconductor quantum structures by self-organizing polimer masks // EURESCO Conf. on fundamental aspects of surface science, Castelvechio Pascoli, Italy, 2000.
  58. G.Yusa, H. Noge, Y. Kadoya, T. Someya, T. Suga, P. Petroff and H.Sakaki. Fabrication of 10-nanometer-scale GaAs dot structures by in situ selective gas etching with self-assembled InAs dots as a mask // Jpn. J. Appl. Phys., 1995, v.34(9B), Part 2, p. L1198.
  59. D.Leonard, M. Krishnamurthy, C.M.Reaves, S.P.Denbaars and P.M.Petroff. Direct formation of quantum-size dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces //Appl. Phys. Lett., 1993, v.63(23), p.3203.
  60. J.M.Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O.Vatel. Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64(2), p.198.
  61. M.Krishnamurthy, J. Drucker and J.A.Venable. Microstructural evolution during the heteroepitaxy of Ge on vicinal Si (100) // J. Appl. Phys., 1991, v.69(9), p.6461.
  62. D. Schikora, S. Schwedhelm, D.J. As, K. Lischka, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, M. Strassburg, A. Hoffmann, D. Bimberg. Investigations on the Stranski-Krastanow Growth of CdSe Quantum Dots // Appl. Phys. Lett., 2000, v.76, p.418.
  63. С.В.Иванов, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, Т. В. Шубина, И. Д. Седова, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, А. Вааг, Х. Д. Лугауэр, Г. Решер, М. Кайм,
  64. Ф.Фишер, Г. Ландвер. Сине-зеленые лазеры на основе ZnSe с новым типом активной области // Физика и техника полупроводников, 1999, т. ЗЗ, с. 1115.
  65. Э.Зенгуил. Рост кристаллов Физика поверхности М., Мир, 1990.
  66. P.Chen, Q. Xie, A. Madhukar, L. Chen, and A.Konkar. Mechanisms of strained island formation in molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (100) // J. Vac. Sci. Technol. B, 1994, v.12(4), p.2568.
  67. H.Kitabayashi and T.Yano. Atomic force microscope observation of the initial stage of InAs growth on GaAs substrates, Proc. Int. Conf. on MBE, Osaka, Japan, 1994, p.415.
  68. J.S.Lee, K. Kudo, S. Niki, A. Yamada, Y. Makita, and K.Tanaka. The initial growth stage of the InAs quantum well structures on variously oriented GaAs substrates // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32(11A), p.4889.
  69. V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, P. S.Kop'ev, and D.Bimberg. Spontaneous formation of ordered arrays of quantum dots // Proc. Int. Semiconductor Device Research Symposium, Charlottesville, USA, 1995, p.581.
  70. Q.Xie, P. Chen, and A.Madhukar. InAs island-induced-strain driven adatom migration during GaAs overlayer growth // Appl. Phys. Lett., 1994, v.65(16), p.2051.
  71. V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, M.V.Maksimov, A.F.Tsatsulnikov, N.N.Ledentsov, N.Yu.Gordeev, S.V.Zaitsev, Yu.M.Shernyakov, N.A.Bert,
  72. A.O.Kosogov, P. S.Kop'ev, D. Bimberg, and Zh.l.Alferov. Room temperature CW operation of quantum dot injection laser// Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, (1996), p.343.
  73. Ж.И.Алферов, Н. А. Берт, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, А. О. Косогов, И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов, А. В. Сахаров,
  74. B.М.Устинов, А. Ф. Цацульников, Ю. М. Шерняков, Д.Бимберг. Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs // Физика и техника полупроводников, 1996, т.30(2), с. 351.
  75. R.Leon, C. Lobo, A. Clark, R. Bozek, A. WysmoIek, A. Kuriewski, and M.Kaminska. Different paths to tunability in lll-V dots // J. Appl. Phys., 1998, v.84(1), p.248.
  76. S.Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, and S.Charbonneau. InAs self-asssembled quantum dots on InP by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v.68(7), p.991.
  77. P.J.Parbrook, P.J. right, B. Cockayne, A.G.Cullis, B. Henderson, K.P.O'Donnel. The growth of ZnSe/CdSe and ZnS/CdS strained layer superlattices by MOVPE // J. Cryst. Growth, 1990, v.106, p.503.
  78. S.Fujita, Y. Wu, Y. Kawakami, S.Fujita. Metalorganic molecular beam epitaxial growth and characterization of CdSe/ZnSe strained-layer single quantum wells and superlattices on GaAs substrates // J. Appl. Phys., 1992, v.72(11), p.5233.
  79. H.Zajicek, P. Juza, E. Abramof, O. Pankratov, H. Sitter, M. Helm, G. Brunthaler, W. Faschinger, K.Lischka. Photoluminescence from ultrathin ZnSe/CdSe quantum wells //Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, p.717.
  80. S.J.Hwang, W. Shan, J.J.Song, Z.Q.Zhu, T.Yao. Effect of hydrostatic pressure on strained CdSe/ZnSe single quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, p.2267.
  81. T.Matsumoto, T. lwashita, K. Sasamoto, T.Kato. Atomic layer epitaxy of CdSe/ZnSe short period superlattices // J. Cryst. Growth, 1994, v. 138, p.63.
  82. U.Neukirch, D. Weckendrup, W. Faschinger, P. Juza, H. Sitter Exiton relaxation dynamics in ultrathin CdSe/ZnSe single quantum wells // J. Cryst. Growth, 1994, v.138, p.849.
  83. S.Yamaguchi, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, Y. Yamada, T. Mishina, Y.Masumoto. Recombination dynamics of localized exitons in a CdSe/ZnSe/ZnSxSei-x single-quantum-well structures // Phys. Rev. B, 1996, v.54(4), p.2629.
  84. F.FIack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A.Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D.Awschaiom. Near-field optical spectroscopy of localized exitons in strained CdSe quantum dots // Phys. Rev. B, 1996, v.54(24), p. R17312.
  85. K.P.O'Donnell, D.M.Bagnall, P.J.Wright, B.Cockayne. (Dark line defects, bright line lasers) microscopic studies of single-short lasing in Cdse quantum wells // Phys. Stat. Sol. (b), 1995, v. 187, p.451.
  86. T.Yao, Y. Miyoshi, Y. Makita, S.Maekawa. Growth rate and sticking coefficient of ZnSe and ZnTe grown by molecular beam epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys., 1977, v. 16(2), p.369.
  87. S.Fafard, D. Leonard, J.I.Merz, P.M.Petroff. Selective excitation of the photoluminescence and the energy levels of ultrasmall InGaAs/GaAs quantum dots //Appl. Phys. Lett., 1994, v.65(11), p.1388.
  88. Радиус экситона в объемном CdSe был оценен, используя данные Landolt-Bornstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Springer-Verlag Berlin-Heidelberg-New York, 1982, v.3(17b), p.202.
  89. H.-C.Ko, D.-C.Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S.Fujita. Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (110) originating from Stranski-Krastanow growth mode // Appl. Phis. Lett., 1997, v.70(24), p.3278.
  90. S.H.Xin, P.D.Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J.L.Merz, J.K.Furdyna. Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 9, p.3884.
  91. K.Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U.Woggon. CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: Structural and optical investigations//Appl. Phys. Lett., 1997, v.71(11), p.1510.
  92. R.Notzel Self-organized growth of quantum-dot structures // Semicond. Sci. and Technol., 1996, v.11(10), p.1365.
  93. J.L.Merz, S. Lee, J.K.Furdyna. Self-organized growth, ripening, and optical properties of wide-bandgap ll-VI quantum dots // J. Cryst. Growth, 1998, v.184/185, p.228.
  94. D.Hommel, K. Leonardi, H. Heinke, H. Selke, K. Ohkawa, F. Gindele, U.Woggon. CdSe/ZnSe Quantum Dot Structures: Structural and Optical Investigations // Phys. Stat. Sol. B, v. 202, pp.835−838 (1997).
  95. I.Suemune, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, M.Arita. Low Dimensional ll-VI Semiconductor Structures: ZnSe/MgS superlattices and CdSe Self-Organized Dots // Phys. Stat. Sol. B, 1997, v.202, p.845.
  96. M.Arita, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, T. Numai, H. Machida, N.Shimoyama. Self-Organized CdSe Quantum Dots on (100)ZnSe/GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), part 1, p.4097.
  97. K.Leonardi, H. Selke, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, F. Gindele, U.Woggon. Formation of self-assembling ll-VI semiconductor nanostructures during migration enchanced epitaxy//J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p.259.
  98. H.Kirmse, R. Schneider, M. Rabe, W. Neumann, F.Henneberger. Transmission electron microscopy investigation of structural properties of self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots // Appl. Phys. Lett., 1998, v.72(11), p.1329.
  99. R.Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G.C.La Rocca, K.Ploog. Exiton localization in submonolayer InAs/GaAs multiple quantum wells // Phys. Rev. B, 1990, v.42(5), p.3209.
  100. N.Magnea. ZnTe fractional monolayer and dots in CdTe matrix // J. Cryst. Growth, 1994, v.138, p.550.
  101. H.-C. Ко, D.-C.Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S.Fujita. Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (100) originating from Stranski-Krastanow growth mode // Appl. Phys. Lett., 1997, v.70(24), p.3278.
  102. K.Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U.Woggon. CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: structural and optical investigation // Appl. Phys. Lett., 1997, v.71(11), p.1510.
  103. S.V.Ivanov, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, A.V.Lebedev, P. S.Kop'ev, G.R.Pozina, J.P.Bergman, B.Monemar. Growth and excitonic properties of single fraction monolayer CdSe/ZnSe structures // J. Appl. Phys., 1998, v.83(6), p.3168.
  104. Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao. Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy//Appl. Phys. Lett., 1993, v.63(12), p.1678.
  105. A.Rosenauer, T. Reisinger, E. Steinkirchner, J. Zweck, W.Gebhard. High resolution transmission electron microscopy determination of Cd diffusion in CdSe/ZnSe single quantum well structures // J. Cryst. Growth, 1995, v.152, p.42.
  106. F.Gindele, C. Varkle, U. Woggon, W. Langbein, J.M.Hvam, K. Leonarke, K. Ohkawa, D. Hommel//J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p.306.
  107. I.Sedova, T. Shubina, S. Sorokin, A. Sitnikova, A. Toropov, S. Ivanov, M.Willander. CdSe layers of below critical thickness in ZnSe matrix: intrinsic morphology and defect dormation // Acta Physica Polonica A, 1998, v.94, p.519.
  108. S.V.Ivanov, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, A.V.Lebedev, I.V.Sedova, P. S.Kop'ev. II-VI Laser Heterostructures with different types of active region // Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, 1999, p.1.
  109. С.В.Иванов, П. С. Копьев, А. А. Торопов. Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6 // УФН, 1999. т. 169(4), с. 468.
  110. D.Albert, J. Nurnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, G.Landwehr. Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes // Appl. Phys. Lett., 1999, v.74(14), p.1957.
  111. D.C.Houghton, M. Davies, M.Dion. Design criteria for structurally stable, highly strained multiple quantum well devices // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64(4), p.505.
  112. B.J.Wu, L.H.Kuo, J.M.DePuydt, G.M.Haugen, M.A.Haase, L. Salamanca-Riba. Growth and characterization of ll-VI blue light-emitting diodes using short period superlattice //Appl. Phys. Lett., 1996, v.68(3), p.379.
  113. A.Waag, F. Fischer, H.-J.Luguaer, T. Litz, J. Laubender, A. Weingartner, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhard, G.Landwehr. Alternative materials for ll-VI photonics Proc. ICPS, Berlin, 1996, S.3163.
  114. A.Waag, F. Fischer, K. SchQII, T. Baron, H.-J.Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, and G.Landwehr. Laser diodes based on beryllium chalcogenides //Appl. Phys. Lett., 1997, v.70(3), p.280.
  115. Verie. Covalency engineering through alloying with beryllium chalcogenides in wide band-gap ll-VI crystals // J. Electron. Mater., 1998, v.27(6), p.782.
  116. H.-J.Lugauer, Th. Litz, F. Fischer, A. Waag, T. Gerhard, U. Zehnder, W. Ossau, G.Landwehr. P-type doping of beryllium chalcogenides grown by molecular beam epitaxy//J. Cryst. Growth, 1997, v.175/176, p.619.
  117. T.V.Shubina, S.V.Ivanov, A.A.Toropov, G.N.AIiev, M.G.Tkatchman, S.V.Sorokin, N.D.II'inskaya, P. S.Kop'ev. //J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p.596.
  118. А.Е.Жуков, Квантоворазмерные напряженные гетероструктуры в системе (ln, Ga, AI) As: технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств, кандидатская диссертация, С. Петербург (1996).
  119. А.Р.Ковш, Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AIGaAs/GaAs и InAs/lnGaAs/lnP для лазерных применений, кандидатская диссертация, С.-Петербург (1998).
  120. Zh.l.Alferov, D.Z.Garbuzov, S.V.Zaitsev, A.B.Nivin, A.V.Ovchinnikov, I.S.Tarasov. Quantum dimension InGaAsP/lnP SC DHS lasers with X = 1.3 цт, Ith =41 OA/cm2, T = 23°C//Sov. Phys. Semicond., 1987, t.5(5), p.824.
  121. Optical Dimension and Materials (OPTDIM) Conference, Kiev, Ukraine, 1995, p.287, N2648−45.
  122. Ж.И.Алферов, Н. Ю. Гордеев, С. В. Зайцев, П. С. Кольев, И. В. Кочнев,
  123. B.В.Комин, И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов,
  124. A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, A.V.Lebedev, R.N.Ryutt, S.V.Ivanov, M. Karlsteen, M.Willander. Broadening of the Excitonic Mobility edge in a macroscopically disordered CdSe/ZnSe short-period superlattice // Phys. Rev. B, 1999, 59, p.2510.
  125. K. J. Beernink, J. J. AIwan, and J.J.Coleman. Antiguiding in narrow stripe gain-guiding InGaAs-GaAs strained-layer lasers // J. Appl. Phys., 1991, v.69(1), p.56.
  126. N. K. Dutta, N. A. Olsson, and W. T.Tsang. Carrier induced refractive index change in AlGaAs quantum well lasers // Appl. Phys. Lett., 1984, v.45(8), p.836.
  127. H.X.Jiang and J.Y.Lin. Mode spacing «anomaly» in InGaN blue lasers // Appl. Phys. Lett., 1999, v.74(8), p. 1066.
  128. M.Ukita, H. Okuyama, M. Ozawa, A. lshibashi, K. Akimoto, and Y.Mori. Refractive indices of ZnMgSSe alloy lattice mached to GaAs // Appl. Phys. Lett., 1999, v.63(15), p.2082.
  129. M.Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu. Gain and threshold of three-dimensional quantum-box lasers // IEEE J. Quantum Electron., 1986, v. QE-22, p.1915.
  130. A.Haug. Theory of the temperature dependence of the threshold current of InGaAsP laser// IEEE J. Quantum Electron., 1985, v. QE-21(6), p.716.
  131. H.C.Casey, Jr. Temperature dependence of the threshold current density in lnP-Ga0.28lno.72As0.6Po.4 (A = 1.3 pm) double heterostructure lasers // J. Appl. Phys., 1984, v.56(7), p.1959.
  132. A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, A.F.Tsatsul'nikov, N.N.Ledentsov, S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, I.V.Kochnev, P. S.Kop'ev,
  133. Zh.l.Alferov. Negative characteristic temperature of InGaAs quantum dot injection laser//Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), Part 1, p.4216.
  134. M.O.Lipinski, H. Schuler, O.G.Schmidt, K. Eberl, N.Y.Jip-Phillipp. Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs // Appl. Phys. Lett., 2000, v.77(12), p.1789.
  135. F.Heinrichsdorff, A. Krost, N. Kirstaedter, M-H.Mao, M. Grundmann, D. Bimberg, A. Kosogov amd P.Werner. InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), Part 1, p.4129.
  136. M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M.Ustinov, P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov. Excited states in self-organized InAs/GaAs quantum dots: theory and experiment//Appl. Phys. Lett., 1996, v.68(7), p.979.
  137. M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M.Ustinov, P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov. Nature of optical transition in self-organized InAs/GaAs quantum dots // Phys. Rev. B, 1996, v.53(16), p. R10509.
  138. С.В.Зайцев, Н. Ю. Гордеев, L.A.Graham, В. И. Копчатов, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, D.L.Huffaker, П. С. Копьев. Сверхизлучение в полупроводниках//Физика и техника полупроводников, 1999, т.33(12), с. 1456.
  139. S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov,
  140. A.Yu.Egorov, N.N.Ledentsov, M.V.Maximov, P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov. Vertically coupled quantum dot lasers: first device oriented structures with high internal quantum efficiency // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), Part 1, p.4219.
  141. С.В.Зайцев, Н. Ю. Гордеев, В. И. Копчатов, А. М. Георгиевский,
  142. B.М.Устинов, А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, Н. Н. Леденцов, П. С. Кольев, Д. Бимберг, Ж. И. Алферов. Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока // Физика и Техника Полупроводников, 1997, т.31(9), с. 1106.
  143. S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, P. S.Kop'ev. Multi-stacked InAs/lnGaAs/lnP quantum dot laser (Jth = 11 A/cm2, I = 1.9 xm (T = 77 K)) // Jpn. J. Appl. Phys., 1999, v.38(1B), Part 1, p.601.
  144. A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, N.N.Ledentsov, A.F.Tsatsul'nikov, B.V.Volovik,
  145. P. S.Kop'ev. Low-threshold quantum dot injection laser emitting at1.9|im // Proc. Conf. on Semiconducting and Insulating Materials, Berkeley, USA, 1998, Fr.2.1.
  146. S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, and P. S.Kop'ev. Vertically coupled quantum dot injection laser grown on InP (100) substrate // Proc. CLEO®/Europe-EQEC'98, Glasgow, UK, (1998), p.48.
Заполнить форму текущей работой