Улучшение параметров излучательной рекомбинации инжекционных лазеров на основе гетероструктур с активной областью квазинулевой размерности: В системах А3В5 и А2В6
Диссертация
Впервые удалось синтезировать квантоворазмерные островки CdSe в активной области BeMgZnSe/ZnCdSe лазерных гетероструктур (сине-зеленый диапазон видимой части спектра) и провести детальное исследование инжекционных лазеров на их основе. Реализация в гетероструктурах новой конструкции дробно-монослойной области рекомбинации позволила создать инжекционные сине-зеленые лазеры, обладающие увеличенным… Читать ещё >
Список литературы
- Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур 1. Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32(1), с.З.
- Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах: в 2 т., М., Мир, 1981.
- P. S.Zory, Jr. Quantum Well Lasers. Academic Press, Inc. 1993.
- П.Г.Елисеев Введение в физику инжекционных лазеров. М., Наука, 1983.
- О.В.Богданкевич, С. А. Дарзнек, П. Г. Елисеев. Полупроводниковые лазеры. М., Наука, 1976.
- R.N.Hall, G.E.Fenner, J.D.Kingsley, T.J.Soltys, R.O.Carlson. Coherent light Emission from GaAs junctions // Phys. Rev. Lett., 1962, v.9, p.366.
- M.I.Nathan, W.P.Dumke, G. Burns, F.H.Dill, Jr., G.J.Lasher. Stimilated emission of radiation from GaAs p-n-junctions//Appl. Phys. Lett., 1962, v.1, p.62.
- N.Holonyak, Jr., S.F.Bevacqua. Coherent (visible) light emission from Ga (As1. XPX) junctions//Appl. Phys. Lett., 1962, v.1, p.82.
- В.С.Багаев, Н. Г. Басов, Б. М. Вул, Б. Д. Копыловский, О. Н. Крохин, Ю. М. Попов, Е. П. Маркин, А. Н. Хвощев, А. П. Шотов. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п-переходе в GaAs II ДАН СССР, 1963, т.150, с. 275.
- W.E.Engeler, M.Gartinkel. Characteristics of a continuous high power GaAs junction laser//J. Appl. Phys. 1964, v.35, p.1734.
- H.M.Ciftan, P.P.Debye. On the parameters which affect the CW output of GaAs lasers // Appl. Phys. Lett., 1965, v.6, p.120.
- П.Г.Елисеев, В. П. Страхов. Полупроводниковый квантовый генератор непрерывного действия с выходной мощностью в несколько ватт // Журнал технической физики, 1970, т.40, с. 1564.
- Ю.А.Дрожбин, Ю. П. Захаров, В. В. Никитин. Генерация ультракоротких световых импульсов на ПКГ на GaAs // письма в журнал экспериментальной и теоретической физики, 1967, т.5, с. 180.
- В.Д.Курносов, А. А. Плешков, Л. А. Ривлин. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов // Труды IX Международной конференции по физике полупроводников, 1969, Ленинград, Наука, т.1, с. 582.
- D.F.Nelson, M. Gershenzon, A.Ashrin. Band-filling model for GaAs injection luminescence //Appl. Phys. Lett., 1963, v.2, p.182.
- В.С.Багаев, Ю. Н. Берозашвили, Б. М. Вул. О механизме рекомбинационного излучения арсенида галлия // Физика твердого тела, 1964, т.6, с. 1399.
- J.C.Dyment, L.A.D'Asaro. Continuous operation of GaAs injection lasers on diamond heat sink at 200 К//Appl. Phys. Lett., 11(9), 292 (1967).
- Ж.И.Алферов, Р. Ф. Казаринов. // Авторское свидетельство, СССР, 1963, № 28 448.
- H.Kroemer. A proposed class of heterojunction injection lasers // Proc. IEEE, 1963, v.51, p.1782.
- Ж.И.Алферов, В. М. Андреев, В. М. Королько. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетероперходом в системе AlAs-GaAs // Физика и техника полупроводников, 1968, т.2, с. 1545.
- Ж.И.Алферов, В. М. Андреев, Е. Л. Портной, М. К. Туркан. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе с низким порогом генерации при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников, 1969, т. З, с. 1328.
- W.T.Tsang. Extremely low threshold (AI, Ga) As graded-index waveguide separate confinement heterostructures lasers grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.217.
- J.P. van derZiel, R. Dingle, R.C.Miller, W. Wiegmann, W.A.Nordland. Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs-AI0.2Ga0.eAs // J. Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, p.463.
- R.D.Dupuis, P.D.Dapkus, N. Holonyak, E.A.Rezek, R.Chin. Room-temperature laser operation of quantum well Gai-xAlxAs-GaAs laser diodes grown by meta-loorganic chemical vapour deposition //Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, p.295.
- N.Holonyak, Jr., R.M.Kolbas, R.D.Dupuis, and P.D.Dapkus. Quantum-well het-erostructure lasers II IEEE J. Quantum Electron., 1980, v. QE-16(2), p.170.
- Ж.И.Алферов, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсеньев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов. Квантоворазмерные InGaAsP/GaAs (Х = 0.86^-0.78 мкм) лазеры раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников, 1988, т.6, с. 1031.
- Н.Ю.Антонишкис, И. Н. Арсеньев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, А. Б. Комисаров, А. В. Кочерян, Т. А. Налет, Н. А. Стругов. Мощный непрерывный гетеролазер с диэлектрическим зеркалом // Письма журнал технической физики, 1988, т.14, с. 699.
- П.Г.Елисеев. Коммуникационные лазеры // Труды Физического института им. П. Н. Лебедева М., Наука, 1992, т.216, с.З.
- S.Y.HU, D.B.Young, S.W.Corzine, A.C.Gossard, and L.A.Coldren. High efficiency and low threshold InGaAs/AIGaAs quantum well lasers // J. Appl. Phys., 1994, v.76, p.3932.
- P.Blood. Heterostructures in semiconductor lasers // published in «Physics and technology of heterostructure devices», ed. D.V.Morgan and R.H.Williams, Peter Perigrinus, 1991, Chapter 7, p.231.
- I.Hayashi. Heterostructure lasers // IEEE Trans. Electron. Dev., 1984, v. ED-31, p.1630.
- D.Bimberg, M. Grundmann, N.N.Ledentsov. Quantum Dot heterostructures, John Wiley & Sons Ltd., 1998.
- Y.Arakawa and H.Sakaki. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current//Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, p.939.
- Y.Miyake, H. Hirayama, K. Kudo, S. Tamura, S. Arai, M. Asada, Y. Miyamoto, and Y.Suematsu. Room-temperature operation of GalnAs/GalnAsP/lnP SCH lasers with quantum-wire size active region // IEEE J. Quantum Electron., 1993. v. QE-29, No.6, p.2123.
- Е.Кароп, M. Walther, J. Christen, M. Grundmann, C. Caneau, D.M.Hwang, E. Colas, R. Bhat, G.H.Song, and D.Bimberg. Quantum wire heterostructures for optoelectronic applications // Superlattice and Microstructures, 1992, v. 12, p.491.
- I.Suemune and L.A.Coldren. Band-mixing effects and excitonic optical properties of GaAs quantum wire structures comparison with quantum wells // IEEE J. Quantum. Electron., 1988, v. QE-24, p.1778.
- S.Tiwari and J.M.Woodall. Experimental comparison of strained quantum wire and quantum well laser characteristics//Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, p.2211.
- T.Yuasa, M. Ogawa, K. Ando, and H.Yonezu. Degradation of (AI, Ga) As DH lasers due to facet oxidation //Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, p.119.
- S.H.Xin, P.D.Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J.L.Merz, J.K.Furdyna. Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy//Appl. Phys. Lett, 1996, v.69(25), p.3884.
- K.Nakano. Degradation Model for ll-VI Compounds Semiconductor Lasers // Proc.lnt. Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Eds. K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya, Y. Nakano, Chiba, Japan, 1998, p.395.
- L.V.Asryan and R.A.Suris. Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser // Semicond. Sci. Tech-nol., 1996, v.11(4), p.554.
- L.V.Asryan and R.A.Suris. Temperature dependence of the threshold current density of a quantum dot laser // IEEE J. Quantum. Electron., 1998, v. QE-34, p.851.
- A.Y.Cho and J.R.Arthur. Molecular beam epitaxy // Progr. Solid State Chem., 1975, v.10(3), p.157.
- A.Y.Cho. Morphology of epitaxial growth of GaAs by molecular beam method: the observation of surface structures // J. Appl. Phys., 1970, v.41(7), p.2780.
- T.lrisawa, Y. Arima, and T.Kuroda. Periodic changes in the structure of a surface growing under MBE conditions // J. Cryst. Growth, 1990, v.99, pp.491.
- S.M.Wang, T.G.Andersson, and P.M.J.Ekenstedt. Temperature dependent transition from two-dimensional to three-dimensional growth in highly strained lnxGai. xAs/GaAs (0.36 < x < 1) single quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1992, v.61(26), p.3139.
- N.Grandjean, J. Massies, and F.Raymond. Molecular beam epitaxy of InGaAs on GaAs (001) with and without surfactant action: a comparative study // Proc. European Workshop on MBE, Bardonecchia, Italy, 1993, PB4.
- D.Saito, H. Yonezu, T. Kawai, M. Yokozeki, and K.Pak. Increase in critical thickness and optical emission range in (lnAs)1(GaAs)n strained short-period su-perlattices // Jpn. J. Appl. Phys., 1994, v.33(9A), p. L1205.
- Ал.Л. Эфрос, А. Л. Эфрос. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре // Физика и техника полупроводников, 1982, т.16(7), с. 1209.
- O.Brandt, L. Tapfer, K. PIoog, R. Bierwolf, M. Hohenstein, F. Phillipp, H. Lage, and A.Heberle. InAs quantum dots in a single-crystal GaAs matrix // Phys. Rev. B, 1991, v.44(15), p.8043.
- G.D.Stucky, J.E.Mac Dougall. Quantum confinement and host/guest chemistry: probing a new dimension // Science, 1990, v.247(4943), p.669.
- W.A.Saunders, P.C.Sercel, H.A.Atwater, and K.J.Vahala. Vapour phase synthesis of crystalline nanometer-scale GaAs clusters // Appl. Phys. Lett., 1992, v.60(8), p.950.
- C.W.White, J.D.Budai, S.P.Withrow, J.G.Zhu, S.J.Pennycook, R.A.Zuhr, D.M.Hembree Jr., D.O.Henderson, R.H.Magruder, M.J.Yacaman,
- G.Mondragon, S.Prawer. Encapsulated nanocrystals and quantum dots formed by ion beam synthesis // Proc. Conf. IBMM-96, USA, 1996.
- R.K.Jain and R.C.Lind. Degenerate four-wave mixing in semiconductor-doped glasses // J. Opt. Soc. Am., 1983, v.73(5), p.647.
- S.Y.Chou. Nanoimprint lithography and lithographically-induced self-assembling innovation methods for nanostructures manufacturing // EURESCO Conf. on fundamental aspects of surface science, Castelvechio Pascoli, Italy, 2000.
- K.Thonke. Definition of semiconductor quantum structures by self-organizing polimer masks // EURESCO Conf. on fundamental aspects of surface science, Castelvechio Pascoli, Italy, 2000.
- G.Yusa, H. Noge, Y. Kadoya, T. Someya, T. Suga, P. Petroff and H.Sakaki. Fabrication of 10-nanometer-scale GaAs dot structures by in situ selective gas etching with self-assembled InAs dots as a mask // Jpn. J. Appl. Phys., 1995, v.34(9B), Part 2, p. L1198.
- D.Leonard, M. Krishnamurthy, C.M.Reaves, S.P.Denbaars and P.M.Petroff. Direct formation of quantum-size dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces //Appl. Phys. Lett., 1993, v.63(23), p.3203.
- J.M.Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O.Vatel. Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64(2), p.198.
- M.Krishnamurthy, J. Drucker and J.A.Venable. Microstructural evolution during the heteroepitaxy of Ge on vicinal Si (100) // J. Appl. Phys., 1991, v.69(9), p.6461.
- D. Schikora, S. Schwedhelm, D.J. As, K. Lischka, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, M. Strassburg, A. Hoffmann, D. Bimberg. Investigations on the Stranski-Krastanow Growth of CdSe Quantum Dots // Appl. Phys. Lett., 2000, v.76, p.418.
- С.В.Иванов, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, Т. В. Шубина, И. Д. Седова, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, А. Вааг, Х. Д. Лугауэр, Г. Решер, М. Кайм,
- Ф.Фишер, Г. Ландвер. Сине-зеленые лазеры на основе ZnSe с новым типом активной области // Физика и техника полупроводников, 1999, т. ЗЗ, с. 1115.
- Э.Зенгуил. Рост кристаллов Физика поверхности М., Мир, 1990.
- P.Chen, Q. Xie, A. Madhukar, L. Chen, and A.Konkar. Mechanisms of strained island formation in molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (100) // J. Vac. Sci. Technol. B, 1994, v.12(4), p.2568.
- H.Kitabayashi and T.Yano. Atomic force microscope observation of the initial stage of InAs growth on GaAs substrates, Proc. Int. Conf. on MBE, Osaka, Japan, 1994, p.415.
- J.S.Lee, K. Kudo, S. Niki, A. Yamada, Y. Makita, and K.Tanaka. The initial growth stage of the InAs quantum well structures on variously oriented GaAs substrates // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32(11A), p.4889.
- V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, P. S.Kop'ev, and D.Bimberg. Spontaneous formation of ordered arrays of quantum dots // Proc. Int. Semiconductor Device Research Symposium, Charlottesville, USA, 1995, p.581.
- Q.Xie, P. Chen, and A.Madhukar. InAs island-induced-strain driven adatom migration during GaAs overlayer growth // Appl. Phys. Lett., 1994, v.65(16), p.2051.
- V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, M.V.Maksimov, A.F.Tsatsulnikov, N.N.Ledentsov, N.Yu.Gordeev, S.V.Zaitsev, Yu.M.Shernyakov, N.A.Bert,
- A.O.Kosogov, P. S.Kop'ev, D. Bimberg, and Zh.l.Alferov. Room temperature CW operation of quantum dot injection laser// Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, (1996), p.343.
- Ж.И.Алферов, Н. А. Берт, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, А. О. Косогов, И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов, А. В. Сахаров,
- B.М.Устинов, А. Ф. Цацульников, Ю. М. Шерняков, Д.Бимберг. Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs // Физика и техника полупроводников, 1996, т.30(2), с. 351.
- R.Leon, C. Lobo, A. Clark, R. Bozek, A. WysmoIek, A. Kuriewski, and M.Kaminska. Different paths to tunability in lll-V dots // J. Appl. Phys., 1998, v.84(1), p.248.
- S.Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, and S.Charbonneau. InAs self-asssembled quantum dots on InP by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v.68(7), p.991.
- P.J.Parbrook, P.J. right, B. Cockayne, A.G.Cullis, B. Henderson, K.P.O'Donnel. The growth of ZnSe/CdSe and ZnS/CdS strained layer superlattices by MOVPE // J. Cryst. Growth, 1990, v.106, p.503.
- S.Fujita, Y. Wu, Y. Kawakami, S.Fujita. Metalorganic molecular beam epitaxial growth and characterization of CdSe/ZnSe strained-layer single quantum wells and superlattices on GaAs substrates // J. Appl. Phys., 1992, v.72(11), p.5233.
- H.Zajicek, P. Juza, E. Abramof, O. Pankratov, H. Sitter, M. Helm, G. Brunthaler, W. Faschinger, K.Lischka. Photoluminescence from ultrathin ZnSe/CdSe quantum wells //Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, p.717.
- S.J.Hwang, W. Shan, J.J.Song, Z.Q.Zhu, T.Yao. Effect of hydrostatic pressure on strained CdSe/ZnSe single quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, p.2267.
- T.Matsumoto, T. lwashita, K. Sasamoto, T.Kato. Atomic layer epitaxy of CdSe/ZnSe short period superlattices // J. Cryst. Growth, 1994, v. 138, p.63.
- U.Neukirch, D. Weckendrup, W. Faschinger, P. Juza, H. Sitter Exiton relaxation dynamics in ultrathin CdSe/ZnSe single quantum wells // J. Cryst. Growth, 1994, v.138, p.849.
- S.Yamaguchi, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, Y. Yamada, T. Mishina, Y.Masumoto. Recombination dynamics of localized exitons in a CdSe/ZnSe/ZnSxSei-x single-quantum-well structures // Phys. Rev. B, 1996, v.54(4), p.2629.
- F.FIack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A.Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D.Awschaiom. Near-field optical spectroscopy of localized exitons in strained CdSe quantum dots // Phys. Rev. B, 1996, v.54(24), p. R17312.
- K.P.O'Donnell, D.M.Bagnall, P.J.Wright, B.Cockayne. (Dark line defects, bright line lasers) microscopic studies of single-short lasing in Cdse quantum wells // Phys. Stat. Sol. (b), 1995, v. 187, p.451.
- T.Yao, Y. Miyoshi, Y. Makita, S.Maekawa. Growth rate and sticking coefficient of ZnSe and ZnTe grown by molecular beam epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys., 1977, v. 16(2), p.369.
- S.Fafard, D. Leonard, J.I.Merz, P.M.Petroff. Selective excitation of the photoluminescence and the energy levels of ultrasmall InGaAs/GaAs quantum dots //Appl. Phys. Lett., 1994, v.65(11), p.1388.
- Радиус экситона в объемном CdSe был оценен, используя данные Landolt-Bornstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Springer-Verlag Berlin-Heidelberg-New York, 1982, v.3(17b), p.202.
- H.-C.Ko, D.-C.Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S.Fujita. Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (110) originating from Stranski-Krastanow growth mode // Appl. Phis. Lett., 1997, v.70(24), p.3278.
- S.H.Xin, P.D.Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J.L.Merz, J.K.Furdyna. Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 9, p.3884.
- K.Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U.Woggon. CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: Structural and optical investigations//Appl. Phys. Lett., 1997, v.71(11), p.1510.
- R.Notzel Self-organized growth of quantum-dot structures // Semicond. Sci. and Technol., 1996, v.11(10), p.1365.
- J.L.Merz, S. Lee, J.K.Furdyna. Self-organized growth, ripening, and optical properties of wide-bandgap ll-VI quantum dots // J. Cryst. Growth, 1998, v.184/185, p.228.
- D.Hommel, K. Leonardi, H. Heinke, H. Selke, K. Ohkawa, F. Gindele, U.Woggon. CdSe/ZnSe Quantum Dot Structures: Structural and Optical Investigations // Phys. Stat. Sol. B, v. 202, pp.835−838 (1997).
- I.Suemune, K. Uesugi, H. Suzuki, H. Nashiki, M.Arita. Low Dimensional ll-VI Semiconductor Structures: ZnSe/MgS superlattices and CdSe Self-Organized Dots // Phys. Stat. Sol. B, 1997, v.202, p.845.
- M.Arita, A. Avramescu, K. Uesugi, I. Suemune, T. Numai, H. Machida, N.Shimoyama. Self-Organized CdSe Quantum Dots on (100)ZnSe/GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), part 1, p.4097.
- K.Leonardi, H. Selke, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, F. Gindele, U.Woggon. Formation of self-assembling ll-VI semiconductor nanostructures during migration enchanced epitaxy//J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p.259.
- H.Kirmse, R. Schneider, M. Rabe, W. Neumann, F.Henneberger. Transmission electron microscopy investigation of structural properties of self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots // Appl. Phys. Lett., 1998, v.72(11), p.1329.
- R.Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G.C.La Rocca, K.Ploog. Exiton localization in submonolayer InAs/GaAs multiple quantum wells // Phys. Rev. B, 1990, v.42(5), p.3209.
- N.Magnea. ZnTe fractional monolayer and dots in CdTe matrix // J. Cryst. Growth, 1994, v.138, p.550.
- H.-C. Ко, D.-C.Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S.Fujita. Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (100) originating from Stranski-Krastanow growth mode // Appl. Phys. Lett., 1997, v.70(24), p.3278.
- K.Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U.Woggon. CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: structural and optical investigation // Appl. Phys. Lett., 1997, v.71(11), p.1510.
- S.V.Ivanov, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, A.V.Lebedev, P. S.Kop'ev, G.R.Pozina, J.P.Bergman, B.Monemar. Growth and excitonic properties of single fraction monolayer CdSe/ZnSe structures // J. Appl. Phys., 1998, v.83(6), p.3168.
- Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao. Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy//Appl. Phys. Lett., 1993, v.63(12), p.1678.
- A.Rosenauer, T. Reisinger, E. Steinkirchner, J. Zweck, W.Gebhard. High resolution transmission electron microscopy determination of Cd diffusion in CdSe/ZnSe single quantum well structures // J. Cryst. Growth, 1995, v.152, p.42.
- F.Gindele, C. Varkle, U. Woggon, W. Langbein, J.M.Hvam, K. Leonarke, K. Ohkawa, D. Hommel//J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p.306.
- I.Sedova, T. Shubina, S. Sorokin, A. Sitnikova, A. Toropov, S. Ivanov, M.Willander. CdSe layers of below critical thickness in ZnSe matrix: intrinsic morphology and defect dormation // Acta Physica Polonica A, 1998, v.94, p.519.
- S.V.Ivanov, A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, A.V.Lebedev, I.V.Sedova, P. S.Kop'ev. II-VI Laser Heterostructures with different types of active region // Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, 1999, p.1.
- С.В.Иванов, П. С. Копьев, А. А. Торопов. Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6 // УФН, 1999. т. 169(4), с. 468.
- D.Albert, J. Nurnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, G.Landwehr. Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes // Appl. Phys. Lett., 1999, v.74(14), p.1957.
- D.C.Houghton, M. Davies, M.Dion. Design criteria for structurally stable, highly strained multiple quantum well devices // Appl. Phys. Lett., 1994, v.64(4), p.505.
- B.J.Wu, L.H.Kuo, J.M.DePuydt, G.M.Haugen, M.A.Haase, L. Salamanca-Riba. Growth and characterization of ll-VI blue light-emitting diodes using short period superlattice //Appl. Phys. Lett., 1996, v.68(3), p.379.
- A.Waag, F. Fischer, H.-J.Luguaer, T. Litz, J. Laubender, A. Weingartner, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhard, G.Landwehr. Alternative materials for ll-VI photonics Proc. ICPS, Berlin, 1996, S.3163.
- A.Waag, F. Fischer, K. SchQII, T. Baron, H.-J.Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, and G.Landwehr. Laser diodes based on beryllium chalcogenides //Appl. Phys. Lett., 1997, v.70(3), p.280.
- Verie. Covalency engineering through alloying with beryllium chalcogenides in wide band-gap ll-VI crystals // J. Electron. Mater., 1998, v.27(6), p.782.
- H.-J.Lugauer, Th. Litz, F. Fischer, A. Waag, T. Gerhard, U. Zehnder, W. Ossau, G.Landwehr. P-type doping of beryllium chalcogenides grown by molecular beam epitaxy//J. Cryst. Growth, 1997, v.175/176, p.619.
- T.V.Shubina, S.V.Ivanov, A.A.Toropov, G.N.AIiev, M.G.Tkatchman, S.V.Sorokin, N.D.II'inskaya, P. S.Kop'ev. //J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p.596.
- А.Е.Жуков, Квантоворазмерные напряженные гетероструктуры в системе (ln, Ga, AI) As: технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств, кандидатская диссертация, С. Петербург (1996).
- А.Р.Ковш, Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AIGaAs/GaAs и InAs/lnGaAs/lnP для лазерных применений, кандидатская диссертация, С.-Петербург (1998).
- Zh.l.Alferov, D.Z.Garbuzov, S.V.Zaitsev, A.B.Nivin, A.V.Ovchinnikov, I.S.Tarasov. Quantum dimension InGaAsP/lnP SC DHS lasers with X = 1.3 цт, Ith =41 OA/cm2, T = 23°C//Sov. Phys. Semicond., 1987, t.5(5), p.824.
- Optical Dimension and Materials (OPTDIM) Conference, Kiev, Ukraine, 1995, p.287, N2648−45.
- Ж.И.Алферов, Н. Ю. Гордеев, С. В. Зайцев, П. С. Кольев, И. В. Кочнев,
- B.В.Комин, И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов,
- A.A.Toropov, T.V.Shubina, S.V.Sorokin, A.V.Lebedev, R.N.Ryutt, S.V.Ivanov, M. Karlsteen, M.Willander. Broadening of the Excitonic Mobility edge in a macroscopically disordered CdSe/ZnSe short-period superlattice // Phys. Rev. B, 1999, 59, p.2510.
- K. J. Beernink, J. J. AIwan, and J.J.Coleman. Antiguiding in narrow stripe gain-guiding InGaAs-GaAs strained-layer lasers // J. Appl. Phys., 1991, v.69(1), p.56.
- N. K. Dutta, N. A. Olsson, and W. T.Tsang. Carrier induced refractive index change in AlGaAs quantum well lasers // Appl. Phys. Lett., 1984, v.45(8), p.836.
- H.X.Jiang and J.Y.Lin. Mode spacing «anomaly» in InGaN blue lasers // Appl. Phys. Lett., 1999, v.74(8), p. 1066.
- M.Ukita, H. Okuyama, M. Ozawa, A. lshibashi, K. Akimoto, and Y.Mori. Refractive indices of ZnMgSSe alloy lattice mached to GaAs // Appl. Phys. Lett., 1999, v.63(15), p.2082.
- M.Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu. Gain and threshold of three-dimensional quantum-box lasers // IEEE J. Quantum Electron., 1986, v. QE-22, p.1915.
- A.Haug. Theory of the temperature dependence of the threshold current of InGaAsP laser// IEEE J. Quantum Electron., 1985, v. QE-21(6), p.716.
- H.C.Casey, Jr. Temperature dependence of the threshold current density in lnP-Ga0.28lno.72As0.6Po.4 (A = 1.3 pm) double heterostructure lasers // J. Appl. Phys., 1984, v.56(7), p.1959.
- A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, A.F.Tsatsul'nikov, N.N.Ledentsov, S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, I.V.Kochnev, P. S.Kop'ev,
- Zh.l.Alferov. Negative characteristic temperature of InGaAs quantum dot injection laser//Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), Part 1, p.4216.
- M.O.Lipinski, H. Schuler, O.G.Schmidt, K. Eberl, N.Y.Jip-Phillipp. Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs // Appl. Phys. Lett., 2000, v.77(12), p.1789.
- F.Heinrichsdorff, A. Krost, N. Kirstaedter, M-H.Mao, M. Grundmann, D. Bimberg, A. Kosogov amd P.Werner. InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), Part 1, p.4129.
- M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M.Ustinov, P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov. Excited states in self-organized InAs/GaAs quantum dots: theory and experiment//Appl. Phys. Lett., 1996, v.68(7), p.979.
- M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M.Ustinov, P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov. Nature of optical transition in self-organized InAs/GaAs quantum dots // Phys. Rev. B, 1996, v.53(16), p. R10509.
- С.В.Зайцев, Н. Ю. Гордеев, L.A.Graham, В. И. Копчатов, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, D.L.Huffaker, П. С. Копьев. Сверхизлучение в полупроводниках//Физика и техника полупроводников, 1999, т.33(12), с. 1456.
- S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov,
- A.Yu.Egorov, N.N.Ledentsov, M.V.Maximov, P. S.Kop'ev, Zh.l.Alferov. Vertically coupled quantum dot lasers: first device oriented structures with high internal quantum efficiency // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36(6B), Part 1, p.4219.
- С.В.Зайцев, Н. Ю. Гордеев, В. И. Копчатов, А. М. Георгиевский,
- B.М.Устинов, А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, Н. Н. Леденцов, П. С. Кольев, Д. Бимберг, Ж. И. Алферов. Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока // Физика и Техника Полупроводников, 1997, т.31(9), с. 1106.
- S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, P. S.Kop'ev. Multi-stacked InAs/lnGaAs/lnP quantum dot laser (Jth = 11 A/cm2, I = 1.9 xm (T = 77 K)) // Jpn. J. Appl. Phys., 1999, v.38(1B), Part 1, p.601.
- A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, N.N.Ledentsov, A.F.Tsatsul'nikov, B.V.Volovik,
- P. S.Kop'ev. Low-threshold quantum dot injection laser emitting at1.9|im // Proc. Conf. on Semiconducting and Insulating Materials, Berkeley, USA, 1998, Fr.2.1.
- S.V.Zaitsev, N.Yu.Gordeev, V.I.Kopchatov, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, and P. S.Kop'ev. Vertically coupled quantum dot injection laser grown on InP (100) substrate // Proc. CLEO®/Europe-EQEC'98, Glasgow, UK, (1998), p.48.