Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Плёнки BaxSr1-xTiO3 и структуры на их основе для перестраиваемых устройств СВЧ диапазона

Диссертация: Плёнки BaxSr1-xTiO3 и структуры на их основе для перестраиваемых устройств СВЧ диапазона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Настоящая работа посвящена исследованию электрофизических свойств тонких СЭ пленок в СВЧ диапазоне с целью реализации на их основе электрически управляемых СВЧ устройств. В работе представлены результаты исследования малосигнальных СВЧ свойств планарных конденсаторов в диапазоне частот (1+60) ГГц, для получения которых были разработан комплекс методик на основе измерений распределённых СЭ… Читать ещё >

Плёнки BaxSr1-xTiO3 и структуры на их основе для перестраиваемых устройств СВЧ диапазона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Применение сегнетоэлектрических плёнок в ВЧ и СВЧ диапазоне (обзор литературы)
    • 1. 1. СВЧ свойства сегнетоэлектрических плёнок (Ва, Sr) T
    • 1. 2. Технологии получения сегнетоэлектрических плёнок
    • 1. 3. Перестраиваемые СВЧ элементы на основе СЭ плёнок
    • 1. 4. Методики измерения СВЧ свойств СЭ тонких плёнок
    • 1. 5. Электрофизические свойства перестраиваемых СВЧ элементов на основе СЭ плёнки
    • 1. 5. Электрофизические свойства перестраиваемых СВЧ элементов на основе СЭ плёнки
    • 1. 6. СВЧ устройства на основе сегнетоэлектрических плёнок
  • Глава 2. Методики и результаты измерения СВЧ свойств сегнетоэлектрических плёнок
    • 2. 1. Методики измерения СВЧ свойств сегнетоэлектрических плёнок
      • 2. 1. 1. Безэлектродные измерения параметров СЭ плёнок
      • 2. 1. 2. Измерения на основе щелевого резонатора с СЭ плёнкой в волноводе
    • 2. 2. Результаты измерений СВЧ свойств сегнетоэлектрических плёнок
      • 2. 2. 1. Выбор состава для применения в диапазоне СВЧ
      • 2. 2. 2. Исследование зависимости свойств от толщины плёнки
      • 2. 2. 2. Исследование зависимости свойств от толщины плёнки
      • 2. 2. 3. Исследования свойств керамических плёнок BSTO методом частично заполненного волноводного резонатора
      • 2. 2. 4. Исследования свойств СЭ плёнок Вао. зЗгоУПОз в диапазоне около 60 ГГц
  • Глава 3. Сегнетоэлектрический МДМ конденсатор для СВЧ и ВЧ применений
    • 3. 1. Технология создания СЭ МДМ конденсаторов
    • 3. 2. Конструкция МДМ-конденсатора на основе СЭ плёнки
    • 3. 3. Свойства СВЧ МДМ конденсатора на основе СЭ плёнки
  • Глава 4. Релаксация ёмкости СЭ конденсатора при воздействии импульсных электрических полей
    • 4. 1. Методика измерений
    • 4. 2. Экспериментальные результаты
    • 4. 3. Анализ экспериментальных результатов
  • Глава 5. СВЧ устройства на основе сегнетоэлектрических плёнок
    • 5. 1. Параметр качества перестраиваемого элемента, включённого в СВЧ резонатор, и фильтра на их основе
      • 5. 1. 1. Характеристики фильтра на основе СЭ перестраиваемых элементов
    • 5. 2. Параметр качества ФВ на основе перестраиваемого фильтра
    • 5. 3. Параметр качества ФВ на основе перестраиваемой линии передачи
      • 5. 3. 1. Оценка предельного параметра качества СЭ ВЩЛ фазовращателя на основе измерения ВЩЛ резонатора
    • 5. 4. Фазовращатель на основе СЭ волноводно-щелевой линии передачи
      • 5. 4. 1. Предварительная оценка параметра качества СЭ ВЩЛ фазовращателя
      • 5. 4. 2. Конструкция и результаты измерения СЭ ВЩЛ фазовращателя

В настоящее время, наряду с широко распространёнными полупроводниковыми и ферритовыми СВЧ устройствами, внимание специалистов привлекают устройства на основе сегнетоэлектрических (СЭ) материалов. Использование СЭ тонких плёнок позволяет улучшить такие характеристики приборов как быстродействие, рабочая мощность, СВЧ потери и мощность управления. Немаловажным фактором является простота конструкции и возможность использования интегральной технологии СЭ устройств, что определяет их низкую стоимость и делает СВЧ электронику с использованием СЭ перспективным направлением прикладных исследований.

Исследования, проведённые ранее, показали принципиальную возможность создания СЭ элементов, обеспечивающих частотную и фазовую перестройку радиоэлектронных устройств (фазовращателей, фильтров, линий задержки), используемых в системах связи и локации. Однако на сегодня СВЧ приборы на базе СЭ пленок существуют только в качестве лабораторных образцов, которые по ряду параметров уступают существующим традиционным аналогам. Для широкого использования СЭ в технике СВЧ необходимо решить ряд важных научно-технических задач, рассмотренных ниже.

Поиск оптимального состава СЭ плёнок и исследование их СВЧ свойств в широком диапазоне частот. Наиболее перспективным СЭ материалом для использования в устройствах СВЧ являются твёрдые растворы BaxSri. xTi03. В литературе встречается ряд публикаций, посвящённый свойствам данного композита для различных соотношений Ва и Sr. Как правило, приводятся данные по СВЧ свойствам рассматриваемых материалов в нижней части СВЧ диапазона (до частот (10-г15) ГГц). Однако перспективность устройств беспроводной локальной и спутниковой связи, работающих в сверхширокополосном режиме, делают необходимым проведение исследований свойств СЭ вплоть до частот 100 ГГц. Приведённые в литературе сведения носят отрывочный характер также и по выбору состава Ва^г^ТЮз, соответствующего наилучшим СВЧ свойствам. Отсутствие сведений по оптимальности состава СЭ для СВЧ применений и данных о свойствах СЭ плёнок в широком диапазоне частот не позволяет эффективно проводить моделирование и реализацию СВЧ устройств. Поэтому одной из задач настоящей работы является поиск оптимального состава BaxSri xTi03 плёнок, полученных по технологии ионно-плазменного (магнетронного) распыления, и получение данных об их свойствах в широком диапазоне частот.

Разработка перестраиваемых элементов на основе сегнетоэлектрических плёнок с управляющими напряжениями до 30 В. В настоящее время традиционными для СВЧ диапазона являются структуры планарной конструкции на основе СЭ плёнок (планарные конденсаторы, щелевые и копланарные линии). Применение таких структур целесообразно для устройств высокой СВЧ мощности, где повышенное постоянное или импульсное напряжение управления (сотни вольт) не является препятствием для их использования. Однако для применения в малосигнальных устройствах необходимо радикальное снижение управляющих напряжений до уровня, обычно используемого в полупроводниковой электронике (десятки вольт). В рамках планарной конструкции это ведёт к технологическим и конструктивным проблемам получения характерных топологических размеров менее 1 мкм. Таким образом, разработка технологичных СЭ структур с пониженным управляющим напряжением становится одной из ключевых задач использования СЭ элементов в малосигнальной СВЧ технике.

Одним из путей решения этой задачи является реализация плоскопараллельных структур типа «металл-диэлектрик-металл» (МДМ) на основе тонкой СЭ плёнки, в которых уменьшение толщины СЭ плёнки (менее 0.5 мкм) позволяет получить необходимый коэффициент управления (Стах/ Cmin > 2) при напряжениях менее 30 В. Разработка таких структур для СВЧ диапазона требует оптимизации конструкции с точки зрения уменьшения влияния «паразитных» параметров и снижения СВЧ потерь в металлических электродах.

Исследование быстродействия сегнетоэлектрических тонкопленочных элементов. Для конкурентоспособной работы электрически перестраиваемых устройств СВЧ диапазона необходимы высокие скорости их переключения (< 1 мкс). Существует общепринятое мнение, что в параэлектрической фазе (Т> Тс) отсутствие доменной структуры позволяет достигать быстродействия, соизмеримого с временами осцилляции «мягкой» СЭ моды, то есть Ю-11 с. Ряд опубликованных работ, посвященных исследованию нелинейных свойств СЭ при повышенном уровне гармонического СВЧ сигнала (интермодуляционные искажения, параметрические явления), на первый взгляд, полностью подтверждает эту точку зрения. Однако необходимо заметить, что все эксперименты, практически демонстрирующие безынерционный СВЧ отклик, проводились в условиях воздействия гармонических сигналов и не соответствовали режиму работы устройств при управлении униполярными импульсными сигналами. Именно такие режимы используются для кодирования и передачи информации в современных СВЧ устройствах. Поэтому исследование поведения СЭ элементов при импульсном режиме управления является актуальной задачей.

Разработка СВЧ фазовращателей на основе СЭ плёнок. Решение задачи создания СВЧ устройств на основе СЭ плёнок требует предварительной оценки параметров проектируемого устройства, исходя из электрофизических свойств СЭ перестраиваемого элемента. Как правило, оценка применимости СЭ элементов с точки зрения их СВЧ свойств проводится на основе параметра качества, предложенного проф. О. Г. Вендиком. Однако для окончательной разработки СВЧ устройств (например, фазовращателей) целесообразно учитывать особенности конструкции, определяющие диссипативные потери в её металлических частях. Необходимо подчеркнуть, что использование СЭ элементов с одинаковыми значениями параметра качества, но различной управляемостью и потерями ведёт к различным конструктивным решениям, например, к различной длине фазовращателя. Это, в свою очередь, приводит к изменению уровня СВЧ потерь в металлических элементах устройства. Таким образом, для оптимизации устройств необходимо получить соотношения, позволяющие установить связь между параметрами СЭ элемента (СЭ плёнки) и общими параметрами устройства с учётом различных источников СВЧ потерь (в металле и диэлектрике).

Для реализации устройств на основе СЭ плёнок для частот свыше 30 ГГц в ряде случаев целесообразно использование структур с распределёнными параметрами (регулярных линий передачи). Простота, малые размеры и хорошая совместимость подобных конструкций с элементами фазированных антенных решёток делают необходимым исследование характеристик щелевых линий с СЭ плёнками и фазовращателей на их основе в миллиметровой части СВЧ диапазона.

Перечисленный круг вопросов позволяет сформулировать цель работы — исследование свойств плёнок BaxSri. xTi03 для СВЧ применений, поиск их оптимального состава и разработка СВЧ элементов и фазовращателей на их основе.

Основные задачи исследования:

• разработка методик измерений на частотах выше 30 ГГц, позволяющих определить диэлектрические потери и потери в металлических электродах в структурах на основе СЭ плёнок;

• оптимизация состава плёнок BaxSrixTi03 для обеспечения наибольшего параметра качества элементов и структур на их основе для СВЧ применений;

• исследования СВЧ свойств СЭ плёнок BaxSrj. xTi03 в широком диапазоне частот (1-г60) ГГц, позволяющие прогнозирование параметров и реализацию СВЧ устройств выбранного поддиапазона;

• анализ конструктивных и технологических факторов, влияющих на СВч параметры МДМ (Pt/BSTO/Cu) конденсаторов, и разработка их конструкции;

• создание методики измерения быстродействия СЭ элементов в диапазоне от единиц микросекунд до сотен секунд;

• определение быстродействия диэлектрического отклика плёночных BaxSri хТЮз конденсаторов на импульсное напряжение и анализ факторов, влияющих на их быстродействие;

• установление связи параметра качества перестраиваемого элемента с характеристиками СВЧ устройств, и выработка рекомендаций по выбору параметров СЭ плёнки и элементов на её основе, обеспечивающих требуемые характеристики СВЧ устройств;

• определение волновых параметров и потерь щелевых линий передачи на основе плёнок BSTO в зависимости от геометрических размеров и свойств плёнока также разработка волноводно-щелевого фазовращателя для рабочей частоты 60 ГГц.

Решение ряда приведённых выше задач требует создания новых методик для измерения:

• СВЧ параметров сегнетоэлектрических плёнок в диапазоне (30V70) ГГц с помощью распределённых структур без нанесения электродов (частично заполненный волноводный резонатор) и с нанесением электродов (резонатор на основе щелевой линии);

• времени релаксации ёмкости СЭ конденсаторов с помощью СВЧ резонатора под действием периодических управляющих импульсов напряжения.

Научная новизна работы:

1. На основе исследования плёнок BaxSr]. xTi03 различного состава (х = 0-г0.8) показано, что плёнки BaojSrojTiCb демонстрируют лучшие СВЧ свойства для практических применений.

2. На основе разработанных электродных и безэлектродных методик показано, что для плёнок оптимального состава BaojSrojTiCb с управляемостью К=1.5-г2 тангенс угла диэлектрических потерь в диапазоне частот (1V70) ГГц лежит в интервале tg8 = 0.015-^0.06.

3. Для плёночных МДМ структур Pt/Bao^SrojTiCVCr/Cii с управляемостью К = 2 при 30 В проведён СВЧ анализ, позволяющий разделить потери в плёнке сегне-тоэлектрика и в металле электродов.

4. Предложена и разработана оригинальная резонансная СВЧ методика исследования быстродействия и остаточных поляризационных явлений СЭ конденсаторов при условии короткого замыкания и холостого хода электродов, позволяющая.

6 2 измерять времена релаксации в пределах (10 -г 10) с.

5. Показано, что медленные релаксационные явления (10-И 00 с), наблюдаемые в сегнетоэлектрических элементах в параэлектрической фазе, обусловлены существованием объёмного заряда, локализованного в приэлектродных областях с повышенной дефектностью (1018-И019 см-3).

6. На основе измерения пороговых значений импульсного электрического поля, выше которого возникают медленные релаксационные процессы ёмкости СЭ конденсаторов, показано доминирующее влияние технологии формирования границы металл/сегнетоэлектрик.

7. Для электрически управляемых фильтров и фазовращателей установлена связь параметра качества СЭ перестраиваемого элемента с основными параметрами устройствполученные выражения позволяют разделить вклад в параметры устройства потерь в элементе перестройки и в металлических элементах конструкции устройства.

8. Разработан метод определения предельно достижимого параметра качества фазовращателя на основе линии передачи с СЭ плёнкой путём измерения характеристик резонатора на основе отрезка данной линии.

Практическая значимость работы:

1. Отработана технология формирования СВЧ МДМ конденсаторов на основе тонкой BSTO плёнкинайден состав плёнок твёрдого раствора BaxSrt. xTi03, обеспечивающий наилучшие параметры для СВЧ применений.

2. Предложены методики измерения параметров структур на основе СЭ плёнок в диапазоне частот (30V70) ГГц, позволяющие определять потери в СЭ плёнке и металлических элементах структуры.

3. На основе эквивалентной схемы и экспериментальной проверки её корректности сформулированы рекомендации по разработке конструкции СВЧ МДМ конденсаторов.

4. Разработаны рекомендации по технологическим условиям формирования границ СЭ/металл в конденсаторах для улучшения их быстродействия.

5. Предложено использование УФ-облучения СЭ конденсаторов для подавления остаточной поляризации после воздействия электрического поля.

6. Разработан и испытан волноводно-щелевой фазовращатель на основе BSTO плёнки для работы на частоте 60 ГГцфазовращатель продемонстрировал параметр качества 32 град/дБ, что на 10 град/дБ превышает результаты для устройств на основе СЭ плёнок, описанных в литературе.

7. Результаты работы использованы при выполнении:

• проекта Министерства Образования Российской Федерации «Разработка элементной базы и устройств СВЧ радиоэлектроники на основе сегнетоэлектрических пленок» (код проекта: 208.05.05.012);

• проекта Министерства Образования и Науки Российской Федерации «Исследование неравновесных процессов в сегнетоэлектриках кислородно — октаэдриче-ского типа в условиях облучения электромагнитным полем ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов» (код проекта: РНП 2.1.2.7083);

• государственного контракта № 02.513.11.3136 «Технология наноразмерных кристаллических сегнетоэлектрических пленок для систем телекоммуникаций и радиолокации»;

• грантов правительства США «Перспективные устройства электроники на основе управляемых диэлектрических элементов для систем связи и локации» («Next generation electronics based on tunable dielectric components for communication and radar systems») совместно с государственной лабораторией NREL (США) (№ ААТ-3−33 627−01).

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Максимальное значение параметра качества для СВЧ применений при комнатной температуре для плёнок BaxSrixTi03, полученных магнетронным распылением на подложках А1203, достигается при составе х = 0.3+0.05.

2. При частотах свыше 30 ГГц основной вклад в СВЧ потери тонкоплёночных МДМ (Pt/BaojSrojTiCyCu) конденсаторов при реактансе ёмкости 50 Ом вносят диэлектрические потери, что позволяет использовать в качестве нижнего электрода платину толщиной не более 100 нм.

3. Формирование контакта Pt/BSTO в кислородной атмосфере позволяет подавить процессы медленной релаксации диэлектрической проницаемости и обеспечить управляемость сегнетоэлектрических структур К > 2.

4. Увеличение управляемости СЭ плёнки при сохранении её параметра качества снижает общие потери в фазовращателе, за счёт уменьшения потерь в металлических элементах.

5. Фазовращатели на основе щелевых линий передачи с плёнкой Ba0.3Sr0.7TiO3 обеспечивают параметр качества 30 град/дБ па частоте 60 ГГц при быстродействии по управлению менее 100 не.

Материалы диссертационной работы изложены в 12 научных публикациях и 14 тезисах докладов на следующих конференциях:

• 14th International Symposium on Integrated Ferroelectrics. 27 May — 1 June, 2002, Nara, Japan.

• 15th International Symposium on Integrated Ferroelectrics. March 9 — 12, 2003. Colorado Springs, Colorado, USA.

• 19th International Symposium on Integrated Ferroelectrics. May 8 — 11, 2007. Bour-deaux, France.

• 11-я Международная конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», 10−14 сентября 2001, Севастополь, Украина.

• 17-я Международная конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», 10−14 сентября 2007, Севастополь, Украина.

• 7th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-7), June 24 — 28, 2002, St. Petersburg, Russia.

• Международная научно-техническая конференция «Молодые учёные — науке, технологиям и профессиональному образованию», 1−4 октября 2002, Москва,.

• Р0с&4®кдународная научно-техническая конференция «Электроника и Информатика — 2002», Зеленоград, Россия.

• «Nanoelectronics Days 2005», Forschungszentrum Julich, Germany, February 9−11, 2005, Julich, Germany.

• 4th International Conference on Microwave Materials and Their Applications, 12−15 June, 2006, Oulu, Finland.

• 35th European Microwave Conference, 4−6 October 2005, Paris, France.

• Научно-технические конференции профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета (ЛЭТИ) (С. Петербург, 2002 — 2006 гг).

Основные результаты диссертационной работы, кратко изложенные ниже, являются новыми научными фактами.

1. На основе исследования плёнок Ва^г^ТЮз различного состава (х = 0 + 0.8) показано, что плёнки Вао. зЗголТЮз демонстрируют лучшие СВЧ свойства для практических применений.

2. На основе разработанных электродных и безэлектродных методик показано, что для плёнок оптимального состава Ba0.3Sr0.7TiO3 с управляемостью К=1.5+2 тангенс угла диэлектрических потерь в диапазоне частот (1+60) ГГц лежит в интервале tg 5 = 0.015+0.06.

3. Для плёночных МДМ структур Pt/BaojSrojT^/Cr/Cu с управляемостью К = 2 при 30 В проведён СВЧ анализ, позволяющий разделить потери в плёнке сегне-тоэлектрика и в металле электродов.

4. Предложена и разработана оригинальная резонансная СВЧ методика исследования быстродействия и остаточных поляризационных явлений СЭ конденсаторов при условии короткого замыкания и холостого хода электродов, позволяющая измерять времена релаксации в пределах (10″ +10) с.

5. Показано, что медленные релаксационные явления (10+100 с), наблюдаемые в сегнетоэлектрических элементах в параэлектрической фазе, обусловлены существованием объёмного заряда, локализованного в приэлектродных областях с повышенной дефектностью (1018+1019 см" 3).

6. На основе измерения пороговых значений импульсного электрического поля, выше которого возникают медленные релаксационные процессы ёмкости СЭ конденсаторов, показано доминирующее влияние технологии формирования контакта металл/сегнетоэлектрик.

7. Для электрически управляемых фильтров и фазовращателей установлена связь параметра качества СЭ перестраиваемого элемента с основными параметрами устройствполученные выражения позволяют разделить вклад в параметры устройства потерь в элементе перестройки и в металлических элементах конструкции устройства.

8. Разработан метод определения предельно достижимого параметра качества фазовращателя на основе линии передачи с СЭ плёнкой путём измерения характеристик резонатора на основе отрезка данной линии.

9. Показано, что на основе волноводно-щелевой линии на сегнетоэлектрической плёнке можно изготовить фазовращатель, демонстрирующий параметр качества «30 град / дБ на частоте 60 ГГц.

Заключение

.

Настоящая работа посвящена исследованию электрофизических свойств тонких СЭ пленок в СВЧ диапазоне с целью реализации на их основе электрически управляемых СВЧ устройств. В работе представлены результаты исследования малосигнальных СВЧ свойств планарных конденсаторов в диапазоне частот (1+60) ГГц, для получения которых были разработан комплекс методик на основе измерений распределённых СЭ структур как с нанесением металлических электродов, так и без него. Разработана и представлена конструкция МДМ конденсатора на основе СЭ плёнки. Проведены структурные и электрофизические исследования изготовленных образцов МДМ конденсаторов. На основе СВЧ эквивалентных представлений проведена оценка СВЧ потерь в такой структуре, расчётные результаты оценки проверены экспериментально. Разработана методика измерения быстродействия СЭ конденсаторов. Исследованы СЭ конденсаторы, в которых технологическими методами были обеспечены различные условия формирования контакта металл-сегнетоэлектрик. Разработана методика оценки вносимых потерь в фазовращателях на основе фильтровых структур и управляемых регулярных линий передачи. Разработан и испытан волноводно-щелевой фазовращатель на основе СЭ плёнки для работы в миллиметровом диапазоне длин волн.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / О. Г Вендик и др.- отв. ред. О. Г Вендик- М.: Советское Радио, -1979. -272 с.
  2. Tagantsev А.К. Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications / A.K. Tagantsev, V.O.Sherman, K.F. Astafiev // Journal of Electroceramics, -2003. -Vol.ll.-P.5−66.
  3. Findikoglu A.T. Electrically tunable coplanar transmission line resonators using YBa2Cu307x/SrTi03 bilayers / Findikoglu A.T., Jia Q.X., Campbell I.H. // Appl. Phys. Lett. -1995. -Vol.66. -N.26. -P. 3674−3676.
  4. Вул Б. М. Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью / Б. М. Вул // Успехи физических наук. -1967. -№ 11. -С.541−552.
  5. Cross L.E. History of Ferroelectrics / L.E. Cross, R.E. Newnham // Ceramics and Civilization, Volume III. High-Technology Ceramics-Past, Present, and Future. -1987. -P.289−305.
  6. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Смоленский Г. А. и др.- М.: Наука, 1971.-476 с.
  7. BetheK. Uber das Mikrowellenverhalten der Nichtlineare Dielektrika / K. Bethe // Philips Research Reports, Supplement No.2. -1970. -P. 1−145.
  8. DiDomenicoM. Ferroelectric harmonic generator and the large-signal microwave characteristics of ferroelectric ceramics / M. Di Domenico, D. Jonson, R. Pantell // J. Appl. Phys. -1962. -Vol. 33. -P.1697−1705.
  9. KozyrevA.B. Nonlinear behavior of thin film SrTi03 capacitors at microwave frequencies / A.B. Kozyrev, T.B. Samoilova, A.A. Golovkov et al. // J. of Appl. Phys. -1998. -V.84. -N.6. -P.3326−3332.
  10. VendikO.G. Ferroelectric Tuning of Planar and Bulk Microwave Devices / O.G. Vendik, E.K. Hollmann, A.B. Kozyrev, A.M. Prudan / J. of Superconductivity. -1999. -Vol.12.-No. 2. -P.325−338.
  11. Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю.Я. Томашпольский- М.: Радио и связь, 1984. -192 с.
  12. Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария / Э.В. Бурсиан- М.: Наука, 1974.
  13. Noren В. Thin film barium strontium titanate (BST) for a new class of tunable RF components / B. Noren // Microwave Journal. -2004. -Vol.47. -N.5. -P.210−220.
  14. О.Г. Продвижение сегнетоэлектрических управляющих устройств в высокочастотную область диапазона СВЧ / О. Г. Вендик, И. Г. Мироненко, JI.T. Тер-Мартиросян // Известия АН СССР. -1987. -Т.51, -№.10. -С.1748−1752.
  15. Vendik I.B. Commutation Quality Factor of Two-State Switchable Devices / I.B. Vendik, O.G. Vendik, E. Kollberg // IEEE Trans, on MTT. -2000. -Vol.48. -No.5. -P.802−808.
  16. Vendik O.G. Modeling the dielectric response of incipient ferroelectrics / O.G.Vendik, S.P. Zubko // Journal of Applied Physics. -1997. -Vol.82. -Is.9. -P.4475−4483.
  17. Komatsu S. Measurement and thermodynamic analyses of the dielectric constant of epitaxially grown SrTi03 films / S. Komatsu, K. Abe // Jpn. J. Appl. Phys. -1993. -V.33. -8B -P.L1157-L1159.
  18. A.M. Диэлектрическая проницаемость плёночного титаната стронция в составе структуры SrTi03/Al203 / А. М Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев,
  19. A.А. Козлов, В. Е. Логинов. //Письма в ЖТФ. -1998. -Т.24. -В.9. -С.8−12.
  20. KozyrevA.B. Preparation of SrTi03 films on sapphire substrate by RF magnetron sputtering / A.B. Kozyrev, E.K. Hollmann, V.E. Loginov, A.M. Prudan // Vacuum. -1998, -V.5, 2. -P.141−143.
  21. B.B. Фазовые переходы в твердых растворах на основе SrTi03 /
  22. B.В. Леманов // ФТТ -1997. -Т.39. -В.9.
  23. Sherman V.O. Ferroelectric-dielectric tunable composites / V.O. Sherman, A.K. Tagantsev, N. SetteK, D. Iddles, T. Price // J. Appl. Phys. -2006. -V.99. -P.74 104.
  24. Chang W. MgO-mixed Bao.6Sro.4Ti03 bulk ceramics and thin films for tunable microwave applications / W. Chang, L. Sengupta // J. of App. Phys. -2002. -Vol.92, Is.7. -P.3941−3946.
  25. Su B. Microstructure and dielectric properties of Mg-doped barium strontium titanate ceramics/В. Su, T. Button//J. of App. Phys. -2004. -Vol.95, Is.3. -P.1382−1385.
  26. McAneney J. Temperature and frequency characteristics of the interfacial capacitance in thin-film barium-strontium-titanate capacitors / J. McAneney, L.J. Sinnamon, R.M. Bowman, J.M. Gregg // J. of App. Phys. -2003. -Vol.94, Is.7. -P.4566−4570.
  27. Chen B. Thickness and dielectric constant of dead layer in Pt/(Bao.7Sro.3)Ti03/YBa2Cu3C>7x capacitor / B. Chen, H. Yang, L. Zhao et al // App. Phys. Lett. -2004. -Vol.84, Is.4. -P.583−585.
  28. О.Г. Размерный эффект в слоистых структурах: сегнетоэлектрик-нормальный металл и сегнетоэлектрик-ВТСП / О. Г. Вендик, JI.T. Тер-Мартиросян // ФТТ. -1994. -Т.36, вып.И. -С.3343−3351.
  29. С.П. Влияние размерного эффекта на диэлектрическую проницаемость танталата калия, входящего в состав пленочного конденсатора / С. П. Зубко // Письма в ЖТФ. -1998. -Т.24, вып.21. -С.23−29.
  30. Vendik O.G. Experimental evidence of the size effect in thin ferroelectric films / O.G. Vendik, S.P. Zubko, L.T. Ter-Martirosyan // App. Phys. Lett. -1998. -Vol.73. -Is.l. -P.37−39.
  31. О.Г., Медведева Н. Ю., Зубко С. П. Размерный эффект в наноструктурированных сегнетоэлектрических пленках / О. Г. Вендик, Н. Ю. Медведева, С. П. Зубко // Письма в ЖТФ. -2007. -Т.ЗЗ. -В.6. -С. 8−14.
  32. Sinnamon L.J. Exploring grain size as a cause for «dead-layer» effects in thin film capacitors / L.J. Sinnamon, M.M. Saad, R.M. Bowman, J.M. Gregg // App. Phys. Lett. -2002. -Vol.81. -Is.4. -P.703−705.
  33. Shaw T.M. The effect of stress on the dielectric properties of barium strontium titanate thin films / T.M. Shaw, M. Huang, Z. Suo, E. Liniger, R.B. Laibowitz, J.D. Baniecki // App. Phys. Lett. -1999. -Vol.75. -Is.14. -P.2129−2131.
  34. Keane S. P. Phase transitions in textured SrTi03 thin films on epitaxial Pt electrodes / S.P. Keane, S. Schmidt, J. Lu, A.E. Romanov, S. Stemmer // J. Appl. Phys. -2006. -V.99. -P.33 521.
  35. О.Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры / О. Г. Вендик, С. П. Зубко // ЖТФ. -1997. -Т.67. -В.З. -С.29−33.
  36. Kozyrev A. S-Band Microwave Phase Shifters Based on Ferroelectric Varactors / A. Kozyrev, V. Osadchy, A. Pavlov et al // Integrated Ferroelectrics -2003. -V.55. -Is. 1. -P.839−846.
  37. Физика сегнетоэлектрической керамики / Гориш А. В., Дудкевич В. П., Куприянов М. Ф. и др.- отв. ред. Гориш А.В.- М.: Советское Радио, -1979. -176 с.
  38. Lee J. К. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Pb (ZrxTii.x)03 Thin Films for High-Density Ferroelectric Random Access Memory Application / J.K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho et al. // J. OF Semicond. Tech. and Sc. -2002. -V.2, N.3. -P.205−212.
  39. Haider S. Microstructural and Electrical Characterization of (Ba, Sr) Ti03 Thin Films Prepared by a New Carboxylate Free Chemical Solution Deposition (CSD) Route / S. Haider, T. Schneller, R. Waser//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -2003. -V.762, -C8.17.1.
  40. Gerlach G. Properties of sputter and sol-gel deposited PZT thin films for sensor and actuator applications: preparation, stress and space charge distribution, self poling / G. Gerlach, G. Suchanek et al. // Ferroelectrics. -1999. -Vol.230. -P.109−114.
  41. О.Г. Планарные сегнетоэлектрические конденсаторы для СВЧ-устройств / О. Г. Вендик, Г. Д. JIooc, Л.Т. Тер-Мартиросян // Радиотехника и электротехника. -1972. -Т. 17, вып. 10.
  42. О.Г. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий слой сегнетоэлектрика / О. Г. Вендик, С. П. Зубко, М. А. Никольский // ЖТФ. -1999. -Т.69, вып.4. -С. 1−7.
  43. О.Г. Учет нелинейности сегнетоэлектрического слоя в модели планарного конденсатора / О. Г. Вендик, М. А. Никольский // Письма в ЖТФ, 2003. -Т.29, вып.5. -С.20−29.
  44. Kim J.-Y. Processing and on-wafer test of ferroelectric film microwave varactors / J.-Y. Kim, A.M. Grishin // Appl. Phys. Lett.-2006. -V.88. -P. 192 905.
  45. A.M. Влияние отжига на диэлектрическую проницаемость пленочного титаната стронция в структуре SrTi03 / А1203 / Прудан A.M., Гольман Е. К., Козырев А. Б. и др. // ФТТ. -1998. -Т.40, вып.8. -С.1473−1478.
  46. Kozyrev A. Nonlinear response and power handling capability of ferroelectric BaxSrj xTi03 film capacitors and tunable microwave devices / A. Kozyrev, A. Ivanov, T. Samoilova et al. // J. of App. Phys. -2000. -V.88, Is.9. -P.5334−5342.
  47. Cohn S.B. Slot Line on a Dielectric Substrate / S.B. Cohn // IEEE Trans, on MTT. -1969.-V.17, Is. 10. -P.768−778.
  48. И.Г. Дисперсионные характеристики щелевых и копланарных линий на основе структуры «сегнетоэлектрическая пленка диэлектрическая подложка» / И. Г. Мироненко, А. А. Иванов // Письма в ЖТФ. -2001. -Т.27, вып.13. -С.16−21.
  49. И.Г. Расчет затухания в щелевой и копланарной линиях, образованных в структуре «сегнетоэлектрическая пленка диэлектрическая подложка» / И. Г. Мироненко, А. А. Иванов // Письма в ЖТФ. -2002. -Т.28, вып.5. -С.33−37.
  50. И.Г. Многощелевые линии передачи сверхвысоких частот на основе структуры сегнетоэлектрическая пленка диэлектрическая подложка / И. Г. Мироненко, А. А. Иванов //ЖТФ. -2002. -Т.72, вып.2. -С.68−73.
  51. И.Б. Анализ фундаментальных мод многосвязной щелевой линии с сегнетоэлектрическим слоем / И. Б. Вендик, О. Г. Вендик, М. С. Гашинова, А. Н. Деленив // Письма в ЖТФ. -2005. -Т.31, вып.2. -С.49−56.
  52. О.Г. Моделирование волновых параметров узкой щелевой линии передачи на основе сверхпроводящей пленки / О. Г. Вендик, И. С. Данилов, С. П. Зубко // ЖТФ. -1997. -Т.67, вып.9. -С.94−97.
  53. ГольцманБ.М. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти / Б. М. Гольцман, В. К. Ярмаркин // ЖТФ. -1999. -Т.69, вып.5. -С.89−92.
  54. IkutaK. Upper-bound Frequency for Measuring mm-Wave-Band Dielectric Characteristics of Thin Films on Semiconductor Substrates / K. Ikuta, Y. Umeda, Y. Ishii // Jpn. J. Appl. Phys. -1998. -V.37. -P.210−214.
  55. Dube D.C. The effect of bottom electrode on the performance of thin film based capacitors in the gigahertz region / D.C. Dube, J. Baborowski, P. Muralt, N. Setter // App. Phys. Lett. -1999. -V.74, Is.23. -P.3546−3548.
  56. Koutsaroff I.P. Microwave Properties of Parallel Plate Capacitors Based on (Ba, Sr) Ti03 Thin Films Grown on Si02/A1203 Substrates / I.P. Koutsaroff, T. Bernacki, M. Zelner et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -2003. -V.762.
  57. Petrov P.K. Techniques for microwave measurements of ferroelectric thin films and their associated error and limitations / P.K. Petrov, N. McN. Alford, S. Gevorgyan // Meas. Sci. Technol. -2005. -V.16. -P.583−589.
  58. Kozyrev A.B. Procedure of microwave investigations of ferroelectric films and tunable microwave devices based on ferroelectric films / A.B. Kozyrev, V.N. Keis, G. Koepf et al // Microelectronic Engineering. -2005. -V.29, Is. 1−4. -P.257−260.
  59. M.M. Измерение ёмкости и диэлектрических потерь планарных конденсаторов на сегнетоэлектрической плёнке в диапазоне СВЧ / М. М. Гайдуков,
  60. A.Б.Козырев, А. С. Рубан и др. // Радиотехника и электроника. -1975. -Т.20, ып.12. -С.2588−2591.
  61. Kozyrev A. Procedures of Measurements of Ferroelectric Films Parameters in Frequency Range (20−60) GHz / A. Kozyrev- O. Buslov- V. Keis et al // Integrated Ferroelectrics. -2003. -V.55, Iss.l. -P.895−903.
  62. Dawber M. Physics of thin-film ferroelectric oxides / M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott. // Reviews of Modern Physics. -2005. -V.77. -P.1083−1130.
  63. ZafarS. Resistance degradation in barium strontium titanate thin films / S. Zafar,
  64. B. Hradsky, D. Gentile et al // J. of App. Phys. -1999. -V.86, Is.7. -P.3890−3894.
  65. D.E. (Ba, Sr) Ti03 dielectrics for future stacked-capacitor DRAM / D.E. Kotecki, J.D. Baniecki, H. Shen et al. // IBM J. Res. Develop. -1999. -V.43. -N.3.
  66. Chan N.-H. Nonstoichiometry in SrTi03 / N.-H. Chan, R.K. Sharma, D.M. Smyth // J. Electrochem Soc. -1981. -Vol. 128, Is. 8. -P.1762−1769.
  67. Yoo H.-I. P-Type Partial Conductivity of Donor (La)-Doped BaTi03 / H.-I. Yoo, S.-W. Lee, C.-E. Lee. // J. of Electrocer. -2003. -Vol.10, N.3. -P.215−219.
  68. Chan N.-H. Defect Chemistry of Donor-Doped BaTi03 / N.-H. Chan, D.M. Smyth // J. Am. Cer. Soc.-1984. -Vol.67, Is.4. -P.285.
  69. Scott J.F. Quantitative measurement of space-charge effects in lead zirconate-titanate memories / J.F. Scott, C.A. Araujo, B.M. Melnick et al // J. of App. Phys. -1991. -Vol.70, Iss.l. -P.382−388.
  70. DawberM. Models of Electrode-Dielectric Interfaces in Ferroelectric Thin-Film Devices / M. Dawber, J.F. Scott. // Jpn. J. Appl. Phys. -2002. -Vol. 41. -P.6848−6851.
  71. Robertson J. Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate, lead titanate, and strontium bismuth tantalate / J. Robertson, C.W. Chen // App. Phys. Lett. -1999. -Vol.74, Is.8.-P.l 168−1170.
  72. Zheng L. Current-voltage characteristic of asymmetric ferroelectric capacitors / L. Zheng, C. Lin, T.-P. Ma// J. Phys. D: Appl. Phys. -1996. -Vol.29. -P.457−461.
  73. Seon Yong Cha. Effects of Ir Electrodes on the Dielectric Constants of Ba0.5Sr0.5TiO3 Films / Seon Yong Cha, Byung-Tak Jang, Нее Chul Lee // Jpn. J. Appl. Phys. -1999. -Vol.38. -P.49−51.
  74. LeeK.H. Variation of Electrical Conduction Phenomena of Pt/ (Ba, Sr) Ti03/Pt Capacitors by Different Top Electrode Formation Processes / K.H. Lee, C.S. Hwang, B.T. Lee et al // Jpn. J. Appl. Phys. -1997. -Vol.36. -P.5860−5865.
  75. Browning N.D. The influence of atomic structure on the formation of electrical barriers at grain boundaries in SrTi03 / N.D. Browning, J.P. Buban, H.O. Moltaj et al // App. Phys. Lett. -1999. -Vol.74, Is.18. -P.2638−2640.
  76. TsaiM.S. Effect of bottom electrode materials on the electrical and reliability characteristics of (Ba, Sr) Ti03 capacitors / M.S. Tsai, S.C. Sun, T.-Y. Tseng // IEEE Trans, on Electron Devices. -1999. -Vol.46, Is.9. -P.1829−1838.
  77. LuJ. Contributions to the dielectric losses of textured SrTi03 thin films with Pt electrodes / J. Lu, S. Schmidt, Y.-W. Ok, S. Keane, S. Stemmer // J. Appl. Phys. -2005. -V.98. -P.54 101.
  78. Chen H.-M. Leakage Current Characteristics of Lead-Zirconate-Titanate Thin Film Capacitors for Memory Device Applications / H.-M. Chen, S.-W. Tsaur, J.Y. Lee // Jpn. J. Appl. Phys. -1998. -Vol.37. -P.4056−4060.
  79. Scott J.F. Raman spectroscopy of submicron KNO3 films. II. Fatigue and space-charge effects/ J.F. Scott, B. Pouligny // J. of App. Phys. -1998. -Vol.64, Is.3. -P.1547−1551.
  80. GruvermanA. Nanoscale investigation of fatigue effects in Pb (Zr, Ti)03 films /
  81. A. Gruverman, 0. Auciello, H. Tokumoto // App. Phys. Lett. -1996. -Vol.69, Is.21. -P.3191−3193.
  82. LeeB.T. Influences of interfacial intrinsic low-dielectric layers on the dielectric properties of sputtered (Ba, Sr) Ti03 thin films / B.T. Lee, C.S. Hwang // App. Phys. Lett. -2000. -Vol.77, Is.l. -P.124−126.
  83. Jin H.Z. Size effect and fatigue mechanism in ferroelectric thin films / H.Z. Jin, J. Zhu //J. of App. Phys. -2002. -Vol.92, Is.8. -P.4594−4598.
  84. Э.Г. Реверсивная нелинейность в диэлектрических слоях / Э. Г. Косцов,
  85. B.К. Малиновский // Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1997. -Т.41, № 4. -С.830−835.
  86. ДедыкА.И. Перераспределение избыточного объемного заряда в структурах на основе монокристаллического титаната стронция / А. И. Дедык, JI.T. Тер-Мартиросян // ФТТ. -1997. -Т.39, вып.2. -С.349−352.
  87. А.И. Избыточный объемный заряд в титанате стронция / А. И. Дедык, Л.Т. Тер-Мартиросян // ФТТ. -1998. -Т.40, вып.2. -С.245−247.
  88. ДедыкА.И. Исследование гистерезиса в многослойных структурах на основе титаната стронция / А. И. Дедык, С. Ф. Карманенко, М. Н. Малышев, Л.Т. Тер-Мартиросян// ФТТ. -1995. -Т.37, вып. 11. -С.3470−3477.
  89. Boikov Yu.A. Slow capacitance relaxation in (BaSr)Ti03 thin films due to the oxygen vacancy redistribution / Yu.A. Boikov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, V.V. Lemanov // App. Phys. Lett. -2001. -Vol.78, Is.24. -P.3866−3868.
  90. Yang G.Y. Oxygen nonstoichiometry and dielectric evolution of ВаТЮЗ. Part II— insulation resistance degradation under applied dc bias / G.Y. Yang, G.D. Lian, E.C. Dickey et al // J. of App. Phys. -2004. -Vol.96, Is. 12. -P.7500−7508.
  91. Waser R. dc Electrical Degradation of Perovskite-Type Titanates: III, A Model of the Mechanism / R. Waser, T. Baiatu, K.-H. Hardtl // J. of the Am. Ceram. Soc. -1990. -Vol.73, Is.6. -P.1663−1673.
  92. Kozyrev A. Application of ferroelectrics in phase shifter design / A. Kozyrev, V. Osadchy, A. Pavlov, L. Sengupta // Microwave Symposium Digest., 2000 IEEE MTT-S International. -2000. -Vol.3. -P.1355−1358.
  93. Buslov O.Y. Slot-line Ferroelectric Phase-shifters and Phase-array Antenna on their Base / O.Y. Buslov, V.N. Keis, I.V. Kotelnikov et al // Integrated Ferroelectrics. -2006. -Vol.86. -P.125−130.
  94. Kozyrev A. S-Band Microwave Phase Shifters Based on Ferroelectric Varactors /
  95. A. Kozyrev, V. Osadchy, A. Pavlov et al // Integrated Ferroelectrics. -2003. -Vol.55, Is.l. -P.839−846.
  96. А.Б. 60 GHz фазовращатель на основе (Ва, Sr) Ti03 сегнетоэлектрической пленки / А. Б. Козырев, А. В. Иванов, О. И. Солдатенков и др. // Письма в ЖТФ. -2001. -Т. 27, вып. 24. -С. 16−21.
  97. Acikel В. A New High Performance Phase Shifter using BaxSrj. xTi03 Thin Films /
  98. B. Acikel, T.R. Taylor, P.J. Hansen et al // IEEE Microwave and Wireless Components Lett. -2002. -V. 12, Is. 7.
  99. Ю.В. Частично заполненные прямоугольные волноводы / Ю. В. Егоров. -М.: Сов. Радио, 1967.-216 с.
  100. А.Г. Измерения параметров сегнетоэлектрических плёнок с применением частично заполненных волноводных резонаторов / А. Г. Гагарин, М. М. Гайдуков // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Серия «Физика твёрдого тела и электроника». -2003. -В.1. -С.25−28.
  101. А. Волноводно-щелевой 60 GHz фазовращатель на основе (Ba, Sr) Ti03 сегнетоэлектрической пленки / А. Козырев, М. Гайдуков, А. Гагарин и др. // Письма в ЖТФ. -2002. -Т.28, вып.6. -С.51−56.
  102. Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ / Л. Г. Малорацкий. М.: Сов. Радио, 1976. -216 с.
  103. К. Машинное проектирование СВЧ устройств / К. Гупта, Р. Гардж, Р. Чадха. М.: Радио и связь, 1987. 428 с.
  104. Razumov S. Electrical Properties of Magnetron Sputtered Thin BaSrTi03 Films Depending On Deposition Conditions / S. Razumov, A. Tumarkin, O. Buslov,
  105. M. Gaidukov, A. Gagarin, A. Ivanov, A. Kozyrev, Y.-W. Song, C.-S. Park // Integrated Ferroelectrics. -2001. -Vol.39. -P.367−373.
  106. Vendik O.G. Experimental evidence of correctness of improved model of ferroelectric planar capacitor / O.G. Vendik, S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, M.A. Nikol’skii, M.M. Gaidukov, A.G. Gagarin // Appl. Phys. Lett. -2005. -V.86. -P.22 902.
  107. Razumov S.V. Characterisation of quality of BaxSr!.xTi03 thin film by the commutation quality factor measured at microwaves / S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, M.M. Gaidukov, A.G. Gagarin et al //Appl. Phys. Lett. -2002. -V.81, N9. -P. 1675−1677.
  108. Razumov S.V. Microwave Properties of Thin BSTO Films Based Varactors for High Frequency Applications / S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, A.G. Gagarin et al // Integrated Ferroelectrics. -2003. -Vol.55. -P.871−876.
  109. Al-Shareef H.N. Electrodes for ferroelectric thin films / H.N. Al-Shareef, K.D. Gifford, S.H. Rou // Integrated Ferroelectrics. -1993. Vol.3. -P.321−332.
  110. Ю.А. Расчёт электрической ёмкости / Ю. А. Иоссель, Э. С. Кочанов, М. Г. Струнский. -JL: Энергоиздат, 1981. 288 с.
  111. О.Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры / О. Г. Вендик, С. П. Зубко // ЖТФ. -1997. -Т.67, вып.З. -С.29−33.
  112. О.Г. Моделирование характеристик многослойного планарного конденсатора/ О. Г. Вендик, М. А. Никольский //ЖТФ. -2001. -Т.71, вып.1. -С. 117−121.
  113. Nowotny J. Defect Structure, Electrical Properties and Transport in Barium Titanate / J. Nowotny, M. Rekas // Ceramics International. -1994. -Vol.20. -P.213−270.
  114. Kozyrev A.B. Nonlinear behavior of thin film SrTi03 capacitors at microwave frequencies / A.B. Kozyrev, T.B. Samoilova, A.A. Golovkov et al // J. of App. Phys. -1998. -V.84, Is.6. -P.3326−3332.
  115. AlfordN.McN. Enhanced electrical properties of ferroelectric thin films by ultraviolet radiation / N.McN. Alford, P.K. Petrov, A.G. Gagarin et al // Appl. Phys. Lett. -2005. -V.87. -P.222 904.
  116. .М. Диэлектрические свойства планарных структур на основе сегнетоэлектрических плёнок Bao.sSro.fTiOj / Б. М. Гольцман, В. В. Леманов, А. И. Дедык и др. // Письма в ЖТФ. -1997. -Т.23, вып. 15. -С.46−52.
  117. А.Г. Параметр качества перестраиваемого элемента на основе сегнетоэлектрической плёнки при разработке СВЧ-устройств / А. Г. Гагарин, М. М. Гайдуков // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Серия «Физика твёрдого тела и электроника». -2003. -Вып.2. -С.38−41.
  118. К.В. Введение в инженерную теорию параметрического усиления / К. В. Филатов. -М.: Сов. Радио, 1971.
  119. А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах / А. А. Брандт. -М.: Физматгиз, 1963.
  120. ПЗ.Маттей Д. Л. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи / Д. Л. Маттей, Л. Янг, Е. М. Т. Джонс. -М.: Связь, 1972.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!