Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x

Диссертация: Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследовано изменение свойств пленок УВа2Си3Ох, осаждаемых методом лазерного распыления, при замещении кислорода в рабочей атмосфере на аргон. Экспериментально показано, что при увеличении содержания аргона до 50% наблюдается улучшение морфологии поверхности пленки, что, по-видимому, вызвано изменением характера рассеяния бария, распыленного с поверхности мишени. Дальнейшее увеличение доли аргона… Читать ещё >

Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Введение.стр
  • Глава 1. Эпитаксиальные пленочные гетероструктуры на основе
  • УВа2Си3Ох.стр
    • 1. 1. Структура и свойства УВа2Си3Ох. стр
    • 1. 2. Методики осаждения пленок металлооксидных сверхпроводников. стр
    • 1. 3. Эпитаксиальные тонкие УВСО пленки. стр
    • 1. 4. Применения УВСО пленок в сверхпроводниковой электронике. стр
  • Глава 2. Методики осаждения эпитаксиальных пленок УВСО и изучения их свойств. стр
    • 2. 1. Осаждение пленок УВСО распылением на постоянном токе при высоком давлении. стр
    • 2. 2. Осаждение пленок УВСО методом лазерного распыления. стр
    • 2. 3. Методики изучения электрофизических свойств УВСО. стр
    • 2. 4. Методики изучения структуры пленок УВСО. стр
  • Глава 3. Осаждение эпитаксиальных пленок УВСО. стр
    • 3. 1. Осаждение эпитаксиальных пленок УВСО методом распыления на постоянном токе при высоком давлении. стр
    • 3. 2. Осаждение эпитаксиальных пленок УВСО методом лазерного распыления. стр
    • 3. 3. Сравнение пленок УВСО, полученных различными методами.. стр
    • 3. 4. Напыление эпитаксиальных пленок УВСО в смеси аргона и кислорода. стр
    • 3. 5. Осаждение пленок №Ва2Си307.стр
  • Глава 4. Пленочные эпитаксиальные гетероструктуры
  • УВС0/Се02/А1203.стр
    • 4. 1. Свойства эпитаксиального буферного слоя Се02 на сапфире г-плоскость).стр
    • 4. 2. Совместное осаждение эпитаксиальных тонких пленок
  • УВСО и Се02. стр
    • 4. 3. Переход Джозефсона на ступеньке, сформированной в буферном слое окиси церия. стр
  • Глава 5. Многослойные эпитаксиальные пленочные гетероструктуры с межслойным торцевым контактом. стр
    • 5. 1. Осаждение пленок УВСО на подложки с наклонной осью. стр
    • 5. 2. Ионно-лучевое травление через маску. стр
    • 5. 3. Джозефсоновский торцевой контакт УВСО/ЫЬ^ТО/УВСО с наклонным торцом. стр
    • 5. 4. Джозефсоновский торцевой контакт УВСО/РВСвО/УВСО с наклонным торцом. стр
  • Основные результаты работы. стр
  • Список публикаций автора по теме диссертации. стр

Получение и исследование эпитаксиальных пленочных гетероструктур представляет значительный интерес в как для изучения свойств материалов и их взаимодействия, так и для изготовления электронных приборов. Появление высокотемпературных металлооксидных сверхпроводников (ВТСП) позволило значительно расширить область возможных применений явления сверхпроводимости, в том числе в электронике. Вместе с тем сложность структуры ВТСП, их многоэлементный состав, существенно затрудняют получение пленок ВТСП с высоким качеством кристаллической структуры. Наличие дефектов особенно сильно сказывается на пленках ВТСП из-за малой длины когерентности сверхпроводящих носителей. Задача получения пленок ВТСП с низким содержанием дефектов является важной как для выяснения природы высокотемпературной сверхпроводимости, так и для практического использования пленок в сверхпроводниковой электронике.

Устройства сверхпроводниковой электроники, основанные на эффекте Джозефсона, могут применяться для приема и обработки электромагнитных сигналов в частотных диапазонах от долей герца до десятков терагерц. Создание таких приборов требует разработки технологии изготовления многослойных структур на основе сверхпроводников. Эпитаксиальные гетероструктуры обеспечивают высокое кристаллическое качество верхних слоев, что позволяет добиваться высоких сверхпроводниковых свойств многослойной структуры в целом. Кроме того, высокая анизотропия пленок ВТСП требует строгой взаимной ориентации фрагментов пленки и различных слоев для достижения требуемых сверхпроводниковых свойств, что также наиболее легко осуществимо в эпитаксиальных гетероструктурах. Среди ВТСП с критической температурой около 100 К наименьшей анизотропией обладает семейство материалов со структурой УВа2Си3Ох (УВСО), что делает предпочтительным использование этих материалов для пленочной электроники. Таким образом, эпитаксиальные гетероструктуры на основе УВСО являются естественным выбором при изготовлении приборов сверхпроводниковой электроники на основе ВТСП.

Целью настоящей работы являлось изучение морфологических, кристаллических и электрофизических свойств многослойных эпитаксиальных гетероструктур на основе УВСО, пригодных для изготовления ВТСП джозефсоновских переходов и оптимизация параметров их изготовления.

Основные результаты работы.

1. Проведена оптимизация параметров получения сверхпроводящих эпитаксиальных пленок семейства УВа2Си3Ох методами лазерного распыления и распыления на постоянном токе при высоком давлении кислорода. Впервые обнаружено возрастание доли включений УВСО (100) в пленке УВСО (001) при увеличении температуры осаждения на подложку ИсЮаОз, что, вероятно, вызвано взаимодействием осаждаемого материала с подложкой. Впервые показано, что увеличение содержания атомов бария в пленке УВСО, осаждаемой методом лазерного распыления, позволяет получать тонкие пленки с улучшенной морфологией поверхности.

5 2 плотность частиц менее 10 см', шероховатость менее 6 нм), которые могут быть использованы в многослойных сверхпроводниковых структурах.

2. Совместным лазерным распылением мишеней различного состава исследовано формирование ВТСП пленок состава Ш1+хВа2хСи3Оу при изменении отношения содержания N (1 и В, а в потоке осаждаемого материала от 1.6 до 2.6. Впервые показано, что замещение N (1 на Ва в решетке ШВа2Си3Ох невозможно.

3. Исследовано изменение свойств пленок УВа2Си3Ох, осаждаемых методом лазерного распыления, при замещении кислорода в рабочей атмосфере на аргон. Экспериментально показано, что при увеличении содержания аргона до 50% наблюдается улучшение морфологии поверхности пленки, что, по-видимому, вызвано изменением характера рассеяния бария, распыленного с поверхности мишени. Дальнейшее увеличение доли аргона приводит к изменению ориентации получаемой пленки на (001) и ухудшению ее сверхпроводящих свойств из-за недостаточного насыщения кислородом.

4. Методом лазерного распыления проведен рост эпитаксиальных пленок Се02 на г-плоскости сапфира, исследованы свойства получаемых пленок в зависимости от условий осаждения. Впервые показана возможность получения пленок Се02 ориентации (111) или (001) изменением условий осаждения. Впервые экспериментально наблюдалась диффузия кислорода из Се02 в сверхпроводник при осаждении пленок YBa2Cu3Ox на слои Се02. Впервые определены продукты химического взаимодействия Се02 и YBa2Cu3Ox, наблюдаемого при увеличении температуры осаждения выше 800 °C.

5. Предложена и разработана методика изготовления гомоэпитаксиальной ступени в буферном слое Се02 с использованием микромаски из MgO, устойчивой при высокой температуре осаждения. На полученных ступенях изготовлены ВТСП джозефсоновские переходы, в которых наблюдался селективный детекторный отклик на воздействие сигнала миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн.

6. Разработаны основные этапы изготовления ВТСП торцевых переходов на основе эпитаксиальных гетероструктур YBa2Cu3Ox и Се02 с барьерными слоями PrBa2Cu3. xGaxOy и Nb: SrTi03. Проведено экспериментальное исследование и моделирование на ПЭВМ процесса ионно-лучевого травления гетероструктуры Ce02/YBa2Cu30x при различных углах падения ионного пучка. Получены ВТСП торцевые переходы с сопротивлением 2070 Ом и критическим током 50−100 мкА при температуре 4.2 К, наличие джозефсоновской связи в которых подтверждается появлением ступенек Шапиро при воздействии внешнего электромагнитного сигнала мм диапазона.

Список публикаций автора по теме диссертации.

1. П. Б. Можаев, А. Кюле, Г. А. Овсянников, И. JI. Сков, П. Бодин.

Получение высококачественных тонких пленок YBa2Cu3Ox на подложках NdGa03(110) методом лазерного распыления // Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника — 1995 — т. 8 — вып. 2-е. 288−294.

2. И. М. Котелянскнй, А. Д. Маштаков, П. Б. Можаев, Г. А. Овсянников, Ю. М. Дикаев Высокотемпературный джозефсоновский переход, сформированный на эпитаксиальной ступеньке из оксида церия в процессе роста на сапфировой подложке // Письма в ЖТФ — 1995 — т. 21 — вып. 20 -с. 47−50.

3. I. М. Kotelyanskii, A. D. Mashtakov, Р. В. Mozhaev, G. A. Ovsyannikov, Yu. М. Dikaev, D. Erts Non-etching high-Tc step-edge Josephson junction on sapphire substrate // Proceedings of EUCAS 1995 — IoP, Bristol, UK — 1995 — v. 2, pp. 1375−1378.

4. P. B. Mozhaev, G. A. Ovsyannikov, S. N. Polyakov, E. K. Kov ev Effect of DC-sputtering parameters on crystal quality and superconducting properties of YBa2Cu3Ox film on NdGa03 (110) substrate // Proceedings of EUCAS 1995 -IoP, Bristol, UK — 1995 — v. 2, p. 907−910.

5. P. B. Mozhaev, A. Kiihle, G. A. Ovsyannikov, J. L. Skov (ab)-plane anisotropic YBa2Cu3Ox thin films on NdGa03 (110) substrates // Proceedings of EUCAS 1995 — IoP, Bristol, UK — 1995 — v. 2, p. 883−886.

6. П. Б. Можаев, Г. А. Овсянников, С. H. Поляков, Э. К. Ковьев, Н. П. Кухта Структура и сверхпроводящие свойства пленок УВа2Си3Ох, выращенных на подложках NdGa03 (110) методом лазерного распыления на постоянном токе // Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника — 1996 -т. 9 — с. 304−311.

7. Р. В. Mozhaev, A. Kiihle, G. A. Ovsyannikov, J. L. Skov Pulsed laser deposition of high-Tc superconducting YBa2Cu3Ox thin films in Ar/02 atmosphere // Proceedings of LT-21, Czechoslovak Journal of Physics — 1996 — v. 46 -pp. 1519−1520.

8. А. Д. Маштаков, И. М. Котелянский, В. А. Лузанов, П. Б. Можаев, Г. А. Овсянников, И. Д. Бдикин О возможности образования ВаСеОз при осаждении пленок YBa2Cu307. x на поверхность оксида церия // Письма в ЖТФ — 1997 — т. 23 — вып. 19 — с. 8−13.

9. Р. В. Mozhaev, P. V. Komissinski, N. P. Kukhta, G. A. Ovsyannikov, J. L. Skov Comparison of high-pressure dc-sputtering and pulsed laser deposition of superconducting YBa2Cu3Ox thin films // Journal of Superconductivity — 1997 -v. 10-N3 — pp. 221−226.

10. P. B. Mozhaev, A. Kuhle, G. A. Ovsyannikov, J. L. Skov Structure and electrical properties of the YBa2Cu3Ox thin films prepared with pulsed laser deposition in Ar/02 atmosphere // Proceedings of EUCAS'97 — IoP Publishing Ltd., IoP Conference Series -1997 -N 158 — v. 1 — pp. 217−220.

11. A. D. Mashtakov, I. M. Kotelyanskii, V. A. Lusanov, P. B. Mozhaev, G. A. Ovsyannikov, I. D. Bdikin Temperature restriction for YBa2Cu30x thin film deposition on Ce02 buffer layer // Proceedings of EUCAS'97 -IoP Publishing Ltd., IoP Conference Series — 1997 — N 158 — v. 1 — pp. 229−232.

12. K. Y. Constantinian, P. B. Mozhaev, G. A. Ovsyannikov, J. Mygind, N. F. Pedersen Heterodyne Josephson mixing by YBCO double-junction step-edge structure // Proceedings of EUCAS'97 — IoP Publishing Ltd., IoP Conference Series — 1997 -N 158 — v. 1 — pp. 409−412.

13. G. A. Ovsyannikov, A. D. Mashtakov, P. B. Mozhaev, I. M. Kotelyanskii, K. Y. Constantinian, Z. G. Ivanov, D. Erts New technique in fabrication of high-Tc superconducting step-edge junction // ISEC'97 — 1997 — v.3 — pp.76−78.

Показать весь текст

Список литературы

  1. J.G. Bednorz, К.A. Muller, Z. Phys. В Condensed Matter, v. 64, pp. 189−193 (1986).
  2. M.K. Wu et al, Phys. Rev. Lett., v. 58, N 9, pp. 908−910 (1987).
  3. B.A. Hunter et al, Physica С, v. 221, pp. 1−10(1993).
  4. JI.A. Клинкова, Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника, т. 6, № 4, с. 855−872 (1993).
  5. Ch. Park, R.L. Snyder, J. Am. Ceram. Soc, v. 78, N 12, pp. 3171−3194 (1995).
  6. R. Kleiner, P. Muller, Phys. Rev. B, v. 49, pp. 1327−1335 (1994). Е. И. Кац, ЖЭТФ, т. 56, 1675−1686 (1969).
  7. И.Э. Грабой, А. Р. Кауль, Ю. Г. Метлин, «Химия твердого тела» (Итоги науки и техники ВИНИТИ АН СССР), вып. 6, с. 3−142 (1989).
  8. С. Namgung et al., Supercond. Sei. Technol., v. 1, pp. 169−172 (1988).
  9. M. Tinkham, Physica C, v. 235−240, pp. 3−8 (1994)
  10. H.J. Scheel, MRS Bulletin, v. XIX, N 9, pp. 26−32 (1994).
  11. R. Feenstra et al., J. Appl. Phys., v. 69, N 9, pp. 6569−6585 (1991).
  12. T.B. Lindemer et al, J. Am. Ceram. Soc., v. 72, N 10, pp. 1775−1788 (1989).
  13. J.L. Routbort, S.J. Rothman, J. Appl. Phys., v. 76, N 10, pp. 5615−5628 (1994). J.D. Jorgensen et al, Phys. Rev. В, v. 41, N 4, pp. 1863−1877 (1990).
  14. X. Zhang, K.W. Yip, C.K. Ong, Physica С, v. 241, pp. 329−335 (1995). C.T. Cheung, E. Ruckenstein, J. Mater. Res., v. 4, N 1, pp. 1−15 (1989).
  15. M. Badaye etal, Supercond. Sei. Technol., v. 10, N 11, pp. 825−830 (1997). J.L. MacManus-Driscoll, Advanced Materials, v. 9, N 6, pp. 457−473 (1997).
  16. V. Matijasevic, I. Bozovic, Sol. St. and Mat. Sei., v. 1, pp. 1−10 (1996).
  17. U. Poppe et al, J. Appl. Phys., v. 71, N 11, pp. 5572−5578 (1992).
  18. N. Terada et al., Jpn. J. Appl. Phys., v. 27, N 4, pp. L639-L642 (1988).
  19. R. Chandra, A. Gupta, V. Kumar, Ind. J. Pure Appl. Phys., v. 32, pp. 133−146 (1994).
  20. N. Savvides, A. Katsaros, Appl. Phys. Lett., v. 62, N 5, pp. 528−530 (1993).
  21. M. Leskela et al., L Vac. Sei. Technol. A, v. 7, N 6, pp. 3147−3171 (1989).
  22. A. Kawabata et al, IEICE Trans. Electron., v. E76-C, N 8, pp. 1236−1239 (1993).
  23. H. Chou et al., Appl. Phys. Lett., v. 68, N 19, pp. 2741−2743 (1996).
  24. D. Girata et al, Sol. St. Comm., v. 90, N 9, pp. 539−542 (1994).
  25. B. Dam et al, Appl. Phys. Lett., v. 65, N 12, pp. 1581−1583 (1994).
  26. X.Y. Li et al, Physica C, v. 248, pp. 281−289 (1995).
  27. B. Holzapfel et al, Appl. Phys. Lett., v. 61, N 26, pp. 3178−3180 (1992).
  28. E.V. Pechen et al, Appl. Phys. Lett, v. 66, N 17, pp. 2292−2294 (1995).
  29. K. Kinoshita, H. Ishibashi, T. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., v. 33, pp. L417-L420 (1994).
  30. Y. Nakata et al., Appl. Phys. Lett., v. 66, N 23, pp. 3206−3208 (1995).
  31. Q.L. Wang et al., ASC'98, report MOC-1, препринт (отправлено в Appl. Phys. Lett, 1998)
  32. Z. Trajanovich et al., Appl. Phys. Lett, v. 66, N 18, pp. 2418−2420 (1995).
  33. R. Guo et al, J. Mater. Res, v. 9, N 7, pp. 1644−1656 (1994).
  34. T. Venkatesan etal., J. Appl. Phys, v. 63, N 9, pp. 4591−4598 (1988).
  35. N. Savvides, A. Katsaros, Physica C, v. 226, pp. 23−36 (1994).
  36. M. Ece et al, J. Appl. Phys, v. 77, No 4, pp. 1646−1653 (1995).
  37. T. Scherer et al, Physica C, v. 197, pp. 79−84 (1992).
  38. K.H. Young, G.V. Negrete, J.Z. Sun, Jpn. J. Appl. Phys, v. 30, N 8A, pp. L1355-L1358 (1991).
  39. A.L. Vasiliev et al, Physica C, v. 244, pp. 373−388 (1995).
  40. M. Maul et al, Physica B, v. 194−196, pp. 2285−2286 (1994).
  41. M.W. Denhoff, J.P. McCaffrey, J. Appl. Phys, v. 70, N 7, pp. 3986−3988 (1991). A.G. Zaitsev, R. Kutzner, R. Wordenweber, Appl. Phys. Lett, v. 67, N 18, pp. 2723−2725 (1995).
  42. S.W. Filipczuk, Physica C, v. 173, N 1−2, pp. 1−8 (1991).
  43. G.L. Scofronick et al, J. Mater. Res, v. 8, N 11, pp. 2785−2798 (1993).
  44. U. Jeschke, et al, Physica C, v. 243, pp. 243−251 (1995).
  45. F. Vassenden, G. Linker, J. Geerk, Physica C, v. 175, pp. 566−572 (1991).
  46. J. Burger et al, Appl. Phys. A, v. A58, pp. 49−56 (1994).
  47. D. Huttner et al., Appl. Phys. Lett, v. 65, N 22, pp. 2836−2866 (1994).
  48. M. Mukaida, Sh. Miyazawa, M. Sasaura, Jpn. J. Appl. Phys, v. 30, N 8B, pp. L1474-L1476 (1991).
  49. M. Grant Norton et al., J. Cryst. Growth, v. 114, pp. 258−263 (1991).
  50. Ю.А. Бойков и др., ФТТ, т. 37, N 3, с. 880−893 (1995).
  51. М. Kawasaki, M. Nantoh, MRS Bulletin, v. XIX, N 9, pp. 33−38 (1994).
  52. J.W. Seo et al, Physica С, v. 225, pp. 158−166 (1994).
  53. J.P. Zheng et al., J. Appl. Phys, v. 70, N 11, pp. 7167−7169 (1991).
  54. Yu.Ya. Divin et al, Physica С, v. 235−240, pp. 675−676 (1994).
  55. С. Jia et al, Physica С, v. 196, pp. 211−221 (1992).
  56. X.L. Lei, J. Phys. D: Sol. St. Phys, v. 21, pp. L83-L88 (1988).
  57. J.P. Gong et al., Phys. Rev. В, v. 50, N 5, pp. 3280−3287 (1994).
  58. G. Ockenfuss et al., Physica С, v. 243, pp. 24−28 (1995).
  59. V. Boffa et al., Physica С, v. 276, N 3−4, pp. 218−224 (1997).
  60. В.П. Саныгин, O.B. Шебершнева, В. Б. Лазарев, Неорг. матер, v. 30, N 11, стр. 1461−1467 (1994).
  61. В.П. Саныгин, О. В. Шебершнева, В. Б. Лазарев, Неорг. матер, v. 30, N 11, стр. 1468−1473 (1994).
  62. D. Bhatt, Physica С, v. 222, pp. 283−296 (1994).
  63. S. Proyer et al, Physica C, v. 257, pp. 1−15 (1996).
  64. K. Verbist, A. Kuhle, A.L. Vasiliev, Physica C, v. 269, pp. 131−138 (1996).
  65. P. Lu et al, Appl. Phys. Lett, v. 60, pp. 1265−1267 (1992).
  66. H.U. Habermeier et al, Physica C, v. 180, pp. 17−25 (1991).
  67. N.G. Chew et al, Appl. Phys. Lett, v. 57, N 19, pp. 2016−2018 (1990).
  68. A. Catana etal., Appl. Phys. Lett, v. 63, pp. 553−555 (1993).
  69. A.I. Braginslci, Bull. Polish Acad. Sei, Technical Sciences, v. 45, N 1, pp. 57−96 (1997).
  70. S. Pagano, A. Barone, IoP Conf. Series, N 158, pp. 457−462 (1997).
  71. Л.П. Горьков, Н. Б. Копнин, УФН, т. 156, N 1, pp. 117−135 (1988). Yu.M. Boguslavskij et al, Physica С, v. 194, pp. 268−276 (1992).
  72. G. Friedl et al., Appl. Phys. Lett., v. 59, pp. 2751−2755 (1991).
  73. J. Z. Sun et al., Appl. Phys. Lett., v. 63, N 11, pp. 1561−1563 (1993). J.A. Edwards et al., Appl. Phys. Lett., v. 60, N 19, pp. 2433−2435 (1992).
  74. G. M. Fischer et al., Physica В, v. 194−196, pp. 1687−1688 (1994). C.L. Lin et al., Physica С, v. 269, pp. 291−296 (1996)
  75. A.V. Andreev et al, Physica С, v. 226, pp. 17−22 (1994).
  76. L.V. Filippenko et al., IEEE Trans. Magn., v. 27, pp. 2464−2471 (1991). A. Schattlce et al, lo? Conf. Series, N 158, pp. 583−586 (1997):
  77. J. G. Wen et al, Physica С, v. 255, N 3−4, pp. 293−305 (1995). v K. Char, L. Antognazza, Т.Н. Geballe, Appl. Phys. Lett., v. 65, N 7, pp. 904−906 (1994).
  78. M.I. Faley et al, Physica С, v. 235−240, pp. 591−592 (1994).
  79. M.D. Strikovskiy, A. Engelhardt, Appl. Phys. Lett., v. 69, N19, pp. 2918−29 201 996).
  80. G. Koren et al., Physica С, v. 221, pp. 157−160 (1994).
  81. M.I. Faley et al, Appl. Phys. Lett., v. 63, N 15, pp. 2138−2140 (1993).
  82. G.J. Gerritsma et al., IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 7, N 2, pt. 3, pp. 2987−2992(1997).
  83. H. Sato et al, Jpn. J. Appl. Phys., Pt. 2, v. 35, N ЗА, pp. L311−313 (1996).
  84. D.J. van Harlingen, Rew. Mod. Phys., v. 67, N 2, 1995, pp. 515−535.
  85. D.H.A. Blank et al., IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 7, N 2, pt. 3, pp. 3323−33 261 997).
  86. C. Horstmann et al, IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 7, N 2, pt. 3, pp. 2844−2847 (1997).
  87. K. Char, MRS Bulletin, v. XIX, N 9, pp. 51−55 (1994).
  88. B. Moeckly, K. Char, Physica C, v. 265, pp. 283−294 (1996).
  89. G.J. Gerritsma et al, Epitaxial Oxide Thin Films II. Symposium. Mater. Res. Soc, Pittsburgh, PA, USA- 1996- xv+562 pp., pp. 287−296.
  90. M.A.J. Veerhoeven et al, Appl. Phys. Lett, v. 69, N 6, pp. 848−850 (1996). H. Myoren et al., IEEE Trans, on Supercond, v. 8, N 3, pp. 132−136 (1998).
  91. L. Antognazza et al., Phys. Rev. B, v. 51, N 13, pp. 8560−8563 (1995).
  92. G. Koren et al., Physica С, v. 225, pp. 21−24 (1994).
  93. K. Verbist et al, Appl. Phys. Lett, v. 70, N 9, pp. 1−3 (1997).
  94. J.J. Kingston etal., Appl. Phys. Lett, v. 56, N 2, pp. 189−191 (1990).
  95. D. Grundier et al, Appl. Phys. Lett, v. 65, N 14, pp. 1841−1844 (1994).
  96. S. Rozeveld, K.L. Merkle, K. Char, Physica C, v. 252, pp. 348−360 (1995).
  97. H. Sato et al, Proceedings of EUCAS'95, IoP Conf. Series, N 148, v. 2, pp. 927 930 (1995).
  98. M.A.A.M. van Wijck etal, Appl. Phys. Lett, v. 68, N 4, pp. 553−555 (1996).
  99. J.W. Ekin et al, Appl. Phys. Lett, v. 52, pp. 1819−1821 (1988).
  100. Q.X. Jia, Appl. Phys. Lett, v. 71, N 12, pp. 1721−1723 (1997)
  101. В.И. Иванов, П. Б. Можаев, Физика и химия обработки материалов, т. 23, вып. 6, с. 12−15 (1989).
  102. S.J. Berkovitz etal, Appl. Phys. Lett, v. 65, N 12, pp. 1587−1589 (1994)
  103. Дж. Грауер, Оптические системы связи, M, Радио и Связь, 1989, 501 стр. Оптическая голография, п/р Г. Колфилда, Москва, Мир, 1982, т.1, 376 стр.
  104. D. Goldschmidt, Y. Eckstein, Physica С, v. 200, pp. 99−104 (1992).
  105. R. Gagnon, C. Lupien, L. Taillefer, Phys. Rev. B, v. 50, N 5, pp. 3458−3461 (1994).
  106. H.C. Montgomeri, J. Appl. Phys, v. 42, N 7, pp. 2971−2975 (1971).
  107. M.S. Raven etal, Supercond. Sei. Technol, v. 7, pp. 462−469 (1994).
  108. B.C. Фоменко, Эмиссионные свойства материалов, Киев, Наукова Думка, 1981,339 стр.
  109. А. Kuhle et al, Appl. Phys. Lett, v. 64, N 23, pp. 3178−3180 (1994).
  110. M. Badaye, K. Fukushima, T. Morishita, J. Mater .Res, v. 11, N 5, pp. 1072−1075 (1996).
  111. Yijie, K. Tanabe, J. Appl. Phys, v. 83, N 12, pp. 7744−7752 (1998).
  112. D.H.A. Blank et al, Proc. of Workshop on HTS JJ and 3-Term. Devices, Univ. Twente, The Netherlands, pp. 116−119 (1994).
  113. E.K. Гольман и др., Письма в ЖТФ, v. 18, N23−24, pp. 53−55 (1992). Бойков Ю. А., частное сообщение, 1996.
  114. I.M. Kotelyanskii et al, Thin-Solid-Films, v. 280, N 1−2, pp. 163−166 (1996).
  115. S.C. Tidrow et al., J. Mater. Res., v. 10, N 7, pp. 1622−1634 (1995).
  116. F. Miletto Granozio et al., Physica С, v. 271, pp. 83−93 (1996).
  117. У. Моро, Микролитография, Москва, Мир, 1990, в двух частях, 605стр + 632 стр.
  118. R. Aguiar, Thin-Solid-Films, v. 306, N 1, pp. 74−77 (1997).
  119. K.K. Лихарев, Б. Т. Ульрих, «Системы с джозефсоновскими контактами», препринт, Изд-во МГУ, Москва, 1976, 213 стр. с рис.
  120. H. Gokan, S. Esho, J. Vac. Sei. TechnoL, v. 18, N 1, pp. 23−27 (1981).
  121. S. Somekh, J. Vac. Sei. Technol., v. 13, N 5, pp. 1003−1007 (1976). R.E. Lee, J. Vac. Sei. Technol., v. 16, N 2, pp. 164−170 (1979).
  122. O.I. Lebedev etal, Physica C, v. 198, pp. 278−286 (1992).
  123. Автор благодарен сотрудникам лаборатории Вакуумной техники МИРЭА и лаборатории Криоэлектроники НИИЯФ МГУ, за время работы в которых он многому научился. Автор глубоко признателен профессору A.C. Сигову за его участие и полезные советы.
  124. Автор выражает благодарность всем, кто в разное время оказывал ему помощь в выполнении этой работы.
  125. Наконец, автор выражает глубокую благодарность Юлии Можаевой за постоянную поддержку. Автор благодарит также всех своих родных, с пониманием отнесшихся к его научным интересам.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!