Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние дислокаций на рассеяние ИК излучения в кристаллах германия

Диссертация: Влияние дислокаций на рассеяние ИК излучения в кристаллах германия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Изучением протяженных дефектов, в частности дислокаций, в полупроводниках занимались интенсивно и плодотворно в 60−80 годах прошедшего столетия, опубликовано значительное число работ. На этом этапе были установлены основные свойства «чистых» дислокаций (т.е. дислокаций, почти не содержащих атомов примесей). Обнаружили, что в Si и Ge с бездефектными, прямолинейными отрезками дислокаций связаны… Читать ещё >

Влияние дислокаций на рассеяние ИК излучения в кристаллах германия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. f ВВЕДЕНИЕ
  • 1. ДИСЛОКАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ
    • 1. 1. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ
      • 1. 1. 1. КЛАССИФИКАЦИЯ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ
      • 1. 1. 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СИЛЫ ПРИ
  • ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИИ И МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ
    • 1. 1. 3. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ГРУПП СИММЕТРИИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЙ СИЛЫ И КЛАССА КРИСТАЛЛА ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ДИСЛОКАЦИЙ
    • 1. 2. РОЛЬ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
    • 1. 2. 1. ПРИЧИНЫ ИЗМЕНЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ ПРИ
  • ОБРАЗОВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ
    • 1. 2. 2. ОБРАЗОВАНИЕ ДВУМЕРНЫХ И ТРЕХМЕРНЫХ ДЕФЕКТОВ
    • 1. 2. 3. НАПРЯЖЕНИЯ И ДИСЛОКАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ, ВЫРАЩИВАЕМЫХ ИЗ РАСПЛАВА
    • 1. 2. 4. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ В КРИСТАЛЛАХ
  • ВЫВОДЫ
    • 2. НАПРЯЖЕНИЯ И ДИСЛОКАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ, ИМЕЮЩИХ ^ ФОРМУ ДИСКА
    • 2. 1. ТЕРМОУПРУГИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ, ВЫРАЩИВАЕМЫХ В ФОРМЕ ДИСКА
    • 2. 2. ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ АНОМАЛИЙ В ГЕРМАНИИ ОПТИЧЕСКИМИ И РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫМИ МЕТОДАМИ
    • 2. 2. 1. ПОСТРОЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ МОДУЛЯ ЮНГА
    • 2. 2. 2. ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ АНОМАЛИЙ
    • 2. 3. ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ИК ОПТИКЕ
    • 2. 3. 1. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ
    • 2. 3. 2. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В ГЕРМАНИИ
    • 2. 3. 3. МАЛОУГЛОВЫЕ ГРАНИЦЫ В ГЕРМАНИИ
    • 2. 3. 4. ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА
  • ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОКРИСТАЛЛОВ
    • 2. 3. 5. ВОЗНИКНОВЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В БЕЗДИСЛОКАЦИОННОМ ГЕРМАНИИ
  • ВЫВОДЫ
    • 3. РАССЕЯНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ГЕРМАНИИ
    • 3. 1. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ И ПРИМЕСНОГО СОСТАВА НА ОПТИЧЕСКОЕ ПРОПУСКАНИЕ ГЕРМАНИЯ В ИК ДИАПАЗОНЕ
    • 3. 2. РАССЕЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ МАТЕРИАЛАМИ
    • 3. 2. 1. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РАССЕЯНИЯ
    • 3. 2. 2. ИССЛЕДОВАНИЯ РАССЕЯНИЯ СВЕТА В КРИСТАЛЛАХ ЛАЗЕРНЫМ МЕТОДОМ
    • 3. 2. 3. АНАЛИЗ ПРИЧИН РАССЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ
    • 3. 3. РАССЕЯНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ГЕРМАНИИ
    • 3. 3. 1. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ
      • 3. 3. 1. 1. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ
      • 2. 3. 1. 2. СПЕКТРОФОТОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД
      • 3. 3. 1. 3. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЙ ФУНКЦИЙ РАССЕЯНИЯ ЛИНИИ (ФРЛ)
      • 2. 3. 1. 4. МЕТОД ФОТОМЕТРИЧЕСКОГО ШАРА
      • 2. 3. 2. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • ВЫВОДЫ

Актуальность темы

Кристаллический германий (монои поликристаллы) широко применяется в качестве оптического материала для линз и входных окон тепловизионных систем инфракрасной (ИК) техники. Функции этих систем включают регистрацию и обнаружение объектов, сбор информации, аэрои космическую навигацию, теплопеленгацию и т. д. Преимуществом систем тепловидения по сравнению с другими пассивными электронно-оптическими системами изображения является их способность работать в любое время суток в неблагоприятных погодных условиях. Для эффективного применения приборов тепловидения необходимо учитывать характеристики оптических материалов. Требуются оптически совершенные образцы с минимальными световыми потерями, минимальным рассеянием ИК излучения и максимальной оптической однородностью, работающие в диапазоне длин волн 2,5−14 мкм.

Применение германия для изготовления оптических элементов инфракрасной техники обусловливает необходимость детального изучения влияния на оптические свойства — в частности, на рассеяние — дефектов кристаллической решетки материала (прежде всего дислокаций и малоугловых границ), а также внутренних напряжений в кристаллах. Рассеяние ИК излучения в германии является причиной уменьшения контраста изображения и может приводить к существенному ослаблению светового потока. Кроме того, для высококачественных монокристаллов германия величина рассеяния в области прозрачности сопоставима с поглощением, а для коротковолновых участков диапазонов прозрачностивблизи краев фундаментального поглощения — может даже превосходить поглощение. Дислокационные дефекты типа малоугловых границ значительно снижают структурное совершенство монокристаллов, что делает невозможным еще одно важное применение германия — изготовление на его основе подложек радиационностойких фотоэлектрических преобразователей, к.

К" где необходимы малодислокационные монокристаллы без линейных структурных дефектов.

Состояние проблемы Несмотря на существенные успехи в области получения кристаллического германия для ИК техники, остается ряд неизученных или недостаточно рассмотренных вопросов.

Изучением протяженных дефектов, в частности дислокаций, в полупроводниках занимались интенсивно и плодотворно в 60−80 годах прошедшего столетия, опубликовано значительное число работ. На этом этапе были установлены основные свойства «чистых» дислокаций (т.е. дислокаций, почти не содержащих атомов примесей). Обнаружили, что в Si и Ge с бездефектными, прямолинейными отрезками дислокаций связаны одномерные электронные зоны, ответственные за ряд интересных физических эффектов. Фактически научились получать бездислокационный кремний и избегать генерации дислокаций в процессе технологических операций. Новая волна интереса изучения дислокаций определяется несколькими причинами, основные из них: в ряде случаев дислокации в кристаллах необходимыматериал с наличием дефектов (в том числе и дислокациями) может быть существенно более дешевым в производстве, обладая относительно высокими техническими параметрами (свойствами).

Проведенные теоретические разработки не смогли достаточным образом описать реальную дислокационную структуру монокристаллов: нет однозначной количественной связи напряжений и плотности дислокаций, не достаточно определена взаимосвязь влияния температурных градиентовосевого и радиального — на дислокационную структуру, почти не рассмотрено влияние температурной обработки на дислокации и дислокационные дефекты. Кроме того, развитие дислокационной структуры изучалось в основном для одного метода выращивания кристаллов — метода Чохральского. Создание новых технологий и совершенствование известных привело к существенному повышению структурного качества кристаллов, увеличению размеров выращиваемых слитков. Возникают новые применения материала с новыми свойствами. Все в целом ставит проблему изучения дислокаций и дислокационной структуры, их влияния на свойства в германии на новый уровень.

Оптические свойства германия — обычно пропускание в ИЬС диапазонеоценивают по величине коэффициента ослабления с использованием спектрофотометрических методов. При этом влиянием такого важного процесса взаимодействия света с кристаллами, как рассеяние, обычно пренебрегают, считая его сравнительно малым. Экспериментальных данных по рассеянию в германии крайне малонет сведений о влиянии на интенсивность рассеяния типичных для германия дефектов: дислокаций, малоугловых границ и линий скольжения, скоплений примеси и т. д. Теория рассеяния света в кристаллах полупроводников по существу практически отсутствует.

Цель работы. Целью данной работы являлось исследование условий возникновения термоупругих напряжений, дислокаций и дислокационных дефектов в монокристаллах германияизучение рассеяния инфракрасного излучения кристаллами германия, применяемыми в ИК оптике. В связи с этим были поставлены следующие основные задачи: анализ условий возникновения термоупругих напряжений в монокристаллах, расчет термоупругих напряжений в монокристаллах германия, имеющих форму дискаисследование дислокационной структуры и влияние высокотемпературного отжига на дислокационную структуру монокристаллов германия, применяемых в ИК оптикесоздание методик определения рассеяния в германии, изучение влияния на рассеяние структурных дефектов материала, примесей, высокотемпературной обработки.

Объект исследований и методика эксперимента. Объектом исследования являлся кристаллический германий (монои поликристаллы) применяемые в качестве заготовок для изготовления оптических деталей проходной инфракрасной техники. Кристаллы получали методами Чохральского, Степанова и методом направленной кристаллизации (разработанным в ТвГУ). Исследовались также монокристаллы германия, выращенные модифицированным методом Степанова, полученные на Запорожском титано-магниевом комбинате (Украина).

При выполнении работы использовались: методики выявления дислокаций путем селективного химического травленияопределения величины плотности дислокаций и дислокационной структуры на оптическом микроскопеметодика определения удельного сопротивления германия четырехзондовым методомметодики определения величины рассеяния спектрофотометрическим методом и методом с использованием фотометрического шараметод Дебая-Шеррера для проведения рентгеноструктурных исследований монокристаллического германия. Изучение рассеяния с использованием фотометрического шара проводилось в лаборатории ВНЦ 'ТОЙ им. С.И.Вавилова" (г.С.Петербург) — рентгеноструктурные исследования — на кафедре магнетизма ТвГУ.

Научная новизна. В результате проведения исследований получены следующие новые научные результаты:

1. Для кристаллов германия, выращиваемых в форме диска методом направленной кристаллизации, получены теоретические зависимости термоупругих напряжений, возникающих при выращивании слитковэкспериментально исследована дислокационная структура крупногабаритных монокристаллов, удовлетворительно коррелирующая с распределением термоупругих напряжений.

2. Обнаружено проявление дислокационного течения в германии (в диапазоне температур 900−920 °С), проявляющееся в виде «треков», ориентированных в направлении температурного градиента. Показана зависимость движения дислокаций в градиентном температурном поленаблюдается перемещение дислокаций в направлении градиента температур. Показано влияние температуры, времени отжига на перераспределение дислокаций и дислокационных дефектов в оптическом германии.

3. Разработаны методики исследования рассеяния ИК излучения в германии. Установлено, что рассеяние в германии определяется взаимосвязью механических, физических и физико-химических свойств материала и, в конечном итоге, обусловлено наличием термоупругих напряжений, примесной неоднородностью и структурными дефектами в кристаллах. Рассеяние света носит ярко выраженный малоугловой характер — основная часть рассеянного потока сосредоточена в конусе с углом раствора менее 4° и соответствуют рассеянию Ми, при котором длины волн света близки к размерам рассеивающих неоднородностей.

Положения, выносимые на защиту: дислокационная структура выращиваемых в форме дисков монокристаллов германия удовлетворительно коррелирует с рассчитанным для модели тонкого диска полем термоупругих напряженийвысокотемпературный отжиг приводит к существенному перераспределению дислокаций в монокристаллах германия: изменению общей плотности дислокаций, изменению характера распределения малоугловых границ, возникновению дислокационных линий скольженияисследования рассеяния ИК излучения в кристаллическом германии с использованием разработанных методик показывают, что в германии присутствует рассеяние Ми, величина которого определяется структурой материала и наличием электроактивных примесей.

Практическая значимость. Полученные в работе данные по распределению термоупругих напряжений, величины плотности дислокаций, влиянии высокотемпературного отжига могут быть использованы для развития теоретических представлений о возникновении и развитии дислокационной структуры в монокристаллах и при совершенствовании технологий выращиваниярезультаты оптических исследований позволяют прогнозировать свойства выращиваемых кристалловметодики исследования рассеяния могут применяться в производственных условияхполученные результаты позволили существенно улучшить технологические методы, применяемые для получения крупногабаритных монокристаллов германия, используемых в ИК техникеисследования по теме диссертации выполнялись в соответствии с научной программой Министерства образования и науки РФ «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (код 1.3.3.5).

Апробация результатов. Основные материалы диссертации были представлены на X и XI Национальных конференциях по росту кристаллов (НКРК 2002, НКРК 2004; Москва) — международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения» (Тверь, 2002) — VI международной конференции «Прикладная оптика» (С.Петербург, 2004) — 14 международной конференции по росту кристаллов (ICCG 14, 2004, Гренобль) — 22 европейском кристаллографическом совещании (ЕСМ 22, 2004, Будапешт) — III.

Международной научно-технической школе-конференции «Молодые ученые» (Москва, 2005).

Личный вклад автора. По материалам диссертации автором опубликовано восемь печатных работ. Результаты, представленные в диссертации, получены лично автором и совместно с сотрудниками кафедры прикладной физики Тверского государственного университета.

Структура и объем диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитированной литературы. Работа изложена настраницах машинописного текста, содержит 65 рисунков. 1 таблицу. Список используемой литературы содержит 149 наименований.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Рассмотрены виды дефектов и возможное взаимодействие дефектов в кристаллической структуре германия. Показаны симметрийные аспекты взаимодействий и вкладов термодинамических сил при росте кристаллов из расплава для дислокационного (пластического) течения. Подтверждено, что основной источник дислокаций при росте кристаллов — пластическая деформация в области фронта кристаллизации, происходящая из-за термоупругих напряжений, в свою очередь, возникающих за счет градиентов температур. Существенную роль при этом играет распределение температуры кристаллу, влияющее на динамику перемещения, коагуляции, концентрации дислокаций, а также конденсации дислокаций разных знаков.

2. Проанализировано возникновение термоупругих напряженней при выращивании монокристаллав из расплава. Отмечено, что при решении практических задач отработки технологических режимов получения совершенных монокристаллов весьма конструктивным оказывается подход к анализу условий формирования дислокационной структуры, основанный на сопоставлении расчетных термоупругих напряжений в слитке с экспериментально определенными критическими напряжениями образования дислокаций. Для германия распределение дислокаций в поперечном сечении кристаллов определяется распределением касательных термических напряжений в активных системах скольжения, а плотность дислокаций в кристалле соответствует остаточной деформации, связанной с критическими значениями термоупругих напряжений.

3. Теоретически рассмотрено возникновение термоупругих напряжений в монокристаллах, имеющих форму диска, выращиваемых из расплава методом направленной кристаллизвции. Получены зависимости, связывающие напряжения с температурными и кинематическими условиями процесса кристаллизации.

4. Экспериментально исследована дислокационная структура крупногабаритных монокристаллов германия (диаметром до 270 мм), выращенных методами направленной кристаллизации и способом выращивания с применением формообразующих устройств (модифицированным способом Степанова). Полученные экспериментальные данные по величине плотности дислокаций и распределению дислокаций по кристаллам удовлетворительно согласуются с теоретически рассчитанным полем термоупругих напряжений.

5. Методом Дебая-Шеррера исследованы образцы германия в областях с различной степенью нарушения структуры кристаллической решетки. Зафиксированы существенные искажения структуры, соответствующие о остаточным напряжениям порядка (1,7−5,0)-10 Па. Показано, что высокотемпературный отжиг приводит к снижению напряжений примерно в 1,2−1,3 раза. Максимальные оптические аномалии зафиксированы в областях с максимальной плотностью дислокаций и малоугловых границ.

6. Оценена скорость движения дислокаций в германии при высокотемпературной обработке в градиентном температурном поле (равная 0,22−0,30 мкм-с" 1 в температурном диапазоне 1150−1195 К и градиенте температур 800 К-м'1). Обнаружены треки, оставляемые движущимися дислокациями на поверхности исследованных образцов. Показано влияние термического отжига на количество и распределение малоугловых границ в германии.

7. Проведено сравнение двух механизмов движения дислокаций в монокристаллах. Перемещение дислокаций при отжиге в поле градиента температур происходит с малыми скоростями (0,22−0,30 мкм-с" 1). В этом случае дислокации перемещаются в результате диффузии вещества. Показано, что в градиентном температурном поле в германии наблюдается радиальное движение дислокаций и движение дислокаций в направлении градиента температуры. Распростанение дислокаций при резком искажении фронта кристаллизации в процессе роста происходит с большими скоростями и может быть рассмотрено как неконсервативный процесс, т. е. скольжение без переноса вещества. Скорость распространения дислокаций сопоставима со скоростями генерирующихся на фронте кристаллизации волн пластической деформации.

8. Детально исследовано рассеяние инфракрасного излучения в кристаллах германия, применяемых для изготовления деталей оптических устройствдоля рассеянного излучения в монокристаллах может достигать 20 и более %- поликристаллы германия рассеивают свет в несколько раз интенсивнее, чем монокристаллы. Соответствующие потерям коэффициенты рассеяния Op Ge — от 10″ 3 см'1 до 10*1 см" 1 — входящие в коэффициенты ослабления (экстинкции) света, во многих образцах соизмеримы с самими коэффициентами экстинкции.

9. Представлены и использованы для изучения рассеяния спектрофотометрический метод, метод фотометрического шара и метод измерения функций рассеяния линии. Измерения рассеяния излучения в монокристаллах германия в диапазонах длин волн 2,5 — 20 мкм показали, что в этом диапазоне имеет место малоугловое рассеяние Ми. При этом до 99% конуса рассеянного света находится под углом (в кристаллах) к оси первичного пучка, не превышающим 4°. Показано, что рассеяние ИК излучения в германии связано с возникновением термоупругих напряжений, примесной неоднородностью и структурными дефектами в кристаллах. Максимальное рассеяние наблюдается в легированных сурьмой монокристаллах при наличии большого количества структурных дефектов (малоугловые границы, поликристаллические включения, блочная структура) и легированных поликристаллах. Размеры рассеивающих неоднородностей близки к длинам волн излучения и лежат в пределах 6−9 мкм, средние расстояния между неоднородностями составляют 70−100 мкм. Предположительно рассеивающие неоднородности в германии представляют собой кислородные облака, активируемые быстродиффундирующей примесью (сурьмой).

I 0.

10. Отжиг кристаллов германия при температуре 790−880 С в течение 14−28 часов приводит к снижению интенсивности рассения света в несколько раз. Это свидетельствует об изменении размеров и формы неоднородностей, а также о возможном их распаде. Снижение величины рассеяния может быть предположительно обусловленно диссоциацией комплексов кислорода с сурьмой при термообработке (с удалением сурьмы из примесного облака) при увеличении размеров кислородных облаков из-за диффузии кислорода. Jl 1. Полученные результаты указавают на возможные пути снижения световых потерь, связанных с рассеянием. Это — длительный высокотемпературный отжиг, применение сверхчистого исходного сырья, и, в первую очередьсовершенствование технологий выращивания германия. Предложена методика регулирования кривизны фронта кристаллизации изменением скорости вращения монокристалла, уточнены приемы введения легирующей примеси.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А., Гнваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. и др. Современная кристаллография // Структура кристаллов. — Т.2. — М.: Наука, 1979. — 356 с.
  2. Ю.М. Управление дефектностью кристаллов, растущих из расплава // Физика кристаллизации.- Калинин: КГУ, 1986. С. 19−36.
  3. Ю.М., Каплунов И. А., Долматов А. Б. Симметрийно-термодинамический подход к анализу дислокационного течения при росте кристаллов//Физика кристаллизации. -Тверь: ТвГУ, 2002. С.129−131.
  4. Ю.М., Каплунов И. А., Долматов А. Б. Симметрийно-термодинамический подход к анализу дислокационного течения при росте кристаллов // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ, 2002. — С.129−131.
  5. Ю.М. Внутренняя морфология кристаллов // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ, 1982. — С.63−66.
  6. Ю.М. Актуальные проблемы кристаллографии. Тверь: ТвГУ, 1998. — С.37
  7. Ю.М., Романенко В. Н. Влияние кривизны фронта кристаллизации на плотность дислокаций в монокристаллах германия // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1973. — Т.9. — № 12. — С. 22 202 221.
  8. Ю.М. Выращивание бездислокационных монокристаллов германия // Цветные металлы. 1977. — № 5. — С. 48−49.
  9. Dew-Hughes D. Dislocations and Plastic Flow in Germanium // JBM Journal. -Okt. 1961. P.279−286.
  10. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в полупроводниках. М.: Металлургия. 1984, — С.384
  11. В.Л., Житомирский И. С., Чебанова Т. С. Внутренние напряжения, возникающие при выращивании кристаллов в стационарном режиме // Кристаллография. 1973. -Т. 18. — вып.1. — С.39−47.
  12. М.Г., Смирнов В. А., Старшинова П. В., Щелкин Ю. Ф. К анализу тепловых условий выращивания монокристаллов методом Чохральского // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1976. — Т.40. — № 7. — С. 14 441 451.
  13. М.Г., Освенский В. Б., Шифрин С. С. Изучение формирования дислокационной структуры монокристаллов полупроводников при выращивании из расплава. Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975. — 4.1. — С.90−104.
  14. С.С., Гончаров А. Г., Русин А. П., Щелкин Ю. Ф. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977. — Ч.1.-С.169−173.
  15. П.И., Галактионов Е. В., Крымов В. Н., Троин Э. А. Термонапряжения в монокристаллах германия круглого сечения, выращиваемых по способу Степанова // Изв. АН СССР. Сер.физическая. -1976. Т.40. — № 7. — С.1414−1417.
  16. В.Л., Каганер В. Н., Фролов А. Г. Разделение вклада различных эффектов, определяющих величину и распределение напряжений в кристаллах, выращиваемых из расплава // Изв. АН СССР. Сер.физическая. -1983. Т.47. — № 2. — С.254−260.
  17. В.Л. Напряжения и дислокации при росте кристаллов // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1973. — Т.37. -№ 11.- С.2258−2267.
  18. В.Л., Освенский В. Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов. Рост кристаллов. М: Наука, 1980. — Т.13. — С.240−251.
  19. М.Г., Освенский В. Б. Получение совершенных монокристаллов. Проблемы современной кристаллографии. М.: Наука, 1975. — С.79−110.
  20. С.С., Освенский В. Б., Шифрин С. С. Расчет термических напряжений и плотности дислокаций в кристаллах полупроводников при выращивании методом Чохральского // Изв. АН СССР. Сер.физическая. -1980. Т.44. — № 2. — С.289−294.
  21. С.В. Об одном возможном способе вычисления плотности дислокаций в чистых кристаллах, выращиваемых из расплава методами Чохральского, Степанова и бестигельной зонной плавки // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1983. — Т.47. — № 2. — С.302−305.
  22. Л.А., Смирнов В. А., Титюник Л. М. Влияние тепловых условий выращивания на напряжения в кристаллах германия // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1980. — Т.44. — № 2. — С.286−288.
  23. С.В. Связь между остаточными напряжениями и плотностью дислокаций в малопластичных кристаллах, выращиваемых способами Чохральского и Степанова // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1976. — Т.40. -№ 7. — С. 1532−1534.
  24. В.Б., Шифрин С. С., Мильвидский М. Г. Закономерности размножения дислокаций в полупроводниках при высоких температурах // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1973. — Т.47. -№ 11.- С.2357−2361.
  25. Н.В., Освенский В. Б., Мильвидская А. Г. Критические напряжения образования дислокаций в монокристаллах соединений АШВУ // Кристаллография. 1990. — Т.35. — Вып.5. — С. 1182−1186.
  26. Billig Е. Some Defect in Crystals Grown from the Melt. 1. Detect Caused by Thermal Stress // Proc.Roy.Soc. 1956. — V.235. — A. № 1200. — P.37−55.
  27. А.А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С. и др. Современная кристаллография. М.: Наука, — Т.З. — 408 С.
  28. О.Г. Рост и морфология кристаллов. М.: МГУ, 1972. — 303 С.
  29. П.К., Веревочкин Г. Е., Горяинов JI.A. и др. Тепло и массообмен при получении монокристаллов. М.: Металлургия, 1971. — 420 С.
  30. В.А., Старшинова И. В., Фрязинов И. В. Анализ распределения скоростей, температур и концентрации легирующей примеси в расплаве при выращивании монокристаллов по Чохральскому. Рост кристаллов. М: Наука, 1983. — Т.14. — С.124−135.
  31. С.С., Шифрин С. С. Расчет термических напряжений и плотности дислокаций в кристаллах, выращиваемых из расплава // Прикладные задачи теоретической и математической физики. Рига: ЛГУ, 1978. — С.87−96.
  32. Л.Д., Лившиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. — 204 С.
  33. А.Д. Термоупругость. Киев: Наукова Думка, 1975. — 216 С.
  34. А.В., Потапов В. Д. Основы теории упругости и пластичности. М.: Высшая школа, 1990. — 398 С.
  35. Н.Б., Фирсов В. А. Термоупругость и пластичность. Казань: КАИ, 1988.-58 С.
  36. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: «Мир», 1968.-440 С.
  37. Физическое материаловедение. Под ред. Р. Кана. М.: Мир, 1968. — 53 С.
  38. ГОСТ 16 153–80. Германий монокристаллический. Введ. 01.01.81. 32 С.
  39. Miyazaki N., Kutsukake H., Kumamoto A. Development of 3D dislocation density analysis for annealing process of single crystal ingot // J. Cryst. Growth. 2002. V.243. — P.47−54.
  40. И.А., Колесников А. И. Малоугловые границы в германии // Кристаллография. 2004. — Т. 49. — № 2. — С. 234−238.
  41. И.А., Смирнов Ю. М., Долматов А. Б., Колесников А. И. Монокристаллы германия для инфракрасной техники: выращивание, дефекты структуры и оптические характеристики // Перспективные материалы. 2003. — № 4. — С. 35−41.
  42. Ю.М., Каплунов И. А., Колесников А. И., Родионова Г. Е. Выращивание высокочистых крупногабаритных монокристаллов // Высокочистые вещества. 1990. — № 6. — С. 213−216.
  43. И.А., Редчиц В. П. Моделирование тепловых условий устойчивого роста монокристаллических дисков// Физика кристаллизации.-Тверь: ТвГУ, 1991. С.89−97.
  44. Л.А., Урусовская А. А., Желудев И. С. и др. Современная кристаллография. Физические свойства кристаллов. М.: Наука, 1981. — Т.4.-С.61.
  45. Е., Эндэ Ф., Леш Ф. Специальные функции. Формулы, графики, таблицы. М.: Наука, 1977. — 344 С.
  46. И.А., Колесников А. И., Долматов А. Б., О.И. Токач О.И., Третьяков С. А., Леванчук А. Н. Механические напряжения и оптические аномалии в кристаллах германия и парателлурита // Вестник ТвГУ. Сер. Физика. Тверь: ТвГУ, 2004. — Вып.4(6). — С. 68−76.
  47. А.А., Бондаренко B.C., Переломова Н. В. и др. Акустические кристаллы. Справочник. М.: Наука, 1982.
  48. А.И., Долматов А. Б., Соловьева Т. И., Кураева Н. О., Блохина Г. С. Изучение дислокационной структуры кристаллов германия методом избирательного травления // Вестник ТвГУ. Сер. физ. 2004. — № 4(6). — С. 6571.
  49. М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. — 144 С.
  50. Gan S., Li L., Hicks R.F. Characterization of Dislocations in Germanium Substrates Inducted by Mechanical Stress // Applied Phisics Letters. 1998. -V.73. — N8. — P. 1068−1070.
  51. Iunin Yu.L., Nikitenko V.I. Modes of Kink Motion on Dislocations in Semiconductors // Scripta Materialia. 2001. — V.45. — N11. — P.1239−1246.
  52. Seiji Shinoyama, Chikao Uemura, Akio Yamamoto, Shun-ichi Tohno Growth of Dislocation-Free Undoped InP Crystals // Japan Journal Applied Physics. -1980. V. 19. — N6. — P. 331−333.
  53. L.Sagalowicz, W.A.T.Clark A Theoretical and Experimental Study of Non-Perfect Grain Boundary Dislocations // Interface Science. 1996. — N 4. — P. 29−45
  54. И.А., Колесников А. И. Влияние характеристик германия на рассеяние ИК излучения // Поверхность. 2002. — № 2. — С.14−19.
  55. Dew-Hughes D. Dislocations and Plastic Flow in Germanium // JBM Journal, Okt. 1961, P.279−286.
  56. Фарбер Б Л., Бондаренко И. Е., Никитенко В. И. // ФТТ. 1981. — Т. 23. -С.2192−2194.
  57. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. — 574 С.
  58. Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М.: Металлургия, 1968. — 371 С.
  59. Несовершенства в кристаллах полупроводников // Под ред. Д. А. Петрова. -М.: Металлургия, 1964. 302 С.
  60. Процессы роста и выращивания монокристаллов // Под ред. Н. Н. Шефталя. -М.:Изд. иностр.лит., 1963. -С. 301.
  61. АЛ. Технология спецматериалов электронной техники. М.: Металлургия, 1993. — 368 С.
  62. И.В., Фалькевич Э. С. Управление формой роста кристаллов. -Киев: Наукова думка, 1989. 160 С.
  63. И.А. Малоугловые границы в монокристаллах германия // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ, 1999. — С.36−41.
  64. Ю.М., Каплунов И.А Монокристаллы германия для инфракрасной техники // Материаловедение. 2004. № 5. • С. 48−52.
  65. Ю.М., Каплунов И. А. Монокристаллы германия для ИК оптики // Физика кристаллизации. «Тверь: ТвГУ, 2002. С.37−39.
  66. М.В., Новиков Н. Н. Подвижность дислокаций в бездислокационном германии при низких напряжениях // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. — Т. 11. — № 6. — С. 995−999.
  67. И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. М.: «Металлургия», 1975. — 208 С.
  68. В.И. Физика и химия твердого тела. М.: «Металлургия», 1995. -Т.1.-480 С.
  69. П.И., Затуловский JI.M., Костыгов А. С. и др. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. JL: Наука, 1981.-С.133−175.
  70. В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов. М.: «Металургия», 1977.
  71. Е.П., Левинзон Д. И., Петрик А. Г. и др. Получение и исследование профилированных монокристаллов с большой площадью поперечного сечения // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1973. Т. З7. — № 11. — С.2286−2287.
  72. Д.И., Нефедов В. Н., Рыкун Е. П. Особенности выращивания сверхкрупногабаритных профилированных монокристаллов германия // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1980. Т.44. — № 2. — С.242−243.
  73. Е.П., Кузнецов А. С., Левинзон Д. И. Применение способа Степанова для получения крупногабаритных профилированных монокристаллов германия // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1976. Т.40. -№ 7. — С.1332−1335.
  74. В.Б., Левинзон Д. И., Иноземцев А. В. и др. Распределение легирующей примеси на фронте кристаллизации при выращивании крупногабаритных монокристаллов способом Степанова // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1988. Т.52. — № 10. — С.1973−1976.
  75. А.В., Коваленко А. Д., Левинзон Д. И., Сидоренко Н. В. Выращивание крупногабаритных монокристаллов германия способом Степанова // Изв. АН СССР. Сер.// Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1985. -Т.49. № 12. — С.2346−2348.
  76. Capron E.D., Brill O.L. Absorption Coefficient as a Function of Resistens for Optical Germanium at 10,6 цт // Applied Optics. 1973. — V.12. — № 3. — P.566−572.
  77. Bishop P.J., Gibson A.F. Absorption Coefficient of Germanium at 10,6 цт // Applied Optics. 1973. — V.12. -№ 11.- P.2549−2550.
  78. Deutsch T.F. Laser Window Materials-an Overview // J. of Electronic Material.- 1975. V.4. — № 4. — P.663−719.
  79. Hutchinson С .J., Lewis C., Savage J.A., Pitt A. Surface and Bulk Absorption in Germanium at 10,6 цт // Applied Optics. 1982. — V.21. — № 8. — P.1490−1495.
  80. Д.И., Ровинский Р. Е., Рогалин В. Е. и др. Поглощение ИК излучения в германии // Материалы IX Совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способ Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л.: ЛИЯФ, 1982. — С. 123−126.
  81. В.В., Осипов В. П., Гришин В. П. и др. Оптические свойства чистого германия в области 2,5−15 мкм // Журнал прикладной спектроскопии. 1979. — Т.30. — Вып.4. — С.729−731.
  82. Н.В., Сисакян Е. В. Оптические материалы для СОг-лазеров // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1980. — Т.44. — № 8. — С.1631−1638.
  83. Young Р.А. Thermal Runaway in Germanium Laser Windows // Applied Optics. 1971. — V.10. — № 3. — P.638−643.
  84. Fox A. Thermal Design for Germanium Acoustooptic Modulators // Applied Optics. 1987. — V.26. — № 5. — P.872−884.
  85. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -368 С.
  86. ТУ 48−4-522−89. Кристаллы германия оптические. • 1990.
  87. И. А., Смирнов Ю. М., Колесников А. И. Оптическая прозрачность кристаллического германия // Оптический журнал. 2005. -Т.72. — № 2. — С.61−68.
  88. Ю.М., Каплунов И. А., Блохина Г. С., Долгих И. К. Оптические свойства монокристаллов германия в ИК области спектра // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ, 1990. — С.78−86.
  89. Г. С., Каплунов И. К., Долгих И. К. Поглощение ИК излучения в крупногабаритных монокристаллах германия // Физика кристаллизации. -Калинин: КГУ, 1988. С. 94−96.
  90. Ю.М., Каплунов И. А., Блохина Г. С., Долгих И. К. Оптические свойства монокристаллов германия в ИК области спектра // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ, 1990. — С.78−86.
  91. И.А., Блохнна Г. С., Смирнов Ю. М. Температурная зависимость поглощения ИК излучения в монокристаллах германия // Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ, 1992. — С.31−38.
  92. В.И., Макаренко А. П., Каплунов И. А., Смирнов Ю. М., Блохнна Г. С. Оптические свойства легированных кристаллов германия // Электронные процессы в кристаллах и тонких пленках. Кишинев: Штиница, 1990. — С.31−36.
  93. Klein Ph.H. Techniques for Measuring Absorption Coefficient in Crystalline Materials//Optical Engineering. 1981. — V.20. — № 5. — P.790−794.
  94. Hass H., Bendow B. Residial Absorption in Infrared Materials // Applied Optics. 1977. — V.16. — № 11. — P.2882−2890.
  95. P.E., Рогалин B.E., Шершель В. А. Оптические свойства и области применения полупроводниковых монокристаллов германия. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. — Т.47. — № 2. — С.406−409.
  96. И.М., Астафьев Н. И. Оптические характеристики монокристаллического германия // Оптический журнал. 1999. — Т.66. — № 1. -С.68−72.
  97. Е.Н., Пржевуский А. К. Влияние структурных дефектов на оптические параметры кристаллов германия // Оптический журнал. 2003. -Т. 70. — № 11. — С.64−67.
  98. С.И. Поглощение и рассеяние света в квазинульмерных структурах // ФТТ. • 1997. • Т.39. № 4. • С.606−609.
  99. М.В. О точности определения коэффициента поглощения полупроводников // Оптика и спектроскопия. 1965. — Т. 19. Вып. 6. — С.964−967.
  100. G.Gafhi, M. Azoulay, C. Shiloh and ather. Large Diameter Germanium Single Crystals for Infrared Optics // Optical Engineering.- 1989.-Vol.28,№ 9.-P. 10 031 007.
  101. Фэн К. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах. М.: Мир, 1969.
  102. Р. Инфракрасные системы. М.: Мир, 1972. — 534 С.
  103. Дж.Э., Мак-Фи Р.Х., Пласс Дж.Н., Грубе Р. Г., Ричарде Р.Дж. Физика и техника инфракрасного излучения. М.: Советское радио, 1965. -643 С.
  104. Криксунов JI.3. Справочник по основам инфрарасной техники. М.: Советское радио, 1978. — 400 С.
  105. Криксунов J1.3. Приборы ночного видения. Киев, 1975. — 216 С.
  106. И.Б. Применение инфракрасной техники в народном хозяйстве. -Л., 1981.-264 С.
  107. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. * М.: Мир, 1976. 432 С.
  108. В.Б., Сахновский Н. Ю. Влияние качества полировки поверхности монокристаллов Ge на их оптические константы // Журнал прикладной спектроскопии. 1986. — Т. 14. — № 4. — С.623−627.
  109. Ю.И., Морозов Л. Н. Исследование влияния легирования на спектры поглощения в p-Ge // Изв.ВУЗов. Физика. • 1970. • № 6. • С. 68*72.
  110. Kaiser W., Collins R.J., Fan H.Y. Infrared Absorption in p-Type Germanium // Physical Revies. 1953. — V. 91. — N 6. — P. 1380−1381.
  111. Paukove J.I. Optical Absorption of Arsenic-Doped Degenerate Germanium // Physical Revies. 1962. — V. 126. — N 3. — P. 956−962.
  112. Morin F.M., Maita J.P. Condactivity and Hall Effect in the Intrinsic Range of Germanium //Physical Revies. 1954. — V. 94.-N3.-P. 1525−1529.
  113. Lussier F.M. Guide to IR-Transmissive Materials // Laser Focus. 1976. — V. 12.-N12.-P. 47−50.
  114. Marsh K.J., Savage J.A. Infrared Optical Materials for 8−13 pm Current Developments and Future Prospects // Infrared Physics. — 1974. — V. l 4. — P. 85−97.
  115. Fraser H., Hope A.J.N., Worrall A.J. Optical Materials and Material Processing for Used with Infra-Red Equipment // Int. Conf. Loww Light and Thermal Imaging Sistem. London. — 1975. — P. 21−37.
  116. Dash H., Newman R. Intrinsic Optical Absorption in Single-Crystal Germanium and Silicon at 77 К and 300 К // Physical Revies. 1955. — V. 99. — N 4.-P. 1151−1155.
  117. Klocek P. Semicondustor Infrared Optical Materials // Infrared Optical Proc. SPIE 929, Materials VI. 1988. — P. 65−78.
  118. Fox A. Acustooptic Figure of Merit for Single Crystal Germanium at 10,6 p. m Wavelength // Applied Optics.- 1985. Vol.24,N14.- P.2040−2041.
  119. Hass H., Bendow B. Residial Absorption in Infrared Materials // Applied Optics. 1977. — Vol.16,N11. — P.2882−2890.
  120. Deutsch T.F. Absorption Coeffisient of Infrared Laser Window Materials // J.Phis.Chem.Solids. 1973. — Vol.34. — P.2091−2104.
  121. Azoulay M., Gafiii G., Roth M. Seeled Growth in a Soft Lined Crusible: Application to Phosphorus Doped Optical Germanium Single Crystals // J. Crystal Growth .- 1986. Vol.79. — P.326−330.
  122. Оптические кристаллические материалы. Каталог. ГМП «Оптические материалы, элементы приборов». • JL: ВНЦ «ГОИ им. С.И.Вавилова». 1991. • 52 С.
  123. И.А., Колесников А. И. Влияние характеристик германия на рассеяние ИК излучения // Поверхность. 2002. — № 2. — С. 14−19.
  124. И.А., Смирнов Ю. М., Долматов А. Б., Шайович СЛ. Рассеяние ИК излучения в кристаллическом германии // Физика кристаллизации. -Тверь: ТвГУ, 2002. С.118−124.
  125. И.А., Колесников А. И., Шайович СЛ., Талызин И. В. Рассеяние света монокристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. — Т.72. — № 3. — С. 51−56.
  126. И.А., Иванов В. В., Колесников А. И., Жохова Н. К. Рассеяние света монокристаллами германия и кремния // Физика кристаллизации. -Тверь: ТвГУ, 1999. С.28−35.
  127. И.А., Иванова А. И., Андреева Т.А, Шайович СЛ. Рассеяние и направленное пропускание монокристаллов германия //Физика кристаллизации. Тверь: ТвГУ, 1999. — С. 15−17.
  128. И.А., Колесников А. И., Шайович СЛ., Талызин И. В. Рассеяние света монокристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. — Т.72. — № 3. — С.51−56.
  129. СЛ., Каплунов И. А., Колесников А. И. Контроль рассеяния инфракрасного излучения в германии методом фотометрического шара // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2005. — № 9 (в печати).
  130. В.П. Исследование примесных дефектов в полупроводниках методом рассеяния лазерного излучения ИК-диапазона // Тр. ИОФ АН СССР. 1986. — Т.4. — С.3−59.
  131. В.В., Воронкова Г. И., Зубов Б. В. и др. Рассеяние света, обусловленное микродефектами в Si и Ge // ФТТ. 1977. — Т. 19. — Вып.6. -С.1784−1791.
  132. В.В., Воронкова Г. И., Зубов Б. В. и др. Рассеяние инфракрасного лазерного излучения метод исследования локальных неоднородностей в чистых полупроводниках // ФТТ. — 1981. — Т.23. -Вып.1. -С.117−125.
  133. С.Е., Калинушкин В. П., Крынецкий Б. Б. и д.р. Определение параметров точечных центров, образующих «слабые» примесные скопления в полупроводниковых материалах// ФТП. 1987. — Т.21 — С.65−78.
  134. В.В., Воронкова Г. И., Калинушкин В. П., Мурин Д. И., Мурина Т. М., Прохоров A.M. Температурная зависимость малоуглового рассеяния света кристаллами чистого кремния // ФТП. 1984. — Т. 18. -Вып.5. — С.938−940.
  135. А.П. Оптика рассеивающих сред. Минск: Наука и техника, 1969.-571 С.
  136. I.A., Kolesnikov A.I., Ivanov V.V. // Thesis of Third International conf. «Single Crustal Grouwth, Strength Problem and Heat Mass Transfer». -Obninsk: Institute of Physics and Power Engineering, 1999. P.143.
  137. Wind L., Szymanski W.W. Quantification of Scattering Corrections to the Beer-Lambert Low for Transmittans in Turbid Media // Measurement Science and Technology. -13 (2002). P. 270−275.
  138. M.M. Применимость закона Бугера к оценке светорассеивающих свойств гетерогенной среды с плоскими границами // Оптический журнал. 1999. — Т.66. — № 1. — С.29−31.
  139. А.В., Лейкин С. М., Полушкин А. Ю., Середенко М. М. Решение обратной задачи при определении оптических характеристик слабомутных сред // Оптический журнал. 1999. — Т.66. — № 3. — С.66−68.
  140. М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Мир, 1973. — 492 С.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!