Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние модифицирования на поляризационные свойства слоев на основе триселенида мышьяка

Диссертация: Влияние модифицирования на поляризационные свойства слоев на основе триселенида мышьяка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Аналогичная ситуация (отсутствие единого представления) отмечается и для теоретических моделей, описывающих взаимодействие примесных атомов с исходной матрицей данных материалов. Более того, общепринятая ранее в физике легированных ХСП модель Губанова-Мотта, описывающая причины отсутствия влияния примесей на электрические свойства халькогенидных стекол, в последнее время демонстрирует очевидное… Читать ещё >

Влияние модифицирования на поляризационные свойства слоев на основе триселенида мышьяка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (обзор литературы)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Локальная структура халькогенидных стекол в системе Аб
    • X. (X — халькоген)
      • 1. 3. Энергетический спектр локализованных состояний в ХСП
      • 1. 4. Примеси в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
      • 1. 5. Выводы из обзора литературы и постановка задач исследования
  • Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика исследования релаксационных характеристик тонких слоев халькогенидных стекол
    • 2. 2. Методика исследования диэлектрических явлений тонких слоев халькогенидных стекол
    • 2. 3. Описание образцов
  • Глава 3. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЯХ ТРИСЕЛЕНИДА МЫШЬЯКА
    • 3. 1. Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ-структуры А1-А828е3-А
    • 3. 2. Релаксационные явления в слоях триселенида мышьяка, полученных разными методами
    • 3. 3. Релаксационные явления в аморфных слоях А528е3, легированных висмутом
    • 3. 4. Распределение релаксаторов в модифицированных слоях АзгБез
    • 3. 5. Частотно-полевая зависимость диэлектрических параметров слоев А828е3(ЕН)х
    • 3. 6. Краткие
  • выводы по третьей главе
  • Глава 4. НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЕВ ТРИСЕЛЕНИДА МЫШЬЯКА
    • 4. 1. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости аморфных слоев триселенида мышьяка с легирующей добавкой висмута
    • 4. 2. Температурно-частотная зависимость диэлектрических параметров А828е3(В1)х
    • 4. 3. Широкополосный диэлектрический отклик слоев АБгЭез, полученных разными методами
    • 4. 4. Влияние примеси висмута на оптические явления в пленках АБгЭез
    • 4. 5. Краткие
  • выводы по четвертой главе

Актуальность работы. Халькогенидные сплавы сложного состава привлекают внимание исследователей в связи с их использованием в многочисленных приспособлениях микроэлектроники и оптоэлектроники. Уникальные свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), с одной стороны, и простота в изготовлении по сравнению с кристаллическими полупроводниками, с другой, обусловливают перспективность их применения в качестве исходных материалов для формирования оптоволоконных световодов и волоконо-оптических лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне (5-И 5 мкм) [1, 2]. Данные соединения являются элементной базы при производстве голографической, ксерографической аппаратуры и мишеней в телевизионных передающих трубках типа «видикон» [3,4].

В последнее десятилетие пристальное внимание уделяется работам по созданию устройств энергонезависимой фазовой памяти {Phase Change Memory или PCM), работающих на принципе обратимого фазового перехода «аморфное — кристаллическое состояние» в ХСП. Локальные структурные трансформации в наноразмерном слое материала осуществляются за счет электрического импульса или импульса света. Одним из успешных примеров практического использования данного эффекта являются оптические диски формата DVD-RW. По оценкам экспертов, в настоящее время имеется реальная вероятность создания конкурентоспособных устройств, способных потеснить на рынке традиционную флэш-память [5−14].

Не меньший интерес связан с изучением влияния примесей на процессы электропереноса и зарядообразования в халькогенидных стеклах. Экспериментальные результаты по успешному преобразованию р-типа проводимости легированных ХСП к «-типу открывают новые широкие возможности для конструирования р-п переходов и устройств, работающих на их основе [14−21]. В [22] представлены данные по созданию элементов солнечных батарей на основе тонких слоев аморфного А828е3 с примесью Вь.

Однако, несмотря на все более расширяющуюся область практического применения халькогенидных стеклообразных и аморфных полупроводников (и, в частности, триселенида мышьяка А828е3, являющегося классическим представителем ХСП), до сих пор остается актуальной проблема создания теоретической модели, описывающей с единых позиций как внутреннюю структуру, так и физические явления, происходящие в объемных и поверхностных слоях этих соединений при том или ином способе воздействия.

Аналогичная ситуация (отсутствие единого представления) отмечается и для теоретических моделей, описывающих взаимодействие примесных атомов с исходной матрицей данных материалов. Более того, общепринятая ранее в физике легированных ХСП модель Губанова-Мотта [23, 24], описывающая причины отсутствия влияния примесей на электрические свойства халькогенидных стекол, в последнее время демонстрирует очевидное несоответствие с экспериментальными фактами [25]. Открытие нового способа приготовления легированных ХСП, в результате которого значительно увеличивается концентрация примесных атомов с ненасыщенными химическими связями [26], совершенно не укладывается в представления этой теории.

Не лишены недостатков и последние теоретические разработки, пытающиеся объяснить новые экспериментальные данные, связанные с обнаружением примесной проводимости в халькогенидных стеклообразных и модифицированных полупроводниках. Так, в модели примесного центра с неизменяющимся зарядом, не ясна причина отсутствия электронного состояния в потенциальной яме заряженного примесного центра [27−29]. Модель перекрывающихся областей пространственного заряда испытывает трудности при объяснении большого влияния малых концентраций примеси [30]. А модель обычного примесного состояния не объясняет причину нарушения «правила 8-№> [31−35].

Наибольшей последовательностью и непротиворечивостью при интерпретации экспериментальных результатов по изучению примесной проводимости ХСП отличается модель, основывающаяся на предположении о существовании в легированных халькогенидных модифицированных полупроводниках областей с повышенной координацией атомов [25]. Тем не менее, и эта теория испытывает затруднения при объяснении причин, по которым технологические отличия в способах получения модифицированных пленок А828е3(В1)х могут приводить к значительному превышению концентрации акцепторов над донорами в слоях, полученных способом термического испарения в вакууме (ТИ) и к обратному соотношению в пленках, изготовленных методом высокочастотного напыления (ВЧ) [36, 37].

В связи с этим, актуальным остается вопрос исследования влияния таких технологических факторов, как способ получения пленок и введения в них легирующих добавок, на электронные свойства халькогенидных стекол.

Цель работы. Установление влияния способа получения и легирования примесью висмута на поляризационные явления в слоях триселенида мышьяка.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи: 1. Изучить закономерности поляризационных явлений в нелегированных образцах, полученных методами термического испарения в вакууме и ионно-плазменного высокочастотного напыления.

2. Исследовать влияние примеси висмута на поляризационные явления данных слоев.

3. Интерпретировать полученные результаты в рамках адекватных им модельных представлений.

4. На основе использованной методики определить ключевые параметры поляризационных процессов в исследуемых материалах.

5. Проанализировать полученные параметры и характеристики с точки зрения их информативности для диагностики структурных особенностей изучаемых составов и разработать соответствующие технические рекомендации.

Научная новизна. В отличие от выполненных ранее исследований электрических свойств халькогенидных стеклообразных и аморфных полупроводников в связи со способом их получения и наличием легирующей примеси, где главным образом изучалась статическая проводимость в настоящей работе предпринято исследование поляризационных явлений. В результате получены следующие новые научные результаты:

1. Установлены закономерности поведения изотермической токовой релаксации и дисперсии составляющих комплексной диэлектрической проницаемости слоев триселенида мышьяка в различных и широкоизменяющихся внешних условиях, свидетельствующие о влиянии способа получения (термическое испарение, высокочастотное напыление) и наличия легирующей примеси висмута на поляризационные явления.

2. Определены ответственные за наблюдаемые поляризационные явления факторы и процессы, к числу которых относятся изменения: в строении изучаемых материалов (кластеризации легирующей примеси в упорядоченных областяхэнергетического спектра локализованных состояний в квазизапрещенной зоне) и эстафетного механизма переноса заряда по локализованным центрам. 3. На основании полученных результатов определены основные параметры, обусловливающие поляризационные процессы Основные положения, выносимые на защиту:

1. В МДМ-структурах А1-Аз28е3-А1, помещаемых в постоянное электрическое поле протекают интенсивные поляризационные процессы, сопровождающиеся, в частности уменьшением величины энергия активации проводимости с течением действия прикладываемого напряжения.

2. Замедление процессов релаксационной поляризации и уменьшение значения диэлектрической проницаемости в слоях А528е3, полученных методом термического испарения, по сравнению с пленками, приготовленными способом высокочастотного напыления, связано с различием их электронной структуры.

3. Легирование висмутом влияет на поляризационные явления, обуславливая, в частности: увеличение скорости спада изотермической токовой релаксации на начальном участкезначительное увеличение диэлектрической проницаемости в области инфразвуковых частотусиление ее дисперсии в этом диапазоне и появление дополнительных по сравнению с нелегированными образцами участков возрастания кривых частотной зависимости диэлектрической проницаемости.

4. Функция распределения времен релаксации, восстановленная из экспериментальных данных по изотермической токовой релаксации информативна для определения содержания легирующей примеси и может быть рекомендована для использования в технической диагностике изучаемых материалов.

Теоретическая значимость работы. Полученные экспериментальные результаты исследования диэлектрических и релаксационных свойств модифицированных слоев триселенида мышьяка вносят вклад в физику электронных явлений в легированных халькогенидных стеклообразных и аморфных полупроводниках и в разработку теоретических основ технологии получения новых материалов с необходимыми функциональными свойствами.

Практическая значимость работы. В рамках выполненной работы даны научно-технические рекомендации по практическому использованию разработанных методик исследования процессов переноса и накопления заряда в легированных структурах на основе А828 е3, которые, в частности, могут быть применены при разработке устройств микроэлектроники (например таких, как р-п переходы), а также оптических волноводов высокой плотности на основе Аз28е3, легированного Вь.

Выявленные особенности функции распределения времен релаксации и ее структурная чувствительность к такому технологическому фактору, как легирование состава могут быть использованы для оценки процентного содержания примеси в стекле.

Результаты работы используются в учебном процессе при подготовке студентов и аспирантов на физическом факультете, обучающихся в области физики полупроводников и физики конденсированного состояния.

Связь темы с планом научных работ. Диссертационная работа являлась частью научных исследований лаборатории физики неупорядоченных полупроводников НИИ физики РГПУ им. А. И. Герцена и проводилась в рамках прикладных исследований по государственному заданию Министерства образования и науки Российской Федерации:

1. № 26/11-ЗН «Исследование состояния и поведения примесных атомов в кристаллических и стеклообразных фоточувствительных полупроводниках».

2. № 50/12-ГЗП «Синтез и исследование электрофизических свойств новых наноструктурированных композиционных материалов, перспективных для использования в микрои оптоэлектронике».

Достоверность и научная обоснованность обеспечивались комплексным характером исследования, корректностью использованных экспериментальных методик и воспроизводимостью результатов измерений, применением методов математической обработки данных, сопоставлением экспериментальных результатов с литературными данными.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих международных и всероссийских конференциях: Межд. научн.-тех. конф. «Полиматериалы-2003» (Москва, 2003 г.) — X Межд. конф. «Диэлектрики — 2004» (Санкт-Петербург, 2004 г.) — VI Межд. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники — AMS VI» (Санкт-Петербург, 2008 г.) — Всерос. научн.-практ. конф. «Физические явления в конденсированном состоянии вещества» (Чита, 2009 г.) — Intern. Conf. «Microand nanoelectronics-2009 — ICMNE-2009» (Zvenigorod, 2009 г.) — VII Межд. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники — AMS VII» (Санкт-Петербург, 2010 г.) — XII Межд. конф. «Диэлектрики — 2011» (Санкт-Петербург, 2011 г.) — VIII Межд. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники — AMS VIII» (Санкт-Петербург, 2012 г.) и научных семинарах кафедры физической электроники РГПУ им. А. И. Герцена.

Публикации. По результатам исследования опубликовано 12 печатных работ в российских научных изданиях, в трудах всероссийских и международных научных конференций.

Личный вклад автора состоит в том, что им самостоятельно получена основная часть экспериментальных результатов, а так же проделана их обработка и представлена интерпретация. В работах, написанных в соавторстве, постановка задач, а также обсуждение полученных данных осуществлялось совместно.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы. В работе 125 страниц сквозной нумерации, 35 рисунков, 4 таблицы, список литературы включает 160 наименований.

Результаты работы используются в учебном процессе при подготовке студентов и аспирантов на физическом факультете, обучающихся в области физики полупроводников и физики конденсированного состояния.

Данное исследование может быть продолжено в направлении как изменения процентного содержания висмута и других легирующих примесей, так и исследования влияния других факторов на измеренные характеристики, например состав стекла, напряженность электрического поля, освещения и др.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В данной работе приведены результаты исследования релаксационных свойств тонких пленок триселенида мышьяка, полученных разными методами и легированных примесью висмута. Определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в данных структурах: контактная емкость, область накопления заряда, постоянные зарядки контактных областей. Приведен расчет диэлектрических параметров (диэлектрической проницаемости — ё и тангенса угла диэлектрических потерь — tg8) для слоев А828е3(В1}х, на основе релаксационных кривых поляризационного тока, снятых при разных температурах и значениях напряженности приложенного электрического поля. Проведен расчет функции распределения времен релаксации. Выявлено значительное влияние способа изготовления образцов и количества вводимой примеси на распределение релаксаторов в данных исследуемых системах.

В ходе выполнения исследования были установлены закономерности низкочастотных поляризационных процессов, а также их связь со структурой изученных пленок. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о значительном влиянии метода изготовления пленки и внедрения примеси висмута на процесс диэлектрической поляризации в области низких частот переменного электрического поля. Кроме того, представленные результаты подтверждают выводы предыдущих исследований подобных систем, относительно того, что введение модификатора приводит к существенной перестройке энергетического спектра локализованных состояний в щели подвижности. Показаны возможности метода широкополосной диэлектрической спектроскопии, который в последнее время широко используется для исследования электронных свойств разного рода систем, включая стеклообразные полупроводники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. M.G., Moynehan K.M. 1.frared waveguides // Scientific American. 1988. V. 259. № 5. P. 1-12.
  2. Т.Ф., Сморгонская Э. А., Шпунт В. Х. Нелинейные оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников и световодов на их основе (препринт Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе). Ленинград, 1990. 55с.
  3. Indutnyi I.Z., Stronski A.V., Kostioukevitch S.A., Romanenko P.F. Holographie optical elements fabrication using chalcogenide layers // Optical Engineering. 1995. V. 534. № 4. P. 1030−1039.
  4. Andriech A.M. Chalcogenid glasses in optoelectronics // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 8. С. 970−975.
  5. Kolobov A., Fons P., Frenkel A., Ankudinov A., Tominaga J., Uruga T. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media // Nature Materials. 2004. V. 3. P. 703−708.
  6. Sekander S., Wright C. Models for phase-change of Ge2Sb2Te5 in optical and electrical memory devices // Journal of Applied Physics. 2004. V. 95. № 2. P. 504−512.
  7. Lacaita A.L. Phase change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives // Solid state electronics. 2006. V. 50. № 1. P. 24−31.
  8. Redaelli A., Pirovano A., Benvenuti A., Lacaita A.L. Comprehensive numerical model for phase-change memory simulations // Chemistry Review. 2008. V. 103. P. 101−111.
  9. Raoux S., Welnic W., Ielmini D. Electronic and optical switching of solution-phase deposited SnSe2 phase change memory material // Journal of Applied Physics. 2010. V. 110. № 1. P. 240−245.
  10. С.А., Шерченков A.A. Перспективы применения халькогенидных сплавов в элементах фазовой памяти // Приложение к журналу «Вестник РГРТУ» 2009. № 4. Рязань.
  11. Zalden P., Bichara С., Eijk J., Braun С., Bensch W., Wuttig M. Atomic structure of amorphous and crystallizedGeisSbss // Journal of Applied Physics. 2010. V. 107. № 10. P. 312.
  12. Tsendin K.D., Bogoslovskiy N.A. Comparison of new and old generations of the phase change memory chalcogenide materials and devices // Journal of Optics Applied Matirials. 2011. V. 11−12.№ .2. P. 1429.
  13. H.A., Цендин К. Э. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 5. С. 577−608.
  14. Adriaenssens G.J. New physical problems in electronic materials // Proceeding of the Sixth International School on Condenser Matter Physics, Varna 90. World Scientific. Singapore. 1991. P.20.
  15. Mohammed M.I., Abd-rabo A.S., Mahmoud E.A. A.C. conductivity and dielectric behavior of chalcogenide GexFexSeioo-2x thin films // Egyptian Journal of Solids. 2002. V. 25. № 1. P. 49−56.
  16. Wahab L.A. and Amer H.H. Composition dependence of optical constants of Ge,.xSe2Pbx thin films 11 Egyptian Journal of Solids. 2005. V. 28. № 2. P. 255−262.
  17. El-Mandouh Z.S. and EL-Meleeg H.A. Physical Properties of Pb20-Gex-Se80-X Glasses // Journal of Applied Sciences Research. 2008. P. 296−302.
  18. Betkheet A.E., Hegab N.A. Ac conductivity and dielectric properties of Ge2oSe75In5 films // Vacuum. 2009. V. 83. P. 391−386.
  19. Dwivedi A., Arora R., Mehta N., Choudhary N., Kumar A. Dielectric relaxation in SegoGe20 and Se75Ge2oAg5 chalcogenide glasses // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2005. V. 8. № 3. P. 45−49.
  20. Abdel Aal. Dielectric Relaxation in CdxInSe9. x chalcogenide thin films // Egyptian Journal of Solids. 2006. V. 29. № 2. P. 303−316
  21. Kurmar S., Mehta B.R., Kashyap S.C., Chorpa K.L. Amorphous chalcogenide thin-film Schottky barrier (Bi/As2Se3:Bi) solar cell // Applied physics letters. 1988. V. 52. № 1. P. 24−26.
  22. А.И. Об изменении свойств полупроводников при плавлении // Журнал технической физики. 1957. Т. 27. С. 2510.
  23. Mott N.F. Electrons in disordered structures // Advances in Physics. 1967. V. 16. P. 49−51.
  24. К.Д. Примесные и дефектные электронные состояния в легированных ХСП // Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. 1996. Санкт-Петербург: Наука. 486с.
  25. Flasck R., Izu M., Sapru К., Anderson T., Ovshinsky S.R., Fritzsche H. Proceeding of 7lh International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors. Edinburg, England, 1977. P. 524.
  26. Mott N.F. The increase in the conductivity of Chalcogenide Glasses by the Addition of Certain Impurities // Philosophical Magazine. 1976. V. 34. № 6. P. 1101−1108.
  27. Mott N.F., Street R.A. States in the gap in chalcogenide glases // Philosophical Magazine. 1977. V. 36. № 1. P. 33−52.
  28. Fritzsche H., Kastner M. Defect chemistry of lone-pair semiconductors // Philosophical Magazine. B. 1978. V.37. № 2. P. 127−133.
  29. Ю.С., Борисрва З. У. Взаимодействие металлов с халькогеиидными стеклами. 1991. Ленинград: Изд-во Ленинградского государственного университета. 251 с.
  30. Okamoto H., Hamakava Y. Electronic behaviors of the gap states in amorphous semiconductors // Solid State Communications. 1977. V. 24. № 1. P. 23−27.
  31. Uda T., Yamada E. Doping Effect in Chalcogenide Glasses // Journal of the Physical Society of Japane. 1979. V.46. № 2. P. 515−522.
  32. Stotzel H., Teubner // Proceeding of International Conference «Amorphous Semiconductors-80». Kishinev, 1980. P. 143−149.
  33. Hoffman H.J. Charge carrier statistics of semiconductors containing delects with negative electronic correlation energy // Applied Physics. 1982. V.27. № 1. P. 39−47.
  34. Nagy P. Theory of doping in chalcogenide glasses // Philosophical Magazine. B. 1983. V.48. № 1. P. 47−54.
  35. Н.П., Мазец Т. Ф., Сморголнская Э. А., Цэндин К. Д. Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As2Se3, легированного Bi // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 23. № 2. С. 297−303.
  36. Т.Ф., Цэндин К. Д. О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 24. № 11. С. 1953−1958.
  37. Kolomiets В.Т. Vitreous Semiconductors (I) // Physica Status Solidi. 1964. V.7. № 2. p. 359−372- № 3. P. 713−731.
  38. А.В., Мюллер P.JT. // Журнал прикладной химии. 1962. Т.35. № 9. С. 2012−2016.
  39. В.Л., Коломиец Б. Т., Любин В. М., Приходько О. Ю. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка // Письма в журнал технической физики. 1980. Т. 6. № 10. С. 577−580.
  40. Kolomiets В.T., Averyanov B.L., Lybin V.M., Prikhodko O. Yu Modification of vitreous As2Se3// Solid Engineering Materials. 1982. V.8. № 1−3.P. 1−8.
  41. H. Электроны в неупорядоченных структурах. Москва: Мир, 1970. 312 с.
  42. С.А., Чечеткина Е. А. Стеклообразование. Москва: Наука, 1990. 278с.
  43. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. Москва: Мир, 1986. 558с.
  44. Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллическихвеществах. 1982, Москва: Мир. 662с.
  45. Т.Н., Коломиец Б. Т. Стеклообразные полупроводники. Некоторые свойства материалов в системе As2Se3-As2Te3 // Журнал технической физики. 1957. Т.27. № 11. С. 2484−2491.
  46. .Т., Мамонтова Т. Н., Назарова Т. Ф. // Стеклообразное состояние. Москва: Изд-во АН СССР, 1960. С. 456−470.
  47. .Т., Назарова Т. Ф. // Физика твердого тела. Москва: Изд-во АН СССР, 1959. С. 22.
  48. Betts F., Bienenstok A., Ovshinsky S.R. Radial distribution studies of amorphous Ge4Te,-x alloys // Journal of Non-Crystalline Solids. 1970. V.4. P.554−563.
  49. Seregin P.P., Sagatov M.A., Mazets T.F., Vasiliev L.N. The influence of the crystal glass transition on state of impuritytin atoms in chalcogenide semiconductors//Physica Status Solidi (a). 1975. V. 28. № 1. P. 127−132.
  50. Ф.С., Серегин П. П., Васильев JI.H. Механизм влияния примеси платины на электрические свойства стеклообразного селенида мышьяка // Физика и химия стекла. 1979. Т. 5. № 3. С. 324−328.
  51. В.Х., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. Структура, физикохимические свойства и применение некристаллических полупроводников. // Материалы международной конференции «Аморфные полупроводники-80». Кишинев, 1980. С. 211.
  52. Edmond J.Т. Measurements of electrical conductivity and optical absorption in chalcogenide glasses // Journal of Non-Crystalline Solids. 1968. V.l. № 1. P.48−39.
  53. Owen A.E. Electronic conduction mechanism in glasses // Glass Industry. 1967. V. 48. № 11. P. 637−642.
  54. .Т., Лебедев Э. А., Рогачев Н. А. Влияние примесей на электрические свойства стеклообразного селенида мышьяка // Физика и техника полупроводников. 1974. Т. 8. № 3. С. 545−549.
  55. А.А., Лебедев Э. А., Рогачев Н. А., Шпунт В. Х. Электрические свойства селенида мышьяка легированного Ag // Письма в журнал технической физики. 1981. Т. 7. № 2. С. 87−90.
  56. Endo Н. Electronic and thermodynamic properties of liquid chalcogenides //
  57. Proceeding of 10th International Conference on Amorphous Liquid Semiconductors. Tokyo, 1983. P. 1047−1054.
  58. Yac M., Hosokawa S., Endo H. The effect of charged additives on the conductivity and the thermopower in liquid selenium // Proceeding of 10th International Conference on Amorphous Liquid Semiconductors. Tokyo, 1983. P. 1083−1086.
  59. Robertson J. lonicity and coordination in glasses // Philosophical Magazine.1980. V. 41. № 2. P. 177−190.
  60. Gomi Т., Hirose Y., Kurosu Т., Shiraishi Т., Iida M., Geklca Y., Kunioka A. Electrical and optical properties of chalcogenide amorphous semiconductors modified with Ni // Journal of Non-Crystalline Solids. 1980. V. 41. № i. p. 37−46.
  61. В.Л.Аверьянов, B.M. Любин, Ф. С. Насрединов, П. В. Нистирюк, О. Ю. Приходько, П. П. Серегин. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка, модифицированного железом // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17. № 5. С. 928−930.
  62. Stotzel Н., Leimer F., Kuske J., Teubner W. Characterization of blockingmetal contacts on amorphous GeSe films // Proceeding of International
  63. Conference «Amorphous Semiconductors-78». Pardubice, 1978. P. 332→ n с1. JO 3.
  64. Kottwiz A., Stotzel H., Stoica H., Vescan I. Determination of realized states in modified a- GeSe by photoconduction investigation // Proceeding of International Conference «Amorphous Semiconductors-78». Pardubice, 1978. P. 472−475.
  65. В.Д., Насрединов Ф. С., Нистирюк П. В., Приходько О. Ю., Серегин П. П. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка оловом // Физика и химия стекла. 1982. Т. 8. № 5. С. 541−545.
  66. Shimizu T., Watanabe I., Shiomi S. Thermally quenched and generated paramagnetism in Ge42S58 glass // Solid State Communications. 1981. V. 38. № 6. P. 483−488.
  67. Т.К., Тверьянович Ю. С., Борисова З. У. // Физика и химия стекла. 1984. Т.10. № 3. С. 374−377.
  68. Ким Т.И., Михайлов М. Д., Борисова З. У. Влияние марганца на свойства стекол системы Sb-Ge-Se // Физика и химия стекла. 1985. Т.П. № 1. С. 56−60.
  69. Tohge N., Minami T., Yamamoto Y., Tanaka M. Electrical and optical properties of /7-type semiconducting chalcogenide glasses in the system Ge-Bi-Se//Journal of Applied Physics. 1980. V. 51. № 2. P. 1048−1053.
  70. Nagels P., Rotti M., Vikhrov S.P. Doping of chalcogenide glasses in the GeSe and Ge-Te systems // Journal de Physique. 1981. V. 42. № 10. P. 907 970.
  71. Street R.A. Localized states in doped amorphous silicon // Journal of Non-Crystalline Solids. 1985. V. 77−78. № 1. P. 1−10.
  72. Bhatia К. I. Structural changes induced by Bi doping in n-type amorphous (GeSe3.5)ioo-^Bu//Journal of Non-Crystalline Solids. 1983. V. 54. P. 173 177.
  73. Saiter J. M., Derrey T., and Vautier C. Coordinance of bismuth in amorphous chalcogenide alloys // Journal of Non-Crystalline Solids. 1985. V. 77−78. P. 1169−1172.
  74. Tichy L., Ticha H., Triska A., and Nagels P. Is the «-type conductivity in some Bi-doped chalcogenide glasses controlled by percolation? // Solid State Communications. 1985. V. 53. P. 399−402.
  75. Elliott S. R. and Steel A. T. Mechanism for doping in Bi chalcogenide glasses// Physical Review Letters. 1986. V. 57. № 11. P. 1316−1319.
  76. Phillips J. C. Constraint theory and carrier-type reversal in Bi-Ge chalcogenide alloy glasses / Physical Review. B. 1987. V. 36. P. 4265−4270.
  77. В.JI., Звонарева Т. К., Любин В. М., Норцева Н. В., Павлов Б. В., Сарсембинов Ш. Ш., Цендин К. Д. Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка // Физика и техника полупроводников. 1988. Т. 22 № 11. С. 2093−2094.
  78. Н.П., Мазец Т. Ф., Сморгонская Э. А., Цендин К. Д. Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As2Se3, легированного Bi // Физика и техника полупроводников. 1989. Т. 3. № 2. С. 297−303.
  79. Vautier С. Role of metal impurity «Bi» in amorphous chalcogenide semiconductors // Solid State Phenomena. 2000. V. 71. P. 249−270.
  80. Golovchak R., Shpotyuk O., Kovalskiy A., Miller A. C., Cech J., Jain H. Coordination defects in bismuth-modified arsenic selenide glasses: Highresolution x-ray photoelectron spectroscopy measurements / Physical Review. B. 2008. V. 77. P. 172 201.
  81. Todorov R., Iliev Т., Petkov K. Light-induced changes in the optical properties of thin films of Ge-S-Bi (Tl, In) chalcogenides // Journal of Non-Crystalline Solids. 2003. V.326−327. № 1. P.263−267.
  82. Kovalskiy A. et al. A Study of Reversible y-Induced Structural Transformations in vitreous Ge23.5Sbn.8S64.7 by high-Resolution X-ray photoelectron spectroscopy / Journal of Physical Chemistry. B. 2006. V. 110. P. 22 930−22 934.
  83. В.Т., Грабко Г. И. Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ-структуры Al-As2Se3-Al // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. № 12. С. 1440−1442.
  84. Р.А., Бордовский В. А., Грабко Г. И., Татуревич Т. В. Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As-Se релаксационными методами // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 12. С. 1646−1651.
  85. Guo Т. С., Guo W. W. A transient-state theory of dielectric relaxation and the Curie-von Schweidler law // Journal of Physics. C. 1983. V. 16. P. 1955−1960.
  86. Feltz A. Amorphous Inorganic Materials. VCH. Weinheim. 1993, 446 p.
  87. .Л. Эстафетный механизм переноса заряда в системе металл диэлектрик — металл при инжекции носителей // Физика и техника полупроводников. 1973. Т. 7. № 2. С 225−229.
  88. С.Н., Гасанов А. И. Релаксационные явления в монокристаллах TlGa0.99Feo.oiSe2 // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. № 11. С. 1937−1941.
  89. Л.П., Лебедев Э. А., Рогачев Н. А. // Электронные явления в некристаллических полупроводниках. Под. ред. Б. Т. Коломийца. 1976. Л., Наука.
  90. Н.И., Мазец Т. Ф., Сморгонская Э. А., Цэндин' К.Д. Микронеоднородность и примесная проводимость в пленках стеклообразного As2Se3 // Физика и техника полупроводников. 1989. Т.23. С. 297.
  91. Churbanov M.F., Scripachev I.V., Shiryaev V.S., Plotnichenko V.G., Smetanin S.V., Kryukova E.B., Pyrkov Y.N., Galagan B.I. Chalcogenide glasses doped with Tb, Dy and Pr ions // Journal of Non-Crystalline Solids. 2003. V.326−327. № 1. P. 301−305.
  92. Sarsembinov Sh.Sh., Prikhodko O.Yu., Ryaguzov A.P., Maksimova S.Ya., Ushanov V.Zh. Local structure and electronic properties of amorphous As2S3 films prepared by different methods // Semiconductors Science Technology. 2004. V. 19. № 7. P. 787−791.
  93. Lampert M.A. Simplified Theory of Space-Charge-Limited Currents in an Insulator with Traps //Physical Review. 1956. V. 103. P. 1648.
  94. .Л., Карпова А. П. Экспериментальное изучение эстафетного механизма протекания тока в системе металл диэлектрик — металл // Физика и техника полупроводников. 1973. Т. 7. № 2. С. 230−235.
  95. A.M., Черный М. Р. Релаксационные темновые токи в стеклообразном сульфиде мышьяка // Кристаллические и стеклообразные полупроводники. Кишинев: Штиинца, 1977. С. 127−133.
  96. С.H., Асадов М. М. Токи изотермической релаксации в кристаллах моносульфида галия, легированного иттербием // Неорганические материалы. 1989. Т. 25. № 2. С. 212−215.
  97. Mustafaeva S.N. Properties of Dark Current Relaxation in TlGaSe2(Li+) Single Crystals // Solid State Communications. 1985. V. 56. № 11. P. 971−973.
  98. В.T., Бордовский B.A., Кастро P.A. Релаксационные темновые токи в стеклах системы As-Se // Физика и химия стекла. 2000. Т. 26. № 3. С. 369−373.
  99. В.Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. Релаксационные свойства контакта металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31. № 11. С. 1340−1341.
  100. В.А., Кастро Р. А., Грабко Г. И., Татуревич Т. В. Особенности релаксационных процессов в пленках As2Se3 полученных разными методами // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32, № 2. С. 246 250.
  101. В.А., Кастро Р. А., Грабко Г. И. Влияние технологического фактора на релаксационные процессы в пленках As2Se3 // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2008. № 10 (64). С. 56−61.
  102. Р.А., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Исследование процессов переноса и накопления заряда в слоях As2Se3, полученных разными методами // Физика и химия стекла. 2009. Т. 35. № 1. С. 54−57.
  103. Р.А., Грабко Г. И. Релаксационные явления в слоях (As?Se3)ioo-xBix//Физика и химия стекла. 2010. Т. 36. № 5. С. 71 1−716.
  104. Н.И., Бордовский В. А., Грабко Г. И., Кастро Р.А.
  105. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе118тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом // Физика и техника полупроводников. 2010. Т.44. № 8. С. 1038−1041.
  106. В.И., Семак Д. Г., Михалько И. П. Нестационарная фотопроводимость слоев стекол из системы As-Se // Известия вузов. Серия физическая. 1977. № 5. С. 66.
  107. Ш. Ш., Приходько О. Ю., Рягузов А. П., Максимова С .Я., Ушанов В. Ж. Сборник трудов IV международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Санкт-Петербург, 2004. С. 209.
  108. Anisimova N.I., Bordovsky G.A., Bordovsky V.A., Castro R.A. The photoinduced change of dissolution rate in As2Se3 glasses. // Radiation Effects and Defects in Solids. 2001. V. 156. P.365−363.
  109. В.Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. Поляризационные свойства модифицированных пленок As2Se3 // Физика и химия стекла. 2000. Т. 26. № 3. С. 420−421.
  110. Г. А., Кастро Р. А. Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3 // Известия ГРПУ им. А. И. Герцена. 2002. № 2 (4). С. 17−22.
  111. Castro R.A., Bordovsky G.A., Bordovsky V.A., Anisimova N.I. Correlation between bismuth concentration and distribution of relaxators in As2Se3(Bi)x layers // Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. V.352. № 920. P. 1560−1562.
  112. P.А., Бордовский В. А., Анисимова Н. И., Грабко Г. И. Спектроскопия дефектных заряженных центров в тонких слоях стеклообразного Ge7s.5P15S56.5- Н Физика и техника полупроводников. Т.43.' № 3. 2009. С. 382−384.
  113. P.A., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Распределение релаксаторов в модифицированных пленках триселенида мышьяка // Физика и химия стекла. 2010. Т. 36. № 1. С. 44−48.
  114. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Москва: Высшая школа, 1977. 448 с.
  115. О.В., Браиловский В. Б. Проблема микронеоднородности стекол в свете изучения их электрических свойств // Стеклообразное состояние. Москва, 1965. С. 277−279.
  116. Г. А. Полимерные электреты. Москва: Изд. Химия, 1976. 224 с.
  117. Г. А. Методы исследования электрических свойств полимеров. Москва: Химия, 1980. 160 с.
  118. P.A., Грабко Г. И., Татуревич Т. В. Исследование полевых и частотных зависимостей диэлектрических параметров в аморфных пленках a-As2Se3 // Физика и химия стекла. 2007. Т. 33. № 2. С. 113−116.
  119. Р.А., Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Диэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3(Bi)x // Физика твердого тела. 2009. Т. 51. № 6. С. 1062−1064.
  120. Р.А., Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Диэлектрическая спектроскопия модифицированных слоев триселенида мышьяка // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2010. № 135. С. 88−92.
  121. Eisenberg N.P., Manevich М., Arsh A., Klebanov М., Lyubin V. Micro-prism arrays for infra-red light based on As2S3-As2Se3 photoresists // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2002. V. 4. P. 405−409.
  122. Aggarwal I.D., Sangera J.S. Development and applications of chalcogenide glass optical fibers at NRL // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2002. V. 4. P. 665−670.
  123. Elliot S.R. The mechanism for a.c. conduction in chalcogenide semiconductors: electronic or atomic? // Philosophical Magazine. 1979. V. 32. № 6. P. 507−51 1.
  124. E.A., Прокофьева JI.В., .Равич Ю. И, Зарубо С. В., Гарцман К. Г. Особенности рассеяния дырок изовалентной примесью олова в PbSe, приводящие к сильному снижению подвижности // Физика и техника полупроводников. 1985. Т.19. С.1746−1749.
  125. Breitschwerdt K.G., Hafner J. Microwave electrical conductivity and structure of chalcogenide glasses // Journal of Non-Crystalline Solids. 1980. V. 35. № 2. P. 993−998.
  126. El-Samanoudy M. M. Alternating-current conductivity and dielectric properties of Ge25Sb|5vBivS6o bulk and thin-film glasses // Journal of Physics: Condensed Matter. 2002. V. 14. P. 1199−1212.
  127. Bobylev Yu. V., Murin I. V., Tveryanovich Yu. S. Electrical Conductivity of Glasses in the Ag-As-Se-Te System // Физика и техника полупроводников. 2005. Т.31. № 2. С. 165−167.
  128. Zima V., Wagner Т., Vlcek M., Benes L., Kasap S.O., Frumar M. Electrical conductivity of Agx (AS4oSe60)ioo-N of bulk glasses // Journal of Non-Crystalline Solids. 2003. V. 326−327. № 1. P. 159−164.
  129. Hafiza M.M., Othmana A.A., Elnahassb M.M.,. Al-Motasem A.T. Composition and electric field effects on the transport properties of Bi doped chalcogenide glasses thin films // Physica B. 2007. V. 390. P. 286 292.
  130. Esme I., Zaim Cil C., Aktas G. Frequency dependent conductivity in As2Se3and As2Se3 + 15%Sb //Applied Physics. A. 1990. V. 51. P. 481−485.
  131. К.Д. Спектры собственных дефектов с отрицательной энергией корреляции в легированных халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1991. Т. 25. № 4. С. 617−622.
  132. A.A., Shutov S.D. // Physica Status Solidi. (a). 1984. V. 84. № 1. P. 343.
  133. Maruno S. Dielectric properties of glass in the system As-S // Japan Journal Applied Physics 1967. V. 6. P. 1474−1475.
  134. Kunh M. A quasi-static technique for MOS C-Vand surface state measurement // Solid State Electronics. 1970. V. 13. № 6. P. 873.
  135. Crevecoeur C., De Wit H.J. Dielectric losses in As2Se3 glass // Solid State Communications. 1971. V. 9. P. 445−449.
  136. А.А., Шутов С.Д. Isothermal capacitance transient spectroscopy of gap states in a-As2Se3 film // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. № 1. С. 133−136.
  137. И.А., Шутов С. Д. Исследование оптического поглощения тонких пленок a-As2Se3 методом фотоемкостной спектроскопии // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 4. С. 490−493.
  138. P.A., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Дисперсия диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка // Письма в журнал технической физики. 2010. Т. 36. № 17. С. 9−15.
  139. P.A., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As2Se3 с большим содержанием висмута // Письма в журнал технической физики. 2010. Т. 36. № 20. С. 80−86.
  140. P.A., Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Диэлектрическая спектроскопия модифицированных слоев триселенида мышьяка // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2010. № 135.С. 88−92.
  141. P.A., Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированного As2Se3 // Физика твердого тела. 2011. Т. 53. № 3. С. 430−432.
  142. P.A., Грабко Г. И. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As2Se3)|.xBix // Физика и техника полупроводников. 2011. Т.45. № 5. С. 622−624.
  143. Г. И. Диэлектрический отклик аморфных слоев As2Se3, приготовленных разными методами // Материалы XII международной конференции «Диэлектрики-2011». Санкт-Петербург, 2011 г. С. 16−17.
  144. Р. А., Грабко Г. И., Татуревич Т. В. Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As2Se3, приготовленных разными методами // Письма в журнал технической физики. 2011. Т. 37. В. 18. С. 1−6.
  145. О.В. Электрические свойства стекла. Ленинград: Ленгосхимиздат, 1962. 163 с.
  146. Г. Теория диэлектриков. Москва, 1960. 252 с.
  147. М.С. Дисперсия диэлектрической проницаемости халькогенидных стекол в широком диапазоне частот // Физика и химия стекла. 1983. Т. 9. № 3. С. 291−300.
  148. З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Ленинград: Из-во Ленинградского университетата, 1972. 159 с.
  149. О. Ю. Исследование электрических и оптических свойств ХСП, модифицированные различными металлами // Автореферат диссертации на соискание ученной степени кандидата физико-математических наук. Л. 1992. 16 с.
  150. Kremer F., Schonhals A. Broadband Dielectric Spectroscopy. SpringerVerlag Berlin Heidelberg New York. 2003. 729 p.
  151. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous Si // Science Instruments. 1983. V. 16. № 12. P. 1214−1222.
  152. Sussman R.S., Austin I.G., Searle T.M. Absorption and electro-absorption in single-crystal As? Se3 near the fundamental edge // Journal of Physics. C. 1975. V. 8. № 4. P. 182.
  153. Street R.A. Photoconductivity of amorphous semiconductors // Solid State Communications. 1981. V. 39. № 2. P. 263−266.
  154. Tauc J., Menth A. States in the gap // Journal of Non-Crystalline Solids. 1972. V. 8−10. № 4. P. 150−155.
  155. Hopfield J.J. Effective-impurity model of optical absorption edges // Journal of Non-Crystalline Solids. 1972. V. 8−10. № 4. P. 664−670.
  156. Weiser K., Brodsky M.H. dc conductivity, optical absorption, and photoconductivity of amorphous arsenic telluride films // Physical Review B. 1970. V.l. № 4. P. 791−795.
  157. Ishu Sharma, S.K. Tripathi, P.B. Barman. Effect of Bi addition on the optical behavior of a-Ge-Se-ln-Bi thin films / Applied Surface Science. 2008. V. 255. P. 2791−2795.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!