Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения

Диссертация: Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для того, чтобы достаточно полно прошел процесс Ъамоочистки^ необходимо, чтобы в условиях кристаллизации и последующего охлаждения полученного слитка, выполнялось условие диффузионно-концентрационного равновесия. Как наиболее удовлетворяющий указанным требованиям управления процессом, является метод выращивания кристаллов горизонтальной направленной кристаллизацией из расплава, близкого… Читать ещё >

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Теллурид кадмия (обзор литературы)
    • 1. Л
  • Введение
    • 1. 2. Физико-химические свойства системы СсГСсГГе-Те
      • 1. 2. 1. Диаграмма состояния СсПГе (Р-Т-х)
      • 1. 2. 2. Фазовые равновесия Сс1Те (тв)^С (1Те (г)^Сс1(г)+½Те2(г)
      • 1. 3. Дефекты в СсГГе 21 1.3.1 Равновесие атомных дефектов в СсГГе и СсГГе <С1>
      • 1. 3. 2. Самокомпенсация в кристаллах СсГГе<�В>, СсГГе<�С1>
      • 1. 3. 3. Регулирование состава атомных дефектов при росте и отжиге кристалла
      • 1. 4. Выращивание кристаллов СсГГе
      • 1. 4. 1. Выращивание кристаллов СсГГе из газовой фазы
      • 1. 4. 2. Выращивание кристаллов СсГГе из раствора в расплаве соединения
      • 1. 4. 3. Выращивание кристаллов СсГГе из расплава

2.2. Описание методики горизонтальной направленной кристаллизации 55.

2.3. Синтез СсГГе. Очистка при синтезе 59.

2.4. Изучение условий кристаллизации СсГГе<�С1> 65.

2.5. Конвективные потоки в расплаве СсГГе при кристаллизации в горизонтальной лодочке 71.

2.6. Определение оптимальных условий выращивания кристалла CdTe 77.

2.7. Основные результаты и выводы 81 Глава 3. Исследование самокомпенсации в CdTe методом термического отжига кристаллов 83.

3.1. 3.1.

Введение

83.

3.2. Разработка методики отжига полуизолирующих кристаллов CdTe 85.

3.3. Самокомпенсация в кристаллах CdTe в области составов, контролируемых при отжиге давлением пара кадмия 91.

3.4. Самокомпенсация в кристаллах CdTe в области составов, контролируемых при отжиге давлением пара теллура 100.

3.4.1. Образование антиструктурного дефекта TeCd, нарушающего процесс самокомпенсации в CdTe 103.

3.5.

Заключение

и выводы 105 Глава 4. Некоторые аспекты самокомпенсации в CdTe при послеростовом отжиге слитка кристаллов 109.

4.1.

Введение

109.

4.2. Принципы отжига кристалла в процессе охлаждения слитка 111.

4.3. Гомогенизирующий отжиг слитка CdTe (TKp=const) 113.

4.3.1. Послеростовой отжиг слитка CdTe 113.

4.3.2. Высокотемпературный отжиг слитка CdTe 118.

4.4. Гомогенизирующий отжиг слитка в процессе его охлаждения 125.

4.4.1. Исследование влияния скорости охлаждения слитка на самоочистку" в кристалле 125 4.4.2. Исследование управления составом кристалла при его охлаждении 132.

4.5. Гомогенизирующий отжиг слитка с выделением во вторую фазу избытка компонента в процессе охлаждения 134.

4.6. Основные результаты и выводы 139 Заключение, основные результаты и выводы 142 Список литературы 146.

Актуальность темы

. Одним из основных, наиболее актуальных направлений технологических работ по выращиванию кристаллов теллурида кадмия является получение материала, необходимого для создания высокоэффективных, чувствительных, малошумящих и компактных детекторов рентгеновского и ядерного излучения, имеющих широкое практическое применение. Эти детекторы работают в режиме ионизационной камеры, что приводит к необходимости получения однородного полуизолирующего материала с максимально возможными величинами произведения времени жизни {тэ, д) и дрейфовой подвижности {цэ, д) электронов и дырок.

Получение полуизолирующих кристаллов Сс1Те возможно при высокой степени самокомпенсации заряженных атомных дефектов. Реализация точной самокомпенсации обусловлена диффузионным механизмом образования нейтральных ассоциатов в широком интервале температур -" самоочисткой^кристалла.

Использование легирующего донора, хлора, высокой концентрации акцептора — вакансий Сд. и очень медленного охлаждения кристалла после выращивания наилучшим образом позволяют реализовать «самоочистку1 кристалла, то есть управляемо понизить концентрацию заряженных центров до такой низкой величины, что достигаются малые р (п) и высокие (I и т носителей заряда.

Для того, чтобы достаточно полно прошел процесс Ъамоочистки^ необходимо, чтобы в условиях кристаллизации и последующего охлаждения полученного слитка, выполнялось условие диффузионно-концентрационного равновесия. Как наиболее удовлетворяющий указанным требованиям управления процессом, является метод выращивания кристаллов горизонтальной направленной кристаллизацией из расплава, близкого к стехиометрическому, под управляемым давлением пара кадмия. Получение точно заданного однородного по слитку состава соединения при кристаллизации является основой для точной и однородной по объему материала самокомпенсации. аСамоочистка>- кристалла более эффективна при малом содержании неконтролируемых примесей в кристалле. Важной, поэтому, является очистка материала непосредственно перед кристаллизацией, способствующая воспроизводимости получения результата.

Цель работы. Исследование выращивания и отжига полуизолирующих кристаллов Сс1Те<�С1> для детекторов ядерного излучения.

Задачи работы. В ходе проведения исследований необходимо было решить следующие основные задачи.

1. Разработать методику уменьшения содержания примесей в кристалле СсГГе уже в процессе их синтеза и технологии выращивания.

2. Определить условия выращивания СйТе<�С1> точно заданного однородного по слитку состава соединения путем контроля концентрации свободных носителей в полуизолирующем кристалле.

8 3.

3. Определить условия точной самокомпенсации р (п)? 10 см" и р (п)/[С1] ^ 10″ 9 в зависимости от температуры кристалла, давления пара Сс1(Те2) и концентрации хлора в кристалле.

4.Разработать режимы управления составом СсИТе путем регулирования давления пара Сс1 при послеростовом отжиге слитка с целью осуществления максимальной 'Ьамоочистки5' заряженных центров в кристалле, происходящей во всем объеме и, таким образом, обеспечить получение полуизолирующего слитка с высокими ¡-л и г носителей заряда. Методика исследования является комплексной и представляет разработку способа получения крупных структурно совершенных полуизолирующих монокристаллов Сс1Те, легированного хлором, с высоким /./, т носителей заряда, изготовление образцов для анализа совершенства кристалла на ИК микроскопе и контроля содержания примесей атомно-абсорбционным и масс-спектроскопическим способами.

На выращенных кристаллах были измерены параметры, необходимые для оценки степени самокомпенсации и определения возможности использования их для спектрометрических детекторов ядерного излучения. В качестве методик использовались эффект Холла, проводимость, измерение фронта нарастания импульса в детекторе от а-частиц и измерение потерь собираемого заряда в детекторе для определения а, п, р, /л3гд, (?ит)%д.

Научная новизна. 1. Предлагается новый способ синтеза Сс1Те, позволяющий повысить чистоту соединения на порядок величины содержания примесей по сравнению с исходными Сд. и Т. е. Эффект достигается переносом обоих компонентов в горячую область кристаллизатора.

2. В процессе выращивания СйТе горизонтальной направленной кристаллизацией в запаянной ампуле при постоянном Ра, поддерживаемом температурой холодной зоны, впервые показано, что расплав, находящийся в градиенте температуры, в горячей его области обедняется кадмием, а конвекция, доставляя такой расплав к фронту кристаллизации, таким образом, определяет состав и свойства кристалла.

7 9 3.

3.Впервые полуизолирующие кристаллы С<�ЗТе<�С1>, р (п)=Ю -10 см", получены отжигом образцов в парах Сс1 и Те2. При этом, получена зависимость инверсии типа проводимости от Рса при отжиге, наблюдаемая при малых р и п. Аномально высоким величинам п при отжиге Сс1Те<�С1> в парах Те дано объяснение на основании участия в самокомпенсации антиструктурного заряженного дефекта.

4.При послеростовом высокотемпературном, 7^(0,7−0,99)7^, отжиге слитка Сс1Те<�С1> впервые на основании определенной зависимости изменение содержания С 1 в кристалле при уменьшении его температуры предлагается соответствующий ей режим уменьшения РСс{, позволяющий поддерживать условие, когда [Ус^]%>½[ сц. с ]¦ При последующем медленном охлаждении слитка, в этом случае, осуществляется более полная ^самоочистка^ заряженных атомных дефектов, характеризуемая высокими подвижностями и временами жизни носителей заряда.

Практическая ценность. 1. Разработан способ синтеза Сс1Те, повышающий чистоту соединения в 10 раз по сравнению с исходными Сс1 и Те, уже имеющими полупроводниковую чистоту, и который также эффективен, при очистке от примесей непосредственно перед выращиванием кристалла.

2. Предложен механизм использования конвекции для воздействия на состав расплава на фронте кристаллизации. Для кристаллизации Сс/Те методом уменьшения мощности печи предложены способы работы в малом градиенте температуры или регулирование состава расплава программным изменением РСЛ в ампуле, что позволяет радикально улучшить, однородность <у, п, р в кристалле.

3. Разработан метод 2-х этапного отжига, в котором на основе высокотемпературного равновесия фаз тв. — газ и последующего медленного охлаждения осуществляется глубокая «самоочистка» (и высокая степень самокомпенсации), позволяющий проводить исследования как равновесных концентраций атомных дефектов, так и влиять на кинетику их взаимодействия.

4.Предлагаемые режимы послеростового отжига слитка Сс1Те<�С1> во всем интервале его охлаждения, а также их обоснование процессом 1амоочистки^ позволяют воспроизводимо получать полуизолирующий кристалл с высокими //г носителей заряда.

Полученные результаты использованы при работах по темам: ГР81 056 488. «Полупроводниковые детекторы жестких излучений», № 0−540 1982г., ГР 01.86.112 714. Получение и исследование теллурида кадмия, предназначенного для приемников излучений: Комплексная программа АН СССР и АМН СССР.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Очистка Сс1Те от кислорода и активных к нему металлов (более чем в 10 раз) достигается при синтезе соединения в запаянной ампуле непосредственно перед выращиванием особо чистого кристалла путем переноса обоих летучих компонентов в кристаллизатор.

2.При выращивании СсПе из расплава, находящегося в градиенте температуры под давлением пара кадмия, состав кристаллизуемого Сс1Те определяется потоками конвекции, доставляющими расплав из горячей области, обедненный летучим компонентом {СсГ), к фронту кристаллизации.

3. Высокая степень самокомпенсации достигается отжигом образцов Сс1Те<�С1> последовательно в два этапа: 1 Образованием заряженных собственных атомных дефектов в концентрации, необходимой для компенсации заряда введенного донора (У~%Ш/2[с1*е]), при высокотемпературном отжиге и 2) образованием нейтральных ассоциатов заряженных атомных дефектов при медленном охлаждении.

4. Установленное изменение концентрации легирующего донора ([с/р]) от температуры кристалла позволяет посредством регулирования концентрации собственного атомного дефекта акцептора компенсирующего заряд донора, повысить степень «самоочистки» в процессе послеростового отжига слитка Сс1Те<�С1> за счет вывода энергетических уровней заряженных центров из запрещенной зоны кристалла.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены нанаучных семинарах лаборатории Неравновесных процессов в полупроводниках (ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН), международном симпозиуме по теллуриду кадмия — «Физические свойства и применение» (Страсбург, Франция, 1976), VI Международный семинар «Полупроводниковые соединения для детекторов рентгеновского и ядерного излучений, работающие при комнатной температуре» (Давос, Швейцария, 1987), 9-ый международный симпозиум «Полупроводниковые соединения» (Санкт-Петербург, Россия, 1996), совещание по полупроводниковым детекторам ядерных излучений (Киев, 1978), совещание «Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов» (Новосибирск, 1980), Н-м совещании «Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на широкозонных материалах» (Новосибирск, 1983), 3-я Всесоюзная конференция «Материаловедение халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1991), П-я Всесоюзная школа «Полупроводниковые детекторы в ядерной физике» (Рига, 1985).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 научных статей.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 159 страниц машинописного текста, включая 40 рисунков на&bdquo- 31 странице, 7 таблиц, 14 страниц библиографии, включающий 149 ссылок на литературные источники.

Основные результаты работы:

1.Разработан способ очистки Сс1Те от кислорода и активных к нему металлов (на порядок величины содержания примесей) путем переноса обоих летучих компонентов в кристаллизатор при синтезе соединения в запаянной ампуле непосредственно перед выращиванием особо чистого кристалла.

2.Установлено, что состав кристаллизуемого Сс1Те определяется не только Рей в запаянной ампуле, а еще и конвекцией расплава, находящегося в градиенте температуры, и в горячих областях его, обедненного летучим компонентом кадмием. Кристаллизация способом, в котором при общем понижении температуры происходит и уменьшение максимальной температуры расплава, приводит к изменению состава кристалла и, соответственно, к изменению его полупроводниковых характеристик.

3.Разработана методика отжига кристаллов С<�ЛТе<�С1>, позволяющая осуществить и исследовать процесс точной самокомпенсации (степень самокомпенсации п/[С1]=310″ 11) при высокотемпературном установлении равновесия фаз газ — тв. и при медленным охлаждении, когда происходит ассоциация заряженных атомных дефектов в нейтральные ассоциаты -" самоочистка?

4.Отжигами кристаллов CdTe установлена зависимость концентрации свободных носителей от высоких п к ni=pj при варьировании Pcd (Pre) от высоких к Pcdmm = Ртетт, характеризующая самокомпенсацию СЦ. С и V'2 в области инверсии типа проводимости.

5.Предложено объяснение аномального явления, высокой концентрации.

14 3 п = 10 см." в кристаллах, отжигаемых при РТе «РТе, участием в самокомпенсации антиструктурного атомного дефекта TeCd.

6.Установлена зависимость растворимости легирующего донора ci*e от температуры отжига кристалла CdTe, и, в соответствие с концентрацией хлора, определены условия регулирования PCd для осуществления наиболее точной самокомпенсации.

7.Определены условия высокотемпературного отжига кристалла (Ткр = (0,7−0,99)Г"л): время отжигов, скорости охлаждения кристаллов и давление пара Cd, для регулирования состава собственных точечных дефектов в CdTe (в диапазоне изменения концентрации свободных.

9 3 9 3 носителей заряда от р = 10 см." до п = 10 см.") с целью осуществления наиболее полной «самоочистки» электро заряженных центров по всему объему слитка.

8.Установлены зависимости подвижностей и времен жизни носителей заряда от температуры кристалла и давления пара кадмия при отжиге.

9.Разработана методика отжигов слитков кристаллов после их выращивания, позволяющая за счет удаления избытка компонента соединения (теллура) во вторую фазу (твердые и газовые включения), повысить однородность распределения электрически заряженных атомных дефектов.

Приведенные результаты исследования условий выращивания и отжига кристаллов CdTe доказывают научные положения, сформулированные во введении и позволяют сделать следующие выводы.

1.В процессе синтеза соединения в запаянной ампуле непосредственно перед кристаллизацией достигается очистка Cd и Те путем испарения их в зоне компонентов и конденсации в кристаллизаторе, где при более высокой температуре образуется CdTe. Нелетучие окислы кадмия и теллура с адсорбированными ими примесями остаются в зоне компонентов, что позволяет на порядок величины понизить содержание этих примесей в CdTe по сравнению с исходными Cd и Т. е.

2.В процессе кристаллизации CdTe в запаянной ампуле, когда холодная зона обуславливает давление паров кадмия, расплав, находящийся в градиенте температуры, в горячей области обедняется летучим компонентом Cd, а конвекция, перемешивая жидкость, определяет (наряду с PCd) состав расплава на фронте кристаллизации и, таким образом, состав и свойства кристалла.

3.Высокая степень самокомпенсации и, /[С1 7=310″ 11 достигается отжигом образцов CdTe в парах Cd и Те2, когда при высокотемпературном равновесии фаз газ — тв. устанавливается концентрация Fc: j, равная концентрации ½ в кристалле, а при последующем медленном охлаждении происходит ассоциация их в нейтральные центры. В зависимости от PcdiPj^) при отжиге получена характерная для теллурида кадмия инверсия типа проводимости,.

7 ^ наблюдаемая в диссертационной работе при малых п =р =10 см. .

4.В условиях послеростового. отжига слитка CdTe, когда охлаждение до Ткр = 0,7Тпл, происходит при равновесии фаз газ — тв., а изменение Pcd, определяющее концентрация F (:Jb кристалле, производится с учетом зависимости уменьшения концентрации сц. с с.

I понижением температуры так, чтобы [V^] >½[с/.-!,], тогда достигается наиболее высокая степень" самоочистки^заряженных атомных дефектов в объеме слитка при последующем медленном охлаждении кристалла, что выражается в увеличении подвижности и времени жизни носителей заряда.

Автор выражает глубокую благодарность своему научному руководителю О. А. Матвееву за формирующее и направляющее непрерывное руководство и ценные советы в процессе выполнения всей работы.

Автор выражает глубокую признательность всем коллегам, принимавшим прямое или косвенное участие в выполнении данной работы на различных этапах, в особенности, Аркадьевой E.H., Агринской Н. В., Евдокимовой C.B., Зелениной Н. К., Иваницкому В. Ю., Иваницкой О. В., Карпенко В. П., Кашерининову П. Г., Масловой Л. В., Мельниковой Е. В., Перепеловой Г. Б., Сладковой В. А., Томасову A.A., Яковлеву Н. В., Гуляеву Ю. В., Вахмянину Л. П., Махову И. В., Сарыгиной В. М., Языкову H.H.

Автор благодарит также сотрудников лаборатории, создавших атмосферу творчества и взаимопомощи, в которой выполнялась работа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Настоящая диссертация является комплексной работой, которая объединила исследования: выращивание крупных особо чистых кристаллов Сс1Те<�С1> с точным составом соединения (с малым отклонением от стехиометрического), разработку способа отжига кристалла для изучения самокомпенсации до низких величин п ((р,) в области инверсии типа проводимости полупроводника, установление и обоснование РСй ~ Ткр, режимов отжига слитка при его послеростовом охлаждении с целью «самоочистки*' заряженных атомных дефектов в нейтральные центры в кристалле до уровня, когда достигаются высокие /л и г носителей заряда в полуизолирующем полупроводнике.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Nobel D. Phase equlibria and semiconducting properties of CdTe. Phillips Res. Rep., 1959, v.14, p.361- 399.
  2. Ф. Химия несовершенных кристаллов, M, Мир, 1969, с.654.
  3. Физика и химия соединений AnBVI ред, М, Авен, Дж, Пренер, ред. перевода Медведев С. А., М. Мир, 1970, с. 625.
  4. Zanio К. Semiconductor and semimettals v. 13, San-Francisco, London, N.Y., 1978, p.230,
  5. Теллурид кадмия, ред. Вул М., Наука, 1968, с. 147,
  6. А.Р., Глазов В. М., Периодический закон и физические свойства электронных расплавов, М., Наука, 1978, т.1, с. 309, Физические свойства электронных расплавов, М. Наука, 1980, т.2,с.296,
  7. В.М., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники, М. Наука, 1967, с. 244,
  8. Ю.Рудь Ю. В., Санин К. В. Электропроводность теллурида кадмия в окрестности температуры плавления, ФТП, 1971, т.5, N8, с.1587−1595.
  9. Brebrick R.F., StraussA.J. Partial Pressure and Gibbs Free Energy of Formation for Congruently Sublimining CdTe (S). J. Phys. Chem. Solids, (1964), v.25, N12, p.1441 — 1445.
  10. A.H. Давление пара химических элементов, М., изд. АН СССР, 1961, с. 396.
  11. Honig R.E. Vaper Pressure Data For the Solid and Liquid Elements. -RCA Review, 1962, v.5, N12, p.567 586.
  12. Lorenz M.R. Preparation of CdTe crystals from near stoichiometric and Cd rich melt compositions and constant Cd pressure. J. Appl. Phys., 1962, v. 13, N11, p.3304 — 3307.
  13. Lorenz M.R. Equlibria in the sistem Cd Т. е. — J.Phys. Chem. Solids, 1962, v.23, n.4, p.939 — 947.
  14. И.В., Беляев A.B., Новоселова A.B. Определение давления насыщенного пара твердых теллурида кадмия и теллурида цинка. -ЖНХ, 1960, т.5, N1, с.3−7.
  15. В.М., Павлова JI.M. Область гомогенности на основе теллурида кадмия в системе кадмий теллур. — Н М, 1994, т.30, N5, с.629−634.
  16. Whelan R.C., Shaw D. Evidence of Doubly Ionized Native Donor in CdTe. Phys. Stat. Sol. (a), 1968, v.29, N1 p. 145 — 152.
  17. O.A., Рудь Ю. В., Санин K.B. Собственный донорный дефект в теллуриде кадмия. Ф Т П, 1969, т. З, N6, с.924−927.
  18. Zanio К. Chemical Diffusion in Cadmium Telluride. J. Appl. Phys., 1970, v.41, N5, p.1935 -.1941.
  19. Chern S.S., Vydyananh H.R., Kroger F. A The Defect Structure of CdTe: Hall Data. J. Solid State Chem., 1975, v.14, N1, p.33 — 40.
  20. Chern S.S., Vydyananh H.R., Kroger F. A The Defect Structure of CdTe: Self-Diffusion Data. J. Solid State Chem., 1975, v.14, N1, p.40 — 48.
  21. Smith F.T. Electrically Active Point Defects in Cadmium Telluride. Mettall. Trans., 1970, v. l, N1, p.617 625.
  22. Ю.В., Санин K.B. Влияние давления пара кадмия на электропроводность кристаллов теллурида кадмия при высокой температуре. Ф Т П, 1971, т.5, N2, с284−292.
  23. Н.Г., Ванюков A.B., Иванов Ю. М. Температурная зависимость парциального давления Cd в системе Cd-Te. Ж Ф X, 1974, т.48, N8, с. 2103 — 2104.
  24. Jouglar J., Hefroit C., Vuillermoz P.L., Triboulet R. Influence of growth parameters of CdTe low temperature termal conducnivity. J. Appl. Phys., 1980, v.51, N6, p.3171 -3174.
  25. Strauss A.J. Metallurgical and electronic properties of CdTe. Proc. Intern. Symp. On Cadmium Telluride, Strusburg, 1971, ed. P. Siffert, A. Cornet Centre de Resich des Nucl. P. l — 19.
  26. Lorenz M.R. The solid vaper equlibrium of CdTe. J.Phys. Chem. Solids, 1962, v.23, N10, p.1448 — 1451.
  27. Kittel C. Introduction to solid state physics. Wiley, New York, 1957, p.617.
  28. А.Риз Химия кристаллов с дефектами, М, ИЛ, 1956, с. 185,
  29. Kroger F. A, Vink H.J. Relation between the concentrations of imperfections in crystaline solids.- Solid State Physics, Acad. Press., N-Y, 1956, p.537.
  30. Van Vechten J.A. Simple theoretical estimates of the enthalpy of antistructure pare formation and virtual enthalpies of isolated antiside defects in the zinc bland and wursite type semiconductors.- J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, N3, p.423 429.
  31. Brebrick R.F. Deviation from stoichiometry in binary ionic crystals.-J. Phys. Chem. Solids, 1958, v.4, N1, p.190 195.
  32. Woodbury H.H., Hall R.B. Diffusion of chalcogenes in the II-VI cjmhounds.- Phys. Rev., 1967, vl57, N2, p.641 -655.
  33. Bell R.O., Wald F. V, Canaly C., Nava F., Ottaviani G. Characterization of the transport properties of hologen doped CdTe used for gamma-ray detectors. IEEE Trans.N.S., 1974, v. NS-21, p.331 — 341.
  34. Triboulet R., Marfaing Iv, Cornet A., Siffert P. Undoped high resistivity CdTe for nucleur radiation detectors.- J. Appl. Phys., 1974, v.45, N9, p.2759 2764.
  35. MaslovaL.V., Matveev O.A., Ryvkin S.M., KhusainovA.Kh., Terenf ev A.I. X-ray detectors on the base of CdTe.- Revue de physique appliquee, 1977, v.12, N2, p.291−293.
  36. Brouwer G. A general asymptotic solution of reaction equations.- Phillips Res. Rep., 1954, v.9, N5, p.366 376.
  37. У.Д.Лоусон, С. Нильсен Выращивание монокристаллов в кн. Процессы роста и выращивания монокристаллов, ред. Шефталь Н. Н., М, ИЛ, 1963, с. 630,
  38. Zanio К. Characterization of foring atoms and native defects in the singl crystals of cadmium telluride by the high temperature conductivity measurement. Appl. Phys. Lett., 1977, v.15, N8, p.260 — 262.
  39. Kroger F. Defect structure of CdTe. Rev. Phys. Appl., 1977, v.12, N2, p.205 — 210.
  40. Агринская Н. В, Аркадьева, Матвеев О. А. Краевая люминесценция и мелкие доноры в кристаллах CdTe.- Ф Т П, 1971, т.5, N5, с.863−868.
  41. Pautrat J.L., Francon J.M., Magnea N., Molva E., Saminadyar K. Donor and acceptor in tellurium compounds, the problem of doping and self-compensation.- J. Cryst. Growth, 1985, v.72, N1, p.194 204.
  42. Jantsch W., Hendorfer G. Characterization of deep levels in CdTe by photo- EPR and related techniques. J.Cryst.Growth, 1990, v. 100, N¼, p.404 — 413.
  43. Marfaing Iv Self- compensation II-VI compounds.- Progr. Cryst. Growth, 1981, v.4, N4, p.317 331.
  44. о.А., Аркадьева e.h., Гончаров ji.А. Явление «самоочистки» кристаллов. ДАН СССР, 1975, т.221, N2, с.325−328.
  45. К. Термодинамика сплавов. М., Гос. НТ изд. лит. черн. цветн. металлургии, 1957, с. 179.
  46. Mandel G. Self- compensation limited conductivity in binary semiconductors. 1. Theory. Phys. Rev., 1964, V. A134, p. 1073 — 1079.
  47. Mandel G., Morehead F.F., Wagner P.R. Self- compensation limited conductivity in binary semiconductors. 3. Expected correlations with fundu-mental parameters. Phys. Rev., 1964, V. A136, p.826 — 832.
  48. В.Л., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, Наукова думка, 1969, с. 185.
  49. О.А., Прокофьев, С.В., Рудь Ю. В. Выращивание монокристаллов CdTe. Изв, АН СССР Неорганические материалы, 1975, т, 5, N7, с, 1175−1180.
  50. Barnes С.Е., Zanio К. Photoluminescence in high- resistivity CdTe: In. J. Appl. Phys., 1975, v.46, N12, p.3959 — 3964.
  51. А.А., Вавилов B.C., Водопьянов Jl.К. Энергетический спектр и возможная природа дефектов, возникающих в n-типа CdTe после облучения электронами с энергией 1МэВ и тепловыми нейтронами. Ф Т П, 1970, т.4, N2, с.270−275.
  52. Агринская Н. В, Аркадьева Е. Н., Матвеев О. А. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe. — Ф Т П, 1971, т.5, N5, с.869−875.
  53. Hoschel P., Polivka P., Prosser V., Vanecek М., Skrivankova М. Rev. Phys. Appl., 1977, v.12, N2, p.229 — 233.
  54. E.H., Матвеев О. А., Мельникова Е. В. Распределение локальных состояний в запрещенной зоне полуизолирующих кристаллов CdTe:Cl. Ф Т П, 1980, т.14, в.4, с. 722 — 725.
  55. Agrinskaya N.V., Arkadyeva E.N., Matveev О.A. Fermi level pinning the middle of the band in CdTe role deep locolized states. — J. Phys.Stat. Sol. B, 1987, vl43, N1, р. КЮЗ — K105.
  56. H.B., Матвеев О. А. О механизме точной компенсации в кристаллах CdTe, легированных хлором. Ф Т П, 1987, т.21, в. З, с. 542 -544.
  57. Н.В., Калинушкин В. П., Матвеев О. А., Мурина Т. Н. Рассеянье света, обусловленное неоднородностями в кристаллах теллурида кадмия. Ф Т П, 1981, т. 15, в. 10, с. 2040 — 2042.
  58. Н.В., Матвеев О. А. Влияние крупномасштабных флуктуаций потенциала на электропроводность полуизолирующих кристаллов CdTe. Ф Т П, 1980, т.14, в.5, с. 1024 — 1027.
  59. Vydyanath H.R., Ellsworth J., Kennedy J.J., Dean В., Johnson C.J., Nengebanez G.T., Sepich J., Pok-Kai Lino Recipe to minimize Те precipitation in CdTe and (Cd, Zn) Te crystals.- J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, v. 10, N4, pl476 1484.
  60. Taguchi Т., Shirafuji J., Inuishi Y. Crystal growth by solvent techniques and characteristic properties of CdTe. Rev. Phys. Appl., 1977, v. 12, N2, p.117 — 122.
  61. Gentile A.L., Kiefer I.F., Kyle N.R. and Winston H.V. A thermal annealing procedure for the reduction of 10,6 mkm optical bosses in CdTe. Mat. Res. Bull., 1973, v.8, N2, p.523−532.
  62. J. Crystal Growth, 1990, v. 101, N1−4, Proceedings of the forth Intern. Conference on II-VI Compounds. Berlin (west) 12−12sept. 1989.
  63. Mat. Science and Engenir., 1992, V. B16, N1−3. Proceedings of Symp. on new aspects on the growth, characterization and application of the CdTe. Strusburg, France, 1992.
  64. О.А., Рудь Ю. В., Санин К. В. Вертикальная зонная перекристаллизация теллурида кадмия. Неорганические материалы, 1969, т.5, N9, с.1650−1652.
  65. Процессы реального кристаллообразования, отв. ред. Н. В. Белов, М., Наука, 1977, с. 235.76JLynch R.T. Vaper growth of cadmium telluride single crystals.- J. Appl. Phys., 1962, v.33, N3, p.1009 1011.
  66. А.В., Бароненкова Р. П., Кротов Н. И., Инденбаум Г. В. Выращивание кристаллов CdTe из паровой фазы и их дислокационная структура. Кристаллография 1974, т.19, в.5, с. 1025 — 1029.
  67. TeramotoJ. Vaper growth patterns of the CdTe crystals. Philos. Mag., 1963, v.8, N87, p.357 — 366.
  68. Hoschel P., Konac C. Sublimation of cadmium telluride and cadmium selenide under a vaper presure of one of there components and the equlib-rium form of the crystal growth. Phys. Stat. Sol., 1965, v.9, N1, p. 176 -180.
  69. Golacki Z., Gorska M., Makovski J., Szczerbakow A. Vaper phase growth of CdTe.- J. Crystal Growth, 1982, v.56, N4, p.213 214.
  70. Szczerbakow A. Golacki Z. Growth if CdTe single crystals by a vaper condensation on the surfuce of the policrystaline source material. Mat. Science and Engenir., 1993, v. B16, N1−3, p.68 — 70.
  71. Akutagawa W., Zanio K. Vaper growth of the CdTe. J. Crystal Growth, 1971, v. ll, N2, p.190 — 196.
  72. Grasza K. Balk vaper growth of CdTe. J. Crystal Growth, 1995, v. 146, Ml-4 Г" fiS — 68
  73. Lansch M., Schwarz R., Joerger W., Eiche C., Fiederle M., Benz K. W., Grasza K. Characterization of cadmium telluride crystals grown different techniques from the vaper phase. J. Crystal Growth, 1995, v. 146, N1−4, p.125 — 129.
  74. С.А., Клевков Ю. В. Выращивание кристаллов из паровой фазы методом вакуумной сублимации.-Неорганические материалы, 1971, т.7, N5, с.753−756.
  75. П.П., Лихобабин Н. П., Павлин П. А., Савицкий А. В. Выращивание кристаллов из паровой фазы и их физические свойства. -Физическая электроника в.2, Республ. НТсборник, Львов, 1981, с.69−72.
  76. Paorici С., Pelosi С. Vaper phase chemical transport properteis of the cadmium telluride iodine system. — Rev. Phys. Appl., 1997, v.12, N2, p.155- 159.
  77. С.А., Клевков Ю. В., Киселева К. В., Сентюрина Н. Н. Выращивание кристаллов CdTe из растворов расплавов и исследование их свойств. Н М, 1972, т.8, в.5, с. 1210 — 1213.
  78. Zanio К. CdTe growth from tellurium rich solution. — J Electr. Mat., 1974, v.3, N2, p.327 — 331.
  79. Bell R.O., Hemmat N., Wald F.V. Cadmium telluride, grown from tellurium solution, as a material for nuclear detectors. Phys stat. sol., 1970, v. l, N.2, p.375 — 384.
  80. Bell R.O., Wald F.V. Recent advances in the preparation of CdTe for nuclear detectors. IEEE Trans.N.S., 1972, v. NS-19, p.334 — 337.
  81. Bell R.O., Wald F.V. Natural and forced convection during solution growth of CdTe by Traveling Heater Methed (THM). J. Crystal Growth, 1973, v.30, N1, p.29 — 36.
  82. BellR.O., An analysis of the temperature distribution during crystal growth by (THM). J. Electrochem. Soc., 1974, v.121, N9, p.1366 -1370.
  83. Triboulet R., Marfaing Iv, Growth of high purity CdTe single crystals by vertical zone melting. J. Electrochem. Soc., 1973, v.120, N9, p.1260 -1264.
  84. Triboulet R., Marfaing Iv, CdTe growth by «multipass THM» and «sublimation THM». J. Crystal Growth, 1981, v.51, N1, p.89 — 96.
  85. Mulling J.В., Stranghen B.V. The melt growth and characterization of cadmium telluride. Rev. Phys. Appl., 1997, v.12, N2, p.105 — 116.
  86. Wen-Ming Chang, Wilcox W.R., Regel L. Floting zone melting of CdTe.- Mat. Science and Engenir., 1993, V. B16, N1−3, p.23 28.
  87. Rudolph P., Muhlberg M. Basic properties of vertical Bridgman growth of CdTe. Mat. Science and Engenir., 1993, V. B16, N1−3, p.8 — 16.
  88. E.Raiskin E, Butler I.F. CdTe low level gamma detectors based on a new crystal growth methed. IEEE, 1988, v. NS-35, nl, p.81−84.
  89. Butler I.F., Doty F.P., Apotovsky В., Lajzerowicz J., Verger L. Gamma-and X-ray detectors manifactured from Cdix Znx Те grown by high presure Bridgman methed. Mat. Science and Engenir., 1993, V. B16, N1−3, p.291 -295.
  90. Doty F .P., Butler I.F., Shetzina J.F., Bowers K.A. Propertirs of CdZnTe crystals grown by high presure Bridgman methed. J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, v, 10, N4, p.1418 — 1422.
  91. Lorenz M.R. Preparation of CdZnTe crystals from near stoichiometric and Cd rich melt compositions under constant Cd presure. J. Appl. Phys., 1962, v.33, N11, p.3304 — 3306.
  92. С.А., Максимовский С.H., Клевков Ю. В., Шапкин П. В. в кн. Теллурид кадмия, ред. Б. М. Вул, М., Наука, (1968), с. 7 12,
  93. О.А., Нахабцев Д. В. Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия А.С. СССР, N1431391, 1988.
  94. Parsey J.M., Thiel Ir and Thiel F.A. A new apparatus for the control growth of the single crystals by horizontal Bridgman technique. J. Crystal Growth, 1985, v.73, N2, p.211 — 215
  95. Khan A.A., Allred W.P., Dean В., Hopper S., Hawkey J.E., Johnson C.J. Growth and structural properties of low defect, sub-grain free CdTe substrates grown by the horizontal Bridgman technique. J. Electron Mater., 1986, v. 15, N1, p.181 — 108.
  96. Cheuvard P., El-Hanani U., Schneider D., Triboulet R. CdTe and CdZnTe crystals grown by the horizontal Bridgman technique. J. Crystal Growth, 1990, v.101, N1−4, p.270 — 274.
  97. Brunet P., Kstly A., Schneider D., Tromson-Carli A., Triboulet R. Horizontal Bridgman growth of large high quality Cdi. y Zny Те crystals. Mat. Science and Engenir., 1993, v. B16, N1−3, p.44 47.
  98. Kyle N.R. Growth of semiinsulating cadmium telluride. Proc. Intern. Symp. On Cadmium Telluride, Strusburg (1971), France, ed. P. Siffert, A. Cornet Centre de Resich des Nucl., p. III-I.
  99. Triboulet R. Growth of high purity CdTe single crystals by the vertical zone melting. Proc. Intern. Symp. On Cadmium Telluride, Strusburg (1971), France, ed. P. Siffert, A. Cornet Centre de Resich des Nucl., p. V-I.
  100. Yang В., Ishikawa Y., Miki Т., Donmac Y., Tomizono Т., Iskiki M. Preparation and photoluminescence study of high purity CdTe singl crystal. -J. Crystal Growth, 1996, v.159, N1−4, p.171 174.
  101. Heinz D.M., Banks E. Growth and some properties of a large single crystals of cadmium selenide. J. Chem. Phys., 1956, v.24, n.2, p.391 — 399.
  102. Karpenko V.P., Kasherininov P.G., Matveev O.A., Prokof ev S.V., Ry-vkin S.M. CdTe crystals for у spectrometers. — Proc. Intern. Symp. On Cadmium Telluride, Strusburg (1971), France, ed. P. Siffert, A. Cornet Centre de Resich des Nucl., p. VI-I.
  103. О. А. Терентьев A.M. Кристаллизация теллурида кадмия при конвективных потоках в расплаве. Письма в Ж Т Ф, 1994, т.20, в.19, с.35−38.
  104. Металлургия и технология полупроводниковых материалов ред. Б. А. Сахаров, М., Металлургия, 1972, с. 544.
  105. Lawson W.D., Nielsen S., Putley E.H., Young A.S. Preparation and properties of HgTe and mixed crystals of HgTe and CdTe. J. Phys. Chem. Sol., 1959, v.9, N4, p.325 — 329.
  106. В.Я., Озерова М. И., Фиалков Ю. В. Основы физико -химического анализа. М., Наука, 1978, с. 503.
  107. O.A. Терентьев А. И. Особенности синтеза разлагающихся бинарных соединений с двумя летучими компонентами. Неорганические материалы, 1992, т.28, N1, с.53−56.
  108. O.A. Терентьев А. И. Формирование дефектов в кристаллах CdTe, легированных С1, при высокой температуре. -Неорганические материалы, 1991, т.27, N11, с.2434−2436.
  109. М. Полупроводниковые материалы. М. Металлургия, 1971, с. 229.
  110. Лодиз Р, Паркер Р. Рост монокристаллов, М., Мир, 1974, с. 540.
  111. Г. З., Жуховицкий Е. М., Непомнящий A.A. Устойчивость конвективных течений, М., Наука, 1989, с. 318.
  112. Й. Естественная конвекция, М., Мир, 1983, с. 399.
  113. А.Г. Гидромеханика и процессы переноса в невесомости, Свердловск, УНЦ АН СССР, 1983, с.126.
  114. Полупроводники ред. Хенней, М., И Л, 1962, с. 667.
  115. O.A. Терентьев А. И. Особенности выращивания кристаллов CdTe из расплава. Ф Т П, 1995, т.29, N2, с.378−383.
  116. O.A. Терентьев А. И. Самокомпенсация в области собственной проводимости CdTe в условиях двухфазного равновесия системы кристалл-газ. Ф Т П, 1993, т.27, N11−12, с.1894−1903.
  117. О. А. Терентьев А.И. Антиструктурные дефекты TeCli в кристаллах CdTe. Письма в Ж Т Ф, 1997, т, 23, N4, с, 30−34,
  118. О. А. Терентьев А.И. Самокомпенсация в CdTe в условиях фазового равновесия кристалл-пар кадмия (теллура). Ф Т П, 1998, т.32, N2, с.159−163.
  119. Borsenberger P.M., Stewenson D.A. Self diffusion of Cd and Те in Cadmium Telluride. — J.Phys. Chem. Solids, 1968, v.29, N8, p.1277- 1286.
  120. Canaly C., Ottaviani G., Bell R.O., Wald F.W. Self compansation in CdTe. — J. Phys. Chem. Solids, 1974, v.35, N6, p.1405 -1413.
  121. Bell R.O. Binding energy of electron to a three defect complex in CdTe.- Solid St. Commun., 1975, v.16, N4, p.913 916.
  122. E.H., Матвеев О. А., Мельникова E.B., Терентьев А. И. Электрофизические свойства кристаллов CdTe, легированных хлором при у- и фото возбуждении. Ф Т П, 1980, т.14, в.7, с.1415−1417.
  123. Berding М.А., Van Schilfgaarde М., Paxton А.Т., Sher A. Defects in ZnTe, CdTe and HgTe: total energy calculation. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, N4, p.1103 — 1107.
  124. B.H., Кобелева С. П. О возможности существования антиструктурных дефектов в нелегированном теллуриде кадмия- Кристаллография, 1983, т.28, N2, с.394 395.
  125. Schick J. T, Morgan Pond C.G. Point defects with lattice distortion in CdTe and HgCdTe. — J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, N4, p. l 108 — 1111.
  126. Arkadyeva E.N., Matveev O.A. Electric properties of semi insulating crystals CdTerCl. — Rev. Phys. Appl., 1977, v. 12, N2, p.239 — 240.
  127. М.Г., Пелевин О. П., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений, М., Металлургия, 1974, с. 391.
  128. Balasubramanian R. Wilcox W.R. Mechanical properties of CdTe.- Mater. Sci.Engeneer., 1993, В16, N1−3, p. 1−8.
  129. Trivedi S.V., Wiedemeier H. Modified Bridgmen growth and etching of Cdo.96 Zn0. o4 Te crystals. J. Electrochem. Soc., 1987, v.134, N12, p.3199 3201.
  130. В.В., Клингер M.И., Машовец T.B. О возможном механизме рассеяния носителей заряда в германии точечными дефектами.- Ж Э Т Ф, 1974, т.19, N9, с. 575 -579.
  131. М.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A. О влиянии неоднородностей на подвижность электронов в теллуриде кадмия. -Ф Т П, 1970, т.4, N2, с.414 417.
  132. В.К., Строкан Н. Б., Тиснек Н. И. Влияние крупномасштабных ловушек на свойства полуизолирующих детекторов ядерных излучений. Ф Т П, 1975, т.9, N8, с. 1575 — 1579.
  133. Агринская Н. В, Аркадьева E.H. Влияние крупномасштабных флуктуаций потенциала на явления переноса в полуизолирующих кристаллах CdTe. Ф Т П, 1989, т.23, N2, с. 231 — 235
  134. Агринская Н. В, Аркадьева E.H., Матвеев O.A. Фотолюминесценция и поглощение комплексов вакансия кадмия донор в CdTe. — Ф Т П, 1970, т.4, N2, с. 412 -414.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!