Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Литература. 
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Yu, Т. Н. Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model / T. H. Yu, F. Brennan // IEEE Trans. — 2003. — Vol. ED-50. — № 2. — P. 315−323. Dumka, D. C. AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with 7 W/mm output power density at 10 GHz / D. C. Dumka, C. Lee, H. Q. Tserng // Electron. Lett. — 2004. — Vol. 40. — № 16. — P. 1023−1024. Mueller, С. H… Читать ещё >

Литература. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

  • 1. Shockley, W. Пат. США № 2 569 347 / W. Shockley, 1951.
  • 2. Губанов, А. И. ЖТФ / А. И. Губанов. — 1951. — Т. 21. — С. 721,304.
  • 3. Kroemer, II. Theory of wide-gap emitter for transistors / II. Kroemer // Proc. IRE. — 1957. — Vol. 45. — P. 1535.
  • 4. Anderson, R. A. IBM J. Res. Dev. / R. A. Anderson. — 1960. — Vol. 4. — P. 283.
  • 5. Anderson, R. L. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions / R. L. Anderson // Solid State Electron. — 1962. — Vol. 5. — P. 341—345.
  • 6. Adams, M.J. A proposal for new approach to hctcrojunction theory / M. J. Adams, A. Nussbanm, // Solid State Electron. — 1979. — Vol. 22.-P.783−791.
  • 7. Von Roos, O. Theory of extrinsic an intrinsic heterojunctions in thermal equilibrium / O. Von Roos // Solid State Electron. — 1990. — Vol. 23.-P. 1069−1075.
  • 8. Kmemer, H. Critique of two recent theories of heterojunction lineups / H. Kroemer//IEEE EDL. — 1983. — Vol. EDL-4(2). — P. 25−27.
  • 9. Esaki, L. Internal Report RC 2418 / L. Esaki, R. Tsu // IBM Research. — 1969. — March 26.
  • 10. Dingle, R. / R. Dingle [and other] // Appl. Phys. Lett. — 1978. — Vol. — 37. — P. 805.
  • 11. Mimura, T. A new FET with selectively doped GaAs/n-AlxGa| xAs heterojunctions /Т. Mimura [and other] //J. Appl. Phys. — 1980. — Vol. 19. — L225-L227.
  • 12. Hoke, V. E. / W. E. Hoke [and other) //J. Vac. Sci. Technol. 1999.-Vol. B17.-P. 1131.
  • 13. Pearsall, Т. Р. IEEE Electron Dev. Lett. / T. P. Pearsall, J. C. Bean — 1986. — P. 308.
  • 14. Mueller, С. H. High electron mobility in SiGe/Si n-MODFET structure on sapphire substrates / С. H. Mueller, E. T. Croce // Electron. Lett. — 2003. — Vol. 39. — № 18. — P. 1353−1354.
  • 15. Maid, С. K. Strained-Si heterostructure fild effect transistors / С. K. Maiti, L. K. Bera, S. Chattopadhyav // Semicind. Sci. Tcchnol. —
  • 1998. — Vol. 13. — P. 1225−1246.
  • 16. Scaffler, F. High-mobilityes Si and Ge structure / F. Scaffler// Scmicond. Sci Tcchnol. — 1997. — Vol. 12. — P. 1515—1549.
  • 17. Thome, R. E. Performance of inverted structure modulation doped Schottky barrier fild effect transistors / R. E. Thome [and other] // Jpn. J. Appl. Phvs. Lett. — 1982. — Vol. 21. — L223-L224.
  • 18. Chuang H.-M. InGaP/InGaAs double delta-doped channel transistor / H.-M. Chuang [and other] // Electron. Lett. — 2003. — Vol. 39. — № 13. — P. 1016−1018.
  • 19. Aral, T. Supression of drain conductance in InP-based HEMTs by eliminating hole accumulation / T. Arai [and other] // IEEE Trans. — 2003. — Vol. ED-50. — № 5. — P. 1189−1193.
  • 20. Chuang, H.-M. Investigation of a new InGaP-InGaAs pseudomorphic double doped channel heterostructure FET (PDDCHFET) / H.-M. Chuang, S.-Y. Cheng, C.-Y. Chen // IEEE Trans. — 2003. — Vol. ED-50. — № 8. — P. 1717−1722.
  • 21. Sleiman, A. Channel thickness dependence of breakdown dinamic in InP-based lattice-matched HEMTs. / A. Sleiman [and other] // IEEE Trans. — 2003. — Vol. ED-50. — № Ю. — P. 2009;2014.
  • 22. Hoke, W. E. Progress in GaAs-based metamorphic technology / W. E. Hoke [and other] // - GaAs MANTECH, Inc., 2001.
  • 23. Bollaert, S. Metamorphic In(MAl(|(.As/In01Ga()(.As HEMT’s on GaAs substrate / S. Bollaert [and other] // IEEE Electron. Dev. Lett. —
  • 1999. — Vol. 20. — № 3. — P.123−125.
  • 24. Горбацевич, А. А. Полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе / А. А. Горбацевич [и др.| // Нанотехнологии в электронике / под рсд. Ю. А. Чаплыгина. — М.: Техносфера, 2005. — С. 172—242.
  • 25. Yu, Т. Н. Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model / T. H. Yu, F. Brennan // IEEE Trans. — 2003. — Vol. ED-50. — № 2. — P. 315−323.
  • 26. Katz, O. Characteristics of In Al. N-GaN high electron mobilities FET / O. Katz [and other] // Шё’е Trans. — 2005. — Vol. ED-52. — № 2. — P. 146−150.
  • 27. Behtash, R. AlGaN/GaN HEMTs on Si (111) with 6,6 W/mm output power density/ R. Behtash// Electron. Lett. — 2003. — Vol.39. — № 7. — P. 626−628'
  • 28. Dumka, D. C. AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with 7 W/mm output power density at 10 GHz / D. C. Dumka, C. Lee, H. Q. Tserng // Electron. Lett. — 2004. — Vol. 40. — № 16. — P. 1023−1024.
  • 29. Maiti, С. К. Strained-Si heterostructure fild effect transistors / С. K. Maiti, L. K. Bera, S. Chattopadhvav //Semicind. Sci. Technol. — 1998. — Vol. 13. — P. 1225−1246.
  • 30. Olsen, S. II. Strained Si/Ge n-channel MOSFETs: impact of crosshatching on device performance / S. H. Olsen [and other] // Semicind. Sci. Technol. — 2002. — Vol. 17. — P. 655−661.
  • 31. BailbeJ. P. Designe and fabrication of high-speed GaAlAs/GaAs heterojunction transistors / J. P. Bailbe [and other] // IEEE Trans. — 1980. — Vol. ED-27. — P 1160−1164.
  • 32. Kroemer, H. Heterostructure bipolar transistors and integrated circuits/ II. Kroemer// Proc. IEEE. — 1982. — Vol. 70. — P. 13 025.
  • 33. Ankri, D. Diffused epitaxial GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistor for high frequency operation / D. Ankri [and other] // Appl. Phys. Lett. — 1982. — Vol. 40. — P. 816.
  • 34. Su, S. 1. Double heterojunction GaAs/Al^Ga, xAs bipolar transistors prepared by molecular beam epitaxy / S. I. Su [and other] //J / Appl. Phys. — 1983. — Vol. 54. — P. 6725−6731.
  • 35. Harame, D. Si/SiGe Epitaxial-Base Transistors-Parti: Materials, Physics, and circuits/ D. Harame [and other] // IEEE Trans. — 1995. — Vol. ED-42. — № 3. — P. 455−468.
  • 36. Harame, D. Si/SiGe Epitaxial-Base Transistors-Part2: Process Integration and Analog Applications / D. Harame [and other] // IEEE Trans. — 1995. — Vol. ED-42. — № 3. — P. 469−482.
  • 37. RiehJ. S. Scaling of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. Proc / J. S. Rich [and other] // IEEE. — 2005. — Vol. 93. — № 9. — P. 1522- 1538.
  • 38. Khater, M. SiGe IIBT technology with fnux/fT = 350/300 GI Iz and gate delay below 3.3 ps. / M. Khater [and other] // Dig. Int. Electron Devices Meeting, 2004. — P. 247—250.
  • 39. Hafer, W. Record /rand/ performance of InP/InGaAs single HBT / W. Hafer, J.W. Lai, MJFeng// Electron. Lett. — 2003. — Vol. 39. — № 10. — P 811−813.
  • 40. Ahlgren, D. C. A SiGe HBT BiSmos Technology for Mixed-Signal RF Applications / D. C. Ahlgren.- Proc. of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and technology Meeting (BCTM), 1997. — P. 195—197.
  • 41 .Joseph, A. A 0.18 pm BiCMOS Technology Featuring 120/100 GHz HBT and ASIC Compatible CMOS using Copper
Interconnect / A. Joseph. — Proc. of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and technology Meeting (BCTM), 2001. — P. 143−146.

42. Rucker H. Integration of high-performance SiGe: C HBTs with thin-film SOI CMOS / H. Rucker [and other]. — Dig. Int. Electron Devices Meeting 2004. — P. 239—242.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой