Приборы на основе двумерного электронного газа в гетероструктурах AlGaAs/GaAs

Основная идея таких приборов состоит в формировании в ДЭГ квантовых точек путем приложения обедняющих напряжений к электродам на поверхности образцов [28, 39−41]. Это планарные управляемые приборы на одной или нескольких квантовых точках.

Различные конструкции данного типа приборов различаются конфигурацией управляющих электродов и количеством квантовых точек. На рис. 9.37 представлена СЭМ-фотография прибора из работы [39]. Толщина электродов около 300 нм. Прибор работает при температуре меньше 1 К.

На рис. 9.38 показана фотография с атомного силового микроскопа одноточечного прибора из работы F. Hofmann и др. [40]. Прибор работает при Т= 25 мК. Схематичное изображение прибора из работы.

Рис. 9.38. Фотография одноэлектронного транзистора, полученная при помощи атомного силового микроскопа [40].

Рис. 9.37. Фотография одноэлектронного транзистора, выполненная с помощью сканирующего электронного микроскопа [39].

S. Pasquer и др. [41] (аналогичное [28]) приведено на рис. 9.39. Прибор работает при температурах менее 35 мК. На рис. 9.40 показаны характерные осцилляции тока от напряжения на электродах,.

Рис. 9.39. Схематическое изображение прибора из [41].

Рис. 9.40. Зависимость проводимости, а от напряжения на затворе для транзистора, изображенного на рис. 9.39 [41].

формирующих квантовую точку [41]. Аналогичные характеристики получены и в [28, 39, 40], поэтому мы не будем на них подробно останавливаться.

В работе [42] для конструкции, показанной на рис. 9.41, получена аналитическая форма зависимости линейной проводимости.

Рис. 9.41. Схема транзистора, по которой производилось моделирование характеристик [42].

структуры от затворного напряжения и температуры.