Транзисторная и переходная моп-схемотехники

МОП-транзисторы

МОП-транзисторы (метал — окисел (диэлектрик) — полупроводник) отличаются от биполярных тем, что в их рабочую структуру добавляется новый компонент — тонкий слой оксида, через который на полупроводник подается напряжение, управляющее работой транзистора (рис. 10.1) [131−135].

Если на затворы транзисторов подавать напряжения, достаточные для того, чтобы сместить неосновные носители из подложки к поверхности полупроводника, под тонким слоем оксида между рабочими областями формируется проводящий канал. Цепь из рабочих областей и этого канала станет проводящей, и при наличии питания в ней потечет ток — транзистор будет открыт. Чем выше (по модулю) управляющий потенциал на затворе, тем больше неосновных носителей притянется к поверхности и тем «глубже» будет формируемый канал, соответственно, сопротивление открытого транзистора станет меньше (а проводимость — больше).

Рис. 10.1. МОП-транзисторы: а и г) обозначения в транзисторных схемах, б ид) интегральные структуры, в и е) обобщенные математические модели структур.

Проводимостью транзистора можно управлять не только с помощью потенциала на затворе, но и с помощью топологии канала. Чем он короче и шире, тем выше проводимость транзистора.

Необходимость управления проводимостью транзисторов существует в МОП-инверторах.