Интегральные иу. Системы автоматического управления. 
Прецизионное управление лазерным излучением

Применение микросхем ИУ облегчает задачу усиления слабого сигнала. Выбор микросхемы диктуется особенностями применения, стоимостью и доступностью. Чаще всего в них реализована схема, показанная на рис. 2.23, при этом резистор Я* — внешний, остальные детали — внутренние.

Применение однокристальных измерительных усилителей, выпускаемых промышленностью, существенно облегчает задачу усиления слабого сигнала. Выбор конкретной микросхемы диктуется особенностями применения с учетом стоимости и доступности. В табл. 2.1 приведены основные паспортные данные промышленных ИУ.

Таблица 2.1.

Основные параметры зарубежных инструментальных усилителей

* без скобок типичное при 25 °C, в скобках максимальное в температурном диапазоне от -55 °С до+125 °С.

** без скобок — типичное при усилении 0= 1000, в скобках — при усилении С = 10.

*** полоса единичного усиления /і. МГ ц.

Так как смещение по постоянному току можно устранить подстроечным резистором, а температурный дрейф этого смещения компенсировать сложнее, мы приводим лишь основные, наиболее существенные параметры [51−56].