ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ИсслСдованиС биполярного транзистора

Лабораторная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

На ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ (рис. 2) ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния источника Π•ΠΊ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 10 Π’ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ iΠ‘, напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр U6э, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра IΠ­ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния источника Eg Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ΠΉ 10.2 Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ «Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ экспСримСнтов». ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра. ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ схСму, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ 3. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ИсслСдованиС биполярного транзистора (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Лабораторная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° 2

Π’Π΅ΠΌΠ°: ИсслСдованиС биполярного транзистора

ЦСль: ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора

ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹: биполярный транзистор 2N3904; источник постоянной Π­Π”Π‘; источник ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π­Π”Π‘; Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹; Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹; осциллограф; рСзисторы.

Π₯ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

1. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики транзистора Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠžΠ­.

Рисунок 1. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ биполярного транзистора ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ экспСримСнта

Π•ΠΊ (Π’)

Π•Π± (Π’)

Iб (мкА)

0,1

0,5

1,66

9,341

— 783,3

— 1,604

— 1,612

— 1,637

— 1,749

— 1,901

2,68

19,23

— 1,656

— 3,453

— 3,469

— 3,595

— 3,753

— 4,069

3,68

29,32

— 2,479

— 5,209

— 5,233

— 5,422

— 5,657

— 6,129

4,68

39,02

— 3,269

— 6,903

— 6,934

— 7,182

— 7,439

— 8,115

5,7

49,15

— 4,042

— 8,568

— 8,606

— 8,914

— 9,299

— 10,07

2. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики транзистора Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ с ΠžΠ­.

Π°) На ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ (рис. 2) ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния источника Π•ΠΊ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 10 Π’ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ iΠ‘, напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр U6э, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра IΠ­ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния источника Eg Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ΠΉ 10.2 Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ «Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ экспСримСнтов». ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра.

Π±) Π’ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ «Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ экспСримСнтов» ΠΏΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ 10.2 ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.

Рисунок 2

Π²) ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ схСму, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ 3. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ схСму. Π—Π°Ρ€ΠΈΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ характСристику транзистора, соблюдая ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±, Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ «Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ экспСримСнтов» .

Рисунок 3

Π³) По Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ сопротивлСниС rΠ’Π₯ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с 10 Β΅A Π΄ΠΎ 30 ¡А. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π» «Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ экспСримСнтов» .

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ вопросы

1. Π”Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора.

2. Π’ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов.

3. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ