Заключение. 
Перенос носителей аппаратом конечных разностей

На ранних стадиях развития полупроводниковой электроники многомерный анализ приборов был невозможен, так как система уравнений, описывающая перенос носителей в этом случае не решалась в аналитическом виде. Развитие вычислительной техники в последние годы сделало возможным появление двух и трёхмерных моделей.

В настоящее время методы численного решения уравнений переноса достаточно хорошо разработаны и являются эффективным инструментом для моделирования и анализа полупроводниковых приборов. Многомерные численные модели могут применятся на стадии разработки приборов, оптимизации их структур, выбора полупроводникового материала и параметров технологического процесса. Двумерный и трехмерный численный анализ позволяет также получить более полные сведения о работе приборов, определить границы применимости простых аналитических моделей, выявить и исследовать некоторые новые эффекты.

Многомерные модели широко применяются при анализе короткоканальных эффектов, имеющих место в приборах с микронными размерами рабочих областей. Успехи современной микроэлектроники в миниатюризации полупроводниковых приборов делают такое моделирование особенно актуальным. Другое перспективное направление в этой областимоделирование мощных полевых транзисторов.

Данная работа позволила ознакомиться с принципами численного анализа МДП-структур и конкретными методами двумерного моделирования. В дальнейшем я планирую продолжить работу по этой теме, конкретно, в области моделирования короткоканальных приборов.