ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

НСобходимо ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ: Π“Π΄Π΅ — ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π² ΠΏΡƒΡΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ (Iпус)=4,26 А; РасчСт ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ. KT — коэффициСнт, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€. Для алюминия Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‘Π½ΠΎΠ³ΠΎ; TΠ²Ρ‹ΠΊΠ» — врСмя Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ VT (врСмя спада Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока)=21 нс; Π“Π΄Π΅ PΡ‚Ρ€ — ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ VT… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ расчСт ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° основан Π½Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ особСнности, связанныС с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ процСссами ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов схСмы. На Ρ€ΠΈΡ. 4.1 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ процСсс ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ процСссС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° для ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ [9].

ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ транзистора Ρ€Π°Π²Π½Π°:

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.
РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

.

Π³Π΄Π΅ — ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π² ΠΏΡƒΡΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ (Iпус)=4,26 А;

= 150 Π’;

для транзисторов MOSFET,.

Π’ — ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ=404 мкс;

tΠ²Ρ‹ΠΊΠ» — врСмя Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ VT (врСмя спада Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока)=21 нс;

tΠ²ΠΊΠ» — врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (врСмя нарастания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока — справочная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°) =31 нс;

НСобходимо ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

(самая опасная ситуация для ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ).

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ tΠΎΡ‚ΠΊΡ€

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° рассчитаСм ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ транзистора:

Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ.
Рис. 4.1. Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ.

Рис. 4.1. Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

ПослС вычислСния PΡ‚Ρ€ эту Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ с PΠ΄ΠΎΠΏ VT. Если выполняСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ VT ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Ρ‘Π½ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора для обСспСчСния рассчитанной мощности Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ€ΠΈΡ. 4.2 (справочная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ для VT Ρ‚ΠΈΠΏΠ° MOSFET).

Для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° MOSFET транзистора Π² ΡΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ Π½Π΅Ρ‚Ρƒ зависимости Π Π΄ΠΎΠΏ (t?C), Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° взяв справочныС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π Π΄ΠΎΠΏ ΠΏΡ€ΠΈ t? C=25?C (Π Π΄ΠΎΠΏ 25 = 330 Π’Ρ‚) ΠΈ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ сниТСния КсниТ (Π² Π’Ρ‚/?C) (КсниТ =2,2 Π’Ρ‚/?C) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ самому. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ мощности рассСивания ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ опрСдСляСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ:

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ зависимости ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ T2:

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

РасчСт ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚вСтствии с Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ [5, c. 117].

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

[см2],.

Π³Π΄Π΅ PΡ‚Ρ€ — ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ VT, получСнная ΠΈΠ· Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠ²=2,51 Π’Ρ‚;

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

KT — коэффициСнт, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€. Для алюминия Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‘Π½ΠΎΠ³ΠΎ ;

tc — максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° срСды = 20 ;

RΠΏ-ΠΊ — Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄-корпус=0,45 ;

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

RTKM — Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС корпус-Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈ, примСняя ΡˆΠ»ΠΈΡ„ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° корпус-Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ пасты, ΠΌΠ΅Π΄Π½Ρ‹Π΅ ΡˆΠ°ΠΉΠ±Ρ‹, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ =; TΠΏ max — min (T1?C, T2?C);

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ рассчитанноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ T1=170 ?C < T2=174 ?C Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ TΠΏ max Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ: TΠΏ max=170 ?C.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° послС подстановки Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, нСравСнство для опрСдСлСния мощности Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ Π²ΠΈΠ΄:

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π =f(t?C) для VT.
ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ