Схема включения транзистора с общей базой и её коэффициенты

При рассмотрении усилительных свойств переменных сигналов транзисторов схемы их включения можно рассматривать без источников питания, поскольку в сравнении с другими сопротивления источников оказываются весьма малыми.

Включение транзистора возможно по трём схемам: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).

Схему усилительной ячейки на транзисторе с общей базой можно применять на высоких частотах, однако она имеет коэффициент усиления по току меньше 1 и малое входное сопротивление.

Коэффициент усиления по току:

Kiб=iвх/iвых=ik/iэ=б<1.

Коэффициент усиления по напряжению:

KUб=Uвых/iвх=ikRHб/iэRвхб=б RH/Rвх>1.

коэффициент усиления по мощности:

KPб=KiKU=б2 RHб/Rвхб>1.

Здесь Rнб — сопротивление нагрузочного резистора в схеме с общей базой; Rвхб — входное сопротивление усилительного каскада.

Как выводить формулы:

Общие формулы, независимые от схемы включения транзистора:

— коэффициент усилительного каскада по току.

Ki=iвых/iвх.

— коэффициент усиления по напряжению.

KU=Uвых/Uвх i, u ;

• — коэффициент усиления по мощности KP=Ki•KU мгновенные значения
• — входное сопротивление каскада Rвх=Uвх/iвх

За основной электрод, от которого отсчитываются напряжения, в данной схеме принимается база. Эмиттерная цепь — входная, а коллекторная — выходная.

Отсюда.

Kiб=iвых/iвх=ik/iэ=б где ik — ток коллектора, iэ — ток эмиттера.

Соотношение между токами эмиттера, коллектора и базы для схемы с общей базой:

iэ=ik+iб,.

где iб — ток базы.

Входящее в выражение для коэффициента усиления по напряжению входное сопротивление для этой схемы оказывается равным Rвхб=Uэб/iэ=Rэб. Это сопротивление открытого p-n-перехода. Rэб~ 10−100 Ом.

В усилителях на транзисторах сопротивление коллекторного перехода RH>> сопротивления слоя базы Rб>> сопротивления эмиттерного перехода Rэ. Поэтому KU>1.

В соответствии с условными положительными направлениями напряжений нетрудно установить, что сигналы на входе и на выходе схемы с общей базой совпадают по фазе.