Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge

Диссертация: Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На затворных характеристиках транзисторов обнаружены пики тока исток-сток, обусловленные эффектами кулоновского взаимодействия и размерного квантования в прыжковом переносе дырок через квантовые точки. Из температурных зависимостей затворных характеристик определены энергии кулоновского взаимодействия дырок в основном и первом возбужденном состояниях (-25 и 45 мэВ), энергетические зазоры между… Читать ещё >

Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Понятие о квантовых точках. Методы формирования
    • 1. 2. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками германия
    • 1. 3. Слои квантовых точек Ge в кремнии как фоточувствительный материал для кремниевых ИК фото детекторов
    • 1. 4. Транспорт заряда в системе туннельно-связанных квантовых точек Ge в кремнии
    • 1. 5. Использование нанокластеров в качестве запоминающей среды энергонезависимых устройств памяти
  • ГЛАВА 2. Эффект поля в слоях туннельно-связанных квантовых точек Ge в кремнии
    • 2. 1. Технологический процесс изготовления полевых транзисторов с квантовыми точками Ge в канале
    • 2. 2. Осцилляции прыжковой проводимости в канале полевого транзистора
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. ИК фотопроводимость в многослойных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge
    • 3. 1. Технологический процесс изготовления Ge/Si фото детекторов с квантовыми точками Ge
    • 3. 2. Структурные характеристики слоев Ge/Si с квантовыми точками Ge
    • 3. 3. Фотоэлектрические характеристики фотоприемников
    • 3. 4. Частотно-временные характеристики фотоприемников
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. Нанокристаллы Ge в пленках двуокиси кремния
    • 4. 1. Технологические процессы изготовления структур с нанокристаллами
  • Ge в S
    • 4. 2. Механизм формирования нанокристаллов
    • 4. 3. Исследование процессов перезарядки квантовых точек Ge в диэлектрике
  • Выводы к главе 4

Прогресс в физике и технологии гетероструктур и стимулировал интерес к изучению систем с пониженной размерностью, предельным случаем которых являются нуль-мерные системы, состоящие из массива атомных кластеров или островков нанометровых размеров в полупроводниковой матрице. Хотя кластеры или островки обладают конечными размерами, их принято называть квантовыми точками (КТ). Предсказываемое теоретически и наблюдаемое экспериментально квантование энергетического спектра носителей заряда в квантовых точках формирует особенности в транспорте носителей, электрических и оптических характеристиках таких структур. Полупроводниковые структуры с квантовыми точками характеризуются рядом новых явлений и свойств, представляющих интерес для проведения фундаментальных исследований и привлекательных в микрои наноэлектронике. Достоинствами фотоприемных устройств на гетероструктурах с квантовыми точками являются: возможность управления спектральной полосой поглощения и излучения путем заселения состояний с требуемой энергиейснятие запрета на оптические переходы, поляризованные в плоскости фотоприемника, ожидаемое увеличение времени жизни фотовозбужденных носителей. Использование слоев нанокластеров (НК) в качестве плавающего затвора МДП структуры, позволяет увеличить время хранения заряда в энергонезависимых элементах памяти. Эффект поля в транзисторах, проводящий канал которых включает слой квантовых точек, является информативным инструментом для изучения эффектов электронных корреляций и размерного квантования. Перенос заряда по цепочкам или массиву туннельно-связанных квантовых точек, лежит в основе работы одноэлектронных транзисторов, имеющих важное практическое применение в электронике нового поколения.

В настоящее время наиболее перспективный метод формирования квантовых точек основан на эффектах самоорганизации полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных системах. Упругие деформации в эпитаксиальной пленке и островках на ее поверхности являются ключевым фактором как в морфологическом переходе от плоской пленки к островковой (механизм Странского-Крастанова), так и в последующих изменениях размеров, формы и пространственного распределения островков. Эффекты самоорганизации (упорядочения) заключаются в появлении в системе островков предпочтительных размеров, формы, расстояний между нанокластерами и их взаимного расположения. В настоящее время разработаны режимы роста структур, обеспечивающие получение достаточно однородных по размеру островков нанометрового масштаба, в которых энергия размерного квантования носителей заряда составляет десятки мэВ.

Судя по количеству публикаций, среди гетеросистем с самоформирующимися квантовыми точками наиболее изучены системы InAs на подложке GaAs и Ge на подложке Si. Интерес к нанокластерам Ge в кремнии связан с рядом обстоятельств: 1) успехи в технологии получения однородного массива нанокластеров Ge высокой плотности (>10п см" 2) — 2) размеры нанокластеров (-10 нм) уменьшились до величин, обеспечивающих появление эффектов размерного квантования.

Успехи в технологии синтеза слоев Ge/Si с квантовыми точками Ge создали основу для создания приборных структур нового поколения, использующих в своей работе одноэлектронные и квантово-размерные эффекты. Важными для практических применений особенностями разработанных устройств являются: 1) использование в качестве базового материала кремния, позволяющее легко интегрировать новые элементы в современную технологию сверхбольших интегральных схем- 2) высокие рабочие температуры квантовых приборов, что является необходимым условием их приложения на практике.

С появлением структур с квантовыми точками традиционные и хорошо технологически разработанные, однако не прямозонные, полупроводники Si и Ge получили перспективу перейти в класс оптических материалов, которые могут реально использоваться в качестве активного элемента излучателей и фотодетекторов. В большой мере именно с этим можно связать устойчивый рост интереса к квантовым структурам на основе Ge/Si. Физические эффекты, наблюдаемые в таких структурах, в последние годы становятся основой создания новой элементной базы для СВЧ электроники гигагерцового и терагерцового диапазонов, для оптоэлектронных устройств и приборов микрои наноэлектроники: кремниевых полевых транзисторов с квантовыми точками в канале и элементов электронной памяти.

Целью настоящей диссертационной работы являлось исследование механизмов протекания тока, формирования фотоотклика и зарядового состояния, лежащих в основе работы приборных устройств на базе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— Разработка основных технологических операций формирования приборов на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, изготовление лабораторных макетов устройств.

— Исследование электрофизических и фотоэлектрических явлений в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками в зависимости от широкого набора технологических параметров, используемых при изготовлении приборов.

— Установление механизмов протекания тока, формирования фотоотклика и зарядового состояния, лежащих в основе работы приборов.

Научная новизна работы состоит в следующем:

В Ge/Si p-i-n фотодиодах с волноводной геометрией, содержащих слои квантовых точек Ge, обнаружено увеличение квантовой эффективности в области длин волн 1.3−1.5 мкм, связанное с эффектом многократного внутреннего отражения и поглощения света.

Установлено, что перенос заряда в канале кремниевых МОП транзисторов с квантовыми точками Ое осуществляется в условиях прыжкового механизма проводимости по ближайшим соседям с участием локализованных состояний, формирующихся в результате размерного квантования энергетического спектра дырок в ве. Определены энергии размерного квантования и кулоновского взаимодействия дырок.

Показано, что импульсное воздействие пучком собственных низкоэнергетических ионов в процессе осаждения ве на поверхность туннельного 8102 приводит к снижению скорости десорбции ве с поверхности окисла, увеличению плотности нанокластеров, уменьшению среднего размера и дисперсии по размерам в сравнении с осаждением без ионного воздействия, что позволило создать плотный массив однородных по размерам нанокластеров германия на диэлектрике, лежащих строго в одной плоскости.

Для слоев аморфного и поликристаллического кремния, осажденных поверх ве островков, получены зависимости скорости окисления от температуры процесса и толщины слоев. Показано, что из-за напряжений в структуре наноостровки германия окисляются медленнее, чем окружающий кремний. Найдены условия селективного окисления поликремния и получены структуры с захороненными в диэлектрике нанокристаллами германия.

Практическая значимость работы:

Показана принципиальная возможность использования для изготовления электронных и оптоэлектронных приборов новых наноструктурированых материалов — гетероструктур Ое/81 с квантовыми точками Ое. Важными для практических применений особенностями разрабатываемых устройств являются: 1) использование в качестве базового материала кремния, позволяющее легко интегрировать новые элементы в современную технологию сверхбольших интегральных схем- 2) высокие рабочие температуры квантовых приборов (вплоть до комнатной), что является необходимым условием их приложения на практике.

Разработан новый подход к созданию кремниевых полевых транзисторов, основанный на встраивании в канал полевого транзистора слоев квантовых точек Ge, формирующихся при гетероэпитаксии на Si. Реализованы конструкции фотодетекторов для ближней ИК области спектра, принцип которых основан на межзонных оптических переходах в слоях квантовых точек Ge/Si. Разработаны основные технологические операции формирования встроенных в Si02 кристаллических нанокластеров Ge, с использованием которых изготовлены макеты ячеек памяти.

Положения, выносимые на защиту:

1) В неохлаждаемых фотоприемных элементах, сформированных на основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, максимальная величина внешней квантовой эффективности реализуется в волноводных структурах и достигает значений 20% и 15% на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм, соответственно. Латеральные Ge/Si фоторезисторы с 30-ю слоями квантовых точек Ge обладают полосой пропускания до 16 ГГц на уровне -3 дБ.

2) Существует область значений потенциалов полевого электрода, для которых перенос заряда в канале кремниевых полевых транзисторов, содержащих квантовые точки Ge, осуществляется в условиях прыжкового механизма проводимости по ближайшим соседям с участием локализованных состояний, формирующихся в результате размерного квантования энергетического спектра дырок в квантовых точках Ge.

3) Для квантовых точек Ge с латеральными размерами —10 нм и высотой ~1 нм энергия кулоновского взаимодействия дырок в основном и первом возбужденном состояниях составляет -40 мэВ и -25 мэВ, соответственно, энергетический зазор между уровнями размерного квантования ~70 мэВ.

4) Селективное окисление поликристаллического кремния, осажденного поверх плотного массива германиевых нанокластеров на 8Ю2, позволяет формировать слои монокристаллических включений ве диаметром 6−7 нм в диэлектрике, требуемые для использования в качестве плавающего затвора в макетах элементов памяти.

5) Гистерезис на вольт-фарадных характеристиках МДП структур с нанокластерами ве в подзатворном БЮг обусловлен эффектами зарядки нанокластеров электронами либо дырками. Энергии основного состояния электрона и дырки в нанокластерах Се, встроенных в матрицу 8Ю2, составляют 0.97 эВ и 0.67 эВ, соответственно.

Основные результаты и выводы по диссертации

1. На основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge реализованы фотоприемные элементы для диапазона длин волн фотонов 1.31.5 мкм, включающие в себя: вертикальные p-i-n фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge и освещаемые со стороны р-п переходабиполярные п’р-п Ge/Si фототранзисторыпланарные фоторезисторы с квантовыми точками Ge, захороненными в матрице и-SiGe/Si p-i-n фотодиоды с волноводной геометрией, использующие эффект многократного отражения излучения от стенок волновода.

2. Показано, что для вертикальных p-i-n фотодиодов величина темнового тока может достигать значения, 2×10'5 А/см2 при величине обратного смещения 1 В. Обнаружено, что максимальная величина квантовой эффективности реализуется в волноводных структурах с засветкой со стороны торца волноводов и достигает значений порядка 20% и 15% на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм соответственно. Установлено, что латеральные Ge/Si фоторезисторы со слоями квантовых точек Ge обладают полосой пропускания до 16 ГГц на уровне -3 дБ.

3. На базе структур «кремний-на-изоляторе» и гетероструктур Ge/Si созданы полевые транзисторы с полосковым и расщепленным затворами, в которых канал формируется слоем квантовых точек Ge с размерами точек в плоскости канала 10−15 нм и высотой 1.0−1.5 нм. Длина затворов транзисторов варьировалась от 0.3 мкм до 1 мкм, число квантовых точек в активном канале составляло 102−103. Установлено, что перенос заряда в канале транзистора осуществляется с помощью прыжкового механизма проводимости по ближайшим соседям с участием локализованных состояний, формирующихся в результате размерного квантования энергетического спектра дырок в квантовых точках Ge.

4. На затворных характеристиках транзисторов обнаружены пики тока исток-сток, обусловленные эффектами кулоновского взаимодействия и размерного квантования в прыжковом переносе дырок через квантовые точки. Из температурных зависимостей затворных характеристик определены энергии кулоновского взаимодействия дырок в основном и первом возбужденном состояниях (-25 и 45 мэВ), энергетические зазоры между уровнями размерного квантования (-70 мэВ), а также величина энергетического беспорядка, связанного с неоднородностью размеров квантовых точек (~20 мэВ). Осциллирующий характер зависимостей тока исток-сток от потенциала затвора сохраняется при повышении температуры от криогенной до комнатной, что согласуется с большими значениями энергии размерного квантования и зарядки квантовых точек по сравнению с тепловой энергией носителей заряда в данной области температур.

5. Разработаны основные технологические операции формирования встроенных в 8ІО? кристаллических нанокластеров Ое для элементов памяти с плавающим затвором, включающие процесс осаждения плотного массива нанокластеров Ое на 8Юг и селективного окисления поликристаллического кремния, осажденного поверх германиевых нанокластеров. Установлены условия, при которых поликристаллический кремний оказывается окисленным, а ядро нанокластеров ве остается кристаллическим. На основе полученных структур изготовлены макеты ячеек памяти.

6. На высокочастотных вольт-фарадных характеристиках МДП структур с встроенными в подзатворный диэлектрик нанокластерами ве обнаружен гистерезис (окно памяти) величиной 2 В. Анализ экспериментальных вольт-фарадных характеристик позволил определить характерные напряжения для зарядки и разрядки системы электронами и дырками. Проведено моделирование процесса перезарядки нанокластеров. Сопоставление экспериментальных и расчетных вольт-фарадных характеристик позволило определить плотность заряда, запасенную в НК, а также энергии уровней электронов (Ее=0.97 еУ) и дырок (Е[1=0.67 еУ) в германиевых квантовых точках.

Заключение

Работа проводилась в ИФП СО РАН в лаборатории неравновесных полупроводниковых систем под руководством зав. лаб. член-корр. РАН, профессора А. В. Двуреченского. Содержание диссертации отражено в 9 публикациях:

1. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Nikiforov A.I. — Ge/Si Quantum Dot Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transitor. — Applied Physics Letters, 2002, v.80, № 25, p. 4783−4785.

2. Якимов А. И., Двуреченский A.B., Кириенко В. В., Степина Н. П., Никифоров А. И., Ульянов В. В., Чайковский С. В., Володин В. А., Ефремов М. Д., Сексенбаев М. С., Шамирзаев Т. С., Журавлев К. С. — Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. — Физика и техника полупроводников, 2004, т. 38, вып. 10, 1265−1269.

3. Якимов А. И., Двуреченский A.B., Кириенко В. В., Никифоров А. И. — Ge / Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. Физика твердого тела, 2005, т.48, вып. 1, с. 33−36.

4. Степина Н. П., Якимов А. И., Двуреченский A.B., Кириенко В. В., Соболев H.A., Лейтао Д. П., Ненашев A.B., Никифоров А. И., Коптев Е. С., Кармо М. С., Перейра Л. — Фотопроводимость по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/Si. ЖЭТФ, 2006, т. 130, № 2, с. 309−318.

5. Dvurechenskii A.V., Yakimov A.I., Kirienko V.V., Stepina N.P., Novikov P.L. -SiGe nanodots in electro-optical SOI devices. In: Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and devices, ed. S. Hall, Springer, 2007, p. l 13−128.

6. Stepina N.P., Dvurechenskii A.V., Armbrister V.A., Kesler V.G., Novikov P.L., Gutakovskii A.K., Kirienko V.V., Smagina Z.V. — Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on Si02. — Appl.Phys.Lett., 2007, v. 90, p. 133 120.

7. Stepina N.P., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Armbrister V.A., Novikov P.L., Kesler V.G., Gutakovskii A.K., Smagina Z.V., Spesivtzev E.V. — Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on Si02 for non-volatile memory device. Thin Solid Films, 2008, v.517, p. 313−316.

8. Stepina N.P., Kirienko V.V., Dvurechenskii A.V., Alyamkin S.A., Armbrister V.A., Nenashev A. V — Selective oxidation of poly-Si with embedded Ge nanocrystals in Si/Si02/Ge (NCs)/poly-Si structure for memory device fabrication. Semicond. Sci. Technol., 2009, v.24, p. 1−4.

9. Землянов A.A., Кириенко B.B., Якимов A.M., Донченко B.A. — Исследование временных характеристик фотодетекторов на основе наногетерострук-тур Ge/Si. Известия высших учебных заведений, 2010, № 5, с. 64 — 67.

Результаты диссертационной работы были представлены на Российских и международных конференциях, в том числе: X и XI Российские конференции по физике полупроводников (Екатеринбург, 2007 г.- Новосибирск — Томск, 2009 г.), VI Международная конференция по актуальным проблемам физики, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2009» (Новосибирск, 2009 г.), 10-й и 15-й международный симпозиум «Nanostructures: Physics and Technology» (С.-Петербург, 2002 г.- Новосибирск, 2007 г.), XVIII Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2004 г.).

Работа выполнялась в тесной кооперации с подразделениями ИФП СО РАН. Гетероструктуры выращивались в Отделе роста и структуры полупроводниковых материалов, руководимом д.ф.-м.н., профессором О. П. Пчеляковым. Синтез слоев осуществлялся — к.ф.-м.н. А. И. Никифоровым. Визуализация наноостровков Ge осуществлялась сотрудниками Лаборатории нанодиагноститики и нанолитографии к.ф.-м.н. А. К. Гутаковским, к.ф.-м.н. С. Н. Косолобовым. Приборы на основе гетероструктур Ge/Si изготавливались под руководством Б. И. Фомина — ведущего технолога Лаборатории технологии кремниевой микроэлектроники. Электронная литография структур осуществлялась Д. А Насимовым.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю А. И. Якимову за руководство и постоянную помощь в работе. Автор признателен зав. лаб. член-корр. РАН, профессору А. В. Двуреченскому за постоянный интерес к работе и многочисленные обсуждения. Автор выражает благодарность всем сотрудникам Лаборатории неравновесных полупроводниковых систем ИФП СО РАН за поддержание творческой атмосферы и интерес к работе. Особой благодарности заслуживают коллеги к.ф.-м.н. С. И. Романов и к.ф.-м.н. Н. П. Стёпина, общение с которыми оказало существенное влияние на научную деятельность автора.

Автор благодарит всех сотрудников, чей вклад отмечался выше, а также сотрудников ИФП СО РАН принимавших участие в обсуждении результатов работы на семинарах и в частных беседах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. Quantum States of Conffined Carriers in Very Thin AlxGai. xAs-GaAs-AlxGaixAs Heterostructures. — Phys. Rev. Lett., 1974, v.33, № 14, pp.827−830.
  2. Chang L.L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers. Appl. Phys. Lett., 1974, № 12, pp.593−595.
  3. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. -ФТП, 1998, т.32, № 1, с.3−18.
  4. Petroff P.M., Gossard А.С., Logan R.A., Wiegmann W. Toward quantum well wires: Fabrication and optical properties. Appl. Phys. Lett. 1982, v/41, № 7,pp.635−638.
  5. А.И., Онущенко A.A. Квантовый размерный эффект в трехмерных микрокристаллах полупроводников Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, № 6, с. 363−366.
  6. Murray A., Isaacson М., Adesida I. AIF3 A new very high resolution electron beam resist. — Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, № 5, pp. 589- 591.
  7. Goldstein L., Glas F., Marzin J.Y., Charasse M.N., Le Roux G. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-lauer super lattices. Appl. Phys. Lett., 1985, v.47, № 10, pp. 1099−1101.
  8. H.H., Устинов B.M., Егоров А. Ю., Жуков А. Е., Максимов М. В., табатадзе И.Г., Копьев П. С. Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs. ФТП, 1994, т.28, № 8, с.1483−1487.
  9. Н.Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. ФТП, 1998, т.32, № 4, с.385−410.
  10. Hatami F., Ledentsov N.N., Grundmann N., Bohrer J., Heinrichsdorff F., Beer M., Bimberg D. Radiative recombination in tipe-II GaSb/GaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, № 5, pp. 656−658.
  11. Ji L.W., Su Y.K., Chang S.J., Wu L.W., Fang Т.Н., Chen J.F., Tsai T.Y., Xue Q.K., Chen S.C. Growth nanoscale InGaN self-assembled quantum dots. J. of Crystal Growth, 2003, v.249, pp. 144−148.
  12. JI.B., Дерябин А. С., Якимов А. И., Пчеляков О. П., Двуреченский А. В. Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельнорезонансного диода на ее основе. ФТТ, 2004, т. 46, № 1, с. 91−93.
  13. Cullis A.G., Booker G.R. The epitaxial growth of silicon and germanium films on (111) silicon surface using UHVsublimation and evaporation techniques. J. of Crystal Growth, 1971, v.9, pp. 132−138.
  14. Aleksandrov L.N., Lovyagin R.N., Pchelyakov O.P., Stenin S.I. Heteroepitaxy of germanium thin films on silicon by ion sputtering. J. of Crystal Growth, 1974, v.24/25, pp. 298−301.
  15. Eaglesham D.J., Cerullo M. Dislocation-Free Stranski-Krastanov Growth of Ge on Si (100). Phys. Rev. Lett., 1990, v.64, № 16, pp.1943−1946.
  16. Mo Y.-W., Savage D.E., Swartzentruber В.S., Lagally M.G. Kinetic Pathway in Stranski-Krastranov Growth of Ge on Si (100). Phys. Rev. Lett., 1990, v.65, № 8, pp.1020−1023.
  17. Yakimov A.I., Markov V.S., Dvurechenskii A.V., Pchelyakov O.P. Coulomb staircase in Si/Ge structure. Phil. Mag., 1992, v.65, № 4, pp. 701−705.
  18. Prinz V. Ya. A new concept in fabricating building blocks for nanoelectronic and nanomechanic devices. Microelectronic Enginttring, 2003, v.69, № 2, pp. 466−475.
  19. Wiesendenger R. Fabrication of nanometer structures using STM. Appl. Surf. Sci., 1992, v.54, pp.271−277.
  20. Nikiforov A.I., Cherepanov V.A., Pchelyakov O.P., Dvurechenskii A.V., Yakimov A.I. In situ RHEED control of self-organized Ge quantum dots. Thin Solid Films, 2000, v. 380, № 1−2, pp. 158−163.
  21. Kastner M., Voigtlander B. Kinetically Self-Limiting Growth ofGe Islands on Si (001). Phys. Rev. Lett., 1999, v. 82, № 13, pp. 2745−2748.
  22. Wang X., Jiang Z., Zhu H., Lu F., Huang D., Liu X., Ни C, Chen Y., Zhu Z., Yao T. Germanium dots with highly uniform size distribution grown on Si (100) substrate by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, № 24, pp. 3543−3545.
  23. Milekhin A., Stepina N.P., Yakimov A.I., Nikiforov A.I., Schulze S., Zahn D.R.T. Raman scattering ofGe dot superlattices. Eur. Phys. J. B, 2000, v. 16, pp. 355−359.
  24. С.Б., Бауск H.B., Ненашев A.B., Степина Н. П., Никифоров А. И., Мазалов JI.H. Микроскопические характеристики гетероструктур, содержащих нанокластеры и тонкие слои Ge в Si-матрице. Журнал структурной химии, 2000, т. 41, № 5, с. 980−987.
  25. Sutter P., Mateeva Е., Sullivan J. S., Lagally M. G. Low-energy electron microscopy ofnanoscale three-dimensional SiGe islands on Si (lOO). Thin Solid Films, 1998, v. 336, pp. 262−270.
  26. Brunner K. Si/Ge nanoctructures. Rep.Prog. Phys., 2002, v.65, pp. 27−72
  27. Shaleev M. V., Novikov A. V., Yablonskiy A. N.,. Drozdov Y. N, Lobanov D. N., Krasilnik Z. F., Kuznetsov O. A. Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Appl. Phys. Lett., 2006, v. 88, pp. 11 914 011 916.
  28. Denker U., Stoffel ML, Schmidt O. G., Sigg H. Ge hut cluster luminescence below bulk Ge band gap. Appl. Phys. Lett., 2003, v. 82, № 3, p. 454−456.
  29. А.А., Цырлин Г. Э., Дубровский В. Г., Устинов В. М., Werner Р. О возможностях подавления dome-iaiacmepoe при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100). ФТП, 2004, т.38, с. 1239−1244.
  30. Peng С. S., Huang Q, Cheng W. Q., Zhou J. M., Zhang Y. H, Sheng Т. Т., Tung C.H. Improvement of Ge self-organized quantum dots by use of Sb surfactant. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 20, pp. 2541−2543.
  31. A.M., Ульянов B.B., Пчеляков О. П., Тийс C.A., Гутаковский А. К. Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si. -ФТТ, 2004, т. 46, № 1, с. 80−82.
  32. Lander J. J., Morrison J. Low Voltage Electron Diffraction Study of the Oxidation and Reduction of Silicon J. Appl. Phys., 1962, v. 33, pp. 2089−2092.
  33. A.B., Зиновьев B.A., Смагина Ж. В. Эффекты самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 74, № 5, с. 296−299.
  34. Liu F., Lagally М. G. Self-organized nanoscale structures in Si/Ge films. Surf. Sci., 1997, v.386,pp, 169−181.
  35. Zhu J., Brunner К., Abstreiter G. Two-dimensional ordering of self-assembled Ge islands on vicinal Si (001) surfaces with regular ripples. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 5, pp. 620−622.
  36. Shklyaev A. A., Shibata M., Ichikawa M. Instability of 2D Ge layer near the transition to 3D islands on Si (lll). Thin Solid Films, 1999, v. 343−344, pp. 532−536.
  37. Zhong Z., Halilovic A., Fromherz Т., Schaffler F., Bauer G. Two-dimensional periodic positioning of self-assembled Ge islands on prepatterned Si (001) substrates. -Appl. Phys. Lett., 2003, v. 82, № 26, pp. 4779−4781.
  38. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Nikiforov A.I. Ge/Si quantum-dot metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Appl. Phys. Lett. 2002. v. 80, pp. 4783−4785.
  39. G., Colace L., Assanto G. 2.5 Gbit/s poly crystalline germanium-on-silicon photodetector operating from 1.3 to 1.55 pim. Appl. Phys. Lett. 2003. v. 82. pp. 25242526.
  40. Presting H. Near and mid infrared silicon/germanium basedphotodetection. Thin Solid Films, 1998. v. 321, pp. 186−195.
  41. Ю.Н., Красильник З. Ф., Кудрявцев K.E., Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Шалеев М. В., Шенгуров В. Б., Шмагин А. Н., Яблонский А. Н. Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si(001). ФТП, 2000, т. 34, № 1, с. 8−12.
  42. Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskiy S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembledislands for Si-based optoelectronics. Semicond. Sci. Technol., 2011, v. 26, pp. 14 029 014 033.
  43. Elcurdi M., Boucaud P., Sauvage S., Kermarrec О., Campidelli Y., Bensahel D., Saint-Girons G., Sagnesl. Near-infrared waveguide photodetector with Ge/Si self-assembled quantum dots Appl. Phys. Lett. 2002. v. 80. pp. 509−511.
  44. Tong S., LiuJ.L., Wan J., Kang L.W. Normal-incidence Ge quantum-dot photodetectors at 1.5 jum based on Si substrate Appl. Phys. Lett. 2002. v. 80. pp. 11 891 191.
  45. Elving A., Hansson G.V., Ni W.-X.SiGe (Ge-dot) heterojunction phototransistors for efficient light detection at 1.3−1.55 jum. Physica E. 2003. v. 16. pp. 528−532.
  46. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Yakovlev Yu.I., Nikiforov A.I., Adkins С .J. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots. -Phys. Rev. B, 2000, v. 61, № 16, p. 10 868−10 876.
  47. .И., Эфрос A.Jl. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, с. 416.
  48. А.И., Двуреченский, А В., Никифоров, А И., Блошкин, А А. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. Письма в ЖЭТФ, 2003, т. 77, № 7, с. 445−449.
  49. Kozub V.I., Baranovskii S. D., Shlimak I. Fluctuation-stimulated variable-range hopping.- Solid State Communications, 2000, v. 113, pp. 587−591.
  50. Van Houten H., Beenakker C.W.J., Staring A.A.M. Coulomb-blokade oscillations in semiconductor nanostructures. In: Singl Charge Tunneling./ Ed. By Grabert H., Devoret M.H. NATO ASI Series B. New York: Plenum, 1991, pp.1−64.
  51. Tewordt M., Hughes R. J. F., Martin-Moreno L., Nicholls J. T., Asahi H., Kelly M. J. Vertical tunneling between two quantum dots in a transverse magnetic field. Phys. Rev. B, 1994, v. 49, № 12, p. 8071−8075.
  52. Dixon D., Kouwenhoven L. P., McEuen P. L. Influence of energy level alignment on tunneling between coupled quantum dots. Phys. Rev. B, 1996, v. 53, № 19, p. 1 262 512 628.
  53. Blick R. H., Haug R. J., Weis J., Pfannkuche D., von Klitzing K., Eberl K. Single-electron tunneling through a double quantum dot: The artificial molecule. Phys. Rev. B, 1996, v. 53, № 12, p. 7899−7902.
  54. Burkard G, Loss D. Coupled quantum dots as quantum gates.-Phys. Rev. B, 1999, v. 59, № 3, p. 2070−2078.
  55. Duruoz C I., Clarke R. M., Marcus C M., Haris J. S. Conduction threshold, switching, and hysteresis in quantum dot arrays. Phys. Rev. Lett., 1995, v. 74, № 16, p. 3237−3240.
  56. Guo L., Leobandung E., Chou S.Y. A room-temperature silicon single-electron metal—oxide—semiconductor memory with nanoscale floating-gate and ultranarrow channel. Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, pp.850−852.
  57. Sakamoto T., Kawaura H., Baba T. Single-electron transistors fabricated from a doped-Sifilm in a silicon-on-insulator substrate. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, pp.795 796.
  58. Takahashi N., Ishikuro H., Hiramoto T. Control of Coulomb blockade oscillations in silicon single electron transistors using silicon nanocrystal floating gates. Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, pp. 209−211.
  59. Takahashi Y., Nagase M., Namatsu H., Kurihara K., Iwdate K., Nakajima Y., Horiguchi S., Murase K., Tabe M. Fabrication technique for Si single-electron transistor operating at room temperature. Electronic Letters, 1995, v. 31, pp. 136−137.
  60. Zhuang L., Guo L., Chou S.Y. Silicon single-electron quantum-dot transistor switch operating at room temperature. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, pp. 1205−1207.
  61. Wang T.H., Li H.W., Zhou J.M. Si single-electron transistors with in-plane point-contact metal gates. Appl. Phys. Lett., 2001, v. 78, pp. 2160−2162.
  62. Phillips J., Kamath K., Brock T., Bhattacharya P. Characteristics of InAs/AlGaAs self-organized quantum dot modulation doped field effect transistors. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72,3509−3511.
  63. Ishikuro H., Hiramoto T. Quantum mechanical effects in the silicon quantum dot in a single-electron transistor. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, pp. 3691−3693.
  64. Saitoh M., Takahashi N., Ishikuro H., Hiramoto T. Large Electron Addition Energy above 250 meV in a Silicon Quantum Dot in a Single-Electron Transistor. Jpn. J. Appl. Phys., 2001, v. 40, pp. 2010−2012.
  65. Likharev K.K. Layered tunnel barriers for nonvolatile memory devices. -Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, pp. 2137−2139.
  66. Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. High-Kgate dielectrics: Current status and materials properties considerations. -J. Appl. Phys., 2001, v.89, pp. 5243−5275.
  67. Gusev E.P., Cartier E., Buchanin D.A., Gribelyuk M., Copel M., Okorn-Schmidt H., D’Emic C. Ultrathin high-K metal oxides on silicon: processing, characterization and integration issues. Microelectronic Engin., 2001, v. 59, pp. 341−349.
  68. Kim D.-W., Kim Т., Banerjee S.K. Memory characterization ofSiGe quantum dot flash memories with Hf02 and Si02 tunneling dielectrics.- IEEE Trans. Electron. Dev., 2003, v. 50, № 9, pp. 1823−1829.
  69. King Y.-C., King T.-J., Ни C. A long-refresh dynamic/quasi-nonvolatile memory device with 2-nm tunneling oxide. IEEE Electron. Dev. Lett., 1999, v. 20, № 8, pp. 409 411.
  70. De Salvo В., Gibaudo G., Pananakakis G., Masson P., Baron Т., Buffet N.,. Fernandes A, Guillaumot B. Experimental and theoretical investigation of nano-crystal and nitride-trap memory devices. IEEE Trans. Electron. Dev., 2001, v.48, pp. 17 891 799.
  71. Lu Z., Lee C., Narayanan V., Pen G., Kan E.C. Metal nanocrystal memories-part II: electrical characteristics. IEEE Trans. Electron. Dev., 2002, v. 49, pp. 1614−1622.
  72. She V., King T.-J. Impact of crystal size and tunnel dielectric on semiconductor nanocrystal memory performance. IEEE Trans. Electron. Dev., 2003, v. 50, pp. 19 341 940.
  73. Yang H.G. Shi Y., Gu S.L., Shen В., Han P., Zhang R., ZhangY.D. Numerical investigation of characteristics ofp-channel Ge/Si hetero-nanocrystal memory. -Microelectron. J., 2003. v. 34, pp. 71−75.
  74. Tiwari S., Rana F., Hanafi H., Hartstein A., Emmanuel F., Crabbe F., Chan К. A silicon nanocrystals based memory. Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, pp. 1377−1379.
  75. Ю.Н. Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах. ФТП, 2009, т. 43, № 8, с. 1078−1083.
  76. Kanoun М., Souifi A., Baron Т., Mazen F. Electrical study of Ge-nanocrystal-based metal-oxide-semiconductor structures for p-type nonvolatile memory applications. -Appl. Phys. Lett., 2004, v. 84, pp. 5079−5081.
  77. KingY.-C.- King T.-J., Ни C. MOS memory using germanium nanocrystals formed by thermal oxidation of Sil.xGex. IEEE Trans. Electron Devices Meet., 1998, pp. 115 118.
  78. Maeda J. Visible photoluminescence from nanocrystallite Ge embedded in a glassy Si02 matrix: Evidence in support of the quantum-confinement mechanism. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, pp. 1658−1670.
  79. Ovsyuk N.N., Gorokhov E.B., Grishchenko V.V., Shebanin A.P. Low-frequency Raman scattering by small semiconductor particles. JETP Letters, 1988, v. 47, pp. 298 300.
  80. Von Borany J., Groetzschel R., Heinig K.-H, Markwitz A., Schmidt В., Skorupa W., Thees H.-J., The Formation of Narrow Nanocluster Bands in Ge-lmplanted Si02-Layers. Solid-State Elelctronics, 1999, v. 43, pp. 1159−1163.
  81. Choi S., Park В., Kim H., Cho K., Kim S. Capacitance-voltage characterization of Ge-nanocrystal-embedded MOS capacitors with a capping Al203 layer. Semicond.Sci. Technol., 2006, v. 21, pp. 378−380.
  82. Rizza G. C, Strobel M.,. Heinig K.-H, Bernas H. Ion irradiation of gold inclusions in Si02: Experimental evidence for inverse Ostwald ripening. Nucl. Instr. Meth. In Phys. Res. B, 2001, v. 178, pp. 78−83.
  83. Kim J. K, Cheong H. J, KimY, Yi J.-Y, Bark H. J, Bang S. H, Cho J.H. Rapid-thermal-annealing effect on lateral charge loss in metal-oxide-semiconductor capacitors with Ge nanocrystals. Appl. Phys. Lett, 2003, v. 82, pp. 2527−2529.
  84. Ammendola G, Ancarani V, Triolo V, Bileci M, Corso D, Isodiana Crupi I, Perniola L, Gerardi C, Lombardo S, DeSalvo B. Nanocrystal memories for FLASH device applications. Solid-State Electron, 2004, v.48, pp. 1483−1488.
  85. Baron T, Pelissier B, Perniola L, Mazen F, Hartmann J. M, Rolland G. Chemical vapor deposition of Ge nanocrystals on Si02. Appl. Phys. Lett, 2003, v. 83, pp. 14 441 446.
  86. Larsen A.N. Germanium quantum dots in Si02: fabrication and characterization. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, eds. Borisenko V. E,. Gaponenko S. V, Gurin V. S" World Scientific Singapore, 2003, p. 439.
  87. Wan Q, Wang T. H, Liu W. L, Lin C.L. Ultra- high-density Ge quantum dots on insulator prepared by high-vacuum electron-beam evaporation. J. Cryst. Growth, 2003, v. 249, pp. 23−27.
  88. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Nikiforov A.I., Adkins C.J. Oscillation of hopping conductance in an array of charge-tunable self-assembled quantum dots. J. Phys. Condens. Matter, 1999, v. 11, pp. 9715−9722.
  89. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Nikiforov A.I. Ge/Si Quantum Dot Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transitor. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, 2002. p. 191.
  90. Dvurechenskii A.V., Nenashev A.V., Yakimov A.I. Electronic structure of Ge/Si quantum dots. Nanothechnology, 2002, v. 13, p. 75−80.
  91. Slater J.S., Koster G.F. Simplified LCAO Method for the Periodic Potential Problem. Phys. Rev., 1954, v. 94, p.1498−1524.
  92. Chadi D.J. Spin-orbit splitting in crystalline and compositionally disordered semiconductors. Phys. Rev. B, 1977, v. 16, p.790−796.
  93. A.B., Двуреченский A.B. Пространственное распределение упругих деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками. ЖЭТФ, 2000, т. 188, с.570−578.
  94. Jancu J.-M., Scholz R., Beltram F., Bassani F. Empiricalspds* tight-binding calculation for cubic semiconductors: General method and material parameters. -Phys. Rev. B, 1998, v. 57, p.6493−6507.
  95. Beenakker C.W.J. Theory of Coulomb-blockade oscillations in the conductance of a quantum dot. Phys. Rev. B, 1991, v. 44, p. 1646.
  96. Popovic D., Fowler A.B., Washburn S., Stiles P.J. Conductance fluctuations in large metal-oxide-semiconductor structures in the variable-range hopping regime. -Phys. Rev. B, 1990, v. 42, pp. 1759−1762.
  97. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Pchelyakov O.P. Charging Dynamics and Electronic Structure of Excited State in Ge Self-Assembled Quantum Dots.- Phys. Low-Dim. Struct., 1999, v. ¾, pp. 99−110.
  98. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Kirienko V.V., Yakovlev Yu.I., Nikiforov A.I., Adkins C.J. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots.- Phys. Rev. B, 2000, v. 61, pp. 10 868−10 876.
  99. А.И., Двуреченский A.B., Никифоров А. И., Чайковский С. В., Тийс С. А. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3 1.5 мкм). — ФТП. 2003. Т. 37, С. 1383−1388.
  100. А.И., Двуреченский А. В., Кириенко В. В., Никифоров А.И. Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. ФТТ, 2005, т. 47, с. 37−40.
  101. Shklyaev A.A., Shibata М., Ichikawa М. High-density ultrasmall epitaxial Ge islands on Si (lll) surfaces with a Si02 coverage. Phys. Rev. 2000, v. В 62, pp. 15 401 543.
  102. Morris D., Perret N,. Fafard S. Carrier energy relaxation by means of Auger processes in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett., 1999, v. 75, pp. 3593−3595.
  103. Yoda Y., Moriwaki O., Nishioka M., and Arakawa Y. Efficient Carrier Relaxation Mechanism in InGaAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots Based on the Existence of Continuum States. Phys. Rev. Lett., 1999, v. 82. pp. 4114−4117.
  104. Besenbacher F. Scanning tunneling microscopy studies of metal surfaces. Rep. Prog. Phys. 1996, v. 59, pp. 1737−1802.
  105. Kolobov A.V. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and limitations. -J. Appl. Phys., 2000, v. 87, pp. 2926−2930.
  106. Mooney P. M, Dacol F., Tsang J.C., Chu J.O. Raman scattering analysis of relaxed GexSi]~x alloy layers. Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, pp. 2069−2071.
  107. Abstreiter G, Schittenhelm P, Engel С, Silveira E, Zrenner A, Meertens D, Jager W. Growth and characterization of self-assembled Ge-rich islands on Si. — Semicond. Sei. Technol., 1996, v. 11, pp. 1521−1528.
  108. Cerdeira F., Buchenauer C.J., Pollac F.N., Cardona F. Stress-Induced Shifts of First-Order Raman Frequencies of Diamond- and Zinc-Blende-Type Semiconductors. -Phys. Rev. B, 1972, v. 5, pp. 580−593.
  109. Groenen J., Carles R., Cristiansen S., Albrecht M., Dorsch W., Strunk H.P., Wawra H., Wanger G. Phonons as probes in self-organized SiGe islands. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, pp. 3856−3858.
  110. Yakimov A.I., Stepina N.P., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Nenashev A.V. Excitons in charged Ge/Si type-II quantum dots. Semicond. Sci. Technol., 2000, v. 15, pp. 1125−1130.
  111. ГОСТ 1772–88 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик. — М.: Изд-во стандартов, 1988, с. 66.
  112. Приемные оптические модули ДФДМШ40−16, www.dilas.ru.
  113. А.А., Кириенко В. В., Якимов А. И., Донченко В. А. Исследование временных характеристик фотодетекторов на основе наногетероструктур Ge/Si. Известия высших учебных заведений, 2010, № 5, с. 64 — 67.
  114. А.В., Зиновьев В. А., Кудрявцев В .А., Смагина Ж. В. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из молекулярных пучков. Письма в ЖЭТФ, 2000, т. 72, № 3, с. 190−194.
  115. Dvurechenskii A. V, Smagina Zh.V., Groetzschel R., Zinoviev V.A., Armbrister V.A., Novikov P.L., Teys S.A., Gutakovskii A.K. Ge/Si quantum dot nanostructures grown with low-energy ion beam-epitaxy. Surface & Coating Technology, 2005, v. 196, pp. 25−29.
  116. Ригс.В., Паркер M. Анализ поверхности методом рентеновской фотоэлектронной спектроскопии в кн. «Методы анализа поверхности», М. Мир, 1978, с 142−149.
  117. Cho В, Schwarz-Selinger Т, Ohmori К, Cahill D.G., Greene J.E. Effect of growth rate on spatial distributions of dome-shaped Ge islands on Si (001). Phys. Rev. B, 2002, v. 66, pp. 195 407−195 411.
  118. McDaniel E.P., Jiang Q., Crozier P.A., Drucker J., Smith D.J., Kinetic control of Ge (Si)/Si (100) dome cluster composition. Appl. Phys. Lett., 2005, v. 87, pp. 223 101 223 103.
  119. Stepina N.P., Dvurechenskii A.V., Armbrister V.A., Kesler V.G., Novikov P.L., Gutakovskii A.K., Kirienko V.V., Smagina Zh.V. Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on Si02. Appl. Phys. Lett., 2007, v. 90, p. 133 120.
  120. Paine D.C., Caragianis C., Schwartzman A.F. Oxidation of Sij-xGex alloys at atmospheric and elevated pressure. J. Appl. Phys., 1991, v. 70, pp. 5076−5084.
  121. Lion H.K., Mei P., Gennser U., Yang E.S. Effects of Ge concentration on SiGe oxidation behavior. Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, pp. 1200−1202.
  122. Eugene J., LeGoues F.K., Kesan V.P., Lyer S.S., d’Heurle F.M. Diffusion versus oxidation rates in silicon-germanium alloys. Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, pp.78−80.
  123. Sass T., Zela V., Gustafsson A., Pietzonka I., Seifert W. Oxidation and reduction behavior of Ge/Si islands. Appl. Phys. Lett., 2002, v.81, pp. 3455−3457.
  124. B.A., Спесивцев E.B., Рыхлицкий C.B., Михайлов H.H. Эллипсометрия — прецизионный метод контроля тонкопленочныхструктур с субнанометровым разрешением. Российские нанотехнологии, 2009, т. 4, № 3, с. 72−85.
  125. Novikov P., Heinig K.-H., Larsen A., Dvurechenskii A.V. Simulation of ionirradiation stimulated Ge nanocluster formation in gate oxides containing Ge02 Nucl. Instum. Methods Phys. Res. B, 2002, v. 191, pp. 462−467.
  126. Spenser B.J., Tersoff J. Stresses and first-order dislocation energetics in equilibrium Stranski-Krastanow islands. Phys.Rev. B, 2001, v. 63, pp. 205 424- 205 432
  127. Tillmann K., Forster A. Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of Ino.0Gao.4As islands on GaAs (OOl). Thin Solid Films, 2000, v. 368, pp. 93−104.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!