Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фазовые равновесия и области гомогенности слоистых соединений в системах Ge-As, Ga-Se и Ga-S

Диссертация: Фазовые равновесия и области гомогенности слоистых соединений в системах Ge-As, Ga-Se и Ga-S
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Настоящее исследование представляет собой начальный этап работ именно в таком направлении. В данной работе предпринята попытка выявить общие особенности в нестехиометрии соединений с достаточно близким характером связей и структуры, а именно в некоторых соединениях и А^^. Продолжены исследования областей гомогенности соединении, А В, и, прежде всего, диарсенида германия. Выбор СеАвг как одного… Читать ещё >

Фазовые равновесия и области гомогенности слоистых соединений в системах Ge-As, Ga-Se и Ga-S (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературньш обзор
    • 1. 1. Система Се-АБ и диарсенид германия
      • 1. 1. 1. Система Ое-АБ
      • 1. 1. 2. Область гомогенности ОеА82 по результатам электрофизических измерений
      • 1. 1. 3. Структура диарсенида германия
    • 1. 2. Система Оа-Бе
      • 1. 2. 1. Промежуточные соединения и фазовые равновесия в системе Са-Бе
      • 1. 2. 2. Моноселенид галлия: его структура и некоторые свойства
    • 1. 3. Система Са-Э
      • 1. 3. 1. Промежуточные соединения и фазовые равновесия в системе Оа-Э
      • 1. 3. 2. Моносульфид галлия и его некоторые свойства
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Стандартный вариант использования нуль-манометрического метода
      • 2. 1. 1. Манометрическая установка и особенности проведения эксперимента
      • 2. 1. 2. Усовершенствования, внесенные в схему эксперимента
      • 2. 1. 3. Постановка эксперимента, получение и представление результатов
    • 2. 2. Нуль-манометрический метод исследования фазовых диаграмм малолетучих бинарных фаз при помощи третьего компонента
      • 2. 2. 1. Общие положения разработанного метода
      • 2. 2. 2. Возможность использования иодидов галлия в исследованиях фазовых диаграмм монохалькогенидов галлия
      • 2. 2. 3. Постановка эксперимента, получение и представление результатов
    • 2. 3. Использование нуль-манометрического метода для сканирования областей гомогенности бинарных фаз по растворимости газов в расплавах
    • 2. 4. Оценка погрешностей в используемых методах
    • 2. 5. Характеристики используемых веществ и синтез исследуемых фаз
  • Глава 3. Фазовые равновесия в системе Ge-As и область гомогенности диарсенида германия
    • 3. 1. Построение P-T проекции области гомогенности диарсенида германия
    • 3. 2. Построение T-X проекции области гомогенности диарсенида германия
    • 3. 3. Определение точки конгруэнтного плавления GeAs
    • 3. 4. Особенности области гомогенности GeAs
  • Глав^ 4. Фазовые равновесия в системе Ga-Se и Ga-S. Области гомогенности моноселенида и моносульфида галлия
    • 4. 1. Фазовая диаграмма и область гомогенности моноселенида галлия
      • 4. 1. 1. Фазовые равновесия в системе Ga — Se по результатам нуль-манометрического метода с третьим компонентом
        • 4. 1. 1. 1. Равновесия при гетерогенном характере конденсированной части системы
        • 4. 1. 1. 2. Область гомогенности GaSe
      • 4. 1. 2. Границы области гомогенности GaSe по результатам растворимости газов в расплавах
      • 4. 1. 3. Температурная зависимость парциального давления паров галлия при различных характерах равновесий
        • 4. 1. 3. 1. Равновесие сплавов GaixSex с паром при использовании хлора в качестве вспомогательного компонента
        • 4. 1. 3. 2. Температурная зависимость парциального давления паров галлия: сравнение результатов при использовании хлора и иода как вспомогательных компонентов
    • 4. 2. Управляемый синтез селенидов галлия заданного состава
    • 4. 3. Фазовые равновесия в системе Ga — S
      • 4. 3. 1. Данные по Т-Х проекции
      • 4. 3. 2. Р-Т проекция фазовой диаграммы системы Ga-S
  • Глава 5. Обсуждение результатов
    • 5. 1. Дефектообразование в кристалле моноселенида галлия
    • 5. 2. Сопоставление результатов косвенного и прямого исследования области гомогенности GeAs
    • 5. 3. Интеркалация как образование дефектов межслоевого внедрения
    • 5. 4. Место рассматриваемых соединений среди слоистых фаз
  • Выводы

Актуальность темы

.

Значительным и все более возрастающим интересом в химии твердого тела пользуются немолекулярные соединения со слоистой структурой. Такой интерес обусловлен целым спектром важных свойств, открывающих перспективы использования многих из этих материалов в новой технике [1−3]. К этим свойствам следует отнести, прежде всего, значительную анизотропию многих физических параметров, возможность выступать в качестве хороших смазывающих материалов, способность к реакциям межслоевого внедрения (интеркалирования) и т. д. [1−3].

Очень важной для слоистых соединений оказывается проблема влияния состава фазы на ее свойства, даже если область применения материала далека от полупроводниковой электроники [3−5]. Однако современное исследование этой проблемы, а также связанных с ней вопросов о дефектообразовании в слоистых структурах является недостаточным [6,7]. Частично эта тема затрагивается лишь при рассмотении вопросов интеркалирования таких соединений, которые содержат атомы переходных металлов, и в которых доля ионной связи внутри слоев достаточно велика [5−10]. Для таких структур дефектообразование часто рассматривается как процесс интеркалирования. Например, для группы соединений, объединяющей многие слоистые халькогениды с1 — элементов, рассматривается возможность внедрения атомов фазообразующих элементов в межслоевые позиции (в ряде работ такой процесс называется автоинтеркаляцией) [5, 8, 9]. Показывается, что дефекты такого типа } обусловливают часто встречающиеся среди соединений данного круга значительные изменения ширины области гомогенности. Предпочтительное внедрение атомов металла обосновывается дефицитом электронов на связывающих орбиталях ионов с1 — элементов [5, 9].

Однако по другим группам слоистых соединений (прежде всего таким, для которых характерны преимущественно ковалентные связи внутри слоев, насколько нам известно, общих концепций по природе дефектообразования и нестехиометрии не имеется. Непрослеженной также остается зависимость особенностей дефектообразования от характера химических связей и структуры фазы.

Настоящее исследование представляет собой начальный этап работ именно в таком направлении. В данной работе предпринята попытка выявить общие особенности в нестехиометрии соединений с достаточно близким характером связей и структуры, а именно в некоторых соединениях и А^^. Продолжены исследования областей гомогенности соединении, А В, и, прежде всего, диарсенида германия. Выбор СеАвг как одного из основных объектов нашего исследования обусловлен тем фактом, что для этого соединения ранее была обнаружена очень необычная форма области гомогенности, заключающаяся в ее резком расширении в очень узком интервале температур сторону мышьяка. Однако выводы об области гомогенности этой фазы были сделаны на основании косвенных (электрофизических) измерений и нуждались в альтернативной проверке прямыми (тензиметрическими) исследованиями. Экспериментальное исследование областей гомогенности было распространено и на представителей соединений со слоистой структурой — на моноселенид и моносульфид галлия. В последнем случае возникла необходимость в разработке новых методов сканирования фазовых диаграмм по причине крайне низкой летучести этих соединений, а также в поиске путей управляемого синтеза таких соединений. Последнее может иметь, на наш взгляд, заметное прикладное значение, поскольку распространение этих методов на другие малолетучие фазы (необязательно слоистые) помогло бы решить проблему их синтеза с заранее заданными составом и свойствами.

Выполненная работа являлась составной частью трехгодичного гранта РФФИ № 96−03−33 170 «Стабилизация интеркалатов» .

С учетом изложенного выше цель работы состояла в выявлении особенностей областей гомогенности слоистых соединений и.

А^^ на примерах монохалькогенидов галлия (ОаБ, СаБе) и диарсенида германия.

Для достижения цели требовалось выполнение следующих задач:

1. построение фазовой диаграммы диарсенида германия при помощи прямых тензиметрических методов;

2. получение Т-Х проекций областей гомогенности Оа8 и ваБе.

3. разработка методов, позволяющих в тензиметрических исследованиях выполнять сканирование фазовых диаграмм бинарных систем и областей гомогенности промежуточных фаз при крайне малой летучести последних;

4. разработка способа, позволяющего управлять через паровую фазу составом малолетучего немолекулярного кристалла переменного состава- 1.

Методы исследования.

Основным методом изучения микро Р-Т-Х — диаграмм состояния указанных веществ являлись различные способы использования нуль-манометрического метода. Идентификация структуры и фазового состава соединений проводилась при помощи рентгеновских методов анализа. В работе использовались также электрофизические и оптические методы исследования. Для расчетов применяли современную вычислительную технику. Оценку достоверности результатов проводили методами математической статистики.

Научная новизна. В работе впервые:

— исследованы области гомогенности ОаЭе и ОаБ. В прямых тензиметрических исследованиях определена область гомогенности СеАзг. Построены фазовые диаграммы этих соединений;

— разработаны и применены 2 независимых метода сканирования фазовых диаграмм малолетучих бинарных фаз при помощи третьего компонента в тензиметрических исследованиях;

— разработан метод, позволяющий управлять' составом малолетучих бинарных фаз через пар с участием третьего компонента и экспериментально показана возможность его использования на примере моноселенида галлия;

— представлено обоснование выявленным особенностям областей гомогенности в диарсениде германия и в моноселениде галлия с позиций дефектообразования с учетом возможного высокотемпературного интеркалирования этих соединений атомами фазообразующих элементов (автоинтеркалирования).

Практическая значимость:

Соединения А1УВУ и получают все большее распространение в астрофизике в качестве детекторов излучений различных энергий, а фазы А^^ со слоистой структурой перспективны в качестве рабочих тел в лазерах. Предполагается, что используемые свойства заметно зависят от состава материаловоднако систематических исследований в этом направлении, насколько нам известно, практически не велось. Для изготовления гомогенных образцов с заданными составом и свойствами необходима информация о фазовых диаграммах соединений.

Апробация работы:

Материалы диссертационной работы были представлены на Всероссийских конференциях: Саратов, СГУ, 1997 г., Нижний Новгород, ННГУ, 1996 гидр.

Публикации. По результатам проведенных исследований опубликовано работ, из них? — журнальных статей в центральной печати.

Структура и объем работы:

Диссертация состоит из введения, пяти глав, списка литературы, включающего 108 наименований различных источников и двух приложений. Работа представлена на 159 страницах и включает 39 рисунков и 25> таблиц.

ВЫВОДЫ:

1. В прямых тензиметрических исследованиях построены Т-Х проекции диарсенида германия, моноселенида и моносульфида галлия.

2. Выявлено, что области гомогенности моноселенида галлия и диарсенида германия объединяет следующая важная особенность: узкие почти во всем температурном интервале области гомогенности этих соединений имеют резкие расширения в области температур, близких к точкам конгруэнтного плавления фаз. Такое расширение для ОаБе приводит к появлению ретроградного солидуса со стороны селена в узком температурном интервале. В противоположность первым двум фазам область гомогенности моносульфида галлия остается узкой (<0.08 ат.%) во всем температурном интервале.

3. Получены температурные зависимости парциального давления паров галлия при различных характерах фазовых равновесий с участием ОаЭе и СаБ. Показано их использование в уточнении Т-Х проекции моноселенида галлия.

4. Предложена и обоснована гипотеза, основанная на способности слоистых кристаллов к интеркалированию атомами фазообразующих элементов, которая объясняет необычную форму областей гомогенности Оа8е и ОеАБг, а также показывает трудность такого процесса для Оа8. Такой подход подтверждается примерами — интеркалирования СаБе посторонними веществами и отсутствием такой возможности у ОаБ.

5. Разработаны 2 новых независимых способа применения нульманометрического метода в исследованиях фазовых диаграмм и областей гомогенности малолетучих бинарных фаз в равновесиях с участием третьего (вспомогательного) компонента. Применимость разработанных способов показана при изучении систем Оа-Бе и Оа-Б с альтернативным использованием в каждом из способов нескольких вспомогательных веществ.

6. Предложен и на примере селенидов галлия применен способ, позволяющий через паровую фазу, содержащую третий компонент, вести управляемый синтез малолетучих бинарных соединений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Виды применения интеркалированных соединений / Изд-во ГПНТБ, пер. 4 012 329, — 40 с. Пер ст.: Виттинген М. С., Лоуренс Б.В.- 1974. из кн.: Intercalated layred compounds. 1973. -240 с.
  2. Muller A., Reuter Н., Dillinger S. Supramolecular inorganic chemisty: small guest in a big or small hostess // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995. — P. 2328.
  3. Pao H.P., Гопалакришнан Дж. Новые направления в химии твердого тела,-Новосибирск: Наука, 1990. 520с.
  4. Н.А., Дмитриенко В. Е., Грудянов И. И. Литиевые источники тока. М.: Энергоиздат, — 1992. — 240с.
  5. В.К., Товарницкий М. В., Ковалюк З. Д. Внедрение цинка и лития в автоинтеркалированный 2 Н Nbi+ySe2 // Неорг. материалы. — 1989. Т.25 — N2. — С. 228 — 232.
  6. Roulex J. Intercalated layered materials. Dordrecht (Holland): Ed. Levy F., 1979. V.6. -201 p.
  7. B.C. Некоторые проблемы синтеза слоистых интеркалатов. М.: Наука, — 206−221 с.
  8. А. Структурная неорганическая химия: В 3 т: Пер с англ. М.: Мир, 1987. — Т. 2. — 696 с.
  9. Lietli R.M.A., Terbell Y.M. Transition metal dichalcogenides // Pref. and Ciyst. Growth Mater Layered Struct. Dordrecht-Boston, 1977. — C. 141−223.
  10. McClintock P. V. E., Soskin S. M., Stein N. D., Neiman A. B. Comment on nonlinear resonance in the relativistic phase space for driven nonlinear' systems // Phys. ReV. E.- 1996. № 53. — P. 4240 — 4241. я
  11. Е.Г., Попов A.E., Завражнов А. Ю. Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия // Неорг. материалы. 1995. — Т. 31, № 5.-С. 579−591.
  12. З.С. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы. М.: Изд. Наука, 1968. — 216 с.
  13. Leith R. M. A. Ill-VI Compounds. //. Preparation and Crystal Growth of Materials with Layered Structure. — Dordrecht (Holland): D. Reidel Publishing Company, 1977. — P. 225−254.
  14. Зломанов В.П. P-T-x диаграммы халькогенидных систем. М.: Наука, 1984. 178 с.
  15. Я.А., Попов А. Е., Евсеева С. П. и др. Область гомогенности и электрофизические свойства диарсенида германия // Журн. неорг. хим.1985. Т.ЗО., № 10. — С. 2084.
  16. Я.А., Попов А. Е., Гончаров Е. Г., и др. Влияние термообработки на электрофизические свойства GeAs2 // Неорг. материалы. 1987. — № 5. С. 727 — 730.
  17. Е.Г. Фазовые равновесия и физико-химическая природа полупроводниковых фаз в системах A(IV)B (V): Дисс. д-ра хим. наук. -Воронеж, 1989. -411 с.
  18. Я.А., Попов А. Е., Гончаров Е. Г. и др. Исследование фазовых равновесий в системе GeAs2 As // Журн. нерг. хим. — 1983. — Т. 30, № 11. -С. 2944−2947.
  19. Я.А., Евсеева С. П., Гончаров Е. Г. и др. Диаграмма состояния GeAs2- As // Журн. нерг. хим. 1985. — Т. 30, № 11. — С. 2951−2953.
  20. B.C., Туркин Б. Г., Юркина К. В. Растворимость мышьяка в германии // Изв АН СССР. Металлургия и топливо. 1962, № 2, с. 134−135
  21. Wadsten Т. X-ray powder patterns of binary compounds of silicon or germanium with phosphorous, ar senic and Gallium telluride. // Chem. Commun. Unif. Stockholm. 1975.-, V.15, No 10, — P. 14.
  22. Biyden J.H. The ciystal structures of Germanium-Arsenic compounds // J. Acta Cryst. 1962. — V.15, No 1. — P. 167−171.
  23. Wadsten T. The crystal structures of SiP2, SiAs2 and GeP // Acta Chem. Scand. V. 12, No 2. — P. 593−594.
  24. Dieleman J., Sanders F.H.M., The phase diagramm of the Ga-Se system // Phylips J. Res. 1982. — V.37, No 4. — P. 204−229.
  25. Piacente V., Bardi G, Di Paolo V. e.t. The vapor pressure over Ga2S2 and Ga2Se2 // J. Chem. Thermodinam. 1976. — No 8. — P.391−401.
  26. Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A. Structures and compounds in the system Gai xSex // Phys. status solidi (a). 1972. — No 10. — P.529−535.
  27. Hiromichi Suzuki, Ryuichi Mori. Phase studi on binary system Ga-Se// Jap. J. of Appl. Phys. 1974. — V.13, No 3. — P. 417−423.
  28. Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A., Van der Vleuten. New polytypes in vapour GaSe // Mater, res. bull. 1975. — No 10. — P. 577−582.
  29. Ollitrault-Fichet R., Rivet J. Fechaut. Le systeme Ga-Se et les seleniures gallium // J. Solid state chem. 1980. — V.33, No 1. — P. 49−61.
  30. Kuhn A. Atomic structure of 2H Gao.59Seo.41 ?-type // Acta Ciyst. 1972. -B32.-P. 1910−1911.
  31. Г. Л., Сулейманов P.A., Абдулаев H.A. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лившица // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. -1984. Т. 26, № 12. — С. 3560 — 3566.
  32. Hoff R.M., Irwin J.C. Raman scattering in GaSe // Can. J.Phys. 1975. V.53.-P. 1606−1614.
  33. B.K., Марваков Д. И., Петухов А. Г. Упругие модули селенида галлия // Кристаллография. 1980. — Т.25, № 2. — С.420−423.
  34. Jellinek F, Hakn Н. // Z. Naturforsch. 1961. — No 16 В. — P. 713.
  35. A.A. Фазовая диаграмма системы галлий-селен // 5-ая респ. конф. молодых ученых-химиков: Тез. докл. Таллинн, 1983. — С. 233.
  36. А.И., Крочук С. А., Стахира И. М. и др. Высокотемпературный структурный фазовый переход в монокристаллах GaSe // Физика твердого тела. 1982. — Т.24, № 1. — С.76−78.
  37. Augelli A., Manfredotti С., Murri R. Resistivity anysotropy in p-type GaSe // Nuovo Cimeoto. 1978. — V.47, Nol. — P. 101−114.
  38. Chei Tatsuyama, Chihiro Hamguchi, Hiroshi Tomita. Electrical properties of GaSe//Jap. J. of Appl. Phys. 1971. -V. 10, No 12. — P. 1689−1703.
  39. З.Д., Пырма М. Н., Сердюк А. И. Фазы внедрения при интеркалировании слоистых соединений типа AInBVI // Неорг. материалы.-1985. Т.21, No 10. — С. 1652 — 1660.
  40. И.И., — Ковалюк З.Д., Юрценюк С. П. Получение и свойства интеркалированных слоистых соединений типа A (III)B (VI) // Неорг. материалы. 1981. — Т. 17, № 3. — С. 412 — 415.
  41. Некрасов О. В, Завражнов А. Ю., Фалькенгоф. А.Т., Семенов В. Н., Долгополова Э. А. Окислительное внедрение HN03 в GaSe и InSe // Неорг. материалы. 1994. — Т.30, № 6. — С. 737−740.
  42. А.Е., Завражнов А. Ю., Семенов В. Н., и др. Исследование микроструктуры монокристаллов моноселенидов индия и галлия // Неорг. материалы. Т.32, № 6. — 1996. — С. 664−666.
  43. В.В., Григорчак И. И., Бахматюк Б. П. и др. Получение и свойства интеркалированных бромом моноселенидов индия и галлия // Неорг. материалы, — 1990. Т. 26, № 6. — С. 1172−1173.
  44. Lieth R.M.A., Heijligers H.J.M., V.d. Heijden C.W.M. The P-T-X phase diagramm of the system Ga-S // J. Electrochem. Soc. 1966. — V.113, No 8. -P.798−801.
  45. Kashkooli I.Y., Munir Z.A. The dissosisiation energy and pressure of Gallium sesquisulfide // High temp. sei. 1972. — No 4. — P. 82−88.
  46. A.M., Крочук A.C., Стахира И. М. и др. Влияние вакансий серы на фотопроводимость моносульфида галлия в УФ- области спектра. // Неорг. материалы. 1998. — Т. 34, № 10. — С. 1163−1167.
  47. Ф. Химия несовершенных кристаллов: Пер с англ. М.: Мир, 1969. — 654с.
  48. Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978.-360 с.
  49. Ю.Д. Химия несовершенных окислов. М.:Химия, — 1978, -360с.
  50. В.Б., Лобанов JI.A. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1981, — 653 с.
  51. Ш., Лаппо М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные факты: Пер с англ. М.: Мир, 1975. — 304 е.
  52. .Ф. Введение в физическую химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973. — 655 е.
  53. А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2 т: Пер с англ. -М.: Мир, 1988. Т. 1, — 588 с.
  54. A.B. Термодинамическая химия парообразного состояния. Л.: Химия, 1970.-208 е.
  55. Я.Х., Лазарев В. Б., Гуськов В. Н. Тензиметрическое исследование состава пара над нестехиометрическими кристаллами и отклонения от стехиометрии // Докл. АН СССР. 1982. — С. 371−373.
  56. ГринбергЯ.Х., Гуськов В. Н., Лазарев В. Б. и др. Р-Т-Х фазовые равновесия в системе «кадмий — теллур» // Докл. АН СССР.- 1989. — Т.305, № 5.-С. 1152−1155.
  57. Я.Х., Гуськов В. Н., Лазарев В. Б. и др. Термодинамические свойства ZnAs2 // Журн. физ. химии, — 1987, — Т.67, № 7. С, — 1931−1934.
  58. В.Б., Маренкин С. Ф., Гринберг Я. Х. Тензиметрическое исследование в отклонении от стехиометрии в Zn3P2 // Неорг. материалы. -1978. Т. 14, № 11,-С. 1961−1965.
  59. С.М., Морозова М. П. равновесие окислов ванадия со смесями С02/С0 // Журн. общ. химии. 1962. — Т.32, № 7. — С. 2081−2083.
  60. С.А., Новиков Г. И., Суворов A.B. // Журн. неорг. химии. 1956. — № 1, вып. 6. — С. 1948−1957.
  61. В.Н., Петров B.C. Диаграмма фазовых превращений системыгаллий-иод // Изв. сиб. отдела АН СССР. 1967. — № 4. — С. 162−164.
  62. В.Н., Петров B.C. Исследование условий существования субиодидов и суббромидов галлия в газообразном состоянии // Изв. сиб. отдела АН СССР. 1970. — № 2. — С. 29−33.
  63. P.A., Андреева Л. Л., Молочко В. А. Справочник по неоганической химии . М.: Химия, 1987. 320 с.
  64. Ishii Т., Kambe N. GaSe single crystal growth by iodine vapour transport // Journal of ciyst. growth. 1986. — No 76. — P. 489−493.
  65. Maruyama Kenji, Kawakita Yukinobu, Yao Makoto, e.t.Intra- and intermolecular corellations in liquid Selenim halogen system. // J. Phys Soc. Jap.- 1991. — V.60, No 9. — P. 3032−3044.
  66. Williams R.H. The identification of non-basal dislocations in GaSe by etch pit technique // J.Mat. Sci. 1970. — No 5. — C. 566−572.
  67. J.C.J.M. Terhell, R.M.A. Lieth, Van der Vleuten. New polytypes in vapour GaSe // Mater: res. bull. 1975. — No 10. — P. 577−582.
  68. Ishii Т., Kambe N. GaSe single crystal growth by iodine vapour transport // J. of ciyst. growth. 1986. — No 76. — P. 489−493.
  69. Williams R.H. The identification of non basal dislocations in GaSe by etch pit technique // J. of mater sci. — 1978. — No 13. — P. 2394−2402.
  70. Mancini A.M., Rizzo A., Scandale E. Determination and supersaturation conditions in the GaSe iodine growth by eth-pit examination // J. Cryst. Growth. -1975.-V. 29. -P. 373−381.
  71. Mooser E., Schluter M., Leith R.M.A. A new growth mechanism in layer structures // J. Cryst. Growth. 1972. — V. 16. — P. 62−66.
  72. Г. А. Ассоциация брома в парах // Журн. неорг. химии. -1965. Т. 10. — С. 287.
  73. Е.Б., Срывании И. Т. Изучение сложных газофазных равновесий над расплавами системы CoI2 Nal // Электронная техника. -1984. — серия 6 (материалы), вып. 10 (195). — с. 77−79.
  74. .В. Основы общей химии: В 2 т. М.: Химия, 1973. — Т. 1. — 688 е.
  75. Ф., Уилкинрон Дж. Основы неорганической химии: Пер с англ. -М.: Мир, 1979. -677 с.
  76. В.П., Вигдорович В. М., Андреев В. М. Молекулярный состав пара мышьяка // Неорг. материалы. 1971. — Т.7, № 11. — С. 2065−2066.
  77. Е.Г., Угай Я. А., Семенова Г. В. и др Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом М.: Наука, 1989 220с.
  78. А.Е., Завражнов А. Ю., Авербах Е. М. и др. Р-Т-Х диаграмма диарсенида кремния // Неорг. материалы. — 1993. — № 11. — С. 1458−1461.
  79. А.Ю., Турчен Д. Н., Гончаров Е. Г. Р-Т-Х диаграмма системы Ge-As вблизи диарсенида германия // Неорг. материалы. — 1998. — Т.29, № 7. -С. 775−780.
  80. Yasuo Kunia, Masahiro Hosuka, Usami Shindo. Studies on the vapor phase reaction in the system Ga-Cl2 // Denki Kagaku. 1975. — V. 3, No 7. — P. 372−278.
  81. Yasuo Kunia, Masahiro Hosuka. Vapor phase equilibria in the system In-InCl3, and Ga-GaCl3 // J. Cryst. Growth. 1975. — V.28. — P. 385−391.
  82. Ait-Hou A., Hillel, R., Chatillon C. Mass-spectrometric study of gaseous (Gallium+Chlorine). Molar enthalpies of formation of Ga2Cl4 and Ga2Cl2 // J. Chem. Thermodyn. 1988. — V. 20. — P. 993−1008.
  83. О.Г., Комшилова O.H. Об устойчивости парообразных хлоридов галлия // Вести АН БССР. Сер. физ. энерг. наук. 1971. — № 3. — С. 98−102.
  84. Г., Сапожников Ю. А., Харджосунанто С. и др. Определение давления пара жидкого металлического галлия // Изв. АН СССР. Сер. «Металлы». 1969. — № 3. — С.210−215.
  85. И .Я., Приселков Ю. А., Матерн Г. Испарение сплава медь-галлий области фазовых превращений // Изв. АН СССР. Сер. хим. 1970. -№ 4. — С.757−761.
  86. Хухрянский Ю.П., Никоваев Ю. В., Пантелеев В. В. Давление пара галлия над жидким галлием // Получение и анализ чистых веществ. Горький, 1986.-С. 111−112.
  87. А.Ю. Дис.. канд. хим.наук. Воронеж, 1989. — 169 с.
  88. И.М., Китык И. В., Ковалиско В. И. и др. Электронные состония примесей, локализованных в Ван-дер-Ваальсовых щелях слоистых кристаллов Cdl2 // Неорг. материалы. 1996. — Т.32, № Ю. — С. 1261 — 1264.
  89. Burr G.L., Young V.G., McKelvy M.J. e. t. A structural investigation of Ag0. i67TiS2 by time-offlight neutron diffraction // J. Solid State Chem. 1990. — V. 84, No 2. — P. 355−364.
  90. Lee A., van der Wiegrs G.A., Haage R.G. e. t. Structures of Ag0.6NbSe2 // Acta Ciyst. «C». 1990, — V! 46, No 6. — P. 976−979.
  91. О.Г., Шелимова Л. Е., Кретова М. А. и др. Рентгенографическое исследование слоистого полупроводника Ge3+xBi2Te6. // Неорг. материалы. Тю 30, № 12. — С. 1510 — 1515.
  92. Brec R. Recent development in new host structures// Intercalation in layered materials // Proc of the 10-th Course of Erise summer School on intercalation in layered materials/ Ed. by M.S. Dresselhaus. Nantes Cedex, 1986. — P. 125−134.
  93. A.A., Спитковский И. Н., Страхира И. М. Особенности взаимодействия атомов в слоистых кристаллах // Физ. тв. тела. 1974. — Т. 16, № 9. — С. 2743 — 2745.
  94. Ю.М., Шмекова Е. С., Нагорный В. Г. Расширение кристаллической решетки углеродных материалов под влиянием тепла // Хим тв. тела. 1980. — № 1. — С. 120 — 125.
  95. М.М., Годжиев Э. М., Гулиев Л. А. и др. Тепловое расширение T1S/ Физ. тв. тела. 1982. — Т.24, № 1. — С. 274 — 276.
  96. Gautheier S., Nicolan I. Thermal expansion of a-HgI2// J.Appl. Phys. 1982. -V.15, No 4. — P. 461−462.
  97. Belenkii G, Salayev E., Sullimanov R.A. The nature of negative linear expansion in layer crystals C, BN, GaSe, InSe // Solid State Commun. 1985. -V.53, No 11. — P. 967−971.
  98. Kelly B.T., Wakker P.L. Theoiy of thermal expansion of a graphyte ciystal in the semi-continium model // J. of Carbon. 1970. — V.8, No2. — P. 211−226.
  99. Kellet E.A. Absolute measurement of the coefficient of thermal expansion of pirolytic graphite from room temperature to 1200 К and the comparison with current theoiy // J. High Temp. High Press. 1977. — V.9, No 2. — P. 211−229.
  100. Kellet E.A., Richards B.P. The c-axic thermal expansion of carbon and graphite // J.Appl. Phys. 1971. — V.4, No 1. — P. 1−8.
  101. The characteriasion of VSe2: a study of’thermal expansion // J Phys. C.: Solid state phys. 1981. — V14, No 29. — P. 4225−4435.
  102. Химия и периодическая таблица / К. Сайто, С Хаякава, Ф. Такеи, X. Ямадера- Под ред. К, — Сайто: Пер с япопск. М.: Мир, 1982. — 320 с.
  103. Manolikas С. Electron microscopic study of ordered and disordered phases in Ga2Se3 // Phys stat. sol.(a). 1982. — V.69, No 1. — P. 393−405.
  104. Khan M.Y. X-Ray fluorescence analysis of Ga2Se3 and X-ray studies of (3-Ga2Se3 // Indian J. Phys. 1994. — V. 68(A), No 2. — P. 159−172.
  105. Newman. The ciystal structure of adamantine compounds // J. Phys. Chem. Solids. 1963. — V. 24. — P. 45−50.
  106. Tomas A., Pordo M., Guittard M. Determination des structures des forms a et {3 de Ga2S3 // Mater Res. Bui. 1987. — V. 22, n° 11. — P. 1549−1554.
  107. О.Ю., Владимирова В. Ф., Звинчук P.A. Непрерывность и дискретность зависимости структура состав для селенидов титана переменного состава TiSei 5.2 0 // Журн. неорг. химии. — 1991. — Т. 36, № 4. -С. 1050−1055.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!