Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя

Диссертация: Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Благодаря большой значимости для современного развития нанотехнологий, исследование электронных и структурных свойств поверхности, интерфейсов и наноразмерных объектов является одним из актуальных направлений физики поверхности полупроводников. Применение нанои гетероструктур на основе нитридов III группы для современных оптических и электронных устройств резко увеличивает роль поверхности… Читать ещё >

Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Аккумуляционный слой на поверхности полупроводников
    • 1. 2. Атомная структура и электронные свойства гс-Са]Ч (0001), я-ІПхОа^ЩОООІ) и «-А1×0а,.хк (0001)
    • 1. 3. Теоретические и экспериментальные исследования электронной структуры ОаК
    • 1. 4. Адсорбция Сб на поверхности />Оа>Т (0001) и
  • N (0001)
    • 1. 5. Фотоэмиссионные методы исследования электронной структуры полупроводников
    • 1. 6. Выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Пороговая фотоэмиссионная спектроскопия
  • Экспериментальная установка
    • 2. 2. Пороговая фотоэмиссионная спектроскопия
    • 2. 3. Методика фотоэмиссионных измерений
    • 2. 4. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия
  • Экспериментальная установка и методика исследований
    • 2. 5. Характеризация образцов «-ОаМ (ОООІ), п- 1п0 і0а0.9^0001), я-АІолбЄао^ї'КОООІ)
    • 2. 6. Методика определения концентрации адсорбированных атомов
  • ГЛАВА III. ПОРОГОВАЯ ФОТОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА Сз/гс-ІПо.іОао^ОООІ), Сз/л-СаК (0001) И Ва/я-ОаЩОООІ)
    • 3. 1. Спектры пороговой фотоэмиссии границы раздела СБ/л-ІПолОао^СОООІ)
    • 3. 2. Спектры пороговой фотоэмиссии границы раздела Сз/и-ОаЫ (0001)
    • 3. 3. Спектры пороговой фотоэмиссии границы раздела Ва/л-ОаЫ (0001)
    • 3. 4. Формирование аккумуляционного слоя для границ раздела
  • С8/"-1по., Сао ^(0001), Сз/т7-СаН (0001) и Ва//7-ОаК (0001)
    • 3. 5. Расчет матричных элементов фотоэмиссии из аккумуляционного слоя для границ раздела С8/и-1п0лСгао.9К (0001), Сз/и-0а]4(0001) и Ва/я-0а14(0001)
    • 3. 6. Поверхностные состояния границ раздела С8/и-Оа1Ч (0001) и
  • Ва//7-ОаМ (0001)
    • 3. 7. Осцилляционная структура в спектрах пороговой фотоэмиссии границ раздела Сз/л-1полСгао.9К (0001), Сз/?7-Оа]Ч (0001) и Ва/я-ОаМ (0001)

Значительный интерес к исследованию электронных и структурных свойств полупроводниковых соединений на основе нитридов III группы обусловлен их большой практической значимостью [1, 2]. В последнее время нитриды III группы, а именно GaN, AIN, InN и их тройные соединения AlxGaixN и InxGaixN, широко применяются для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне от ультрафиолетового до инфракрасного [3−5], различных электронных полупроводниковых устройств, работающих при высоких температурах, напряжениях, частотах [6, 7].

В настоящее время при переходе от микрок наноэлектронике важным направлением является создание AlGaN/GaN-гетеропереходных полевых транзисторов с затвором Шоттки (HFET) [8, 9]. Гетероструктуры.

AlGaN/GaN, InGaN/GaN являются наиболее перспективным объектом для создания мощных высокочастотных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) [10−14]. Применение таких транзисторов может существенно улучшить параметры усилителей, модуляторов и других современных электронных устройств.

Благодаря большой значимости для современного развития нанотехнологий, исследование электронных и структурных свойств поверхности, интерфейсов и наноразмерных объектов является одним из актуальных направлений физики поверхности полупроводников. Применение нанои гетероструктур на основе нитридов III группы для современных оптических и электронных устройств резко увеличивает роль поверхности и ее влияние на характеристики приборов. Повышенные требования к знанию электронных свойств поверхности, интерфейсов и нанообъектов определяет актуальность данных исследований.

Создание и исследование новых наноразмерных структур является важным как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения. Наноразмерные объекты можно определить как системы, в которых, по крайней мере, одно измерение не превышает 100 нм. В настоящее время зарядовый аккумуляционный слой на свободной поверхности полупроводника является новым и актуальным объектом исследований. Аккумуляционный слой может сформироваться непосредственно вблизи поверхности полупроводника я-типа, когда приповерхностный изгиб1 зон соответствует обогащению, т. е. изгиб зон вниз/ При этом минимум зоны проводимости на поверхности Есвм располагается ниже уровня Ферми Ер, и образуется узкая потенциальная яма. При достаточно малой ширине приповерхностного потенциала происходит ограничение движения электронов в направлении нормали г к поверхности, т. е. наблюдается эффект размерного квантования в аккумуляционном слое, и электроны могут занимать несколько локальных квантовых уровней. Вдоль поверхности движение электронов не ограничено, и соответствующие компоненты энергии не квантуются. Такие электронные состояния являются вырожденным двумерным электронным газом (2БЕО).

Аккумуляционный слой был недавно обнаружен для чистых поверхностей и-1пАз (110), и-1пЫ и для ультратонких интерфейсов Сз/и-1пА8(110), Сз/и-1п8Ь (110). Следует отметить, что все эти материалы — узкозонные 1п-содержащие полупроводники.

В ФТИ им.' А. Ф. Иоффе РАН в нашей группе была начата работа по поиску способов формирования аккумуляционного слоя на поверхности широкозонного полупроводника и-Са1Ч (0001). Было обнаружено, что аккумуляционный слой может быть сформирован на границе раздела Сэ/и-СаМ. Таким образом, в настоящее время существует достаточно мало полупроводниковых материалов, на поверхности которых удалось наблюдать или искусственно создать аккумуляционный слой. Поэтому создание индуцированных аккумуляционных слоев на поверхности широкозонных полупроводников Ш-нитридов в ряду 1пОа! Ч, Са1Ч, АЮа1чГ с изменяющейся шириной запрещенной зоны является актуальной задачей.

Цель диссертационной работы. Целью работы является установление электронной структуры, определение процессов и закономерностей формирования границ раздела Сз//7-Оа]М (0001), Ва/и-Оа1М (0001),.

С8/я-1полОао.9К (0001) и Ва/и-А10лбСа0.84^0001) в диапазоне субмонослойных Сб и Ва покрытий, определение условий для целенаправленной модификации электронных свойств границ раздела и увеличения квантового выхода фотоэмиссии, поиск способов создания аккумуляционного слоя, определение механизмов формирования потенциальной ямы аккумуляционного слоя, а также определение условий для управления энергетическими параметрами аккумуляционного слоя. '.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Провести исследования по поиску собственных поверхностных состояний атомарно-чистых поверхностей я-Оа]Г (0001) и индуцированных адсорбцией поверхностных зон.

2. Исследовать и определить влияние субмонослойных покрытий Сэ или Ва на электронную структуру границ раздела Сз/"-1п0ЛОа0 91 М (0001), СБ/л-ОаЫ (0001), Ва/я-СаМ (0001) в условиях сверхвысокого вакуума о.

Р -10' Па с использованием метода пороговой фотоэмиссионной спектроскопии при возбуждении 5- и р-поляризованным светом (в ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН).

3. Исследовать и определить влияние субмонослойных покрытий Ва на электронную структуру границ раздела Ва/"-СаМ (0001) и Ва/л-А10лбСа0 84^0001) в условиях сверхвысокого вакуума Р ~10‘8 Па с использованием метода УФЭС.

4. Определить условия для целенаправленной модификации электронных свойств границ раздела и увеличения квантового выхода фотоэмиссии.

5. Установить способы создания аккумуляционного слоя, определить механизмы формирования потенциальной ямы аккумуляционного слоя для исследуемых границ раздела в диапазоне субмонослойных покрытий.

6. Определить условия для целенаправленного изменения изгиба зон, энергетических параметров аккумуляционного слоя и плотности состояний 2DEG.

7. Провести модификацию теории пороговой фотоэмиссии Урбаха для определения параметров аккумуляционного слоя.

Объекты и методы исследования. В настоящей работе впервые проведены исследования электронных свойств границ раздела Cs/w-In0 iGa0.9N (0001), Cs, Ba/"-GaN (0001) и Ba/w-Al0.i6Gao.84N (0001). Для разных систем использованы разные фотоэмиссионные методы: пороговая фотоэмиссионная спектроскопия при возбуждении поляризованным светом и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия на синхротроне BESSY II, Германия. Граница раздела Ba/"-GaN (0001) исследована двумя методами.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка цитируемой литературы. Диссертация изложена на 148 страницах, включая 65 рисунков. В списке цитированной литературы 87 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлено положение собственных поверхностных состояний ft-GaN (OOOl), расположенных при энергиях связи 2.9 эВ, 5.0 эВ и 6.9 эВ относительно края валентной зоны Еувм.

2. Обнаружены поверхностные зоны, индуцированные адсорбцией Cs и В а, на w-GaN (OOOl). Положение Cs-зон относительно Ер соответствует 0.35 эВ и 0.50 эВ. Положение Ва-зон, относительно Ер соответствует Oil эВ и 0.3 эВ.

3. Впервые наблюдалась «нетрадиционная» пороговая фотоэмиссия для границы раздела Cs/"-In0 iGao9N (0001) при возбуждении-поляризованным светом в области прозрачности InGaN. Установлено, что природа фотоэмиссии* связана с возбуждением электронов из 2DEG в аккумуляционном слое в зоне проводимости. Квантовый выход фотоэмиссии из аккумуляционного слоя достаточно высок и сравним с квантовым выходом для традиционного фотокатода Cs/GaAs.

4. Для всех исследуемых образцов п-1щ iGao9N (0001), п-А10 i6Ga0s4N (0001) и /?-GaN (0001) за счет адсорбции Cs или Ва в диапазоне субмонослойных покрытий установлено формирование аккумуляционного слоя независимо от структурного совершенства^ образца. В процессе формирования аккумуляционного слоя край зоны проводимости на поверхности меняет свою позицию от положения выше Ер до положения ниже Ер. .

5. Предложен способ целенаправленного изменения изгиба зон, энергетических параметров потенциальной ямы аккумуляционного слоя, плотности состояний 2DEG и квантового выхода фотоэмиссии, заключающийся в изменении степени субмонослойного покрытия Cs или Ва на поверхности /?-1по iGa0 9>Т (0001),-GaN (OOOl) и п-Alo leGao g4N (0001).

6. Для анализа спектров пороговой фотоэмиссии из аккумуляционного слоя модифицирована теория Урбаха для случая фотоэмиссии из лркальной поверхностной зоны. Установлено положение первого уровня размерного квантования в аккумуляционном слое, и рассчитан матричный элемент возбуждения фотоэмиссии.

7. Обнаружена осцилляционная структура в спектрах пороговой фотоэмиссии для интерфейса СвЛполСао^ при возбуждении в области прозрачности. Природа эффекта обусловлена интерференцией Фабри-Перо в плоскопараллельной пластине кЮаИ и наличием аккумуляционного слоя.

8. Установлено кардинальное уменьшение ширины спектра фотоэмиссии из валентной зоны чистых я-ОаЫ (0001) и «-А10лбОао.84^0001) от ~10 эВ до -1.5 эВ при Ва покрытии 0.6 МС. Природа эффекта связана с подавлением собственных поверхностных состояний подложки.

В заключении автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю доктору физ.-мат. наук Г алине Вадимовне Бенеманской.

Автор благодарит кандидата физ.-мат. наук Михаила Николаевича Лапушкина за плодотворное сотрудничество и помощь в работе.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА.

А1] Бенеманская, Г. В. Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/w-GaN (0001): электронные и фотоэмиссионные свойства / Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев // ФТТ. — 2007. — Т. 49. — Вып. 4. — С. 613−617.

А2] Бенеманская, Г. В. Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности w-GaN (OOOl) при адсорбции Cs и Ва / Г. В. Бенеманская, B.C. Вихнин, С. Н. Тимошнев // Письма^ЖЭТФ. — 2008. — Т. 87. — Вып. 2. — С. 119 123.

АЗ] Бенеманская, Г. В. Аккумуляционный нанослой — 2D электронный канал ультратонких интерфейсов CsA?-InGaN (0001) / Г. В. Бенеманская,.

B.Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев // ФТТ. — 2009. — Т. 51. — Вып. 2.-С. 372−376.

А4] Бенеманская, Г. В. Аккумуляционный нанослой и поверхностные состояния ультратонких интерфейсов Cs, Ba/w-GaN / Г. В. Бенеманская,.

C.Н. Тимошнев, Г. Э. Франк-Каменецкая // Известия РАН. Серия физическая. — 2009. — Т. 73. — № 5. — С. 710−712.

А5] Benemanskaya, G.V. Surface states and accumulation nanolayer induced by Ba and Cs adsorption on the «-GaN (0001) surface / G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev // Surf. Sci. — 2009. Vol. 603. —1.16. — P. 2474−2478.

A6] Бенеманская, Г. В. Электронная структура границы раздела Ba/w-AlGaN (0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа / Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев // Письма ЖЭТФ. — 2010. — Т. 91. — Вып. 12. — С. 739−743.

А7] Вихнин, B.C. Модель формирования периодической сверхструктуры, индуцированной подвижными дефектами на поверхности полупроводника / B.C. Вихнин, Г. В. Бенеманская, С. Н. Тимошнев //.

Известия РАН. Серия физическая. -2010. — Т. 74. -№ 9. — С. 1377−1381.

А8] Бенеманская, Г. В. 20-вырожденный электронный газ на границах.

1 раздела Ba/rc-AlGaN и Ba/w-GaN / Г. В. Бенеманская, С. Н. Тимошнев,.

М.Н. Лапушкин, Г. Э. Франк-Каменецкая // Известия РАН. Серия.

1 физическая. -2011. — Т. 75. — № 5. — С. 2−5.

А9] Benemanskaya, G.V. Self-organizing chain-like nanostructures created by Cs and Ba adatoms on GaN (OOOl) «-type surface / G.V. Benemanskaya,.

G.E. Frank-Kamenetskaya, V.S. Vikhnin, S.N. Timoshnev // Proc. 14 Int. Symp. NANO-2006. — St. Petersburg, 2006. — P. 93−94.

A10] Бенеманская, Г. В. Электронные свойства и энергетические параметры 2D аккумуляционных слоев Cs, Ba//z-GaN (0001) интерфейсов / s Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев // 5-ая.

Всероссийская конференция &ldquo-Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы&rdquo-. Тезисы докладов. — Москва, 2007. — С. 153−154.

А11] Benemanskaya, G.V. Creation of accumulation layer on n-GaN and rc-InGaN surfaces / G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin., S.N. Timoshnev // IVC17/ICSS13 and ICN+T2007. — Sweden, Stockholm, 2007. — P. SS01-' Or6.

1 [A 12] Бенеманская, Г. В.' Аккумуляционный нанослой и поверхностные состояния ультратонких интерфейсов Cs, Ba/w-GaN / Г. В. Бенеманская,.

С.Н. Тимошнев, Г. Э. Франк-Каменецкая // Международный симпозиум «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» Low Dimensional Systems (LDS). — Ростов-на Дону, 2008. — С. 59−61.

А13] Бенеманская, Г. В. Аккумуляционный нанослой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/7?-InGaN / Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин,.

С.Н. Тимошнев, В. Н. Жмерик // 6-ая Всероссийская конференция &ldquo-Нитриды галлия, индия и алюминия&ldquo-. Тезисы докладов. — Санкт-Петербург, 2008. — С. 155−156.

А14] Timoshnev, S.N. Accumulation nanolayer on the ultrathin Cs, Ba/n-GaN interfaces / S.N. Timoshnev, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin // 25 Intern. Conf. ECOSS-25. — Liverpool, 2008. — P. 718−719.

A15] Тимошнев, C.H. Аккумуляционный нанослой ультратонких интерфейсов Cs, Ba/w-GaN / C.H. Тимошнев, Г. В. Бенеманская // X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов. — Санкт-Петербург, 2008. — С. 32.

А16] Тимошнев, C.H. 2D электронный канал — аккумуляционный слой на поверхности.

— GaN (OOOl) / C.H. Тимошнев // Международная Зимняя Школа по физике полупроводников. Тезисы докладов. — Санкт-ПетербургЗеленогорск, 2009. — С. 21−22.

А 17] Бенеманская, Г. В. Создание аккумуляционных нанослоев на поверхности tt-GaN (OOOl) и w-InGaN (0001) / Г. В. Бенеманская, С. В. Иванов, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, Н. М. Шмидт // XIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Тезисы докладов. -Нижний Новгород, 2009. — С. 125−126.

А 18] Бенеманская, Г. В. Аккумуляционный нанослой на поверхности я-InGaN при адсорбции Cs / Г. В. Бенеманская, С. Н. Тимошнев, Г. Э. Франк-Каменецкая // 4-ая Всероссийская конференция «Химия поверхности и нанотехнология». — Хилово, 2009. — С. 249−251.

А19] Бенеманская, Г. В. Фотоэмиссионная спектроскопия и-AlGaN и ультратонких интерфейсов Ba/rc-AlGaN при синхротронном возбуждении / Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, В. Н. Жмерик // 7-ая Всероссийская конференция &ldquo-Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы&rdquo-. — Москва, 2010. — С. 193.

А20] Бенеманская, Г. В. вырожденный 2D электронный газ на границах раздела Ba/rc-AlGaN и Ba/rc-GaN / Г. В. Бенеманская, С. Н. Тимошнев, М. Н. Лапушкин, Г. Э. Франк-Каменецкая // Международный симпозиум «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» Low Dimensional Systems (LDS-2). — Ростов-на-Дону, 2010. — С. 31−34.

4.3.

Заключение

.

1. Установлено, что ширина спектра фотоэмиссии из валентной зоны исходных образцов 77-Оа1Г (0001) и /?-АЮа1Ч (0001) соответствует ~ 10 эВ. Достаточно большая ширина спектра фотоэмиссии из валентной зоны связана с наличием в этой области собственных поверхностных состояний.

2. Впервые методом УФЭС для /?-Са>Т (0001) обнаружено появление нового фотоэмиссионного пика в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми, природа которого связана с созданием вырожденного двумерного электронного газа 20ЕС в аккумуляционном слое, индуцированном адсорбцией Ва.

3. Впервые для «-АЮаМ (0001') обнаружено появление нового.

— фотоэмиссионного пика в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми, природа которого связана с созданием аккумуляционного слоя, индуцированного адсорбцией Ва.

4. Определено, что увеличение Ва покрытия до 0.6 МС приводит к резкому изменению положения края* валентной зоны Еувм относительно уровня Ферми от 2.9 эВ для чистой поверхности.

• /7-ОаЫ (0001) до 4.0 эВ, что свидетельствует об изгибе зон вниз и доказывает образование аккумуляционного слоя.

5. Определено, что увеличение Ва покрытия до 0.6 МС приводит к резкому изменению положения края валентной зоны Еувм относительно уровня Ферми от 3.2 эВ для чистой поверхности я-АЮаТГ (0001) до 4.1 эВ, что свидетельствует об изгибе зон вниз и доказывает образование аккумуляционного слоя.

6. Обнаружен новый эффект кардинального уменьшения ширины спектра фотоэмиссии из валентной зоны я-0а]4(0001) и я-АЮаН (0001) от ~ 10 эВ до ~ 1.5 эВ при Ва покрытии 0.6 МС. Природа эффекта связана с подавлением собственных поверхностных состояний ваМ или АЮаМ.

7. Установлено, что адсорбция Ва на поверхности и-Са]М (0001) позволяет определить положения собственных поверхностных состояний, которые соответствуют энергиям связи 2.9 эВ, 5.0 эВ и.

6.9 эВ относительно края валентной зоны Еувм.

8. Установлено, что адсорбция Ва на поверхности я-АЮаМ (0001) позволяет определить положения собственных поверхностных состояний, которые соответствуют энергиям связи 4.0 эВ, 5.7 эВ и 8.3 эВ относительно края валентной зоны Еувм.

9. Модификация спектра фотоэмиссии остовного уровня Ва 4 с! показывает появление дополнительных пиков у спин-расщепленных компонент, что свидетельствует о возникновении Ва-Ва взаимодействия в первом адсорбированном слое. Данный результат является дополнительным критерием оценки покрытия В а.

10. Обнаружено, что при покрытии Ва 0.3 МС на поверхности гс-0а!г (0001) интенсивность пика Оа 3<3 уменьшается в ~5 раз. При покрытии 0.2 МС на и-АЮаЫ (0001) интенсивность спадает в -2 раза, а при 0.3 МС интенсивность остовного уровня ва Ъс1 спадает в -15 раз.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Gallium Nitride & Related Wide Bandgap Materials & Devices: a Market and Technology Overview 1998−2003 / Ed. by R. Szweda. UK: Elservier 2nd ed. -2000.
  2. Nitride semiconductors. Handbook on Materials and. Devices / Ed. by P., Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer. Wiley-VCH Verlag GmbH &Co. KGaA Weinkeim 2003.
  3. Nguyen, C. High performance GaN/AlGaN MODFETs grown by RF-assisted MBE / C. Nguyen, N.X. Nguyen, M. Le, D.E. Grider. // Electron. Lett. -1998. Vol. 34. -I. 3. -P. 309−310.
  4. Foutz, В. E. Comparison of high field electron transport in GaN and GaAs /
  5. B.E. Foutz, L.F. Eastman, U.V. Bhapkar, M.S. Shur // Appl. Phys. Lett. 1997. -Vol. 70. — I. 21.-P. 2849−2851.
  6. Asif Khan, M. Hall measurements and contact resistance in doped GaN/AlGaN heterostructures / M. Asif Khan, M.S. Shur, Q. Chen // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68. -1. 21. — P. 3022−3024.
  7. Chen, Q. High transconductance heterostructure field effect transistors based on AlGaN/GaN I Q. Chen, M. Asif Khan, J.W. Yang, C.J. Sun, M.S. Shur,
  8. H. Park // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — I. 6. — P. 794−796.
  9. Ambacher, O. Growth and applications of Group III-nitrides / O. Ambacher//J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. — Vol. 31. — I. 20. P. 2653−2710.
  10. Wu, Y.F. Bias dependent microwave performance of AlGaN/GaN MODFET’s up to 100 V / Y.F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B.P. Keller, P. Parikh,
  11. D. Kapolinek, S. P. DenBaars, U.K. Mishira // IEEE Electron. Device Lett. 1997. -Vol. 18.-I. 6.-P. 290−292.
  12. Dimitrov, R. Carrier Confinement in AlGaN/GaN Heterostructures Grown by Plasma Induced Molecular Beam Epitaxy / R. Dimitrov, L. Wittmer, H.P. Felsl,
  13. A. Mitchell, O. Ambacher, M. Stutzmann// Phys. Stat. Sol.(a). — 1998. Vol. 168. -1.2. -P.R7-R8.
  14. Tsui, D.C. Observation of surface bound state and two-dimensional energy band by electron tunneling / D.C. Tsui // Phys. Rev. Lett. — 1970. — Vol. 24. -I. 7.-P. 303−306.
  15. Betti, M.G. Density of states of a two-dimensional electron gas at semiconductor surfaces / M.G. Betti, V. Corradini, G. Bertoni, P. Casarini, C. Mariani, A. Abramo//Phys. Rev. B. -2001. Vol. 63. -I. 15. -P. 15 5315(10).
  16. Olsson, L.O. Charge Accumulation at InAs Surfaces / L.O. Olsson,
  17. C.B.M. Andersson, M.C. Hakansson, J. Kanski, L. liver, U. O. Karlsson // Phys. Rev. Lett. 1996. — Vol. 76. -1. 19. -P. 3626−3629.
  18. Bell, G.R. Accumulation layer profiles at InAs polar surfaces / G.R. Bell,
  19. T.S. Jones, C.F. McConville //Appl. Phys. Lett. — 1997. Vol. 71. — I. 25. — Pi 3688−3690. ,
  20. Olsson, L.O. Anomalous quenching of photoemission from bulk states- by deposition of Cs on InAs (lOO) / L.O. Olsson, L. liver, J. Kanski-, P.O. Nilsson, B. Ji Kowalski, M.C. Hakansson, U.O. Karlsson // Phys. Rev. B. — 1995. Vol. 52. — I.3. -P. 1470−1473.
  21. Aristov, V.Yu. Cesium-induced quantized 2D electron channel on thelnAs (llO) surface / V.Yu. Aristov, G. Le Lay, M. Grehk, V.M. Zhilin, A. Taleb-Ibrahimi, G. Indlekofer, P: Soukiassian // Surf Rev. Lett. — 1995. Vol. 2. — I. 6. -P. 723−729. ¦. ¦ •
  22. Betti, M.G. Cesium-induced electronic states and space-charge-layer formation in Cs/InSb (110) interface / M.G. Betti, R. Biagi, U. del Pennino, C. Mariani, M. Pedio//Phys. Rev. B. 1996. -Vol. 53.-I. 20.-P. 13 605−13 612.
  23. King, P.D.C. Nonparabolic coupled Poisson-Schrodinger solutions forquantized electron accumulation layers: Band bending, charge profile, and subbands at InN surfaces / P.D.C. King, T.D. Veal, C.F. McConville // Phys. Rev.
  24. Benemanskaya, G.V. Electron accumulation layer at the Cs-covered GaN (0001) «-type surface / G.V. Benemanskaya, V.S. Vikhnin, N.M. Shmidt, G.E. Frank-Kamenetskaya, I.V. Afanasiev // Appl. Phys. Lett. -2004. Vol. 85. -I. 8.-P. 1365−1367.
  25. , Р.З. Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок Ill-нитридов / Р. З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе,
  26. Ч.-К. Щуе, К.-Х. By, Т. Сакурай // УФН. 2004. — Т. 174. — №. 4. — С. 383−405.
  27. Degave, F. Defects and nucleation of GaN layers on (0001) sapphire / F. Degave, P. Ruterana, G. Nouet, J.H. Je, C.C. Kim // J. Phys.: Cond. Matt. -2002. -Vol. 14. -1. 48. P. 13 019−13 024.
  28. Ambacher, O. Growth and applications of Group III-nitrides / O. Ambacher // J. Phys. D: Appl. Phys. 1998. — Vol. 31. — I. 20. — P. 2653−2710.
  29. Gian, W. Structural Defects and Their Relationship to Nucleation of Gan Thin Film / W. Gian, M. Skowronski, G.S. Rohrer // MRS Symposium Proceedings. 1996. — Vol. 423. — P. 475−486.
  30. Bougrov V., Levinshtein MtE., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001.-P. 1−30.
  31. Chow, T.P. SiC power devices / T.P. Chow, M. Ghezzo // MRS Symposium Proceedings. 1996. — Vol. 423. — P. 69−73.
  32. Kampen, T.U. Electronic Properties of Cesium-covered GaN (0001)
  33. Surfaces / T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Monch // Appl. Surf. Sci. — 1998. — Vol. 123−124.-P. 28−32. '
  34. Razeghi, M. Semiconductor ultraviolet detectors / M. Razeghi, A. Rogalski // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 79. -1. 10. — P. 7433−7473.
  35. Suzuki, M. First-principles calculations of effective-mass parameters of AIN and GaN / M. Suzuki, T. Uenoyama, A. Yanase // Phys. Rev. B. — 1995. -Vol. 52. I. 11. — P. 8132−8139.
  36. III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices in Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices Series, Ed. by E.T. Yu and M.O. Manasreh, CRC Press, 2002. Vol. 16.
  37. Lambrecht, W.R.L. A Comparison of the Wurtzite and Zincblende Band Structures for SiC, AIN and GaN / W.R.L. Lambrecht, B. Segall // MRS Symposium Proceedings. 1992. — Vol. 242. — P. 367.
  38. Vogel, D. Structural and electronic properties of group-III nitrides / D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann // Phys. Rev. B. 1997. — Vol. 55. — I. 19. — P. 12 836:12839.
  39. Strasser, T. Valence-band photoeinission from GaN (OOl) and GaAs: GaN surfaces / T. Strasser, F. Starrost, C. Solterbeck, W. Schattke // Phys. Rev. B1997. Vol. 56. -1. 20. — P. 13 326−13 334.1. W>
  40. Strasser, T. Valence-band photoemission from the GaN (0001) surface / T. Strasser, C. Solterbeck, F. Starrost, W. Schattke // Phys. Rev. B. 1999. — Vol. 60. -I. 16.-P. 11 577−11 585.
  41. Chao, Y.-C. Observation of highly dispersive surface states on GaN (0001)lxl / Y.-C. Chao, C.B. Stagarescu, J.E. Downes, P. Ryan, K.E. Smith,
  42. D. Hanser, M.D. Bremser, R.F. Davis // Phys. Rev. B. 1999. — Vol. 59. -1. 24. — P. R15586- R15589.
  43. Dhesi, S.S. Surface and bulk electronic structure of thin-film wurtzite GaN / S.S. Dhesi, C.B. Stagarescu, K.E. Smith, D. Doppalapudi, R. Singh, T.D. Moustakas //Phys. Rev. B. 1997. — Vol. 56. -1. 16. — P. 10 271−10 275.
  44. Kowalski, B.J. Photoemission studies on GaN (OOO-l) surfaces / B.J. Kowalski, L. Plucinski, K. Kopalko, R.J. Iwanowski, B.A. Orlovski, R.L. Johnson,
  45. Grzegory, S. Porowski // Surf. Sci. -2001. Vol. 482−485. — P. 740−745.
  46. Kowalski, B.J. Surface states on GaN (000-l)-(lxl)-an angle-resolved photoemission study / B.J. Kowalski, R.J. Iwanowski, J. Sadowski, J. Kanski, I. Grzegory, S. Porowski // Surf. Sci. -2002. Vol. 507—510. — P. 186−191.
  47. Kowalski, B.J. Electronic structure of GaN (000-l)-(lxl) surface / B.J. Kowalski, R.J. Iwanowski, J: Sadowski, I.A. Kowalik, J. Kanski, I. Grzegory, S. Porowski // Surf. Sci. 2004. — Vol. 548. -1. 1−3. — P. 220−230.
  48. Ryan, P: Surface electronic structure of p-type GaN (OOO-l) / P. Ryan, Y.
  49. C. Chao, J. Downes, C. McGuinness, K.E. Smith, A.V. Sampath, T.D. Moustakas // Surf. Sci. 2000. — Vol. 467. -1. 1−3. — P. L827-L833.
  50. Segev, D. Electronic structure of nitride surfaces / D. Segev, C.G. Van de Walle // J. Cryst. Growth. 2007. — Vol. 300. -1. 1. — P. 199−203.
  51. Van de Walle, C.G. Microscopic origins of surface states on nitride surfaces / C.G. Van de Walle, D. Segev // J. Appl. Phys. 2007. — Vol. 101. -1. 8. -P. 8 1704(6).
  52. M. Kocan, A. Rizzi, H. Liith, S. Keller, U.K. Mishra. Surface Potential at as-Grown GaN (0001) MBE Layers Phys. Status Solidi (b) 234 (2002) 773.
  53. Machuca, F. Prospect for high brightness III-nitride electron emitter / F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, R.F.W. Pease // J. Vac. Sci. Technol.B.-2000.-Vol. 18.-I. 6.-P. 3042−3046.
  54. Machuca, F. Role of oxygen in semiconductor negative electron affinity photocathodes /F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W.
  55. Pease //. Vac. Sci. Technol. B. 2002. — Vol. 20. -1. 6. — P. 2721−2725.
  56. Wu, C.I. Electronic states and effective negative electron affinity at the cesiated/?-GaN surface / C.I. Wu, A. Kahn // J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 86. — I.6.-P. 3209−3212.
  57. Wu, C.I. Negative electron affinity and electron emission at cesiated GaN and AIN surfaces / C.I. Wu, A. Kahn // Appl. Surf. Sci. 2000. — Vol. 162−163. -P. 250−255.
  58. Eyckeler, M. Negative electron affinity of cesiated p-GaN (OOOl) surfaces. / M. Eyckeler, W. Monch, T.U. Kampen, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. — Vol. 16. — I. 6. — P. 2224−2228.
  59. Wu, C.I. GaN (0001)-(lxl) surfaces: Composition and electronic properties / C.I. Wu, A. Kahn, N. Taskar, D. Dorman, D. Gallagher // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 83. -1. 8. — P. 4249−4252.
  60. Grabowski, S.P. Electron affinity of AlxGa! xN (0001) surfaces / S.P. Grabowski, M. Schneider, H. Nienhaus, W. Monch, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78. -1. 17. — P. 2503−2505.
  61. В. Применение синхротронного излучения в УФЭС. В кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / под ред. JI. Фирманса., Дж. Венника, В. Дейксера. — М.: Мир, 1981. — С. 61−97.
  62. , А.М. Электродинамика границы металл/электролит / А. М. Бродский, М. И. Урбах М.: Наука, 19 891 — С. 296.
  63. Adawi, I. Theory of the photoelectric effect for the one and two photons /
  64. Adawi // Phys. Rev. 1964. — Vol. 134. -1. ЗА. — P. A788-A798.
  65. Feuerbaucher, B. Photoemission and electron states at clean surface / B.
  66. Feuerbaucher, R.F. Willis // J. Phys. C: Sol. Stat. Phys. — 1976. Vol. 9. — N. 2. -P. 169−216. •
  67. Monch, W. Semiconductors surfaces and interfaces / Ed. Ertl G., Gomer R., Mills D.L. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg 1993. — Series in Surface Sciences Vol. 26. — P. 366.
  68. , Г. В. Возможности пороговой фотоэмиссии для изучения поверхностных состояний субмонослойных металлических пленок /
  69. Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, М. И. Урбах // ЖЭТФ. 1992. — Т. 102. -Вып. 5. — С. 1664.
  70. Liebsch, A. Near-threshold enhancement in photoemission from alkali metal overlayers / A. Liebsch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin // Surf. Sci. — 1994. Vol. 302. -1. 3. -P. 303−313.
  71. М.Н. Поверхностные электронные состояния в системах Cs-W и Ba-W при субмонослойных покрытиях: дис.. канд. физ.-мат. наук / М. Н. Лапушкин. Санкт-Петербург, 1995.
  72. Fedorus, A.G. Cesium on tungsten (110) face: structure and work function / A.G. Fedorus, A.G. Naumovets // Surf. Sci. 1970. — Vol. 21. — I. 2. — P. 426 439.
  73. Fedorus, A.G. Adsorbed barium films on tungsten and molibdenium (011) face / A.G. Fedorus, A.G. Naumovets, Yu.S. Vedula // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. -Vol. 13.-I. 2.-P. 445−456.
  74. Pi, T.-W. Synchrotron-radiation photoemission study of Ba on W (110) / T.-W. Pi, I.-H. Hong, C.-P. Cheng // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 58. — I. 7. — P. 4149−4155.
  75. Wertheim, G.K. Nature of the charge localized between alkali adatoms and, metal substrates / G.K. Wertheim, D.M. Riffe, P.H. Citrin // Phys. Rev. B. -1994. Vol. 49. -1. 7. — P. 4834−4841.
  76. , И.В. Устройство для получения фотоэлектронной эмиссии в вакуум / И. В. Афанасьев, Г. В. Бенеманская, Г. Э. Франк-Каменецкая, B.C. Вихнин, Н. М. Шмидт // Патент РФ на изобретение № 2 249 877, 2005.
  77. Brodskii, A.M. On the polarization dependence of photoemission from metals / A.M. Brodskii, L.I. Daikhin, M.I. Urbakh // Phys. Stat. Sol. (b). — 1981. — Vol. 108.-I. 2.-P. 653−662.
  78. Benemanskaya, G.V. Electronic structure of the ultrathin Cs/Si (100)-(2xl) and Cs/Si (lll)-(7×7) interfaces in the threshold energy region / G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya // Surf. Rev. Lett. —1998.-Vol. 5.-I. 1.-P. 91−95.
  79. D.D. Manclion, A. S. Barker- J.P. Dean, R.B. Zetterstrom. Optical studies of the phonons and electrons in gallium nitride // Sol Stat Comm 8 (1970)' 1227.
  80. Benemanskaya^ G.V. Electronic surface states of submonolayer, Cs-andsBa-films ош (100) — (Й0) — (1'11)S.W / G-V. Benemanskaya- (c)-P: Burmistrova-, M: N.
  81. Eapushkin//Phys. Lett- A.-1989b Voh 137.-113: -PM39−143-. .
  82. Bermudez- V.M. Study of oxygen* chemisorption on the
  83. GaN (0001) -(lxl) surface / V.M. Bermudez // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 80:1. 2:.-PM 190−1200- -
  84. Rizzi, A. Surface: and'- interfaces electronic properties: of AlGaN (OOOl). ¦ • ' ¦. • * ' ¦ epitaxiaUlayers-/ A. Rizzi- Mi Kocan- J- Malihdretos, A. Schildknecht, N: Teofilov,
  85. K. Thonke, R: Sauer // J: Appl- Phys. A. 2007. — Vol. 87. -1: 31-P: 505−509-
  86. Kozawa- T. UV Photoemission Study of AlGaN Grown by Metalorganic
  87. Vapor Phase Epitaxy / T. Kozawa, T. Mori, T. Ohwaki, Y. Taga- N. Sawaki // Jpn. J- Appl- Phys. -2000- Vol- 39- -P- E772-E774.. .
  88. Kowalski-. BiJ: Photoemissiom studies on GaN (000-l) surfaces / BlX- Kowalski, L. Plucinski, K. Kopalko, R.J. Iwanowski, B.A. Orlovskiy RIB. Johnson- I: Grzegory, SI Porowski//Surf. Sci-.-2001.- Voli 482−485:-P- 740−745-
  89. Жмерик, B. H: Квантово-размерные гетероструктуры на основе
  90. Olcuda, Т. Structural analysis of Ba-indUced surface reconstruction on Si (Il l) by means of core-level photoemission / T. Okuda, K.-S. An, A. Harasava, T. Kinoshita // Phys. Rev. B. 2005. — Vok 71. -1. 8. — P. 8 5317(9).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!