Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии

Диссертация: Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рассчитаны деформационные зависимости концентраций и эффективных циклотронных масс дырок в спиновых подзонах основного состояния. Обнаружено перераспределение концентраций дырок в спиновых подзонах в одиночной гетероструктуре p-GaAsZAlo.5Gao.5As при одноосном сжатии: концентрация в подзоне с меньшим исходным значением растет, а в подзоне с большим исходным значениемпадает. При этом, более легкая… Читать ещё >

Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Зонная структура и электронные свойства полупроводников и гетероструктур
    • 1. 1. Зонная структура квантовых ям в р-ОаАв/А^Сах-^Аз
    • 1. 2. Энергетический спектр гетероструктур при деформациях
    • 1. 3. Межзонные оптические переходы в гетероструктурах
    • 1. 4. к-р метод
    • 1. 5. Вырожденные состояния валентной зоны
    • 1. 6. Деформация в кристалле
    • 1. 7. Изменение зонной структуры при деформации
  • Глава 2. Разностный метод численного решения задачи на собственные значения системы дифференциальных уравнений второго порядка
    • 2. 1. Разностная аппроксимация функций и их производных
    • 2. 2. Собственные значения и собственные векторы симметричной матрицы
  • Глава 3. Энергетический спектр одиночного гетероперехода p-GaAsZAlo.5Gao.5As
    • 3. 1. Зонная структура гетеропереходов и сверхрешеток
    • 3. 2. Потенциал валентной зоны в гетеропереходе p-GaAsZAlo.5Gao.5As
    • 3. 3. Зонная структура гетероперехода p-GaAsZAlo.5Gao.5As
    • 3. 4. Изменение топологии поверхности Ферми под действием одноосной деформации
    • 3. 5. Изменение концентрации носителей в спиновых подзонах основного состояния
    • 3. 6. Эффективные циклотронные массы в дырочных подзонах
    • 3. 7. Анизотропия электрического сопротивления при одноосном сжатии
    • 3. 8. Долговременные релаксации сопротивления в гетероструктурах с большой концентрацией носителей
    • 3. 9. Долговременные релаксационные процессы, вызванные воздействием импульсов сильного электрического поля
  • Глава 4. Энергетический спектр симметричной прямоугольной квантовой ямы p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As
    • 4. 1. Зонная структура и поверхность Ферми в симметричной прямоугольной квантовой яме
    • 4. 2. Прямоугольная квантовая яма при одноосном сжатии
  • Глава 5. Прямые межзонные оптические переходы в одиночном гетеропереходе p-GaAsZAlo.5Gao.5As
    • 5. 1. Теория возмущений для оптических переходов
    • 5. 2. Прямые межзонные переходы между спиновыми подзонами основного состояния при отсутствии уширения уровней
    • 5. 3. Разрешенные и запрещенные прямые оптические переходы между дырочными подзонами
    • 5. 4. Изменение спектра поглощения под действием одноосной деформации

Интерес к полупроводниковым сверхрешеткам возник в семидесятых годах в связи с выдвинутой Есаки и Цу [1] идеей реализации способа создания в кристалле одномерного периодического потенциала с периодом, меньшим длины свободного пробега электрона, путем изменения легирования или состава твердого раствора. Первая полупроводниковая сверхрешетка была выращена с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. В этом методе кристалл выращивают в сверхвысоком вакууме с помощью атомарных или молекулярных пучков требуемых компонент, направляемых из высокотемпературных эффузионных ячеек на нагреваемую монокристаллическую подложку. Пучки осаждают вещество со скоростью порядка нескольких атомных слоев в секунду.

Наибольший успех был достигнут в выращивании композиционных сверхрешеток в системе СтаЛв/А^Са^., — Ав [2], поскольку А1, имеющий такую же валентность и ионный радиус, что и Оа, будучи введен в решетку СаАэ, не вызывает заметных искажений кристаллической структуры. Первые эксперименты на сверхрешетках ОаАв/АЬкСах-жАБ проводились для изучения особенностей переноса носителей [3] и для демонстрации квантовых свойств электронов в прямоугольных ямах, образованных краями зон в этих сверхрешетках [4]. В дальнейшем использование модулированного легирования в сверхрешетках СаАв/А^Оах-жАв [5] расширило круг изучаемых физических явлений, включив в него новые фундаментальные эффекты, такие как квантовый эффект Холла [6], состояние с близким к нулю сопротивлением [7] и локализация электронов двумерного электронного газа в сильных магнитных полях [8].

Обнаружение уникального взаимного расположения краев зон на гетерогранице.

1пАв/0а8Ь [9] привело к открытию нового типа композиционных сверхрешеток [10], примером которых является комбинация материалов Са^Лг^-жАн и СаАз^Ь]^ [11]. В этой системе край валентной зоны СаБЬ лежит выше по энергии, чем край зоны проводимости ХпАв, — ситуация, весьма необычная для бинарных соединений с близкими постоянными решетки. Изменяя независимо состав тройных соединений СаДих-жАв и СаАз^ЯЬх-у, можно менять указанное взаимное расположение зон, создавая или ликвидируя их перекрытие. Одновременно возможно обеспечить точное согласие постоянных решетки. Эти особенности привели к появлению новых свойств [11]. Поскольку состояния зоны проводимости в слоях Саж1п1жА8 сосуществуют с состояниями валентной зоны в соседних слоях СаАз^Ь^, возможен переход электронов из вторых слоев в первые при достаточно малой их толщине. Это приводит к переходу полупроводник — полуметалл в сверхрешетках [12, 13] и к возможности обратного перехода при наложении магнитного поля [14]. Добавление к двум полупроводникам, составляющим сверхрешетку, третьего, например включение в систему ТпАв/СаБЬ слоев А18Ь, создает новую степень свободы по сравнению с обсуждавшимися выше сверхрешетками [15]. Подобные трехкомпонентные системы обладают рядом дополнительных характеристик по сравнению с двухкомпонентными системами.

Одной из важнейших характеристик полупроводниковой структуры является энергетический спектр. С его использованием рассчитываются основные электронные свойства структуры, такие как эффективные массы, электрическое сопротивление, межзонные оптические переходы и другие. В гетероструктурах наличие ограничивающего потенциала зоны проводимости или валентной зоны приводит к образованию квантовых ям. Ограничение в движении носителей в направлении роста гетероструктуры приводит к образованию уровней электронов или дырок в квантовых ямах. Их количество определяется формой квантовой ямы и ее глубиной, а полная концентрация носителей определяет число заполненных уровней.

Структура валентной зоны ваАв является более сложной, чем структура зоны проводимости. Вырождение состояний валентной зоны в объемном материале приводит к смешиванию состояний дырочных подзон и сложному закону дисперсии в квантовых ямах [16]. Зонная структура квантовых ям является очень чувствительной к симметрии. Так наличие пространственной симметрии потенциала валентной зоны приводит к вырождению дырочных подзон при ненулевом значении квазиволнового вектора. Ее отсутствие приводит к расщеплению дырочных подзон [17].

Изучение влияния деформации на свойства гетероструктур весьма актуально, так как из-за несоответствия постоянных решеток, слои в гетероструктурах находятся в деформированных состояниях. Наличие деформации приводит к изменению энергетического спектра [18] и его важнейшей характеристики — поверхности Ферми. Кроме того, анизотропная деформация понижает симметрию системы, что сказывается на свойствах гетероструктур. Однозначная связь энергетического спектра с кристаллической структурой делает деформацию решетки одним из основным инструментов проверки различных моделей и физических представлений для гетероструктур. При этом, анизотропная деформация, частным случаем которой является одноосное сжатие или растяжение, представляет собой более сильный метод воздействия на энергетический спектр чем, например, гидростатическое сжатие, так как позволяет менять симметрию кристаллической решетки.

Целью настоящей работы является расчет энергетического спектра, электронных и оптических свойств гетероструктур на основе р-СаАз/А^Са^^Аз при одноосном сжатии. Энергетический спектр и различные свойства таких гетероструктур были хорошо изучены при отсутствии деформации. Одноосное сжатие в плоскости гетероструктуры вызывает анизотропию закона дисперсии, и как следствие, анизотропию поверхности Ферми, электрического сопротивления и оптического поглощения света, с линейной поляризацией в плоскости гетероструктуры.

Теоретическое и экспериментальное исследования гетероструктур на основе р-СаАз/А^Са^^Аз позволили установить анизотропный характер различных свойств гетероструктур при одноосном сжатии и определили научную новизну полученных результатов:

1. Поверхность Ферми в треугольной и прямоугольной квантовых ямах при приложении одноосного сжатия сжимается вдоль направления сжатия и растягивается в перпендикулярном направлении. В треугольной квантовой яме поверхность Ферми состоит из двух линий, соответствующих спиновым подзонам с разными концентрациями и эффективными массами. При определенном значении одноосного сжатия эти две линии имеют две точки касания. В точке касания происходит вырождение по спину всех дырочных подзон в квантовой яме.

2. Значения концентраций дырок в спиновых подзонах основного состояния в треугольной квантовой яме сближаются при одноосном сжатии: концентрация в подзоне с меньшим исходным значением растет, а в подзоне с большим исходным значением — падает. В треугольной квантовой яме более легкая эффективная циклотронная масса растет с увеличением одноосного сжатия, а более тяжелая — падает.

3. При одноосном сжатии электрическое сопротивление двумерного дырочного газа возрастает в направлении, перпендикулярном сжатию, и уменьшается в параллельном направлении в гетероструктурах как с треугольной, так и с прямоугольной квантовой ямой. Анизотропия электрического сопротивления является следствием анизотропии поверхности Ферми.

4. Одноосное сжатие вызывает появление анизотропии поглощения света с линейной поляризацией вдоль и перпендикулярно направлению сжатия. Оптическое поглощение возрастает до определенного значения величины внешнего давления и далее уменьшается. Поглощение уменьшается для света с поляризацией параллельно сжатию во всем диапазоне внешних нагрузок. Прямые оптические переходы делятся на две серии, значительно различающиеся по вероятности. Эти две серии описываются разными слагаемыми в матричном элементе оптического перехода.

Изменение энергетического спектра гетероструктур ваАв, появление анизотропии электронных свойств при одноосном сжатии представляет не только научный, но практический интерес. Эти материалы применяются в твердотельной электронике, например, при изготовлении СВЧ транзисторов, ИК-приемников, полупроводниковых лазеров. Сильное изменение свойств при одноосных деформациях может быть использовано для улучшения и оптимизации их характеристик.

Основные выводы.

1. Впервые рассчитан энергетический спектр и электронные свойства двумерного дырочного газа в асимметричной треугольной и симметричной прямоугольной квантовых ямах в гетероструктурах p-GaAsZAlo.5Gao.5As и p-Alo.5Gao.5AsZGaAsZAlo.5Gao.5As при одноосном сжатии вдоль направлений [НО] и [100].

2. Численные расчеты показывают, что приложение одноосного сжатия в плоскости (001) двумерной системы приводит к возникновению сильной анизотропии поверхности Ферми как в случае одиночной гетероструктуры p-GaAsZAlo.5Gao.5As, так и в симметричной двойной гетероструктуре p-Alo.5Gao.5AsZGaAsZAlo.5Gao.5As. В процессе сжатия форма поверхности Ферми изменяется, а ее размер уменьшается в направлении внешнего одноосного сжатия и возрастает в перпендикулярном направлении. В одиночной гетероструктуре p-GaAsZAlo.5Gao.5As поверхность Ферми состоит из двух частей, соответствующих спиновым подзонам с разными концентрациями и эффективными массами. При определенном значении одноосного сжатия эти две части поверхности Ферми касаются друг друга в двух точках. В точке касания происходит вырождение по спину всех дырочных подзон в квантовой яме. Дальнейшее увеличение сжатия приводит снова к разделению точек касания и превращению поверхностей Ферми в почти эллипсоидальные.

3. Рассчитаны деформационные зависимости концентраций и эффективных циклотронных масс дырок в спиновых подзонах основного состояния. Обнаружено перераспределение концентраций дырок в спиновых подзонах в одиночной гетероструктуре p-GaAsZAlo.5Gao.5As при одноосном сжатии: концентрация в подзоне с меньшим исходным значением растет, а в подзоне с большим исходным значениемпадает. При этом, более легкая эффективная циклотронная масса увеличивается с ростом одноосного сжатия, а более тяжелая — уменьшается. Такое поведение концентраций дырок и эффективных масс является следствием сильного изменения закона дисперсии дырок в квантовой яме при одноосном сжатии. Рассчитанные значения хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными на рассчитанных структурах при одноосном сжатии.

4. Рассчитаны деформационные зависимости электрического сопротивления двумерного дырочного газа в направлениях параллельном и перпендикулярном внешнему одноосному сжатию. Электрическое сопротивление уменьшается в направлении параллельном сжатию увеличивается в перпендикулярном направлении с увеличением давления как в одиночной гетероструктуре p-GaAsZAlo.5Gao.5As, так и в симметричной двойной гетероструктуре p-Alo.5Gao.5AsZGaAsZAlo.5Gao.5As. Данные расчета находятся в хорошем согласии с полученными экспериментально на таких гетеро-структурах деформационными зависимостями электрического сопротивления.

5. Рассчитан спектр оптического поглощения в дальнем инфракрасном диапазоне в треугольной квантовой яме при одноосном сжатии вдоль направлений [110] и [100]. Показано, что одноосное сжатие вызывает появление анизотропии поглощения света с линейной поляризацией вдоль и перпендикулярно направлению сжатия в одиночном гетеропереходе p-GaAsZAlo.5Gao.5As. Оптическое поглощение возрастает до определенного значения величины внешнего давления и далее уменьшается для света с поляризацией перпендикулярно направлению сжатия. Поглощение уменьшается для света с поляризацией параллельно сжатию во всем диапазоне внешних нагрузок. Прямые оптические переходы делятся на две серии, значительно различающиеся по вероятности. Эти две серии описываются разными слагаемыми в матричном элементе оптического перехода.

В заключение приношу глубокую благодарность моим научным руководителям доктору физико-математических наук, профессору Н. Я. Мининой, доктору физико-математических наук, профессору С. Д. Бенеславскому, а также сотруднику нашей лаборатории кандидату физико-математических наук А. М. Савину за предоставление интересной темы, постоянное внимание и практическую помощь.

Выражаю также признательность всему коллективу кафедры физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета МГУ, в деловой и дружеской атмосфере которой было приятно работать.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in Semiconductors. — 1. M Journal of Research and Development. 1970, vol 14, no 1, p. 61−65.
  2. Chang L. L., Esaki L., Howard W. E., Ludeke R. The growth of a GaAs-GaAlAs superlattice. Journal of Vacuum Science Technology. 1973, vol 10, no 1, p. 11−16.
  3. Esaki L., Chang L. L. Semiconductor superfine structures by computer-controlled molecular beam epitaxy. Thin Solid Films. 1976, vol 36, no 2, p. 285−298.
  4. Dingle R. in: Advances in Solid State Physics, v. 15./ Ed. Queisser H. J. -Braunschweig: Pergamon-Vieweg, 1975, p. 21.
  5. Dingle R., Stormer H. L., Gossard A. C., Wiegmann W. Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices. Applied Physics Letters. 1978, vol 33, no 7, p. 665−667.
  6. Von Klitzing K., Obloh H., Ebert G., Knecht J., Ploog K. in: Precision Measurement and Fundamental Constants. II./Eds. Taylor B. N., Phillips W. D. Nat. Bur. Stand. (USA) Spec. Publ. no. 617, 1984, p. 519.
  7. Tsui D. C., Stormer H. L., Gossard A. C. Zero-resistance state of two-dimensional electrons in a quantizing magnetic field. Physical Review B. 1982, vol 25, no 2, p. 1405−1407.
  8. Tsui D. C., Stormer H. L., Gossard A. C. Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit. Phys. Rev. Lett. 1982, vol 48, no 22, p. 1559−1562.
  9. Chang L. L., Esaki L. Electronic properties of InAs-GaSb superlattic.es. Surf. Sci. 1980, vol 98, no 1, p. 70−89.
  10. Sai-Halasz G. A., Tsu. R., Esaki L. A new semiconductor superlattice. Applied Physics Letters. 1977, vol 30, no 12, p. 651−653.
  11. Sakaki H., Chang L. L., Ludeke R., Chang C. A., Sai-Halasz G. A., Esaki L. Ini-^Ga^As-GaSbi-^Asj, heterojunctions by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters. 1977, vol 31, no 3, p. 211−213.
  12. Sai-Halasz G. A., Esaki L., Harrison W. A. InAs-GaSb superlattice energy structure and its semiconductor-semimetal transition. Physical Review B. 1978, vol 18, no 6, p. 2812−2818.
  13. Chang L. L., Kawai N., Sai-Halasz G. A., Ludeke R., Esaki L. Observation of semiconductor-semimetal transition in InAs-GaSb superlattices. Applied Physics Letters. 1979, vol 35, no 12, p. 939−942.
  14. Kawai N., Chang L. L., Sai-Halasz G. A., Chang C. A., Esaki L. Magnetic field-induced semimetal-to-semiconductor transition in InAs-GaSb superlattices. Applied Physics Letters. 1980, vol 36, no 5, p. 369−371.
  15. Esaki L., Chang L. L., Mendez E. E. Polutype superlattices and multi-heterojunctions. Japan Journal of Applied Physics. 1981, vol 20, no 7, p. L529-L532.
  16. Lee J., Jagannath C., Vassell M. 0., Koteles E. S. Mixing of valence subbands in GaAs/Al^Gai-^As multiple quantum wells by uniaxial stress. Physical Review B. 1988, vol 37, no 8, p. 4164−4170.
  17. Ekenberg U., Altarelli M. Subbands and Landau levels in two-dimensional hole gas at the GaAs/Al^Gai-ajAs interface. Physical Review B. 1985, vol 32, no 6, p. 37 123 722.
  18. Вир Г. JL, Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М. Наука, 1972.
  19. Adachi S., in Properties of Aluminum Gallium Arsenide, edited by Adachi S., EMIS Datareview Series No. 7 (INSPEC, London, 1993), p. 17.
  20. H. L., Tsang W. -T. Two-dimensional hole gas at a semiconductor heterojunction interface. Applied Physics Letters. 1980, vol 36, no 8, p. 685−687.
  21. Stormer H. L., Schlesinger Z., Chang A., Tsui D. C., Gossard A. C., Wiegmann W. Energy structure and quantized hall effect of two-dimensional holes. Physical Review Letters. 1983, vol 51, no 2, p. 126−129.
  22. Stormer H. L., Gossard A. C., Wiegmann W., Blondel R., Baldwin K. Temperature dependence of the mobility of two-dimensional hole systems in modulation-doped GaAs-(AlGa)As. Applied Physics Letters. 1984, vol 44, no 1, p. 139−141.
  23. Ekenberg U., Altarelli M. Calculation of the hole subbands at the GaAs-Al^Gai-^As interface. Physical Review B. 1984, vol 30, no 6, p. 3569−3572.
  24. Luttinger J. M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields.- Physical Review. 1955, vol 97, no 4, p. 869−883.
  25. E. Bangert, G. Landwehr. Self-consistent calculation of electric subbands in p-type GaAlAS-GaAs heterojunctions. Superlattices and Microstructures. 1985, vol 1, no 4, p. 363−368.
  26. Broido D. A., Sham L. J. Effective masses of holes at GaAs-AlGaAs heterojunctions.- Physical Review B. 1985, vol 31, no 2, p. 888−892.
  27. Matthews J. W., Blakeslee A. E. Defects in epitaxial multilayers. Journal of Crystal Growth. 1974, vol 27, p. 118−125.
  28. O’Reilly E. P. Valence band engineering in strained-layer structures. Semiconductor Science and Technology. 1989, vol 4, p. 121−137.
  29. Mauritz O., Ekenberg U. Spin splitting in a p-type quantum well with built-in electric field and microscopic inversion asymmetry. Physical Review B. 1977, vol 55, no 16, p. 10 729−10 733.
  30. Silver M., Batty W., Ghiti A., O’Reilly E. P. Strain-induced valence-subband splitting in III-V semiconductors. Physical Review B. 1992, vol 46, no 11, p. 6781−6788.
  31. Sanders G. D., Chang Y.-C. Effects of uniaxial stress on the electronic and optical properties of GaAs-Al^Gai-^As quantum wells. Physical Review B. 1985, vol 32, no 6, p. 4282−4285.
  32. Lee J., Vassell M. 0. Effects of uniaxial stress on hole subbands in semiconductor quantum wells. I. Theory. Physical Review B. 1988, vol 37, no 15, p. 8855−8860.
  33. Lee J., Vassell M. O. Effects of uniaxial stress on hole subbands in semiconductor quantum wells. II. Numerical results. Physical Review B. 1988, vol 37, no 15, p. 8861−8866.
  34. Platero G., Altarelli M. Electronic structure of superlattices and quantum wells under uniaxial stress. Physical Review B. 1987, vol 36, no 12, p. 6591−6595.
  35. Los J., Fasolino A., Catellani A. Generalization of the k-p approach for strained layered semiconductor structures grown on high-index-planes. Physical Review B. 1996, vol 53, no 8, p. 4630−4648.
  36. Fishman G. Hole subbands in strained quantum-well semiconductors in hhk] directions. Physical Review B. 1995, vol 52, no 15, p. 11 132−11 143.
  37. Chuang S. L. Efficient band-structure calculations of strained quantum wells. -Physical Review B. 1991, vol 43, no 12, p. 9649−9661.
  38. Ahn D., Chuang S. L., Chang Y.-C. Valence-band mixing effects on the gain and the refractive index change of quantum-well lasers. Journal of Applied Physics. 1988, vol 64, no 8, p. 4056−4064.
  39. Levine B. F., Gunapala S. D., Kuo J. M., Pei S. S., Hui S. Normal incidence hole intersubband absorption long wavelength GaAs/Al^Gai-^As quantum well infrared photodetectors. Applied Physics Letters. 1991, vol 59, no 15, p. 1864−1866.
  40. Bandara K. M. S. V., Levine B. F., Kuo J. M. p-doped single-quantum well infrared photodetector. Physical Review B. 1993, vol 48, no 11, p. 7999−8001.
  41. Levine B. F., Malik R. J., Walker J., Choi K. K., Bethea C. G., Keinman D. A., Vandenberg J. M. Strong 8.2 /xm infrared intersubband absorption in doped GaAs/AlAs quantum well waveguides. Applied Physics Letters. 1987, vol 50, no 5, p. 273−275.
  42. Levine B. F., Bethea C. G., Hasnain G., Walker J., Malik R. J. High-detectivity D* =1.0xl010 cm /Hz/W GaAs/AlGaAs multiquantum well A=8.3 fxm infrared detector. Applied Physics Letters. 1988, vol 53, no 5, p. 296−298.
  43. Levine B. F., Bethea C. G., Choi K. K., Walker J., Malik R. J. Tunneling lifetime broadening of the quantum well intersubband photoconductivity spectrum. Applied Physics Letters. 1988, vol 53, no 4, p. 231−233.
  44. B. F., Bethea C. G., Hasnain G., Shen V. 0., Pelve E., Abbott R. R., Hsieh S. J. High sensitivity low dark current 10 fim GaAs quantum well infrared photodetectors. Applied Physics Letters. 1990, vol 56, no 9, p. 851−853.
  45. Bandara К. M. S. V., Levine B. F., Leibenguth R. E., Asom M. T. Optical and transport properties of single quantum well infrared photodetectors. Journal of Applied Physics. 1993, vol 74, no 1, p. 1826−1831.
  46. Bandara K. M. S. V., Levine B. F., Asom M. T. Tunneling emitter undoped quantumwell infrared photodetector. Journal of Applied Physics. 1993, vol 74, no 3, p. 346 350.
  47. J. В., Bickham S. R. Hole intersubband transitions in the p-type Hgi-^Zn^Te/CdTe semiconductor superlattice. Physical Review B. 1992, vol 46, no 12, p. 7938−7940.
  48. Tadic M., Ikonic Z. Bound-free intersubband absorption in p-type doped semiconductor quantum wells. Physical Review B. 1995, vol 52, no 11, p. 82 668 275.
  49. Jones G., O’Reilly E. P. Improved Perfomance of Long-Wavelength Strained Bulklike Semiconductor Lasers. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1993, vol 29, no 5, p. 1344−1353.
  50. Teng D., Lee C., Eastman L. F. Strain effects on normal incidence hole intersubband absorption in a p-type semiconductor quantum well. Journal of Applied Physics. 1992, vol 72, no 4, p. 1539−1542.
  51. Hong S-C., Kothiyal G. P., Debbar N., Bhattacharya P., Singh J. Theoretical and experimental studies of optical absorption in strained quantum-well structures for optical modulators. Physical Review B. 1988, vol 37, no 2, p. 878−885.
  52. И. M. Электроны и дырки в полупроводниках. М. Наука. 1972.
  53. Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика, т. VII, Теория упругости. М. Наука. 1987.
  54. Mason W. P. Crystal physics of interaction processes. Academic Press. 1966.
  55. А. А., Гулин А. В. Численные методы. М. Наука. 1989.
  56. Дж. X. Алгебраическая проблема собственных значений. М. Наука. 1970.
  57. Bastard G., Brum J. A. Electronic states in semiconductor heterostructures. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1986, vol 9, no 9, p. 1625−1644.
  58. Hsieh Т. C., Hess K., Coleman J. J., Dapkus P. D., Carrier Density Distribution in modulation doped GaAs/Al^Gai-^As quantum well heterostructures. Solid-State Electronics. 1983, vol 26, no 12, p. 1173−1176.
  59. Cardona M., Christensen N. E. Acoustic deformation potentials and heterostructures band offsets in semiconductors. Physical Review B. 1987, vol 35, no 12, p. 6182−6194.
  60. Pollak F.H., in Properties of Aluminum Gallium Arsenide, 78. edited by Adachi S., EMIS Datareview Series No. 7 (INSPEC, London, 1993), p. 78.
  61. G. E. Stillman, D. M. Larsen, С. M. Wolfe, R. C. Brandt. Precision verification of effective mass theory for shallow donors in GaAs. Solid State Commun. 1971, vol 9, p. 2245−2249.
  62. Casey H. C., Panish Jr., Panish M. B. Heterostructure Laser. Part A. Fundamental Principels. Academic, New York, 1978.
  63. Forchhammer Т., Veje E. Tidemand-Petersson P. Experimental determination of the conduction-band ofFset at GaAs/Gai-^Al^As heterojunctions with the use of ballistic electrons. Physical Review B. 1995, vol. 52, no 20, p. 14 693−14 698.
  64. Wang Ren-zhi, Ke San-huang, Huang Mei-chun. Valence-band offset at ALcGai-jjAs/GaAs: Application of average-bond-energy theory in conjunction with the cluster expansion method. Physical Review B. 1995, vol 51, no 3, p. 1935−1937.
  65. А. Э., Елисеев П. Г., Находнова И. А., Ормонт А. В., Осадчая Л. А., Стучебников В. М. Излучательная рекомбинация в р-п-переходах в GaAs, созданных диффузией Бериллия. Физика твердого тела 1964, т. 6, в. 6, с. 19 001 902.
  66. Э. А., Стучебников В. М., Юнович А. Э. Когерентное излучение GaAs р-п-переходов, полученных диффузией Бериллия. — Физика твердого тела 1965, т. 7, в. 7, с. 2231−2232.
  67. Н. Б., Минина Н. Я., Лавренюк М. Ю., Савин А. М. Способ испытания образцов монокристаллов в условиях одноосного сжатия. Авт. свид. СССР N1 1 259 138, кл. GO 1 N3/08, 1985.
  68. Braun W., Trampert A., Daweritz L., Ploog К. H. Nonuniform segregation of Ga at AlAs/GaAs heterointerfaces. Physical Review B. 1997, vol 55, no 3, p. 1689−1695.
  69. Adams E. N., Holstein T. D. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1959, vol 10, p. 254−276.
  70. Eisenstein J. P., Stornier H. L., Narayanamurti V., Gossard A. C., Wiegmann W. Effect of inversion symmetry on the band structure of semiconductor heterostructures. Physical Review Letters. 1984, vol 53, no 27, p. 2579−2582.
  71. Schweizer Т., Kohler К., Rothemund W., Gaser P. Highly anisotropic electron mobilities of GaAs/In0.2Gao.8As/Alo.3Gao.7As inverted high electron mobility transistor structures. Applied Physics Letters. 1991, vol 59, no 21, p. 2736−2738.
  72. Gottinger R., Gold A., Abstreiter G., Weimann G., Schlapp W. Interface roughness scattering and electron mobilities in thin GaAs quantum wells. Europhysics Letters. 1988, vol 6, no 2, p. 183−188.
  73. Sakaki H., Noda Т., Hirakawa К., Tanaka M., Matsusue T. Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells. Applied Physics Letters. 1987, vol 51, no 23, p. 1934−1936.
  74. Behrend J., Wassermeier M., Braun W., Krispin P., Ploog К. H. Formation of GaAs/AlAs (001) interface studied by scanning tunneling microscopy. Physical Review B. 1996, vol 53, no 15, p. 9907−9912.
  75. Lew A. Y., Zuo S. L., Yu E. Т., Miles R. H. Correlation between atomic-scale structure and mobility anisitropy in In As / Gai 1пж Sb superlattices. Physical Review B. 1998, vol 57, no 11, p. 6534−6539.
  76. В. H., Минина Н. Я., Олсен Я. С., Савин. А. М. Долговременные релаксации сопротивления двумерного дырочного газа на гетерогранице GaAs/Alo.sGao.sAs, индуцированные одноосным сжатием. Письма в ЖЭТФ. 1995, том 61, вып. 5. стр. 417−422.
  77. К. I., Savin А. М., Beneslavski S. D., Minina N. Ya., Hansen О. P. Stress induced anisotropy of Fermi surface in p-GaAs/AlGaAs quantum wells. In:
  78. Eight international conference on high pressure semiconductor physics. Program and Abstracts, Thessaloniki, Greece, 1998, p. 81.
  79. Kolokolov К. I., Savin A. M., Beneslavski S. D., Minina N. Ya., Hansen 0. P. Stress induced anisotropy of Fermi surface in p-GaAs/AlGaAs quantum wells. Physica Status Solidi (b). 1999, vol 211, p. 507−512.
  80. К. И., Бенеславский С. Д. Поверхность Ферми 2В-дырок в квантовых ямах p-GaAs/Alo.sGao.sAs при одноосном сжатии. XXXI Совещание по физике низких температур, Москва, 1998, Тезисы докладов, стр. 12.
  81. Chang Y.-C., James R. В. Saturation of intersubband transitions in p-type semiconductor quantum wells. Physical Review B. 1989, vol 39, no 17, p. 1 267 212 681.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!