Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов

Диссертация: Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Актуальность работы. Быстрая эволюция телекоммуникационных устройств на базе GaAs СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) является одним из основных драйверов развития современного информационного общества. Гетероструктурные транзисторы и, в частности, транзистор с высокой подвижностью электронов (рНЕМТ) выступают в качестве основных элементов GaAs МИС, определяющих их технические характеристики… Читать ещё >

Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Способы снижения плотности поверхностных состояний на границе раздела металл-полупроводник
      • 1. 1. 1. Особенности технологии халькогенидной пассивации
      • 1. 1. 2. Пассивация полупроводниковых приборов
      • 1. 1. 3. Деградация свойств пассивированных структур
    • 1. 2. Контакты металл-полупроводник
      • 1. 2. 1. Развитие физической модели контакта металл-полупроводник
      • 1. 2. 2. Омические контакты к и-GaAs
      • 1. 2. 3. Барьерные контакты к GaAs
    • 1. 3. Транзисторы с высокой подвижностью электронов
      • 1. 3. 1. Анализ факторов, влияющих на параметры транзисторов с высокой подвижностью электронов
    • 1. 4. Выводы и постановка задачи исследования
  • ГЛАВА 2. Методы и техника эксперимента
    • 2. 1. Техника эксперимента
    • 2. 2. Методы эксперимента
      • 2. 2. 1. Формирование омических и барьерных контактов к GaAs
      • 2. 2. 3. Технологический маршрут изготовления гетероструктурных GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов с Т-образным затвором длиной 150 нм
      • 2. 2. 4. Измерение приведенного контактного сопротивления омических контактов методом линий передач
      • 2. 2. 5. Измерение параметров барьерных контактов
      • 2. 2. 6. Измерение параметров гетероструктурных GaAs
  • СВЧ транзисторов по постоянному току и СВЧ сигналу
  • ГЛАВА 3. Влияние халькогенизации поверхности GaAs на параметры контактов металл-полупроводник
    • 3. 1. Модельные омические контакты, сформированные на халькогенизированной поверхности GaAs
    • 3. 2. Модельные барьерные контакты, сформированные на халькогенизированной поверхности GaAs
    • 3. 3. Повышение воспроизводимости процесса халькогенизации при использовании предварительного окисления поверхности GaAs
    • 3. 4. Улучшение электрических параметров омических контактов, сформированных к халькогенизированной и обработанной ультрафиолетовым излучением поверхности GaAs
    • 3. 5. Выводы
  • ГЛАВА 4. Исследование и оптимизация конструкций контактов металл/GaAs с металлизацией на основе Al и Си
    • 4. 1. Сравнительный анализ параметров омических контактов Pd/Ge/Al и Pd/Ge/Cu к n-GaAs
    • 4. 2. Исследование параметров омического контакта на основе Pd/Ni/Ge/Mo/Cu к n-GaAs
    • 4. 3. Сравнительный анализ параметров барьерных контактов на основе Ti/Pt/Au, Ti/Pt/Cu, Ti/Mo/Cu и Ti/Al к GaAs
    • 4. 4. Выводы
  • ГЛАВА 5. Оптимизация режимов и методов изготовления контактов метэлл/GaAs к GaAs, в том числе с металлизацией на основе Al и Си
    • 5. 1. Особенности технологии формирования омического контакта Ge/Au/Ni/Ti/Au с торцевым диффузионным барьером
    • 5. 2. Формирование тонкопленочных медно-германиевых соединений в потоке атомарного водорода
    • 5. 3. Улучшение электрических параметров Ge/Cu омического контакта к GaAs при использовании обработки в потоке атомарного водорода
    • 5. 4. Выводы
  • ГЛАВА 6. Исследование параметров гетероструктурных GaAs транзисторов с высокой подвижностью электронов с контактами металл/GaAs на основе AI и Си
    • 6. 1. Параметры GaAs рНЕМТ с Pd и Си металлизацией
    • 6. 2. Параметры GaAs рНЕМТ на основе Си металлизации
    • 6. 3. Параметры GaAs рНЕМТ с металлизацией на основе
  • CuGe соединений
    • 6. 4. Параметры GaAs рНЕМТ на основе AI металлизации
    • 6. 5. Параметры GaAs рНЕМТ на основе Au металлизации
    • 6. 6. Сравнительный анализ параметров транзисторов с металлизацией контактов на основе Au, AI, Си, а также CuGe соединения
    • 6. 7. Исследование термической стабильности параметров транзисторов
    • 6. 8. Выводы

Актуальность работы. Быстрая эволюция телекоммуникационных устройств на базе GaAs СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) является одним из основных драйверов развития современного информационного общества. Гетероструктурные транзисторы и, в частности, транзистор с высокой подвижностью электронов (рНЕМТ) выступают в качестве основных элементов GaAs МИС, определяющих их технические характеристики. Темп усовершенствования конструкции рНЕМТ, а также технологии его изготовления во многом задают скорость создания новых поколений устройств передачи данных.

В настоящее время в производстве GaAs МИС для формирования металлизации омических и барьерных контактов (ОК и БК), а также для создания межэлементной и межуровневой разводки традиционно используются такие металлы, как Au, Pt и Pd. В кремниевой технологии драгоценные металлы не применяются, а для создания металлизации ранее использовался А1, а сегодня с успехом применяют Си. По сравнению с Au, Си имеет большую теплопроводность, а также меньшее удельное сопротивление, причем как Си, так и А1 характеризуются существенно меньшей стоимостью. Поэтому в технологии GaAs СВЧ МИС переход к металлизации на основе этих металлов должен позволить повысить технические характеристики изделий и уменьшить себестоимость их производства. Отсутствие промышленной технологии производства GaAs МИС с металлизацией на основе А1 и/или Си обусловлено недостаточным объёмам знаний о закономерностях и особенностях формирования А1- или Cu-содержащих контактов метал-GaAs.

Цель работы. Целью настоящей работы является изучение закономерностей и разработка физических основ технологии изготовления улучшенных омических и барьерных контактов к GaAs, в том числе с металлизацией на основе А1 и Си, а также исследование параметров СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов с А1- или Сисодержащими контактами.

Для реализации цели работы были поставлены следующие задачи:

1) с целью улучшения параметров омических и барьерных контактов разработать эффективные методы электрической пассивации поверхности GaAs;

2) исследовать и оптимизировать конструкции металлизации омических и барьерных контактов к GaAs, в том числе, не содержащих драгоценных металлов;

3) исследовать и оптимизировать методы и режимы формирования омических и барьерных контактов к GaAs, в том числе, не содержащих драгоценных металлов;

4) изучить особенности технологии и изготовить GaAs транзисторы с высокой подвижностью электронов с Т-образным затвором длиной 150 нм и контактами на основе Al и Си.

Научная новизна работы.

1) Найдены режимы халькогенизации поверхности GaAs, позволяющие повысить воспроизводимость процесса её электрической пассивации, а также улучшить параметры контактов метэлл/GaAsпредложены механизмы, объясняющие наблюдаемые закономерности.

2) Показано, что омические контакты на основе Pd/Ge/Al и Pd/Ni/Ge/Mo/Cu к T?±GaAs имеют низкое значение приведенного контактного сопротивления и обладают гладкой морфологией поверхности контактных площадок.

3) Определены условия осаждения плёнки Ti торцевого диффузионного барьера омического контакта на основе Ge/Au/Ni/Ti/Au и режимы обработки Ge/Cu омического контакта в потоке атомарного водорода, приводящие к уменьшению приведенного контактного сопротивления в 50 и 1.6 раза, соответственно.

4) Установлено, что обработка двухслойной системы Ge/Cu в потоке атомарного водорода при комнатной температуре приводит к взаимодиффузии Си и Ge, формированию поликристаллической плёнки с однородным распределением элементов и вертикально ориентированными зернами размером 100−150 нм.

5) Показано, что GaAs СВЧ транзисторы с высокой подвижностью электронов с металлизацией на основе А1 и Си, а также CuGe соединения имеют электрические параметры сравнимые с параметрами аналогичных транзисторов с металлизацией на основе Аи.

Практическая значимость работы.

1) В маршруты изготовления комплекта СВЧ GaAs МИС приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-, L-, диапазонов длин волн внедрены: групповая технология формирования омических контактов на основе Ge/Au/Ni с улучшенным комплексом электрофизических параметров. технология изготовления субмикронного Т-образного затвора длиной 150 нм.

2) Применительно к технологии изготовления GaAs транзисторов с высокой подвижностью электронов разработан низкотемпературный процесс формирования тонкой пленки соединения CuGe.

3) Разработана технология изготовления GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов с металлизацией омических и барьерных контактов на основе А1, Си, а также CuGe соединения.

Научные положения, выносимые на защиту.

1) Предварительное окисление поверхности GaAs в растворе Н2О2 позволяет после её халькогенизации увеличить воспроизводимость эффекта электрической пассивации, а также в 1.5 раза уменьшить приведенное контактное сопротивление омических контактов, сформированных к халькогенизированной поверхности. Вакуумная ультрафиолетовая обработка халькогенизированной поверхности GaAs излучением с длиной волны 222 нм, выполняемая перед осаждением металлизации омических контактов, приводит к уменьшению приведенного контактного сопротивления на 20−30%.

2) Омический контакт на основе Pd/Ge/Al к «±GaAs (п = 5хЮ18 см» 3) имеет низкое значение приведенного контактного сопротивления (р = 1.3×10″ 6 Ом см) и обладает гладкой морфологией поверхности контактной площадки.

Введение

пленки Ni толщиной 10 нм в состав металлизации Pd/Ge/Mo/Cu омического контакта позволяет в 1.5 раза уменьшить его приведенное контактное сопротивление.

3) Выбор угла влёта Р, под которым атомы Ti поступают на поверхность при осаждении плёнки диффузионного барьера омического контакта на основе Ge/Au/Ni/Ti/Au к w-GaAs, в диапазоне от 1.5 а до 2.5 а, где аугол влета атомов Ge, Au и Ni позволяет уменьшить минимальное значение приведенного контактного сопротивления в 50 раз.

4) Обработка двухслойной системы Ge/Cu в потоке атомарного водорода с.

15 2 1 плотностью / > 10 ат. см с" при комнатной температуре и выше приводит к взаимодиффузии Си и Ge и формированию поликристаллической плёнки CuGe соединения с вертикально ориентированными зернами размером 100−150 нм. Обработка в потоке атомарного водорода омических контактов Ge/Cu к и-GaAs, выполняемая сразу после осаждения тонких пленок Ge и Си, по отношению к термообработке в вакууме, позволяет уменьшить минимальное значение приведенного контактного сопротивления в 1.6 раза.

5) GaAs СВЧ транзисторы с высокой подвижностью электронов с металлизацией омических и барьерных контактов на основе Al и Си, а также CuGe соединения имеют параметры по постоянному току и СВЧ сигналу, сравнимые с аналогами на основе Au металлизации, но характеризуется меньшей себестоимостью производства.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы доложены на Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР» (Томск 2008 г, 2009 г., 2010 г., 2011 г.), на VI и VII Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления» (Томск, 2010 г.,.

2011 г.), Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (Севастополь, Украина 2008, 2010, 2011 гг.), International Siberian Conference on Control and Communications SIBCON.

Tomsk, 2009 г., Krasnoyarsk 2011 r), International Conference and Seminar on.

Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM (Эрлагол 2011 гг.), 5-й.

Международной молодежной научно-технической конференции.

Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций (РТ-2009)".

Севастополь, 2009 г.), XLIX Международной научной конференций.

Студент и научно-технический прогресс" (Новосибирск, 2011 г.),.

Всероссийской научной школе «Актуальные проблемы нанои микроэлектроники» (Тамбов, 2011 г.), 9th, 10th International Conference on.

Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows (Tomsk, 2008 г.,.

2010 г.), International Conference on Microand Nano-Electronics (Zvenigorod, th.

2009 г.), 5 European Microwave Integrated Circuits Conference (Paris, France.

2010 г.), 6th European Microwave Integrated Circuits Conference (Manchester, England 2011 г.).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 45 работах, в том числе: 6 статей в журналах, входящих в перечень ВАК, 2 статьи в зарубежных журналах- 6 патентов РФ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы. Объем работы составляет 138 страниц машинописного текста, включая 60 рисунков, 5 таблиц и список литературы из 178 наименований. В соответствии с поставленными задачами вся диссертационная работа разделена на шесть глав.

Основные результаты, полученные в данной работе, можно сформулировать следующим образом.

1) Использование предварительного окисления поверхности ваАз в растворе Н202 перед процессами жидкостной халькогенизации в водных растворах (ИН^, позволяет увеличить воспроизводимость электрической пассивации поверхности на 25%, в 1.5 раза уменьшить приведенное контактное сопротивление омических контактов на основе Ое/Аи/№, а также улучшить комплекс электрических параметров барьерных контактов на основе Т1/Аи, сформированных к и-ваАз.

2) Вакуумная ультрафиолетовая обработка с длиной волны излучения 222 нм, предварительно окисленной и халькогенизированной поверхности ваАз, позволяет на 20−30% уменьшить величину приведенного контактного сопротивления ОК на основе Ое/Аи/№ (45/85/25 нм), сформированных к и-ваАз.

3) Омические контакты на основе Р (Ше/А1 (15/150/150 нм) и Рс1М/Ое/Мо/Си (15/10/150/50/150 нм) к и-ваАв (п = 5хЮ1 В см") имеют низкие значения приведенного контактного сопротивления р = 1.3×10″ 6.

Ом х см2 и р = 7×10″ 7 Ом х см2, соответственно, а также обладают гладкой морфологией поверхности контактной площадки.

4) Использование торцевого Ti диффузионного барьера в ОК на основе Ge/Au/Ni/Ti/Au, формируемого посредством осаждения плёнки Ti с углом влёта, под которым атомов Ti поступают на поверхность, (3 равным 1.5−2.5а, где, а — угол влета атомов Ge, Au и Ni, позволяет уменьшить минимальное значение приведенного контактного сопротивления в 50 раз, а также улучшить морфологию поверхности края контактной площадки.

5) Обработка двухслойной системы Ge/Cu в потоке атомарного водорода приводит к взаимодиффузии Си и Ge, формированию поликристаллической плёнки с однородным распределением элементов и вертикально ориентированными зернами размером 100−150 нм. Использование данной обработки сразу после осаждения тонких пленок Ge и Си позволяет уменьшить минимальное значение приведенного контактного сопротивления омических контактов Ge/Cu (78/122 нм) к слоям и-GaAs в 1.6 раза. Величина удельного сопротивления плёнки CuGe соединения после обработки в потоке АВ в течение t = 5 мин составляет ~ 4.5 мкОм х см, что свидетельствует о перспективности его использования в качестве металлизации барьерного контакта.

6) GaAs СВЧ транзисторы с высокой подвижностью электронов с Т-образным затвором длиной 150 нм и металлизацией на основе Си, Al, а также CuGe соединения, полученного обработкой в потоке атомарного водорода имеют электрические параметры по постоянному току и СВЧ сигналу сравнимые с параметрами транзисторов на основе Au и характеризуются меньшей себестоимостью изготовления.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор выражает благодарность КагадеюВ.А. за руководство при анализе и обобщении представленных в диссертации результатов исследований и разработокЗарецкой Т.В. за активное участие в разработке процессов жидкостной халькогенизации ваАэАвдееву С.М. за предоставленный источник ультрафиолетового излученияОсипову К.Ю. за участие в моделировании процессов напыления тонких пленок, а так же коллективам СКТБ «Микроэлектроника» НИИ полупроводниковых приборов, НПК «Микроэлектроника» ЗАО «Научно-производственная фирма «Микран», НОЦ «Нанотехнологии» ТУ СУР за участие и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе найдены оригинальные методы подготовки поверхности ваАз, позволяющие увеличить воспроизводимость процесса халькогенизации поверхности и улучшить параметры омических контактов к ваАз. Оптимизированы конструкции и методы изготовления металлизации ОК и БК на основе А1, Си, а также Сиве соединения, полученного обработкой в потоке атомарного водорода. На базе этих бездрагметальных контактов изготовлены и исследованы ваАэ рНЕМТ с Т-образным затвором длиной 150 нм, имеющие параметры по постоянному току и СВЧ сигналу сравнимые с аналогами на основе Аи металлизации. Результаты работы создают предпосылки для создания полностью бездрагметальной СВЧ МИС.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников //Соровский образовательный журнал. 1998. — № 7. — С.114−121.
  2. В.Н., Лебедев М. В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ// Физика и техника полупроводников. — 1998. — № 11. С.1281−1298.
  3. Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischoff J.-C., Bhat R. Dramatic enhancement in the gain of a GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation // Applied Physics Letters. 1987. — № 2. -C.33−37.
  4. Carpenter M.S., Melloch M.R., Lundstrom M.S., Tobin S.P. Effects of Na2S and (NH4)2S edge passivation treatments on the dark current-voltage characteristics of GaAs pn diodes // Applied Physics Letters. 1988. — № 5. -C.2157−2161.
  5. Min-Gu Kang, Hyung-Ho Park, Kyung-Soo Suh, Jong-Lam Lee. Pretreatment of GaAs (001) for sulfur passivation with (NH4)2SX // Thin Solid Films. -1996. № 3. — C.290−291.
  6. Yuan Z. L, Ding X. M., Ни H. Т., Li Z. S., Yang J. S., Miao X. Y, Chen X. Y., Cao X. A., Hou X. Y. Investigation of neutralized (NH4)2S solution passivation of GaAs (100) surfaces // Thin Solid Films. 1997. — № 6. -C.136−137.
  7. Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. Solvent effect on the properties of sulfur passivated GaAs // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. — № 5. -C.2167.
  8. В.Н., Лебедев М. В., Шерняков Ю. М. Роль эффектривности формирования сульфидного покрытия в электронной пассивации поверхности GaAs // Письма ЖТФ. 1996. -№ 11.- С.65−67.
  9. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Shernyakov Yu.M., Tsarenkov B.V. Sulfide passivation of GaAs power diodes // Mater. Sci. Eng. B. 1997. — № 10. — C. 380−382.
  10. B.H., Коненкова E.B., Лебедев M.B. Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония // Физика твердого тела. 1997. — № 1. — С. 165−167.
  11. Lee Н.Н., Racicot R.J., Lee S.H. Surface passivation of GaAs // Applied Physics Letters. 1989. — № 4. — C.724.
  12. Hwang K.C., Li S.S. A study of new surface passivation using P2S5/(NH4)2S on GaAs Schottky barrier diodes // Journal Applied Physics. 1990. — № 3. -C. 2162−2166.
  13. Weling A.S., Kamath K.K., Vaya P.R. The effect of external excitation on the sulphur passivation of GaAs surfaces // Thin Solid Films. 1992. — № 2. -C. 179−183.
  14. Lunt S.R., Ryba G.N., Santangelo P.G., Lewis N.S. Chemical studies of the passivation of GaAs surface recombination using sulfides and thiols // Journal Applied Physics. 1991. — № 6. — C. 7449−7452.
  15. Dorsten J.F., Maslar J.E., Bohn P.W. Near-surface electronic structure in GaAs (100) modified with self-assembled monolayers of octadecylthiol // Applied Physics Letters. 1995. — № 3. — C. 1755−1758.
  16. Asai K., Miyashita Т., Ishigure K., Fukatsu S. Electronic passivation of GaAs surfaces by electrodeposition of organic molecules containing reactive sulfur // Applied Physics. 1995. — № 11. — C. 1582−1585.
  17. Lu E.D., Yang Y., Zhou X.J., Kellar S.A., Bogdanov P.V., Huan A.C., Cerrina F., Hussain Z., Shen Z.X. Photoemission Spectromicroscopy Study on Passivation of GaAs (100) by CH3CSNH2/NH4OH // Applied Physics. -1997. № 10.-C. 542−547.
  18. Massies J., Dezaly F., Linh N.T. Epitaxial relationships between Al, Ag and GaAs surfaces // J. Vac. Sci. Technol. 1980. — № 7. — C. l 134−1137.
  19. Barbouth N., Berthier Y., Oudar J., Moison J.-M., Bensoussan M. Chalcogenide passivation of III-V semiconductor surfaces // J. Electrochem. Soc. 1986. — № 3. — C.1663−1165.
  20. Nooney M.G., Liberman V., Martin R.M. Characterization of low energy ion-induced damage using the multiple quantum well probe technique with an intervening superlattice // J. Vac. Sci. Technol. 1995. — № 3. — C. 18 371 840.
  21. Herman J.S., Terry F.L. Hydrogen sulfide plasma passivation of gallium arsenide // Applied Physics Letters. 1992. — № 6. — C.716−719.
  22. Hou X., Chen X., Li Z., Ding X., Wang X. Passivation of GaAs surface by sulfur glow discharge // Appl. Phys. Lett. 1996. — № 9. — C.1429−1433.
  23. Yoshida N., Chichibu S., Akane T., Totsuka M., Uji H., Matsumoto S., Higuchi H. Surface passivation of GaAs using ArF excimer laser in a H2S gas ambient // Applied Physics Letters. 1993. — Vol. № 3. — C.3035−3039.
  24. Zavadil K.R., Ashby C.I.H., Howard A.J., Hammons B.E. Effect of ECR plasma on the luminescence efficiency of InGaAs and InP // J. Vac. Sci. Technol. 1994. — № 12. — C. 1045−1049.
  25. J. T. Hsieha, C. Y. Suna and H. L. Hwanga. Passivation of GaAs by Novel P2S5/ (NH4)2Sx Sulfurization Techniques // Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications. 1992. — Vol. 281. — pp. 659−663.
  26. K.C. Hwang, S.S. Li, C. Park, T.J. Anderson. Schottky Barrier Height Enhancement of «-Ino.53Gao.47As by a Novel Chemical Passivation Technique // J. Appl. Phys. 1990. — № 67. — pp. 6571−6573.
  27. A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Pearton. Schottky barriers of various metals on Al0.5Gao.5Aso.o5Sbo.95 and the influence of hydrogen and sulfur treatments on their properties // J. Appl. Phys. 1992. -№ 71.-pp. 4411^1415.
  28. H. Xu, S. Belkouch, C. Aktik, W. Rasmussen. Effects of selenious acid treatment on GaAs Schottky contacts // Appl. Phys. Lett. 1995. — № 66. -pp. 2125−2138.
  29. B. Rotelli, L. Tarricone, E. Gombia, R. Mosca, M. Perotin. Photoelectric properties of GaSb Schottky diodes // J. Appl. Phys. 1997. — № 81. — pp. 1813−1820.
  30. L. Jedral, H.E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, L. Mannik. Can. Structure of S on a passivated GaP (100) surface // J. Phys. 1992. — № 70. — pp. 1050−1054.
  31. C.R. Moon, B.-D. Choe, S.D. Kwon. H. Lim. Difference of interface trap passivation in Schottky contacts formed on (NH4)2Sx-treated GaAs and Ino.5Gao.5P // J. Appl. Phys. 1997. — № 81. — pp. 2904−2907.
  32. J.-L. Lee, D. Kim, S.J. Maeng, H.H. Park, J.Y. Kang, Y.T. Lee. Improvement of breakdown characteristics of a GaAs power field-effect transistor using (NH4)2Sx treatment // J. Appl. Phys. 1993. — № 73. — pp. 3539−3543.
  33. A.J. Howard, C.I.H. Ashby, J.A. Lott, R.P. Schneider, R.F. Corless. J. Simple method for examining sulphur passivation of facets in InGaAs-AlGaAs (A,=0.98 |im) laser diodes // Vac. Sci. Technol. A. -1994. № 12. — pp. 10 631 067.
  34. C.J. Sandro, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. The chemistry of sulfur passivation of GaAs surfaces // Appl. Phys. Lett. 1987. — № 51. — pp. 33−37.
  35. R.N. Nottenburg, CJ. Sandro, D.A. Humphrey, T.H. Hollenbeck, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 1988. — № 52. — pp. 218−221.
  36. H.L. Chuang, M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, E. Yablonovitch, T.J. Gmitter. Surface passivation effects of As2S3 glass on self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors // Appl. Phys. Lett. 1990. — № 57. — pp. 2113−2116.
  37. A. Kapila, V. Malhotra, L.H. Camnitz, K.L. Seaward, D. Mars. Passivation of GaAs surfaces and AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using sulfide solutions and SiNx overlayer // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. -№ 13.-pp. 10−13.
  38. S. Shikata, H. Okada, H. Hayashi. Suppression of the emitter size effect on the current gain of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor by utilizing (NH4)2Sx treatment // J. Appl. Phys. 1991. — № 69. — pp. 2717−2721.
  39. Po-Hsien Lai. Ssu-1 Fu, Yan-Ying Tsai, Ching-Wcn Hung. Tzu-Pin Chen, and Wen-Chau Liu. Improved characteristics of a formal-passivated pseudomorphic high electron mobility transistor // IEEE Electron. Lett.2007. Vol. 43. — pp. 54−55.
  40. Ssu-I Fu, Shiou-Ying Cheng, Po-Hsien Lai, Yan-Ying Tsai, Ching-Wcn Hung, Chih-Hung Yen and Wen-Chau Liu. A study of composite-passivation of an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) // J. Electrochem. Soc. 2006. — Vol. 153. — pp. 938−942.
  41. H. Hasegawa, H. Ishii, T. Sawada, T. Saitoh, S. Konishi, Y. Liu, H. Ohno. GaAs and Ino.53Gao.47As MIS Structures Having an Ultrathin Pseudomorphic Interface Control Layer of Si Prepared by MBE // J. Vac. Sci. Technol. B. -1988.-№ 6.-pp. 1184−1186.
  42. R.S. Bhide, S.V. Bhoraskar, V.J. Rao. J. Passivation effects of polyphenylene sulphide on the surface of GaAs // Appl. Phys. 1992. — № 72. — pp. 14 641 467.
  43. Oh, Y. T. Byun, S. C. Lee, B. R. Kang, T. W. Hong, C. Y. Park, S. B. Lee, H. K. Kim, T. W. Diminution of the surface states on GaAs by a sulfur treatment // J.Appl. Phys. 1994. — Vol. 76. — No. 3. — pp. 1959−1961.
  44. Braun F. Uber die Stromleitung durx Schwefelmetalle // Ann. Phys. Chem. -1874.-№ 153.-pp. 556−563.
  45. Pickard G.W. U.S.Patent, 1906, № 836 531.
  46. Pierce G.W. Phys. Rev. 1907. — № 25. — pp. 31−34.
  47. Schottky W., Stornier R., Waibel F. Z. Hochfrequenztechnik. 1931. Vol. 37.-pp. 162−170.
  48. Schottky W. Halbleitertheorie der Sperschicht, Naturwissenschaften // Z. Phys. 1939. — Vol.113. — № 5. — pp. 367−414.
  49. .И. О выпрямляющим действии полупроводников // Физика. 1939. — № 1. — С.167−173.
  50. Davudov B.I. J.Phys. USSR. — 1941. — № 4. — pp. 335−342.
  51. Mott N.F. Note on the Contact between a Metal and Insulator or Semiconductor // Proc. Cambr. Philos. Soc. 1938. — Vol.34. — pp. 568−572.
  52. Bethe H.A. Theory of the Boundary Layer of Cristal Rectifiers // MIT Radiat. Lab. Rep. 1942. — pp. 12−43.
  53. Дж. Физика XX века: ключевые эксперименты. М: Мир, 1978.376 с.
  54. Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М: Сов. радио, 1990.-304 с.
  55. К.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М: Радио и связь, 1980. — 303 с.
  56. А.И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. М: Гостехиздат, 1956. — 348 с.
  57. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов, часть 1. М: Мир, 1984. -450 с.
  58. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М: Мир, 1973.-459 с.
  59. Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М: Наука, 1965.-448 с.
  60. Дж., Ту К., Майер Дж. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакция. М: Мир, 1982. — 576 с.
  61. Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М: Радио и связь, 1982.-208 с.
  62. В.И. Контактные явления в полупроводниках. Киев: Вища школа, 1982.-224 с.
  63. В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Науково думка, 1974. — 264 с.
  64. В.И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М: Сов. радио, 1974. — 248 с.
  65. В.И., Бузанева Е. В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М: Сов. радио, 1987.-254 с.
  66. Х.К., Уитмер К. А. Кристаллические детекторы, часть 1. М: Сов. радио, 1950. — 331с.
  67. Henish Н.К. Rectifying semiconductor contacts. Oxford, Clarendon Press, 1957.-372 p.
  68. Н., Уиссмена R. Арсенид галлия в микроэлектронике. М: Мир, 1988.-555 с.
  69. С.А., Громов Д. В., Петров Г. В., Толстой А. Н. Контакт металл-полупроводник и его использование в полупроводниковых приборах и устройствах // Ядерная электроника. 1978. — № 8. — С.20−53.
  70. В.А. Новые применения барьера Шоттки в полупроводниковой электронике // Электроника и ее применение.1976.-№ 7.-С. 89−118.
  71. Ю.Р. Полупроводниковые приборы на основе барьера Шоттки // Полупроводниковые приборы и их применение. 1971. — № 25. — С.57−80.
  72. Г. В. Диоды с барьером Шоттки // Зарубежная электроника.1977. № 4. — С.77−112.
  73. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Киев: Науковадумка, 1979.-236 с.
  74. Padovani F.A., Sumner G.G. Contact potential of M-S. // J.Appl. Phys. -1965. Vol. 36. — pp. 3744−3750.
  75. Rhoderick E.H. Transport prosses in Schottky diodes, Metal-Semicoductor Contacts // Proc. Conf., Manchester. 1974. — pp. 3−19.
  76. Rideout V.L. A review of the Theory, Technology and Applications of Metal-Semiconductor rectifiers // Thin Solid Films. 1978. — Vol.48. — pp. 261−291.
  77. W. Schottky. Zur Halbleitertheorie der Sperrschicht- und Spitzengleichrichter // Z. Phys. Vol. 113. — No. 5. — pp. 367−414.
  78. J. Bardeen. Modulation of Conductance of Thin Films of Semi-Conductors by Surface Charges // Phys. Rev. 1947. — № 71. — pp. 717−721.
  79. W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Si. Unified defect model and beyond // J. Vac. Sci. Technol. 1980. — № 17. — pp. 1019−1027.
  80. A.K. Henish. Rectifying semiconductor contacts. Claredon Press, Oxford, 1957.
  81. А. Фаренбрух, Р.Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент. -М, Энергоатом, 1987. 427 с.
  82. Ю.А. Гольдберг. Омический контакт металл-полупроводник AIIIBV: методы создания и свойства // ФТП. 1994. — Vol. 28. — No. 10. — pp. 1681−1698.
  83. R. H. Cox and Н. Strack. Ohmic Contacts for GaAs Devices // Solid-St. Electron. 1969. — Vol. 12. — pp. 879−886.
  84. Reeves G.K. Specific contact resistance using a circular transmission line model // Solid State Electron. 1980. — Vol. 23. — № 5. — pp. 487−490.
  85. А. Милне, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М: Радио и связь, 1975, 375 с.
  86. Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник. М: Радио и связь, 1982.-564 с.
  87. С. A. Mead. Metal-semiconductor surface barriers // Solid- State. Electron. -1966. Vol. 9. — pp. 1023−1026.
  88. Зи С. Физика полупроводниковых приборов Т1 / Пер. с англ. В. А. Гергеля, В. В. Ракитина- Под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1984. — 456 с.
  89. Т. В., Гольдберг Ю. А. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. 2007. — Т. 41. — Вып. 11.- С.1281−1308.
  90. Bruce R.A. Piercy G.R. An improved AuGeNi ohmic contact to n-type GaAs // Solid St. Electron. 1987. — Vol.30. — No. 7. — pp. 729−737.
  91. Hung-Cheng Lin, Sidat Senanayake, Keh-Yung Cheng. Optimization of AuGe-Ni-Au Ohmic Contacts for GaAs MOSFETs // IEEE Transactions on Electron Devices. 2003. — Vol. 50. — No. 4. — pp. 880−885.
  92. E. D. Marshall, B. Zhang, L. C. Wang, P. F. Jiao, T. Sawada. Microstructure studies of PdGe ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing // J. Appl. Phys. 1987. — № 62. — pp. 942−947.
  93. P. H. Hao. On the low resistance Au/Ge/Pd ohmic contact to n-GaAs // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 79. — No. 8. — pp. 4216−4220.
  94. Ke-Shian Chen, Edward Yi Chang, Chia-Ching Lin, Cheng-Shih Lee, and Wei-Ching Huang. A Cu-based alloyed Ohmic contact system on и-type GaAs // J. Applied Physic letters. 2007. — № 92. — pp. 911 — 913.
  95. Cheun-Wei Chang, Yuen-Yee Wong, Tung-Ling Hsiehm Edward Chang, Ching-Ting Lee. Novel Cu/Cr/Ge/Pd Ohmic Contacts on Highly Doped n
  96. GaAs // Journal of Electronic materials, 2008. — Vol. 37. — No. 6. — pp. 901 -904.
  97. Chun-Wei Chang, Tung-Ling Hsieh and Edward Yi Chang. New Cu/Mo/Ge/Pd Ohmic Contacts on Highly Doped w-GaAs for InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. — № 45. — pp. 9029−9032.
  98. Пат. № 7 368 822 США, опубл. 06.05.2008
  99. С. Lopez, В. Galiana, C. Algora, I. Rey-Stolle, M. Gabas, J.R. Ramos-Barrado. Chemical characterization by XPS of Cu/Ge ohmic contacts to «-GaAs // Thin Solid Films. 2006. — Vol. 253. — No. 11. — pp. 5062−5066.
  100. M. О. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, J. Narayan. Electrical and microstructural characteristics of GeCu ohmic contacts to и-type GaAs // J. Mater. Res. -1997. Vol. 12. — No. 9. — pp. 2325 — 2332.
  101. J. R Lothian, F Ren, J. M Kuo, J. S Weiner, Y. К Chen. Ti/Pt/Au Schottky contacts on HEMTs // Solid State Electron. 1997. — Vol. 41. — No. 5. — pp. 673−675.
  102. G. Donzelli, A. Paccagnella. Degradation mechanism of Ti/Au and Ti/Pd/Au gate metallizations in GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Electron devices. -1987. Vol. 34. — No. 5. — pp. 957−960.
  103. P. Fay, K. Stevens, J. Elliot, N. Pan. Performance dependence of InGaP/InGaAs/GaAs pHEMTs on gate metallization // IEEE Electron devices Letters. 1999. — Vol. 20. — No. 11. — pp. 554−556.
  104. H. C. Chang, C. S. Lee, S. H. Chen, E. Y. Chang, J. Z. He. Study of Ti/W/Cu, Ti/Co/Cu and Ti/Mo/Cu multilayer structures as schottky metals for GaAs diodes // Journal of Electronic Materials. -2003. Vol. 33. — No. 7. — pp. 1517.
  105. Jun Liu, Tingting Hou, Chenyang Xue, Zhenxin Tan, Guowen Liu, Binzhen Zhang, Wendong Zhang. GaAs HEMT as sensitive strain gauge // Solid state Electron.-2011.-Vol. 61.-No. l.-pp. 53−57.
  106. Dan An, Sung-Chan Kim, Jin-Koo Rhee. High-performance W-band MMIC mixer module using GaAs metamorphic HEMT // Microwave and Optical Technology Letters. 2010. — Vol. 52. — No. 4. — pp. 815−817.
  107. Hulsmann A. Advanced mHEMT technologies for space applications // 20th Int. Simp, on Terahertz Technology. 2009. — pp. 178−182.
  108. Moumita Mukherjee Advanced Microwave and Millimeter Wave Technologies: Semiconductor Devices, Circuits and Systems. In-Teh. -2010.-642 p.
  109. Devlin L. Future Opportunities and Challenges for mm-Wave Amplifier MMICs // Microwave Journal. 2011. — Vol. 4.
  110. Suijker E. et al. Robust AlGaN/GaN Low Noise Amplifier MMICs for C-, Ku- and Ka-band Space Applications // Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium. 2009. — pp. 1−4.
  111. Behet M. et al. Low Cost and High Performance GaAs MMIC solutions for Automotive Radar // Microwave Engineering Europe. 2007.
  112. Сайт Международной технологической дорожной карты электронный ресурс. Режим доступа: http://www.itrs.net/, свободный
  113. Helnder H., Korner H, Mitchel A., Schwerd M., Seidel. Comparison of copper damascene and aluminium RIE metallization in BICMOS technology // Microelectronics Engineering. 2001. — Vol. 55. — pp. 257−268.
  114. Пат. 5 288 456 США, опубл. 22.02.1994.
  115. H. М. Tawancy, М. О. Aboelfotoh. Effect of phase transitions in copper-germanium thin film alloys on their electrical resistivity // Journal of Materials Science. 1995. — Vol. 30. — No. 23. — pp. 6053−6064.
  116. M. O. Aboelfotoh, C. L. Lin, and J. M. Woodall. Novel low-resistance ohmic contact to и-type GaAs using Cu3Ge // Appl. Phys. Lett. 1994. — Vol. 65. -pp. 3245−3249.
  117. S. Oktyabrsky, M. O. Aboelfotoh, J. Narayan, J. M. Woodall. Cu3Ge ohmic contacts to и-type GaAs // Journal of Electronic Materials. -1996. Vol. 25. -No. 11.-pp. 1662−1672.
  118. S. Oktyabrsky, M. O. Aboelfotoh, J. Narayan. Microstructure and chemistry of Cu-Ge ohmic contact layers to GaAs // Journal of Electronic Materials. -1996.-Vol. 25.-No. 11.-pp. 1673−1683.
  119. M. O. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, and J. Narayan. Electrical and microstructural characteristics of GeCu ohmic contacts to и-type GaAs // J. Mater. Res. 1997. — Vol. 12. — No. 9. — pp.2325 — 2332.
  120. М.И., Соснин Э. А., Тарасенко В. Ф., Шитц Д. В., Скакун B.C., Ерофеев М. В., Лисенко А. А. Эксилампы барьерного и емкостного разряда и их приложения // ПТЭ. 2006. — № 5. — С. 5−26.
  121. Reeves, G.K., Harrison, Н.В. Obtaining the specific contact resistance from transmission line model measurements // IEEE Electron Device Letters. -1982. Vol. 3. — No. 5. — pp. 111−113.
  122. E.B. Ерофеев, C.B. Ишуткин, B.A. Кагадей, К. С. Носаева, E.B. Анищенко. Разработка Т-образного затвора на основе Ti/Mo/Cu. В кн: 18-я Международная Крымская конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо). — 2010. — С. 754 — 755.
  123. G. Myburg, F. D. Auret, W. Е. Meyer. Summary of Shottky barrier height data on epitaxially grown n- and p-GaAs // Thin solid films. 1998. — Vol. 325.-pp. 181−186.
  124. M. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991.-632 с.
  125. Е.В. Ерофеев, В. А. Кагадей. Влияние термообработки на параметры контактов металл-полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности w-GaAs // Физика и техника полупроводников. 2011. — Т. 45. — Вып. 9. — С.1191−1196.
  126. Е.В. Ерофеев, В. А. Кагадей. Исследование возможности улучшения параметров AuGeNi омических контактов к п GaAs. В кн: 18-я Международная Крымская конференция «СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2008). — 2008. — С. 562 -564.
  127. E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, S.V. Ishutkin, K.S. Nosaeva. Investigation of AuGeNi ohmic contact to n-i-GaAs deposited by different methods //
  128. Proceedings of the 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows (9th CMM). -2008. pp. 498−500.
  129. Пат. № 6 924 218 США, опубл. 2 авг. 2005.
  130. С, J. Sandrof, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Dramatic Enhancement of Gain of a GaAs/AlGaAs Heterostructure Bipolar Transistor by Surface Chemical Passivation // Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 51. — № 33. — pp. 1734−1739.
  131. Т. V. Blank, Y. A. Goldberg. The current flow mechanism in metal-semiconductor ohmic contacts // Fiz. Tekh. Poluprovodn. 2007. — Vol. 41. -No. 11.-pp. 1281−1308.
  132. E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, T.V. Zaretzkaya. Influence of the Annealing on the Parameters of Shottky Barriers to Sulfur Treated n-GaAs // International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). -2009. -pp.227−232.
  133. B.H. Бессолов, А. Ф. Иванков, M.B. Лебедев. ФТП. 1996. — Vol. 38. — № 2.
  134. M.S. Carpenter, M.R. Melloch. Т.Е. Dungan. Schottky barrier formation on (NH4)2S-treated n- and p-type (100) GaAs //Appl. Phys. Lett. -1988. Vol. 53. -No.l.pp. 66−68.
  135. .И., Байдусь H.B. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: открепление уровня ферми // ФТП. 1994 — Т. 29. — № 8. — С. 1488 -1493.
  136. X.Wang, W.H. Weinberg. Quantum Chemical Study of Adsorption and Dissociation of H2S on the Gallium-Rich GaAs (001)-4×2 Surface // J. Appl. Phys. 2006. — Vol. 75. — No. 5. — pp. 9529−9533.
  137. Пат. 2 406 182 РФ. Способ халькогенизации поверхности GaAs / Ерофеев Е. В. (РФ), Кагадей В. А. (РФ) № 2 009 133 275- заявл. 04.09.2009- опубл. 10.12.2010.
  138. E.V. Erofeev, S.V. Ishutkin, V.A. Kagadei, K.S. Nosaeva. The influence of sulfur modification of preliminary oxidized GaAs surface on the ohmic contacts parameters // Proceedings of the 10th International Conference on
  139. Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. 2010. -pp. 598−601.
  140. Пат. 2 402 103 РФ. Способ пассивации поверхности GaAs / Ерофеев Е. В. (РФ), Ишуткин С .В. (РФ), Кагадей В. А. (РФ), Носаева К. С. (РФ).-№ 2 009 133 993- заявл. 10.09.2010- опубл. 20.10.2010.
  141. С.М. Авдеев, Е. В. Ерофеев, В. А. Кагадей. Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности и-г'-GaAs на параметры омических контактов // Физика и техника полупроводников. 2011.-Т. 45.-Вып. 8. — С.1056−1061.
  142. А.В., Д. Т. Хусейнов. Кинетическое моделирование напыления тонких пленок // Труды 49-й научной конференции МФТИ. 2006. -С. 251−253.
  143. E. Erofeev, V. Kagadei. Low-resistance Ge/Au/Ni/Ti/Au based ohmic contact to w-GaAs // International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009. Proc. of SPIE. 2009. — Vol. 7521. — 752 101.
  144. E. Erofeev, S.V. Ishutkin, V.A. Kagadei, K.S. Nosaeva. Multilayer low-resistance Ge/Au/Ni/Ti/Au based ohmic contact to «-GaAs // Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference. 2010. — pp. 290−293.
  145. E.B. Ерофеев, B.A. Кагадей. Особенности формирования низкорезистивного омического контакта Ge/Au/Ni/Ti/Au омического контакта к «-GaAs // Микроэлектроника. 2012. — Т. 41. — № 2. — С. 1−8.
  146. E.V. Erofeev, V.A. Kagadei. Copper germanide compound fabrication in the atomic hydrogen flow at low temperature // International Conference of Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2011. — pp. 41 — 44.
  147. E.B. Ерофеев, B.A. Кагадей. Формирование медно-германиевого соединения низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода. // Доклады ТУСУРа. 2011. — № 2 (24), часть 2. — С. 68−72.
  148. О.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, J. Weber. One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers. // Physica B. 2009. — Vol. 404. — No. 23. — pp. 5096−5098.
  149. E. Erofeev, V. Kagadei. Formation of Ge/Cu ohmic contacts to «-GaAs with atomic hydrogen pre-annealing step // International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009. Proc. of SPIE. 2009. — Vol. 7521. — 7521 OK.
  150. Пат. 2 422 941 РФ. Способ изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких плёнок Ge и Си / Ерофеев Е. В. (РФ), Кагадей В. А. (РФ) .№ 2 009 130 823- заявл. 12.08.2009- опубл. 27.06.2011.
  151. Пат. 2 436 184 РФ. Способ изготовления Cu-Ge омического контакта к GaAs / Ерофеев Е. В. (РФ), Кагадей В. А. (РФ) — № 2 010 136 579- заявл. 31.08.2010- опубл. 10.12.2011.
  152. E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, V.A. Arykov, E.V. Anichenko. Copper metalized GaAs pHEMT with Cu/Ge ohmic contacts // International Journal of Microwave Science and Technology. 2012. — Vol. 2012. — pp. 1−5.
  153. V.A. Arykov, E.V. Anichenko, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei. 150 nm copper metalized GaAs pHEMT with Cu/Ge ohmic contacts // Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference. 2010. — pp. 166−169.
  154. E.B. Ерофеев, В .А. Кагадей, C.B. Ишуткин, К. С. Носаева, Е. В. Анищенко, B.C. Арыков. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT транзистора с субмикронным Т-образным затвором // Доклады ТУСУРа.-2010.-№ 2(22), часть 1.-С. 183−186.
  155. E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, E.V. Anishchenko, K.S. Nosaeva, S.V. Ishutkin. T-gate fabrication // International Conference of Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. -2011. pp. 146 — 149.
  156. Пат. 2 442 243 РФ. Транзистор на основе полупроводникового соединения / Ерофеев Е. В. (РФ), Кагадей В. А. (РФ), Анищенко Е. В. (РФ), Арыков B.C. (РФ), Ишуткин С. В. (РФ), Носаева К. С. (РФ). -№ 2 010 144 198/28- заявл. 28.10.2010- опубл. 10.02.2012.
  157. E.V. Erofeev, A.I. Kazimirov, V.A. Kagadei. A Gold Free Fully Cu/Ge Metalized GaAs pHEMT for the High Frequency Applications // International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). — 2011. — pp.227−232.
  158. V.A. Arykov, E.V. Anichenko, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei. Thermal stability of a Gold free fully Cu/Ge metalized GaAs pHEMT // Proceedings of the 6th European Microwave Integrated Circuits Conference. 2011. — pp. 352−357.
  159. Е.В. Ерофеев, А. И. Казимиров, В .А. Кагадей. Исследование термостабильности параметров GaAs pHEMT транзистора с металлизацией на основе CuGe соединений // Доклады ТУСУРа. 2011. — № 2 (24), часть 2. — С. 41−46.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!