Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1-y

Диссертация: Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1-y
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Традиционно для получения фоточувствительных пленок для ближней и средней ИК-области используются высокотемпературные методы синтеза и вакуумные технологии, требующие сложного и дорогостоящего оборудования. Это обуславливает высокую коммерческую стоимость изготовленных на основе данных материалов фоторезисторов и фотодиодов. Кроме того, получаемые этими методами пленки часто не обладают… Читать ещё >

Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1-y (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Структура, состав и полупроводниковые свойства РЬ8, РЬ8е и твердых растворов РЬБе^-у
    • 1. 2. Методы получения тонких пленок сульфида, селенида свинца и твердых растворов на их основе
    • 1. 3. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов и селенидов металлов и твердых растворов на их основе
    • 1. 4. Механизм зарождения и роста пленок сульфидов и селенидов металлов при химическом осаждении из водных растворов
    • 1. 5. Методы и условия сенсибилизации пленок сульфидов и селенидов металлов к ИК-излучению
    • 1. 6. Фотоэлектрические свойства и области применения РЬБ, РЬ8е и твердых растворов РЬБе^-у
  • Выводы
  • Глава 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Реактивы и материалы
    • 2. 2. Методика гидрохимического осаждения пленок РЬ8, РЬ8е и РЬБе^-^
    • 2. 3. Методика кинетических исследований соосаждения РЬ8 и РЬ8е
    • 2. 4. Определение толщины пленок РЬ8, РЬ8е и РЬЗе^!-^
    • 2. 5. Исследование структуры, фазового, элементного состава и. морфологии пленок РЬ8, РЬ8е и РЬЗе^ч-у
    • 2. 5. Методика термического отжига пленок
    • 2. 6. Исследование фотоэлектрических и спектральных характеристик пленок
    • 2. 7. Исследование поверхностно-чувствительных свойств пленок Р
  • Глава 3. КИНЕТИКО-ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ РЬ8, РЬ8е и РЬ8е>?и,
    • 3. 1. Термодинамический расчет области образования твердых растворов РЬ8е), 81-у при совместном осаждении РЬ8 и РЬ8е из цитратно-аммиачной реакционной смеси
    • 3. 2. Кинетика химического соосаждения РЬ8 и РЬ8е в присутствии тио-, селеномочевины в цитратно-аммиачной системе
    • 3. 3. Кинетика роста пленок РЬ8~РЬ8е
  • Выводы
  • Глава 4. СОСТАВ, СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК РЬ8е^, у
    • 4. 1. Исследование структуры, состава и морфологии пленок РЬ8-РЬ8е
    • 4. 2. Исследование механизма зарождения пленок твердых растворов РЬБе^!-^ на ситалловых подложках при гидрохимическом осаждении
      • 4. 2. 1. Эволюция морфологии поверхности пленок РЬ8, РЬ8е и твердых растворов замещения РЬЗе^-у
      • 4. 3. 2. Использование фрактального формализма для выявления механизма формирования пленок РЬБ, РЬ8е, РЬ8еу8)-у
    • 4. 4. Влияние числа слоев на толщину и микроструктуру совместно осажденных пленок РЬ8-РЬ8е
  • Выводы
  • Глава 5. УСЛОВИЯ ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИИ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК РЬБе^,-, ИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА
    • 5. 1. Фотоэлектрические характеристики свежеосажденных пленок твердых растворов РЬ8е-, 81-у
    • 5. 2. Фотоэлектрические характеристики термически обработанных пленок твердых растворов РЬБе^-у
    • 5. 3. Исследование поверхностно-чувствительных свойств пленок Р
  • Выводы

Актуальность работы. Для решения большинства практических задач с использованием инфракрасной техники (тепловидение, контроль технологических процессов, прогнозирование чрезвычайных ситуаций, экологический мониторинг) определяющее значение имеют спектральный диапазон чувствительности фотодетекторов и возможность его регулирования. Значительную роль в расширении номенклатуры ИК-чувствительных материалов, способных целе-направлено регулировать свои фотоэлектрические и спектральные характеристики путем изменения состава, играют твердые растворы замещения халькоге-нидов металлов. В частности, для ближнего и среднего ИК-диапазонов перспективны твердые растворы на основе сульфида и селенида свинца РЬ8еу81-г.

Традиционно для получения фоточувствительных пленок для ближней и средней ИК-области используются высокотемпературные методы синтеза и вакуумные технологии, требующие сложного и дорогостоящего оборудования. Это обуславливает высокую коммерческую стоимость изготовленных на основе данных материалов фоторезисторов и фотодиодов. Кроме того, получаемые этими методами пленки часто не обладают требуемыми функциональными свойствами, что негативно сказывается на эксплуатационных характеристиках приборов (обнаружительной способности, быстродействии, стабильности и воспроизводимости).

В связи с этим, актуальной является разработка условий получения фоточувствительных пленок РЬБе^ь^ методом гидрохимического осаждения, исключающего использование дорогостоящего оборудования, высоких температур и в то же время позволяющего формировать высокочувствительные слои твердых растворов широкого диапазона составов (0 <�у < 1).

Целью диссертационной работы являлось установление физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов РЬЗе^Б]^ методом гидрохимического осаждения, исследование их состава, структуры, условий термосенсибилизации и фотоэлектрических свойств.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие экспериментальные и теоретические задачи:

1. Провести расчет области совместного осаждения сульфида и селенида свинца смесью тиои селеномочевины из реакционной смеси.

2. Выполнить комплексные кинетические исследования, позволяющие выявить закономерности образования твердой фазы при совместном осаждении сульфида и селенида свинца тиои селеномочевиной.

3. Исследовать процессы зарождения и роста пленок твердых раствороЕ РЬБе^!-^ гидрохимическим осаждением на ситалловых подложках.

4. Гидрохимическим осаждением получить пленки твердых растворов РЬЗе^-у широкого диапазона составов, изучить их кинетику роста, состав, структуру и морфологию.

5. Определить параметры термосенсибилизации пленок РЬБе^-^ к ИК-излучению.

6. Исследовать фотоэлектрические, спектральные характеристики свеже-осажденных и термообработанных слоев РЬ8еу8ьУ, а также поверхностно-чувствительные свойства пленок.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы:

1. Рассчитанные области совместного осаждения сульфида и селенида свинца смесью тиои селеномочевины в цитратно-аммиачной системе с учетом зародышеобразования и температурных зависимостей используемых термодинамических констант.

2. Результаты комплексных кинетических исследований превращения соли свинца в цитратно-аммиачной системе в сульфид и селенид в присутствии тиои селеномочевины, величины энергии активации процесса, частных порядков реакции по компонентам системы, кинетики роста пленок.

3. Выявленные закономерности процессов зарождения пленок твердых растворов РЬЗе^-у гидрохимическим осаждением на ситалловых подложках с использованием фрактального формализма.

4. Условия синтеза гидрохимическим осаждением нанокристаллических слоев, содержащих одновременно твердые растворы замещения РЬ8е>81 >- (О <�у < 0,9) как со стороны РЬБ, так и РЬ8е.

5. Состав, структура, морфология и фотоэлектрические свойства химически осажденных пленок твердых растворов РЬ8еу8]-у, взаимосвязи между их функциональными свойствами и условиями получения.

6. Результаты термообработки химически осажденных пленок РЬ8е1−8] >• при 633−668 К и ее влияние на их структуру и фоточувствительные характеристики.

Практическая ценность.

1. Получено формально-кинетическое уравнение скорости соосаждения сульфида и селенида свинца в цитратно-аммиачной системе, позволяющее проводить целенаправленный синтез твердых растворов РЬ8еу8| у.

2. Выявлены условия термосенсибилизации и составы гидрохимически осажденных пленок твердых растворов РЬ8е>.8] у, обеспечивающие получение слоев с наибольшей величиной фотоответа.

3. Гидрохимическим осаждением с последующей термообработкой разработаны условия получения пленок твердых растворов РЬЗе-^-у (0<�у< 0,9), фоточувствительных в спектральном диапазоне 0,4−4,5 мкм, перспективных для использования в качестве чувствительных элементов фотодетекторов, фотоприемных устройств и химических сенсоров.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Результаты расчета областей образования и кинетических исследований гидрохимического осаждения сульфида и селенида свинца тиои селено-мочевиной в цитратно-аммиачной системе.

2. Механизм зарождения и начальных стадий роста пленок РЬ8, РЬ8е, твердых растворов РЬ8еу8ьу на ситалловых подложках при гидрохимическом осаждении.

3. Структура, морфология, фазовый и элементный состав гидрохимически осажденных пленок твердых растворов РЬ8е>, 81-^ (0 <�у < 0,9). 7.

4. Условия и параметры термосенсибилизации пленок твердых растворов PbSe^Si-j, к ИК-излучению. Взаимосвязи между условиями осаждения, термообработки пленок твердых растворов PbSeySj~y и их фоточувствительными свойствами.

Личный вклад автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке, анализе и обобщении полученного экспериментального материала по получению и изучению свойств осажденных слоев.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследований докладывались и обсуждались на IV и VI региональной конференции молодых ученых «Теоретическая и экспериментальная химия жид-кофазных систем» (Иваново, 2009, 2011), IV и V Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научный потенциал XXI века» (Ставрополь, 2010, 2011), XX и XXI Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2010, 2011), IV и V заочной международной научно-практической конференции «Система управления экологической безопасностью» (Екатеринбург, 2010, 2011), XVI Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (Томск, 2010), XVIII международной конференции молодых ученых по приоритетным направлениям развития науки и техники (Екатеринбург, 2010), Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Неорганические соединения и функциональные материалы» (Казань, 2010), Всероссийской научно-технической конференции «Новые материалы и технологииНМТ-2010» (Москва, 2010), I Международной научно-практической конференции «Современная наука: теория и практика» (Ставрополь, 2010), Семнадцатой международной научно-технической конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, 2011), научной конференции аспирантов УрФУ «Достижения в химии и химической технологии^ (Екатеринбург, 2011), VIII Национальной конференции «Рентгеновское, Син8 хротронное излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии» (Москва, 2011), VIII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов» (Москва, 2011), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы — 2012 г» (Екатеринбург, 2012).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 21 печатная работа, в том числе 3 статьи в журналах, рекомендуемых ВАК, 9 статей в научных сборниках, тезисы 9 докладов региональных, Всероссийских и Международных конференций.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, общих выводов и библиографического списка, включающего 302 наименований цитируемой литературы. Работа изложена на 151 странице, содержит 48 рисунков и 8 таблиц.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Расчетом ионных равновесий в системе «ацетат свинца — тиомочеви-населеномочевина — цитрат натрия — гидроксид аммония» определены граничные условия образования PbS, PbSe, Pb (OH)2 с учетом формирования зародышей критического радиуса и температурных зависимостей используемых термодинамических констант. Установлена область pH совместного осаждения сульфида и селенида свинца, обеспечивающая потенциальную возможность синтеза твердых растворов PbSevS|-«.

2. Впервые проведены комплексные кинетические исследования химического соосаждения сульфида и селенида свинца в присутствии тиои селено-мочевины в цитратно-аммиачной системе с определением энергий активации процесса (26,2 кДж/моль), частных порядков по всем реактантам и составлением формально-кинетического уравнения скорости превращения соли свинца в PbS и PbSe.

3. С использованием фрактального формализма показано, что процесс формирования пленок сульфида, селенида свинца и твердых растворов на их основе происходит по кластер-кластерному механизму с элементами самоорганизации.

4. Впервые гидрохимическим осаждением на ситалловых подложках осуществлен низкотемпературный синтез нанокристаллические пленок, содержащих одновременно твердые растворы замещения PbSe^Si-j, (0 <�у < 0,9) как со стороны PbS, так и PbSe. Установлен экстремальный характер зависимости содержания PbSe в твердом растворе замещения PbSeySi-y, сформированном на основе сульфида свинца, от концентрации селеномочевины при постоянном содержании тиомочевины в реакционной смеси.

5. Исследованы кинетика роста, структура, состав, морфология и фотоэлектрические свойства пленок PbSeySi-r.

6. Выявлены параметры термосенсибилизации и составы гидрохимически осажденных пленок твердых растворов PbSe^Si-^, обеспечивающие получение слоев с наибольшей величиной фотоответа.

7. Показано, что термообработка пленок РЬБе^-у при 653 К вызывает распад образующих их твердых растворов замещения как со стороны одного, так и другого компонента системы и приближение ее к равновесной фазовой диаграмме РЬ8-РЬ8е.

8. Гидрохимическим осаждением с последующей термообработкой получены фоточувствительные пленки РЬ8еу8)->, спектральный диапазон и максимум чувствительности которых может варьироваться в пределах видимого и ближнего ПК-диапазона (0,4−4,5 мкм).

9. Выявлена поверхностная чувствительность пленок РЬ8 к содержанию в водных растворах ионов свинца, позволяющая рекомендовать их к использованию в качестве сенсорных элементов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халь-когенидам свинца PbTe, PbSe, PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов // М.: Наука. 1968.-383 с.
  2. , Н.Х. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, J1.B. Перецкая и др. // Л.: Наука. -1982.-220 с.
  3. , В.Ф. Особенности микроструктуры и свойства пленок сульфида свинца, осажденных из галогенсодержащих растворов / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, Г. А. Китаев // Неорган, материалы. 2000. — Т. 36. — № 7. -С. 792−795.
  4. , S. В. Structural stability of PbS films as a function of temperature /
  5. B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf// Thin Solid Films. 2003. — V. 431−432. -P. 506−510.
  6. Choudhury, N. Structural analysis of chemically deposited nanocrystalline PbS films / N. Choudhury, B.K. Sarma // Thin Solid Films. 2011. — V. 519. — № 7. -P. 2132−2134.
  7. Vaidyanathan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta. 2004 — V. 49. — P. 1321−1326.
  8. Lee, M.H. Structural and optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, W.J. Chung, S.K. Park, M. S Kim, H.S. Seo, J.J. Ju //Nanotechnology. 2005. — V. 16.-P. 1148−1152.
  9. Yang, J. Electron and atomic force microscopic investigations of lead selenide crystals grown under monolayers / J. Yang, J.H. Fendler, T.-C. Jao, T. Laurion // Microscopy Research and Technique. 1994. — V. 27. — № 5. — P. 402−411.
  10. , Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI / Н. Х. Абрикосов, Л. Е. Шелимова // М.: Наука. 1975. — 195 с.
  11. Bloem, J. The p-T-x-phase diagram of the lead-sulphur system // J. Bloem, F.A. Kroger // Z. Phys. Chem. 1956. — V. 7. — P. 1−14.
  12. Novoselowa, A.V. Thermodynamics and imperfections in lead chalcogenides / A.V. Novoselowa, V.P. Zlomanov // Current Topics in Materials Science. 1981. V. 7,-№ 2. — P. 643−710.
  13. Strauss A.J. Retrograde Solubility of Lead in n-type PbS / Strauss A.J. // Trans. AIME. 1967. — V. 239. — № 6. — P. 794−798.
  14. Goldberg, A.E. Occurrence of natural p-n junctions in lead selenide / A.E. Goldberg, G.R. Mitchell // J. Chem. Phys. 1954. — V. 22. — № 2. — P. 220−222.
  15. Brebrick, R.F. PbSe composition stability limits / R.F. Brebrick, E. Gubner // J. Chem. Phys. 1962.-V. 36. -№. 1. — P. 170−172.
  16. Chou, N. Retrograde solubility of PbS, PbSe and PbTe / N. Chou, K. Komarek, E. Miller//Trans. Metal. Soc. AIME. 1969. -V. 245. ~№ 7. — P. 1553−1560.
  17. , И.М. Зонная структура полупроводников / И.М. Цидиль-ковский // М.: Наука. 1978. — 328 с.
  18. , Б.А. Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А4В6 / Б. А. Волков, О. А. Панкратов, А. В. Сазонов // ЖЭТФ. -1983. Т. 85. — В. 4. — С. 1395−1408.
  19. Wei, S. Electronic and structural anomalies in lead chalcogenides / S. Wei, A. Zunger // Physical Review B. 1997. — V. 55. — № 20. — P. 605−610.
  20. Lach-hab, M. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2002. — V. 63. — P. 833−841.
  21. Heda, N.L. Study of electronic structure and Compton profiles of PbS and PbSe / N.L. Heda, A. Rathor, V. Sharma, G. Ahmed, Y. Sharma, B.L. Ahuja. // Journal of Alloys and Compounds. 2008. — V. 463. — P. 47−54.
  22. Ravindra N.M. Properties of PbS, PbSe, and PbTe / N.M. Ravindra, V.K. Srivastava//Phys. Status. Solidi (a). 1980. -V. 58. -№ 1. — P. 311−316.
  23. , P. Полупроводники / P. Смит // M.: Мир. 1982. — 560 с.
  24. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 5−0592.
  25. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 6−0354.
  26. , JI.E. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / JI.E. Шелимова, Н. Н. Томашик, В. И. Грыцив // М.: Наука. 1991. -368 с.
  27. , С.А. Получение, структура и некоторые свойства монокристаллических пленок селенида свинца / С. А. Семилетов, И. П. Воронина // ДАН СССР. 1963. — Т. 152. — № 6. — С. 1350−1353.
  28. , А.В. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник / А. В. Новоселова, В. Б. Лазарев // М.: Наука. 1978. — 340 с
  29. , В. Химия: справ, изд. / В. Шретер, К.-Х. Лаутеншлегер, X. Бибрак, А. Шнабел // М: Химия. 1989. — 648 с.
  30. , B.C. Твердые растворы в мире минералов / B.C. Урусов // Соросов-ский образовательный журнал. 1996. — № 11. — С. 54−60.
  31. , Е.С. Изоморфизм атомов в кристаллах / Е. С. Макаров // М.: Атомиздат. 1973. — 288 с.
  32. , Т.П. Термодинамическая оценка стабильности твердых растворов на основе халькогенидов свинца / Т. П. Сушкова, Г. В. Семенова, Е. В. Стрыгина // Вестник ВГУ. Серия: Химия, Биология, Фармация. 2004. № 1. — С. 94−100.
  33. Simpson, D.R. The binary system PbS-PbSe / D.R. Simpson // Economic Geology. 1964. — V. 59. — № l.-P. 150−153.
  34. , С.Д. К методике изучения фазовых диаграмм полупроводниковых систем / С. Д. Громанов, И. В. Зороацкая, З. М. Латыпов и др. // Журн. неорган. химии. 1964. — Т. 9. — № 10. — С. 2485−2487.
  35. Strauss, A.J. Pseudobinary phase diagram and existence regions for PbSi-^Se^ / A.J. Strauss, T.C. Harman // J. Electron. Mater. 1973. — V. 2. — № 1. — P. 71−85.122
  36. , JI.А. Т—x-jy-диаграмма системы PbSe-Pb-PbS / Л. А. Кузнецова, В. И. Штанов, В. П. Зломанов, В. Л. Кузнецов // Неорганические материалы. 1987. Т. 23. — № 3. — С. 390−393.
  37. Leute, V.A. Thermodynamic Description of the Quasiternary Systems. Part I. Solid Solution Pb (S, Se, Te) / V.A. Leute // Z. Metallkunde. 1996. — V. 87. — № 1. -P. 32−40.
  38. , A.A. О взаимодействии халькогенидов германия, олова и свинца в квазибинарных системах / A.A. Волыхов, Л. В. Яшина, В. И. Штанов // Неорганические материалы. 2006. — Т. 42. — № 6. — С. 662−671.
  39. Kacimi, S. Ab initio study of cubic PbSxSeix alloys / S. Kacimi, A. Zaoui, B. Abbar, B. Bounhafs // Journal of Alloys and Compounds. 2008. — V. 462. -P. 135−141.
  40. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome /L. Vegard HZ. Phys. 1921. — Bd. 5. — S. 17.
  41. Berger, H. Lattice parameters in the solid-solution system PbS^Se^ // H. Berger, H.-H. Niebsch, A. Szczerbakow // Crystal Research and Technology. 1985. -V. 20. -No.l. -P. K8−10.
  42. Labidi, М. Structural, electronic, optical and thermodynamic properties of PbS, PbSe and their ternary alloy PbSi-jSe* / M. Labidi, H. Meradji, S. Ghemid, S. Labidi, F. E1 Haj Hassan // Modern Physics Letters B. 2011. — V. 25. — № 7. — P. 473−486.
  43. Boukhris, N. Ab Initio study of the structural, electronic and thermodynamic properties of PbSe^S." PbSe, xTex and PbSi-Де* ternary alloys / N. Boukhris,
  44. H. Meradji, S. Ghemid, S. Drablia, F. El Haj Hassan // Physica Scripta. 2011. -V. 83,-№ 6.-P. 65−73.
  45. , И.И. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSi-^Se^ (0 < х < 1) / И. И Засавицкий, A.B. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов // Физика и техника полупроводников. 1985. — Т. 19. — № 12. — С. 2149−2153.
  46. , Ф.Э. Край зоны поглощения твердых растворов PbTei^S^ и PbSe.-xSx / Ф. Э. Фараджев // Физика и техника полупроводников. 1986. -Т. 20,-№ 6.-С. 1112−1114.
  47. , JI.H. Генерация когерентного излучения в PbSbxSe^ в диапазоне 4−6,5 мкм / JI.H. Курбатов, А. Д. Бритов, И. С. Аверьянов, В. Е. Мащенко, H.H. Мочалкин, А. И. Дирочка // Физика и техника полупроводников. 1968. -Т. 2. -№ 8. — С. 1200−1202.
  48. Scanion, W.W. Recent advances in optical and electronic properties of PbS, PbSe and their alloys / W.W. Scanlon // J. Phys. Chem. Solids. 1959. — V. 8. -P.423−428.
  49. , A.H. Структура валентной зоны твердого раствора PbSe0,5S0.5 / А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, С. А. Немов, JI.C. Лашкарева, С. И. Семенов // Физика и техника полупроводников. 1979. — Т. 13. — № 8. — С. 1671−1673.
  50. Grudzien, М. The Fermi level in PbbxSnxTe, Pbi-^Sn^Se and PbSi-^Se^. / M. Grudzien, A. Rogalski / Acta Physica Polonica A. 1980. — V. A58. — № 6. -P. 765−771.
  51. , Б.А. Зонная структура твердых растворов на основе соединений А4В6 // Б. А. Волков, О. А. Панкратов, А. В. Сазонов // ФТТ. 1984. Т. 26. № 2. С. 430—435.
  52. Rogalski, A. Intrinsic carrier concentration in РЬ^БпДе, PbixSnxSe, and PbS,-xSex / A. Rogalski, К Jozwikowski // Physica Status Solidi A. 1989. — V. 111. -№ 2.-P. 559−565.
  53. , А.А. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbS.-^Sex / А. А. Синятынский, А. П. Шотов // Физика и техника полупроводников. 1982. — Т. 16. — № 12. — С.2187−2190.
  54. Hoerstel, W. Density of trap tunnelling states in diffused PbSi^Sex p-n junctions / W. Hoerstel, T. Otto // Physica Status Solidi A. 1986. — V. 95. — No. 1. -P. 361−369.
  55. , И.А. Кинетика процессов самодиффузии в структурах на основе твердых растворов сульфид свинца-селенид свинца / И. А. Аверин, P.M. Печер-ская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Естественные науки. 2006. — № 5. — С. 178−183.
  56. Kumar, S. Investigations on the properties of solid solutions of pseudo-binary lead chalcogenides / S. Kumar, B. Lai, S. Rohilla, P. Aghamkar, M. Husain // Journal of Alloys and Compounds. 2010. — V. 505. — № 1. — P. 135−139.
  57. Jensen, J.D. Surface charge transport in PbSxSeix and Pb^Sn^Se epitaxial films / J.D. Jensen, R.B. Schoolar // J. Vac. Sci. Technol. 1976. — V. 13. — № 4. -P. 920−925.
  58. , И.А. Исследование электрических характеристик барьеров Шоттки на основе эпитаксиальных слоев сульфид свинца-селенид свинца / И. А. Аверин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. 2006. -№ 6. — С. 5−11.
  59. Bogdankevich, O.V. Laser effect in PbSSe compounds pumped longitudinally with an electron beam / O.V. Bogdankevich, S.V. Dryagin, A.D. Konovalov, 125
  60. G.A. Meerovich, Yu.G. Selivanov, V.A. Stepushkin, V.N. Ulasyuk, M.P. Chebota-rev, A.P. Shotov // Soviet Journal of Quantum Electronics. 1989. — V. 19. — № 10. -P. 1300−1301.
  61. , С.П. Вынужденное рекомбинационное излучение из диодов PbSxSeix / С. П. Чащин, И. С. Аверьянов, Н. С. Барышев // Физика и техника полупроводников. 1970. — Т. 4. — № 9. — С. 1794−1795.
  62. Mooradian, A. Broad-band laser emission from optically pumped PbS,^Sex / A. Mooradian, A.J. Strauss, J.A. Rossi // IEEE Journal of Quantum Electronics. 1973. — V. QE-9. — № 2. — P. 347−349.
  63. Preier, H. Double heterojunction PbS-PbS^Se^ -PbS laser diodes with cw operation up to 96 К / H. Preier, M. Bleicher, W. Riedel, H. Maier //Applied Physics Letters. 1976,-V. 28.-№ 11.-P 669−671.
  64. , А.Э. Зависимость вынужденного излучения тонких пленок PbSi-.^Se^ от температуры в интервале 50−300 К / А. Э. Юнович, А. С. Аверюшкин, И. А. Дрозд, В. Г. Огнева // Физика и техника полупроводников. 1979. — Т. 13. — № 9. — С. 1694−1700.
  65. Курбатов, JLH. Очерк истории приемников инфракрасного изучения на основе халькогенидов свинца / JI.H. Курбатов // Вопросы оборонной техники. -1995.-В. 1−2. С. 3.
  66. Sosnowsky, L. Lead Sulfide Photoconductive Cells / L. Sosnowsky, J. Starkie-wicz, O. Simpson//Nature. Lond. 1947.-V. 159.-P. 818−819.
  67. Simpson, O. Conductivity of evaporated films of PbSe /О. Simpson // Nature. Lond. 1948. -V. 159. — P. 818.
  68. Moss, T.S. Spectral response of PbSe / T.S. Moss, R.P. Chasmar // Nature. Lond. 1948. -V. 161. — P. 244.
  69. Kumar, S. Characterization of vacuum evaporated PbS thin films / S. Kumar, T.P. Sharma, M. Zulfequar, M. Husain // Physica B. 2003. — V. 325. — P. 8−16.
  70. Thangaraju, B. Spray pyrolytically deposited PbS thin films / B. Thangaraju, P. Kaliannan // Semiconductor Science and technology. 2000. — V. 15. — № 8. -P. 849−853.
  71. Mondal, A. Cubic PbS thin films on TCO glass substrate by galvanic technique / A. Mondal, N. Mukherjee // Materials Letters. 2006. — V. 60. — P. 2672−2674.
  72. Alanyaloglu, M. Preparation of PbS thin films: A new electrochemical route for underpotential deposition / M. Alanyaloglu, F. Bayrakceken, U. Demir // Electrochi-mica Acta. 2009. — V. 54. — P. 6554−6559.
  73. Aghassi, A. AC impedance and cyclic voltammetry studies on PbS semiconducting film prepared by electrodeposition / A. Aghassi, M. Jafarian, I. Danaee, F. Gobal, M.G. Mahjani // Journal of Electroanalytical Chemistry. 2011. — V. 661. — № 1. -P. 265−269.
  74. Qadri, S. B. Structural stability of PbS films as a function of temperature / S.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf// Thin Solid Films. 2003. — V. 431−432. -P. 506−510.
  75. Fainer, N.I. Growth of PbS and CdS thin films by low-pressure chemical vapour deposition using dithiocarbamates / N.I. Fainer, M.L. Kosinova, Yu.M. Rumyantsev, E.G. Salman, F.A. Kuznetsov // Thin Solid Films. 1996. — V. 280. — № 1. -P. 16−19.
  76. Puiso, J. Growth of ultra thin PbS films by SILAR technique / J. Puiso, S. Lin-droos, S. Tamulevicius, M. Leskela, V. Snitka // Thin Solid Films. 2003. -V. 428.-P. 223−226.
  77. Martin, Y.M. Arrays of thermally evaporated PbSe infrared photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Y.L. Herman-dez// Semicond. Sci. Technol. 1996. — V. 11. — P. 1740−1744.
  78. , В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. — № 6. — С. 66−112.
  79. Zykov, V.A. Self-compensation in PbSe: Tl thin films / V.A. Zykov, T.A. Gavrikova, S.A. Nemov, P.A. Osipov // Semiconductors. 1999. — V. 33. -№ 1. — P. 22−25.
  80. , H.B. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н. В. Голубченко, М. А. Иошт, В.А. Мошни-ков и др. // Перспективные материалы. 2005. — № 3. — С. 31−35.
  81. , В.В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении //В.В. Томаев, М. Ф. Панов // Физика и химия стекла. -2006.-Т. 32.-№ 3.-С. 511−515.
  82. Prabahar, S. Lead selenide thin films from vacuum evaporation method structural and optical properties / S. Prabahar, N. Suryanarayanan, K. Rajasekar, S. Sri-kanth // Chalcogenide Letters. — 2009- V. 6. — № 5. — P. 203−211.
  83. , B.H. Моделирование процессов формирования полупроводниковых слоев из координационных соединений / В. Н. Семенов, Н.М. Овечкина// Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. — Т. 9. — № 3. -С. 261−262.
  84. Ivanov, D.K. Electrochemical depositon of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si (100) / D.K. Ivanov, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Muzanik // Thin Solid Films. 2005. — V. 485. — № 1−2. — P. 39−53.
  85. Mukherjee, N. Comparative study on the properties of galvanically deposited nano- and microcrystalline thin films of PbSe / N. Mukherjee, A. Mondal // Journal of Electronic Materials. 2010. — V. 39. — № 8. — P. 1177−1185.
  86. Baleva, M.I. The PbSe metastable phase. I. The growth mechanism / M. Baleva, E. Mateeva // J. Phys. Condens. Matter. 1993. — V. 5. — № 43. — P. 7959−7970.
  87. Baleva, M.I. Infrared absorption of laser deposited PbSe films / M.I. Baleva, M.H. Maksimov, M.S. Sendova // J. Phys. C: Solid State Phys. 1987. — V. 20. -№ 7.-P. 941−951.
  88. Rumianowski, R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // Journal of Crystal Growth. 2003. — V. 252. — № 1−2. — P. 230−235.
  89. Wu, H.Z. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si (111) and observation of the PbSe growth interface / H.Z. Wu, X.M. Fang, R. Sales, Jr.D. Mc Alister, P.J. Mc Cann // J. Vac. Sci. Technol. 1999. — V. 17. — № 3. -P. 1263−1266.
  90. Ai-Ling, Y. Raman scatteing study of PbSe grown on (111) BaF2 substrate / Y. Ai-Ling, W. Hui-Zhen, L. Zhi-Feng et al. // Chinese Phys. Lett. 2000. — V. 17. -№ 8. — P. 606−608.
  91. Lambrecht, A. Molecular beam epitaxy of laterally structured lead chalcoge-nides for the fabrication of buried heterostructure lasers / A. Lambrecht, H. Bottner, M. Agne et al. // Semicond. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — № 1. — P. 334−336.
  92. Beaunier, L. Epitaxial electrodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystals // L. Beaunier, H. Cachet, M. Froment // Materials Science ir Semiconductor Processing. 2001. — V. 4. — № 5. — P. 433−436.
  93. , Я.П. Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок р-PbSe при облучении а-частицами / Я. П. Салий // Физика и техника полупроводников. 2006. — Т. 40. — № 2. — С. 177−179.
  94. , Д.М. Рентгенографическое исследование сплавов на основе халько-генидов свинца в тонких слоях / Д. М. Фрейк, В. В. Войткив, Г. М. Гайдучок, И.И. Бродин//Известия Вузов. Физика, 1972.-Т. 119. — № 11. -С. 132−134.
  95. Kumar, S. Studies on vacuum evaporated PbSixSe^ thin films / S. Kumar, M.A. Majeed Khan, S.A. Khan, M. Husain // Optical Materials. 2004. — V. 25. -P. 25−32.
  96. Kumar, R. Compositional effect on properties of PbS^-Se^ thin films / R. Kumar, G. Jain, R. Saini, P. Agarwal // Chalcogenide Letter. 2010. — V. 7. — № 4. — P. 233−240.
  97. Silverman, M.S. High-Pressure (70-kbar) Synthesis of New Crystalline Lead Dichalcogenides / M.S.Silverman // Inorg. Chem. 1966. — V. 5. — № 11. — P. 2067−2069.
  98. Fujita, S. Preparation of PbSxSe,-x thin films by co-evaporation method / S. Fujita, H. Ozaki, T. Shiosaki, A. Kawabata // Journal of the Vacuum Society of Japan. 1977.-V. 20.-№ 12.-P. 412−418.
  99. Duh, K. Properties of PbSi-^Se^ epilayers deposited onto PbS substrates by hot-wall epitaxy / K. Duh, H. Preier // Journal of Materials Science. 1975. -V. 10.-P. 1360−1366.
  100. Bleicher, M. iV-type PbS and PbS.-xSex layers prepared by the hot-wall epitaxy / M. Bleicher, H.-D. Wurzinger, H. Maier, H. Preier // Journal of Materials Science. -1977. -V. 12. P. 317−322.
  101. , И.А. Термодинамическое исследование условий синтеза слоев твердых растворов PbSixSex / И. А. Аверин, Ю. Н. Блохин, О. Ф. Луцкая // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. — Т. 24. — № 2. — С.219−222.
  102. Neuelmann, R. The growth of epitaxial single-crystals PbSi-^Se^ films by hot wall evaporation / R. Neuelmann, A. Marino, K. Reichelt // Journal of Crystal Growth. 1983. — V. 64. — № 3. — P. 609−612.
  103. Kovalev, A.N. The depth profile of the elements in lead chalcogenide layers / A.N. Kovalev, V.V. Korablev//Thin Solid Films. 1988. -V. 161. — P. 281−287.
  104. Chu, Т.К. Growth of PbSTSe.^ on heteroepitaxial BaF2/Si substrates / Т.К. Chu, C. Huber, F. Santiago, A. Martinez, H. Zogg, S. Blunier, C. Maissen, A.P. Taylor, L.J. Schowalter // Heteroepitaxy of Dissimilar Materials Symposium. -1991.-P. 483−488.
  105. McLane, G.F. Vacuum deposited epitaxial layers of PbS^e* for laser devices / G.F. McLane, K.J. Sieger // Journal of Electronic Materials. 1975. — V. 4. -№ 3. — P. 465−479.
  106. Schoolar, R.B. Equilibrium growth technique for preparing PbSxSeix epilay-ers.//Pat. US № 4.154.631, — 1979.
  107. Mihailescu, G. A simple and versatile low frequency technique for ternary chalcogenide film preparation / G. Mihailescu, G. Borodi, R.M. Candea // Journal of Materials Science Letters. 1994. — V. 13. — № 23. — P. 1675−1676.
  108. , А.Ю. Взаимодиффузия слоев в эпитаксиальных сверхрешетках PbSe-PbS / А. Ю. Сипатов // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 68. — № 9. -С. 685−687.
  109. , В.Ф. Гидрохимический синтез пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В. Ф. Марков, JI.H. Маскаева, П. Н. Иванов // Екатеринбург: УрО РАН. 2006 — 218 с.
  110. Dobson, K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Solar Energy Materials & Solar Cells. -2003.-V. 80.-P. 283−296.
  111. Valenzuela-JaMuregui, J.J. Optical properties of PbS thin films chemically deposited at different temperatures / J.J. Valenzuela-JaMuregui, R. Ramirez-Bon, A. Mendoza-Galvan, M. Sotela-Lerma // Thin Solid Films. 2003. — V. 441. -P. 104−110.
  112. Mane, R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin / R.S. Mane, C. D. Lokhande // Mat. Chem. Phys. 2000. — V. 65. — №. 1. — P. 1−31.
  113. Salim, S.M. Growth and characterization of lead sulfide films deposited on glass substrates / S.M. Salim, O. Hamid // Renewable Energy. 2001. — V. 24. -P. 575−580.
  114. Seghaier, S. Structural and optical properties of PbS thin films deposited by chemical bath deposition / S. Seghaier, N. Kamoun, R. Brini, A.B. Amara // Materials Chemistry and Physics. 2006. — V. 97. — № 1. — P. 71−80.
  115. Pintilie, I. Growth and characterization of PbS deposited on ferroelectric ceramics //1. Pintilie, E. Pentia, L. Pintilie, D. Petre, C. Constantin, T. Botila // Journal of Applied Physics. 1995. — V. 78. — № 3. — P. 1713−1718.
  116. Dutta, A.K. Nucleation and growth of lead sulfide nano- and microcrystallites in supramolecular polymer assemblies / A.K. Dutta, T. Ho, L. Zhang, P. Stroeve // Chem. Mater. 2000. — V. 12. — P. 1024−1028.
  117. Saraidarov, T. NanoCrystallites of Lead Sulfide in Hybrid Films Prepared by SolGel Process / T. Saraidarov, R. Reisfeld, A. Sashchiuk, E. Lifshitz, J. Sol-Gel Sci. Tech. 2005. — V. 34. — P. 137−145.
  118. Sarma, Y.S. PbS-Si heterojunctions: growth and structural properties / Y.S. Sarma, H.N. Acharya, N.K. Misra // Journal of Materials Science. 1986. -V. 21. — № l.-P. 137−141.
  119. Gaiduk, A. P. Chemical bath deposition of PbS nanocrystals: Effect of substrate / A.P. Gaiduk, P.I. Gaiduk, A.N. Larsen // Thin Solid Films. 2008. -V. 516.-P. 3791−3795.
  120. , Г. А. Исследование процессов получения халькогенидов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия: дисс. д-ра хим. наук / Г. А. Китаев. Свердловск. — 1971.-431 с.
  121. , А.Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: дисс.. к-та хим. наук / А. Б. Лундин -Свердловск. 1967. — 133 с.
  122. , Г. М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца из растворов на поверхности стекла: дисс.. к-та хим. наук / Г. М. Фофанов Свердловск. — 1968. — 121 с.
  123. , В.Ф. Физико-химические закономерности направленного хи-миического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: дисс.. д-ра хим. наук / В. Ф. Марков. Екатеринбург. — 1998.-366 с.
  124. , JI.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Me^Pbj^S (Me Zn, Cd, Cu, Ag): дисс.. д-ра хим. наук / Л. Н. Маскаева. — Екатеринбург. — 2004. — 386 с.
  125. , П.Н. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов: фрактально-кластерный механизм роста, роль анионов, размерный эффект: дисс.. к-та хим. наук / П. Н. Иванов -Екатеринбург. 2006. — 171 с.
  126. Kicinski, F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide / F. Kicinski // Chem. Ind. 1948. — № 4. — P. 54−57.
  127. Milner, C.J. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts / Nature. 1949. — V. 163. — P. 322−326.
  128. Hodes, G. Chemical solution deposition of semiconductor films / G. Hodes // New York: Marcel Dekker Inc. 2002. — 376 p.
  129. Abbas, M.M. Effect of Deposition Time on the Optical Characteristics of Chemically Deposited Nanostructure PbS Thin Films / M.M. Abbas, A. Ab-M. She-hab, A-K. Al-Samuraee, N-A. Hassan // Energy Procedia. 2011. — V. 6. -P. 241−250.
  130. Choudhury, N. Structural analysis of chemically deposited nanocrystalline PbS films / N. Choudhury, B.K. Sarma // Thin Solid Films. 2011. — V. 519. -№ 7.-P. 2132−2134.
  131. , В. Г. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца / В. Г. Буткевич, Е. Р. Глобус, Л. Н. Залевская // Прикладная физика. 1999. — № 2. (http://www.vimi.ru).
  132. , С.И. Структура и оптические свойства нанокристалличе-ских пленок сульфида свинца / С. И. Садовников, Н. С. Кожевникова, А.А. Рем-пель // Физика и техника полупроводников. 2010. — Т.44. — № 10. -С.1394−1400.
  133. Ubale, A.U. Thickness dependent structural, electrical and optical properties of chemically deposited nanopartical PbS thin films / A.U. Ubale, A.R. Junghare,
  134. N.A. Wadibhasme, A.S. Daryapurkar, R.B. Mankar, V.S. Sangawar // Turkish Journal of Physics. 2007. — V. 31 — № 5. — P. 279−286.
  135. Patil, R.S. Characterization of chemically deposited nanocrystalline PbS thin films / R.S. Patil, H.M. Pathan, T.P. Gujar, C.D. Lokhande // J Mater Sci. 2006. -V. 41.-№ 17.-P. 5723−5725.
  136. Yang, Y.J. The deposition of highly uniform and adhesive nanocrystalline PbS film from solution / Y.J. Yang, S. Hu // Thin Solid Films. 2008. — V. 516. -P. 6048−6051.
  137. Ichimura, M. Synthesis of PbS in aqueous solutions by photochemical reactions / M. Ichimura, T. Narita, K. Masui // Materials Science & Engineering B. -2002. V. B96. — №. 3. — P. 296−299.
  138. Zingaro, R.A. Chemical deposition of thin films of lead selenide / R.A. Zingaro, D.O. Skovlin // J. Electrochem. Soc. 1964. — V. 111. — № 1. — P. 42−47.
  139. , А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1965. — Т. 1. — № 12. — С. — 2102−2106.
  140. , Г. А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г. А Китаев, А. Б. Лундин, С. Г. Мокрушин // Изв. ВУЗов СССР. Химия и химическая технология. 1966. — № 4. — С. 574−576.
  141. , Н.А. Кинетика гидрохимического осаждения пленок селенида свинца, их состав, структура и свойства / Н. А. Третьякова, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2005. Т. 7.-№ 2. — С. 189−194.
  142. , Х.Н. Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца / Х. Н. Мухамедзянов, С. И. Ягодин, М. П. Миронов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Ж. Цветные металлы. 2009. -№ 12.-С. 41−45.
  143. , Н.В. Кинетика гидрохимического осаждения селенида свинца из цитратно-аммиачной системы / Н. В. Замараева, Л. Н. Маскаева, И. В. Зарубин, В. М. Баканов, В. Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. 2011. — Т. 26. -№ 12.-С. 37−44.
  144. , Г. А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г. А. Китаев, А. Ж. Хворенкова // Журнал прикладной химии. 1999. — Т. 72. — № 9. — С. 1440−1443.
  145. Kale, R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kale, S.D. Sartale, V. Ganesan et al. // Applied Surface Science. 2006. — V. 253. — № 2. — P. 930−936.
  146. Grozdanov, I. A simple and low-cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films /1. Grozdanov // Semicond. Sci. Technol. 1994. — V. 9. -№ 6.-P. 1234−1241.
  147. Ishiwu, S. The optical and solid state properties of lead selenide thin films grown by chemical bath deposition technique // S. Ishiwu, M.N. Nnabuchi // Journal of Ovonic Research. 2010. — V. 6. — № 2. — P. 81−86.
  148. Hankare, P.P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films / P.P. Hankare, S.D. Delekar, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Sabane, L.V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. 2003. — V. 82. -P. 505−508.
  149. Kassim, A. Preparation and characterization of PbSe thin films by chemical bath deposition / A. Kassim, T.W. Tee, D.K. Abdullah, M.J. Haron, H.S. Min, S. Monohorn, S. Nagalingam // Jurnal Kimia. 2010. — V. 4. — № 1. — P. 1−6.
  150. , H.E. / Chemically deposited lead selenide photoconductive / H.E. Spenser, J.V. Morgan//Pat. US № 3.121.023. 1964.
  151. Sarma, Y.S. A solution growth technique for depositing PbSxSei-x thin films / Y.S. Sarma, H.N. Acharya, N.K. Misra // Thin Solid Films. 1982. — V. 90. -№ 2. — P. L43-L47.
  152. Sarma, Y.S. Solution-grownp-n PbS^Se^-Si heterojunctions for near-infrared applications / Y.S. Sarma. H.N. Acharya, N.K. Misra // Infrared Physics. 1984. -V.24. — № 5. — P. 425−428.
  153. Sarma, Y.S. Growth and structural properties of solution-grown PbS^Sei-* thin films and PbS^Se^-Si heterostructures / Y.S. Sarma, N.K. Misra, H.N. Acharya // Indian Journal of Physics A. 1989. — V. 63A. — № 5. — P. 445−456.
  154. , Ю.Н. Промежуточный комплекс в химических реакциях / Ю. Н. Макурин, Р. Н. Плетнев, Д. Г. Клещев, H.A. Желонкин // Свердловск: УрО РАН. 1990.- 198 с.
  155. P.A. Образование сульфидов свинца (II) и таллия (I) в щелочных растворах тиосемикарбазида и тиомочевины / P.A. Юсупов, A.A. Попель. Ю. И. Сальников и др. // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1979 — Т. 22. -№ 5.-С. 515−519.
  156. , К. Получение полупроводников // М.: Мир. 1964. — 436 с.
  157. , Т.В. К вопросу о тиомочевинном методе получения сульфидов / Т. В. Крамарева, JI.A. Косарева, В. М. Шульман // Халькогениды (свойства, методы, получение и применение). Киев. — 1967. — 192 с.
  158. , В.Ф. Расчет граничных условий образования твердой фазы сульфидов и селенидов металлов осаждением тио-, селеномочевиной / В. Ф. Марков, J1.H. Маскаева // Журнал физической химии. 2010. — Т. 84. -№ 8.-С. 1421−1426.
  159. , В.Ф. Механизм зародышеобразования пленок сульфидов металлов / В. Ф. Марков, JI. Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. 2011. -Т. 24. -№ 2. — С. 33−41.
  160. , О.П. Физико-химические закономерности формирования пленок халькогенидов металлов в динамических условиях. Дис.. канд. хим. наук / О. П. Ушаков. Свердловск. — 1983. — 225 с.
  161. , A.A. Статические функции распределения / A.A. Власов // М.: Наука. 1966. — 356 с. (С. 324−356).
  162. , H.B. Процессы реального кристаллообразования / Н. В. Белов // М.: Наука, 1977.-235 с.
  163. , Б.М. Механизм роста кристаллов сульфидов кадмия из газовой фазы // Б. М. Булах, H.H. Шефталь // В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. 1974. -Т. 10.-С. 115−134.
  164. , H.H. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов // H.H. Шефталь // В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. 1974. — Т. 10. — С. 195−220.
  165. , С.Г. Образование CdS на границе раздела фаз твердое тело -раствор / С. Г. Мокрушин, Ю. Д. Ткачев // Колл. журн. 1961. — Т. 23. — № 4. -С. 438−441.
  166. , И.Т. О возможности применения теории светорассеяния для расчета размера частиц сульфида кадмия в процессе его образования из растворов / И. Т. Романов, Г. А. Китаев // Колл. журн. 1979. — Т. 41. — № 3.1. C. 590−594.
  167. , JI.H. Оценка числа зародышей, образующихся по гомогенному механизму в объеме водного раствора / JI.H. Маскаева, Г. А. Китаев, В. Ф. Марков // Тр. Второй межрегион, конф. с межд. участием. Красноярск. -1999.-С. 42.
  168. Dutt, М. Size of particle obtained by solution growth technique / M. Dutt,
  169. D. Kameshwari, D. Subbarao // Colloids and Surfaces. A. Physicochem. and Engineer. Acpects. 1998. — V. 133. — P.89−91.
  170. , Б.М. Физика фрактальных кластеров / Б. М. Смирнов // М.: Наука. 1991. — 134 с.
  171. , В. Ф. Особенности формирования пленок сульфидов металлов из водных растворов / В. Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Бутлеровские сообщения. 2011. — Т. 24. — № 2. — С. 42−50.
  172. , П.Н. Использование фрактального формализма при моделировании процесса гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов /
  173. П.Н. Иванов, В. Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Е. И. Степановских // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2005. — № 1. — С. 29−32.
  174. , Т.П. Использование селеномочевины для получения пленок селенидов цинка и свинца на твердых подложках и их осадков из растворов: дисс.. к-та хим. наук / Т. П. Соколова Екатеринбург. — 1972. — 201 с.
  175. Gorer, S. Chemical solution deposition of lead selenide films: a mechanistic and structural study / S. Gorer, A. Albu-Yaron, G. Hodes // Chem. Muter. 1995. -V. 7.-P. 1243−1256.
  176. , В.Ф. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок PbS, осажденных из галогенидсодержащих растворов / В. Ф. Марков, А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, JI.H. Маскаева // Перспективные материалы. 2008 — № 3. — С. 28−32.
  177. , В.Ф. Кинетика химического осаждения PbS в присутствии гало-генидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства / В. Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Г. А. Китаев // Журн. прикл. химии. 2000. — Т. 73. -С.1256−1259.
  178. Larramendi, Е.М. Effect of surface structure on photosensitivity in chemically deposited PbS thin films / E.M. Larramendi, O. Calzadilla, A. Gonzales-Arias, E. Hernandez, J. Ruiz-Garcia // Thin Solid Films. 2001. — V. 389. — P. 301−306.
  179. С.А. Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe / С. А. Немов, М. К. Житинский, В. И. Прошин // Физика и техника полупроводников. 1991. — Т. 25.-В. 1.-С. 114−117.
  180. Pentia, Е. Influence of Sb3+ ions on photoconductive properties of chemically deposited PbS films / E. Pentia, L. Pintilie, C. Tivarus, I. Pintilie, T. Botila // Materials Science & Engineering B. 2001. — V. 80. — № 1. — P. 23−26.
  181. Simic, V.M. Influence of impurity on photosensitivity of chemically deposited lead sulfide layer / V.M. Simic, Z.B. Marinkovich // J. Infrared Phys. 1968. -V. 8.-P. 189−195.
  182. Pentia, E. Bi influence on growth and physical properties of chemical deposited PbS films / E. Pentia, L. Pintilie, T. Botila, I. Pintilie, A. Chaparro, C. Maffiotte // Thin Solid Films. 2003. — V. 434. — P. 162−170.
  183. Nascu, C. The study of lead sulphide films. VI. Influence of oxidants on the chemically deposited PbS thin films // C. Nascu, V. Vomir, I. Pop, V. Ionescu, R. Grecu / Thin Solid Films. 1997. — V. 307. — № 1−2. — P. 240−244.
  184. Buger, P.A. The spectral response of PbS films // P.A. Buger, O.G. Malan, O.A. Kunze // Z. Naturforsch. A. 1971. — V. 26. — № 12. — P. 1995−1997.
  185. Ghamsari, M.S. The influence of hydrazine hydrate on the photoconductivity of PbS thin film /M.S. Ghamsari, M.K. Araghi, S.J. Farahani // Materials Science and Engineering B. 2006. — V. 133.-P. 113−116.
  186. , JI.H. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / JI.H. Неу строев, В. В. Осипов // Физика и техника полупроводников. 1984. — Т. 18. — № 2. — С. 359−362.
  187. , Г. А. Окисление химически осажденного сульфида свинца / Г. А. Китаев, Л. Г. Протасова, В. Г. Косенко, В. Ф. Марков // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1993. — Т. 29. — № 7. — С. 1017−1018.
  188. , В.И. Фотоэлектрическая активность кислорода в пленках сульфида свинца / В. И. Ильин // Физика и техника полупроводников. 1970. -Т. 4. -№ З.-С. 31−34.
  189. , A.M. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца / A.M. Гаськов, А. А. Гольденвейзер, И. А. Соколов, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // Доклады АН СССР. 1983. -Т. 269.-№ З.-С. 607−609.
  190. , Р. Лазерный и термический отжиг тонких пленок сульфида свинца / Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, Я. Синюс // Физика и техника полупроводников. 1983. — Т. 17. — № 10. — С. 1857−1859.
  191. Pop, I. The study of lead sulfide films: the behaviour at low-temperature thermal treatment /1. Pop, V. Ionescu, C. Nascu, V. Vomir, R. Grecu, E. Indrea // Thin Solid Films. 1996. — V. 283. — № 1−2. — P. 119−123.
  192. Oriaku, C.I. Analysis of thin chalcogenide PbS films prepared from chemical bath / C.I. Oriaku, J.C. Osuwa // Pacific Journal of Science and Technology. 2008. — V. 9. -№ 2. — P. 461−467.
  193. Raniero, L. Optical and morphological properties of annealed PbS thin films obtained from a chemical solution / L. Raniero, C.L. Ferreira // Materials Science Forum. 2004. — V. 455−456. — P. 128−131.
  194. Raniero, L. Photoconductivity activation in PbS thin films grown at room temperature by chemical bath deposition / L. Raniero, C.L. Ferreira, L.R. Crus, A.L. Pinto, R.M.P. Alves // Physica B. 2010. — V. 405. — P. 1283−1286.
  195. , В.Г. О роли поверхностного окисла в фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца / В. Г. Буткевич, И. А. Дрозд, О. Р. Ниязова, A.M. Сусова // Физика и техника полупроводников. 1976. — Т. 10. -№ 8.-С. 1528−1531.
  196. , С.И. Анализ процесса окисления сульфида свинца / С. И. Андреев, М. И. Камчатка, Ю. М. Чащинов // Известия СПбГЭТУ (ЛЭТИ). 1996. -Вып. 495: Современные материалы и методы исследований микроэлектроники и оптоэлектроники. — С. 89−93.
  197. , Л.Н. О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS / Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов // Физика и техника полупроводников. 1987. — Т. 21. — № 12. — С. 2159−2163.
  198. Briones, F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. 1981. — V. 78. -№ 4. — P. 385−395.
  199. Espevik, S. Mechanism of photoconductivity in chemically deposited lead sulfide layers / S. Espevik, W. Chen-ho, R.H. Bube // Journal of Applied Physics. -1971. V. 42. — № 9. — P. 3513−3529.
  200. , О.А. Фрактальные свойства перколяционной проводимости поликристаллических слоев PbS / О. А. Гудаев, В. К. Малиновский, Э. Э. Пауль // Письма в ЖЭТФ. 1990. — Т. 52. — № 5. — С. 917−920.
  201. , Н.В. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления / Н. В. Голубченко, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Физика и химия стекла. -2006. Т. 32. — № 3. — С. 464−478.
  202. Bob V. Mc.Lean. Method of production of lead selenide photodetector cells / Bob V. Mc. Lean // Pat. USA № 2.997.409 cl. l 17−201 23.08.1961.
  203. Martin, Y.M. Arrays of termally evaporated PbSe infrared on sisubstrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Y.L. Hermandez // Semicond. Sci. Tech-nol. 1996. — V. 11.-P. 1740−1744.
  204. , B.M. Термосенсибилизация химически осажденных пленок селенида свинца / В. М. Баканов, З. И. Смирнова, JI.H. Маскаева, Х.Н. Мухамедзя-нов, В. Ф. Марков // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2011.— Т. 13.-№ 4.-С. 35−43.
  205. Candea, R.M. Effect of thermal annealing in air on VE COD and CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Turcu, GBorodi, J. Bratu // Phys. Stat. Sol. A. 1987. -V. 100.-№ l.-P. 149−155.
  206. , JI.В. Влияние термообработки на микроструктуру слоев PbS и PbSe / Л. В. Дегтева, Г. П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. -1971.-Т. 7. -№ 7. С. 1263−1265.
  207. Biro, L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, Al. Darabont, P. Fitori // Europhys. Lett. 1987. — V. 4. — № 6. — P. 691−696.
  208. , В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В. П. Попов, П. А. Тихонов, В. В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. — Т. 29. — № 5. — С. 686−694.
  209. , А.Е. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа /
  210. A.Е. Гамарц, В. М. Лебедев, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38. — № 4. -С. 1195−1198.
  211. , Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б. А. Поповкин, Л. М. Ковба, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // ДАН СССР. 1959.-Т. 129. -№ 4. — С. 809−812.
  212. , В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В. П. Зломанов, О. И. Тананаева, А. В. Новоселова // Журн. неорган, химии. 1961.-Т. 6. -№ 12.-С. 2753−2757.
  213. , Т.Т. Исследование масс-спектров продуктов десорбции и фотоэлектрических характеристик химически осажденных слоев селенида свинца / Т. Т. Быкова, А. Л. Данилов, М. С. Давыдов // Уч. записки ЛГУ. 1974. -№ 371.-С. 3−7.
  214. Jonson, T.N. Solutions and methods for depositing lead selenide / T.N. Jonson //Pat. US № 3.178.312. cl. 117−201.- 13.04.1965.
  215. , H.B. Влияние примесей на кинетику и механизм термического окисления поликристаллических слоев PbSe / H.B. Голубченко,
  216. B.А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Неорган, материалы. 2006. — Т. 42. — № 9.1. C. 1040−1049.
  217. Stober, D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.-H. Bachem, M. Binnewies // J. Cryst. Growth. 1992. — V. 121. -№ 4. — P. 656−664.
  218. , В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ФГУП «НПО Орион» и перспективы развития / В. Г. Буткевич, Е. Р. Глобус, Г. А. Казанцев, Ю. П. Бутров, Л. Я. Лебедева // Прикладная физика. 1999. — № 2. (http: www.vimi.ru).
  219. , М.Д. Современное состояние и новые направления полупроводниковой ИК-фотоэлектроники (Часть 1) / М. Д. Корнеева, В. П. Пономаренко,
  220. A. М. Филачёв // Прикладная физика. 2011. — № 2. — С. 47−60.
  221. , Г. А. Особенности получения и обработки ИК-изображений в матричных фотоприемниках с координатной адресацией на основе халькогенидов свинца / Г. А. Агранов, A.M. Дакин, В. К. Нестеров, С. К. Новоселов // Оптич. журнал. 1996. — № 9. — С. 53−57.
  222. , В.Т. Пороговые характеристики и матрицы ИК-диапазона /
  223. B.Т. Хряков, В. П. Пономаренко, В. Г. Буткевич, И. И. Таубкин, В. И. Стафеев,
  224. C.А. Попов // Оптич. журнал. 1992. — № 12. — С. 33−34.
  225. , В.Д. Фотоприемное устройство на основе 64-элементных фоточувствительных структур на селениде свинца / В. Д. Бочков, Б. Н. Дражников, М. Л. Храпунов // Прикладная физика. 2005. — № 2. — С. 64−65.
  226. , В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца для применения в тепловидении / Волков В. Г. // Электронные компоненты. 2008. -№ 11.- С. 56−61.
  227. , C.B. Регистрация коротких световых импульсов фотоприемными устройствами на основе фоторезисторов с большой инерционностью / C.B. Бушман, Л. И. Горелик, Н. В. Кравченко, K.M. Куликов, А. К. Петров // Прикладная физика. 2007. — № 5. — С. — 86−89.
  228. De Frutos, J. Electrooptical infrared compact gas sensor / J. de Frutos, J.M. Rodriguez, F. Lopez, A.J. de Castro, J. Melendez, J. Meneses // Sensors and Actuators B: Chemical. 1994. — V. 19. — № 1−3. — P. 682−686.
  229. Horka, V. Laser diode photoacoustic detection in the infrared and near infrared spectral ranges / V. Horka, S. Civis, Li-Hong Xu, R.M. Lees // Analyst. 2005. -V. 130.-P. 1148−1154.
  230. , В.Ф. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Журн. аналит. химии. 2001. — Т. 56. — № 8. — С. 546−550.
  231. , A.B. Быстродействующие инфракрасные детекторы обнаружения очагов открытого пламени и тления / A.B. Шнайдер, М. П. Миронов A.B. Гусельников, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Пожаровзрывобезопасность. 2008. — Т. — 17. — № 2. — С.74−76.
  232. , К.В. Фурье-спектрометр АОСТ для исследования МАРСА и ФОБОСА с борта КА «ФОБОС-ГРУНТ» / К. В. Гречнев, A.B. Григорьев, Л. В. Засова и др. // ИКИ РАН: Выездной семинар «Космическое приборостроение». 2006. — Таруса. — Россия. — С. 39−40.
  233. Mukherjee, S. Lead Salt Thin Film Semiconductors for Microelectronic Applications / S. Mukherjee, D. Li, A. Gautam, J.P. Kar, Z. Shi // Kerala: Transworld Research Network. 2010. — 94 p.
  234. Schoolar, R.B. Narrow band detection with epitaxial PbS^Se,-* films / R.B. Schoolar // IEEE Transactions on Electron Devices. 1975. — V. ED22. -№ 11.- P. 1063.
  235. Schoolar, R.B. Composition-tuned PbSxSei^ Schottky-barrier infrared detectors // R.B. Schoolar, J.D. Jensen, G. M. Black // Applied Physics Letters. 1977. -V. 31. -№ 9. — P. 620−622.
  236. Schoolar, R.B. Multispectral PbS^Sei-* and PbvSni-vSe photovoltaic infrared detectors / R.B. Schoolar, J.D. Jensen, G.M. Black, S. Foti, A.C. Bouley // Infrared Physics. 1980. — V. 20. — № 4. — P. 271−275.
  237. Rogalski, A. PbSi-^Se^ (0 < x < 1) photovoltaic detectors: carrier lifetimes and resistance-area product // A. Rogalski, W. Kaszuba. Infrared Physics. 1983. -V. 23.-№ l.-P. 23−32.
  238. Zogg, H. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / H. Zogg, A. Fach, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier // Optical Engineering. 1994. -V. 33.-№ 5.-P. 1440−1449.
  239. , С.П. Неохлаждаемые светодиоды для области спектра 3−5 мкм на основе PbS^Sei-* / С. П. Чащин, B.C. Манько, О. В. Зотов, B.C. Макаров, Б. П. Пырегов // Оптический журнал. 1993. — № 9. — С. 79−80.
  240. Shotov, А.Р. Development of Lead-chalcogenide tunable diode lasers for 3 to 40 цм spectral region of Lebedev Physical Institute // Proc. SPIE. 1992. -V. 1724. — P. 64−77.
  241. Шотов, А.П. PbSixSex лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии / А. П. Шотов, А. А. Синятынский // Письма в ЖТФ. 1983. — Т. 9. — № 14. — С. 881−884.
  242. , М.С. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца / М. С. Мурашов, А. П. Шотов // Квантовая электроника. 1995. — Т. 22. — № 12. — С. 1255−1256.
  243. Murashov, M.S. Autowaves of the carrier density in PbSi-^Se^ injection lasers / M.S. Murashov, A.P. Shotov // Soviet Journal of Quantum Electronics. 1989. -V. 19. -№> 12.-P. 1559−1563.
  244. , А.П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с раздельным электронным и оптическим ограничением, полученные методом молекулярной эпитаксии / А. П. Шотов, Ю. Г. Селиванов // Письма в ЖТФ. 1986. — Т. 12. — № 22. -С. 1386−1389.
  245. , А.П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области / А. П. Шотов, Ю. Г. Селиванов // Письма в ЖЭТФ. Т. 45. — № 1. — С. 5−7.
  246. Lo, W. Diffused homojunction lead-sulfide-selenide diodes with 140 К laser operation / W. Lo, Don E. Swets // Appl. Phys. Lett. 1978. — V. 33. — № 11. -P. 938−940.
  247. Linden, K.J. Single heterostructure lasers of PbSi-^Se^ and Pb^Sn^Se with wide tenability / K.J. Linden, K.W. Nill, J.F. Butler // IEEE Journal of Quantum Electronics. 1977. — V. QE-13. — № 8. — P. 720−725.
  248. Kressel, H. Materials for heterojunction devices / H. Kressel // Ann. Rev. Mater. Sci. 1980. — V. 10. — P. 287−309.
  249. Freed, C. Fundamental linewidth in solitary, ultranarrow output PbSi-.xSe, diode lasers / C. Freed, J.W. Bielinski, W. Lo // Applied Physics Letters. 1983. -V. 43,-№ 7.-P. 629−631.
  250. Vilhelmsson, K. Optically pumped mode-locked PbSixSex lasers / K. Vil-helmsson, B. Valk, M.M. Salour, Т.К. Chu // Appl. Phys. Lett. 1987. — V. 50. -№ 13. — P. 807−808.
  251. Qadeer, A. A comparative study of properties of homojunction, single hetero-junction and double heterojunction PbSi-^Se* diode lasers / A. Qadeer, F.J. Bryant // Solid-State Electronics. 1984. — V. 27. — № 8−9. — P. 733−740.
  252. Bryant, F.J. Characteristics of double heterostructure PbSixSex diode lasers prepared by compositional interdiffusion / F.J. Bryant, A. Qadeer // IEE Proceedings I (Solid-State and Electron Devices). 1984. — V. 131. — № 4. — P. 113−120.
  253. Henini, M. An overview of narrow bandgap semiconductors / M. Henini // III-Vs Review. 1994. — V. 7. — № 3. — P. 44−49.
  254. Preier, H.M. Lead chalcogenide diode lasers: state of art and applications / H.M. Preier / Lecture Notes in Physics. 1982. — V. 152. — P. 289−293.
  255. Tacke, M. Lead-salt lasers / M. Tacke // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. -2001. -V. 359. P. 547−566.
  256. Nill, K.W. Infrared Spectroscopy of CO using a tunable PbSSe Diode Laser / K.W. Nill, F.A. Blum, A.R. Calawa, T.C. Harman // Applied Physic Letter. 1971. -V. 19. -№ 4. -P. 79−82.
  257. Preier, H. NO spectroscopy at 100 K with a PbS0.4Se0.6 diode laser / H. Preier, W. Riedel // Applied Physics Letters. 1974. — V. 25. — № 1. — P. 55−56.
  258. Vansteenkiste, T.H. Photoacoustic measurement of carbon monoxide using a semiconductor diode laser / T.H. Vansteenkiste, F.R. Faxvog, D.M. Roessler // Applied Spectroscopy. 1981. — V. 35. — № 2. — P. 194−196.
  259. Wahlen, M. Tunable diode laser spectroscopy of 14C02: absorption coefficients and analytical applications / M. Wahlen // Applied Optics. 1977. — V. 16. -№ 9.-P. 2350−2352.
  260. Murtz, M. Stabilization of 3.3 and 5.1 ?am lead-salt diode lasers by optical feedback / M. Murtz, M. Schaefer, M. Schneider, J.S. Wells, W. Urban, U. Schiessl, M. Tacke // Optics Communications. 1992. — V. 94. — P. 551−556.
  261. , В.П. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте / В. П. Пильников, JI.H. Маскаева, Г. А. Китаев, В. А. Лисовая // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технол. 1976. -Т. 19. — В. 7. — С. 1093−1098.
  262. , JI. Введение в курс химического равновесия и кинетики / Л. Мейтис // M.: Мир. 1984. — 484 с.
  263. , Г. Комплексонометрическое титрование / Г. Шварценбах, Г. Флашка // М.: Химия. 1970. — 360 с.
  264. , Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов // М.: Наука. 1977.-368 с.
  265. Rietveld, Н.М. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures / H.M. Rietveld // Appl. Cryst. 1969. — V. 2. — № 2. — P. 65−71.
  266. , A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов / A.B. Чичагов, Л.В. Сипавина//М.: Наука. 1982. — 171 с.
  267. , A.C. Руководство пользователя пакета программного обеспечения для управления сканирующим зондовым микроскопом и обработки изображений Фемтоскан Онлайн (Версия 2.3.89) / A.C. Филонов, А. Д. Сушко, И. В. Яминский // http://www.nanoscopy.net.
  268. , Р.Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р. Д. Мухамедьяров, В. И. Стук, О. Ю. Блинов, В. Н. Жуков, Г. А. Китаев // Приборы и техника эксперимента. 1976. — № 6. — С. 234.
  269. , Г. А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1974. -Т. 17.-№ 9.-С. 1427−1428.
  270. , Г. А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1976. -Т. 19.-№ 6.-С. 941−943.
  271. , Дж.Н. Ионные равновесия / Дж.Н. Батлер // М.: Химия. 1973. -446 с.
  272. Ю.Г. Курс коллоидной химии / Ю. Г. Фролов // М.: Химия. -1989.-462 с.
  273. , В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов и их тиомочевинных координационных соединений: дисс.. д-ра хим. наук / В. Н. Семенов. Воронеж. — 2002. — 355 с.
  274. , В.Л. Физико-химические превращения реальных кристаллитов р минеральных системах / В. Л. Таусон, М. Г. Абрамович // Новосибирск: Наука. -1988.-272 с.
  275. , Е.И. Размер кристаллического зародыша кубической формы / Е. И. Ахумов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1984. — Т. 27. — № 12. -С. 1425−1427.
  276. , Н.В. Интерпретация полярографических волн полимеризо-ванных гидроксолей / Н. В. Аксельруд / ДАН СССР. 1954. — Т. 98. — № 5. -С. 799−802.
  277. , Ю.Ю. Справочник по аналитической химии / Ю. Ю. Лурье / М.: Химия. 1989. 448 с.
  278. , В.Ф. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины / В. Ф. Марков, Л.Н. Маскае-ва, Г. Г. Ливийская, И. М. Морозова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. Т. 23. — № 3. — С. 120−125.
  279. , Т.В. Температурные зависимости констант гидролитического разложения тиомочевины и ступенчатой ионизации цианамида / Т. В. Виноградова, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Журнал общей химии. 2010. -Т. 80.-№ 11.-С. 1878−1883.
  280. , Г. Б. Справочник термодинамических величин / Г. Б. Наумов, Б. Н. Рыженко, И. Л. Ходаковский // М.: Атомиздат. 1971. — 240 с.
  281. , Г. А. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца / Г. А. Китаев, Г. М. Фофанов, А. Б. Лундин / Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1967. — Т. 3. — № 3. — С. 473−478.
  282. , A.C. Гидрохимический синтез пленок халькогенидов металлов. Часть 6. Кинетико-термодинамические исследования условий образования твердых растворов замещения PbSySeiy в цитратно-аммиачной системе /
  283. A.C. Катышева, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. -2010. Т. 22. — № 10. — С. 10−16.
  284. , А.Б. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз PbS раствор / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. — 1967. — Т. — 10. — № 4. — С. 408−411.
  285. , А.Г. Физическая химия / А. Г. Стромберг, Д. П. Семченко // М.: Высш. шк. 2001. — 527 с.
  286. , В.Ф. Физико-химические закономерности получения пленок твердых растворов SnJPbi^Se методом послойного гидрохимического осаждения PbSe и SnSe: дисс.. к-та хим. наук / В. Ф. Дьяков. Екатеринбург.2010. 161 с.
  287. , A.C. Получение наноструктурированных пленок твердых растворов PbSeySiy методом химического осаждения / A.C. Катышева,
  288. B.Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Теоретическая и экспериментальная химия.2011. Т. 47. — № 6. — С. 376−379.
  289. Williamson, G.K. X-ray line broadening from field aluminium and wolfram / G.K. Williamson, W.H. Hall // Act. Metal. 1953. — V. 1. — № 1. — P. 22−31.
  290. Guinier, A. Theorie et Technique de la Radiocristallographie. Ed. Dunod, Paris. 1964. — 604 p.
  291. , К. ИК-спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений / К. Накамото / М.: Мир. 1991. — 536 с.
  292. Fowless, A.D. Selenitometal complexes: 1. Synthesis and characterization of selenitocomplexes of cobalt (III) and their equilibrium properties in solution / A.D. Fowless, D.R. Stranks // Inorg. Chem. 1977. — V. 16. — № 16. — P. 12 711 276.
  293. , E. Фракталы / Е. Федер // M: Мир. 1991. — 254 с.
  294. , И.П. Нанотехнология: физика-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов / И. П. Суздалев // М.: Комкнига. 2006. — 592 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!