Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра
Диссертация
Р. На сплавныхi-k (р+~р и п) переходах обнаружен и исследован малоинерционный фотоэффект, обусловленный поглощением свободными носителями заряда лазерного излучения 10,6 мкм". Показано, что основными факторами, влияющими на величину фотоэдс, являются изменение высоты ступеньки потенциала, разделяющей области сильного и слабого легирования, и скорость релаксации носителей, возбужденных излучением… Читать ещё >
Список литературы
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-нита. ^ М.: Мир, 1976, 432 с.
- Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М.: Мир, 1980, 208 с".
- Пожела Ю.К., Репшас К. К. Термоэдс в полупроводниках, обусловленная горячими носителями тока. Литовский физ. сб-, 1966, № 4, с.523−537.
- Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971, 290 о.
- Вейнгер А.И., Парицкий Л-.Г., Акопян Э. А., Дадамирзаев Г. Термоэдс горячих носителей тока на р-п переходе- ФТП, 1975, т.9, гё 2, с.216−224.
- Ашмонтас С.П., Олекас А. П. Термоэдс и диффузия горячих электронов в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки. -ФШ, 1980, т.14, № II, с.2196−2200.
- Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М: Мир, 1970, 384 с.
- Комолов В.Л., Яссиевич И. Н. Функция распределения электронов, разогретых светом, при взаимодействии с оптическими фононами. ФШ, 1974, т.8, & 6, C. II25-II33.
- Яссиевич И.Н., Ярошецкий И. Д. Релаксация энергии и процессы разогрева и охлаждения носителей тока при внутризонном поглощении света в полупроводниках. ФТП, 1975, т.9, 5, с.857−866.
- Левинсон И.Б., Левинский Б. Н. Температура горячих фотовозбужденных электронов. ЖЭТФ, 1976, т.71, № 1(7), с.300−309.
- Валов П.М., Вейнгер А. И., Рыбкин Б. С., Ярошецкий И. Д., Яссиевич И. Н. 0 токе через р-п переход, обусловленном разогревом электронного газа. ФТП, 1972, т.6, № II, с.2270−2272.
- Валов П.М., Рывкин Б. С., Ярошецкий И. Д., Яссиевич И. Н. Внутризонная фотопроводимость в п Qe, обусловленная разогревом электронов светом. — ФТП, 1971, т.5, № 5, с.904−910.
- Валов П.М., Ярошецкий И. Д., Яссиевич И. Н. Эффект охлаждения светом носителей заряда в полупроводниках*. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, № 7, с.448−452.
- Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и контакты металл-полупроводник. М.: Мир, 1975, 432 с.
- Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982, 208 с!
- Долгополов С.Г., Клементьев В. М. Чувствительность германиевого фотодетектора к излучению на длине волны 10,6 мкм. -Квантовая электроника, 1975, т.2, № 10, с.2334−2335.
- Перлин Е.Ю. Фотостимулированная туннельная и надбарьерная инжекция в полуцроводниках. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, № 16, с.754−758.
- Перлин Е.Ю., Усейнов Р. Г. Люминесценция, вызванная фотоин-дуцированной инжекцией в контактных структурах. Изв. АН
- СССР, сер.физич., 1976, т.40, № 9, с.1899−1903.
- Umeno М., Hattori Н., Jimbo Т., Sugito Y., Ameniya Y. Hotcarrier-voltaio effect in p-n-junction and its application to electron emitters and light detectors. Jap.J.Appl.Phys., 1977, v.16, suppl. 16−1, p.283−286.
- Umeno M., Sagito Y., Simbo Т., Hattori H., Ameniya Y. Hot photo-carrier and hot electron effects in p-n junctions. «
- Solid State Electronics, 1978, v.21, N 1, p%191−195.
- Андрианов A.B., Валов П. М. Наблюдение фотоэдс на р-п-переходе, близкой к tuu/e, при поглощении света свободными носителями тока. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 17, с.1028−1032-.
- Андрианов А.В., Валов П. М., Суханов В. Л., Т^чкевич В.В., Шмидт Н. М. Фотоэффект на р-п-переходе из кремния в условиях внутризонного разогрева носителей светом. ФТП, 1980, т.14, JS 5, с.859−864.
- Рыбкин С.М. 0 природе так называемой „аномальной“ фотопроводимости'. ФТП, 1974, т.8, № 2, с.373−382.
- Абакумов В.Н., Лягущенко Р. И., Яссиевич И. Н. Фотоэлектрические явления в вырожденных полупроводниках при разогреве электронов светом. ФТТ, 1968, т.10, № 10, с.2920−2931.
- Levinson Y.B., Levinsky B.N. Optical phonon generation by photoexcited electrons. Solid State Commun., 1975, v.16, N 6, p.713−715.
- Агафонов В.Г., Валов П. М., Рывкин B.C., Ярошецкий И. Д. Экспериментальное исследование цроцесса релаксации энергии вр- Сге при внутризонном возбуждении света. ФТП, 1975, т.9, в.5, с.867−871.
- Левинсон И.Б., Мажуолите Г. Э. Влияние межэлектронных столкновений на функцию распределения электронов в сильном электрическом поле. ЖЭТФ, 1966, т.50, гё 4, с.1048−1054.
- ЗГ. Гельмонт Б. Л., Лягущенко Р. И., Яссиевич И. Н. Функция распределения и потери энергии горячими электронами при взаимодействии с оптическими фононами. ФТТ, 1972, т.14, № 2, с.533−542.
- Басс Ф.Г., Гуревич Ю. Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М.: Наука, 1975, 400 с.
- Dalai V.L. Simple model for internal photoemission. -J.Appl.Phys., 1971, v.42, N6, p.2274−2279.
- Dalai V.L. Analysis of photoemissive Schottky barrier photo-detectors. J.Appl.Phys., 1971, v.42, H 6, p.2280−2284.
- Shepherd F.D., Yang A.C. Silicon Schottky retinas for infrared imaging. Int. Electron Devices Meet., Washington, D.C., 1973. Techn. Dig., 1973, New York, p.310−313.
- Pellegrini P.W., Weeks M.M., budington C.E. Hew 6.5 jam photo-diodes for Schottky barrier array applications. Proc.Soc. Photo-Opt. Instrum.Eng., 1982, v.311″ p.24−29.
- Vickers V.E. Model of Schottky barrier hot-electron-mode photodetection. Appl.Opt., 1971, v.10, N9, p.2190−2192.
- Shannon J.M. Control of Schottky barrier height using highly doped surface layers. Solid State Electron., 1976, v.19,1. N 6, p.537−543″
- Викулин И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1980, 296 с.
- Шеферд, Янг, Тейлор. Кремниевый лавинный фотодиод, работающий на длинах волн от I до 2 мкм. ТИИЭР, 1970, т.58, № 8, с.143−144.
- Tyagi R.C., Garlick G.F.J. The enhancement of visible and infra-red electroluminescence in zinc sulphide crystals Ъу infra-red irradiation. Brit. J.Appl.Phys., 1966, v.17, N 7, p.747−755.
- Mehta R.R., Sharma B.S. Photoconduotive gain greater than unity in CdSe films with Schottky barriers at the contacts. -J.Appl.Phys., 1974, v.44, N 1, p.525−328.
- Gill W.D., Bube R.H. Photovoltaic properties of Cu2S-CdS hetегоjunctions • — J.Appl.Phys., 1970, v.41, N 9, p.3731−3738.
- Yawata S., Anderson R.L. Optical modulation of current in Ge-Si n-n heterojunctions. Phys*Stat.Sol., 1965, v.12, N 1, p.297−304.
- Berger K., Illenberger A., Ruprecht G. Stromverstarkung in ZnSe/CdSe-photoleiterschichten. Solid State Electronics, 1975, v.18, N 9, p.785−789.
- Agusta В., Anderson R.L. Opto-electric effects in Ge-GaAs p-n heterojunctions. -J.Appl.Phys., 1965, v.36, N 1, p.206−210.
- Травление полупроводников. М.: Мир, 1965, с. 184, 186.
- Гаврилов Р.А., Скворцов A.M. Технология производства полупроводниковых приборов. Л.: Энергия, 1968, 240 с.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А. Отклик сплавных омических контактов металл-полуцроводник на излучение 10,6 мкм. ЖТФ, 1980, т.50, № 3, с.646−648.
- Никольская И.П., Питанов B.C. Расчет глубины вплавления и концентрации легирующей примеси в рекристаллизованном слое сплавного перехода в полупроводниках.-Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 1975, № 2 (94), с.91−95.
- Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы леифова-ния полупроводников.» М.: Наука, 1967, с. 127, 136.
- Горохов В.А. Принципы построения схем с фотодиодами и фототранзисторами для регистрации малых световых сигналов.
- В кн.: Полупроводниковые цриборы и их применение, под ред. Федотова Я. А., в.10. М.: Сов. радио, 1963, с.277−298.
- Gupta S.C., Sharma В.Ь., Sreedhar А.К. Specific resistanceof n±n junction. Solid State Electronics, 1971, v.14, N 5, p.427−428.59* Стильбанс Л. С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967, 452 с.
- Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: ИЛ, 1962, 255 с.
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, 616 с.
- Пайнс Д., Нозьер Ф. Теория квантовых жидкостей. М.: Мир, 1967, с. 81.
- Shannon J.M. Inoreaslng the effective height of a Sohottky barrier using low-energy ion implantation. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25, К 1, p.75−77.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А., Семенов А. А. Ток разогретых носителей через р-п переход. — ФТП, 1974, т.8, № II, с.2216−2217.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А., Семенов А. А. Фотоотклик р-п перехода на излучение 10,6 мкм. Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания по физике взаимодействия оптического «излучения в конденсированными средами- - М.: 1974, с-119, изд. ФИАН СССР.
- Мармур И. Я~., Оксман Я. А-, Семенов А. А. Регистрация лазерного излучения 10,6 мкм с помощью полупроводниковых диодов. -Письма в КТФ, 1975, т.1, 12, с.545−547.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А. Влияние лазерного излучения 10,6 мкм на ток прямосмещенного фотодиода. ФТП, 1975, т.9, № II, с.2121−2124.
- Мармур И. Я'., Оксман Я. А., Семенов А. А. Воздействие лазерного излучения на прямосмещенные р-п переходы. Тезисы докладов I Всесоюной конференции „Оптика лазеров" — - Ленинград: 1976, с.302−303- изд. Г0И.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А. Положительная обратная связь в широкозонных диодных детекторах ИК излучения. ФТП, 1977, т. II, J? 7, с.1297−1301.
- ЗДкулец В.И., Удалов Н. П. Фотодиоды и фототриоды. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1962, с. 38.
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982, с. 463.
- Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полуцроводника на вид вольтамперной характеристики диода. ЖТФ, 1958, т.28, № 8, с. 1631—1641.
- Вейнгер А.И., Саргсян М. П. Кинетика термоэдс, возникающей нар-п переходе при разогреве носителей заряда. ФТП, 1980, т.14, № 10, с.2020−2028.
- Вейнгер А.И., Саргсян М. П. Кинетика термоэдс на р-п переходе с горячими носителями заряда при сильном прямом смещении. -ФТП, 1980, т.14, № 12, с.2366−2370.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973, с. 86.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977, 568 с.
- Стафеев В.И., Викулин И. М. 5 -диоды.' В кн.: Полупроводниковые приборы и их црименение, под ред. Федотова Я. А., в. 28. — М.: Сов. радио, 1977, с.23−56.
- Залетаев Н.Б., Никифорова В. П., Стафеев В. И. Инжекционное усиление фототока в полуизоляторе с р-п переходом. ФТП, 1978, т.12, № 9, C. I7I9-I722.
- Вилисов А.А., Воронков В. П., Диамант В. М. Влияние режима сплавления на характеристики „длинных“ германиевых диодов. -Изв.вузов СССР. Физика, 1975, № 6, с.148−150.
- Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках (обзор). ФТП, 1982, т.16, № I, с.3−18.
- Вилисов А, А., Воронков В. П., Диамант В. М. Исследование „длинных“ германиевых диодов с отрицательным дифференциальным соцротивлением. Изв. вузов СССР. Физика, 1975, № 6, с.152−154.
- Аскаров П.А., Дмитриев А. Г., Царенков Б. В. Об области излуча-тельной рекомбинации в GaAs • Si ' структурах. ФТП, 1977, т. II, № 9, с.1834−1836.
- Берг А., Дин П. Светодиода. М“.: Мир, 1979, 688 с.
- Любченко А, В., Пузин И. Б., Сальков Е. А. Преобразование ИК-из-лучения в видимое электролюминесцентными р-п- структурами на основе фосфида галлия. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: 1981, в. ЗЗ, с.73−77.
- Зеленов А.А., Мармур И. Я., Оксман Я. А., Семенов А. А. Стандартные полупроводниковые диоды быстродействующие детекторы длинноволнового лазерного излучения. — ЖТФ, 1978, т.48, № 4, с.793−796.
- Гравель Г. А., Мармур И. Я., Новиков Ю. Б., Оксман Я. А., Семенов Е. П. Детектор импульсного излучения 10−6 мкм. ОМП, 1981, $ 6, с.59−60.
- Карашев Т.Е., Наумкин А. П. Полупроводниковые приемники инфракрасного излучения с внутренним фотоэффектом. Зарубежная радиоэлектроника, 1975, Jg II, 12, с.86−107, 29−50.
- Курбатов Л.Н., Трухин В. Н., Шахиджанов С. С. Быстродействующий пленочный фотоприемник на основе эффекта фотонного увлечения носителей заряда'. ОМП, 1979, № 8, с.58−59.
- Берецулин Е.В., Валов П. М., Погодин В. И., Рыбкин С. М., Тар-хин Д.В., Уваров А. А., Ярошецкий Й. Д. Новый фотоприемник на основе внутризонной разогревной фотоцроводимости (ШР-1). -Квантовая электроника, 1978, № 8, с. I860.
- Долгополов С.Г., Клементьев В. М., Шишаев А. В. Быстродействующий детектор излучения СО^^-лазеров на основе точечного контакта металл-окисел-^леталл. ПТЭ, 1975, $ I, с.191−193.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А. Фотоэлектрические свойства сплавных контактов олово-германий. Тезисы 2 Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. -Киев: Наукова думка, 1982, с. 169−170.
- Мармур И.Я., Оксман Я. А. Фотоэлектрические свойства сплавных контактов олово-германий. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, JS I, с.50−53.
- Mahlmari G.W. Observation of solid-state photoemission from tin into germanium. Phys.Rev.Lett., 1961, v.7, N 11, p.408−4Ю.
- Trumbor F.A. Solid solubilities and electrical properties of tin in germanium single crystals. J.Electrochem.Soc., 1956, v.103, N 11, p.597−600.
- Салли И.В., Кушнерева A.K. Влияние больших скоростей охлаждения на формирование структуры сплавов алюминий-германий и германий-олово. Республ. межведомств, сб. Металлофизика, в.27. Киев: Наукова думка, 1970, с. 189−194.
- OV Кузьмин P.H., Никитина С. В. Эффект Мёссбауэра в твердом растворе олова в германии. ФТТ, 1971, т.13, № 12, с.3728−3730.
- Лисиченко В.И., Петриченко Н. Н., Якунин А.А:. Эффект Мёссбауэра в сильно пересыщенных твердых растворах олова в германии. ФТТ, 1976, т.18,? I, с.308−310.
- Лисиченко В.И., Петриченко Н. Н., Погорелый В. А. Оловянные контакты к кремнию. ПТЭ, 1974, А 5, с.216−217.
- Sommers H.S. Germanium-tin alloy infrared deteotor. Патент 3 615 856. США, МКИ HOIL 15/02.
- Temkin R.J., Paul W. Crystallization studies of amorphous Ge^jSn^^. Eroc. 5 Internet ¦Conference on amorphous and liquid semiconductors. Garmisch-Partenkirchen, 1973. London, 1974, v.2, p.1193−1200.
- Goodman C.H.L. JL -Tin semiconductor device. Заявка 204 396. Великобритания. МКИ HOIL 21/20.
- Ewald A.W. Germanium-stabilized gray tin. J.Appl.Phys., 1954, v.25, N 11, p.1436−1437.
- Серегин П.П., Нистирюк И. В., Насрединов Ф. С. Олово как изотопная примесь в кремнии и германии. ФТТ, 1975, т.17, 8, с. 2330−2334.
- Серегин П.П., Бахчиева С. Р., Кенуа М. Г., Петров А. В. Месс-бауэровское исследование примесных атомов олова в кремнии и германии. ФТТ, 1979, т.21, J? 4, с.1236−1239.
- Shimizu H. Optical and electrical properties of germanium single crystals heavily doped with tin. Science of bight, 1972, v.21, U 1, p.53−58.
- Бахчиева C.P., Kenya М.Г., Петров A.B. Теплопроводность и подвижность носителей тока кремния, легированного оловом. -ФТТ, 1979, т.21, & 5, с.1554−1556,
- Temkin R.J., Paul W. Transport properties of amorphous GexSn1→x alloys. Proc. 5 Internat. Conference on amorphous and liquid semiconductors. — Garmisch-Partenkirchen, 1973, London, 1974, v. 2, p.1201−1208.
- Unuk F. Preparation of compact JL -tin specimens. J. Crystal Growth, 1980, v.48, N 3″ p.486−488.
- Болтакс Б.И. 0 коэффициентах диффузии некоторых примесей в германии. В кн.: Вопросы металлургии и физики полупроводников. — М.: изд. АН СССР, 1975, C. I2I-I29.
- Земсков B.C., Белая А. Д., ПодкорытоваТ.Н. Об электрической активности олова в германии. ФТТ, 1964, т.6, Л 8, с.2552−2554.
- Вяткин А.П. Исследование свойств сплавного контакта германия с оловом! Изв. вузов СССР. Физика, 1959, Л 2, с.48г52.
- Рыжиков И.В. Влияние омического контакта на вольтамперную характеристику плоскостного диода. Вопросы радиоэлектроники. Серия II. Полупроводниковые приборы, 1961, № 3, о.69−75.
- Пихтин А.Н., Попов В. А., Яськов Д. А. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью лазера. ФТП, 1969, т. З, № II, с.1646−1648.
- Олово высокой чистоты, марки 0ВЧ-0000. Технические требования ОСТ 48−80−74.
- Розов В.В., Соболева В. М. Сплавы для полупроводниковых приборов. М: Металлургия, 1969, 245 с.
- Практическая растровая электронная микроскопия. М.: Мир, 1978, 656 с.
- Антощук В.В., Примаченко В. Е., Снитко О. В. Инфравдасные спектры поверхностной фотопроводимости и фотоэдс n~Si ФТП, 1977, т.II, № 2, с.305−309.
- Шарма Б».Л., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979, 232 с.
- Федотов Я. А-, Груздева Г. А., Ковалев А. Н., Супалов В. А. Изотипные гетеропереходы n-Ge ~n-5i. ФТП, 1970, т.4,5, с.825−829.
- Грибников З.С., Мельников В. И., Сорокина Т. С. Размерный эффект в электропроводности полупроводников при разогреве электронного газа. ФТТ, 1966, т.8, № II, с.3379−3382.
- Климовская А.И., Снитко О. В. Поглощение энергии горячих электронов поверхностью полупроводника. Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, № 6, с.194−197.
- Thompson H.W., Reenstra А.Ъ. Electrical properties of the interface region of the Ge-Si alloyed heterojunction. -J.Appl.Phys., 1967, v.38, N 12, p.47 394−745.
- Donnelly J.P., Milnes A.G. The photovoltaic response of nGe-nSi heterodiodes. Solid State Electronics, 1966, v.9, N 2, p.174−178.
- Taylor P.D., Morgan D*V. Role of radiation damage on the contact resistance of GaAs Schottky barriers" Electronics betters, 1974, v.10, N 21, p*428−429.