Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний

Диссертация: Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В процессе исследований с применением методов СТМ/СТС в области туннельного контакта возникает неравновесное распределение туннелирующих частиц. Следовательно, рассмотрение процессов туннелирования с использованием равновесной функции распределения в туннельном контакте становится непригодным. В этом случае для теоретического описания туннельных процессов можно применять диаграммную технику для… Читать ещё >

Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Основы сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии
    • 1. 2. Исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1 /fa
    • 1. 3. Изучение локальной плотности состояний в присутствии примесных атомов и дефектов поверхности
    • 1. 4. Атомарно-чистая поверхность скола (110) полупроводниковых соединений типа А3В
    • 1. 5. Краткие
  • выводы
  • Глава 2. Исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1 /fa на поверхности скола кристалла InAs (НО) методом СТМ/СТС
    • 2. 1. Экспериментальная установка
    • 2. 2. Методы получения чистой поверхности (110)
    • 2. 3. Система для скалывания образцов in situ
    • 2. 4. Результаты эксперимента
    • 2. 5. Краткие
  • выводы
  • Глава 3. Теоретическое исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1 /fa при туннелировании через зарядовые локализованные состояния
    • 3. 1. Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через одно зарядовое локализованное состояние в области туннельного контакта
    • 3. 2. Формирование низкочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния в области туннельного контакта
    • 3. 3. Сопоставление теоретических расчетов с результатами эксперимента
    • 3. 4. Краткие
  • выводы
  • Глава 4. Теоретическое исследование спектральной плотности туннельного тока в широком диапазоне частот при туннелировании через два зарядовых локализованных состояния
    • 4. 1. Формирование высокочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока при туннелировании через зарядовые локализованные состояния
    • 4. 2. Сдвиг низкочастотной сингулярной особенности в спектре туннельного тока в высокочастотную область при туннелировании через зарядовые локализованные состояния
    • 4. 3. Краткие
  • выводы
  • Глава 5. Исследование пространственного распределения локальной плотности на поверхности полупроводниковых кристаллов в присутствии локализованных состояний
    • 5. 1. Изменение локальной плотности поверхностных состояний под действием локализованного состояния, образованного примесным атомом
    • 5. 2. Туннельная спектроскопия в окрестности примесных атомов
    • 5. 3. Влияние потенциала доменной стенки, на локальную плотность поверхностных состояний
    • 5. 4. Краткие
  • выводы

Актуальность темы

диссертации. В настоящее время одним из наиболее развивающихся и передовых разделов науки является исследование физических процессов, происходящих в микрои наноструктурах и системах с пониженной размерностью, в том числе и процессов, происходящих на поверхности. Туннельные явления в полупроводниковых и металлических микрои наноструктурах являются объектом интенсивных теоретических и экспериментальных исследований в течение нескольких десятилетий [1]. Благодаря исследованиям, проводимым в этой области, был сделан большой вклад в развитие современной микрои ианоэлектроники, основанной на использовании эффектов изменения локальной электронной структуры вблизи примесных атомов и дефектов.

В настоящее время в связи с постоянным уменьшением размеров базовых элементов в твердотельной наноэлектронике, принципы работы которых основаны на эффектах изменения локальной плотности состояний вблизи поверхностей раздела или же связанных с наличием примесных атомов или дефектов, встает фундаментальная проблема влияния зарядовых локализованных состояний, образованных низкоразмерными структурами на поверхности элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений, на туннельные процессы. С уменьшением размеров области туннельного контакта и понижением размерности исследуемых систем зарядовые локализованные состояния, образованные примесными атомами или дефектами кристаллической решетки, значительно влияют на кинетические и статистические свойства туннельных характеристик системы, а также приводят к изменению ее спектра и плотности состояний.

Наличие локализованных состояний в области контакта и их взаимодействие с состояниями непрерывного спектра в берегах туннельного контакта может приводить к сильному искажению певозмущенной плотности состояний исследуемой системы, так как радиус локализации примесных состояний становится сопоставимым как с межатомными расстояниями, так и с размерами самого туннельного контакта. Это подтверждается экспериментами по исследованию различных твердотельных структур методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) [2−6].

В настоящее время СТЛ/1/СТС является одним из наиболее распространенных и совершенных методов при исследовании кинетических и статистических характеристик структур с пониженной размерностью, свойств различных поверхностей, а также изолированных и взаимодействующих примесных состояний на поверхности [7]. Сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия дает возможность идентифицировать изолированные примеси по топографическому СТМ изображению и по виду характерных особенностей в спектрах туннельной проводимости [1,8,9].

В процессе исследований с применением методов СТМ/СТС в области туннельного контакта возникает неравновесное распределение туннелирующих частиц. Следовательно, рассмотрение процессов туннелирования с использованием равновесной функции распределения в туннельном контакте становится непригодным. В этом случае для теоретического описания туннельных процессов можно применять диаграммную технику для неравновесных процессов, которая позволяет учесть самосогласованным образом как перенормировку исходного спектра исследуемой системы, вызванное туннелированием через зарядовые локализованные состояния и межчастичным кулоповским взаимодействием, так и релаксацию неравновесных частиц [10]. Несмотря на значительный прогресс в области теоретических и экспериментальных исследований туннельных явлений, вопросы, связанные с изучением возмущений в плотности состояний в присутствии зарядовых локализованных состояний, образованных примесными атомами и дефектами на исследуемой поверхности, остаются актуальными и в настоящее время.

Необходимо отметить, что наряду с неоспоримыми достоинствами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии, такими как высокое пространственное разрешение (достигающее 0, 01А по нормали к поверхности образца и 0,1А в плоскости поверхности) и возможность проводить измерения зависимости туннельного тока от расстояния и от напряжения на туннельном переходе, существует значительное фундаментальное ограничение, влияющее на точность позиционирования зонда микроскопа и, следовательно, на качество результатов, полученных с помощью СТМ/СТС. Этим ограничением является фликкер шум [11,12]. Низкочастотный шум со спектром 1//а, генерируемый переходом, доминирует над другими шумовыми источниками в СТМ и имеет определяющее значение для чувствительности и разрешающей способности сканирующего туннельного микроскопа в области низких частот. Точность позиционирования зонда с помощью пьезоэлектрического манипулятора сканирующего туннельного микроскопа составляет десятые доли ангстрема. Шум туннельного тока может ограничивать точность измерения смещения иглы на уровне нескольких ангстрем. В рабочей области частот СТМ фликкерные флуктуации туннельного тока намного превышают тепловой и дробовой шумы туннельного контакта.

В настоящий момент несмотря на значительное число экспериментальных [13−24] и теоретических работ [25−45], посвященных исследованию этого явления, природа шума со спектром 1//а до конца не изучена. Учитывая современное состояние исследований процессов туннелирования при наличии в области контакта зарядовых локализованных состояний, можно сформулировать цель диссертационной работы.

Целыо диссертационной работы является: экспериментальное и теоретическое исследование влияния межчастичпого взаимодействия неравновесных электронов на статистические свойства и кинетику туннельных процессов в присутствии зарядовых локализованных состояний в области туннельного контакта сверхмалых размеров, образованных индивидуальными примесными атомами или дефектами на поверхности полупроводниковых микрои наноструктур, а также в структурах с пониженной размерностью.

Для достижения поставленной цели были рассмотрены следующие локальные задачи:

1. Экспериментальное исследование низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1//а на чистой поверхности 1пАэ (НО), а также изучение шумовых характеристик над изолированными примесными атомами на сколотой поверхности монокристаллов ТпАб с пи ртипами объемной проводимости в условиях сверхвысокого вакуума методом сканирующей туннельной микроскопии. Выявление зависимости низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока от зарядового состояния примесного атома.

2. Создание теоретической модели, позволяющей на микроскопическом уровне выявить влияние многочастичных эффектов при изменении зарядов локализованных состояний в области туннельного контакта на формирование сингулярных особенностей в спектральной плотности туннельного тока в широком диапазоне напряжений смещения на туннельном контакте. Изучение механизма возникновения низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1//а, с помощью предложенной модели.

3. Исследование особеностей туннельных характеристик связанных с влияняием отдельных локализованных состояний, образованных примесными атомами, дефектами или низкоразмерными структурами, на локальную плотность состояний как в равновесном, так и в неравновесном случае.

Научная новизна:

• Предложена и развита экспериментальная методика измерений низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1//а на поверхности полупроводников методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии с отключенной обратной связью.

• Предложена и исследована теоретическая модель, позволяющая на микроскопическом уровне объяснить сингулярное поведение низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1//а. В рамках данной модели, с помощью диаграммной техники для неравновесных процессов, учтены многочастичные эффекты возникающие при резком включении кулоновского взаимодействия между зарядовыми локализованными состояниями в туннельном контакте и электронами в состояниях непрерывного спектра. Предсказанное с помощью данной модели поведение спектральной плотности туннельного тока согласуется с экспериментальными данными, полученными методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии.

• В результате теоретических и экспериментальных исследований влияния одиночных примесных атомов и дефектов поверхности на невозмущенную плотность состояний непрерывного спектра выявлены новые особенности пространственного распределения локальной электронной плотности вблизи примесных атомов и дефектов поверхности и проанализирован характер изменения особенностей при удалении от примесных атомов.

Научная и практическая ценность В настоящей работе разработана и апробирована методика измерений низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1/fa на поверхности полупроводников методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии.

Представленная методика измерений и теоретическая модель, описывающая формирование в области туннельного контакта низкочастотного шума со спектром 1//°, дают принципиальную возможность для идентификации типов различных примесных атомов и их зарядовых состояний по особенностям низкочастотной составляющей спектров туннельного тока.

Проведенное в работе исследование влияния изолированных примесных атомов и дефектов поверхности на локальную плотность состояний систем нанометровых размеров имеет принципиальное значение для определения и исследования свойств приборов в твердотельной электронике.

Положения, выносимые на защиту:

1. Методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии исследована низкочастотная составляющая спектральной плотности туннельного тока вида 1 //". Выявлена зависимость низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока от зарядового состояния примесных атомов на поверхности (110) монокристалла 1пАз с пи ртипами объемной проводимости.

2. Предложена и проанализирована теоретическая модель, описывающая па микроскопическом уровне сингулярное поведение низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока вида 1//а при туннелировании электронов через зарядовые локализованные состояния. Показано, что 1//а компонента спектральной плотности туннельного тока связана с изменением зарядов локализованных состояний при протекании туннельного тока, приводящим к резкому включению кулоновского потенциала, на котором происходит многократное рассеяние электронов непрерывного спектра.

3. Найдены области значений напряжений смещения на туннельном контакте, при которых происходит возникновение высокочастотных сингулярных особенностей в спектре туннельного тока и смещение низкочастотных сингулярных особенностей в высокочастотную область при туннелировании электронов через зарядовые локализованные состояния.

4. Выявлена определяющая роль локализованных состояний, образованных индивидуальными примесными атомами, в формировании туннельных характеристик в системах с пониженной размерностью и в структурах с характерными размерами сравнимыми с радиусом локализации одиночных примесей в широком диапазоне напряжений смещения на туннельном контакте.

5. Теоретически проанализировано влияние примесных атомов и дефектов на поверхности полупроводников на локальную плотность состояний непрерывного спектра при изменении расстояния от примеси. Обнаружен осциллирующий характер зависимости локальной плотности состояний непрерывного спектра от напряжения смещения на туннельном контакте в окрестности примесных атомов и дефектов поверхности.

Обоснованность и достоверность результатов.

Результаты, представленные в диссертации, получены на основе многократно повторенных экспериментов, проведенных на современном научном оборудовании с использованием современных методов обработки экспериментальных данных. Экспериментальные данные подтверждены теоретическими расчетами, основанными на адекватно выбранных физических моделях анализируемых процессов, а также не противоречат результатам других групп исследователей. Результаты экспериментальных и теоретических исследований неоднократно обсуждались на семинарах и докладывались на специализированных конференциях по проблемам, связанным с тематикой диссертационной работы. Большая часть результатов опубликована в международных и российских научных журналах. Это позволяет считать полученные результаты обоснованными и достоверными, а также полностью отвечающими современному мировому уровню исследований. Большинство представленных результатов являются новыми и получены впервые.

Личный вклад автора.

Все результаты, представленные в диссертационной работе, получены автором лично, либо при его непосредственном участии.

Структура и объем диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 147 страниц, включая 60 рисунков.

Список литературы

содержит 121 наименование.

Заключение

.

По результатам проведенных исследований и на основании представленных в диссертационной работе экспериментальных и теретических результатов, сформулируем основные выводы:

1. Разработана и реализована методика измерения низкочастотной составляющей спектральной плотности шума туннельного тока вида l/fa на сколотой поверхности монокристалла в условиях сверхвысокого вакуума методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии. Впервые проведено экспериментальное исследование локальных спектров туннельного тока над индивидуальными примесными атомами и выявлена зависимость низкочастотной составляющей спектральной плотности шума туннельного тока от зарядового состояния примесных атома на поверхности (110) монокристаллов 1пАб с пи ртипами объемной проводимости. Показано что:

• для монокристалла ¡-пАб, легированного серой (п-тип), показатель степени составляющей спектра туннельного тока вида 1/, измеренный над примесным атомом (ск=1,16) превосходит его значение, измеренное над чистой поверхностью с*=0,89);

• для монокристалла 1пАб, легированного марганцем (р-тип), показатель степени составляющей спектра туннельного тока вида 1 //", измеренный над примесным атомом (а=0,75) меньше его значения, измеренного над чистой поверхностью (с*=1,04).

2. Предложена теоретическая модель, учитывающая эффекты многократного рассеяния электронов проводимости на резко включающемся кулоновском потенциале, вызванным изменением заряда локализованного состояния в области туннельного контакта в процессе туннелирования электронов. Данная модель позволяет на микроскопическом уровне объяснить сингулярное поведение низкочастотной составляющей спектральной плотности шума туннельного тока вида 1//а.

Обнаружено, что перенормировка туннельных амплитуд переходов при учете кулоновского взаимодействия зарядовых локализованных состояний с электронами непрерывного спектра может приводить к появлению сингулярных особенностей в высокочастотной области спектров туннельного тока и к сдвигу сингулярных особенностей из низкочастотной области в высокочастотную область при изменении величины напряжения смещения на туннельном контакте.

3. Показано, что учет изменений в локальной плотности состояний непрерывного спектра, связанных с наличием примесного атома, приводит к формированию провала в спектре локальной плотности состояний непрерывного спектра и в туннельной проводимости, расчитаиных над примесным атомом, при напряжении, совпадающем с энергией уровня примесного атома. С ростом расстояния от примесного атома в локальной плотности состояний непрерывного спектра может формироваться набор провалов.

Полученный эффект проявляется в спектрах туннельного тока, измеренных в окрестности примесных атомов, как «включение» (пик в плотности состояний) и «выключение» (провал в плотности состояний) примесного атома в атомной решетке с изменением расстояния от примеси [71,121].

4. Продемонстрировано, что наличие на поверхности полупроводника одномерного дефекта, приводит к осциллирующему виду зависимости локальной плотности состояний от расстояния в направлении перпендикулярном дефекту. Осцилляции локальной плотности наблюдаются для значений напряжения на туннельном контакте, соответствующих поверхностной запрещенной зоне. Проанализирована зависимость периода осцилляций от значения напряжения на туннельном контакте.

В частности исследовано наблюдаемое в эксперименте уменьшение периода осцилляций в локальной плотности состояний при увеличении значения напряжения на туннельном контакте на поверхности (100) и Се (100) [75,76].

В заключение хочу выразить глубокую признательность моим научным руководителям д.ф.-м.н., доценту Н. С. Масловой и к. ф,-м.н., с.н.с. А. И. Орешкину за общее руководство и предложенную тему диссертационной работы. Искренне благодарен С. В. Савинову, С. И. Орешкину и Д. А. Музыченко за плодотворные дискуссии и критические замечания, позволившие значительно углубить понимание обсуждаемых вопросов. Отдельную благодарность хочу выразить заведующему кафедрой, профессору В. И. Панову за постоянное внимание в процессе написания диссертационной работой.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ebert P. Nano-scale properties of defects in compound semiconductor surfaces // Surf. Sci. Rep. — 1999.- Vol. 33, — Pp. 121−303.
  2. Ebert P., Zhang Т., Kluge F., Simon M., Zhang Z., Urban K. Importance of Many-Body Effects in the Clustering of Charged Zn Dopant Atoms in GaAs // Phys. Rev. Lett. 1999,-Vol. 83, no. 4, — Pp. 757−760.
  3. Madhavan V., Chen W., Jaraneala Т., Crommie M. F., Wingreen N. S. Local spectroscopy of a Kondo impurity: Co on Au (lll) // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64, no. 16. — P. 165 412.
  4. Inglesfield J., Boon M. H., Crampin S. Nature of Friedel oscillations around Si dopants in the GaAs (110) accumulation layer // Condens. Matter. 2001. — Vol. 12. — Pp. L489-L496.
  5. Bena C. Effect of a single localized impurity on the local density of states in monolayer and bilayer graphene // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol. 100.- P. 76 601.
  6. Binnig G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta. 1982. — Vol. 55, no. 6. — Pp. 726−735.
  7. Tromp M. Spectroscopy with, the scanning tunneling microscope: a critical review // Condens. Matter.— 1989,-Vol. 1,—Pp. 10 211−10 228.
  8. Lang N. D. Spectroscopy of single atoms in the scanning tunneling microscope 11 Phys. Rev. В. 1986.-Vol. 34.- Pp. 5947−5958.
  9. JI. В. Диаграммная техника для неравновесных процессов // ЖЭТФ. 1964. — № 47. — С. 1515−1527.
  10. Johnson J. B. The Schottky Effect in Low Frequency Circuits // Phys. Rev. 1925. — Vol. 26, no. 1. — Pp. 71−85.
  11. Schottky W. Small-Shot Effect and Flicker Effect // Phys. Rev. — 1926. — Vol. 28, no. 6, — P. 1331.
  12. Moller R., Esslinger A., Koslowski B. Noise in vacuum tunneling: Application for a novel scanning microscope // Appl. Phys. Lett. — 1989.— Vol. 55, no. 22. Pp. 2360−2362.
  13. Koslowski B., Baur C. New potentiometry method in scanning tunneling microscopy: Exploiting the correlation of fluctuations // J. Appl. Phys. — 1995. — Vol. 77, no. 1. Pp. 28−33.
  14. Maeda K., Siguta S.- Kurita H. e. Spatial variation of 1// current noise in scanning tunneling microscopes //J. Vac. Technol. B.— 1994. — Vol. 12, no. 3. — Pp. 2140−2143.
  15. Lozano M., Tringides M. Surface diffusion measurements for STM tunneling current fluctuations // Europhys. Lett. — 1995. — Vol. 30, no. 9. — Pp. 537−543.
  16. Nauen A., Hapke-Wurst I., Hohls F., Zeitler U., Haug R. J., Pierz K. Shot noise in self-assembled In As quantum dots / / Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, no. 16. P. 161 303.
  17. Nauen A., Hohls F., Konemann J., Haug R. J. Shot noise in resonant tunneling through a zero-dimensional state with a complex energy spectrum // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69, no. 11. — P. 113 316.
  18. Nauen A., Hohls F., Maire N., Pierz K., Haug R. J. Shot noise in tunneling through a single quantum dot // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 70, no. 3.- P. 33 305.
  19. Philipp J. B., Alff L., Marx A., Gross R. Low-frequency 1/f noise in doped manganite grain-boundary junctions // Phys. Rev. B. — 2002. — Vol. 66, no. 22. P. 224 417.
  20. Chen Y., Webb R. A. Full shot noise in mesoscopic tunnel barriers // Phys. Rev. B. — 2006. Vol. 73. — P. 35 424.
  21. Vandersypen L. M., Elzerman J. M., Schouten R. N.- Willems van Bev-eren L. H., Hanson R., Kouwenhoven L. P. Real-time detection of single electron tunneling using a quantum point contact // Appl. Phys. Lett. — 2004. Vol. 85, no. 19. — Pp. 4394−4396.
  22. Safonov S. S., Savchenko A. K., Bagrets D. A., Jouravlev O. N., Nazarov Y. V., Linfield E. H., Ritchie D. A. Enhanced Shot Noise in Resonant Tunneling via Interacting Localized States // Phys. Rev. Lett. —2003. Vol. 91, no. 13. — P. 136 801.
  23. Gramespacher T., Biittiker M. Quantum Shot Noise at Local Tunneling Contacts on Mesoscopic Multiprobe Conductors // Phys. Rev. Lett.— 1998. — Vol. 81, no. 13.- Pp. 2763−2766.
  24. Galperin Y. M., Chao K. A. Resonant tunneling in the presence of a two-level fluctuator: Low-frequency noise // Phys. Rev. B. — 1995. — Vol. 52, no. 16, — Pp. 12 126−12 134.
  25. Burin A. L., Shklovskii B. I., Kozub V. I., Galperin Y. M., Vinokur V. Many electron theory of 1// noise in hopping conductivity // Phys. Rev. B. 2006. — Vol. 74. — P. 75 205.
  26. Altshuler B. L., Levitov L. S., Yakovets A. Y. Nonequilibrium noise in a mesoscopic conductor: A mesoscopic analysis // JETP Lett. — 1994. — Vol. 59, no. 12. Pp. 857−862.
  27. Gutman D. B., Gefen Y. Shot noise in disordered junctions: Interaction corrections I/ Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64, no. 20. — P. 205 317.
  28. Hamasaki M. Effect of electron correlation on current and current noise for the single- and the two-impurity Anderson model // Phys. Rev. B. —2004.-Vol. 69, no. 11.-P. 115 313.
  29. Lopez R., Aguado R., Platero G. Shot noise in strongly correlated double quantum dots // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 69, no. 23. — P. 235 305.
  30. Dong B., Cui H. L., Lei X. L., Horing N. J. M. Shot noise of inelastic tunneling through quantum dot systems // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 71, no. 4. — P. 45 331.
  31. Weymann I., Barnas J. Shot noise and tunnel magnetoresistance in multilevel quantum dots: effects of cotunneling // Phys. Rev. B. — 2008. — Vol. 77. P. 75 305.
  32. Thielmann A., Hettler M., Konig J.- Scgon G. Cotunneling current and shot noise in quantum dots // Phys. Rev. Lett. — 2005. — Vol. 95. — P. 146 806.
  33. Cresti A., Parravicini G. Dephasing effects and shot noise in quantum Hall wires: Green’s function formalism // Phys. Rev. B. — 2008. — Vol. 78. — P. 115 313.
  34. Yao J., Chen Y.-C., Ventra M. D., Yang Z. Q. Effect of atomic geometry on shot noise in aluminum quantum point contacts // Phys. Rev. B. — 2006. Vol. 73. — P. 233 407.
  35. Chen Y.-C., Di Ventra M. Shot noise in nanoscale conductors from first principles // Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 67, no. 15.- P. 153 304.
  36. Yurke B., Kochanski G. P. Momentum noise in vacuum tunneling transducers // Phys. Rev. B. 1990. — Vol. 41, no. 12. — Pp. 8184−8194.
  37. Lesovik G. B. Exsess quantum noise in 2d ballistic point contacts // JETP Lett. 1989. — Vol. 49, no. 9. — Pp. 592−594.
  38. Engel H.-A., Loss D. Asymmetric Quantum Shot Noise in Quantum Dots /1 Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 93, no. 13, — P. 136 602.
  39. Rothstein E. A., Entin- Wohlman O., Aharony A. Noise spectra of a biased quantum dot // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 79. — P. 75 307.
  40. Kiesslich G., Wacker A., Scholl E. Shot noise of coupled semiconductor quantum dots // Phys. Rev. B. — 2003. Vol. 68, no. 12. — P. 125 320.
  41. Levitov L. S., Lesovik G. B. Charge distribution in quantum shot noise // JETP Lett. 1993. — Vol. 58, no. 3. — Pp. 230−235.
  42. Korotkov A. N., Likharev К. K. Shot noise suppression at one-dimensional hopping // Phys. Rev. B. 2000. — Vol. 61, no. 23.- Pp. 15 975−15 987.
  43. С. Т., Buhrman R. A. Composition of 1/f Noise in Metal-Insulator-Metal Tunnel Junctions // Phys. Rev. Lett. 1984.— Vol. 53, no. 13. — Pp. 1272−1275.
  44. Dutta P., Horn P. M. Low-frequency fluctuations in solids: 1/f noise // Rev. Mod. Phys. — 1981. — Vol. 53, no. 3, — Pp. 497−516.
  45. M. B. 1/f noise and other slow, nonexponential kinetics in condensed matter // Rev. Mod. Phys. — 1988. — Vol. 60, no. 2. — Pp. 53 7571.
  46. Fermi-edge singularity in resonant tunneling / A. K. Geim, P. C. Main, N. La Scala, L. Eaves, T. J. Foster, P. H. Beton, J. W. Sakai, F. W. Sheard, M. Henini et al. // Phys. Rev. Lett. — 1994. — Vol. 72, no. 13. Pp. 20 612 064.
  47. Aleshkin V. Y., Reggiani L. Electron transport and shot noise in double-barrier resonant diodes: The role of Pauli and Coulomb correlations // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64, no. 24. — P. 245 333.
  48. Matveev K. A., Larkin A. I. Interaction-induced threshold singularities in tunneling via localized levels // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 46, no. 23. — Pp. 15 337−15 347.
  49. Mahan G. D. Excitons in Degenerate Semiconductors // Phys. Rev. — 1967. Vol. 153, no. 3. — Pp. 882−889.
  50. Arseyev P. I., Maslova N. S., Panov V. I., Savinov S. V. Coulomb singularity effects in tunnelling spectroscopy of individual impurities // JETP Lett. 2002. — Vol. 76, no. 5. — Pp. 345−348.
  51. Э. JI. Принципы электронной туннельной спектроскопии. — Киев: Наукова Думка, 1990. — 453 с.
  52. Zheng J. F., Liu X., Newman N., Weber E. R., Ogletree D. F., Salmeron M. Scanning tunneling microscopy studies of Si donors (sica) in GaAs // Phys. Rev. Lett. 1994. — Vol. 72, no. 10.- Pp. 1490−1493.
  53. Zheng J. F., Salmeron M., Weber E. R. Empty state and filled state image of (zriQa) acceptor in GaAs studied by scanning tunneling micposcope // Appl. Phys. Lett. 1994. — Vol. 64. — Pp. 1836−1838.
  54. Loth S. and Wenderoth M., Ulbrich R. G. Asymmetry of acceptor wave functions caused by surface-related strain and electric field in InAs // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 77. — P. 115 334.
  55. Marczinowski M. C., Wiebe J., Hashimoto K., Meier, Wiesendanger R. Effect of charge manipulation on scanning tunneling spectra of single Mn acceptors in InAs // Phys. Rev. B. 2008. — Vol. 77. — P. 115 318.
  56. Kanisawa K., Butcher M. J., Tokura Y., Yamaguchi H., Hirayama Y. Local Density of States in Zero-Dimensional Semiconductor Structures // Phys. Rev. Lett. 2001. — Vol. 87, no. 19. — P. 196 804.
  57. Meyer C., Klijn J., Morgenstern M., Wiesendanger R. Direct Measurement of the Local Density of States of a Disordered One-Dimensional Conductor 11 Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 91, no. 7. — P. 76 803.
  58. Suzuki K., Kanisawa K., Janer C., Perraud S., Takashina K., Fuji-sawa T., Hirayama Y. Spatial imaging of two-dimensional electronic states in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. Lett. — 2007. — Vol. 98. — P. 136 802.
  59. Dombrowski R., Wittneven C., Morgenstern M., Wiesendanger R. Landau level quantization measured by scanning tunneling spectroscopy onn-InAs (110) // Physica Status Solidi B.~ 1998, — Vol. 210, no. 2, — Pp. 845−851.
  60. Mahieu G., Grandidier B., Deresmes D., Nys J. P., Stievenard D., Ebert P. Direct Evidence for Shallow Acceptor States with Nonspheri-cal Symmetry in GaAs // Phys. Rev. Lett. — 2005. — Vol. 94, no. 2. — P. 26 407.
  61. Sullivan J. M., Boishin G. I., Whitman L. J., Hanbicki A. T., Jonker B. T., Erwin S. C. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of Mn-doped GaAs: Theory and experiment // Phys. Rev. B. — 2003. — Vol. 68, no. 23. P. 235 324.
  62. Lu J. Q., Johnson H. T., Dasika V. D., Goldman R. S. Moments-based tight-binding calculations of local electronic structure in InAs/GaAs quantum dots for comparison to experimental measurements // Appl. Phys. Lett. — 2006. — Vol. 88, no. 5. Pp. 1−3.
  63. Capaz R. B., Cho K., Joannopoulos J. D. Signatures of Bulk and Surface Arsenic Antisite Defects in GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett. ~ 1995. Vol. 75, no. 9.- Pp. 1811−1814.
  64. Feenstra R. M. Electronic states of metal atoms on the GaAs (llO) surface studied by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. — 1989. — Vol. 63, no. 13, — Pp. 1412−1415.
  65. Maslova N. S., Panov V. I., Savinov S. V., Depuyt A., van Haesendonk C. Scanning tunneling spectroscopy of charge effects on semiconductor surfaces and atomic clusters // JETP Lett.— 1998.— Vol. 67, no. 2.— Pp. 130−135.
  66. Feenstra R. M., Meyer G., Moresco F., Rieder K. H. Low-temperature scanning tunneling spectroscopy of n-type GaAs (llO) surfaces // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 66, no. 16. — P. 165 204.
  67. McEuen P. L., Foxman E. B., Meirav U., Kastner M. A., Meir Y.- Wingreen N. S., Wind S. J. Transport spectroscopy of a Coulomb island in the quantum Hall regime // Phys. Rev. Lett. — 1991.— Vol. 66, no. 14, — Pp. 1926−1929.
  68. Foxman E. B., McEuen P. L., Meirav U., Wingreen N. S., Meir Y., Belk P. A., Belk N. R., Kastner M. A., Wind S. J. Effects of quantum levels on transport through a Coulomb island // Phys. Rev. B. — 1993. — Vol. 47, no. 15. Pp. 10 020−10 023.
  69. Nakatsuji K., Takagi Y., Kornori F., Kusuhara H., Ishii A. Electronic states of the clean Ge (001) surface near Fermi energy // Phys. Rev. B.— 2005. Vol. 72, no. 24. — P. 241 308.
  70. Sagisaka K., Fujita D. Standing waves on Si (100) and Ge (100) surfaces observed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B.— 2005.— Vol. 72, no. 23. P. 235 327.
  71. Chadi D. J. Stabilities of single-layer and bilayer steps on Si (001) surfaces // Phys. Rev. Lett. 1987, — Vol. 59, no. 15, — Pp. 1691−1694.
  72. Pereira V., Nilsson J., Castro-Neto A. H. Coulomb impurity problem in graphene // Phys. Rev. Lett. — 2007. — Vol. 99,—P. 166 802.
  73. Schneider I., Struck A., Bortz M., Eggert S. Local density of states for individual energy levels in finite quantum wires // Phys. Rev. Lett.— 2008. Vol. 101. — P. 206 401.
  74. Sivan N., Wingreen N. S. Single-impurity Anderson model out of equilibrium // Phys. Rev. B. — 1996.-Vol. 54, no. 16. Pp. 11 622−11 629.
  75. Wingreen N. S., Jauho A.-P., Meir Y. Time-dependent transport through a mesoscopic structure // Phys. Rev. B.— 1993.— Vol. 48, no. 11.— Pp. 8487−8490.
  76. Zheng-zhong Li Y. R., Xiao M., Hu A. Microscopic study of impurity resonance and tunneling magnetoresistance of nanoscale junctions // Phys. Rev. B. 2007. — Vol. 75. — P. 54 420.
  77. Duke C. B., Paton A., Kahn A. f Bonapace C. R. Dynamical analysis of low-energy electron-diffraction intensities from InAs (110) // Phys. Rev. B. 1983. — Vol. 27, no. 10. — Pp. 6189−6198.
  78. Lubinsky A. R., Duke C. B., Lee B. W., Mark P. Semiconductor surface reconstruction: The rippled geometry of GaAs (llO) 11 Phys. Rev. Lett.— 1976, —Vol. 36, no. 17.-Pp. 1058−1061.
  79. Kahn A. Semiconductor surface structures // Surf. Sci. Rep. — 1983.— Vol. 3. Pp. 193−300.
  80. Puga M. W., Xu G., Tong S. Y. The surface geometry of GaAs (110) // Surf. Sci. 1985. — Vol. 164. — Pp. 789 796.
  81. Falter C., Ludwig W., Selmke M. Charge transfer and chemical shifts in zincblend compounds // Solid. St. Commuun.— 1985.— Vol. 54.— Pp. 321−325.
  82. Phillips J. C. Ionicity of the chemical bond in crystals // Rev. Mod. Phys. 1970. — Vol. 42, no. 3. — Pp. 317−356.
  83. Feenstra R. M.} Fein A. P. Surface morphology of GaAs (llO) by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. 1985.— Vol. 32, no. 2.— Pp. 1394−1396.
  84. Feenstra R. M., Stroscio J. A., Tersoff J., Fein A. P. Atom-selective imaging of the GaAs (llO) surface // Phys. Rev. Lett. — 1987, — Vol. 58, no. 12.-Pp. 1192−1195.
  85. Whitman L. JStroscio J. A., Dragoset R. A., Celotta R. J. Scanning-tunneling-microscopy study of InSb (llO) // Phys. Rev. B.— 1990, — Vol. 42, no. 11, — Pp. 7288−7291.
  86. Ebert P., Urban K., Lag ally M. G. Charge state dependent structural relaxation around anion vacancies on InP (llO) and GaP (llO) surfaces 11 Phys. Rev. Lett. 1994. — Vol. 72, no. 6. — Pp. 840−843.
  87. Sorba L., Hinkel V., Middelmann H. U., Horn K. Bulk and surface electronic bands of InP (llO) determined by angle-resolved photoemission // Phys. Rev. B. — 1987. Vol. 36, no. 15. — Pp. 8075−8081.
  88. D. J. (110) surface atomic structures of covalent and ionic semiconductors // Phys. Rev. B. — 1979. Vol. 19, no. 4, — Pp. 2074−2082.
  89. Miller D. J., Haneman D. Wave functions and (110) surface structure of III-V compounds // J. Vac. Sei. Technol.— 1978. Vol. 15.-Pp. 12 671 273.
  90. Goddard W. A., Barton J. J., Retondo A., McGill T. C. Theoretical studies of Si and GaAs surfaces and initial steps in the oxidation // J. Vac. Sei. Technol. 1978. — Vol. 15. — Pp. 1274−1286.
  91. Mailhiot C., Duke C. B., Chadi D. J. Calculation of the atomic geometries of the (110) surfaces of III-V compound semiconductors // Surf. Sei.— 1985. Vol. 149. — Pp. 366−380.
  92. Feenstra R. M. Tunneling spectroscopy of the (110) surface of direct-gap III-V semiconductors // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 50, no. 7. — Pp. 4561−4570.
  93. Pandey C. Atomic and electronic structure of semiconductor surfaces // J. Vac. Sei Technol. 1978. — Vol. 15. — Pp. 440−447.
  94. Chelikowsky J. R., Louie S. G., Cohen M. L. Relaxation effects on the (110) surface of GaAs // Phys. Rev. B.— 1976, — Vol. 14, no. 10.— Pp. 4724−4726.
  95. Meie E. J., Joannopoulos J. D. Electronic states at unrelaxed and relaxed GaAs (110) surfaces // Phys. Rev. B. 1978. — Vol. 17, no. 4. — Pp. 18 161 827.
  96. Kahn A. Atomic geometries of zincblend compound semiconductor surfaces: Silmilarities in surface rehybritizations // Surf. Sei. — 1986. — Vol. 168. Pp. 1−3.
  97. Lengel G., Wilkins R., Brown G., Weimer M., Gryko J., Allen R. E. Geometry and electronic structure of the arsenic vacancy on GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett. 1994.- Vol. 72, no. 6. — Pp. 836−839.
  98. Chao K.-J., Smith A. R.} Shih C.-K. Dircct determination of exact charge states of surface point defects using scanning tunneling microscopy: As vacancies on GaAs (110) // Phys. Rev. В. — 1996.— Vol. 53, no. 11.— Pp. 6935−6938.
  99. Ebert P., Chen X., Heinrich M., Simon M., Urban K., Lagally M. G. Direct determination of the Interaction between vacancies on InP (110) surfaces 11 Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76, no. 12. — Pp. 2089−2092.
  100. Lengel G., Harper J., Weimer M. Charge Injection and STM-Induced Vacancy Migration on GaAs (llO) // Phys. Rev. Lett. — 1996. —Vol. 76, no. 25. Pp. 4725−4728.
  101. Barth C., Henry C. R. Atomic Resolution Imaging of the (001) Surface of UHV Cleaved MgO by Dynamic Scanning Force Microscopy // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 91, no. 19. — P. 196 102.
  102. Г. К. Низковольтная электронография. — JL: Ленинградский университет, 1986. — 188 с.
  103. Barth С., Clayes С., Henry С. R. Surface preparation of hard ionic crystals by ultra high vacuum cleavage // Rev. Sci. Instr.— 2005.— Vol. 76, no. 8, — Pp. 1−7.
  104. Oreshkin A. I., Muzychenko D. A., Radchenko I. V., Mancevich V. N Panov V. I., Oreshkin S. I. Crystal cleavage mechanism for uhv scanning tunneling microscopy // Rev. Sci. Instr. — Vol. 77, no. 11. —P. 116 116.
  105. Ebert P., Urban К. Phosphorous vacancies and adatoms on GaP (110) surfaces studied by scanning tunneling microscopy // Ultramicroscopy. — 1993. Vol. 49. — Pp. 344−353.
  106. Oreshkin A. I., Mancevich V. N., Maslova N. S., Muzychenko D. A., Oreshkin S. I., Panov V. ISavinov S. V., Oreshkin S. I., Arseev P. I.147 I
  107. The influence of different impurity atoms on 1 / fa tunneling current noise characteristics on InAs (110) surface // JETP Lett — 2007.— Vol. 85, no. 1. Pp. 40−45.
  108. Mantsevich V. N., Maslova N. S. The influence of localized state charging on 1 /fa tunneling current noise spectrum // Solid. St. Commun. —2008. Vol. 147. — Pp. 278−283.
  109. Chen C. J. Tunneling matrix elements in three-dimensional space: The derivative rule and the sum rule // Phys. Rev. B. — 1990. — Vol. 42, no. 14. Pp. 8841−8857.
  110. Chen C. J. Origin of atomic resolution on metal surfaces in scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett.— 1990.— Vol. 65, no. 4.— Pp. 448−451.
  111. Mantsevich V. N., Maslova N. S. Tuning of tunneling current noise spectra singularities by localized states charging // JETP Lett. — 2009. — Vol. 89, no. 1, — Pp. 24−29.
  112. Mantsevich V. N., Maslova N. S. Spatial distribution of local density of states in vicinity of impurity on semiconductor surface // JETP Lett. —2009. — Vol. 89, no. 12. Pp. 609−613.
  113. Feenstra R. M., Meyer G., Moresco F., Rieder K. H. Low-temperature scanning tunneling spectroscopy of n-type gaas (HO) surfaces // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 66, no. 16. — P. 165 204.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!