Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах

Диссертация: Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Данная работа посвящена развитию теории дифракции на кристаллических структурах с учетом когерентного и диффузного каналов рассеяния. В первой главе приведен обзор литературы по проблеме изучения кристаллических объектов с помощью рентгенодифракционных методов и методов вторичных процессов. Во второй главе получены общие выражения для интенсивности когерентной и диффузной компонент выхода… Читать ещё >

Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Литературный обзор
    • 1. Вторичные процессы в рентгеновской дифракции
    • 2. Угловое распределение интенсивности рассеяния рентгеновских лучей вблизи узла обратной решетки
  • ГЛАВА 2. Стат истическая динамическая теория вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей многослойных структурах
  • ГЛАВА 3. Статистическая теория дифракции от эпитаксиальных слоев применительно ктрехосевой дифрактометрии
  • ГЛАВА 4. Теория дифракции на сверхрешетке сложного композиционного состава

Планарные гетероструктуры — это многослойные системы, которые используются в полупроводниковых приборах. Развитие оптики и электроники требует создания новых полупроводниковых структур с размерами порядка 10~9м. Такие объекты получили название наноструктуры или наностистемы. Наиболее распространенными методами изготовления полупроводниковых структур являются ионная имплантация, молекулярно-лучевая эпитаксия, диффузное внедрение и различные способы парофазного эпитаксиального роста. Даже самые передовые технологии не позволяют создавать структуры с идеальной кристаллической решеткой, в результате чего в объеме кристалла могут возникать различного рода дефекты [1−6]. Полупроводниковые приборы, размеры которых порядка нанометров, требуют строгого анализа их атомно-кристаллической структуры. Физические свойства и дальнейшее применение таких объектов определяются качеством кристаллической решетки материалов.

Исходным материалом для создания планарных гетероструктур служат элементы четвертой группы таблицы Менделеева, соединения третьей и пятой групп вида А|ПВУ и соединения АИВУ|. Наиболее популярными являются композиции на основе Б!, йе, бинарные соединения ваЫ, СаАэ, А1Аб, А1БЬ, 1пЫ, 1пР, 1пАб, СсГГе, Сс18е и т. д. [7]. Ввиду ограниченности состава бинарных соединений для получения материалов с более сложными электрофизическими свойствами предпочтение отдают их тройным и более сложным химическим композициям [8]. В результате такой компоновки можно добиваться непрерывного изменения параметра решетки структуры, создавать многослойные системы твердых растворов из комбинаций соединений АШВУ [9]. При этом если имеет место закон Вегарда, то зависимость объема элементарной ячейки от концентрации должна иметь линейный характер, однако в ряде случаев для трехкомпонентных твердых растворов закон Вегарда может не выполняться. Напряжения приводят к возникновению деформаций кристаллической решетки.

Поскольку разного рода полупроводниковые материалы обладают разными уровнями валентности и проводимости, то на их гетерогранице возникает изгиб энергетических зон [10]. Электроны в такой системе могут свободно двигаться вдоль границы раздела материалов. Последовательный рост двух гетеропереходов приводит к образованию квантовой ямы с одним или несколькими уровнями энергии. Квантовые нити ограничивают движение электронов в двух направлениях. Объекты, в которых движение электрона ограничено, но всем направлениям, получили название квантовых точек [11, 12].

Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия — это эффективный неразрушающий метод исследования кристаллических гетероструктур [13 -15], при этом анализ дифракционной картины требует учета когерентного и диффузного рассеяния. Когерентный канал рассеяния определяется состоянием «средней» (напряженной) кристаллической решетки. Формирование диффузного поля рассеяния происходит в результате взаимодействия рентгеновского излучения с дефектами кристаллической структуры. Непосредственное взаимодействие рентгеновского излучения с веществом сопровождается различного рода вторичными процессами, при этом за выход вторичных процессов отвечает как когерентная, так и диффузная составляющие рентгеновского поля. Следовательно, угловое распределение коэффициента дифракционного отражения и выход вторичных процессов содержат важную информацию о структурных характеристиках кристаллических нанобъектов.

Данная работа посвящена развитию теории дифракции на кристаллических структурах с учетом когерентного и диффузного каналов рассеяния. В первой главе приведен обзор литературы по проблеме изучения кристаллических объектов с помощью рентгенодифракционных методов и методов вторичных процессов. Во второй главе получены общие выражения для интенсивности когерентной и диффузной компонент выхода вторичных процессов от градиентной кристаллической структуры с произвольным законом изменения межплоскостного расстояния. Показано влияние диффузного и когерентного каналов рассеяния на угловое распределение вторичных процессов. В третьей главе получено аналитическое решение для углового распределения когерентной и диффузной составляющих интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в близи узла обратной решетки от гетероструктуры применительно к методу трехосевой дифрактометрии. Показано влияние напряжений и дефектов на угловые зависимости интенсивности рассеяния. Теория использована для исследования гетероструктур 1пСаН/СаЫ/А1Ы/А120з и 1пР/1пСаАзР/1пР с ультратонкими слоями. В четвертой главе в рамках статистического подхода впервые получены выражения для угловых распределений когерентной и диффузной компонент интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в обратном пространстве от сверхрешетки со сложным композиционным составом. Изучено влияние структурных параметров сверхрешетки на угловые зависимости интенсивности рассеяния. Показана связь полученных выражений с решением для двухкомпонентной сверхрешетки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные, новые и существенные результаты диссертационной работы состоят в следующем.

1. В рамках статистической теории получены выражения для углового распределения выхода вторичных процессов из градиентного (многослойного) кристалла, содержащего статистически распределенные дефекты. Показано, что кривые выхода вторичных процессов чувствительны к наличию хаотически распределенных дефектов и малых искажений кристаллической решетки в тонких приповерхностных слоях градиентного кристалла. По экспериментальным данным двух-, трехкристальной дифрактометрии и выхода фотоэлектронов получены характеристики кристалла 1пР, имплантированного ионами Ре+.

2. В рамках статистического подхода впервые рассмотрена дифракция рентгеновских лучей на наноразмерных гетероструктурах с учетом когерентного и диффузного рассеяния. Получены аналитические выражения для угловых распределений когерентной и диффузной компонент рассеянной интенсивности рентгеновского излучения вблизи узла обратной решетки. Показано влияние напряжений и дефектов на угловые зависимости рассеянной интенсивности. Теория использована для исследования гетероструктур 1пОаЖЗаМ/А1Ы/А12Оз и ГпРЛпваАзРЛпР с ультратонкими слоями. Сравнение экспериментальных данных и теоретических расчетов позволило получить информацию о структуре многослойных систем.

3. В рамках статистического подхода впервые получены выражения для угловых распределений когерентной и диффузной компонент интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в обратном пространстве от сверхрешетки со сложным композиционным составом. Изучено влияние структурных параметров сверхрешетки на угловые зависимости интенсивности рассеяния. Показана связь полученных выражений с решениями для двухкомпонентной сверхрешетки. Установлено, что дополнительная структурная модуляция сверхрешетки приводит к изменению углового распределения когерентной интенсивности рассеяния. Сравнением экспериментальных данных с результатами численного моделирования углового распределения интенсивности рассеяния рентгеновских лучей вблизи узла обратной решетки вычислены структурные параметры сверхрешетки 1п8Ь/1пСа8Ь/1п8Ь/1пА5.

Полученные результаты дают возможность развития теоретических и экспериментальных методов исследований структурного совершенства материалов современной микро-, нанои оптоэлектроники. Для практических целей могут быть использованы:

• выражения для углового распределения выхода вторичных процессов в условиях динамической дифракции рентгеновских лучей для определения структурных параметров градиентных кристаллов;

• аналитические выражения для углового распределения когерентной и диффузной составляющих рассеянной интенсивности рентгеновского излучения от гетероструктур с деформациями решетки и хаотически распределенными дефектами;

• решения для углового распределения когерентной и диффузной составляющих интенсивности рассеяния рентгеновских лучей от св’ерхрешеток сложного композиционного состава для изучения их структурных характеристик.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Tabuchi, М. Determination of composition distributions in InP/InGaAs/InP quantum-well structures by X-ray crystal truncation rod scattering and quantum levels / M. Tabuchi et. al. // Journal of Crystal Growth. 1998. — Vol. 186. -P. 48−54.
  2. Tabuchi, M. X-ray CTR scattering measurements of InP/InGaAs/InP interface structures fabricated by different growth processes / M. Tabuchi et al. // Applied Surface Science. 2000. — Vol. 159 — 160. — P. 250 — 255.
  3. Tabuchi, M. Distribution of InAs atoms in InP/InPAs (1 monolayer)/InP heterostructures measured by X-ray crystal truncation rod scattering / M. Tabuchi et al. // J. Appl. Phys. 1997. — Vol. 81 № 1. — P. 112 — 115.
  4. Takeda, Yo. X-ray crystal truncation rod scattering of AsH3-exposed InP/InPAs/InP single heterostructures / Yo. Takeda et al. // Appl. Phys. Lett. -1995. Vol. 66 № 3. — P. 332 — 334.
  5. Takeda, Yo. Layer structures analysis of Er 5-doped InP by X-ray truncation rod scattering / Yo. Takeda et al. // J. Appl. Phys. 1997. — Vol. 82, № 2. -P. 635−638.
  6. Tabuchi, M. Atomic level interface structure of InP/InPAs/InP measured by X-ray crystal truncation rod scattering / M. Tabuchi et al. // Journal of Crystal Growth. 1995. Vol. 146. — P. 148 — 152.
  7. , Дж. Твердые растворы соединений AmBv / Дж. Булей // Полупроводниковые соединения AmBv. -М.: Металлургия. 1967. С. 6 — 40.
  8. , М. Г. Закономерности дефектообразования в гетероэпитаксиальных структурах соединений AniBv для оптоэлектроники (обзор) / М. Г Мильвидский, В. В. Освенский // Кристаллография. 1977. -Т. 22-С. 431 -447.
  9. Penning, P. Anomalous Transmission x-rays in Elastically Deformed Crystals / P. Penning, D. Polder // Philips, Res. Repts. -1961.- Vol. 16. P. 416 — 440.
  10. Springholz, G. Vertical and lateral ordering in self-organized quantum dot superlattices / G. Springholz et al. // Physica E. 2001. — Vol. 9. — P. 149 — 163.
  11. И. Кульбачинский, В. А. Полупроводниковые квантовые точки // Соросовский образовательный журнал. 2001. — Т. 7, № 4. — С. 98 — 104.
  12. Alhassid, Y. The statistical theory of quantum dots / Y. Alhassid // Reviews of Modern Physics. 2000. — Vol. 72, № 4. — P.895 — 968.
  13. O’Donnell, K. P. Structural analysis of InGaN epilayers / K. P. O’Donnell et al. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2001. — Vol. 13. — P. 6977 -6991.
  14. Krost, A. Indium nanowires in thick (InGaN) layers as determined by X-ray analysis / A. Krost et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76, № 11. — P. 1395 -1397.
  15. Schmidbauer, M. X-ray diffuse scattering on self-organized Mesoscopic structures / M. Schmidbauer, M. Hanke, R. Kohler // Cryst. Res. Technol. 2002. -Vol. 37.-P. 3−34.
  16. , A. M. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / А. М. Афанасьев, В. Г. Кон // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1978. -Т. 74, вып. 1.-С. 300−313.
  17. , А. М. Исследование тонких приповерхностных слоев полупроводниковых материалов / А. М. Афанасьев, Б. Г. Захаров, Р. М. Имамов и др. // Электронная промышленность. 1980. — вып. 11 (95) -12 (96).-С. 47−50.
  18. , А. М. Физический энциклопедический словарь /
  19. A. М. Прохоров. -М: Сов. энцикл., 1984. 944 с.
  20. , В. А. Вторичные процессы в рентгеновской оптике /
  21. B. А. Бушуев, P.II. Кузьмин. М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1990. — 112 с.
  22. Kovalchuk, М. V. Photoeffect under the conditions of dynamical X-ray diffraction / M. V. Kovalchuk, I. A. Vartanyantz, V. G. Kohn // Acta Crystal. -1987.-A43.-P. 180−187.
  23. , M. В. Рентгеновские стоячие волны новый метод исследования структуры кристаллов / М. В. Ковальчук, В. Г. Кон // Успехи физических наук. — 1986. — Т. 149, вып. 1. — С. 69 — 102.
  24. Ефимов, О. H Внешний фотоэффект при динамическом рассеянии рентгеновских лучей / О. Н. Ефимов, В. Н. Щемелев, М. В. Круглов // Ученые записки ЛГУ. 1974. № 370. — С. 83 — 86.
  25. , В. Н. Внешний фотоэффект из совершенных кристаллов германия в условиях брэгговского (111) отражения рентгеновских лучей / В. Н. Щемелев, М. В. Круглов// ФТТ. — 1972. — Т. 14, вып. 12. — С. 3556 -3563.
  26. Kikuta, S, Variation of the yield of the electrons emission from a silicon single crystal with the diffraction condition of exiting X-rays / S. Kikuta, T. Takahashi, Y. Tuzi // Phys. Lett. A. 1975, — Vol. 50, — P. 453 — 454.
  27. , H. П. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах / Н. П. Калашников, Б. В. Каленов, Ю. А. Матвеев и др. // ФТТ. 1982. — Т. 24, вып. 3. — С. 677 — 860.
  28. , М.В. Фотоэмиссия при брэгговской дифракции рентгеновских лучей в кристалле с аморфной пленкой / М. В. Круглов, Е. А. Созонтов, В. Н. Щемелев, и др. // Кристаллография 1977. — Т. 22. — С. 693 — 697.
  29. , И. М. Вторичная электронная эмиссия / И. М. Бронштейн, Б. Ф. Фрайман М.: Наука, 1969.
  30. , А. М. Определение вероятности выхода фотоэлектронов различных энергий в кристаллах / А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, 3. А. Игамкулов и др. // Кристаллография. 1994. — Т. 39, № 2. — С. 250 -257.
  31. Koppensteiner, E. Investigation of strain-symmetrized and pseudomorphic SimGen superlattices by X-ray reciprocal space mapping / E. Koppensteiner et al. // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 76, № 6. — P. 3489 -3501.
  32. Darhuber, A. A. Structural characterization of self-assembled quantum dot structures by X-ray diffraction techniques / A. A. Darhuber et al. // Thin Solid Films. 1997. — Vol. 306. — P. 198 — 204.
  33. , H. Физика твердого тела / H. Ашкрофт, H. Мермии. M.: Мир, 1979.-Т. 1.
  34. Kovats, Z. Residual strain in Ge pyramids on Si (l 11) investigated by X-ray crystal truncated rod scattering / Z. Kovats et al. // Physical review B. 2000. -Vol. 62.№ 12.-P. 8223−8231.
  35. Nordlund, K. Diffuse X-ray streaks from stacking faults in Si analyzed by atomistic simulations / K. Nordlund et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76 № 7. — P.846 — 848.
  36. Pereira, S. Strain and composition distributions in wurtzite InGaN/GaN layers extracted from X-ray reciprocal space mapping / S. Pereira et a! // Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 80, № 21 — P. 3913 — 3915.
  37. Pereira, S. Interpretation of double X-ray diffraction peaks from InGaN layers / S. Pereira et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 79, № 10. — P. 1432 — 1434.
  38. Pereira, S. Compositional dependence of the strain-free optical band gap in InxGa, xN layers / S. Pereira et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78, № 15. -P. 2137−2139.
  39. Pereira, S. Structural and optical properties of InGaN/GaN layers close to the critical layers thickness / S. Pereira et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 81, № 7,-P. 1207−1209.
  40. Wang, H. AIN/AlGaN superlattices as dislocation filter for low-threading-dislocation thick AlGaN on sapphire / H. Wang et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. -Vol. 81,№ 4,-P. 604−606.
  41. Schuster, M. High-resolution X-ray diffraction and X-ray standing wave analyses of (AlAs)m (GaAs)n short-period superlattices / M. Schuster et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. — Vol. 28, — P. A206 — A211.
  42. Kyutt, R. N. Broadening of submonolayer CdSe sheets in CdSe/ZnSe superlattices studied by X-ray diffraction / R. N. Kyutt et al. // Appl. Phys. Lett. -1999. Vol. 75, № 3. — P. 373 — 375.
  43. Krost, A. High-resolution X-ray analysis of compressively straind 1.55 pm GalnAs/AlGalnAs multiquantum well structures near the critical thickness / A. Krost et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67, № 22. — P. 3325 — 3327.
  44. Krost, A. In enrichment in (In, Ga) As/GaAs quantum dots studies by highresolution X-ray diffraction and pole figure analysis / A. Krost et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 75, № 19. — P. 2957 — 2959.
  45. Stierle, A. High resolution X-ray characterization of Co films on AI2O3 / A. Stierle et al. //J. Appl. Phys. 1993. — Vol. 73, № 10. — P. 4808−4814.
  46. Brandt, 0. Determination of strain state and composition of highly mismatched group-Ill nitride heterostructures by X-ray diffraction / 0. Brandt et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. — Vol. 35. — P. 577 — 585.
  47. Darhuber, A. A. Quantitative analysis of elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots / A. A. Darhuber et al. // Physica. 1996. — B227. — P. 11 — 16.
  48. Holy, V. High-Resolution X-ray Scattering From Thin Films and Multilayers / V. Holy et al. // Springer Tracts in Modern Physics. 1999. — Vol. 149. — 258 p.
  49. Li, J. H. Evolution of mosaic structure in Sio? Ge03 epilayers grown on Si (OOl) substrates / J. H. Li et al. // // J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 86, № 3 -P. 1292−1297.
  50. Mudie, S. T. Collection of reciprocal space maps using imaging plates at Australian National Beamline Facility at the Photon Factory / S. T. Mudie et al./ J. Synchrotron Rad. 2004. — Vol. 11. — P. 406 — 413.
  51. Nesterets, Y. I. The statistical kinematical theory of X-ray diffraction as applied to reciprocal-space mapping / Y. I. Nesterets, V. I. Punegov // Acta Cryst. -2000.-A56.-P. 540−548.
  52. Alexe, G. Studies of misfit dislocation denseties in II VI laser structures by diffuse X-ray scattering / G. Alexe et al. // Phys. Stat. Sol. (b). — 2002. -Vol. 229, № l.-P. 193−196.
  53. Srikant, V. Mosaic structures in epitaxial thin films large lattice mismatch / V. Srikant et al. // J. Appl. Phys. 1997. — Vol. 82, № 9. — P. 4286 — 4295.
  54. Sztucki, M. X-ray analysis of temperature induced defect structures in boron implanted silicon / M. Sztucki et al. // J. Appl. Phys. 2002. — Vol. 92, № 7. -P. 3694−3703.
  55. Wiebach, Th. Strain and composition in SiGe nanoscale islands studied by X-ray scattering / Th. Wiebach // Physical review B. 2000. — Vol. 61, № 8. -P. 5571 -5578.
  56. Zaus, R. An Improved deviation parameter for simulation of dynamical X-ray diffraction on epitaxic heterostructures / R. Zaus et. al. //J. Appl. Cryst. 1993. -Vol. 26.-P. 801−811.
  57. Iida, A. Separate measurements of dynamic and kinematic X-ray diffractions from silicon crystals with a tripleaxis diffractometer // Phys. Status Solidi. 1979. -Vol. 51(2)-P. 533 -542.
  58. Gerhard, T. High-resolution X-ray diffraction study of degrading ZnSe-based laser diodes / T. Gerhard, D. Albert, W. Faschinger // Journal of Crystal Growth. -2000.-Vol. 214-P. 1049−1053.
  59. Kinne, A. Image Plates as One-Dimensional Detectors in I Iigh-Resolution X-ray Diffraction / A. Kinne et al. // Journal of Appl. Cryst. 1998. — Vol. 31, -P. 446−452.
  60. Butler, B. D. High-energy X-ray diffuse scattering using Weissenberg flat-cone geometry / B. D. Butler et al. // Journal of Appl. Cryst. 2000. — Vol. 33 -P. 1046- 1050.
  61. Welberry, T. R. High-energy diffuse scattering on the 1-ID beamline at the Advanced Photon Source / T. R. Welberry et al. // Synchrotron Radiation. -2003.-Vol. 10.-P. 284−486.
  62. Pavlov, К. M. Statistical dynamical theory of X-ray diffraction in the Bragg case: application to triple-crystal diffractometry / M. P. Pavlov, V. I. Punegov // Acta. Cryst. 2000. — A56. — P. 227 — 234.
  63. Faleev, N. Influence of long-range lateral ordering in structures with quantum dots on the spatial distribution of diffracted X-ray radiation / N. Faleev et al. // Japanese J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 38. — P. 818 — 821.
  64. Rettig, R. X-ray diffraction study of intentionally disordered (GaIn)As/Ga (PAs) heterostructures / R. Rettig et al. // J. Appl. Phys. 1998. -Vol. 84, № l.-P. 237−247.
  65. Rettig, R. Growth and structural properties of GaIn) As/Ga (PAs) intentionally disordered superlattice structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy / R. Rettig et al. //Journal of Crystal Growth. 1997. — Vol. 170. — P. 748 — 751.
  66. Schmidbauer, M. Controling planar and vertical ordering in three-dimensional (In, Ga) As quantum dot lattices by GaAs surface orientation / M. Schmidbauer et al. // Physical review letters. 2006. — Vol. 96, 66 108. -P. 1−4.
  67. Pal, D. Structural characterization of InAs/GaAs quantum-dot nanostructures / D. Pal et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78, № 26. — P. 4133 — 4135.
  68. Gonzalez, J. C. X-ray determination of vertical ordering of InAs quantum dots in InAs/GaAs multilayers / J. C. Gonzalez et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol. 78, № 8. -P. 1056- 1058.
  69. Holy, V. Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution X-ray diffraction / V. Holy et al. // Solid-State Electronics. 1996. -Vol. 40.-P. 373−377.
  70. Koppensteiner, E. Determination of threading dislocation density in hetero-epitaxial layers by diffuse X-ray scattering / E. Koppensteiner et al. // Applied Physics. 1995. — Vol. 28 — P. 114 — 119.
  71. Li, J. H. Evolution of strain relaxation in compositionally graded SiixGex films on Si (001) / J. H. Li et al. // Applied Physics Letters. 1995. — Vol. 67, № 2-P. 223−225.
  72. Darhuber, A. A. Structural characterization of self-assembled Ge dot multilayers by X-ray diffraction and reflectivity methods / A. A. Darhuber et al. // Physica E. 1998. — Vol. 2. — P. 189−793.
  73. Holy, V. Coplanar and grazing incidence X-ray-diffraction investigation of self-organized SiGe quantum dot multilayers / V. Holy et al. // Physical review B. 1998. — Vol. 58, № 12. — P. 7934 — 7943.
  74. Kegel, I. Vertical alignment of multilayered quantum dots studied by X-ray grazing-incidence diffraction / I. Kegel et al. // Physical review B. 1999. -Vol. 60, № 4. — P. 2516−2521.
  75. Meduna, M. X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy / M. Meduna et al. // J. Appl. Phys. 2001. — Vol. 89, № 9. — P. 4836 — 4842.
  76. Holy, V. Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers / V. Holy et al. // Physical review B. 1998. — Vol. 57, № 19. — P. 12 435 — 12 442.
  77. Holy, V. Diffuse X-ray reflection from multilayers with stepped interfaces / V. Holy et al. // Physical review B. 1997. — Vol. 55, № 15. — P. 9960 — 9968.
  78. Springholz, G. Nearly perfect 3D ordering in IV VI quantum dot superlattices with ABCABC. vertical stacking sequence / G. Springholz et al. // Physica E. — 2000. — Vol. 7. — P.870 — 875.
  79. Holy, V. Lateral and vertical ordering of self-assempled PbSe quantum dots by high-resolution X-ray diffraction / V. Holy et al. // Physica B. 2000. Vol. 283.-P.65−68.
  80. Springholz, G. Self-organized growth of free-dimensional IV VI semiconductor quantum dot crystals with fcc-like vertical stacking and tunablelattice constant / G. Springholz et al. // Surface Science. 2000. — Vol. 454 -456.-P. 657−670.
  81. Biasing, J. The origin of stress reduction by low-temperature A1N interlayers / J. Biasing et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 81, № 15. — P. 2722 — 2724.
  82. Yang, B. Structural characterization of thin GaN epilayers directly grown on on-axis 6H-SiC (0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy / B. Yang et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 73, № 26. — P. 3869 — 3871.
  83. Bourret, A. Strain relaxation in (0001) AIN/GaN heterostructures / A. Bourret et al.// Physical review B. 2001. — Vol. 63. — P. 245 307−1 — 245 307−13.
  84. Kistenmacher, T. J. Real and reciprocal space mapping of the mosaic dispersion in self-nucleated AlxGai. xN thin films on (0.01) sapphire/ T. J. Kistenmacher et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67, № 25, — P. 3771 -3773.
  85. Fewster, P. F. Detailed structural analysis of semiconductors with X-ray scattering / P. F. Fewster et al. // Materials Science in Semiconductor Processing. -2001.-Vol. 4.-P. 575−481.
  86. Chinko, K. Buffer layer strain transfer in AIN/GaN near critical thickness / K. Chinko et al. // J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 85, № 8. — P. 4040 — 4044.
  87. Chinko, K. Critical thickness of GaN thin films on sapphire (0001) / K. Chinko et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69, № 16. — P. 2358 — 2360.
  88. Kozlowski, J. Structural characterization of (Al, Ga) N epitaxial layers by means of X-ray diffractometry / J. Kozlowski et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2001. -Vol. 228, № 2. -P. 415−418.
  89. Chamrad, V. Structure and ordering of GaN quantum dot multilayers / V. Chamrad et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79 № 13 — P. 1971 — 1973.
  90. Domagala, J. Z. X-ray diffraction studies of epitaxial laterally overgrown (ELOG) GaN layers on sapphire substrates / J. Z. Domagala et al. // Journal of Crystal Growth. 2002. — Vol. 245. — P. 37 — 49.
  91. Kapolnek, D. Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire / D. Kapolnek et al. / Appl. Phys. Lett. -1995.-Vol. 67, № 11.- P. 1541−1543.
  92. Mudie, S. High-resolution X-ray diffractometry investigation of interface layers in GaN/AIN structures grown on sapphire substrates / S. Mudie et al. // Surface Review and Letters. 2003. — Vol. 10. — P. 513 — 517.
  93. Miceli, P. F. X-ray scattering from rotational disorder in epitaxial films: An unconventional mosaic crystal / P. F. Miceli, C. J. Palmstrom // Physical review B. 1995. — Vol. 51, № 8. — P. 5506 — 5509.
  94. Miceli, P. F. Growth morphology of epitaxial ErAs/GaAs by X-ray extended range specular reflectivity / P. F. Miceli et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. -Vol. 61,№ 17.-P. 2060−2062.
  95. Miceli, P. F. X-ray scattering study of lattice relaxation in ErAs epitaxial layers on GaAs / P. F. Miceli et al.// Appl. Phys. Lett. 1991. — Vol. 58, № 15. -P. 1602- 1604.
  96. Miceli, P. F. Specular and diffuse reflectivity from thin films containing misfit dislocations / P. F. Miceli et al.// Physica B. 1996. — Vol. 221. — P. 230 -234.
  97. Krost, A. High-resolution X-ray diffraction of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures / A. Krost et al. // Applied Physics. 1996. — V68, № 6. -P. 785−787.
  98. , В. А. Статистическая динамическая теория вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / В. А. Бушуев // ФТТ. 1995. — Т. 37, № 1. — С. 249−260.
  99. , В. И. Влияние многократного диффузного рассеяния на динамическую дифракцию рентгеновских лучей в слоисто-неоднородных кристаллах с микродефектами / В. И. Пунегов, А. В. Харченко // Кристаллография. 1998. — Т.46, № 6. — С. 1078 — 1084.
  100. , В. И. Погашение сателлитных максимумов сверхрешетки с периодически распределенными дефектами / В. И. Пунегов // ФТТ. 1995. -Т. 37, № 4.-С. 1134- 1148.
  101. , В. А. Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / В. А. Бушуев // ФТТ. 1989. — Т. 31, № 11. — С. 70 — 78.
  102. Mukhamedzanov, Е. Kh. Photoelectrons in X-ray standing-wave technique: potentialities in crystal layer investigation / E. Kh. Mukhamedzanov // U Nuovo Cimento. 1997. — Vol. 19D, № 24. — P. 501 — 511.
  103. , В. И. Рассеяние синхротронного излучения на InGaN наноструктурах: эксперимент и численное моделирование / В. И. Пунегов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. — № 8. — С. 25 — 31.
  104. , Т. Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. / Т. Д. Джафаров. JI.: Наука, 1978. — 208 с.
  105. Boulle, A. Reciprocal-space mapping of epitaxic thin films with crystallite size and shape polydispersity / A. Boulle et al. // Acta. Cryst. 2006. — A62. -P. 11−20.
  106. В.И. Длина корреляции в статистической теории рентгеновской дифракции на одномерно искаженных кристаллах с дефектами. 2. Периодическая деформация. // Кристаллография. 1996. -Т. 41, № 2.-С. 212−218.
  107. , М. Полупроводниковые сверхрешетки / М. Херман. М.: Мир, 1989.-240 с.
  108. Esaki, L. Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors / L. Esaki, R. Tsu // IBM J. Res. Develop. 1970. — Vol. 14, № 1. -P. 61−65.
  109. Esaki, L. Proc. 12th Int. Conf. Low Temp. Phys / L. Esaki et al. // Acad. Press of Japan. 1971. — P. 551 — 553.
  110. Esaki, L. Polytype Superlattices and Multi-Heterojunctions / L. Esaki, et al. // Japanese J. Appl. Phys. -1981.- Vol. 20, № 7. P. L529 — L532.
  111. , В. И. Кинематическая рентгеновская дифракция на политипной сверхрешетке с дефектами / В. И. Пунегов, Я. И. Нестерец // Письма в ЖТФ. 1994. — Т. 20, № 16. — С. 62 — 67.
  112. , М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. М.: Наука, 1986. — С. 144.
  113. , В. И. Рентгеновская дифракция на полупроводниковой сверхрешетке с микродефектами / В. И. Пунегов // Письма в ЖТФ. 1992. -Т. 18, № 4. — С. 65−70.
  114. Punegov, V. I. X-ray diffraction from multilayer structures with statistically distributed microdefects / V. I. Punegov // Phys. Stat. Sol. (a). 1993. — Vol. 136, № l.-P. 9- 19.145
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!