Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников

Диссертация: Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В четвертой главе описаны результаты исследования методом УФЭС зарядового состояния поверхности образцов системы Л$-вб при различных воздействиях на поверхность: травление в щелочи, механическая шлифовка, травление в азотной кислоте, окисление поверхности, которые показали, что в результате окисления ХСП на поверхности возникает скачок потенциала, приводящий к увеличению работы выхода… Читать ещё >

Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. Халькогенидные стеклообразные полупроводники. Исследование плотности состояний и поверхностных свойств
    • I. I. Энергетическая структура аморфных и стеклообразных полупроводников
      • 1. 2. Методы изучения плотности состояний
      • 1. 3. Исследование поверхности полупроводников фотоэмиссионными методами. Поверхностные свойства ХСП
        • 1. 3. 1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и метод ЭСХА
        • 1. 3. 2. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия
        • 1. 3. 3. Поверхностные свойства ХСП
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ I. Постановка задачи
  • ГЛАВА II. Методика измерений
    • 2. 1. Выбор методики исследования ХСП
    • 2. 2. Выбор анализатора энергий фотоэлектронов для исследования фотоэмиссии из ХСП
    • 2. 3. Экспериментальная установка
    • 2. 4. Разрешение энергоанализатора типа сферического конденсатора с задерживающим полем
      • 2. 4. 1. Теоретический предел разрешения
      • 2. 4. 2. Реальное разрешение энергоанализатора
    • 2. 4. 3. Оценка работы энергоанализатора, используемого в установке
    • 2. 4. 4. Экспериментальная проверка разрешения энергоанализатора
  • ГЛАВА III. Исследование плотности состояний вблизи вершины валентной зоны ХСП
    • 3. 1. Изготовление образцов для исследования плотности состояний
    • 3. 2. Спектр плотности состояний у вершины валентной зоны ХСП системы Jls- Se-Т&
      • 3. 2. 1. Теоретические основы расчета плотности состояний по результатам измерения фотоэмиссии
      • 3. 2. 2. Экспериментальное исследование плотности состояний в ХСП системыJs~Se~fe3Q
    • 3. 3. Исследование плотности состояний при переходе от состава J^Sx^bV. составу
  • S6t2 Se3 в системе А$ -SfiSe
    • 3. 4. Плотность состояний у верхнего края валентной зоны трисульфида мышьяка. .. III
    • 3. 5. Полученные результаты- обсуждение
  • ГЛАВА 1. У. Фотоэмиссионные исследования состояния поверхности и фотоструктурных превращений в ХСП
    • 4. 1. Исследование состояния поверхности стеклообразного Jsi Se3 после различных обработок: травление в щелочи, азотной кислоте, механическая шлифовка и полировка
    • 4. 1. Л. Приготовление образцов
      • 4. 1. 2. Фотоэмиссионные исследования поверхности
    • 4. 2. Влияние окисления и действие органических растворителей на зарядовое состояние поверхности аморфных пленок
      • 4. 2. 1. Приготовление образцов
      • 4. 2. 2. Влияние обработок на состояние поверхности
    • 4. 3. Изменение состояния поверхности аморфных пленок jfej, Зз и пленок системы
  • Js ~Se при отжиге
    • 4. 4. Перераспределение плотности состояний при фотоструктурных превращениях
      • 4. 4. 1. Приготовление образцов
      • 4. 4. 2. Исследование плотности состояний методом УФЭС
    • 4. 5. Обсуждение результатов
      • 4. 5. 1. Изменение состояния поверхности
      • 4. 5. 2. Фотоструктурные превращения

Открытие в физико-техническом институте им, Иоффе Коло-мийцем Б.Т. и Горюновой Н. А. халькогенидных стекол со свойствами полупроводников показало, что полупроводниками могут быть вещества не только в кристаллическом, но и в стеклообразном состоянии. Эти свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) подтвердили высказанную ранее гипотезу А. Ф. Иоффе и А. Р. Регеля о том, что электрические свойства вещества определяются не дальним, а ближним порядком.

В дальнейшем был синтезирован широкий круг таких материалов, которые сочетали в себе структуру стекла и свойства полупроводников. Эти вещества, в отличие от кристаллических аналогов, обладали новыми, интересными свойствами. Эти свойства нашли широкое применение при создании промышленных приборов на основе ХСП. Так, например, высокая фоточувствительность в сочетании с низкой проводимостью и большой разрешающей способностью позволили создать высококачественные видиконыналичие эффекта переключения в ХСП явилось основой для создания ячеек памяти. На этих материалах созданы слои, используемые в электрографии. ХСП используются в качестве фоторезисторов, регистрирующих сред в голографии и так далее. Еще одним замечательным свойством халькогенидных стекол является их большая радиационная стойкость, что также определяет сферу их применения.

Большинство особенностей халькогенидных стекол определяется энергетической структурой вершины валентной зоны вблизи края подвижности и спектром локализованных состояний в «запрещенной зоне». Тем не менее энергетическая структура ХСП в этой области энергии изучена не достаточно. Открытие такого явления в.

ХСП как отсутствие неспаренных спинов при наличии большого числа дефектов, существование обратимых фотоструктурных превращений, связанных с перестройкой электронной структуры показывает, что свойства ХСП, связанные с особенностью их строения, выяснены не до конца и в этом направлении есть еще обширное поле деятельности. При этом следует отметить, что в настоящее время не существует модели энергетической структуры ХСП, которая непротиворечивым образом описывала бы все наблюдаемые эффекты в этих материалах.

Еще одним важным аспектом при исследовании ХСП является исследование их поверхностных свойств. Неупорядоченная структура стекла, отсутствие дальнего порядка, значительное число дефектов в ХСП определяют их нечувствительность к легированию для больших интервалов концентрации примесей, а также их радиационную стойкость. Однако, как показали исследования [I], свойства ХСП чувствительны к внешним воздействиям на эти материалы, что является одним из интереснейших их свойств.

Настоящая диссертация посвящена исследованию энергетической структуры ХСП вблизи вершины валентной зоны и плотности состояний в «запрещенной зоне» методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (УФЭС). Кроме этого, методом УФЭС исследовалась энергетическая структура и зарядовое состояние поверхности при различных воздействиях на поверхность ХСП системы кАз-Se. .

Анализ методик, применяемых для исследования плотности состояний в полупроводниках, сделан во второй главе. Показаны преимущества УФЭС при исследовании плотности состояний вблизи вершины валентной зоны высокоомных полупроводников, какими являются ХСП. В этой же главе произведена оценка работы энерго.

— 7 анализаторов фотоэлектронов, обсуждены причины, влияющие на работу энергоанализатора, описана экспериментальная установка.

Третья глава посвящена исследованию плотности состояний вблизи вершины валентной зоны в ХСП систем Jls-S, Jls — S&, Js-Se-Те и Js-Se-Se. Исследования проводились методом УФЭС при энергии квантов света от 5.0 до II эВ, что позволило провести детальное изучение плотности состояний вблизи вершины валентной зоны ХСП указанных систем. Далее в этой главе на основе трехступенчатой модели фотоэмиссии проведен расчет зависимости плотности состояний от энергии вблизи вершины валентной зоны. Для образцов состава Лв^ Лs (SeQ75/^г4)/5получена зависимость от энергии плотности локализованных состояний отщепленных от валентной зоны. В параграфе 3.5 проводится анализ распределения плотности состояний вблизи вершины валентной зоны для образцов указанных систем. Получено, что вершина валентной зоны формируется как за счет неподеленных пар халькогенов, так и за счет плотности состояний, которую дают дефекты в ХСП.

В четвертой главе описаны результаты исследования методом УФЭС зарядового состояния поверхности образцов системы Л$-вб при различных воздействиях на поверхность: травление в щелочи, механическая шлифовка, травление в азотной кислоте, окисление поверхности, которые показали, что в результате окисления ХСП на поверхности возникает скачок потенциала, приводящий к увеличению работы выхода из полупроводников. В 4.3 приведены результаты иесле дования изменения состояния поверхности пленочных образцов системы Jls-S9yi образцов Js2 S3 при отжиге их в вакууме. В 4.4 приведены результаты исследования тех изменений в плотности состояний, которые происходят в результате фотоструктурных превращений в ХСП системы Js-Se. В 4.5 проводится анализ результатов, описанных в четырех предццущих параграфах. Показано, что при окислении ХСП системыJls-Seна поверхности образуется диподьный слой, который увеличивает работу выхода. При отжиге поверхность пленки из ме-тастабильного состояния переходит в стабильное, при этом происходит выпрямление зон вблизи поверхности. Фотоструктурные превращения приводят к переключению связей Se с образованием пар заряженных центров.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Формирование плотности состояний вблизи вершины валентной зоны ХСП составов? s2 S3, Js^ Sg3, а также соединений систем fis-Se-Те и М- 5^-^осуществляется как за счет плотности состояний, которую дают неподеленные пары атомов халькогена, так и за счет плотности состояний, образованной дефектами типа болтающейся связи халькогена (Cj — центры).

2. Плотность состояний в «запрещенной» зоне исследованных ХСП при движении к уровню Ферми изменяется у края подвижности по квадратичному закону, который затем переходит в экспоненциальный.

3. Дефекты в ХСП определяют структуру электронных состояний вблизи вершины валентной зоны и вследствие этого играют определяющую роль в фотоструктурных превращениях.

4. Зарядовое состояние поверхности ХСП чувствительно к внешним воздействиям. Наибольшее изменение состояния происходит при деструктирующих обработках поверхности. При этих обработках поверхностные состояния заряжаются отрицательно. Полирующие обработки устраняют отрицательный поверхностный заряд.

Основные результаты работы опубликованы в работах [ill, 120, 121, 122, I23J.

— 175 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В результате исследования плотности состояний в ХСП систем Js-Se^Js-Se-Te, Js-S?-Se и Js^Ss вблизи вершины валентной зоны получены следующие результаты.

1. Исследовано распределение плотности состояний в области энергий до — 4 эВ ниже уровня Ферми в образцах систем Jf$-Se-let Js-SS-Se, Js-Se, в стеклообразном трисульфи-де мышьяка и аморфных пленках Jsz S3 .

2. Получено, что состояния, которые дают связи /sX (X — халькоген), лежат по энергии ниже — 4 эВ относительно уровня Ферми и пики, связанные с этими состояниями, на полученных ЮР не наблюдаются. Для образцов, содержащих сурьму, на КЭР наблюдается пик, связанный с плотностью состояний, которую дают связи Stf-Se. Пик плотности состояний, образованный связями SS-Se «находится при энергии — 3,8 эВ ниже уровня Ферми.

3. Во всех образцахсодержащих селен, на зависимости плотности состояний от энергии наблюдается пик при энергии.

— 3,0 эВ ниже уровня Ферми. В этой области энергий может находиться особенность в плотности состояний, связанная либо со связями Jls-Jl$>, либо особенность, которую дают неподеленные пары селена. Так как относительное число связей Лв-Лъ в исследованных составах мало, то пик в плотности состояний при энергии — 3,0 эВ можно связать только с неподеленными парами селена.

4. В образцах системы Js-Se-Te и в трисульфиде мышьяка аналогичные пики, которые образуются за счет неподеленных пар теллура и серы, находятся при энергии — 2,0 эВ и 3,6 эВ соответственно.

5. Для всех исследованных образцов в высокоэнергетической части зависимости плотности состояний от энергии вблизи вершины валентной зоны наблюдается дополнительная плотность состояний Hs> (&) «которая не может быть описана пиками неподелен-ных пар халькогенов.

6. Возникновение дополнительной плотности состояний Пъ (<�э) связывается с существованием в исследованных соединениях равновесной концентрации заряженных центров С/ и поэтому плотность состояний вблизи вершины валентной зоны в исследованных соединениях формируется как за счет Lp — состояния атомов халькогена, так и за счет болтающихся связей этих атомов. Кроме того, на распределение плотности состояний безусловно оказывают влияние неупорядоченное расположение атомов в ХСП и потенциальный рельеф, который определяется наличием заряженных областей. Эти факторы приводят к уширению энергетического спектра плотности состояний.

В результате исследования состояния поверхности и фотоструктурных превращений в ХСП получены следующие результаты:

1. Воздействия на поверхность ХСП изменяют зарядовое состояние поверхности и, следовательно, изгиб зон вблизи поверхности.

2. Наибольшие изменения возникают после обработки поверхности окислителями. Окисление поверхности триселенида мышьяка приводит к возникновению на поверхности дипольного слоя, поле которого направлено из объема к поверхности и, следовательно, препятствует выходу электронов, что соответствует увеличению работы выхода. Таким образом при окислении поверхности триселенида мышьяка происходит хемосорбция с локализованной связью. В этом случае глубина, с которой вырываются электроны, много больше толщины, на которой наблюдается приповерхностное изменение потенциала (d «Е).

3. При деструктирующих обработках (травление в /МО". шлифовка) изменение работы выхода происходит как за счет изменения величины сродства к электрону, так и за счет изменения энергетического зазора между уровнем Ферми и верхним уровнем, с которого наблюдается фотоэмиссия, в приповерхностном слое, толщина которого много больше глубины выхода фотоэлектронов.

4. В результате отжига свеженапыленных пленок системы Jls-Se и пленок Л5з происходит выпрямление энергетическихзон вблизи поверхности пленки. В исходном состоянии зоны у образцов системы Jls-Seизогнуты вверх на 0.4 эВ, а зоны у ЛS2 S3 изогнуты вниз на 0.7 эВ. В результате отжига пленки переходят из метастабильного состояния в стабильное, вследствие чего происходит рассасывание заряда, захваченного на поверхностные состояния. Глубина выхода электронов, при использованных энергиях квантов света, составляет величину порядка 5 нм и, следовательно, в этом случае дебаевская длина экранирования должна быть такого же порядка. При условии, что экранирование заряда поверхностных состояний осуществляется зарядом на локализованных состояниях в объеме образца, была произведена оценка концентрации этих состояний. Получено, что концентрация составляет величину порядка 10*® — 10*^ см" «3.

5. При фотоструктурных превращениях в системе Лв-веъ результате засветки увеличивается плотность состояний вблизи вершины валентной зоны в области энергий от 0,2 до 3,0 эВ ниже уровня Ферми. В результате отжига в вакууме засвеченных образцов происходит обратное изменение плотности состояний. При переходе от состава JSj. Seb к составу Jt$bSez происходит смещение функции, описывающей изменение плотности состояний при ФСП, в «запрещенную» зону.

6. Такие изменения в плотности состояний объяснены переключением в результате засветки связи селена, вследствие чего атом селена из двукоординированного состояния переходит в трехкоординированное и отдает электрон соседнему атоцу, который образует болтающуюся связь, то-есть образуется пара центров Сз и Су, либо С3+ и Р2. С ростом содержания мышьяка в составе образца происходит преимущественно образование пар второго типа.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .Т., Горюнова H.A. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем. Журн.техн.физ., 1955, т.25, с.2069
  2. Горюнова Н. А^, Коломиец Б. Т. Новые стеклообразные полупроводники.- Изв. АН СССР сер. физич., 1956, т.20,
  3. Jo//e кедев Jt. к. Ptogtess in sen? iconducio ts, 1. ndon t i960,, p. ЛЗ?-241
  4. А.И. Квантово*-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л. Изд. АН СССР, 1963,
  5. Cohen М.Н., Flitische //., Onhinsky S.R. Sim ре fond mocfe? foi etmoxphous, semiconductors а.?воу& Phys. fev. Lett-, 1969, v.22, p. S065- !OiS
  6. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах, М., «Мир», 1974, 472 с.
  7. Flihche Н. Opticae and eSecixic^e enetyy f&ps inmobfihoc/s setniconductois Non — soCids, /9?/, 1. V.6., Mi, P-49−7t
  8. .И., Эфрос А. Л. Межзонное поглощение в сильно легированных полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т.59, с. 10.
  9. .И. Оптическая и электрическая запрещенные зоны аморфного полупроводника. Письма в ЖЭТФ, 1971, т.14, с. 397−400.
  10. К., Нордлинг К., Фальман А. и др. Электронная спектроскопия, «Мир», М., 1971, 493с.
  11. Ejection sp^otwscopy. Ed. 2).A. ЬИивгу. ff/nstei.-dam, North HotCand Pute., l9? Z, 90Zf>
  12. В.В., Алешин В. Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев, «Наукова думка», 1975, 335 с.
  13. Ф.И., Теренин А. И. Фотоэлектрическая эмиссия с твердых слоев органических красителей. *ДАН", I960, т.133, № 5, с.1060−1063.
  14. Ф.И., Загрубовский А. А., Гарбузов Д. З. Внешний фотоэффект с поверхности органических полупроводников ФТТ, 1963, т.5, $ 7, с.2000−2006.
  15. Spfcet W.E. PhoioeCeciue emission. On: Optica в ргоpeziits of sotids. Ed. F. Л Betes, Jtmstetddm, /9?z, p. ?75--e$g17. hztqCund C. A, Spicet W. E. Potoemission studies of coo-рргъ &nd siCvet: theory. — Phys. Rw., 1964, v. /36, MVA, p. юъо-тъ.
  16. X.M., Антошин Г. В., Шпиро Е. С. Фотоэлектронная спектроскопия и ее применение в катализе. «Наука», М., 1981, 216 с.
  17. Н.Д., Борзяк П. Г., Дятловицкая Б. И. Оптические и фотоэлектрические свойства сурьмяно-цезиевых катодов.-Изв.АН СССР, сер. физ., 1948, т.12, с.126Л43.
  18. Sp^ei W.E. Phoioemissi/e, photoconcfvcti/e
  19. У.Е., Иден P.К. Фотоэмиссионные исследования зонной структуры полупроводников В кн. «Тр. 9-ой межд.конф. по полупроводникам». Т. 1, М., «Наука», 1969, с.68−97.
  20. Eastwctn Я). Е., бгобмап W-Я)., fieeouf Егвцс/гк М. Photoеynission spe. ctiosco/>y using synchtotwn плс/aUoti. I. Oi/ei-vtiws of whence- tend stiuctuie Jot Ge, GaJfs, GaP, JnS?, 1л 5 г, Cc/Te anrf JyI.-Phys.Rw. v. 9, И**
  21. Eastman З. Е, Gioimdn U/.Я). Phoio emission densities, of Lniiinzic surface siades fob Si, Ga#s. Phys. (lev1.tt. /972, V. M, A/ZI, p. /Z?S- /3
  22. Pong W.} tfottis A. A. Photo emission Jtom cLmotphoi/s of meiot&'c selenium In the t/d cuitm ив* га. viofct—J. Opt. Soc.
  23. Jmeucci, /965- v. 55, A/9, p-U#9-
  24. Skevchik A/., TejefaJ-, Catdon<3Moiphoc/S a. ndseeen/uM c/eietfrune-d &ff X-lG-ftd U.V.photo emission. — SoCid state communs /973, И12, Л//2, p. i2ffS-/V9B
  25. Uy L., Poee^h n.A.^o^eayk s.p., McF^eyn., ShiteefV. l Evidense fat cogent Bonding in сгувШ^пе *nd ЬтогрШ* Js. SSV&ifiom ni^-M /Medwsp** Phys. R. W 6., /№, v. s, A/a, p.641−646
  26. Shevchik A/.f., Tejed^J^Uingct. Я). W., Слчс/опа. M. V^ence 0>
  27. A/ieCszn P. Взд. пс/ хЬгцсЬиге. в t>f a. noon, phous and cvysta-С&не, S, Se, Te Sy high епегду photoemission — Ргос. 5~fh Jut Conf.
  28. G&zmisoh-Pattenkiicheru., I9?2>, v.4,London, p. 6Ъ9−6ЧЧ
  29. B.M., Туряница И. Д. Фотоэмиссия с кристаллов и стекол некоторых халькогенов. Физ.тв.тела, 1974, т.16,1. I, с.259−260.
  30. Lidnf U.S. LocaC atomic and gondihg studies Си cLmotphpt/s. Js, Se3 -Js<, Sev fl/on.-Ctyd. So&ds, (975, V. it, /V2, p. 197-zo?
  31. Woodc., $hdjfe%.c.t Piodot W. G. Eecdzon sta--ies Си SiiSe5 Ptu/s. fcty. Lett., 197Л tv. Z9, A/g t р. ЧЪ*-Ч*7
  32. А’егсе ЪХ, fliWn$ C.6.tSpicez W.E. Pboio emission inv^-iiq&tiOH d-MO tphous. Si dJid Ge J. A/on — с s oicds, 1971 / V. HO, p. 959- 9iH
  33. В.В., Алешин В. Г. Теоретические основы РЭС. «Наукова думка», Киев, 1974, 376 с.
  34. В.Г., Смирнов В. П. Вероятности перехода в эмиссионных рентгеновских спектрах ВN кубического. $>ТТ, 1969, т. II, ¦-.* 7, с.2010−2012.
  35. L&ncleniem М., виоШеп ?. An ХЕ5 ftifdy of the situdute of Js-S gfasses Jni. Co*f Phys. /- specix*, G*cMetsfit*.y, Mot, W6, p. iq2-I44
  36. Я.А., Попова И. А., Домашевская Э.П., Стецив
  37. Дж. Оптические спектры твердых тел. М., «Мир», 1968. 176с.
  38. ел. W. ?. t Фопоудп Т. М. Photoeyuiszioh and opiic.a.6 stud it $ of a. r"c> bphous усьмл Ыим. -J. А/ел- Ctyst- Sofia’s} /970 v. 2, p. 66-to
  39. S~tuke tf, Review of optic&e ебес^исле ръорetMeg ofynCbfhous siMiconcUtciobZ fl/си- Ciyst / № 0, v.4, p. -f-2.6
  40. Кгаыгь В. ff coniitBuiioH -boihe intexp^&t^tCoy) aj-vptica.6 properties of dmoiphoi/S Segetuutn. — Phys. stcrt ¦ So&'cli (&), 1970, КШ> V2., p• 725−733
  41. Li и с (а и J., Spittt 14/.? The pioiinp cte/itfr ut phoio emission and etvgu ejection spedtestppy. ECecdre/i. spetfose.
  42. U&itec/ phenomena, /97*/, ИЗ, AS?, p. 409- 4V3
  43. Fa.c/eey 6.S., BtisUom 6. fl. L /ttjutet Ufstiitution oj j) ht>ioe?edw>ts J%cm q mei^e яп^ве ctyttai. Phys. Lett., /97/, У. Ъ5А, A/&, p. 3 7S-37S
  44. Ftdset W.A., PeoiioJ.V., Vefyass И/.И., doti risen W.9.
  45. Subfdee sensitivity АпЫ atiguteb c/tf>ec/e*ce of x-tey phoio-eiceitcn spvrtxd. — Suif&ce, /973,17.2,6, л/2., p. 66/~6?*/
  46. FiseMe>t Т. E. Phoio&YnigsHosi s^iface foe. S&i und
  47. Ttchnce., /Q?l, v.9,A71,p. F60- f67
  48. Gotefe G.W.j Мел P. в. Edited: And indited excitation pivtesses. in pkctoeCeattie emission ft от sidcon — Phys. thus., 196Z, V. (27, л/1, p. /4/-149
  49. Ьгоис1р / N. Zeetoiui? photozfeciuc. effect. phRev. B, 97/, V. h, MlI, р. ЪбЧ/- 26F/
  50. GoSeCi R. M, Ше* F.Q., P.O. pobdviscL’ticn wide-nut,-fob mom en turn can betv^iic/i fa pkcioe€ectns. omission. fton Gea. rd Si — Phys. На/. Lett., /964, v./2, A/*/j p. 94−97
  51. .Т., Кочемировский А. С., Мамонтова Т. Н., Пивоварова Л. В. Исследование поверхностных явлений в стеклообразном селениде мышьяка. ФТП, 1978, т.12, № 7, с.1322−1326.
  52. Phltipp Ц.Й., T&f-b Е. ОрНсз-г coti-sicih-t of &-&-'сси -t-vtwee" 1 and 40Ы/. — phys. Rev., /9 б о, v. us, p./001−40/0
  53. Philips C. Qfbit&e d-isoiption ih cjcA-Manium.- tf. Phyg. Chew., /96o, v. /2, p. lof-г/г
  54. Cohen M. h, Self stresses, Т. K. band tftuetutes essrd pseudo-pcrtzntiaC fotm-faeiov foi fouvieen se/niconductoi-s of Me ctiamond and zind-&?e*idc ft’ufctKtes, Phys. fa/., /966, к. 1Ч/> A/i, p.7f9-?96
  55. Т. Фотоэлектронная и Оже-епектроскопия. Л., «Машиностроение», 1981, 431 с.- 186
  56. Г. Сравнение исследовании методами фотоэлектронной и рентгеновской спектроскопии энергетической структуры полос GdAs и GdP ФТТ, 1975, т. 17, В I, с.3−6.
  57. И. Г. Современные проблемы электронной спектроскопии, М., Атомиздат, 1978, 248 с.
  58. L. М. The cfeo/vetticj.e faoiot о/ g&tge лрг&иг-г. hanuSpheiiCcig ehdicsi<3.iit лтв^ег. Им/. Sei. J/jstw/nents, 1. V.44, л/е, р. 99f-tool.
  59. В.В. Фокусировка пучка быстрых заряженных частиц в электростатическом зеркале с цилиндрическим полем. Журн.техн.физ., 1968, т.38, вш.1, с. 59.
  60. Р. и бег u/iiche fcontye+tsiiAZzn Zet’Uc/fiift
  61. Phytii, 1914, Ы2.1, S.357−36?.
  62. Дж. Практическая физика. М., «Мир», 1971,246 с.
  63. М.Я. Обратный ток в приборе типа сферическог конденсатора. Журн.техн.физ., 1956, т.26, МО, с.2234−2242.
  64. Sdi-et Су&'пс/ги'сав capztitoi ^влплпл^е^. I Мол Kziedivisiic part. ~ fa. S
  65. B.B., Ильин A.M. Влияние некоторых технологических погрешностей на фокусировку анализатора типа сферического зеркала. Журн.тех.физ., 1973, т.43, вып.9, с.132−136.
  66. А.Г., Кочемировский А. С., Бутилин Э. С. Фотоэлектрический фотометр для регистрации слабых компонент сверхтонкой структуры. Материалы ХУ совещания по спектроскопии, т.2, Минск, 1965, стр.695−699.
  67. А., Беттеридж Д. Фотоэлектронная спектроскопия. М., «Мир», 1975, 200 с.
  68. А.Н., Шрейдер Е. Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М., «Наука», 1976, 431 с.
  69. Scwise* ft. А.Л.} НлЫЫло! О. M FCaoteiQe^t of
  70. Sodium te&'tyCerie. / Opt. Яос. Лмеъ'са, /9?ч, к 64, р. ЛЧС- ПН?
  71. Simpzoh Z /1. Я. к&'р" of uds-ioUhg f-i-efd епелду atiafyzet kev. Sei. Jnvtuinevis f /96/, * 32, y/i, p. /z$ 3
  72. H.A. О точности метода сферического конденсатора Радиотехника и электроника, 1958, № 3, с.339−344.
  73. Pieiet, Я).Т} <2) i Stefan о Т.Н. Л ЪйЪегнеЫ в./ЫИег. photo е. еес*ъс"d-n&eyieb- -Rju/. Sei. Jnstutne*t, v. w, a//z, p.
  74. B.C. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев, «Наукова думка», 1970, 196 с.
  75. Hwufch 2., Wood е., Shaffei J. С., Lapefn, G.f., Дге* ЛЯ). Е&--ctlDnic siiubtttie of a. n>obphous, CxyrU-tettie. flow phetoemis-vion studies uuh$ the. sy"cbtrc>t Ьз-сШ^оп. Ргос. 5th Js>t. Co"f G^misch-pQ^tkitchen, !97b, v. i, Louden, /9?*/, p. SOS-$/0
  76. ТагггмГ, SehutinS. Theory of the. шпел, photo eeect<�Ъа. rt’s /}., Mott м p. Conduction in nonci^st^Ce^e. syst&us
  77. V. Condudtody., optic&e 4,6sotption dhef photoconductivity in dtnoifhot/s semiwductobS РШ., /pro, v. xi, />. 903 — 922.
  78. A.M., 1>ревич Ю.Я. Теория электронной эмиссии из металлов. М., «Наука», 1973, 255 с.
  79. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М., 1974, 752 с.
  80. А.И. Фотоэлектронная эмиссия из органических твердых тел, Рига, «Зинатне», 1979, 218 с.
  81. Э.В. Атомная физика. Изд. 4-е, т.1, М., «Наука», 1974, 575 с.
  82. Т.Н., Коломиец Б. Т. Стеклообразные полупроводники. Некоторые свойства материалов в системе J^S^-Jst Tej. -Журн. тех.физ., 1957, т. 27, с. 2484.
  83. Chen. I. MoCecuCat oi&id-Z studies, of eeecttonic. s? vie, s of
  84. Afroiphous selenium. Ptys. /Ы/. &., /9РЗ, p.
  85. Onkinsty 6.H. Arxotphous yyiaieiUes <3.3 UrbeiActir* 2yste"*S.
  86. Jn: «SityctulA <3*4 ptcpetlies о/ /u>/t ~ cys-td.tene- S ель con cU/c iots*
  87. Рме. V/ Jn~t. сом/, on dnwiphous rfW su+u'tuweii/c-tCiS ¦, t em’ид tact, /9?б, p. 416- 436
  88. ShifluiU т., tfegiski Ц., Isha M Chemicue ёепс/ ар/)*с<�гс6 ¦io -the. e6tct€nic, stiuciuie e/ dnotpheus se+MCondttetois. Мсиtoffsi. so&c/s, /979, r. ii, p. 2.
  89. Md., Ve&cky 6.? fret 10 niC, sicttts on point c/efec* in ftessy JSiSej. — Phys. Status sotWi (6), 49*0, r. too, p.
  90. Дж. Вычисление блоховских функций. М., «Мир», 1973, 159 с.
  91. А.И., Дунаевский С. М. Расчет электронного спектра аморфного селена вариационным методом JIKA0. фФТП, 1970, т.4, № 10, с.1963−1967.
  92. А.А., Порай-Кошиц Е.А. 0 структуре стеклообразных халькогенидов мышьяка. ФТТ., I960, т.2, с.1656−1659.
  93. А.А., Порай-Кошиц Е.А. 0 структуре стеклообразных халькогенидов мышьяка. ФТТ., 1963, т.5,И, с.246−255.
  94. Ю.Г., Захаров В. П., Позднякова В. М., Реми-зович Т.В. Дифракционные исследования в некристаллических строениях. Изв. АН СССР. Неорган.матер., 1973, т.9, № 6, с.907−910.
  95. Ю.Г., Позднякова В. М., Рубцов В. П. Рентгенографические исследования структуры стеклообразных Jhz и Лвг . Укр. физ.журн., 1973, т.18, № 6, с.915−917.
  96. О.Л., Михайлов В. И., Озеров Р. П., Соловьев С. П. Спектры неупругого рассеяния нейтронов кристаллическими и аморфными халькогенидами мышьяка. Физ. тв, тела, 1976, т.18,6, с.1707−1712.
  97. Ю.Г., Захаров В. П., Швец В. И. Структура аморфного теллурида мышьяка. Укр.физ.журн., 1973, тЛ8, № 4, с.663−664.
  98. НО. Ki^hatd Т., Аые’Т. Я) еиъИу р/ ирреь i/dбелее €and slaies pf 4t"o%phous aise/uc ъебе/иЫе systems deiebnuned и&ымо€ег6 ph.{pioe-eecttofit'e emission spectiosccpf / Phfs. soaiiy. fafla/i, 19fO, Y.49, p- /ЗГ<�Р-/36}
  99. Sf)tdy tf. Ptys. C: Sofrd s-iaie pAys., /9?9,1/./2, p. 4//9- f/2*
  100. Fischet Т.Е. Q/cteuvuination of sesyticonoU/ctot so iface picpvvUes -if means of phedoe? eti%ie. emission. — Suffice Sci, /964, A//, p. 30−5-/.
  101. Арсеньева-Гейль А. Н. Внешний фотоэффект с полупроводников и диэлектриков, М., Гостехиздат, 1957, 191 с.
  102. Jvetjfdnoy КД, freest, fl.V., Monies &.T., lyu^
  103. Л foodet of phcioeituttuicie changes In ch6b's, /9е/, v.4S, p. ъъ5-ьч/.
  104. A retype V. U, Uc? o€ot/ ft. V, S. T. t Ly#4in I/. M.
  105. TeiMde and opiic*e etedhng in c/atkened of сАа&одеnide vlheous semi conductots. Phys. sUt. so6d/' (a), /9io, I/.S7, d/, p. f/'ff.
  106. .Т., Корнев К. П., Кочемировский А. С., Порамонова В. А. Фотоэлектронная фотоэмиссия из стеклообразного селенида мышьяка. В кн: Вопросы физики полупроводников, вып. I, Калининград, 1975, с.141−145.
  107. К.П., Кочемировский А. С., Сухов А. Н., Применение метода фотоэмиссии к изучению электрографических слоев селенида мышьяка. В кн: Аморфные и стеклообразные полупроводники, вып.2, Калининград, 1977, с.55−58.
  108. К.П., Кочемировский А. С., ПивовароваЛ.В., Мамонтова Т. Н. К вопросу о роли поверхностного заряжения в электрофизических свойствах стекла. Физ. и хим. стекла, 1982, т.8, № 5, с.572−577.
  109. .Т., Корнев К. П., Кочемировский А. С. Фотоэмиссионные исследования стеклообразных полупроводников систем As-Зг-Те tJs-SB-Se, /s-S-Sz. Физ. и хим. стекла, 1982, т.8, № б, с.736−739.
  110. Kitahdl<4 Т., /г&-£ Т. CJia-hge о/ composition t&tio in £,тогркои$ cLt>$e*uc. 5<�гёе*и'с (е j%C**iS causec/ ёу neat- dhnes-лпы photo lbi^dt'&ti'cn. — fap.f. ptys.} /979, u. jl, fi/f, p. mbS- /взе.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!