Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников

Диссертация: Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Из сравнения результатов экспериментов для галогенидов серебра и сульфидов цинка и кадмия выявлены общие закономерности такого явления: а) участие адсорбированных атомов металла — б) необходимость смешенного типа связи, обеспечивающей сильную связь с кристаллом как в положении адсорбции над анионом (кулоновская связь), так и в положении над катионом .(ковалентная связь) — в) низкие значения… Читать ещё >

Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
  • СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
  • ГЛАВА 1. ПРИМЕСНЫЕ ЦЕНТРЫ, ОБЛАДАЮЩИЕ ГЛУБОКИМИ ЭЛЕКТРОННЫМИ СОСТОЯНИЯМИ, И ИХ УЧАСТИЕ В ФОТСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССАХ В КРИСТАЛЛО-ФОСФОРАХ
    • 1. 1. Фотостимулированные процессы в ионно-ковалентных полупроводниках
      • 1. 1. 1. Механизмы фотостимулированного дефектообразова-ния
      • 1. 1. 2. Фотостимулированные процессы в галогенидах серебра
    • 1. 2. Центры рекомбинации и локализации зарядов в галогенидах серебра и сульфидах цинка и кадмия
    • 1. 3. Методы изучения локальных электронных состояний в широкозонных кристаллах
      • 1. 3. 1. Фотостимулированная вспышка люминесценции
      • 1. 3. 2. Полуэмпирические методы квантово-механических расчетов хемосорбционных связей на поверхности ионно-ковалентных полупроводников
    • 1. 4. Запись оптической информации с использованием люминесцентного считывания
      • 1. 4. 1. Композиционные материалы на основе галогенидов серебра и позитивный люминесцентный фотографический процесс (ПЛФП)
      • 1. 4. 2. Запись информации с использованием люминесцентных свойств глубоких электронных ловушек кристаллофосфоров
  • Выводы к главе 1
  • ГЛАВА 2. ФОТОСТИМУЛИРОВАННАЯ ВСПЫШКА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ — МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ
    • 2. 1. Параметры ФСВЛ при исследовании широкозонных полупроводников с произвольным распределением глубоких электронных состояний в запрещенной зоне
    • 2. 2. Кинетика ФСВЛ при наличии мелких электронных ловушек
      • 2. 2. 1. Влияние температуры на кинетику ФСВЛ
      • 2. 2. 2. Зависимость параметров ФСВЛ хлорида серебра от температуры
      • 2. 2. 3. Термостимулированная люминесценция хлорида серебра
    • 2. 3. ФСВЛ при наличии двух уровней рекомбинации
    • 2. 4. Параметры ФСВЛ при разном времени возбуждения широкозонного полупроводника
    • 2. 5. Параметры ФСВЛ в случае рекомбинации по механизму Лэмба
  • Клика
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. ГЛУБОКИЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ В ГАЛОГЕНИДАХ СЕРЕБРА И СУЛЬФИДАХ ЦИНКА И КАДМИЯ
    • 3. 1. Локальные электронные состояния в хлориде серебра
    • 3. 2. Локальные электронные состояния в бромиде серебра
    • 3. 3. Локальные электронные состояния в сульфиде кадмия
    • 3. 4. Локальные электронные состояния в сульфиде цинка
    • 3. 5. Природа глубоких электронных состояний, связанных с адсорбцией частиц металла на кристаллах со смешанным типом связи
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ФОТОСТИМУЛИРОВАННОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И УСТОЙЧИВОСТЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕФЕКТОВ В ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 4. 1. Фотостимулированное образование и устойчивость центров, имеющих глубокие электронные состояния, и центров рекомбинации при комнатных температурах
      • 4. 1. 1. Хлорид серебра
      • 4. 1. 2. Бромид серебра
      • 4. 1. 3. Антистоксова люминесценция бромиодсеребряных микрокристаллов
      • 4. 1. 4. Сульфиды кадмия и цинка
      • 4. 1. 5. Монокристаллический сульфид кадмия с микропорами
    • 4. 2. Фотостимулированное образование при низких температурах и устойчивость центров, имеющих глубокие электронные состояния
      • 4. 2. 1. Усталость люминесценции как процесс внешнего тушения второго порядка
      • 4. 2. 2. Низкотемпературные фотостимулированные процессы в хлориде серебра
        • 4. 2. 2. 1. ФСП в AgCl при 5 К< Т <300 К
        • 4. 2. 2. 2. Роль состояния поверхности в низкотемпературном ФСП
        • 4. 2. 2. 3. Низкотемпературный ФСП в AgCl при наличии на поверхности малоатомных частиц серебра
      • 4. 2. 3. Низкотемпературный фотостимулированный процесс в бромиде серебра
      • 4. 2. 4. Низкотемпературный фотостимулированный процесс в сульфидах кадмия и цинка
  • Выводы к главе 4
  • Глава 5. МОДЕЛИ И МЕХАНИЗМЫ ФОТОСТИМУЛИРОВАН НЫХ ПРОЦЕССОВ
    • 5. 1. Кинетическая модель процесса поверхностной фотостимулиро-ванной миграции адсорбированных атомов
      • 5. 1. 1. Виды адсорбции в кристалле в равновесном состоянии
      • 5. 1. 2. Поведение адсорбированных ионов и атомов в условиях фотогенерации свободных электронов и дырок
      • 5. 1. 3. Система кинетических уравнений для ПФМ
      • 5. 1. 4. Анализ системы уравнений для ПФМ в частных случаях
    • 5. 2. Кинетическая модель взаимного преобразования центров
    • 5. 3. Общие закономерности фотостимулированных поверхностных процессов в галогенидах серебра и сульфидах цинка и кадмия
      • 5. 3. 1. Энергия активации фотообразования и термического разрушения поверхностных центров
      • 5. 3. 2. Механизм поверхностного фотостимулированного процесса, создающего неустойчивые центры рекомбинации
      • 5. 3. 3. Механизм процесса усталости люминесценции в AgCl, протекающий с энергией активации 0,06 эВ
  • Выводы к главе 5
  • ГЛАВА 6. ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ФОТОАКТИВНЫХ ЦЕНРОВ В ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ БРОМОЙОДСЕ-РЕБРЯНЫХ МИКРОКРИСТАЛЛАХ
    • 6. 1. Синтез AgBr (J) плоских микрокристаллов
    • 6. 2. Глубокие электронные состояния в плоских AgBr (J) микрокристаллах
      • 6. 2. 1. Влияние условий кристаллизации на формирование глубоких примесных центров
      • 6. 2. 2. Формирование глубоких электронных состояний в процессе химической сенсибилизации
    • 6. 3. Формирование и свойства глубоких электронных состояний в высокочувствительных изометрических микрокристаллах
  • §-Вг (1) микрокристаллах
  • Выводы к главе 6
  • ГЛАВА 7. ПРАКТИЧЕСКИЕ ПРИМЕНЕНИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЙ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ В ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 7. 1. Запись оптической информации
      • 7. 1. 1. Запись информации на неорганических люминофорах
        • 7. 1. 1. 1. Композиционные материалы на основе галогени-дов серебра и позитивный люминесцентный фотографический процесс (ПЛФП)
        • 7. 1. 1. 2. Способ изготовления и активации фоточувствительного материала на основе Сс18 и AgHal
        • 7. 1. 1. 3. Принцип записи оптической информации на неорганических кристаллофосфорах
      • 7. 1. 2. Считывание информации при помощи антистоксовой люминесценции
      • 7. 1. 3. Реверсивный способ записи на хлориде серебра
      • 7. 1. 4. Реверсивный способ записи на 2п8 с микропорами
      • 7. 1. 5. Реверсивный способ записи на легированных пленочных структурах Сс1х, 2п1х
    • 7. 2. Повышение светоотдачи люминофоров
      • 7. 2. 1. Факторы, влияющие на светоотдачу люминофоров
      • 7. 2. 2. Способы повышения светоотдачи люминофоров

Последние десятилетия двадцатого века характеризуются бурным развитием информационных технологий. Особенно велико значение оптической информации, так как более 80% информации содержится в виде оптических образов и изображений. Процесс регистрации изображения включает в себя следующие стадии: регистрация изображения, его обработка, хранение, воспроизведение [1] .

Грандиозные успехи, достигнутые в развитии и микроминиатюризации цифровой техники, а также в области компьютерных систем, позволили наряду с классической галогенсеребряной фотографией развить электронные способы записи оптической информации. Интенсивно развивается новая отрасль обработки информации — цифровая фотография [2,3], которая по основным физико-сенситометрическим параметрам: светочувствительности и разрешающей способности, имеет показатели такие же как и у галогеносеребряной эмульсии и даже выше. Однако, для галогенсеребряных систем еще не достигнуты предельные параметры и как минимум несколько последующих десятилетий они будут оставаться в числе ведущих в информационных технологиях, наряду с электронными, гибридными (электронные плюс химические) [1] технологиями.

Бурно развиваются оптоэлектронные системы, являющиеся основой для принципиально нового поколения цифровой техники — оптических компьютеров, создание которых позволит достичь предельно высоких показателей в скорости обработки информации, четкости ее записи и т. д. [4]. Наиболее ответственной частью оптического компьютера будет память, при обращении к которой запись и считывание информации будет происходить с помощью излучения, т. е. оптически. В качестве физической ячейки такой памяти может служить дефект атомно-молекулярного состава способный хранить заряд в качестве единицы информации, а следовательно, имеющий глубокий электронный уровень. Успехи, достигнутые в нанотехнологиях, позволяют прогнозировать, что наиболее перспективными в вышеуказанном смысле будут структуры кластерного или тонкопленочного типа, имеющие развитую поверхность. А поверхность твердого тела является, с одной стороны, наиболее реакционноактивной при воздействии на кристалл как излучением, так и частицами атомной и молекулярной природы, и в процессах участвуют в первую очередь поверхностные примесные дефекты как собственного так и примесного типа, а с другой — эти дефекты как раз, и имеют глубокие электронные уровни в запрещенной зоне .

Еще в работах Мейкляра П. В. и Чибисова К. В., которые заложили основы теории фотостимулированных процессов в фоточувствительных кристаллах галогенидов серебра, указывалась особая роль серебряных малоатомных частиц в процессах образования проявляемых устойчивых серебряных кластеров. При этом указывалась важная роль поверхности кристаллов в этих процессах.

Таким образом, актуальность темы определяется необходимостью проведения исследований, связанных с изучением природы и свойств поверхностных фотоактивных дефектов в широкозонных полупроводниках, способных излучать в видимой области спектра. Необходимо также изучить возможности и разработать принципы создания нетрадиционных систем записи оптической информации, в особенности, обладающих реверсивными свойствами.

Данная работа посвящена изучению природы и закономерностей фотостимулированных процессов в таких широкозонных полупроводниках, как сульфиды цинка и кадмия, галогениды серебра, влиянию на эти процессы состояния поверхности и роль поверхностных дефектов в фотостимулированном образовании центров ^ обладающих электронно-акцепторными свойствами.

Ряд данных для галогенидов серебра [5] говорит о том, что активную роль в процессе взаимодействия света с кристаллом играют поверхностные дефекты, связанные с адсорбированными атомами серебра, которым соответствуют глубокие электронные уровни.

Важную роль играет решение вопроса об устойчивости таких центров к воздействию излучения и температуры.

Практическую ценность представляет изучение возможности применения процессов образования центров с глубокими электронными уровнями для создания реверсивной системы записи оптической информации.

Цели работы:

1. Изучение закономерностей взаимодействия излучения разной интенсивности из ультрафиолетовой и инфракрасной областей спектра с широкозонными кристаллами и фотостимулированных процессов в AgCl,.

АиВг, zns, саз.

2. Исследование состояния поверхности и роли адсорбированных частиц металла (Меп) в фотостимулированном образовании дефектов с глубокими электронными уровнями.

3. Выяснение природы и механизма фотостимулированного процесса формирования малоатомных частиц металла на поверхности кристалла.

4. Создание методики исследования параметров дефектов, обладающих электронно-акцепторными свойствами, на основе использования люминесцентных свойств кристаллов.

5. Разработка принципов и способов создания реверсивного способа записи оптической информации, использующего оптические свойства кристалла и глубоких электронных ловушек.

Научная новизна работы заключается в том, что :

1. Впервые экспериментально доказана универсальность явления миграции атомов по поверхности кристаллов со смешанным типом связи при наличии свободных носителей заряда, создаваемых внешним излучением, энергия квантов которого больше ширины запрещенной зоны кристалла.

Впервые на примере галогенидов серебра и сульфидов цинка и кадмия выявлены общие закономерности такого процесса: а) необходимость смешанного типа связиб) низкие энергии активациив) участие адсорбированных атомов металланеустойчивость к воздействию температуры и длинноволнового излучения образующихся малоатомных частиц металла.

2. Впервые обнаружено участие атомов металла, находящихся на гранях и изломах ступенек поверхности кристалла, в фотостимулированном процессе образования неустойчивых частиц металла. Предложен механизм такого процесса, а также способ обогащения поверхности кристалла ионами металла за счет фотостимулированного разрушения ступенек.

3. Впервые обнаружено увеличение квантового выхода люминесценции кристаллов ZnS, СёЭ при адсорбции малых количеств атомов металла.

4. Проведено кинетическое моделирование а) процесса фотостимулированной миграции, позволившее учесть параметры кристалла и атомов, участвующих в ней, при обосновании модели миграцииб) фотостимулированной вспышки люминесценции, что позволило предложить новый метод измерения энергетической глубины мелких электронных ловушек.

5. Предложен метод оценки отношения эффективных сечений металлических частиц, образующихся в непроводящей среде в результате облучения. Определены условия, которые позволяют оценить отношение числа атомов в таких частицах.

6. Впервые обнаружена фотостимулированная вспышка люминесценции для микрокристаллов А§ Вг (1) и использована для изучения процессов кристаллизации и химической сенсибилизации высокочувствительных фотослоев.

7. Обнаружена зависимость интенсивности антистоксовой люминесценции в оптически сенсибилизированных микрокристаллах AgBr (I) от степени экспонирования при комнатных температурах. Предложен способ люминесцентного считывания оптической информации, записанной в виде распределения А§ п центров, образованных в результате экспонирования.

8. Показана возможность осуществления позитивного люминесцентного фотопроцесса на композиционных фотоматериалах, включающих неорганический кристаллофосфор (или СсБ) и галогенид серебра в качестве светочувствительной компоненты. Установлено, что диффузия фотолитического серебра в решетку кристаллофосфора приводит к появлению полос люминесценции в видимой области спектра.

9. Разработан реверсивный способ записи оптической информации, использующий явление поверхностной фотостимулированной миграции в широкозонных полупроводниках со смешанным типом связи.

Практическая ценность работы состоит в том, что выявленные закономерности фотостимулированных процессов в галогенидах серебра и сульфидах цинка и кадмия составляют основу количественной теории процесса фотостимулированной миграции атомов по поверхности широкозонных полупроводников со смешанным типом связи.

Выявлены возможности применения метода фотостимулированной вспышки люминесценции для исследования мелких и глубоких электронных ловушек в реальных кристаллофосфорах, имеющих широкий спектр дефектов, обладающих как рекомбинационными, так и электронно-акцепторными свойствами. Этот метод может применяться для изучения процессов роста металлических частиц в непроводящей среде, если имеются условия для наблюдения вспышки люминесценции.

Фотостимулированная вспышка люминесценции может применяться для люминесцентного считывания информации, представляющей собой распределение электронов на глубоких электронных ловушках. Для считывания такой информации в оптически сенсибилизированном хлориде серебра может применяться и антистоксова люминесценция.

Явление увеличения квантового выхода люминесценции при адсорбции атомов металла может быть использовано для увеличения яркостных характеристик люминофоров.

Разработан реверсивный способ записи оптической информации, использующий явление фотостимулированной миграции атомов металла, адсорбированных на поверхности широкозонного полупроводника со смешанным типом связи для создания неустойчивых металлических частиц, представляющих собой ячейки памяти. В качестве сред для реализации такого способа записи при комнатных температурах предложено использовать пористые монокристаллы сульфида цинка, активированные медью и содержащие микрополости, а также пленки твердых растворов ZnxCd1xS, полученные распылением на нагретую подложку.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Эффект фотостимулированной миграции адсорбированных атомов различных металлов, универсальный для широкозонных полупроводников со смешанным типом связи.

2. Физическая модель фотостимулированной миграции адатомов.

3. Эффект увеличения квантового выхода люминесценции, связанный с рекомбинацией адсорбирующихся ионов металла с поверхностными катионными вакансиями, являющимися центрами тушения люминесценции.

4. Ранее неизвестное явление фотостимулированной вспышки люминесценции на йодо-бромиде серебра при температурах выше 77 К.

5. Впервые установленная корреляция между интенсивностью антистоксовой люминесценции и формированием металлических малоатомных кластеров на поверхности оптически сенсибилизированного йодо-бромида серебра.

6. Новый метод — фотостимулированная вспышка люминесценции, позволяющий определять в кристаллофосфорах изменение концентрации и сечения примесных дефектов, которым соответствуют глубокие электронные состояния.

7. Принципиально новый реверсивный способ записи оптической информации использующие люминесцентное считывание, защищенный а.с. СССР на изобретение.

Личный вклад автора.

Работа выполнена на кафедре оптики и спектроскопии Воронежского госуниверситета. Исследования проводились в соответствии с планами научной работы кафедры. Постановка первых экспериментов по исследованию фотостимулированных процессов при низких температурах осуществлялось под непосредственным руководством зав. кафедрой А. Н. Латышева. Ему же принадлежит инициатива постановки исследований по сульфидам цинка и кадмия.

Все включенные в диссертацию данные получены автором лично или при непосредственном его участии. Автором осуществлено методическое обоснование и проведение всех экспериментальных исследований, проведено кинетическое моделирование исследуемых процессов, разработаны физические модели, проведена интерпретация экспериментальных результатов. Сформулированы основные выводы и научные положения.

Автор выражает глубокую благодарность А. Н. Латышеву за постоянный интерес к работе, обсуждение постановки задач и полученных результатов, а также особую признательность сотрудникам кафедры, совместно с которыми проводились экспериментальные работы: Т. В. Волошиной, А. И. Кустову, МА. Кушниру, Л. Ю. Леоновой, Л. Я. Малой.

Апробация работы.

Результаты и научные положения диссертации докладывались и обсуждались на международных конгрессах: Кельн, ФРГ (1986), Пекин, Китай (1990), Rochester, USA (1994), Antwerp, Belgium (1998) — на международных симпозиумах: Тбилиси, СССР (1984), Дрезден, ГДР (1989), Moscow, Russia (1997) и на международных конференциях: Москва, Россия (1994), Кемерово, Россия (1995), С.-Петербург, Россия (1996), Воронеж, Россия (1996), Кемерово, Россия (1998), Санкт-Петербург, Россия (1998), а также на всесоюзных и всероссийских конференциях и совещаниях.

Публикации.

Всего по теме диссертации опубликовано 103 работы.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, содержащего основные результаты и выводы, и списка литературы, включающего 282 наименования. Она содержит 323 страниьыпечатного текста, включая 134 рисунка и 10 таблиц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Совокупность результатов, полученных в данной работе позволяет сделать следующие выводы.

1. Новые факты, полученные из экспериментальных исследований фотостимулированных процессов в широкозонных кристаллах AgCl, AgBr (I), Сс18, ZnS и их соединениях, а также сформулированные на основе этих фактов физические модели таких процессов, составляют основу для разработки количественной теории поверхностных фотостимулированных процессов в широкозонных полупроводниках со смешенным типом связи.

2. Экспериментально доказано, что явление миграции атомов металла по поверхности кристаллов при наличии свободных носителей заряда, создаваемых излучением, энергия квантов которого больше ширины запрещенной зоны кристалла, является универсальным для широкозонных полупроводников со смешенным типом связи.

Из сравнения результатов экспериментов для галогенидов серебра и сульфидов цинка и кадмия выявлены общие закономерности такого явления: а) участие адсорбированных атомов металла — б) необходимость смешенного типа связи, обеспечивающей сильную связь с кристаллом как в положении адсорбции над анионом (кулоновская связь), так и в положении над катионом .(ковалентная связь) — в) низкие значения энергии активации, обеспечивающие фотостимулированное движение атомов при обычных и низких температурахг) неустойчивость образующихся частиц к воздействию температуры и длинноволнового излучения.

3. Предложена физическая модель, объясняющая процесс усталости люминесценции хлорида серебра, протекающий с энергией активации равной 0,06 эВ участием в нем ионов серебра, принадлежащих внешним граням МК, ступенькам и изломам ступенек поверхности МК. Захватывая электрон, такой ионам переходит в состояние адсорбции и далее участвует в фотостимулированной миграции по поверхности.

4. Явление усталости люминесценции проанализировано с помощью следующих кинетических моделей. а). Усталость люминесценции, в результате которой образуются центры рекомбинации, рассмотрена как процесс внешнего тушения люминесценции. Это позволило получить связь количества образующихся центров рекомбинации с экспериментально определяемым параметром — коэффициентом усталости. б). Явление поверхностной фотостимулированной миграции адсорбированных атомов металла рассмотрено как процесс преобразования центров друг в друга. Это позволило связать экспериментально определяемый параметр — энергию активации процесса миграции с энергией связи адсорбированной частицы данного типа (адсорбированный ион, атом или кластер Меп с п > 2) с кристаллом в месте адсорбции.

5. Установлен эффект увеличения квантового выхода люминесценции, связанный с рекомбинацией адсорбирующихся ионов металла с поверхностными катионными вакансиями, являющимися центрами тушения люминесценции.

6. Проведен анализ следующих кинетических моделей кристалла в условиях наблюдения фотостимулированной вспышки люминесценции: а) модель кристалла, имеющего квазинепрерывный спектр электронных состояний в запрещенной зонеб) модель кристалла с двумя центрами люминесценции и одним центром — глубокой электронной ловушкойв) модель кристалла с двумя типами глубоких электронных ловушек, имеющих одинаковую энергетическую глубину, но разные эффективные сечения, а так же проведен анализ поведения параметров вспышки в модели в) для начального периода процесса разгорания люминесценции и для периода, соответствующего стационарной люминесценции.

Полученные результаты позволили установить, что во всех перечисленных случаях, более точно отражающих распределение и физическую природу примесных состояний в запрещенной зоне реального кристалла, можно обеспечить выполнение таких условий эксперимента, при которых экспериментальный параметр — коэффициент кинетики фотостимулированной вспышки люминесценции пропорционален эффективному сечению дефекта, то естьХ^-а.

На основе такого моделирования предложены: а) метод определения энергетической глубины мелких электронных ловушек, основанный на измерении параметров вспышки люминесценции при фиксированной температуреб) метод оценки отношения числа атомов в металлических частицах, образующихся в кристалле в результате воздействия на кристалл.

7. На основе обнаруженной связи между интенсивностью обычной и антистоксовой люминесценции и параметров фотостимулированной вспышки люминесценции от степени экспонирования хлорида серебра при комнатной температуре предложен способ люминесцентного считывания информации, записанной в виде центров скрытого изображения.

8. Обнаружено наличие фотостимулированной вспышки люминесценции для микрокристаллов А§ Вг (1) при 77 К.

9. Предложен люминесцентный способ записи оптического изображения на композиционном материале, включающем твердый раствор ZnxCdl-xS и галогенид серебра в качестве светочувствительной компоненты.

10. Разработан реверсивный способ записи оптической информации, использующий явление образования неустойчивых дефектов в широкозонных полупроводниках со смешанным типом связи в результате поверхностного фотостимулированного процесса миграции адсорбированных атомов металла.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.В. Будущее регистрации, хранения, передачи и представления информации // Журн. науч. и прикл. фотогр. — 1994. — Т.39, № 3. — С.81−82.
  2. Ю.А. Принципы цифровой фотографии // Журн. науч. и прикл. фотогр. 1996. — Т.41, № 5. — С.36−50.
  3. Ю.А. Применение цифровой фотографии // Журн. науч. и прикл. фотогр. 1996. — Т.41, № 6. — С.28−40.
  4. С. Оптические компьютеры. М.: Наука, 1992. — 96 с.
  5. К.В. Общая фотография. М.: Искусство, 1984. — 446 с. 1. VI
  6. Физика соединений, А В / под ред. Георгобиани А. Н., Шейнкмана М.К.-М.:Мир, 1989.-320 с.
  7. Э.М., Шмелев Г. М., Цуркан Г. И. Фотостимулированные процессы в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1987. — 168 с.
  8. Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.
  9. Г. Ф., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. — 280 с.
  10. В.Г. Люминесцентные исследования фотохимических процессов в галогенидах серебра, сульфидах цинка и кадмия и фотоматериалов на их основе: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1986. — 171 с.
  11. Миз К., Джеймс Т. Х. Теория фотографического процесса, — Л.: Химия, 1973.- 572 с.
  12. Э.Н. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов.- М.: Гостехиздат, 1956. 350 с.
  13. П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. -М.:Наука, 1972. 400 с. 1. VI
  14. Д., Пренер Д. Физика и химия соединений, А В .- 1970.
  15. М.К., Корсунская Н. Е. Физика соединений AnBVI. М.: Наука, 1986.
  16. Физика и химия соединений группы АПВУ1/ под ред. Медведева В. И.-М.: Мир, 1970.-432 с. 1. VI
  17. Физика соединений, А В / под ред. Георгобиани А. Н., Шейнкмана М. К. М.: Мир, 1989. — 320 с.
  18. Таблицы физических величин. Справочник/ под ред. Кикоина И. К. -М., 1976.- 1006 с.
  19. Краткий справочник физико-химических величин/ Барон Н. М., Квят Э. И., Подгорная Е. А. и др. М., 1967. — 182 с.
  20. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. М., 1977.-376 с.
  21. Ehrlich S.H. Spectroscopic Studies of AgBr wiht Quantum-Sized Clus-ters of Iodide Silver Sulfides// J. of Imaging Sci. and Techn. 1993. — V. 37, N 1. — P. 61 -72.
  22. Farnell G.C., Burton P.C., Hallama R. The Fluorescence of Silver Halides at Low Temperatures. Part I. The Pure Halides// Phil. Mag. 1950. — V. 41, N 313. — P. 157- 168.
  23. T.X. Теория фотографического процесса. JI.: Химия, 1980. -672 с.
  24. Vacek К. Rin Deissen I. Luminescence des cristaux AgCl purset dops auxbasses temperatures// J. Phys. Rad. 1961. — V, 22, N 8. — P. 519 — 520.
  25. B.M., Барда Н. Г., Долбинова Э. А. и др. Электронные возбуждения, люминесценция и образование скрытого изображения в галогенидах серебра// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. 1978. -Т. 23, N6.- С. 460−472.
  26. В.М. К вопросу о механизме люминесценции хлористого серебра/ Оптика и спектроскопия. Сб.1. Люминесценция.- Л.: Изд-во АН СССР, 1963.- С. 193 198.
  27. Л.Н., Козырева Е. Б., Мейкляр П. В. Люминесценция кристаллов галоидного серебра в зависимости от наличия в них дефектов// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1967.-Т. 31, N 12.-С. 1955 1957.
  28. С.И., Орловская H.A. Природа центров люминесценции гало-генидов серебра// Труды Одесского университета. Сер. физ. наук 1958. — Т. 148, N6.-С. 29−36.
  29. М.А. Исследование люминесценции галогенидов серебра: Дис. канд. физ. -мат. наук. Воронеж, 1982.- 190 с.
  30. Л.Я. Глубокие электронные состояния и поверхностные фото-стимулированные процессы в ионно-ковалентных кристаллах: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1995. — 168 с.
  31. В.М., Боровик А. Н., Голуб С. И. и др. Спектральные характеристики люминесценции галогенидов серебра/ Сб. Вопросы физики твердого тела.- Киев, 1976.- С. 52 60.
  32. A.M. Развитие представлений о химической природе центров свечения цинк-сульфидных люминофоров// Успехи химии. 1966. — Т. 35. -С. 1495- 1526.
  33. Л.Я., Пекерман Ф. М., Петошина А. Н. Люминофоры. Л.: Химия, 1966. — 146 с.
  34. А.Н., Котляровский М. Б., Михаленко В. И. и др. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью// Журнал прикл. спектроскопии. 1981.-Т. 35, N5. — С. 632 — 636.
  35. О.Н., Марковский Л. Я. Неорганические люминофоры. Л.: Химия, 1975.- 192 с.
  36. П.Л. Физико-химический анализ несовершенных полупроводниковых кристаллов/ Труды Таллинского технического института. 1987.18 с.
  37. М.К., Ермолович М. Б., Беленький Г.Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах
  38. СёБ и параметры соответствующих центров свечения// Физика твердого тела. 1968. — Т. 10, N9.-0. 2628 — 2638.
  39. М.К., Корсунская Н. Е. Механизмы излучательных и бе1. А ПТЭУ1зызлучательных переходов в соединениях, А В и природа центров свече-ния//Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. — Т. 40, N 11. — С. 2290 — 2297.
  40. А.Н., Лепнев Н. С. и др. Исследование центров ИК- фотолюминесценции в кристаллах Нелегированного 2л&И Физ. институт им. Лебедева. Препринт N 274. -М., 1988. 58 с.
  41. В.М., Дьяченко Н. Г. О влиянии инфракрасного света на лю-минесцению хлористого серебра// Оптика и спектроскопия. 1961.- Т. 10, N 5.-С. 649−653.
  42. В.М., Голуб С. И. О действии инфракрасного света На люминесценцию чистых и смешанных серебряно-галоидных фосфоров// Оптика и спектроскопия. 1962. -Т. 11, N 2. — С. 852 — 854.
  43. В.Ф. Чувствительность к ИК свету самоактивированных монокристаллов сульфида цинка// Журнал прикл. спектроскопии. 1970. -Т. 12, N4.-С. 722−725.
  44. В.Ф., Лепнев Л. С. Чувствительность самоактивированных гпБ к ИК-свету// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1976. Т. 40, N9.-0. 1984 -1988.
  45. В.Ф., Лепнев Л. С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ИК-светом// Журнал прикл. спектроскопии. 1977. — Т. 26, N4.-0. 706 -711.
  46. В.В., Сальников Е. А., Хвостов В. А. Низкотемпературная стимулированная ИК-светом вспышка зеленой краевой люминесценции сульфида кадмия// Физика и техника полупроводников. 1976. — Т. 10, N 12. — С. 2283 — 2289.
  47. Механизм вспышки «красной» люминесценции в облученных электронами монокристаллах Сс18/ Богданюк Н. С., Галушка А. П., Остапенко
  48. С.С., Шейнкман М.К.// Физика и техника полупроводников. 1984. — Т. 18, N2, — С. 305 — 310.
  49. А.Н., Кушнир М. А., Бокарев В. В. Спектры фотостимуляции вспышки люминесценции хлорида серебра// Оптика и спектроскопия. -1982.-T.31,N2.-С. 366−364.
  50. Л.А., Фок М.В. Определение глубины электронных ловушек в фосфорах на основе ZnS по вспышке под действием ИК-света// Оптика и спектроскопия. 1961. — Т. 10, N 3. — С. 374 — 378.
  51. Фок М. В. Оценка параметров центров локализации дырок и электронов по тушащему и вспышечному действию ИК-света// Физика и техника полупроводников. 1970. — Т. 4, N 4. — С. 1009 — 1014.
  52. А.Н. Оптические и электронные свойства серебряных центров и их роль в начальной стадии фотохимического процесса в галогени-дах серебра: Дис. докт. физ.-мат. наук, — Воронеж, 1983.-313 с.
  53. А.Н., Волошина Т. В., Кушнир М. А. и др. Окисление поверхностных центров локализации электронов хлорсеребряных микрокри-сталлов//Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. 1982. — Т. 27, N 6. — С. 445−447.
  54. М.А., Латышев А. Н., Чибисов К. В. и др. Образование глубоких электронных ловушек при адсорбции серебра на поверхность хлорсеребряных кристаллов// Доклады АН СССР. 1982. — Т. 263, N 2. — С. 364 -366.
  55. Антонов Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кри-сталлофосфоров. — М.: Наука, 1966. — 324 с.
  56. James Т., Vanselov W., Qirk R. The Herchell Effect at 196° CH Phot. Sei. Eng. 1963.-V. 7.-P. 226−232.
  57. Akimov I.A., Demidov K.B. Overall Spectrum of Local Electronic Levels in ZnO and AgHal Sensitized Layers// Papers Intern. Congr. of Phot. Sei. -Rochester. 1978.-P. 59 -60.
  58. В.А. Электронные состояния гладких и атомно-шерохо-ватых поверхностей некоторых полярных соединений со структурой каменной соли: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1996. -142 с.
  59. К.С., Руттас В. И. О стимуляции фосфоров ZnS при низких температурах// Журнал прикл. спектроскопии. 1967.- Т. 5. — С. 426−430.
  60. В.Г., Ефименко A.B., Тамм И. А. и др.// Исследование энергетического спектра электронных ловушек в самоактивированных кристаллах сульфида цинка методом фракционного термовысвечивания// Журнал прикл. спетроскопии. 1975. — Т. 23, N 4. — С. 648 — 653.
  61. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.:Наука, 1987. — 431 с.
  62. A.B., Снитко О. В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев.: Наук, думка, 1984. — 231 с.
  63. К.В. Природа фотографической чувствительности.-М.: Наука, 1980.-403 с.
  64. Т.В. Фотофизические процессы формирования малоатомных серебряных и сернисто-серебряных кластеров, адсорбированных на кристаллах галогенидов серебра: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1994.- 193 с.
  65. Brandt R.C., Broun F.C. Induced infrared absobtion due to bound charge in the silver halides//Phys. Rev.- 1968.-V. 181, N3.-P. 1241−1250.
  66. M.A., Фок M.B. Устойчивость серебряных кластеров на поверхности галогенида серебра// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии.- 1985. Т. 30, N 6, — С. 463 — 474.
  67. М.А., Латышев А. Н., Марков A.B. Люминесценция кристаллов галогенидов серебра, содержащих серебряные центры// Междунар. сим-поз. по системам регистрации изображений. Дрезден, 1989. — А-21.
  68. Природа центров вуали галогенидосеребряных фотографических слоев/ Белоус В. М., Толстобров В. Ч., Чурашов В. П., Чибисов К.В.// Докл. АН СССР.- 1977. Т. 236, N 3. — С. 645 — 648.
  69. В.М., Бреслав Ю. А., Толстобров В. И. и др. Люминесцентные исследования сернистой сенсибилизации однородных эмульсий при химическом созревании// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. 1977. — Т. 22, N 6. — С.452 — 455.
  70. Mumaw С.Т. Sulfide-Related Luminescence of Ionic Silver Systems. Part
  71. Red-Infrared Luminescence of Ag2S Sols and Na2S203 Digested AgX Emulsions// Photogr. Sci. Eng. — 1980. — V. 24, N 2. — P. 77 — 83.
  72. Mumaw C.T. Sulfide-Related Luminescence of Ionic Silver Systems. Part1. Infrared Luminecsence of Primitive and AgN03 Digested AgX Emulsions// Photogr. Sci. Eng. — 1980.- V. 24, N 2. — P. 84 — 86.
  73. Mumaw C.T. Sulfide-Related Luminescence of Ionic Silver Systems. Part
  74. I. Visible Luminescence of Silver Halide, AgN03 solution, and AgN03 Ag2S Systems// Photogr. Sci. Eng. — 1980. — V. 24, N 2. — P. 87 — 93.
  75. Kanzaki H. Localized Electronic States in Chemically-Sensitized Photographic Grains of Silver Bromide //J. Photogr. Sci. and Technol. Jap.1990. V. 53, N 2. — P. 160−161.
  76. В.Г., Волошина T.B., Латышев A.H. и др. Рекомбинационно-акцепторные свойства центров чувствительности в фотоэмульсиях с плоскими микрокристаллами// Радиационные гетерогенные процессы: Тез. докл. Кемерово, 1990. — Т. 2. — С. 73 -74.
  77. К.В. Химия фотографических эмульсий. М.: Наука, 1975. — 341 с.
  78. James Т., Vanselov W. Evidence for a Dark-Stage Process in Latent-Image Formation at Low Temperatures// Photogr. Sei. Eng. 1965. — V. 9, N 3. — P. 196 -202.
  79. Meyer R. Lumineszenzversuche an Photographischen Handelsschich-ten// Z. Wiss. Photogr. 1959.- B. 53, N 7−9.- S. 141 — 156.
  80. Meyer R. Formierung der Kornoberflache Einer Photographischen Emulsion Wahrend der Ersten Reiting// In: Scienty Photography, Oxford. 1962. -S. 103 — 109.
  81. Latyshev A.N., Kushnir M.A. Antacanova L.B. The Luminescence of Silver Chloride// Photogr. Sei. Eng. 1979. — V. 23. — P. 338 — 340.
  82. Latyshev A.N., Kushnir M.A. The Low-Temperature Photochemical Process in Silver Chloride/ Papers from International Congress Photo-graphic Science. Cambridge, 1982. — P. 61−69.
  83. M.A., Латышев A.H., Угай Я. А. Люминесценция кристаллов хлорида серебра, засвеченных при низких температурах// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. -1977. Т. 22, N 5.- С. 380 — 382.
  84. В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ. Минск: Высшая школа, 1964. — С. 366.
  85. A.M., Шаманов A.A., Бирман Т. Л. Исследования сорбцион-ных и фотохимических процессов на поверхности цинк-сульфидных фосфоров// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1974. Т. 38, N 6. — С. 1320 — 1324.
  86. М.К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар// Письма в Журнал теоретической физики. 1972. — Т. 15, N 11. — С. 673 — 676.
  87. Sheinkman М.К., Korsunskaya М.Е., Markevich I.V. The Recharge-Enhanced Transformations of Donor- Akceptor Pairs and Clusters in CdS// J. Phys. Chem. -1982. V. 43, N 5.-P. 475 — 479.
  88. Н.Е., Кроловец Н. М., Маркевич И. В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью// Физика и техника полупроводников. 1973. — Т. 7. — С. 275 — 278.
  89. В.М. О природе и «взаимодействии» центров захвата в серебряно-галоидных фосфорах//Журнал прикл. спектроскопии.- 1966.-Т. 5, N 5.- С. 210 215.
  90. В.М. Об ионном механизме темпратурного тушения люминесценции хлористого серебра III Оптика и спектроскопия.- 1968. Т. 24, N4. С. 586−595.
  91. В.М. Об ионном механизме температурного тушения люминесценции хлористого серебра II// Оптика и спектроскопия.- 1968. Т. 24, N5. С. 751 -755.
  92. Smimov LP., Meikiyar P.V. Ionic Conductivity of Emulsion Crystals// Photogr. Sci. Eng.- 1973. V. 17, N 3.- P. 285 — 289.
  93. B.M., Ахмеров А. Ю., Жуков C.A. и др. Люминесцентные исследования процессов, определяющих фотографическую чувствительность галогенсеребряных эмульсий// Журнал научн. и прикл. фотографии. 1996.-T.41.N6.-C. 11−27.
  94. А.Н., Бокарев В. В., Волошина Т. В. и др.Усталость люминесценции кристаллов хлористого серебра// Журнал прикл. спектроскопии.- 1982. Т. 37, N4.- С. 580- 585.
  95. В.Г., Кушнир М. А., Латышев А. Н. и др. Исследование усталости люминесценции AgCl при низких температурах// Журнал прикл. спектроскопии. 1984. — Т. 41, N 3. — С. 425−428.
  96. Tan Y.T., Perke Н. W., Powell R. Surface self-diffusion of Ag+ on AgBr by a new radiotracer techique // J. Appl. Phys. -1971. V.42.- P. 4752−4757.
  97. В.Г., Кустов А. И. Кинетика фотостимулированной миграции адсорбированных атомов в кристаллах со смешанным типом связи// Радиационные гетерогенные процессы: Тез. докл. 1995. — С. 50−51.
  98. А.Н., Чибисов К. В. Механизм начальной стадии поверхностного фотохимического процесса микрокристаллов малочувствительных фотографических слоев// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. 1983.- Т. 28, N 3. — С. 209 — 212.
  99. Г. Ф. Начальные стадии фото- и радиационно- химических процессов в твердых телах : Дис. докт. физ. мат. наук. — Черноголовка, 1997.- 531 с.
  100. Collins R.J. Mechanism and defect responsible for edge emission in CdS // J. Appl. Phys. 1959. — V. 30, N 8. — P. 1135 — 1140.
  101. Halsted R.E., Segall B. Doble acceptor fluorescence in II-IV compounds // Phys. Rev. Lett. 1963. — V. 10, N 9. — P. 392 — 395.
  102. Lambe J.J., Klick C.C., Dexter D.L. Nature of edge emission in cadmium sulfide // Phys. Rev. 1956. — V. 103, N 6. — P. 1715 — 1720.
  103. В.Ф., Любченко A.B., Сальков E.A., Шейнкман М. К. Об излу-чательной рекомбинации через донорно-акцепторные пары в CdS при низких температурах // ФТП. 1975. — Т. 9, N 8. — С. 1507−1511.
  104. В.Ф., Любченко А. В., Сальков Е. А., Шейнкман М. К. Рекомбинация через донорно-акцепторные комплексы в монокристаллах CdS // ФТП. 1975. — Т. 9, N 2. — С. 303−310.
  105. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1981. — 264 с.
  106. Hamilton J.F. Physical Properties of Silver Halide Microcrystals// Photogr. Sci. Eng. 1974. — V. 18, N 5. — P. 493−500.
  107. И.А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И. Сенсибилизированный фотоэффект. М.: Наука, 1980. — 384 с.
  108. В.В., Феофилов П. П. Кооперативная сенсибилизация люминесценции галоидо-серебряных солей и спектральная сенсибилизация фотографических эмульсий // ДАН СССР. 1967. — Т.174, N4. — С.787−790.
  109. Mitchell J. Elementary processes in the concentration theory of latent ivage formation// J.Ivag.Sci. 1987. — V. 31, N 1. — P. 1−7.
  110. В.М. Люминесцентные исследования процессов, происходящих при химической сенсибилизации галогенсеребряных фотографических эмульсий // Успехи научной фотографии. М., 1989. — Т.25. — С. 5−42.
  111. В.Б., Алфимов М. В. Люминесцентная фотография // Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. 1984. — Т. 29, N 4. — С. 307 -315.
  112. Я.Н. Кинетическая теория жидкостей.- М.: Изд. АН СССР, 1975.- 592 с.
  113. Saunders V., Tyler R., West W. Study of the Primary Photographic Process in Silver Bromide Crystals by Measurements of Transient Photocharge// Photogr. Sci. Eng.- 1972. V. 16, N 2. — P. 87 — 103.
  114. М.И. Устойчивость мельчайших серебряных частиц в* га-логенидах серебра. Дис. канд. физ.-мат. наук.- Воронеж, 1971.-313 с.
  115. В.М. Фотоэмиссия с серебряных центров и явление вспышки люминесценции хлорида серебра// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии.- 1964.- Т. 9, N 5.- С. 363−367.
  116. А.Н., Кушнир М. А., Бокарев В. В. Вспышка люминесценции центров скрытого изображения хлорсеребряной фотографической эмульсии// Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии. 1981. — Т. 26, N5.-С. 377−379.
  117. В.М. Континуальная модель F-центра в AgBr // ФТТ. -1963. Т.5, N11.- С.3266−3272.
  118. Latyshev A.N. Photostimulated Unstability of Adsorbed Clusters and Initial of the Photographic Process in Silver Halide Grains// J. Inf. Recording.-1996.-V. 22. P. 339−345.
  119. Klyuev V.G., Latyshev A.N. Identical Properties of the Surface Process Proceeding under UV-Radiation for AgHal, ZnS and CdS// J. Inf. Recording. -1996,-V. 23.-P. 295−300.
  120. Ф.Ф. Электронные уровни атомов, адсорбированных на поверхности кристалла// Журнал физ. химии. 1947. — Т. 21, N 11.- С. 1317- 1334.
  121. Бонч-Бруевич В. Я. Методы расчета электронных уровней, адсорбированных на поверхности кристалла//Журнал физ. химии. 1953. -Т. 27, N 5.- С. 662 — 673.
  122. М.Д., Дейген М. Ф. К теории локальных электронных центров вблизи поверхности полупроводника// Физика твердого тела. 1963. -Т. 5, N2.-С. 405−416.
  123. Levine I.D. Modal Hydrogenic Wave Functions of Donors of Semiconductor Surface// Phys. Rev. 1965. — V. 140 A, N 2. — P. 586 — 589.
  124. В.JI., Покровский В. А., Чаплин А. В. Состояние электронов, локализованных у поверхности зарядов// Физика твердого тела. 1967.- Т. 9, N 1. — С. 70−74.
  125. Mark P. Chemisorption States of Ionic Lattices// J. Phys. Chem. Sol. -1968. V. 29, N 4. — P. 689 -697.
  126. М.И., Латышев A.H., Чибисов К. В. Квазимолекулярная модель атомов, адсорбированных на поверхности ионного кристалла// Докл. АН СССР. 1970. — Т. 190, N 2.- С. 383−386.
  127. М.И., Латышев А. Н. Взаимодействие атомов серебра на поверхности галогенида // Природа фотографической чувствительности: Тез. докл. М., 1970. — С. 143−146.
  128. М.И., Латышев А. Н. Квазимолекулярная модель хемо-сорбции на поверхности ионного кристалла// Изв. АН СССР. Сер. физ. -1971.-Т. 35, N2.- С. 359−360.
  129. O.K. Квантовая химия.- М.: Высшая школа, 1962. 783 с.
  130. Hamilton J.F., Baetzold R.C. The Paradox of Ag2 Centers on AgBr: Reduction Sensitization vs. Photolysic// Photogr. Sci. Eng.- 1981. V. 25, N 5.-P. 189−197.
  131. M. Теория молекулярных орбиталей в органической химии. -М., 1972. 500 с.
  132. М.В. Метод молекулярных орбит и реакционная способность органических молекул. М., 1969. — 330 с.
  133. А.С. Квантовая механика. М.: Наука, 1973. — 704 с.
  134. Levine I.D., Mark P. Theory and Observation of Intrinsic Surface on Ionic Crystals// Phys. Rev. 1966.- V. 144, N 2.- P. 751−763.
  135. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. -М., 1966. 283 с.
  136. Berry С., West W., Moser F. Silver Halides. Art and Science of Growing Crystals// NY. 1963.- P. 214 — 230.
  137. A.H., Писаревский A.H. Одноэлектронные характеристики ФЭУ и их применение. М.: Атомиздат, 1971. — 270 с.
  138. В. Диффузия в металлах. М.: ИЛ, 1958. — 381 с.
  139. А.Н. Физические процессы в галогенидах серебра при низких температурах// Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра: Тез. докл. Кемерово, 1986. — С. 55−64.
  140. Corish I., Iacobs P. Ionic conductivity of silver chloride crystals// J. Phis. Chem. Sol. 1972. — V.33. — P. 1799−1818.
  141. М.В., Назаров В. Б., Якушева О. Б. Связь некоторых фотографических параметров бессеребряных фотоматериалов с фотохимическими и спектроскопическими свойствами светочувствительных веществ// Усп. науч. фотогр. 1978. -Т. 19, — С. 229−238.
  142. М.В., Сандул Г. А. Запись информации на фотолюминесцентных материалах // Усп. науч. фотогр. 1980. — Т. 19. — С. 262−269.
  143. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. -584 с.
  144. Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям." М.: Наука, 1976.-576 с.
  145. Г. Б. Таблицы интегралов.-М.: Наука, 1977.- 224 с.
  146. .М. Метод определения глубины ловушек // ФТТ. 1979. -Т.21, N11. — С. 3258−3261.
  147. Kanzaki Н. Spectroscopic Identification of Localized Electrons and Holes in Silver Halides// J. Photogr. Sci. 1984. — V. 32.- P. 117 — 123.
  148. X., Лыгин В. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел. М.: Мир, 1980. — 288 с.
  149. В.И., Омельченко С. А., Шмурак С. З. Влияние структурных изменений на интенсивность электролюминесценции сульфида цинка// Физика твердого тела. 1988. — Т. ЗО, N 6. — С. 1803−1808.
  150. В.И., Мурадян A.M., Соловьев А. В. и др. Электро- и фотолюминесценция кристаллов ZnS// Физика твердого тела.- 1991. Т.33, N 2.-С. 562−568.
  151. Abbinc Н.С., Martin D.S. Ionik conductivity of silver chloride contaning cadmium chloride// J. Phis. Cheni. Sol. 1966. — V.27, N1. — P. 205−215.
  152. Fattuzo E., Oggioni P. Study by luminescence techniques of traps in silver halides // Phot. Sci. Eng. 1973. — V.17, N3. — P. 319−325.
  153. Исследование физических процессов при производстве люминофоров для цветных кинескопов: Отчет НИР/ ВГУ- Руководитель Латышев А. Н. Воронеж. N Гос. регистр. 0189.22 397, 1991. 114 с.
  154. X., Лыгин В. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел. -М.: Наука, 1980. 288 с.
  155. Latyshev A.N., Kushnir М.А., Antacanova L.B. The luminescence of silver chloride // Phot. Sci. Eng. 1979. — V.23.- P.338−340.
  156. Baetzold R. C. Properties of silver clusters on AgBr surface sites // Phot. Sci. Eng. 1975. — V.19, N1.- P. l 1−16.
  157. Mumau С. I. Luminescence effect of iodide addition to silver bromide emulsions // Phot. Sci. Eng. 1970. — V.14, N4. — P. 262−268.
  158. А. Энергии диссоциации некоторых двухатомных молекул. -М., 1949.- 270 с.
  159. Bierlein I.D. Photoconductivity and luminescence in AgBr (J) microcrystals // Phot. Sci. Eng. 1979. — V.23. — P. 338−340.
  160. M.B., Анохин Ю. А., Гринишин С. Г. Теоретическое и экспериментальное исследование характеристической кривой позитивного люминесцентного процесса // Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии.- 1984. Т. 29, N 3. — С. 192−196.
  161. М.В., Сандул Г. А. Запись информации на фотолюминесцентных материалах // Усп. науч. фотогр. 1980. — Т. 19. — С. 262−269.
  162. Р.А., Объедков В. П., Плявиня И. К. Способ записи оптической информации // А.С. 493 161 СССР: МКИ G11С 11/42.
  163. Трехмерная запоминающая система, использующая F- центры // Патент 3 645 626 США: МКИ Gl 1С 13/04.
  164. М.В., Назаров В. Б. Некоторые принципиальные ограничения характеристик фотографического процесса регистрации информации// -Усп. науч. фотогр. 1980. — Т. 20. — С. 13−28.
  165. Ю.А., Пейсахов В. В. Композиционные светочувствительные системы// Журн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1985. — Т.30, N2. — С. 150−157.
  166. Ю.А., Пейсахов В. В. Композиционные светочувствительные системы// Журн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1985. — Т.30, N3. -С.226 -228.
  167. В.Б., Пилюгина О. М., Алфимов М. В. О влиянии способа визуализации (считывания) изображения на форму характеристической кривой фотоматериала // Журн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1981. -Т.26, N3.-C. 205−207.
  168. М.А., Фок М.В. Устойчивость серебряных кластеров на поверхности галогенидов серебра // Журн. науч. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1985. — Т.30, N6. — С. 464−474.
  169. В.Г., Латышев А. Н., Гренишин С. Г., Кушнир М. А., Бокарев В. В., Волошина Т. В., Малая Л .Я. Люминесцентный фотографический процесс на основе фотоактивности// Ж. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. 1986. T.31.N5. с.379−381.
  170. В.Г., Семенов В. Н., Деревянко Е., Кушнир М. А., Малая Л. Я. Получение люминесцентных пленок сульфида цинка распылением растворов на нагретую подложку// Изв. АН СССР, сер. неорг. материа- лы, 1987, Т.23, N2, С.202−205.
  171. В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М.А.Люминесцентные свойства пленок CdS: Ag, полученных распылением раствора на нагретую под- ложку// Электронная техника, сер.6."Материалы" 1987, вып.2 (223) С.77−79.
  172. В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М.А.Светочувствительные люми-несцирующие пленки сульфида кадмия, полученные химическим осаждением // ЖНиПФиК, 1987, Т.32, N 4, С.303−305.
  173. В.Г., Кушнир М. А., Семенов В. Н., Шамшеева И.Л.Получение люминесцентных пленок сульфида кадмия распылением растворов на нагретую подложку// Электронная техника, сер."Материалы", 1988, С.81−84.
  174. В.Г., Кушнир М. А., Латышев А.Н.Об оценке размеров фото-литических частиц в галогенидах серебра// ЖНиПФиК, 1989, Т.34, вып.5, С.386−389.
  175. В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М. А., Марков A.B.Люминесцентные свойства тонких пленок ZnS, CdS, полученных методом распыле- ния растворов на нагретую подложку//Поверхность, 1989, N12, С. 168−169.
  176. В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М. А., Бабаев Т.Ш.Люминесцент ные свойства пленок ZnS: Cu, полученных распылением растворов на нагретую подложку// Электронная техника, сер.6 «Материалы» вып. З (240), 1989, С.68−70.
  177. Chamberlin R.R., Sharman I.S. Chemical spray deposition process for inorganic films // J. Electrochem. Soc. 1966 — V. l 13. — P.86−89.
  178. Я.А., Семенов B.H., Авербах E.M. Получение пленок сульфидов металлов методом пульверизации // Получения и свойства тонких пленок. -Киев, 1982. С.58−60.
  179. В.Г., Кушнир М.А, Латышев А. Н., Марков A.B. Фотостимули-рованное образование кластеров серебра на поверхности микрокристаллов сульфида кадмия// ЖПС, 1990, Т.52, N 3, С.503−506.
  180. В.Г., Латышев А. Н., Волошина Т. В., Малая Л. Я., Леонова Л. Ю. Зависимость фотостимулированной вспышки люминесценции от температуры протекания фотохимического процесса в хлориде сереб- ра// ЖНиПФиК, 1990, Т.35, N 4, С.296−299.
  181. В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М. А., Сушкова Т.Л.Получение и люминесцентные свойства легированных пленок к сульфида цинка // Поверхность, 1991, N7, С. 153−155.
  182. Kluev V.G., Latyshev A.N., Voloshina T.V., Kushnir M.A., Malaya L.Y., Markov A.V.Luminescent Studies of Photographic Process Initial Stage// In papers of Intern.Congr.of Photographic Science. 1990 (ICPS 90), Beijing, BP-05, P.175−177.
  183. В.Г., Латышев A.H., Волошина T.B., Каплун Л. Я., Кушнир М. А., Малая Л. Я., Марков A.B., Силаев Е.А.Фотохимически активные поверхностные центры галогеносеребряных микрокристаллов// Ж. физ. химии, 1991. т.65. N 6. с.1491−1497.
  184. В.Г., Семенов В. Н., Сушкова Т. Л., Кушнир М. А., Марков A.B. Люминесцентные свойства пленок CdS, легированного медью, по- лученных расп. Растворов на нагр. подложку // Изв. АН СССР. сер. Не-орг.матер, 1993, Т.29, N 3, С.323−326.
  185. В.Г., Кулаков М. П., Кушнир М. А., Латышев А. Н. Малая Л.Я., Шмурак С. З. Влияние сильных световых потоков на люминесценцию монокристаллов сульфида цинка с микрополами // ЖПС, 1993, Аннотация в Т.59, N3−4, С.93−94,N 1620−1393.
  186. В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М. А., Санина Т. А., Малая Л. Я. Спектрально- люминесцентные свойства пленок, полученных рас- пыле-нием растворов тиомочевинных комплексов кадмия на нагретую подложку//ЖПС, 1993, Т.59, N 1−2, С.114−119.
  187. В.Г., Латышев А. Н., Малая Л. Я., ЛеоноваЛ.Ю., Кустов А. И. Люминесцентные исследования фотостимулированных процессов и их использование для записи и люминесцентного считывания опти- ческой информации // ЖПС, т.62, N3 с.232−234.
  188. В.Г., Малая Л. Я., Леонова Л. Ю. Эффект тушения люминесценции монокристаллического, активированного медью сульфида цинка содержащего микрополости // ЖПС, 1996, т.63, N1, с.96−97.
  189. Ю.Н. Свойства черно-белых фотопленок. М.: Наука, 1980. — 384 с.
  190. Kanzaki Н., Sacuragi S. Optical absorption and luminescence of exitons in silver halides containing isoelectronic impurities// J. of Phys. Soc. Jap. 1969. -V.29. — P. 109−125- 924−945.
  191. Kluev V.G., Kustov A.I., Latyshev A.N., Malaya L.Y., Semenov V.N., Photostimulated Formation Process storage centers readout // Proceedings of SPIE Optical Information Science & Technology, 1997, v.3347 p.355−357.
  192. Kluev V.G., Kustov A.I., Latyshev A.N., Malaya L.Y., Semenov V.N., Mechanism of Photostimulated Trunsformation of adsorbed metallic centers and luminescent read-out // Proceedings of ICPS'98.-1998.- v. l, -h.437−440.
  193. В.Г., Семенов B.H., Деревянко E., Кушнир M.А. Получение люминесцентных пленок сульфида цинка, полученных распылением растворов на нагретую подложку // Электронная техника, сер.6, «материалы», 1986, вып.6 (217),-с.26−28.
  194. В.Г., Семенов В. Н., Сушкова Т. Л., Кушнир М. А. Фотолюминесцентные свойства легированных пленок CdS4x0Zn41-x0S. // Поверхность, 1994, N7 с.60−64.
  195. Исследование возможности создания люминесцентного фотографического процесса на основе неорганических соединений: Отчет о НИР/ Воронеж, ВГУ N ГР 0183.22 133.163 с.
  196. Влияние условий получения пленок ZnS на их люминесцентные свойства / Клюев В. Г., Семенова В. Н., Попова Л. В., Кушнир М. А. В кн. ?Физико-химические процессы в гетерогенных структурах, Воронеж, ВГУ, 1985, С. 118−121.
  197. Автоматизация спектрофотометрических измерений с помощью ЭВМ / Клюев В. Г., Кушнир М. А., Марков A.B., Расхожев В. Н. -ДЕП. ВИНИТИ, 1988, N 5645-В88, 13.07.88 г.
  198. Об оценке сечения захвата фотонов глубоких электронных ловушек методом фотостимулированной вспышки люминесценции// Клюев В. Г. -ДЕП. ВИНИТИ, 1989, С. 7, N 1181-В89, 22.02.89 г.
  199. Кинетика фотостимулированной вспышки люминесценции в присутствии мелких ловушек / Клюев В. Г. ДЕП. ВИНИТИ, 1989, С. 14, N1180-B89, 22.02.89 г.
  200. Люминесцентные свойства слоев CdS, полученных из растворов различных солей кадмия/Клюев В.Г., Семенов В. Н., Кушнир М. А., Мози-на В.И.- В кн.:Физико-химия материалов и процессов в микроэлектронике, Воронеж, изд. ВГУ, 1989, С.90−93.
  201. Низкотемпературный фотохимический процесс в хлориде серебра / В. Г. Клюев, А. Н. Латышев, М. А. Кушнир // Международ. симпозиума: Тез.докл.-Тбилиси, 1984, N11.
  202. А. Н. Кушнир М.А. Клюев В. Г. Низкотемпературный фотохимический процесс в хлориде серебра // Между нар. симп'.Тез.докл. Тби-лиси, 1984.-С. 11.
  203. Изучение процесса образования серебряных центров в галогенидах серебра методом фотостимулированной вспышки люминесценции / В. Г. Клюев, А. Н. Латышев, М. А. Кушнир // Всесоюзнная конференция: Тез.докл.- Кемерово, 1986.- ч.1, С.73−74.
  204. Тонкие люминесцентные слои, полученные методом лазерного напыления / В. Г. Клюев, Л. Я. Малая, М. А. Кушнир // УШ обл.научн.- технич. конференция по спектроскопии: Тез.докл.-Тамбов, 1987.- С. 101.
  205. Регистрация информации с использованием люминесцентных слоев сульфида цинка / В. Г. Клюев, Т. В. Волошина, М. А. Кушнир, А. Н. Латышев // УШ обл. науч.-технич. конф. по спектроскопии: Тез.докл.- Тамбов, 1987.-С.102.
  206. Люминесцентная запись цветных изображений на неорганических кристаллофосфорах / В. Г. Клюев, Л. Я. Малая, А. Н. Латышев, М. А. Кушнир // Всесоюзная конференция: Тез.докл.-Черноголовка, 1987.-С. 163−164.
  207. Механизм реверсивного люминесцентного фотографического процесса на основе кристаллов с ионно-ковалентной связью/ В. Г. Клюев, М. А. Кушнир, А. Н. Латышев, А.В.Марков// всесоюзная конференция: Тез.докл.- Суздаль, 1988.- С. 74.
  208. Влияние термообработки на спектральные характеристики люминофоров для цветных кинескопов/ В. Г. Клюев, А. Н. Латышев, В. И. Шиповский // IX обл.конф."Применение методов спектрального анализа в народном хозяйстве":Тез.докл. Тамбов, 1990, — С.45
  209. Радиационная устойчивость спектральных параметров люминофоров, применяемых в цветном телевидении/ В. Г. Клюев, А. И. Сафонов, В.И.Шиповский// IX обл.конф."Применение методов спектрального анализа в народном хозяйстве":Тез.докл. Тамбов, 1990.- С.45
  210. Применение вспышки люминесценции для изучения кинетики химического созревания эмульсий.// Клюев В. Г., Латышев А. Н., Волошина Т. В., Малая Л.Я./ Мат. сов. по регистрир. средам.- Ленинград, 1998.
  211. Рекомбинационно-акцепторные свойства фотоматериалов с плоскими микрокристаллами // В. Г. Клюев, Т. В. Волошина, А. Н. Латышев Е.А.Силаев, Л.Я.Каплун/ Всес. конф. «Оптическое изображение и регистрирующие среды»: Тез.докл.-Ленинград, 1990, т.1, с. 213.
  212. Среда для регистрации информации на основе поверхностно-ак- ти-вированных кристаллов сернистого кадмия /В.Г.Клюев, Л. Я. Малая, А. Н. Латышев, М.А.Кушнир/Всес. конф. «Оптическое изображение и регистрирующие среды»: Тез.докл.-Ленинград, 1990, т.2, с. 30.
  213. Особенности осаждения люминесцентных пленок распылением растворов на нагретую подложку ¡-/ВТ. Клюев, В. Н. Семенов, В.Н. Шипов-ский / III Всесоюзн. конф. по физике и технологии тонких п/п пленок: Тез. докл.-Ивано-Франковск, 1990,4.1, с. 141.
  214. Кинетические свойства фотостимулированной миграции адсорбированных частиц по поверхности полупроводников ионно-ковалентного типа
  215. В.Г., А.Н.Латышев, T.B. Волошина / VIII Всесоюзн. конф. по взаимод. оптического излучения с веществом: Тез. докл. Ленинград, 1990, т.2, с. 93.
  216. Динамическая модель адсорбции в условиях фотогенерации не- равновесных носителей //Клюев В.Г., А. И. Кустов / Всесоюзн. симп."Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра «Лез.докл.Черноголовка, 1991, с. 29.
  217. Эффективность захвата фотоэлектронов глубокими ловушками в хлориде серебра // В. Г. Клюев, Л. Я. Малая, A.B. Марков / Всесоюзн. сими."Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра «:Тез.докл.Черноголовка, 1991, с. 42.
  218. Фотолюминесцентные свойства тонких композиций на основе сульфидов кадмия и цинка// В. Г. Клюев, В. Н. Семенов, М. А. Кушнир / Всес. конф. по материаловедению халькогенидных: Тез. докл., Черновцы, 1991, ч. П, с. 111.
  219. Механизм влияния адсорбированного хрома на интенсивность излучения люминофоров ZnS, CdS: Ag, Си, AI, Y203S: // В. Г. Клюев, А. Н. Латышев, В. И. Шиповский / VII Всесоюзный совет «Физика, химия и технология люминофоров «Лез. докл., Ставрополь, 1992.
  220. Процессы деградации яркости в люминесцентных покрытиях цветных кинескопов, стимулированные излучением // В. Г. Клюев, А. Н. Латышев, В. Н. Шиповский / VII Всесоюзный совет «Физика, химия и технология люминофоров «Лез. докл., Ставрополь, 1992.
  221. Влияние механизмов обработки твердых растворов на фотолюминесценцию тонких слоев на основе сульфида кадмия // В. Г. Клюев, В. Н. Семенов, М. А. Кушнир / VII Всесоюзный совет «Физика, химия и технология люминофоров » :Тез. докл., Ставрополь, 1992.
  222. Эффект тушения люминесценции монокристаллов активированного медью сульфида цинка, содержащего микрополости // В. Г. Клюев, Л. Я. Малая, Л. Я. Леонова / Междунар.конф. по люминесценции: Москва, 1994, т. И, с. 175.
  223. Эффективное сечение его роль при обнаружении малых концентраций продуктов фотолиза// В. Г. Клюев, Л. Я. Малая / Междунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  224. Активация излучающих свойств ионно-ковалентных кристаллов адсорбцией ионов металлов и воздействием излучения // В. Г. Клюев, Л. Я. Малая, А. Н. Латышев / Междунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  225. Фотообразование и устойчивость серебряных центров при температурах от 77К до ЗООК в хлориде серебра // В. Г. Клюев, Л. Я. Малая / Междунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  226. Плотность примесных состояний в хлориде серебра синтезированного в присутствии ионов двухвалентных металлов // В. Г. Клюев, Л. Я. Малая / Междунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  227. Maerker R.E. Estimation of the critical period in latent-image formation by intexp. // J.Opt.Soc.Am. 1954. — V. 44. — P. 625.
  228. Фотоактивность легированных пленочных гетероструктур на основе сульфидов цинка и кадмия // В. Н. Семенов, В. Г. Клюев, И. А. Мигель / Меж-дунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  229. Кинетека фотостимулированной миграции адсорбированных атомов в кристаллах со смешанным типом связи // В. Г. Клюев, А. И. Кустов / Меж-дунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  230. Влияние фотолиза на антистоксову люминесценцию сенсибилизированной бромоиодосеребряной фотоэмульсии // В. Г. Клюев, А. Н. Латышев / Междунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  231. Общие закономерности фотофизических процессов в галогенидах серебра и сульфидах цинка и кадмия // А. Н. Латышев, В. Г. Клюев, Л. Я. Малая, Л. Ю. Леонова / Междунар.конф. «Радиационные и гетерогенные процессы »: Кемерово, 1995.
  232. Светочувствительность поликристаллических пленок Сс18, ZnS // В. Н. Семенов, В. Г. Клюев, А. И. Кустов / Всеросс. конф. «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов «Тез. докл.: Н. Новгород, НГУ, 1996, с. 48.
  233. Фотостимулированные процессы в кристаллах со смешанным типом связи // В. Г. Клюев, А. И. Кустов, Н. Р. Кустова / Всеросс. конф. «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов «Тез. докл.: Н. Новгород, НГУ, 1996, с.46−47.
  234. Влияние взаимодействия компонентов в тонких слоях системы Сс18−2п8 на люминесцентные свойства // В. Н. Семенов, Е. М. Авербах, В.Г.
  235. , А.И. Кустов / Всеросс. конф. «Современные методы спектроскопии «Тез. докл.: Тамбов, 1996, с.57−58.
  236. Формирование и устойчивость рекомбинаций в тонких слоях CdxZnl-xS // В. Г. Клюев, В.Н. Л. В. Редько, А. И. Кустов / IV Междунар.конф. ФТТП: Тез. докл. Ивано-Франковск, 1997, с. 45.
  237. Kluev V.G., Kustov A.I., Latyshev A.N., Malaya L.Ya., Semenov V.N. Phtostimulated formation of information storage centers and pho- toluminescent readout // Proceedings of SPIE. 1998. — Vol.3347. — P. 355−357.
  238. Kluev V.G., Kustov A.I., Latyshev A.N., Malaya L.Ya., Semenov V.N. Mechanism of fotostimulated trunsformation of adsorbed metallic centers and luminescent read-out//Proceedings of ICPS'98. 1998. — Vol. 1. — P. 437−440.
  239. Люминесцентные исследования энергии десорбции адсорбированных атомов / В. Г. Клюев, А. И. Кустов, Латышев А. Н., О.В. Овчинников// Всероссийский семинар Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии: Тез. докл. Саратов, 1998. — С.39.
  240. Динамика движения и преобразования поверхностных частиц, стимулированных излучением / В. Г. Клюев // Международная кон- ференция Физико-химические процессы в неорганических материалах: Тез. докл. -Кемерово, 1998.-С.149.
  241. Поликристаллические пленки ZnxCdl-xS с управляемой люминесценцией / В. Г. Клюев, В. Н. Семенов, Ю. В. Метелева, Е. Абрамова // Международная конференция Физико-химические процессы в неорганических материалах: Тез. докл. Кемерово, 1998. — С. 150.
  242. А.Н., Клюев В. Г., Удалов П. Н., Расхожев В. Н., Кушнир М.А.// Авторское свидетельство N1866968.
  243. А.Н., Клюев В. Г., Удалов П. Н., Харитонов А., Кушнир М.А.// Авторское свидетельство N199890.
  244. А.Н., Клюев В. Г., Расхожев В. Н., Кушнир М.А.// Авторское свидетельство N 1 101 036.
  245. А.Н., Клюев В. Г., Шмурак С. З., Кушнир М. А., Малая Л. Я. // Положительное решение на изобретение N5054946/24(21 471).
  246. Производство цветных кинескопов. М., 1978. — С. 136−139.
  247. Л.Я., Пекерман Ф. М., Петошина Л. Н. Люминофоры. Л., 1966.-С. 7−12- 14- 56- 128- 142.
  248. Неорганические люминофоры / Под ред. Л. Я. Марковского. Л.: Химия, 1975. — 191 с.
  249. М.М. Фотометрия. Л., 1983. — С. 268.
  250. Свойства элементов. Физические свойства / Под ред. Г. В. Самсонова. -М., 1976. -4.1.-С. 15.
  251. Berry С. R. Determination of Energy Levels in AgBr EmulsionsCrystals from optical measurements // Journ. Phot. Sci. 1970.- V.18.- P.169−175.
  252. Я.Е., Кагановский Ю. С. Диффузионный перенос массы в островковых пленках // УФН.- 1976.- Т. 125, N 3.- С. 489−525.
  253. Н.С., Нагаев ЭЛ. Кластеры молекул, адсорбированных на поверхности проводника // Письма в ЖЭТФ.- 1980.-Т.31, N 9.- С. 505−508.
  254. Л.Ю. Фотостимулированные преобразования адсорбированных малоатомных кластеров на поверхности кристаллов с ионно-ковалентной связью: Дис.канд. физ.-мат. наук, — Воронеж, 1997.- 191 с.
  255. Mitchel J.W. The Trapping of Electrons in Crystals of Silver Halides // Phot. Sci. Eng.- 1983.- V. 27, N.3.- P. 96−102.
  256. M., Вольф Э. Основы оптики. М.:Наука, 1970, — 855 с. ции А? С1 (1), начальной интенсивности ФСВЛ (2,3), светосуммы, измеренной за 100 с (4,5). Кривые 3 и 5 получены при облучении образца ИК светом черев германиевый фильтр.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!