Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

Диссертация: Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кремний представляет собой наиболее изученный полупроводниковый материал. Благодаря удачному сочетанию своих физико-химических свойств он является основным материалом для микроэлектроники. Одной из нерешенных задач на пути расширения возможностей традиционной кремниевой технологии является создание светоизлучающих приборов с эмиссионной эффективностью, достаточной для практических применений… Читать ещё >

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений
  • 1. Физико-химические и оптические свойства пористого кремния
    • 1. 1. Получение, морфология и состав пористого кремния 10 1.1.1. Модели образования пористого кремния 11 1.1.1?. Морфология пористого кремния 14 1.1.5. Состав пористого кремния
    • 1. 2. Фотолюминесценция пористого кремния
    • 1. 2. 1, Квантово-размерный механизм фотолюминесценции пористого кремния
      • 1. 2. 2. Химический и интерфейсный механизм ф отолюминссцснций пористого кремния
    • 1. 3. Влияние на фотолюминесценцию пористого кремния лазерного, электронного и у-облучения, термического и химического воздействий
      • 1. 3. 1. Изменение фотолюминесценции пористого кремния при лазерном облучении
      • 1. 3. 2. Температурная зависимость фотолюминесценции пористого кремния
      • 1. 3. 3. Влияние среды и химической обработки на фотолюминесценцию пористого кремния
      • 1. 3. 4. Влияние электронного и у-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
    • 1. 4. Применение пористого кремния
  • 2. Формирование слоя пористого кремния и методы его исследования
    • 2. 1. Технологические аспекты получения пористого кремния
    • 2. 2. Влияние режимов электрохимического травления на фотолюминесценцию пористого кремния
    • 2. 3. ИК-спектроскопия пористого кремния
    • 2. 4. Оже-спектроскопия пористого кремния
  • 3. Влияние различных воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния
    • 3. 1. Кинетика фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном воздействии
    • 3. 2. Фотолюминесценция пористого кремния при одновременном лазерном и термическом воздействии
    • 3. 3. Кинетика фотолюминесценции пористого кремния в зависимости от мощности лазерного облучения
    • 3. 4. Влияние химических воздействия и хранения образцов пористого кремния в вакууме и на воздухе на его фотолюминесценцию при непрерывном лазерном облучении
      • 3. 4. 1. Механизмы влияния адсорбции молекул на фотолюминесценцию предварительно обработанного в кислоте пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

      3.4.2. Кинетика фотолюминесценции пористого кремния после хранения в вакууме и на воздухе при непрерывном лазерном облучении 106 3.5. Влияние электронного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния ill

Кремний представляет собой наиболее изученный полупроводниковый материал. Благодаря удачному сочетанию своих физико-химических свойств он является основным материалом для микроэлектроники. Одной из нерешенных задач на пути расширения возможностей традиционной кремниевой технологии является создание светоизлучающих приборов с эмиссионной эффективностью, достаточной для практических применений. К сожалению, монокристаллический кремний (моно-81) не подходит для использования его в качестве излучателей видимого света, так как этот непрямозон.

V* и ^ 1 л т> о ныи полупроводник с запрещенной зоной эВ при комнатной температуре слабо излучает в инфракрасном диапазоне оптического спектра. Для этих целей приходится применять полупроводниковые материалы 1п8Ь, 1пАз и другие, которые не совместимы с кремниевой технологией.

Однако, получаемый на основе моно-81 пористый кремний (ПК) является перспективным материалом для разработки приборов, излучающих видимый свет, так как способен при комнатной температуре преобразовывать подводимую энергию в видимое излучение ГЦ В связи с этим в настоящее время большое число работ направлено как на изучение физико-химических свойств этого нового материала, так и на исследования закономерностей его получения.

Пористый кремний, получаемый химическим и электрохимическим травлением моно-81 в водных растворах плавиковой кислоты известен с 1950;60 годов. Однако свое применение он находил только в микроэлектронике: слои ПК применялись, в основном, для создания на их основе толстых (более 1 мкм) диэлектрических пленок, либо для осуществления с их помощью эффективного генерирования нежелательных примесей из кремния [2]. Особый интерес к изучению свойств ПК возник в 1990 году после обнаружения английским ученым Канхемом (СапЬат, [1]) эффективной фотолюминесценции 1−10% (ФЛ) в видимом диапазоне длин волн при комнатной температуре. Это открытие вселило надежду на возможность создания светоизлучающих приборов на основе кремниевой технологии.

К сожалению, пористый кремний подвержен старению, в результате которого его фотолюминесценция деградирует. Но в некоторых случаях наблюдается и возгорание ФЛ. Поэтому отсутствие отчетливых представлений о механизмах изменений ФЛ ведет к возникновению новой задачи — изучению люминесцентных свойств этого материала с последующей разработкой стабилизирующих технологий, чему и посвящена данная работа,.

Цель работы: Исследование природы фотолюминесценции пористого кремния при ультрафиолетовом лазерном облучении (А,=325 нм) и механизмов гашения и возгорания ФЛ ПК при атмосферном и вакуумном хранении, химической (кислотами плавиковой (НР) и азотной (ШЧОз)), термической (293−453К) и электронной (2−4 кэВ) обработках.

Для достижения указанной цели в работе поставлены и решены следующие задачи:

• исследовано изменение состава ПК методами инфракрасной и электронной Оже-спектроскопии при различных воздействиях- ® рассмотрено влияние режимов получения ПК на его фотолюминесценцию и оценены размеры кремниевых кристаллитов при помощи спектроскопии комбинационного рассеяния света;

• изучена кинетика ФЛ ПК при непрерывном лазерном и электронном облучении, термическом и химическом воздействиях, атмосферном и вакуумном хранении;

• проведен теоретический анализ полученных экспериментальных результатов при помощи кинетической модели эволюции ФЛ ПК.

Научная новизна работы:

• Впервые проведено определение послойного расположения водородных групп в ПК методом электронной Оже-спектроскопии.

• Установлено, что кинетика ФЛ ПК зависит от химического состава поверхности кремниевых нитей. Предложена кинетическая модель, объясняющая наблюдаемые эффекты изменением состава поверх.

1 г* ностных групп под действием ультрафиолетового оолучения: деградация ФЛ на начальной стадии облучения происходит из-за десорбции водорода, а возгорание при дальнейшей лазерной экспозиции вследствие адсорбции кислорода. Рассчитаны численные значения констант скоростей реакций разрушения и восстановления соответствующих связей.

• Определена верхняя граница термического воздействия (45 ЗК) на ФЛ ПК в окружающей атмосфере, при котором происходит практически полное гашение ФЛ ПК. По экспериментальным данным впервые рассчитаны значения энергии активации деструкции и насыщения связей на поверхности пор.

• Впервые обнаружено, что увеличение мощности лазерного облучения ведет к уменьшению скорости гашения и повышению скорости возгорания ФЛ ПК.

• Впервые получены дозовые и энергетические зависимости электронно-стимулированной деградации ФЛ ПК. Показано, что электронное облучение ПК с последующим хранением на воздухе способствует стабилизации ФЛ.

Практическая ценность работы:

На основании проведенных экспериментальных исследований предложены:

• метод исследования послойного поверхностного состава ПК при помощи электронной Оже-спектроскопии, который может успешно использоваться в изучении физико-химических свойств данного материала;

• метод электронного облучения с последующим восстановлением в обычной атмосфере для стабилизации светоизлучающих свойств ПК;

• кинетическая модель эволюции ФЛ ПК, расширяющая познание природы ФЛ ПК.

Положения, выносимые на защиту:

1. Впервые методом электронной Оже-спектроскопии установлено наличие в составе ПК п-типа в основном БШг групп, которые играют ключевую роль в его фотолюминесценции.

2. Показано, что при непрерывной лазерной экспозиции и различном температурном возмущении с поверхности пор происходит удаление водородои углеродсодержащих компонентов и образование устойчивых кислородных связей. С повышением мощности лазерного облучения возгорание ФЛ усиливается, а гашение замедляется вследствие фотостимулированного увеличения скорости обменных процессов с участием атомов кислорода и водорода и образования комплексов, которые увеличивают количество центров излучательной рекомбинации.

3. Установлено, что возгорание фотолюминесценции образцов ПК, обработанных в азотной кислоте и хранившихся на воздухе, связано с увеличением вклада кислорода в ФЛ ПК. Это подтверждено хранением образцов в вакууме, после которого отсутствует возгорание о У.

ФЛ при облучении лазером. Более быстрое возгорание ФЛ ПК, обработанного в ЕР, объясняется уменьшением размеров квантовых проводов, увеличением концентрации адсорбированных атомов водорода и глубины нанопористой структуры. 4. Исследовано гашение ФЛ ПК при электронном облучении, происходящее вследствие разрушения электронами водородных групп на поверхности пор. Отсутствие деградации ФЛ после обработки в НМЭз и при повторном облучении поверхности ПК связано с химическим замещением водородных групп кислородными, более устойчивыми к электронному облучению.

Объем и структура диссертации:

Диссертация включает в себя литературный обзор, две экспериментальные главы, общие выводы и заключение, список литературы и два программных приложения.

1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.

ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ.

В настоящее время изучению свойств пористого кремния, в особенности его люминесценции, посвящено большое количество исследований. В данной главе рассмотрены модели образования ПК, его морфология и составвозможные механизмы ФЛ и влияние на нее различных факторов, области применения данного материала.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

На основании проведенных исследований были сделаны следующие выводы:

1. С повышением времени электрохимического травления интенсивность ФЛ ПК n-типа падает, Размеры кристаллитов ПК, рассчитанные по спектрам комбинационного рассеяния света образцов с использованием модели пространственного ограничения фононов о не превышают 115 А, что подтверждает наличие в ПК квантово-размерных структур нанометровых размеров, в которых наблюдается видимая ФЛ.

2. Методом Оже-спектроскопии впервые определена ключевая роль, присутствующего в объеме пор дигидрида ЗШг в фотолюминесценции ПК. Моногидрид, обнаруженный при помощи ИКи Оже-спектроскопии присутствует в тонком слаболюминесцирующем приповерхностном слое и заметного вклада в ФЛ ПК не вносит.

3. Установлено, что при непрерывном лазерном облучении происходит быстрое гашение ФЛ вследствие разрушения углеродсодер-жащих комплексов и SiHx-rpynn и последующее ее возгорание, что связано с образованием диоксида кремния. С увеличением интенсивности лазера гашение ФЛ уменьшается из-за возрастания скорости реакции насыщения оборванных связей водородными. Время возгорания ФЛ ПК сдвигается в область меньших времен вследствие фотостимуляции УФ-светом процесса окисления.

4. Установлена верхняя граница термического воздействия (453К) на ФЛ ПК, при котором происходит практически полное ее гашение. С увеличением температуры в пределах 293−453К темп падения интенсивности быстро возрастает, а возгорание уменьшается. Впервые рассчитаны энергии активации фотодеструкции водородных и углеродных комплексов ДЕ1г=0.39± 0.02 эВ и АЕС=0.11 ± 0.01 эВ и образования оксида ДЕо=-0.43±- 0.03 эВ.

5. Определено, что обработка в азотной кислоте способствует дополнительному окислению ПК с преобладанием связей 810 на поверхности. Вследствие этого при лазерном облучении гашения не наблюдается, а последующее возгорание связано с доокислением 8Ю в дигидрид, что обеспечивает эффективную ФЛ. Дополнительная обработка ПК в плавиковой кислоте удаляет естественный оксид, уменьшает размеры квантовых нитей, увеличивает концентрацию адсорбированных атомов водорода, глубину нанопористой структуры и способствует возгоранию ФЛ при лазерном облучении. При длительном хранении (1−4 месяца) на воздухе обнаружено восстановление интенсивности ФЛ ПК за счет окисления. Это подтверждается отсутствием возгорания ФЛ при лазерном облучении образцов ПК, хранившихся в вакууме.

6. Установлен интервал энергий электронов (2−4 кэВ), приводящих к электронно-стимулированному гашению ФЛ ПК. Вскрыт механизм этого гашения.

7. Проведен теоретический анализ кинетики ФЛ ПК. Найдены константы скоростей химических реакций разрушения и восстановления люминесцирующих комплексов, удовлетворительно согласующиеся с экспериментом.

Следует также отметить, что:

• приведенная в работе процедура определения послойного поверхностного состава ПК методом электронной Оже-спектроскопии, применялась к изучаемому материалу впервые и может успешно использоваться в изучении физико-химических и оптических свойств данного материала;

• полученные результаты по электронной обработке ПК позволяют предложить метод электронного облучения и последующего восстановления в обычной атмосфере для стабилизации светоизлу-чающих свойств ПК.

Таким образом, изменения ФЛ ПК во времени при непрерывном лазерном облучении связаны с вытеснением адсорбированного водорода кислородом. Этот процесс вначале сопровождается образованием монооксида кремния и характеризуется гашением ФЛ. Последующее доокисление кремния до 8 Юг, приводит к возгоранию ФЛ. УФ лазерное облучение способствует многократному ускорению этого процесса. Предложенная кинетическая модель ФЛ ПК хорошо описывает экспериментальные результаты, с ее помощью рассчитаны теоретические значения констант скоростей химических реакций, происходящих на поверхности квантовых проводов кремния.

В процессе электрохимического травления на поверхности ПК происходит формирование тонких кремниевых нитей (столбиков), имеющих нанометровые размеры, при которых начинают проявляться квантово-размерные эффекты с последующей эффективной ФЛ. В то же время на ФЛ ПК существенно влияет адсорбция химических веществ на его поверхности, которые заполняют поверхностные уровни, увеличивая тем самым излучательную рекомбинацию. Удаление этих компонентов способствует гашению ФЛ. Лазерная, химическая, термическая и электронная обработки ПК позволяют изменить и стабилизировать характеристики его ФЛ. Поэтому источником ФЛ являются кремниевые кристаллиты, проявляющие квантово-размерный эффект, с адсорбированными молекулами, вносящими свой вклад в ФЛ ПК.

Следует отметить предполагаемые пути дальнейших исследований свойств ПК. Так, в настоящее время существует потребность исследования системы плавиковая кислота — кремний с целью развития новых подходов к созданию общей теории порообразования в кремнии. С этой целью информативными будут изучение ВАХ и их изменение со временем, а также исследование зависимостей напряжения от времени для системы электролит — кремний. Все это позволит при одинаковых условиях изготовления получать идентичные по структуре и свойствам образцы ПК.

Изучение оптических свойств ПК может дать информацию об электронной структуре и механизмах поглощения света, рекомбинации и послужить лучшему пониманию природы ФЛ ПК.

Для подтверждения роли излучательной аннигиляции экситонов на поверхностных состояниях квантово-размерных структур в ФЛ ПК можно провести исследование изменения в процессе лазерного облучения ФЛ ПК во внешнем электрическом поле. Как известно, излуча-тельная аннигиляция экситонов происходит на нейтральных поверхностных состояниях, количеством которых можно управлять при помощи электрического поля.

Для окончательного выяснения роли десорбирующего объекта в процессах ФЛ ПК и его природы требуются дальнейшие исследования, в частности, изучение законов адсорбщш-десорбции соответствующих газов и их связь с ФЛ. Также важно в этом плане исследование поверхности ПК с другими покрытиями, например, 2пС, 81С.

К настоящему времени не удалось добиться стабильности ФЛ. Поэтому практическое использование ПК в качестве люминофора пока затруднено. Более важной в плане практического применения является ЭЛ ПК, когда излучение возникает под действием протекающего тока. К сожалению, малая эффективность ЭЛ (<1%) ведет к постановке новой задачи — получение достаточно эффективной ЭЛ и ее стабильности в течение длительного времени.

Таким образом, благодаря сочетанию интенсивной люминесценции, относительной простоте приготовления и возможности «встраивания» в высокоразвитую кремниевую технологию ПК является весьма привлекательным материалом для микрои оптоэлектрони-ки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 10. P. 1046−1048.
  2. К.П., Немировский Л. Н. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике /'/Обзоры, но электр. технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1989. Вып.9 (1506). С. 1−57.
  3. Smith R.L., Collins S.D. Porous silicon formation mechanisms //J. Appl. Phys. 1992. V.71. N8. P. R1-R22.
  4. Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: a quantum wire effect //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N8. P.856−858.
  5. Turner D. Electropoliching silicon in hydrofluoric acid solutions //J. Electrochem. Soc. 1958. V.5. № 7. P.402−405.
  6. Memming R., Sckwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions //Surf. Sci. 1966. V.4. № 2. P. 109−124.
  7. Dubin V.M. Formation mechanism of porous silicon layers obtained by anodization of monocrystalline n-type silicon in HF solutions /'/'Surface Science. 1992. № 274. P.82−92.
  8. Л.В., Горячев Д. Н., Сресели O.M. и др. Роль света в процессах формирования пористого кремния на подложках р-типа //ФТП. 1993. Т.27. № 11/12. С.1961−1964.
  9. Bertolutti М., Carassiti F., Fazio Е. et al. Porous silicon obtained by anodization in the transition regime .//Thin Solid Films. 1995. V.255. № 12. P.152−154.
  10. Э.Ю., Постников, А .В., Проказников A.B. и др. Влияние режимов обработки на морфологию и оптические свойства пористого кремния n-типа /'/Письма в ЖТФ. 1995. Т.21. Вып.1. С.60−65.
  11. Э.Ю.Бунин, А. В. Проказников. Управление морфологией пористого кремния n-типа//Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. Вып.6. С.80−84.
  12. М.С., Яссиевич И. Н. Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния //ФТП 1993. Т.27. № 5. С.871−883.
  13. В.Г., Колмакова Т. П., Ормонт А. Б. и др. Пространственная локализация, состав и некоторые свойства люминесцентно-активного слоя в пористом кремнии //Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. Вып. 20. С.62−66.
  14. А16. Б. М. Костишко, А. М. Орлов, Т. Г. Емельянова. Послойное расположение моно- и дигидридов в пористом кремнии //Микроэлектроника-94, Звенигород, 28 ноября 3 декабря 1994 г. Тезисы докладов. 4.1. С.489−490.
  15. А17. T.G.Emelyanova, B.M.Kostishko. Composition researches of porous silicon and electronic irradiation influence on them //Proc. 9th Annual Conference of the International. Association of Physics Students LAPS. 1994. St. Petersburg. P.46−49.
  16. A18. Б. М. Костишко, А. М. Орлов, Т. Г. Емельянова. Анализ типа водородных групп в пористом кремнии при помощи ЭОС //Conference proceeding. 1994. Chernvtsy (Ukraine). У.1. P.44.
  17. A19. Костишко Б. М., Орлов A.M., Миков С. Н., Емельянова Т. Г. Изучение типа водородных групп и их расположения в пористом кремнииметодом электронной оже-спектроскопии //Неорганические материалы. 1995. Т.31. № 4. С.444−446.
  18. Г., Сресели О. М., Андрианов А. В. и др. Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра при комнатной температуре //ФТП. 1997. Т.31. № 3. С.365−369.
  19. А21. Б. М. Костишко, А. М. Орлов, Т. Г. Емельянова. Электронно-стимулированное гашение фотолюминесценции пористого кремния //Неорганические материалы. 1996. Т.32. № 12. С. 1432−1435.
  20. Sabet-Dariani R., Haneman D., Hoffman A. ei al. Composition of porous silicon //J. Appl. Phys. 1993. V.73. N5. P.2321−2325.
  21. M.I.J.Beal, J.D.Benjamin, M.J.Uren et al. An experimental aim theoretical study of the formation and microstmcture of porous silicon .//J. Cryst. Growth. 1985.V.73. P.622−636.
  22. Earwaker L.G., Farr J.P.G., Grzeszczyk P.E. et al. Analysis of porous silicon //Nucl.Instrum.and Methods in Phys.Res. B9. 1985. P.317−320.
  23. Ю.А. Электронные свойства микропористого кремния при освещении и адсорбции аммиака //Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. Вып. 11. С.77−82.
  24. К.Н.Ельцов, В. А. Караванский, В. В. Мартынов. Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию //Письма в ЖЭТФ. 1996. Т.63. Вып.2. С. 106=1 И.
  25. A.Grosman, C. Ortega, J. Siejka et al. A quantitative study of impurities in photoluminescent and nonphotoluminescent porous silicon layers //J. Appl. Phys. 1993. V.74. № 3. P. 1992−1996.
  26. Л.А.Балагуров, В. Ф. Павлов, Е. А. Петрова и др. Исследование пористого крения и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и ИК-спектроскопии //ФТП. 1997. Т.31. Вып.8. С.957−960.
  27. А.А.Копылов, А. Н. Холодилов. ИК поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол //ФТП. 1997. Т.31. Вып.5. С.556−558.
  28. Banerjee S., Narasimhan K.L., Sardesai A. Role of hydrogen- and oxygen-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon /'/Phys. Rev. B. 1994. V.49. N4. P.2915−2918.
  29. Yan J., Shin S., Jung K.H. et al. Study of thermal oxidation and hitrogen annealing of luminescent porous silicon //Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. № 11. P. 1374−1376.
  30. Zoubir H.N., Vergnat M., Delatour T. et al. Interpretation of the luminescence quenching in chemically etched porous silicon by the desorption of SiH3 species //Appl. Phys. Lett. 1994. ?.65. № 1. P.82−84.
  31. Tsai C., Li T.-H., Kinosky D.S. Correlation between silicon hydride species and the photoluminescence intensity of porous silicon //Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. N14. P.1700−1702.
  32. Tsybeskor L., Pauchet P.M. Correlation between photoluminescence and surface species in porous silicon: low-temperature annealing//Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. №?15. P. 1983−1985.
  33. Kumar R., Kiton Y., Shigematsu K. et al. Silicon cluster terminated by hydrogen, fluorine and oxygen atoms: a correlation with visible luminescence of porous silicon//Jap. J. Appl. Phys. Pi. 1. 1994. V.33. NIB. P.909−913.
  34. Pavesi L., Cesehini M., Mariotto G. et al. Spectroscopic investigation of electroluminescence porous silicon //J. Appl. Phys. 1994. V.75. N2. P.1118−1126.
  35. Stein H.J., Meyers S.M., Follstaedt D.M. Infrared spectroscopy of chemically bonded hydrogen at voids and defects in silicon //J. Appl. Phys. 1993. V.73. № 6. P.2755−2764.
  36. Borghesi A., Guizzetti G. Sassella A. et al. Induction-model analysis of Si-H stretching mode in porous silicon //Solid State Commun. 1994. V.89. № 7. P.615−618.
  37. Prokes S.M., Carlos W.E., Bermudez V.M. Luminescence cycling and defect density measurements in porous silicon: evidence for hydride based model /'/Appl. Phys. Lett. 1992. V.61. N12. P. 1447−1449.
  38. Konisni Т., Uesugi К., Takaoka K. et al. Characterization of HF-trealed Si (111) surfaces//Jap. J. Appl. Phys. Pt.l. 1993. V.32. N7. P.3131−3134.
  39. Propst E.K., Rieger M.M., Yogi K.W. et al. Luminescent characteristics of a novel porous silicon structure formed in nonaqueous electrolyte //Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. № 15. P. 1914−1916.
  40. Р.Ф., Капитонова Л. М., Лебедев A.A. и др. Спектры излучения и ИК поглощения люминесцирующих пленок на Si. //Письма в ЖТФ. 1993. Т.19.№ 6. с.10−13.
  41. Gupta P., Dillon А.С., Coon Р.А. et al. FTIR studies reveal that silicon-containing laser-induced desorption products are surface reaction intermediates//Chem. Phys. Lett. 1991. V. 176. № 128. P.
  42. M.E., Шабанов И. Ю. Наблюдение существования размерных эффектов на фрагментах пористого кремния /УФТТ. 1994. Т.36. № 8. С.2381−2387.
  43. Н.С., Аснин В. М., Марков И. И. и др. Квантово-размерные свойства слоев пористого кремния //Труды ФТИАН. 1994. Т.7. С.67−71.
  44. Н.В., Днепровский B.C., Довыденко Е. Ю. и др. Оптические нелинейности и эффект размерного квантования в пористом кремнии //Ж. эксперим. итеор. физики. 1994. Т.106. № 6. С.1830−1838.
  45. B.C. и др. Эффект размерного квантования и сильные оптические нелинейности в пористом кремнии//Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.57. № 7−8. С.394−397.
  46. Voos M., Uzan, Dolatande. et al. Visible photoluminescence from porous silicon: a quantum confinement effect mainly due to holes? //Appl. Phys. Lett. 1992. V.61. N10. P.1213−1215,
  47. Sanders G.D., Chang Y.-C. Theory of optical properties of quantum wires in porous silicon //Phys. Rev. B. 1992−11. V. P.9202−9213.
  48. Ю.В., Молотков C.H., Назин C.C. Размерный эффект в квантовых проводах Si //Письма в ЖЭТФ. 1992. Т.55. № 12. С.696−700.
  49. В.И. Квантово-размерные эффекты и фотолюминесценция пористого кремния //Изв. АН. Сер. физ. 1994. Т.58. № 7. С.71−77.
  50. И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния //ФТП. 1993. Т.27. № 5. С.728−735.
  51. М.Е., Шабанов И. Ю. Фотолюминесценция диспергированного пористого кремния //ФТТ. 1994. Т.36. № 1. С. 125−131.
  52. Bley В., Kauzlarich S., Davis J. et al. Characterization of silicon nanoparticles prepared from porous silicon //Chem. Mater. 1996. V.8. Ъ8. P.1881−1888.
  53. Petrova-Koch V., Muchik T. The relation between the visible and infrared luminescence bands in porous silicon //'Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P.246−249.
  54. Л.Л.Федоренко, А. Д. Сардарлы, Э. Б. Каганович и др. Релаксационные спектры фотолюминесценции пористого кремния, полученного химическим травлением лазерно-модифицированного кремния //ФТП. 1997. Т.31. Вып. 1. С.6−10.
  55. П.К.Кашкаров, Е. А. Константинова, С. А. Петрова, В. Ю. Тимошенко, А. Э. Юнович. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния //ФТП. 1997. Т.31. Вып.6. С.745−748.
  56. П.К.Кашкаров, Е. А. Константинова, В. Ю. Тимошенко. Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии //ФТП. 1996. Т.30. Вып.8. С.1479−1490.
  57. Prokes S.M., Glembovcki O.J., Bermudez V.M. et al. SiHx excitation: an alternative mechanism for porous silicon photoluminescence //Phys. Rev. B. 1990. V.45. N23. P.13 788−13 791.
  58. Deak P., M. Rosenbauer, M. Stutzmann et al. Siloxene: Chemical Quantum Confinement Due to Oxygen in a Silicon Matrix //Phys. Rev. Lett. 1992. V.69. № 17. P.2531−2534.
  59. Brandt M.S., Fuchs H.D., Stutzmann M. et al. The origin of visible luminescence from «porous silicon»: a new interpretation //Sol. St. Commun. 1992. V.81. № 307. xD.307−312.
  60. Dahn J.R., Way B.M., Fuller E.W. et al. X-ray diffraction and x-ray absorption studies of porous silicon, siloxene, heat-treateed siloxene, and layered polysilane //J. Appl. Phys. 1994. V.75. N4. P. 1946−1951.
  61. Fuchs H.D., Stutzmann M., Brandt M.S.et al. Porous silicon and siloxene: vibrational and structural properties //Phys. Rev. B. 1993. V.48. N11. P.8172−8189.
  62. Qin G.G., Song H.Z., Zhang B.R. et al. Experimental evidence for luminescence from silicon oxide layers in oxidized porous silicon /'/Phys. Rev.B. 1996. V.54. № 4. P.2548−2555.
  63. Finkbeiner S., Veber G. Interpretation of the temperature dependence of the strong visible photoluminescence of porous silicon //Thin Solid Film. 1995. V.255. № 1−2. P.254−257.
  64. Dittrich Th., Konstantinova E.A., Timoshenko V.Yu. Influence of molecule adsorption on porous silicon photoluminescence //Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P.230−240.
  65. Dubin V.M., Vieillard C., Ozanam F. Preparation and characterization of surface-modified luminescent porous silicon //Phys. Status solidi. 1995. V.190. № 1. P.47−52.
  66. Chang C.S., Lue G.I. Photoluminescence and Raman studies of porous silicon under various temperatures and light illuminations //Thin Solid Films. 1995. V.259. № 2. P.275−280.
  67. Czaputa R., Fritzl R., Popitsch A. Anomalous luminescence degradation behaviour of chemically oxidized porous silicon //Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P.212−2I5.
  68. MoIIer F., Ben Chorin M., Koch F. Posi-Lrealmeni effects on electrical conduction in porous silicon //Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P. 1619.
  69. В.Г.Голубев, А. В. Жерздев, Г. К. Мороз и др. Сильное фотоин-дуцированное увеличение интенсивности люминесценции анодно окисленного пористого кремния .//ФТП. 1996. Т.30. Вып.5. С.852−863.
  70. Oswald J., Pastrnak J. Hospokova A. et al. Temperature behavior of luminescence of free-standing of porous silicon //Solid State Commun. 1994. V.89. № 3. P.297−300.
  71. Н.Е.Корсунская, Т. В. Торчинская, Б. Р. Джумаев и др. Зависимость фотолюминесценции пористого Si от состава вещества на поверхности кремниевых нитей//ФТП. 1996. Т.30. Вып.8. С.1507−1515.
  72. И.А.Буянова, И. Я. Городецкий, Н. Е. Корсунская. Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики //ФТП. 1996. Т.30. Вып.8. С. 1516−1524.
  73. А.И., Белогорохова Л. И., Караванский В. А. и др. Инфракрасная спектроскопия и фотолюминесцентные свойства пленок пористого кремния: влияние режимов формирования /./ФТП. 1994. Т.28. № 8. С. 1424−1430.
  74. Lee H.-J., Seo Y.H., Oh D.-H. et al. Light emission phenomena from porous silicon: siloxene compounds and quantum size effects //J. Appl. Phys. 1994. V.75. № 12. P.8060−8065.
  75. Bondarenko V.P., Borisenko V.E., Dorofeev A.M. et al. Spectral charakteristics of visible light emission from porous silicon: Quantum confinement or impurity effect? //J. Appl. Phys. 1994. V.75. № 5. P.2727−2729.
  76. Y.Kanemitsu, T. Ogawa, R. Shirashi et ai. Visible photoiuminescence from oxidized Si nanometer-sized spheres: exciton confinement on a spherical shell //Phys. Rev.B. 1993. V.48. № 7. P.4883- 4886.
  77. Nihon K. Lightemitting nanocrysstalline silicon //J. Crystallogr. Soc. Jap. 1996. V.38. № 2. P. 144−150.
  78. E.B., Лебедев A.A., Ременюк А. Д. и др. Трансформация спектров зеленой фотолюминесценции пористого кремния //Письма в ЖТФ. 1994 Т.20. № 13. С.30−33.
  79. Э.А.Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии //ФТП. 1996. Т.30. Вып.8. С. 1468−1472.
  80. Baba М., Kuwano G., Miwa Т. et al. In situ measurements of water immersion and UV-irradiation effects on intensity and blue shift of visible photoiuminescence in porous silicon //'Jap. J. Appl. Phys. Pt 2. 1994. V.33. № 4A. P. L483-L486.
  81. A.H., Лебедев A.A., Разбирин Б. С. и др. Скрытая анизотропия излучательных переходов в пористом кремнии //Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. № 16. С.60−63.
  82. М.Шур. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1992. Книга 1. С. 480.
  83. В.А., Качалов М. А., Маслов А. П. и др. Морфология «квантовых проволок» пористого кремния //Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.57, № 3−4. С.229−232.
  84. М.Е.Компан, И. Ю. Шабанов, В. И. Беклемшпин. О первичной люминесценции пористого кремния //ФТП. 1996. Т.ЗО. Вып.6. С.1095−1103.
  85. Delley В., Steigmeier E.F. Quantum confinement in Si nanocrystals //Phys. Rev. B. 1993. V.47. N3. P. 1397−1340.
  86. Hybertsen Mark S. Absorption and emission of light in nanoscale silicon structures //Phys. Rev. Lett. 1994. V.72. N10. P.1514−1517.
  87. Kawaguchi Т., Miyazima S. Visible photoluminescence from Si microcrystalline particles //Jap. J. Appl. Phys. Pt 2. 1993. V.32. N2B. P. L215-L217.
  88. LiuH.L, Maluf N.I., Pease R.F.W. et al. Oxidation ofsub-50nmSi columns for light emission study //J. Vac. Sci. and Technol. B. 1992. V.10.N6. P.2846−2850.
  89. Redmann D.A., Follstaedt D.M., Guilinger M.J. et al. Photoluminescence and passivation of silicon nanostructures //Appl. Phys. Lwtt. 1994 V.65. № 19. P.2386−2388.
  90. Zhao X., Schoonfeld O., Aoyagi Y. et al. Microstructure and photoluminescence of nanocrystaiiine silicon thin films //J. Phys. D. 1994. V.27. № 7. P. 1575−1578.
  91. А.А., Германенко И. Н., Гапоненко С. В. и др. Фотолюминесцентные свойства полимерных композиций с нанок-ристаллическим кремнием //Ж. пршсл. спектроскопии. 1994. Т.61. № 3−4. С.237−240.
  92. В.Г. и др. Электролюминесценция в видимой области спектра в кремниевых композитных наноструктурах //Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. № 22. С. 10−14.
  93. Е.В., Лебедев А. А., Ременюк А. Д. и др. Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния /УФТ11. 1995. Т.29. Вып.9. С. 1649−1656.
  94. Е.В., Белов С. В., Зайцев О. А. и др. Спектры фоточувствительности диодных структур на основе пористого кремния и крем-неводородных пленок //Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. № 24. С.50−53.
  95. Lathauer R.W., George Т., Ksendzov A. et al. Visible Luminescence from Si wafers subjected to stain etches //Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. P.995−997.
  96. E.B., Белов C.B., Лебедев A.A. и др. Фотолюминесценция кремневодородных пленок/7ФТП. 1994. Т.28. № 3. С.488−492.
  97. С.В. Видимая электролюминесценция пленок, полученных химической обработкой поверхности кремния //Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.24. С.16−18.
  98. Shih S., Jung, Hsieh. et al. Photoluminescence and formation mechanism of chemically etched silicon //Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. N15. P. 1863−1865.
  99. E.B., Белов C.B., Лебедев A.A. Некоторые свойства структур на основе пористого кремния, полученного методом окрашивающего травления//'ФТП. 1994. Т.28. № 2. С.332−337.
  100. В.Ф.Киселев, О. В. Крылов. Электронные явления в адсорбции и катализе на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1979. С. 2 55.
  101. Hamilton В. Porous silicon. Topical review7 //Semicond. Sci. Technol. 1995. V. 10. P. 11 874 207.
  102. Mauckner G., Thonke K., Sauer R. Dynamics of the degradation by photo-oxidation of porous silicon: photoluminescence and FTIR absorption study //J. Phys.: vCondens. Matter. 1993. V.5. P. L9-L12.
  103. K.C., Степина Н. П., Шамирзаев T.C. и др. Кинетика затухания и возрастания фотолюминесценции пористого кремния под действием непрерывного лазерного излучения //ФТП. 1994. Т.28. № 3. С.482−487.
  104. И.А., Иошкин В. А., Найденков М. Н. и др. Взаимосвязь интенсивности и положение пика фотолюминесценции пористого кремния в зависимости от технологии его получения и мощности накачки//Микроэлектроника. 1995. Т.24. № 2. С. 136−139.
  105. И.Х., Германенко И. Н., Воронин В. Ф. и др. Фотодеградация пористого кремния при импульсном возбуждении /УФТП. 1995. Т. 29. Выи.4. ^.о/:>-о77.
  106. Stevens P.D., Glosser R. Anomales photoluminescence behavior of porous silicon //Appl. Phys. Lett. 1993 V.63. P.803−805.
  107. Shiba K., Sakamoto K., Miyazaki S. et al. Luminescence from thermally oxidized porous silicon //Jap. J. Appi. Phys. Pt. l 1993. V.32. N6A. P.2722−2724.
  108. Collins R.T., Tischler M.A., Stathis J.H. Photoinduced hydrogen loss from porous silicon//Appl. Phys. Lett. 1992. V.61. N14. P. 1649−1651.
  109. Nishitani H., NakataH., Fujiwara Y. et al. Lihgt-induced degradation and recovery of visible photoluminescence in porous silicon//Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. V.31. P. L1577-L1579.
  110. Zheng X.L., Chen H.C., Wang W. Lazer induced oxygen adsorption and intensity degradation of porous silicon //J. Appl. Phys. 1992. V.72. N8. P.3841−3842.
  111. Tsai C" Li H.-H., Campieil J.C., Hance B.H., White J.M. Lazer-induced degradation of the photoluminescence intensity of porous silicon //J. Electron. Mater. 1992. V.21. N6. P.589−591.
  112. Hashimoto A., Iwata K., Ohkubo M. et al. New laser ablation phenomenon of the porous silicon films by focused N2 pulse laser irradiation //J. Appl. Phys. 1994.V.75. N10. P.5447−5449.
  113. Griviskas V., Kolenda J., Bernussi A. et al. Luminescence degradation and fatique effects in porous silicon //Braz. J. Phys. 1994. V.24. N1. P.349−358.
  114. Tischler M.A., Collins R.T., Sathis J.H. et al. Luminescence degradation in porous silicon //Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. P.639−641.
  115. Xiao Y., Heben M.J., Mc Cullough J.M. et al. Enchancement and stabilization of porous silicon photoluminescence by oxygen incorporation with a remote-plasma treatment /'/Appl. Phys. Lett. 1993. V.62. P. 1152−1154
  116. Yokomichi H., Takakura H., Kondo M. Electron spin resonance centers and light-induced effects in porous silicon //Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. 1993. V.32. N3B. P. L365-L367.
  117. Buczkowski A., Rozgonyi G.A., Shimura F. Effect of ultrafiolet irradiation on surface recombination velocity in silicon wafers //Jap. J. AppLPhys., Pt.2. 1993. V.32. N2B. P. L218-L221.
  118. Kolic K., Borne E., Garsia Perez M.A. Luminescence of porous multicrystalline Si. xGex alloys //Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P.279−281.
  119. А123* А. М. Орлов, Б. МКостишко, Т. Г. Емельянова. Кинетика фотолюминесценции химически обработанного пористого кремния при непрерывном лазерном облучении //Неорганические материалы. 1996. Т.32. № 9. С. 1035−1038.
  120. А124. Б. М. Костишко, Т. Г. Емельянова, A.M.Орлов. Влияние химической обработки на фотолюминесценцию пористого кремния /'/Ученые записки
  121. Ульяновского государственного университета «Твердотельная электроника». 1996. Т.1. С.154−159.
  122. Zoubir N., Vergnat М., Delatour Т et al. Natural oxidation of annealed chemically etched porous silicon //Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P.228−230.
  123. М.Е.Компан, Е. Г. Кузьминов, В. Б. Кулик и др. //Письма в ЖЭТФ. 1996. Т.64. Вып. 10. С.695−700.
  124. Н.Е.Корсунская, Т. В. Торчинская, Б. Р. Джумаев. Два источника возбуждения фотолюминесценции пористого кремния //ФТП. 1997. Т.31. Вып.8. С.908−911.
  125. Е.Шатковский, Я.Верцинский. Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном облучении /'/ФТП. 1997. Т.31. Вып.5. С.593−596.
  126. М.Е.Компан, И. И. Новак, И. Ю. Шабанов. Исследование аномальных релаксационных процессов в люминесценции ПК /ФТТ. 1995. Т.37. № 2. С.359−367.
  127. Banergee S., Narasimhan K.L., Ayyuh P. et al. Origin of luminescence in porous silicon //Solid State Commun. 1992. V.84. № 6. P.691−693.
  128. Maruyama Т., Ohtani S., Mehta S.K. et al. Photoluminescence of porous silicon exposed to ambient air //Appl. Phys. Lett. 1994. V.65. № 11. P. 1346−1348.
  129. Dittrich Th., Timoshenko V.Yu. Influence of H20 atmosphere on the photoluminescence of HF passivated porous silicon //J. Appl. Phys. 1994. V.75. № 10. P.5436−5437.
  130. Gardelis S., Hamilton B. The effect of surface modification on the luminescence of porous silicon //J. Appl. Phys. 1994. V.76. № 9. P.5327−5333.
  131. В.П., Дорофеев A.M., Левченко В. И. и др. Метод управления параметрами люминесценции пористого кремния в видимой области спектра //Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. № 8. с.61−65.
  132. Mauckner G., Thonke К., Baier T. et al. Temperature-dependent lifetime distribution of the photoluminescence S-band in porous silicon //J. Appl. Phys. 1994. V.75. N8. P.4167−4170.
  133. Tsai C., Li K.-H., Sarathz J. et al. Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon //Appl. Phys. Lett. 1991. V.59. № 22. P.2814−2816.
  134. Ookubo N., Ono H., Ochiai Y. et al. Effects of thermal annealing on porous silicon photoluminescence dynamics //Appl. Phys. Lett. 1992. V.61. № 8. P.940−942.
  135. В.Г., Огрин Ю. Ф., Колмыкова Т. П. и др. Температурный гистерезис фотолюминесценции пористого кремния //Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. № 8. С.70−73.
  136. Gomoyou H., Morisaki H. Effects of electrochemical treatments on the photoluminescence from porous silicon /Д. Electrochem. Soc. 1992. V.139. N9. P.286−288.
  137. Hadj Z.N., Vergnat M., Delatour T. et al. Visible photoluminescence from chemically etched porous silicon: influence of the surface state //Solid State Commun. 1994. V.89. № 8. P.683−686.
  138. Halimaoui A., Campidelli Y., Larre A. et al. Thermally induced modifications in the porous silicon properties //Phys. Stat. Solidy. 1995. V.190. № 1. P.35−40.
  139. В.А.Киселев, С. В. Полисадин, А. В. Постников. Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме//ФТП. 1997. Т.31. Вып.7. С.830−832.
  140. А147. B.M.Kostishko, A.M.Orlov, T.G.Emelyanova. Chemical treatment influence on the photoiuminescence of porous siiicon /'/Conference proceeding. 1995. Cnernvtsy (Ukraine). P. 136.
  141. Li H.-H., Tsai C., Shin S. ei al. The photoiuminescence spectra of porous silicon boiled in water //J. Appl. Phys. 1992. V.72. N8. P.3816−3817.
  142. Yamada M., Takazawa A., Tamura T. Comparison of photoiuminescence lifetime between as-prepared and dry-oxidized porous silicon//Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. 1992. V.31. N10B. P. L1451-L1453.
  143. A.G.Cullis, L.T.Canham, D.J.Calcott. The Structural and luminescence properties of porous silicon //J.Appl.Phys. 1997. V.82. № 3. P. 909−965.
  144. S.Banerjee, K.L.Narasimhan, A.Sardesai. Role of hydrogen-and oxy-deg-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon //Phys.Rev.B. 1994. V.49. N4. P.2915−2918.
  145. Е.А.Шелонин, М. В. Найденкова, А. М. Хорт и др. Влияние термических отжигов и химических воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния //ФТП. 1998. Т.32. № 4. С.494−496.
  146. Nakajima A., Itakura Т., Watanabe S. et al. Photoluminescence of porous silicon, oxidized then deoxidized chemically //Appl. Phys. Lett. 1991. V.61. № 1. P.46−48.
  147. Ansanger D., Hilliard J., Havfeh M.H. Behavior of porous silicon emission spectra during quenching by immersion in metal ion solutions //Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. № 9. P. 1141−1143.
  148. Ansanger D., Hilliard J., Hetrick J.M. et al. Quenching of porous silicon photoluminescence by deposition of metal adsorbates //J. Appi. Phys. 1993. V.74. № 7. P.4783−4785.
  149. Б.M.Костишко, Ш. Р. Атажанов, С. Н. Миков. Фотолюминесценция и деградационные свойства карбонизированного пористого кремния //Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. Вып. 16. С.24−30.
  150. Е.В., Емцев В. В., Лебедев Д. И. и др. Деградация фотолюминесценции пористого кремния под действием у-облучения 60Со //ФТП. 1995. Т/29. Вып.7. С. 1301−1305.
  151. В.В., Семенов А. Ю. Полная изоляция окисленным пористым кремнием //'Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1991. Вып.5 (259). С.60−64.
  152. В.Г., Шабанов В. Н., Гудкова Н. В. и др. Выращивание методом МЛЭ гомозпитаксиальных слоев Si на поверхности пористого кремния после низкотемпературной очистки ее в вакууме //Микроэлектроника. 1993. Т.22. № 1. С. 19−21.
  153. В.П., Борисенко В. Е., Дорофеев A.M. и др. Элек-ролюминесценция пористого кремния и излучающие структуры на его основе //Зарубежн. электр. техника. 1994. № 1−3. С.41−66.
  154. JI.В., Горячев Д.Н, Сресели О. М. и др. Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии //Физика и техника полупроводников. 1993. Т27. № 8. С. 1971−1975.
  155. Boswell Е., Seong T.Y., Wilshaw P.R. Studies of porous silicon field emitters //Vide couchesminces. ?994. V.50. № 271, Suppl. P.342−345.
  156. Chen Z., Lee T.-Y., Bosman G. Electrical Characterization and modeling of wide-band-gap porous silicon p-n diodes //J. Appl. Phys. 1994. V.76. №>4. P.2499−2504.
  157. Jain V.K., Gupta A., Kumar A. et al. intense light emission in diffused porous silicon junctions //Pure and Appl. Opt. 1994. V.3. № 3. P.225=229.
  158. Vinsent G. Optical Properties of porous silicon superlattices //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 18. P.2367−2369.
  159. Wang J. Zhang F.-L., Wang W.-C. et al. Transient electroluminescence behavior and mechanism of Shottky-type porous silicon diode //J. Appl. Phys. 1994. V.75 N2. P. 1070−1073.
  160. A.B., Кудоярова B.X., Медведев A.B. и др. Электролюминесцентная ячейка на пористом кремнии //Письма в ЖТФ.1993. Т. 19. № 23. С.87−90.
  161. Л.А., Смирнов Н. Б., Кожухова Е. А. и др. Характеристики контакта металл/пористый кремний //Изв. АН. Сер. физич.1994. Т.58. № 7. С.78−82.
  162. Cteiner P., Lang W. Micromachining applications of porous silicon //Thin Solid Films. 1995. V.255. № 1−2. P.52−58.
  163. Dhar S., Chakrabarti S. Electroless nickel plated contacts on porous silicon//Appl.Phys.Lett. 1996. V.60. № 10 P. 1392−1393.
  164. А.В.Томов, В. В. Филиппов, В. П. Бондаренко. Волноводные свойства оптических структур на основе пористого кремния п-типа //Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. Вып. 10. С.86−89.
  165. Э.Ю.Бучин, Н. А. Лаптев. А. В. Проказников и др. Электролюминесценция и вольтамерные характеристики структур на основе пористого кремния //Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. Вып.11. С.70−76.
  166. Бондаренко B.1L, Глиненко Л. К., Горская Л. Ф. Автолегирование сурьмой при эпитаксии кремния на пористом кремнии //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1984. В.5 (171). С.30−34.
  167. Л.В., Горячев Д. Н., Ковалев Д. И. и др. Видимая и инфракрасная электролюминесценция пористого кремния //ФТП. 1995. Т.29. Вып.7. С. 1288−1294.
  168. Halimaoui et al. Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of porous silicon films //Appl. Phys. Lett. 1991. V.59. N3. P.304−306.
  169. Kozlowski F., Lang W. Spatially resolved Raman measurements at electroluminescent porous n-silicon //J. Appl. Phys. 1992. V.72. N11. P.5401−5408.
  170. Sabet-Dariani R, Mc Alpine N.S., Haneman D. Electroluminescence in porous silicon //J. Appl. Phys. 1994. V.75. № 12. P.8008−80I1.
  171. C.H., Березин Л. Я., Стефанович Г. Б. Люминесценция пористого кремния при электро- и фотовозбуждении //Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. № 22. С.72−75.
  172. Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. и др. Эффективная электролюминесценция пористого кремния //ФТП. 1993. Т.27. № 11/12. С.1815−1819.
  173. Д.Н.Горячев. Л. В. Беляков, Г. Полисский и др. Механизм анодной электролюминесценции пористого кремния в электролитах //ФТП. 1998. Т.32. № 5. С.591−595.
  174. В.П., Вариченко B.C., Дорофеев A.M. и др. Интегральный оптический волновод на основе пористого кремния //Письма в ЖТФ. 1993. Т.19. № 14. С.73−76.
  175. В.М.Демидович, Г. Б. Демидович, С. Н. Козлов и др. Адсорбционно-управляемая «канальная» проводимость в окисленном пористом кремнии //Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. № 2. С.27−31.
  176. А.В., Кашкаров П. К., Образцов А. Н., Тимошенко В. Ю. Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия//ФТП. 1996. Т.ЗО. № 8. С. 1473−1478.
  177. Richter Н., Wang Z.P., Ley L. The one phonon Raman spectrum in mi-crocrystalline silicon //Solid State Commun. 1981. V.39. № 5. P.625−629.
  178. А.В.Киселев, В. И. Лыгин. Инфракрасные спектры поверхностных и адсорбированных веществ //М.: Наука, 1972. С. 459.
  179. Л.Литтл. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул //М.: Мир, 1969. С. 5-И.
  180. Э.Ю., Образцова Б. Д., Проказников А. В. Зависимость свойств ПК от методов и режимов обработки //Микроэлектроника-94. Российская конференция с участием зарубежных ученых. Звенигород. 1994. Тезисы докладов. 4.2. С.461−462.
  181. Khvostov V.V., Guseva М.В., Babaev V.G., Rylova O.Yu. Augerspecrtoscopy studies of electonic structure of amorphous carbon films //Surf. Sci. 1986. V.169. P. L253-L258.
  182. Л., Вэшшк Дж., Декейсер В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М.: Мир, 1981. С.256−257.
  183. Zajac G., Bader S.D. Auger line-shape analysis of structure of hydrogenated amorphous silicon//Phys. Rev. B. 1982. V.26. P.5688−5692.
  184. Dorigoni L., Pavesy L., Bisi O. Et al. Auger lineshape analysis of porous silicon. Experimental and theory //Thin Solid films. 1996. V.276. № 1−2. P.244−247.
  185. Краткая химическая энциклопедия. Т.2. Под редакцией Кнунянца И. Л., Бахаровского Г. Я., Бусева А. И. и др. М.: Гос. научное изд-во «Сов. энциклопедия», 1963. 1088 С.
  186. Справочник химика. Т.1 //Под ред. Никольского Б.11. и др. M.-J1.: Химия, 1996. 1072 С.
  187. Г. Корн, Т.Корн. Справочник по математике. М: Наука, 1973. 832 С.
  188. Л.М., Позин М. Е. Математические методы в химической технике. Ленинград: Госхимиздат, 1963. 580 С.
  189. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с.
  190. В.Н., Фоминский В. Ю., Вьюков J1.A. и др. Низкотемпературное фотоиндуцирвоанное удаление углерода с поверхности кремния /'/Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. Т.1. № 1. С.22−28.
  191. A.B., Кашкаров П. К., Киселев В. Ф. Лазерно-индуцированные атомные и молекулярные процессы на поверхности полупроводников //Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. № 5. С.97−109.
  192. Seiichi М., Kazutoshi S., Kunihide S. Et al. Structural Characterization and Luminescence of Porous Silicon //Optoelectron.: Devices and TechnoL 1992. V.7. № 1. P.95−102.
  193. Физические величины. Справочник /Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 С.
  194. Program PLPS- Uses Crt, Graph- label looo:
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!