Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков, фрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ

Диссертация: Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков, фрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Перспективную тенденцию в развитии электронной техники определяет идея управления свойствами сегнетоэлектрических материалов путем полевых воздействий на доменную структуру, воплотившаяся в области «доменной инженерии». Разрабатываются и применяются акусто-, оптои диэлектронные устройства на основе сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков. Современные технологии и перспективы их дальнейшего развития… Читать ещё >

Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков, фрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • ГЛАВА 1.
  • ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КАК МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА (аналитический обзор литературы)
    • 1. 1. Основные направления физики релаксационных явлений
    • 1. 2. Макроскопическое описание дисперсии диэлектрической проницаемости. Дебаевский диэлектрический отклик
    • 1. 3. Представления о распределении времен релаксации
      • 1. 3. 1. Симметричные спектры е*
      • 1. 3. 2. Несимметричные спектры 8*
      • 1. 3. 3. Дискретный диэлектрический спектр
    • 1. 4. Влияние проводимости на диэлектрические спектры
      • 1. 4. 1. Сквозная и прыжковая проводимость
      • 1. 4. 2. Проводимость в теории протекания
      • 1. 4. 3. Закономерности низкочастотного диэлектрического отклика и проводимости
    • 1. 5. Доменные границы и дефекты в диэлектрическом отклике сегнетоэлектриков в низкочастотных полях
      • 1. 5. 1. Экспериментальные исследования диэлектрических свойств в слабых и ультраслабых полях
      • 1. 5. 2. Модельные и микроскопические теории динамики доменных границ и диэлектрического отклика
    • 1. 6. Феноменологическое описание диэлектрических свойств сегнетоэлектриков в окрестностях фазовых переходов
      • 1. 6. 1. Равновесные диэлектрические свойства 56 1.6.1.1 .Теория самосогласованного поля 56 1.6.1.2.Флуктуационная теория фазовых переходов
      • 1. 6. 2. Динамический диэлектрический отклик
      • 1. 6. 3. Релаксация поляризации в неравновесной термодинамике
      • 1. 6. 4. Феноменологические типы дефектов в сегнетоэлектриках
      • 1. 6. 5. Полидоменные сегнетоэлектрики 63 1.6.5.1 .Термодинамическое описание 63 1.6.5.2.Механизмы переполяризации и нелинейность диэлектрического отклика
    • 1. 7. Теория скейлинга в физике конденсированного состояния 70 1.7.1.0 понятии фрактала и фрактальных размерностях
      • 1. 7. 2. Критические явления в теории протекания
      • 1. 7. 3. Концепция мультифракталов
      • 1. 7. 4. Фрактальные множества времен событий и диэлектрический отклик фрактальных систем
    • 1. 8. Выводы по обзору литературы 81 1.9. Задачи, объекты и методы исследования
  • ГЛАВА 2.
  • УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА ФРАКТАЛЬНЫХ СИСТЕМ
    • 2. 1. Основные типы диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков
    • 2. 2. Линейный вариант неравновесной термодинамики и его фрактальный аналог в описании диэлектрических спектров двухфазной или полидоменной системы
      • 2. 2. 1. Простейшие типы дисперсии диэлектрической проницаемости однородных систем в слабых полях
      • 2. 2. 2. Закономерности эволюции диэлектрических спектров при изменении соотношения сил, действующих на доменные границы. Параметры подобия
      • 2. 2. 3. Фрактальный диэлектрический отклик. Подобие диэлектрических спектров в слабых полях
    • 2. 3. Фрактальность доменов, доменных границ и областей переполяризации
      • 2. 3. 1. Статические доменные конфигурации
      • 2. 3. 2. Автомодельносгь движения доменных границ
    • 2. 4. Физический смысл дробно-дифференциальных уравнений динамики доменных границ
      • 2. 4. 1. Самоподобие областей переполяризации и немарковский характер коуловской дисперсии е*
      • 2. 4. 2. Временные функции диэлектрического отклика и муль-тифрактальность коуловской релаксации на временной шкапе
      • 2. 4. 3. Монофрактальность частотного и временного отклика релаксоров. Сравнение с другими видами отклика
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 3.
  • ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ, ОБРАТИМОЕ ДВИЖЕНИЕ ДОМЕННЫХ ГРАНИЦ И РОЛЬ ДЕФЕКТОВ
    • 3. 1. Задачи и объекты исследования
    • 3. 2. Особенности диэлектрического отклика при обратимом движении доменных границ
      • 3. 2. 1. Влияние концентрации и подвижности доменных границ на коуловскую дисперсию диэлектрической проницаемости
      • 3. 2. 2. Температурные зависимости параметров коуловской дисперсии е*
      • 3. 2. 3. Реверсивные зависимости параметров коуловской дисперсии б* (на примере RS)
      • 3. 2. 4. Эволюция коуловской дисперсии б* при старении
      • 3. 2. 5. Две доменные области дисперсии. В чем различие?
      • 3. 2. 6. Характеристики обратимого упруго-вязкого движения доменных границ
      • 3. 2. 7. Фрактальные свойства доменных границ в CDP
    • 3. 3. Дефекты: релаксация поляризации и последействие
      • 3. 3. 1. Низкочастотная релаксация недоменного происхождения
      • 3. 3. 2. Доменная релаксация и последствие (ретардация)
        • 3. 3. 2. 1. Феноменологическое рассмотрение
        • 3. 3. 2. 2. Сравнение процессов релаксации и ретардации
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 4.
  • ЛИНЕЙНАЯ ДИСПЕРСИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ
  • Введение
    • 4. 1. ИНЧ D+ линейная дисперсия б* и необратимое движение доменных и межфазных границ
      • 4. 1. 1. Прыжковая проводимость и неупругая поляризация
      • 4. 1. 2. Коуловская и линейная D+ дисперсия s* в окрестности фазового перехода триглицинсульфата
        • 4. 1. 2. 1. Влияние температуры, амплитуды поля и облучения на параметры TGS
        • 4. 1. 2. 2. Влияние старения на линейную //-дисперсию s*
        • 4. 1. 2. 3. Характеристики упругого и неупругого движения доменных границ
    • 4. 2. Движение доменных границ по модели Фрелиха
    • 4. 3. Эволюция линейной дисперсии 8* при фазовом переходе в TGS и xr-TGS
    • 4. 4. Линейная дисперсия 8* в окрестностях фазовых переходов кристаллов группы сегнетовой соли
    • 4. 5. Спектры s*, 1/е* и электропроводности титаната бария
    • 4. 6. Виды линейной дисперсии s* в пьезокерамике
      • 4. 6. 1. If, D° и D~ типы линейной дисперсии 8*
      • 4. 6. 2. Дополнительность локальных и фрактально-волновых представлений в описании дисперсии
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 5.
  • ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ПРЕДПЕРЕХОДНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
  • Введение
    • 5. 1. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости: отклонения от закона Кюри-Вейсса, доменный вклад и влияние дефектов
      • 5. 1. 1. Закон Кюри-Вейсса и отклонения от него
        • 5. 1. 1. 1. Результаты экспериментальных исследований
        • 5. 1. 1. 2. Термодинамический анализ равновесных свойств
        • 5. 1. 1. 3. Термодинамический анализ неравновесных свойств
        • 5. 1. 1. 3. Термодинамический анализ неравновесных свойств
      • 5. 1. 2. Дефекты сегнетовой соли
        • 5. 1. 2. 1. Перераспределение дефектов при старении
        • 5. 1. 2. 2. Феноменологическая классификация дефектов
      • 5. 1. 3. Влияние радиационных дефектов на диэлектрические свойства триглицинсульфата
      • 5. 1. 4. Закон Кюри-Вейсса в морфотропной области керамики PZTNB
    • 5. 2. Критическое замедление ИНЧ релаксации
      • 5. 2. 1. Дисперсия 8* в TGS и xr-TGS
      • 5. 2. 2. Коуловская и линейные виды дисперсии в сегнетовой соли. Особенности низкотемпературного ФП
      • 5. 2. 3. Диссипация и корреляционные эффекты
      • 5. 2. 4. Свойство масштабной инвариантности
      • 5. 2. 5. Перколяционнные свойства и динамический скейлинг
      • 5. 2. 6. Фрактальная модель кроссовера от активационного механизма к критическому замедлению
      • 5. 2. 7. Замедление как результат коллективных взаимодействий
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 6.
  • КООПЕРАТИВНЫЕ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ОТКЛИКЕ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
    • 6. 1. Кинетика переполяризации
      • 6. 1. 1. Экспериментальные факты и основные положения
      • 6. 1. 2. Нелинейный диэлектрический отклик в слабых полях
      • 6. 1. 3. Средние и сильные поля
        • 6. 1. 3. 1. Изменение удельной поверхности границ
        • 6. 1. 3. 2. Самоафинность и подобие диэлектрических спектров
        • 6. 1. 3. 3. Подобие амплитудных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь 299 6.1.3.4. Боковое и торцевое движение доменных границ в условиях взаимодействия с электронной подсистемой
    • 6. 2. Термический гистерезис в области морфотропного перехода пьезокерамики PZTNB
    • 6. 3. Коллективная доменная динамика
      • 6. 3. 1. 1. Диэлектрические свойства молибдата гадолиния в области стохастического отклика
      • 6. 3. 1. 2. Доменная структура молибдата гадолиния и особенности движения доменных границ
      • 6. 3. 1. 3. Совместное движение ортогональных доменных границ 314 6.3.2 Отрицательные диэлектрические потери 315 6.3.2.1. Влияние экранирования на диэлектрические спектры
      • 6. 3. 2. 2. Связь с диэлектрически ненаблюдаемыми процессами
      • 6. 3. 2. 3. Параметрические и автоколебания доменных границ
    • 6. 4. Влияние предыстории на действующие силы
  • Выводы к главе
  • ГЛАВА 7.
  • ФРАКТАЛЬНО-СИНЕРГЕТИЧЕСКАЯ КОНЦЕПЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
    • 7. 1. Неэкспоненциальные функции памяти и фрактальность диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков
    • 7. 2. Немарковская релаксация как кооперативный процесс
    • 7. 3. О связи фрактальных и статистических свойств
    • 7. 4. Статистическая модель самоорганизации доменной структуры
    • 7. 5. Спонтанное движение доменных границ и сопутствующие процессы как источники шума
    • 7. 6. Симметрийный аспект диэлектрического отклика фрактальных систем и их динамической самоорганизации
  • Выводы к главе
  • ВЫВОДЫ
  • Список используемых сокращений и обозначений
  • Благодарности

Актуальность научного направления и темы.

Настоящая работа находится в русле фундаментальной проблемы физики конденсированного состояния вещества — исследования физических процессов, происходящих в реальных (неупорядоченных, частично упорядоченных или содержащих дефекты) кристаллах. На современном этапе усилия исследователей сосредоточены на изучении динамического поведения и неравновесных состояний неоднородных нелинейных систем. На этом пути возникло фрактально-синергетическое направление в материаловедении, разработаны новые технологии управления свойствами материалов, произошло стремительное развитие многофункциональной микроэлектроники.

Перспективную тенденцию в развитии электронной техники определяет идея управления свойствами сегнетоэлектрических материалов путем полевых воздействий на доменную структуру, воплотившаяся в области «доменной инженерии». Разрабатываются и применяются акусто-, оптои диэлектронные устройства на основе сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков. Современные технологии и перспективы их дальнейшего развития связаны с принципиально новым подходом — управлением параметрами динамических неоднородностей среды и доменных границ, традиционно считавшихся вредными дефектами материала. В связи с этим исследования механизмов движения доменных и межфазных границ, их взаимодействия с дефектами, естественной и вызванной внешними воздействиями эволюции доменной структуры и связанных с нею изменений диэлектрических свойств являются особенно актуальными.

Диссертация посвящена экспериментальному исследованию и теоретическому анализу механизмов движения доменных и межфазных границ (ДГ и МГ) в сегнетоэлектрических монокристаллах и керамике по диэлектрическому отклику исследуемого материала. Наиболее информативным для целей настоящей работы является метод диэлектрической спектроскопии (исследования зависимости комплексной диэлектрической проницаемости е* от частоты электрического гармонического поля) в области низких и инфранизких частот (НЧ, ИНЧ), где времена релаксации поляризации определяются динамикой ДГ и МГ. Для исследования квазиравновесных состояний применялись слабые поля, не искажающие доменную структуру сегнетоэлектрика. Изучение неравновесных состояний и нелинейных динамических процессов поляризации проводилось в сильных полях до полной переполяризации.

Теоретическую основу метода диэлектрической спектроскопии составляют неравновесная термодинамика, теория поля, модельные барьерные и микроскопические динамические теории, развитые для однородных сред. В последние десятилетия развиты термодинамические теории точечных и протяженных дефектов, методами теории поля описано и смоделировано взаимодействие ДГ с дефектами. Однако теория поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в переменных полях до последнего времени строилась на простейших моделях (например, дебаевской) релаксации и ограничивалась рассмотрением квазиравновесных процессов и единственного механизма поляризации.

Развитие диэлектрической спектроскопии, ориентированное на изучение механизмов поляризации в сегнетолектрических кристаллах с доменами, кластерами и дефектами имеет фундаментальное значение и практические приложения. В настоящей работе изучены экспериментально и описаны теоретически отклонения от дебаевской релаксации и спектры недебаевского типа, применены неравновесная термодинамика в сочетании с синергетическими моделями, перколяционной и фрактальной теориями, в которых неоднородность и нелинейность исследуемого неоднородного объекта приняты во внимание как основной фактор, а не как малые поправки, слабо возмущающие систему.

Прикладные аспекты настоящего исследования связаны с востребованностью сегнетоэлектрических монокристаллов и керамики современной техникой (гидроакустикой, квантовой электроникой, интегральной оптикой, радиотехникой). Перспективными и применяемыми в настоящее время материалами являются кристаллы групп триглицинсульфата (в высокочувствительных пиропри-емниках и пировидиконах), дищдрофосфата калия (в лазерных технологиях, голографии), молибдата гадолиния (в акустои оптоэлектронике, устройствах памяти с электрическим и оптическим считыванием информации), титаната бария, триглицинеульфата и др. (в качестве активных материалов лазеров). Выявление механизмов движения доменных границ может дать широкий выбор методов для разработки устройств, основанных на управлении перемещением и свойствами доменных границ. Исследования закономерностей эволюции диэлектрических свойств важны, с одной стороны, для управления переключательными свойствами нелинейных элементов, а с другой стороны, — для обеспечения стабильности работы устройств на основе сегнетоэлектриков.

Указанными обстоятельствами продиктованы задачи как экспериментальных исследований диэлектрических спектров полидоменных сегнетоэлектриков в широких диапазонах изменения температуры, частоты, амплитуды поля, при различных воздействиях на доменную структуру и в зависимости от предыстории образцов, так и теоретического анализа происходящих процессов.

Цель и задачи работы.

Целью настоящей работы является исследование НЧ, ИНЧ диэлектрического отклика реальных сегнетоэлектриков и родственных материалов, изучение механизмов движения доменных и межфазных границ и проявлений их фрактальных закономерностей в свойствах релаксационных параметров.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1) экспериментально исследовать диэлектрические спектры сегнетоэлектрических монокристаллов и неупорядоченных материалов в зависимости от внешних воздействий, предыстории объектов, наличия в них дефектов;

2) выполнить теоретический анализ фрактального диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков в рамках термодинамического и фрактального формализма для основных механизмов движения доменных границразработать методы анализа диэлектрических спектров недебаевского типаисследовать эволюцию диэлектрического отклика с учетом эффекта экранирования в процессах установления поляризации;

3) определить количественные характеристики упругого и неупругого релаксационных движений доменных границ, исследовать влияние дефектов, факторов предыстории, неэргодичности системы;

4) исследовать особенности диэлектрического отклика, связанные с фазовым переходом (ФП), предпереходными явлениями и изменениями доменной структуры на основе анализа параметров релаксации и ретардации, фрактальных размерностей и критических индексов исследуемых свойств;

5) исследовать проявления нестабильности диэлектрических свойств, возникновения нелинейного и стохастического отклика и проанализировать их с учетом взаимосвязи процессов поляризации и экранирования;

6) выявить причины универсальности диэлектрического отклика конденсированного состояния вещества, и особенностей эволюции фрактальных свойств в сегнетоэлектрических материалах с доменными и межфазными границами.

Объекты и метод исследования.

Исследованы модельные сегнетоэлектрические монокристаллы группы сегнетовой соли (RS) и триглицинсульфат (TGS), не исследованные ранее в ИНЧ диапазоне дигидрофосфат цезия (CDP), титанат бария (ТВ), молибдат гадолиния (GMO), неоднородные диэлектрики на основе нитрида алюминия (A1N), пьезокерамика на основе цирконата-титаната свинца с модифицирующими добавками (PZT-35, PZTNB-1 и PZT-19). С целью выявления роли дефектов в диэлектрическом отклике исследованы монокристаллы: сегнетова соль с примесями лития (LRS), карбамида (CRS), дефектами дегидратации (dh-RS), триглицинсульфат с радиационными дефектами (xr-TGS), дейтерированные монокристаллы DRS, DTGS и DCDP.

Выбор объектов исследования обеспечивает разнообразие свойств материалов и дает возможность апробации развиваемых методов анализа диэлектрических спектров на модельных кристаллах. Кристаллы различаются по принадлежности к различным кристаллографическим классам, роду фазового перехода и его микроскопическому механизму, форме и типу доменных границ в кристаллах, наличию или отсутствию сегнетоэлектрических, сегнетоэластиче-ских, пироэлектрических и полупроводниковых свойств.

Монокристаллы RS, TGS, CDP и их примесные и дейтерированные аналоги выращены в ИКАН им. А. В. Шубникова (В.П. Константиновой, Н. Г. Максимовой, Н.М. Щагиной). Там же осуществлялось рентгеновское облучение (Т.Р. Волк). На поверхности кристаллов, полированных до оптического качества, наносились серебряные или золотые электроды путем напыления в вакууме или накатывая фольги. Образцы пьезокерамики изготовлены в СКТБ завода «Аврора», электроды нанесены вжиганием серебряной пасты. Образцы для диэлектрических измерений представляли собой тонкие плоскопараллельные пластины, толщиной много меньшей поперечных размеров (в среднем от 0,5 до 4 мм).

Измерения комплексной диэлектрической проницаемости е* = е' - is" выполнены в диапазоне частот от 10″ 1 до 104 Гц, в отдельных случаях до 106 Гц мостовым методом с раздельным определением ее действительной г' и мнимой е" составляющих, разработанным к.ф.-м.н. Э. С. Поповым. Изготовление и совершенствование установки выполнено к.т.н. Гориным С. В. и аспирантом Васильевым Д. Г. под руководством Э. С. Попова и при участии БЛ. Четвергова. Установки соответствуют международным метрологическим стандартам и позволяют выполнять измерения с погрешностями не более бе' < ± 0,5% и бе" < ± 1%. Температурная стабилизация осуществлялась с точностью ± 0,005°С (в отдельных экспериментах с точностью ± 0,01°С) при длительности стабилизации температуры от получаса до суток. Релаксационные параметры рассчитывались путем минимизации относительных отклонений расчетных значений от экспериментальных данных на основе разработанных автором программ. При хорошо разрешенных областях дисперсии погрешность расчета времени релаксации не превышает 3%, остальных параметров 1%. Амплитуда измерительного поля варьировалась в зависимости от целей и объектов исследования от 10″ 2 В-см" 1 (ультраслабые поля) до сильных полей, превышающих коэрцитивное поле. Одновременно применялись постоянные электрические поля или механические напряжения, позволяющие варьировать концентрацию доменных границ.

Наряду с диэлектрическими измерениями для ряда кристаллов (RS, TGS, ТВ, GMO) исследовались закономерности эволюции доменной структуры и характера движения ДГ на оптических микроскопах ММР-2Р и Neophot-21.

Научная новизна результатов состоит в развитии методов анализа диэлектрических спектров и объяснении их природы на основе представлений о фрактальности и других проявлений самоорганизации неоднородных систем, к которым относятся реальные сегнетоэлектрики.

Получены следующие новые результаты.

1. Для неравновесной двухфазной (полидоменной) фрактальной системы на основе ее термодинамического и модельного описания с использованием дробно-дифференциальных уравнений обосновано существование различных типов диэлектрического отклика и выполнена обобщенная классификация диэлектрических спектров по механизмам движения доменных границ. Показано, что дробно-степенная и «смешанная» статистика времен релаксации обусловлена немарковским характером процессов (зависимостью действующих на доменные границы сил от предыстории объекта и коррелированностью механизмов поляризации). Спонтанное движение доменных границ может быть источником фрактальных шумов, в том числе броуновского и фликкер-шума.

2. На основе полученных уравнений исследованы различные виды линейной дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости и выявлены их доменные и транспортные механизмы с учетом фрактальности среды.

3. Впервые по диэлектрическим спектрам RS, TGS, CDP в зависимости от температуры, частоты и амплитуды измерительного поля, наличия дефектов проведено сравнительное исследование упругого и неупругого движения доменных границ, изучены изменения их фрактальных свойств. Для кристалла CDP обнаружены и изучены проявления неэргодичности.

4. Обнаружено экспериментально и обосновано теоретически критическое замедление процессов, а и |3 релаксации, связанных с движением доменных и межфазных границ. Исследован динамический скейлинг в областях ФП.

5. Выявлены фрактальность доменных границ, участки их автомодельного движения и определены фрактальные размерности. Установлены причины фрактального диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков.

6. Исследовано поведение релаксационных параметров в области стохастического диэлектрического отклика GMO. Обнаружен экспериментально и исследован теоретически диэлектрический отклик GMO с отрицательными вкладами в диэлектрическую проницаемость и диэлектрические потери.

Научная и практическая значимость исследований:

• Диэлектрический отклик полидоменных сегнетоэлектриков, принадлежащих различным кристаллофизическим классам, является универсальным. Его описание может быть адекватно проведено на основе единого фрактально-синергетического подхода с учетом механизмов движения доменных границ.

• Результаты комплексного исследования релаксации и последействия, выявленная роль консервативных и диссипативных процессов в происхождении типа диэлектрического отклика и проявлении его фрактальности, немарковский характер этих процессов отражают фундаментальные свойства неоднородных конденсированных сред.

• Предложенные методы описания и анализа диэлектрических спектров обеспечивают более точное прогнозирование диэлектрического отклика и определение набора характеристик неупорядоченных систем. Новые методы диэлектрической спектроскопии и полученные результаты представляют теоретический и практический интерес.

• Обнаруженные закономерности критического замедления расширяют представления о фазовых переходах в неоднородных системах и динамике их протекания. В области ФП релаксационные параметры и их изменения чувствительны к структуре неоднородных сегнетоэлектрических материалов и могут служить показателями их качества.

• Полученная информация о характеристиках доменных границ в кристаллах с дефектами имеет большое значение для разработки элементов многофункциональной электроники, управление которыми осуществляется через воздействие на доменную структуру, систему дефектов, перемещение границ и их фрактальные свойства.

• Экспериментальное обнаружение и проведенный анализ стохастического отклика и отрицательных диэлектрических потерь полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов в области ИНЧ представляют интерес для дальнейшего развития нелинейной динамики, физики реальных сегнетоэлектриков, а также для разработок сегнетоактивных материалов с нетрадиционными возможностями управления их свойствами.

• Сегнетоэлектрик в электрическом поле является нелинейной открытой системой, а изменение его доменной структуры может носить характер самоорганизации. Поэтому фрактально-синергетический подход к полидоменным сегнетоэлектрическим системам оправдан и перспективен как в фундаментальных, так и прикладных исследованиях.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1. Существует несколько универсальных для конденсированного состояния, в том числе для полидоменных сегнетоэлектриков с дефектами, типов диэлектрического отклика, общим свойством которых является наличие распределения времен релаксации, обусловленного фрактальностъю системы. Различие типов дисперсии е* доменного происхождения обусловлено соотношением действующих на доменные границы сил и видом функции памяти.

2. Термодинамическое и модельное описание фрактальной полидоменной системы на основе дробно-дифференциальных уравнений эквивалентно учету функций памяти дробно-степенного или дробно-экспоненциального вида и означает немарковский (зависящий от предыстории) характер релаксации поляризации. Порядок 0 < р < 1 дробной производной по времени в кинетических уравнениях, характеризующий долю некоррелированных актов рассеяния после потери памяти о предыдущих состояниях, выражает антиперсистентное движение доменных границ в условиях смягчения вязкого трения, то есть, аномального характера диффузии (субдиффузии) дефектов, создающих торможение.

3. На параметры НЧ, ИНЧ диэлектрических спектров главным образом влияют структурные особенности мезоскопического масштаба, взаимодействие доменных границ с дефектами и электронной подсистемой, а не микроструктура вещества, природа переносимого заряда или род фазового перехода.

4. Полученные на основе диэлектрических спектров количественные характеристики доменных границ, в том числе фрактальные, вносят новый вклад в существующие представления о поляризации реальных сегнетоэлектриков.

5. Имеются интервалы температур, частот и напряженностей электрического поля, где имеет место подобие диэлектрических спектров, а изменение параметров релаксации и ретардации соответствует гипотезе динамического скей-линга. При значительной вариации внешних воздействий наблюдается муль-тифрактальное поведение, изменение соотношения вкладов одновременно протекающих процессов и критическая смена ведущего механизма поляризации.

6. Закономерности эволюции диэлектрических спектров и механизмов поляризации в средних и сильных полях, явления стохастичности и возникновение отрицательных диэлектрических потерь отражают этапы самоорганизации ме-зоскопической системы за счет коллективных процессов.

7. Характерные свойства диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков: нелинейность, критическая (бифуркационная) смена механизмов поляризации, их кооперативный характер, самоорганизация доменной структуры и системы дефектов, — типичны для синергетической системы.

Личный вклад автора.

Результаты, изложенные в диссертации, получены в период с 1977 по 2006 год на кафедре физики ВолгГАСУ. Работа выполнена в развитие исследований предшественников (Шильников, 1989; Донцова, 1990) механизмов движения доменных границ на основе разработки методов диэлькометрического анализа и применения фракгально-синергетических представлений. Большинство экспериментальных данных получено лично автором. Часть экспериментов выполнена совместно с коллегами и аспирантами под руководством автора и при непосредственном участии в измерениях. В экспериментальных исследованиях диэлектрических свойств принимали участие: к.т.н. С. В. Горин, к.ф.-м.н. Е. Г. Надолинская, к.ф.-м.н. В. А. Федорихин, д.ф.-м.н. А. И. Бурханов и аспиранты Д. Г Васильев и JI. X Вологирова. Исследования ВЧ диэлектрических спектров выполнены совместно с проф. Г. Арльтом (Институт электротехники г. Аахен, Германия). Микроскопическое изучение доменных структур и явлений переполяризации выполнено совместно с д.ф.-м.н. Л. И. Донцовой, к.т.н. С. В. Гориным и аспирантами А. Б. Бей и А. П. Поздняковым. В обсуждении отдельных результатов исследования приняли участие д.ф.-м.н. А. В. Шильников, к.ф.-м.н. Э. С. Попов, д.ф.-м.н. Л. И. Донцова, к.т.н. С. В. Горин, д.ф.-м.н. Л. А. Шувалов, д.ф.-м.н. А. С. Сигов и д.ф.-м.н. Т. Р. Волк. Постановка цели и задач диссертационного исследования, полный теоретический анализ, включая разработку моделей и компьютерных программ для расчета релаксационных параметров и характеристик доменных границ, а также впервые выполненные экспериментальные и теоретические исследования необратимого движения доменных границ, стохастического отклика и отрицательных потерь выполнены автором лично.

Тема работы соответствовала планам научно-исследовательских работ ГКНТ СССР и РСФСР, академии наук СССР и РАН в области естественных наук по направлениям «Физика твердого тела» и «Физика и химия неорганических материалов», а также приоритетным направлениям, поддерживаемым Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 94−7.10−3014).

Достоверность полученных результатов и выводов обеспечивает:

• высокое качество экспериментальных измерений, выполненных в условиях точной и длительной термостабилизации исследуемых объектовмноговариантная постановка экспериментов с изменением предыстории образцов и характера воздействий (электрические поля, механические напряжения, отжиг, длительное старение, скорость нагревания или охлаждения);

• проведение визуальных наблюдений за изменениями доменной структуры в условиях, соответствующих диэлектрическим измерениям;

• применение компьютерных методов для расшифровки и моделирования диэлектрических спектров, апробация моделей на широком классе диэлектрических материалов;

• использование для анализа данных современных теоретических представлений (теории фазовых переходов, теории динамического скейлинга, методов фрактальной физики, теории протекания и синергетики);

• соответствие результатов аналитических и численных решений, соотнесение полученных данных с работами других авторов, предшественников и представителей разных научных школ.

Публикации и апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались на следующих симпозиумах и конференциях: IX Всесоюзное совещание в по сегнетоэлектричеству (Ростов/Д 1979) — Всесоюзный семинар «Фазовые переходы в сегнетоэлектри-ках» (Москва 1984) — 6-ая Европейская конференция по сегнетоэлектричеству (Познань, Польша 1987), VI Всесоюзная конференция по физике диэлектриков (Томск 1988), IV и V Всесоюзные школы-семинары по физике сегнетоэласти-ков (Днепропетровск 1988, Ужгород 1991), III Всесоюзная конференция по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород 1988) — 9, 11, 12 Всесоюзные и 13−17 Всероссийские конференции по физике сегнетоэлектриков (Черновцы 1986, Ростов-на-Дону 1989, Тверь 1992, Иваново 1995, Ростов-на-Дону 1999, Тверь 2002, Пенза 2005) — I Советско-польский симпозиум по физике сегнетоэлектриков и родственных материалов. (1989, Черновцы) — Всесоюзная конференция «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (Александров 1990) — Всесоюзная конференция «Современные проблемы физики и ее приложений» (Москва 1990) — IY Всесоюзная конференция «Актуальные проблемы получения и применения сегне-то-, пьезо-, пироэлектрических и родственных им материалов» (Москва 1991) — 5-ый Русско-Японский симпозиум по сегнетоэлектричеству (Москва 1994) — Международная конференция «Электрическая релаксация в высокоомных материалах: Релаксация-94» (Санкт-Петербург 1994 г) — Международный семинар «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж 1993, 1995, 2004) — Международный семинар по сегнетоэлектрическим релаксорам (Дубна 1996) — 6-й и.

7-ый международные семинары по физике сегнетоэлектриков (Воронеж 1994, Казань 1997) — 7-ой международный семинар по сегнетоэлектрикам (Корея, 1997) — IX Международная конференция «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула 1997) — 1-ая Международная конференция по проблемам самоорганизации и управления в сложных коммуникационных пространствах НООТЕХ-97 (Санкт-Петербург 1997) — 1−7 международные симпозиумы по доменным и мезоскопическим структурам ферроиков ISFD: (Россия, Волгоград 1989; Франция, Нант 1992; Польша, Закопане 1994; Австрия, Вена 1996; США, Пенсильвания 1998; Франция, 2002) — Международная конференция по материаловедению и физике конденсированного состояния (Молдова, 2001) — 7 Международный симпозиум по сегнетоэлектричеству RCBJSF-7 (Санкт-Петербург 2002), семинар памяти В. М. Рудяка «Процессы переключения в сег-нетоэлектриках и сегнетоэластиках» (Тверь 2002) — Международный семинар по физике сегнетоэластиков (Воронеж 1994, 2003) — 2-ой Международной конференции по физике электронных материалов ФИЭМ-02 (Калуга 2005).

По теме диссертации опубликовано 160 работ, из них 59 статей в рецензируемых изданиях, в том числе 29 работ, соответствующих перечню ВАК. Результаты исследований, включенные в диссертацию, достаточно полно отражают 46 статей, список которых приведен в конце автореферата. При участии автора разработаны методы контроля качества пьезоэлектрических и сегнето-керамических материалов и применены в производстве сегнетоэлектрической керамики (г. Волгоград), имеется патент на изобретение [47].

Структура работы.

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Общий объем диссертации составляет 380 страниц, 124 рисунка, 43 таблицы и список литературы из 678 наименований.

ВЫВОДЫ.

1. Выявлены экспериментально и получены в рамках термодинамического описания полидоменной системы универсальные для конденсированного состояния типы диэлектрических спектров е*(ю), свидетельствующие о фрактальности сегнетоэлектрика с доменами и кластерами. Показано, что диэлектрический отклик в области НЧ и ИНЧ зависит от свойств доменной структуры (соотношения консервативных и диссипативных сил, природы фрактальности, наличия коллективных процессов, особенностей потенциального рельефа и механизмов потерь энергии), а не от микроструктуры вещества.

2. Универсальность диэлектрического отклика в слабых полях обусловлена фундаментальным характером поведения термодинамической системы вблизи состояния равновесия и соответствует принципу Пригожина. Временная корре-лированность процессов релаксации приводит к самоорганизации системы и автомодельному характеру движения доменных границ (ДГ).

3. Обратимому релаксационному движению доменных границ в сегнетоэлектриках соответствуют виды дисперсии е* Коула-Коула, Дэвидсона-Коула, Кольрауша-Вильямса-Ваттса, Гаврилиака-Негами. Статистический смысл функций распределения времен релаксации отражает немарковский характер фрактальных процессов, описываемой различными функциями памяти.

4. ИНЧ /)±линейная дисперсия е* возникает при исчезновении возвращающих сил, например, при неупругом, контролируемом только вязким трением движении доменных границ, при делокализации носителей зарядов и прыжковой проводимости, при экранировании поляризации на внутренних поверхностях и в приэлектродном слое.

5. «D0- и D~y> типы линейной дисперсии е* (отрезки прямых нулевого и отрицательного наклона) характерны для процессов стеклования, «замораживания» доменных границ и дефектов, размытых фазовых переходов и фрактальных систем с проводимостью поляронного типа (кристаллы группы RS, CDP, пьезокерамика в области морфотропного перехода).

6. На основе предложенных методов расчета получены количественные характеристики доменных границ: модельные коэффициенты упругости и вязкого трения, скорости, подвижности и податливости. Выполнено сравнение обратимого упругого движения доменных границ разной степени жесткости (RS, CDP), обратимого и необратимого движения доменных границ в TGS. Изучено изменение характеристик доменных границ вблизи фазовых переходов, в условиях неэргодичности, при «замораживании» доменных границ (CDP) и дефектов (RS), при наличии дефектов изотопического и изовалентного замещения.

7. Формирование и эволюция доменной структуры происходит в ходе самоорганизации термодинамической системы в условиях согласованного протекания всех процессов (при взаимодействии границ с дефектами, экранирующими зарядами, поляроно-подобными состояниями). Вдали от состояний равновесия признаками самоорганизации являются нестабильность и стохастичность диэлектрического отклика, отрицательные вклады в диэлектрическую проницаемость и потери. Вблизи состояний равновесия отклик фрактальной структуры сегнетоэлектрика характеризуют заниженные по сравнению с откликом идеальной структуры диэлектрические потери. Критическая динамика осуществляется путем согласованного протекания кооперативных процессов в соответствии с динамическим скейлингом.

8. Впервые обнаружено критическое замедление НЧ и ИНЧ процессов релаксации доменно-кластерной природы в области ФП, определены критические индексы и сопоставлены с теоретическими оценками. Обоснование наблюдаемых критических зависимостей времен релаксации для коуловской и линейной дисперсии дано с учетом скейлинга коэффициентов упругости и трения. Отмечено совпадение критических показателей с индексами теории протекания, теорией динамического скейлинга и моделями фрактальных систем.

9. Выявлена высокая чувствительность динамической дробной размерности и других фрактальных параметров к изменению свойств доменных и межфазных границ и механизмов поляризации, в частности, к смене упругого движения границ на пластическое, доменной природы релаксации на кластерную.

10. Экспериментально установленные закономерности НЧ-, ИНЧдиэлектрических спектров полидоменных сегнетоэлектриков, их теоретическое описание и соответствие результатам фрактального анализа доменных границ показывают плодотворность применения фрактальных представлений к сегнето-электрическим системам с доменными границами, кластерами и дефектами. Фрактальный характер диэлектрического отклика и критического поведения релаксационных параметров обусловлен: 1) фрактальной геометрией границ, определяющей скейлинговые свойства коэффициента упругости, 2) аномальной диффузией дефектов, определяющей скейлинговые свойства коэффициента трения, 3) самоподобием доменной структуры и областей поляризации, 4) «смешанной» статистикой, коррелированностью и немарковским характером процессов релаксации, выражающемся в явлениях последействия.

В работе получен также ряд результатов частного характера, из которых наиболее важными являются следующие:

1. Выявлены закономерности временной эволюции диэлектрических спектров при изменении свойств доменных границ и условия самоподобия (постоянство параметров гомохронности и динамической дробной размерности D).

2. По диэлектрическим спектрам TGS в слабых и ультра слабых полях выявлены экспоненциальные зависимости наиболее вероятной скорости упругого движения доменных границ от амплитуды поля и линейный закон в случае их пластического движения ДГ, согласующиеся с визуальными наблюдениями и известивши моделями. Установлена связь эффективного и модельного коэффициентов вязкости с коэффициентом диэлектрической вязкости по Рудяку.

3. Исследованы причины взаимных превращений выявленных типов дисперсии. По превращению коуловского спектра е* в £)±линейную дисперсию вблизи высокотемпературного фазового перехода выявлено уменьшение силы пиннинга доменных границ ионами лития в решетке RS (превращение сильного дефекта в слабый). На основе количественных оценок установлено увеличение жесткости доменных границ при дейтерировании и легировании карбамидом RS, рентгеновском облучении TGS, длительном старении, понижении температуры, «замораживании» протона в одном из положений связи НО-Н в CDP, изучено изменение коэффициента вязкости и других характеристик границ.

4. Установлена связь механизмов поляризации и электропроводности, выявлено образование поляронов малого радиуса и прыжковая проводимость по поверхностным состояниям. Определены энергии активации релаксации поляризации (для различных типов движения доменных границ), максвеллвагне-ровской релаксации и электропроводности (в GMO, дейтерированных кристаллах DTGS, DRS, DCDP, титанате бария, сегнетоэлектрической керамике).

5. В рамках термодинамического подхода на основе последовательного учета изменения взаимодействия ДГ с дефектами, концентрации ДГ и механизмов поляризации дано описание диэлектрического отклика в широких диапазонах изменения электрического поля (от ультраслабого до переполяризующего) и температуры (включая область фазового перехода). Особенности диэлектрического отклика описаны на основе моделей взаимосвязи доменных границ друг с другом и сопутствующими процессами.

Совокупность развитых методов анализа диэлектрических спектров, полученных результатов и научных положений составляет фрактальносинергети-ческую концепцию диэлектрической спектроскопии сегнетоэлектриков и родственных материалов, открывающую новые возможности изучения механизмов поляризации и последействия в реальных кристаллах и неупорядоченных средах, что представляет собой крупный научный вклад в физику конденсированного состояния.

Используемые сокращения и обозначения Сокращения.

АГ — антифазные границы ДГ — доменные границы ДС — диэлектрические спектры МГмежфазные границы.

НЧ, ИНЧ — низко и инфранизкочастотные диапазоны электромагнитного поля или соответствующие области дисперсии е* МФГ — морфотропная фазовая границаФП — фазовый переход.

D+, if, D~ - обозначения линейных областей дисперсии б* с прямыми положительного, нулевого и отрицательного наклонов.

CDP (DCDP) — дигидрофосфат цезия (дейтерированный) — GMO — молибдат гадолиния;

RS, (LRS, DRS) — сегнетова соль (с примесями лития, дейтерированная) — TGS (DTGS, xr-TGS) — триглицинсульфат (дейтерированный, подвергнутый рентгеновскому облучению).

Обозначения, а — параметры функций распределения времен релаксации Коула-Коула и Гаврилиака-Негами;

Р — параметр распределения времен релаксации для видов дисперсии диэлектрической проницаемости: //-линейной, Дэвидсона-Коула, Гаврилиака-Негами и Вильямса-Ваттса;

Р*=1/е* - комплексный диэлектрический модульС и dпостоянные Кюри-Вейсса для параэлектрической и сегнетоэлектрической фазР — вектор поляризации;

Тстемпература фазового перехода (обычно определяется по пересечению полученных экстраполяцией линейных участков температурных зависимостей обратных диэлектрических проницаемостей из параэлектрической и сегнетоэлектрической фазАе — амплитуда дисперсиие* - комплексная диэлектрическая проницаемостьesстатическая диэлектрическая проницаемостьSoo— высокочастотный предел области дисперсииеоэлектрическая постояннаятемпературы Кюри-Вейсса при экстраполяции из параэлектрической и сегнетоэлектрической фаз — т — время релаксации (индексы а, Р, .обозначают типы дисперсии) — v и со — частота и циклическая частота. Ф — степень поляризации.

Благодарности.

Считаю приятным долгом отметить, что настоящая работа состоялась благодаря привлечению автора к исследованию свойств сегнетоэлектриков и многолетнему сотрудничеству с д.ф.-м.н. А. В. Шильниковым.

Особая роль в этой работе принадлежит моему учителю со студенческой скамьи профессору ВГПИ Э. С. Попову, чьи научные взгляды и высокая требовательность способствовали ее выполнению на достигнутом уровне.

С благодарностью вспоминаю научные встречи и краткое сотрудничество с профессорами Л. А. Шуваловым, А. С. Сиговым и Т. Р. Волк. Определяющую роль на ключевых этапах настоящей работы сыграли научные встречи с профессорами В. М. Рудяком, И. С. Резом, Б. А. Струковым, А. П. Леванюком, Ю. М. Поплавко, М. Д. Глинчук, Б. Хильчер, Л. Н. Камышевой, Н. Н. Крайник, Н. Д. Гавриловой.

Особую благодарность хочу выразить выдающимся специалистам в области диэлектрической спектроскопии: профессору В. В. Левину (за школу научного поиска в годы аспирантуры), а также профессорам А. К. Йоншеру и Й. П. Григасу за плодотворные дискуссии.

С благодарностью за переданную любовь к неравновесной термодинамике вспоминаю профессора М. И. Шахпаронова.

Чувство огромной благодарности выражаю профессору Г. Арльту за исследовательскую работу в технологическом университете г. Аахен (Германия), глубокие обсуждения, искренность и дружескую поддержку.

Благодарю за помощь и сотрудничество коллег и аспирантов кафедры физики ВолгГАСУ к.ф.-м.н. В. А. Федорихина, к.ф.-м.н. Е. Г. Надолинскую, д.ф.-м.н. А. И. Бурханова, аспирантов Д. Г Васильева, Л. Х Вологирову, А. Б. Бей и А. П. Позднякова. За трогательную любовь к науке, многолетнее научное сотрудничество и компьютерную поддержку благодарю моего бывшего студента к.п.н. Я. И. Корчмарюка.

Исключительно важным для меня было сотрудничество с профессором Л. И. Донцовой, ее опыт по визуальному исследованию доменных механизмов переполяризации, ее научное подвижничество и бесценный дар дружбы.

Незабываемы трудные и счастливые времена самоотверженных трудов, в которых самое активное участие принимал к.ф.-м.н. Горин Станислав Васильевич. Светлой его памяти посвящаю эту работу.

Показать весь текст

Список литературы

  1. П. Полярные молекулы. М. Л.: ГНТИ. 1931.247 с.
  2. Van Vleck J.H. The Theoiy of Electric and Magnetic Susceptibilites: Oxford. 1932.
  3. Г. И. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.-Л.: Гостехиз-дат. 1949.500 с.
  4. Bdttcher С J.F. Theory of electric Polarization. Amsterdam, London, NY: Elsenier Publich-ing Company. 1952. 492 p.
  5. Л.Д. Электродинамика сплошных сред / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // М.: физ.-мат.лит. 1959.532 с
  6. Г. Теория диэлектриков. М.: ИЛ. 1960.252 с.
  7. А.Р. Диэлектрики и волны. М.: ИЛ. 1960.439 с.
  8. В. Диэлектрики. М.: ИЛ. 1961.326 с.
  9. И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968.395 с.
  10. Hill N.E. Dielectric Properties and Molecular Behavior / N.E. Hill, W.E. Vaughan, A.H. Price, M. Davies // London.: Van Nostrand Reinhold.1969.393 p.
  11. A.H. Физика диэлектриков. M.: Высшая школа. 1971.272 с.
  12. Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вшца школа. 1976.408 с.
  13. Bottcher C.J.F. Theoiy of Electric Polarization V.n. / C.J.F. Bottcher, P. Bordewijk // Oxford. New York. 1978. Elsevier Scientific Publishing Company. Amsterdam. 563 p.
  14. Jonscher A.K. Dielectric Relaxation in Solids. London. Chelsea Dielectric Press. 1983.380p.
  15. B.B. Диэлектрическая спектроскопия как метод изучения строения и молекулярной подвижности жидкостей. Ч. I и П. М.: МГУ. 1986.501 с.
  16. Arlt G. Werkstoffer der Electritechnik. Aachen: RWTH. 1989.495 p.
  17. Grigas Jonas P. Microwave Dielectric Spectroscopy of Ferroelectrics and Related Materials. Ferroelectricity and Related Phenomena Series Ed. Taylor G. & Shuvalov L. Vol.9: Gordon & Breach Harwood academic. 1996.416 p.
  18. Jonscher A.K. Universal Relaxation Law. London: Chelsea dielectric Press. 1996.415 p.
  19. M., Динамическая теория кристаллических решеток / М. Бори, Хуан Кунь. // М.: ИЛ. 1958.488 с.
  20. Дж. Электроны и фотоны. Теория явлений переноса в твердых телах. М.: ИЛ. 1962.488 с.
  21. А.И. Введение в теорию полупроводников. М.-Л.: Физматгиз. 1962.
  22. Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир. 1966.
  23. И. Квантовая теория твердых тел. М. Наука. 1967.
  24. И. Введение в физику твердого тела. М.: Наука. 1978. 798 с.
  25. .И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос // М.: Наука. 1979.
  26. Бонч-Бруевич В. Л. Электронная теория неупорядоченных полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, Р. Крайпер, А. Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер // М.: Наука. 1981.384 с.
  27. И.М. Введение в теорию неупорядоченных систем / И. М. Лифшиц, С.А. Гре-дескул, Л .А. Пастур // М.: Наука. 1982.360 с.
  28. С.И. Исследования по электронной теории кристаллов: Гостехиздат. 1951.256с.
  29. В.Л. Кинетика фононных систем. М.: Наука. 1980.400 с.
  30. В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. М.: Наука. 1973. 327с.
  31. Р. Сегнетолектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки / Р. Блинц, В. Жекш //М.: Мир. 1975.398 с.
  32. В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. М.: Наука. 1976.408 с.
  33. Э.В. Нелинейный кристалл (титанат бария). М.:Наука.1974.295 с.
  34. Л.Д. Статистическая физика/Л.Д. Ландау, Е.Н.Лифшиц// М.:Наука.1976.584 с.
  35. Л.Д. К теории фазовых переходов // Собр. тр. М.: Наука. 1969. T.l. С.234−261
  36. Е.Н. К теории фазовых переходов второго рода.// ЖЭТФ. 1941. С.255−268
  37. В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений // У ФН.1949.Т.38.С.490−525
  38. Devonshire A.F. Theory of Barium Titanate: Part I, П. // Phil. Mag. l949.V.40. P.1040−1063- 1951.V.42. № 333. P.1040−1079
  39. Cochran W. Crystal Stability and the Theory of Ferroelectricity // Adv. Phys. 1960. V.9.P.387−424,1961. V.10.P.401
  40. В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: ИЛ. 1960.234 с.
  41. Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане // М.: Мир. 1965.
  42. Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. М.: Мир. 1970.352 с.
  43. Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайних, Р. Е. Пасынков, М. С. Шур // Л.: Наука, Ленингр. отд. 1971. 476 с.
  44. Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат. 1972
  45. .А. Сегнетоэлектричество. М.: Наука. 1979
  46. В.М. Фотосегнетоэлекгрики. М.: Наука. 1979
  47. А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А. С. Сонин, Б. А. Струков // М.: Высшая школа. 1970.272 с.
  48. И.С. Основы сегнетоэлектричества М.: Атомиздат. 1973.472 с.
  49. М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / МЛайнс, А. Гласс // М.: Мир. 1981.736 с.
  50. Ю.М. Структурные фазовые переходы. М.: Наука. 1982.304 с.
  51. .А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк // М.: Наука. 1983.240 с.
  52. А. Структурные фазовые переходы / А. Брус, Р. Каули // М.: Мир. 1984.408 с.
  53. Г. А. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайних, Р. Е. Пасынков, А. И. Соколов, Н. К. Юшин // Л.: Наука.1985. 396с.
  54. Ю.Н. Сегнето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария / Ю. Н. Веневцев, Е. Д. Политова, С. А. Иванов // М.: Химия. 1985.256 с.
  55. Ю.В. Фазовые переходы и симметрия кристаллов / Ю. В. Изюмов, В. Н. Сыромятников // М.: Наука. 1984.248 с.
  56. М. Природа критического состояния. М.: Мир. 1968.221 с.
  57. Г. Фазовые переходы и критические явления. М.: Мир. 1973.419 с.
  58. А.З. Флуктуационная теория фазовых переходов / А. З. Паташинский, В. П. Покровский // М.: Наука.1975.255 с.
  59. Ма Ш. Современная теория критических явлений М.: Мир. 1980.298 с.
  60. Levanyuk А.Р. Defects and Structural Phase Transitions / A.P. Levanyuk, A.S. Sigov A.S. // (Ferroelectricity and Related Phenomena. Series Ed. Taylor G. & Shuvalov L. Vol.6) Gordon & Breach Harwood academic. 1988.208 p.
  61. B.M. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1986.248 с.
  62. Рез И. С. Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике. М.: Радио и связь. 1989.288 с.
  63. Де Гроот С. Неравновесная термодинамика / С. Де Гроот, П. Мазур // М. Мир. 1964. 456 с.
  64. Miiser М. Thermodynamic Theory of Relaxation Phenomena / M. Mflser, J. Petersson // Fortschritte der Physik 1971. Bd.19. № 9. P.559−612.
  65. И. Химическая термодинамика / И. Пригожин, Р. Дефей // Новосибирск: Наука. 1966.280 с.
  66. С. Теория абсолютных скоростей реакций / С. Глесстон С., К. Лейдер, Г. Эйринг//М.: ИЛ. 1948.
  67. М.И. Механизмы быстрых процессов в жидкостях. М.: Высшая школа. 1980.352.с.
  68. Н.М. Диэлектрическая спектроскопия NjN-диметилформамида, диметил-сульфоксида и их растворов. Дисс. канд. физ.-мат. н. М.: 1977
  69. Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука. Ленингр.отд. 1975.592 с.
  70. Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис // Т. 1,2. М.: Мир. 1982.663 с.
  71. Г. М. Релаксационные процессы в стеклообразных системах / Г. М. Бартенев, Д. С. Сандидов // Новосибирск: Наука. 1986.235 с.
  72. Бонч-Бруевич В. Л. Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле // В кн.: «Статистическая физика и квантовая теория поля» Под ред Н. Н. Боголюбова. М.: Наука. 1973.
  73. Дж. Модели беспорядка. Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем. М.: Мир. 1982.592 с.
  74. С.Л. Необратимые явления в спиновых стеклах. М.: Наука. 1989.152 с.
  75. Mandelbrot В.В. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco: W.H.Freeman, 1982.460p.
  76. Фракталы в физике. M.: Мир. 1988
  77. Е. Фракталы. М.: Мир. 1991
  78. И. Неравновесная статистическая механика. М: Мир. 1964.314 с.
  79. Р. Термодинамика необратимых процессов. М.: Мир. 1967.544 с.
  80. Д.Н. Неравновесная статистическая термодинамика. М.:Наука. 1971.415 с.
  81. П. Термодинамическая теория структуры, устойчивости и флуктуаций / П. Гленсдорф, И. Пригожин // М.: Мир. 1973.280 с.
  82. И. От существующего к возникающему. М.: Наука. 1985.327 с.
  83. И. Порядок из хаоса/И. Пригожин, И. Стенгерс // М.: Прогресс. 1986.432 с.
  84. Пригожин И.Время. Хаос. Квант /И. Пригожин, И. Стенгерс//М.: Прогресс. 1994.266 с.
  85. Г. Самоорганизация в неравновесных системах / Г. Николис, И. Пригожин // Мир. 1979.512с.
  86. Г. Динамика иерархических систем. М.:Мир.1989.488 с.
  87. Г. Познание сложного / Г. Николис, И. Пригожин// М.:Мир.1990.342 с.
  88. Р.Л. Нелинейная неравновесная термодинамика. М.:Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1985.480 с.
  89. Г. Синергетика. М.: Мир. 1981.350 с.
  90. Г. Синергетика. Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах. М.: Мир. 1985.420 с.
  91. Иванова. Синергетика и фракталы в материаловедении / Иванова, А. С. Баланкин, И. Ж. Бунин, А. А. Оксогоев // М.: Наука. 1994.383 с.
  92. Cole K.S. Dispersion and Absoption in Dielectrics / K.S. Cole, R.H. Cole // J. Chem. Phys. 1941. V.9.P.341−351
  93. Cole R.H. Theory of dielectric polarization and relaxation // In: Progress in Dielectrics. Lon-don.l961.V.3. P.49−100.
  94. Davidson D.W. Dielectric relaxation in Glycerol, Propylene Glycol and n-Propanol / D.W. Davidson, R.H. Cole //J. Chem. Phys. 1951. V.19. P.1484−1490.
  95. Davidson D.W. Dielectric relaxation in liquids // Can. J. Chem. 1961. № 39. P.571−594.
  96. Cole R.H. Dielectric relaxation in solid hydrogen halides / R.H. Cole, S. Havriliak // Discuss. Far. Soc. 1957, № 23. P.31−38.
  97. Havriliak S. On Dielectric Properties of Solid Hydrogen and Deuterium Halides / S. Havriliak, R. Cole, Jr. Cole // J. Chem.Phys.1955. V.23. P.2455
  98. Bordewijk P. Comparison between macroscopic and molecular relaxation behavior for polar dielectrics.// Adv. Mol. Relax. Proc. 1973. V.5.P.285−300.
  99. Heller B. The Distribution Functions of relaxation Phenomena in Dielectrics / B. Heller, J. Mrazek // ACTA Technica CSAV. 1973. N 6. P.515−527
  100. Le Traon A. Cole-Cole Plots and Distribution Functions of Decay Times. A New General Relation between a and Ат/т0 // Phys. Stat. Sol. a. 1974. V.24. N1. P. K19-K22
  101. Daniel V. Dielectric Relaxation. London: Acad. Press. 1967.
  102. Salter C. Representation of Dielectric Relaxation Data // In.: Proceedings of Int. Conf. of Dielectric Materials. Measurements and Applications. 1979. V.3 P.132−135
  103. Williams G. Non-Symmtrical Dielectric Relaxation Behavior Arising From a Simple Empirical Decay Function / G. Williams, D.C. Watts // Trans. Faraday Soc. l970.V.66. P. 80−85
  104. Williams G. North A.M. Further Consideration of Non-Symmtrical Dielectric Relaxation Behavior Arising From a Simple Empirical Decay Function / G. Williams, D.C. Watts, S.B. Dey // Trans. Faraday Soc. l971.V.67. P.1323−1335
  105. Kohlrausch R. Theory des elektrischen Riickstandes in der Leidener flasche // Annalen der Physik und Chemie (Poggendorff). 1854. IV-91. P.56−82 & P.179−214
  106. Kohlrausch R. Uber die elastische Nachwirkung bci der Torsion // Annalen der Physik und Chemie (Poggendorff) zweite Serie. 1863. № 119, S.937−968
  107. Matsumoto A. Dielectric Relaxation of Nonrigid Molecule at Lower Temperature / A. Ma-tsumoto, K. Higashi // J. Chem. Phys. 1962. V.36. P.1776−1780
  108. A.H. Методы решения некорректных задач / А. Н. Тихонов, В. Я. Арсении // М.: Наука. 1979.288 с.
  109. В.А. Физические механизмы, приводящие к распределению времен релаксации в разупорядоченных диэлектриках / В. А. Стефанович, М. Д. Глинчук, Б. Хилчер, Е. В. Кириченко // ФТТ. 2002. Т. 44. вып. 5. С. 906−911
  110. Sheppard R.J. Alternative Interpretations of Dielectric Measurements with Particular Reference to Polar Liquids/R.J. Sheppard, E.H. Grant//Adv. Mol. Relax. Proc. 1974. V.6.P.61−67.
  111. Jonscher A.K. The «Universal» Dielectric Response // Nature (London). 1977. V.267. P. 673−679
  112. Jonscher A.K. Low-Frequency Dielectric Dispersion in Tri-Glycine Sulphate / A.K. Jon-scher, D.C. Dube // Ferroelectrics 1978. V.17. P. 533−536
  113. Von Schweidler E. Studien fiber die Anomalien in Verhalten der Dielectrica // Annalen der Physic. 1907. V. 4(24). P.711−770
  114. A.B. Роль доменных и фазовых границ в процессах низко- и инфранизко-частотной поляризации и переполяризации модельных сегнетоэлектриков. АР дисс. д-ра физ.-мат. Наук. Саласпилс. 1988.
  115. А.В. Физические свойства полидоменных моно- и поликристаллических сегнетоэлектриков. АР дисс. д-ра физ.-мат. Наук. Ростов-на-Дону. 1979.
  116. Landolt Н.Н. Physikalisch-Chemishe Tabellen/H.H. Landolt, R. B6rnstein//Berlin.l950−1961
  117. Я.Ю. Диэлектрические свойства чистых жидкостей. М.: Изд-во стандартов. 1972.263 с.
  118. Я.Ю. Диэлектрические свойства бинарных растворов. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит. 1977.400 с.
  119. М.И. Методы исследования теплового движения молекул и строения жидкостей. М.: МГУ. 1963.282 с.
  120. В.А. Сосуществование фаз в твердых растворах титаната-цирконата свинца // ФТТ. 2001. вып. 12. С. 2166−2169
  121. Arlt G. Internal bias in ferroelectric ceramics: origin and time dependence / G. Arlt, H. Neumann // Ferroelectrics. 1988 V.87. P.109−120
  122. Lohkamper R. Internal bias in acceptor-doped ВаТЮз ceramics: Numerical evaluation of increase and decrease / R. Lohkamper, H. Neumann, G. Arlt // J. Appl. Phys. 1990. V.68, № 8. P.4220−4224.
  123. Dederichs H. Aging of Fe-Doped PZT Ceramics and the Domain Wall Contributions to the Dielectric Constant / H. Dederichs, G. Arlt // Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281−292.
  124. Arlt G. Complex Elastic, Dielectric and Piezoelectric Constants by Domain Wall Damping in Ferroelectic Ceramics/ G. Arlt, H. Dederichs// Ferroelectrics. 1980. V.29. N 1−2., P.47−50
  125. Д.С. Физические свойства неупорядоченных структур / Д. С. Сандидов, Г. М. Бартенев // Новосибирск: Наука. 1982.259 с.
  126. Hochli U.T. Orientational glasses / U.T. Hochli, К. Knor, A. Loidl // Adv. Phys.1990. V.39, № 5. P.405−615.
  127. Bruckner H.J. Dielectric relaxation of mixed crystals of Rbi. x (NH4)x H2PO4 at microwave frequencies / H.J. Bruckner, E. Courtens, H.G. Unrugh // Z. Phys. B. Condensed Matter. 1988. V.73. P.337−342.
  128. С.А. Диэлектрическая релаксация в смешанных кристаллах дигидрофосфата калия-аммония / С. А. Гриднев, JI.H. Короткое, JI.A. Шувалов, Р. М. Федосюк // Кристаллография. 1994. Т.39. № 1. С.102−105.
  129. Gridnev S.A. Nonequilibrium dielectric permittivity of Ki. x (NFLO* h2po4 solid solution / S.A. Gridnev, L.N. Korotkov, L.A. Shuvalov // Ferroelectrics. 1993. V.144. P.157−165.
  130. Baranov A.I. Dielectric anomalies above the glass transition temperature in the mixed Ki. &bdquo-(ЫВДДОД crystals / A.I. Baranov, L.A. Shuvalov, V.H. Shmidt // Ferroelectrics. 1992. V.127. P.245−250
  131. А.И. Аномалии протонной проводимости при структурных фазовых переходах в кристаллах с водородными связями // Изв. АН СССР. Сер.физич. 1987. Т.51, вып. 12. С.2146−2155.
  132. Т.Н. Влияние состава на температуру «статического замораживания» протонных стекол семейства кн2ро4 / Т. Н. Короткова, JI.H. Короткое, JI.A. Шувалов, P.M. Федосюк // Кристаллография. 1996. Т.41. № 3. С.505−509.
  133. НЗ.Гриднев С. А. Компьютерное моделирование дисперсии диэлектрической проницаемости в твердом растворе 0.945PMN-0.055PZT/ С. А. Гриднев, А. А. Глазунов, А. Н. Цоцорин // Изв. АН. Сер. физич. 2003. Т. 67. № 8. С.1100−1104
  134. Anderson J.E. Molecular relaxation in fluctuational enviroment / J.E. Anderson, R. Ullman //J. Chem. Phys. 1967. V.47. P.2178−2184.
  135. P.P. Теория протонного упорядочения в сегнето- и антисегнетоэлектриках типа ортофосфатов / P.P. Левицкий, Н. А. Кориневский, И. В. Стасюк // УФЖ. 1974. Т. 19. № 8. С. 1289−1298
  136. Stasyuk I.V. Collective Vibrations of Protons in Compounds of КНгРО^Туре. The Cluster Approximation / I.V. Stasyuk, R.R. Levitsky, N.A. Korinevsky II Phys. Stat. sol. (b). 1979. V.91. P.541−550
  137. Levitsky R.R. Dynamics of Ferroactive Crystals of Orthophosphate-Type / R.R. Levitsky, I.V. Stasyuk, N.A. Korinevsky//Ferroelectrics. 1978. V.21. P.481−483
  138. H.A. Динамическая теория ортофосфатов в кластерном приближении / Н. А. Кориневский, Р. Р. Левицкий // ТМФ. 1980. Т.42. № 8. С.416−429
  139. Petzelt J. Dielectric Spectroscopy of Paraelectric Soft Modes / J. Petzelt, G.V. Kozlov, A.A. Volkov//Ferroelectrics. 1987. V.73.P.101−123.
  140. Mitsui T. Theory of the Ferroelectric Effect in Rochelle Salt // Phys. Rev. 1958. V. l 11. N 5. P. 1259−1267
  141. Sandy F. Dielectric Relaxation in Rochelle Salt / F. Sandy, R.V. Jones // Phys. Rev. 1968. V.168.N 2. P. 481−493
  142. Yoshimisa K. Relaxation Process in Ferroelectrics near Curie Temperature / K. Yoshimisa, T. Matsubaia // Progr. Theor. Phys. Suppl.1968. Extra number. P. 109−136
  143. Zeks B. Dynamics of Ferroelectric Rochelle Salt / B. Zeks, G.C. Shukla, R. Blinc // Phys. Rev.B.1971. V.3. N 7. P. 2306−2311
  144. Zeks B. Dynamics of Ferroelectric Rochelle Salt / B. Zeks, G.C. Shukla, R. Blinc // J. Phys. Suppl.1972. V.33. N 4. P. C2−67-C2−68
  145. Unruch H.-G. Critical Slowing Down at Ferroelectrics Transitions / H.-G. Unruch, H.J. Wahl // Phys. Stat. sol. (a). 1972. V.9. P. l 19−124
  146. НШ R.M. High-Frequency Behavior of Hydrigen-Bonded Ferroelectric Triglycine Sulphate and KD2P04 / R.M. Hill, S.K. Ichiki // Phys.Rev.l963.V.132.N 4.P.1603−1608
  147. Вакс В. Г Микроскопические теории структурных фазовых переходов типа порядок-беспорядок в кристаллах / В. Г. Вакс, В. И. Зиненко, В. Е. Шнейдер // УФН. 1983. Т.141. № 4. С.629−674
  148. А.А. Релаксационная динамика модели Изинга в кластерном приближении / А. А. Власова, В.Е. Шнейдер//ЖЭТФ. 1977. Т.73. № 10. С. 1493−1498
  149. P.P. Релаксационные процессы, описываемые моделью Изинга. Кластерное приближение / P.P. Левицкий, И. Р. Зачек, В. И. Вараницкий // УФЖ. 1979. Т.24. № 10. С.1486−1495
  150. P.P. Релаксационная динамика сегнетоактивных соединений типа порядок-беспорядок с асимметричным одночастичным потенциалом с двумя минимумами / P.P. Левицкий, И. Р. Зачек, В. И. Вараницкий // УФЖ. 1980. Т.25. № 11. С. 1766−1771
  151. О.Е. Микроскопическая теория динамики решетки и природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах / О. Е. Квятковский, Е. Г. Максимов // УФН. 1988. Т. 154. № 1. С. З- 48
  152. А.А. Субмиллиметровые диэлектрические спектры сегнетовой соли / А. А. Волков, Г. В. Козлов, С. П. Лебедев // ЖЭТФ. 1980. Т.79. № 4. С.1430−1437
  153. А.А. Субмиллиметровые диэлектрические спектры сегнетовой соли / А. А. Волков, Г. В. Козлов, С. П. Лебедев // ФТТ. 1982. Т.24. № 2. С.555
  154. А.А. Мягкая мода в кристаллах сегнетовой соли/ А. А. Волков, Г. В. Козлов, Е. Б. Крюкова, С. П. Лебедев // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1983. Т.47. № 4. С.679−686
  155. А.А. Новое о мягких модах в классических сегнетоэлектриках / А. А. Волков, Г. В. Козлов, Я. Пещелт// Изв. АН СССР. Сер. Физич.1987. Т.51. № 12. С.2202−2207
  156. Kanda Е. Critical Slowing Down in the One-Dimensional Ferroelectric CSH2PO4 / E. Kanda, A. Tamaki, T. Fujimura//J.Phys. Soc. C: Solid State Phys. 1982. V.15. P.3401−3410
  157. E.B. Сегнетоэлектрическая динамика кристаллов CSH2PO4// ФТТ. 1984. Т.26. № 3. С.717−723
  158. Kozlov G.V. Relaxation Mode in Dielectric Spectra of CsH2P04 / G.V. Kozlov, E.V. Kriukova, S.P. Lebedev, J. Grigas, W. Paprotny, Y. Uesu // Ferroelectrics. 1984. V.54. P.321−324
  159. Deguchi K. Static and Dynamic Critical Properties of Dielectric Constant in Ferroelectric CsH2P04 and csd2po4 / K. Deguchi, E. Okane, E. Nakamura // J.Phys. SocJpn. 1982. V.51.N 2. P.349−350
  160. Levstik A. Dielectric Relaxation in Pseudo-One-Dimensional CSD2PO4 / A. Levstik, B. Zeks, I. Levstik, H.-G. Unruch, G. Luther, H. Roemer // Phys. Rev.B.1983. V.27. N 9. P.5706−5711
  161. Levitsky R.R. Relaxational Dynamics of Quasi-one-Dimensional CSD2PO4 / R.R. Levitsky, I.R. Zachek, E.V. Mits, J. Grigas, W. Paprotny // Ferroelectrics. 1986. V.67. P. 109−124
  162. P.P. Релаксационная динамика дейтерированных квазиодномерных сегнетоэлектриков с водородными связями / Левицкий, И. Р. Зачек, Е. В. Миц // (Препринт АН УСССР. Ин-т Теор. Физ. ИТФ-84−161 Р): Киев. 1984.36 с.
  163. Ginzburg V.L. Comments on the Region of Applicatibity of the Landau Theoiy for Structural Phase Transition / V.L. Ginzburg, A.P. Levanyuk, A.A. Sobyanin // Ferroelectrics. 1987.V.73. P.171−182
  164. B.B. Случайные координационные деревья Кейли для сеточных мезоструктур кварцевых и металлических стекол/ В. В. Юдин, Т. А. Писаренко, Е. А Любченко, Е. Г. Савчук // Кристаллография. 1999. Т. 44, № 3. С. 413−421
  165. Р. Теория и свойства случайно неупорядоченных кристаллов и связанных с ними физических систем / Р. Эллиот, Дж. Крамхансл, П. Лис // В сб.: «Теория и свойства неупорядоченных материалов». М.: Мир. 1977. С.11−248
  166. И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М.:1984
  167. X. Частотная зависимость прыжковой проводимости в неупорядоченных системах / X. Бётггер X., В. В. Брыксин // ФТТ. 1976. Т.18. № 7. С.1888−1894
  168. И.М. Флуктуационные уровни в неупорядоченных системах / И. М. Лифшиц, С. А. Гредескул, Л. А. Пастур // Физика низких температур. 1976. № 2. С. 1093
  169. Ф.Г. Крупномасштабные флуктуации потенциала в плоских слоях с примесями / Ф. Г. Пикус, А. Л. Эфрос // ЖЭТФ. 1989. Т.96. № 9. С.985
  170. .И. Энергия активации прыжковой проводимости / Б. И. Шкловский, А.Л. Эфрос//ФТТ1.1979. Т.13. С.2192
  171. А.И. Активационная проводимость в неупорядоченных системах с большой длиной локализации / А. И. Ларкин, Д. Е. Хмельницкий // ЖЭТФ. 1982. Т.83. № 9. С.1140
  172. А.И. Квантовомеханическое туннелирование с диссипацией. Предэспоненци-альный множитель / А. И. Ларкин, Ю. Н. Овчинников // ЖЭТФ. 1984. Т.86, № 2. С.719
  173. В.М. Туннельные прыжки в неупорядоченной системе / В. М. Нгуен, Б.З. Спи-вак, Б. И. Шкловский //ЖЭТФ. 1985. Т.69. № 11. С. 1770
  174. Скал А. С. Топология бесконечного кластера в теории протекания и теория прыжковой проводимости /А.С. Скал, Б. И. Шкловский // ФТТ. 1974. Т.8, № 8. С. 1586−1592
  175. Дж. Поляроны / Дж. Аппель, Ю. А. Фирсов // М. 1975.423 с.
  176. .И. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред / Б. И. Шкловский, А. П. Эфрос // УФН. 1975. Т.117. С.401
  177. .И. Неомическая прыжковая проводимость // ФТП. 1976. Т. 10. №.8. С. 1440−1448
  178. С. Перколяция и проводимость // В сб. «Теория и свойства неупорядоченных материалов». М.: Мир. 1977. С.249−292
  179. Kirkpatric S. Percolation and Conduction // Rev. Mod. Phys. 1973. V.45. P.574−588
  180. .И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях // ФТП. 1979. Т.13. №.1. С.93−97
  181. АЛ. Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука. 1982.176 с.
  182. Hammersley J.M. Origins of Percolation Theory // In: Percolation Structures and Processes. Ann. Isr. Phys. Soc.1983. V.5. P.47−57
  183. Gurvich Yu.A. Non-Ohmic Conductivity in the Exponential Band Tail/ Yu.A. Gurvich, A.P. Melnikov, L.N. Shestakov, E.M. Gershenzon // Pis’ma v ZhETF. V.60. # 12. P.845−848
  184. A.M. Нелинейная проводимость неупорядоченной среды на пороге протекания / А. М. Сатанин, С. В. Хорьков, А. Ю. Угольников // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т.62. № 4. С.301−304
  185. В.В. Теория транспортных явлений в неупорядоченных твердых телах // ФТТ. 1984. Т.26, № 5. С.1362−1373
  186. В.Н. Частотная зависимость прыжковой проводимости в квазиодномерной системе с сильным беспорядком // ЖЭТФ. 1984. Т.86. № 1. С.242
  187. В.Н. Самосогласованный расчет прыжкового переноса в квазиодномерной системе с беспорядком / В. НЛригодин, А. Н. Самухин // ФТТ. 1984. Т.26. № 5. С.1344−1348
  188. В.В. Прыжковый перенос адиабатическими и неадиабатическими полярона-ми малого радиуса в неупорядоченных системах // В. В. Брыксин, А. Н. Самухин // ФТТ. 1986. Т.28. № 9. С.2737−2746
  189. В.И. Локальная модель полярона в сегнетоэлектрике / В. И. Носова, В. Н. Федосов // Изв. РАН. Серия физ. 1993. Т. 57, вып. 6. С. 125−127.
  190. Брыксин В. В. Частотная зависимость перескоковой проводимости двумерных неупорядоченных систем / В. В. Брыксин, П. Кляйнерт // ФТТ. 1995. Т.37, № 6. С.1637−1642
  191. А.М. Особенности прыжковой проводимости в висмутсодержащей оксидной слоистой керамике / А. М. Солодуха, З. А. Либерман // ФТТ. 2001. Т.43. № 11. С.1966−1968
  192. А.В. Самосогласованная теория локализации в пространствах с размерностью 2 < d < 4 / А. В. Мясников, Садовский М. В. // ФТТ. 1982. Т.24. №.12. С.3569−3574
  193. М.Д. Автолокализованные состояния носителей и диэлектрический гистерезис в неупорядоченных дипольных системах / М. Д. Глинчук, В. А. Стефанович, Л. Ястрабик // ФТТ. 1998. Т. 40. вып. 4. С. 722−727
  194. М.В. Локализованные состояния заряженной частицы в сегнетоэлектриче-ском кристалле / М. В. Белоненко, В. Немеш // Укр. Физ. Журн. 1999. Т. 44, № 7. С. 871−874
  195. Belonenko М.В. Localized polaron Type States in ferroelectrics-ferroelastics / M.B.Belonenko, E.N. Demushkina//Ferroelectrics. 2005. V. 316. P. 139−146
  196. B.C. Релаксорные свойства пленок, поверхностей и границ раздела: эффект поляронов малого радиуса / B.C. Вихнин, А. С. Сигов // Изв. АН. Сер. Физич. 2003. Т.67. № 8. С. 1139−1141
  197. А.С. Исследование особенностей диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических пленок ЦТС и ТБС. Автореф. Дисс. Канд. Физ.-мат. Наук. Волгоград. 2004.20 с.
  198. А.И. Самосогласованная теория локализации в узельном и волновом представлениях // УФН. 1996. Т. 166. № 7. С. 697−715
  199. Ф.И., Тимонин П. Н. Критическая динамика стекольного перехода в монокристаллах твердых растворов магнониобата-титаната свинца // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1993. Т.57. № 7. С.200−204
  200. Timonin P.N. Scailing theory of relaxation and dispersion in dipole- and spin-glasses // Ferroelectrics /1997. V.199. P. 95−101
  201. В.И. Эффект исключенного объема в статистике самоизбегающих блужданий. // УФН. 1994. Т164. № 6. С.561−601
  202. Л.Б. Иерархическая структура спинового стекла Эдвардса Андерсена / Л. Б. Иоффе, М. В. Фейгельман //ЖЭТФ. 1985. Т.89, № 2(8). Р.654−679.
  203. С.Л. Уравнение необратимого отклика в спиновых стеклах. // ЖЭТФ. 1983. Т.85, № 6(12). Р.2171−2184.
  204. С.Л. Неэргодичность и неравновесность спиновых стекол // ЖЭТФ. 1986. Т.90, № 2. С.754
  205. С.Л. Теория неэргодичности структурных стекол в квантовом случае. // ЖЭТФ. 1988. Т.94, № 9. С.235
  206. С.Л. Неэргодичность и неравновесность спиновых стекол в квантовом случае. // ЖЭТФ. 1989. Т.96, № 7. С.270
  207. Jonsher А.К. The Universal Dielectric Response: a Review of Data and Their New Interpretation. // Phys. Thin Films. 1990. V. 11. P.205−317
  208. Jonscher A.K. A new understanding of the dielectric relaxation of solids // J. Mat. Sci. 1991. V.26, № 6. P.1618−1655
  209. Jonscher A.K. Relaxation of Polarization // Appl. Phys. A. Solids and Surfaces. 1992. V.55. P.135−138.
  210. Jonscher A.K. Energy Criterion in the Interpretation of Dielectric Relaxation // Appl. Phys. A. Solids and Surfaces. 1993. V.56. P.405−408
  211. А.Л. О природе универсальных свойств аморфных твердых тел / А. Л. Бунин, Ю. Каган // ЖЭТФ. 1996. Т.109, № 1. С.299−324.
  212. В.М. Переходные процессы проводимости в керамике ВаТЮз на постоянном токе / В. М. Гуревич, И. С. Рез // ФТТ. 1960. Т.2. № 4. С. 673−678
  213. K3nzig W. Space Charge Layer Near the Surface of Ferroelectric // Phys. Rev. 1955. V.98. N2. P.549−550
  214. ВЛ. Роль кристаллической фазы и приэлекгродных слоев в процессе электрического старения ВаТЮз и SrTi03 / В. Я. Кунин, А. Н. Цикин, А. Шакиров // Электронная техника. Серия IX. Радиокомпоненты. 1968. № 4. С.74−80
  215. В.З. О природе внутренних полей в сегнетоэлектриках / В. З. Бородин, О. П. Крамаров, С. П. Кривцова и др.// Изв. АН СССР.Сер. Физич.1969.Т.ЗЗ.№ 7,С.1101−1105
  216. Borodin V.Z. Physical Properties and Structure of Surface Layers in Unipolar crystals of BaTi03 / V.Z. Borodin, E. Ya Schneider // Ferroelectrics. 1976. V.13. № 1−4. P.407−409
  217. Wurfel P. Depolarization Effects in Thin Ferroelectric Films / P. Wurfel, J.P. Batra // Ferroelectrics. 1976. V.12. N 1. P.55−61
  218. Борю дина B.A. Фазовые границы и явления экранирования в кристаллах ВаТЮз. АР Дисс. канд. Ростов-на Дону. 1985
  219. В.З. Униполярное состояние многоосных сегнетоэлектриков (на примере семейства пировскита). Дисс. докт. Ростов-на Дону. 1986
  220. В.З. Геометрия фазовой границы и особенности экранирования поля спонтанной поляризации в кристаллах ВаТЮз / В. З. Бородин, А.А. Corp, В. А. Бородина, Ю. Ф. Мальцев, И. Я. Никифоров // Изв. АН СССР.Сер. физ. 1975.Т.39. № 4. С.766−769
  221. С.Т. К вопросу об экранировании поля спонтанной поляризации носителями заряда в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ.1980.Т.78. № 1.С.412−419
  222. Шур В. Я. Экранирование спонтанной поляризации в германате свинца / В. Я. Шур,
  223. B.В. Летучев, Ю. А. Попов / ФТТ. 1982. Т.24. № 9. С.2854−2856
  224. Шур В. Я. Топография внутреннего поля в монокристаллах германата свинца / ВЛ. Шур, Ю. А. Попов, Г. В. Солдатов // ФТТ. 1983. Т.25. № 1. С.265−267
  225. Шур В. Я. Доменная структура одноосных сегнетоэлектриков и процессы экранирования. АР дисс— докт. физ.-мат наук. Свердловск. 1990
  226. Shur V.Ya. Dynamics of Plane Domain Walls in Lead Germanate and Gadolinium Molyb-date / V.Ya. Shur, A.L. Gruverman, V.P. Kuminov, N.A. Tonkachyova // Ferroelectrics.1990. V.lll. P.197−206
  227. В. Образование домена и движение доменной стенки в сегнетоэлектрическом монокристалле // В сб. «Физика диэлектриков». М.: Изд-во АН СССР. С.286−289.
  228. Merz W.G. Domain Formation and Domain Wall motions in Ferroelectric ВаТЮз single crystals // Phys. Rev. 1954. V.95. № 3. P.690−698.
  229. Merz W.G. Domain Properties in BaTi03 // Phys. Rev. 1952. V.88, № 2. P.421−422.
  230. Janovec V. Anti-parallel Ferroelectric Domains in Surface Space-Charge Layers ofBaTi03// Csech. J. Phys. 1959. V.9. № 4. P.468−480
  231. Dvofak V. On Surface Layers in BaTi03 Single Crystals // Csech. J. Phys. 1959. V.9. № 6. P.710−716
  232. Montegi H. The Surface Layer in Barium Titanate Single Crystal / H. Montegi, S. Hoshino // J. Phys. Soc. Jap. 1970.V.29. N 1. P. 202−209
  233. В.П. О поверхностном слое титаната бария / В. П. Дудкевич, И.Н. Захар-ченко, B.C. Бондаренко и др. // Кристаллография. 1973. Т.18. № 5. С.1095−1097
  234. Н.А. О причинах ориентирования нематических жидких кристаллов на поверхности скола триглицинсульфата / Н. А. Тихомирова, Л. И. Донцова, С. А. Пикин, А. В. Гинзберг, П. В. Адоменас // Кристаллография. 1978. Т.23. № 6. С.1234−1247
  235. Л.И. Дефекты и их роль в процессах переполяризации и формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках / Л. И. Донцова, Н. А. Тихомирова, Л. А. Шувалов // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 1. С.158−175
  236. Л.И. Доменная структура и процессы 180°-ной переполяризации модельных сегнетоэлектриков. Дисс. Д-ра физ.-мат. Наук. Воронеж. 1991
  237. Е.Г. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов / Е. Г. Фесенко, В. Г. Гавриляченко, А. Ф. Семенчев // Ростов-на-Дону.: РГУ.1990.186 с.
  238. .М. Формирование доменной структуры в сегнетоэлектрических пленках со свободными носителями заряда / Б. М. Даринский, А. П. Лазарев, А. С. Сидоркин // Кристаллография. 1991. Т.36, № 3. С.757−758.
  239. Robels U. Domain Wall Clamping in Ferroelectrics by Orientation of Defects / U. Robels,
  240. G. Arlt//J. Appl. Phys. 1993.V.73 (7). P.3454−3460
  241. A.B. К теории полей деполяризации в сегнетоэлектрических кристаллах конечной толщины/А.В. Турик, Е. И. Бондаренко // В кн.: Титанат бария. М.: наука. 1973. С.127−132
  242. Г. В. Исследование термодеполяризационного эффекта в сегнетоэлектриках / Г. В. Смоленский, А. И. Таганцев, А. Л. Холкин и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1983.Т.47. № 3.C.598−603
  243. Bursian E.V. The Correlation of Parameters Characterizing the Phase Transition and Electronic Processes in Some Ferroelectrics / E.V. Bursian, J.G. Girshberg, A.V. Buzhnikov // Ferroelectrics. 1976. V.13. N1−4. P.371
  244. И.И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков // ФТТ. 1961. Т.З. № 12. С.3731−3742
  245. Г. М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г. М. Гуро, И. И. Иванчик,
  246. H.Ф. Ковтонюк// ФТТ. 1968. Т.10. № 1. С.135−143
  247. Г. М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г. М. Гуро, И. И. Иванчик, Н. Ф. Ковтонюк // В кн.: Титанат бария. М.: Наука. 1973. С.71−77
  248. .В. Поверхностные уровни сегнетоэлектрических кристаллов // Кристаллография. 1974. Т. 19. № 2. С .221−227
  249. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир. 1977.562 с.
  250. А.М. Вероятность локализации электрона на глубоких уровнях в неупорядоченной системе // ФТТ. 1982. Т.24. № 5. С1340−1396
  251. С. Поверхностные (таммовские) состояния / С. Дэвисон, Дж. Левин // М.: Мир. 1973.232 с.
  252. В.М. Система джозефсоновских контактов как модель спинового стекла /
  253. B.М. Винокур ДБ. Иоффе, А. И. Ларкин, М.В. Фейгельман//ЖЭТФ. 1987.Т.93,№ 7. С.343
  254. Шульвас-Сорокина Р.Д. К вопросу о времени релаксации в кристаллах сегнетовой соли//ЖЭТФ. 1937.Т.7. № 12. С.1440−1447
  255. Э.С. Электрические свойства сегнетовой соли при двухчастотном воздействии / Э. С. Попов, С. Л. Рапопорт, А. В. Шилышков // Изв. АН СССР, сер. Физ. 1967. Т. 31. № 7.1. C.1199−1201
  256. А.В. О различии механизмов движения доменных стенок в кристаллах сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точек Кюри / А. В. Шильников, Э. С. Попов, C.JI. Рапопорт//Кристаллография. 1969. Т. 14. № 6. С. 1028−1032
  257. А.В. О диэлектрических свойствах кристаллов сегнетовой соли в низкочастотных полях различных амплитуд / А. В. Шильников, Э. С. Попов, СЛ. Рапопорт, JI.A. Шувалов // Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970.С.106−125
  258. Э.С. К вопросу о переполяризации сегнетоэлектриков в слабых переменных полях / Э. С. Попов, СЛ. Рапопорт // Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970. С.45−54
  259. А.В. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах сегнетовой соли / А. В. Шильников, Э. С. Попов, СЛ. Рапопорт, JI.A. Шувалов // Кристаллография. 1970. Т. 15. № 6. С.1176−1181
  260. Gurk P. Contribution of Domain Wall Motion to the Permittivity Rochelle Salt // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V.10. P.407−414
  261. Unruh H.-G. Rash ablufende ferroelectrische Nachwirkungserschei-nungen / H.-G. Unruh, H. Muser // Z. angew. Phys. 1962. Bd.14. H.3−5. S.121−125
  262. Unruh H.-G. Uber Gitterfehler, ferroelektrische Nachwirkungserscheinungen und dielec-trische Relaxation in Seignettesalz // Z. angew. Phys.1963. Bd.16. H.5. S.315−324
  263. Unruh H.-G. On the Influence of Crystal Defects upon Ferroelectric Properties // Europ. Meet. On Ferroel. Saarbrucken. Stuttgart. 1970. P. 167−180
  264. Ramires R. Low-frequency response of Rochelle Salt near the upper Curie point / R. Ramires, C. Prieto, J.A. Gonsalo // Acta Phys. Polon. 1987. A.72. N 5. P.659−663
  265. Fousek J. Relaxation of 90° Domain Walls of ВаТЮз and their Equation of Motion / J. Fousek, B. Brezina//J. Phys. Soc. Jap. 1961. V.19. N 6. P.830−838
  266. Я. Частотные зависимости движения 90°-ных доменных стенок в титанате бария / Я. Фоусек, Б. Бржезина // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1964. Т.28. Т 4. С.717−721
  267. Fousek J. The Contribution of Domain Walls to the Small-Signal Complex Permittivity of BaTi03 // Chechosl. Phys. B. 1965. V.15. N.6. P.412−417
  268. Lawless W.N. Small-Signal Permittivity of the Stationary (100)-180° Domain Wall in ВаТЮз / W.N. Lawless, J. Fousek // J. Phys. Soc. Jap. 1970. V.28. N 2. P.419−424
  269. A.B. Влияние доменной структуры на СВЧ-дисперсию в монокристалле тита-ната бария // В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Вып. 2. Новочеркасск. 1975
  270. Taurel L. Etude de revolution du cours du temps d’un monocristal de sulfate de glycogole / L. Taurel, P. Lauginie // C.R. Acad. Sci. 1961. V.253 B. N.22. P. B2511-B2513
  271. Giletta F. Etude ultramicroscopique de sulfate de glycogole // C.R. Acad. Sci. 1966. V.263 B. N.19. P. B1071-B1072
  272. Giletta F. Relaxation dielectrique daus les cristaux de sulfate de glycogole multidomains / F. Giletta, P. Lauginie, L. Taurel // C.R. Acad. Sci. 1970. V.270 B. N. l P.B94-B96
  273. Giletta F. Dielectric Relaxation in Multi-Domain TGS Single Crystals // Phys. State Sol. (a). 1972. V.12. P.143−151
  274. Fousek J. The Contribution of Domain Wall Oscillations to the Small-Signal Permittivity of Triglycine Sulfate / J. Fousek, V. Janousek // Phys. Stat. Sol. 1966. V.13. P.195−206
  275. B.M. Релаксация доменных стенок в триглицинсульфате / В. М. Петров, О. И. Коган // Кристаллография. 1970. Т.15. № 5. С.1018−1021
  276. А.В. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных кристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфата калия. АР. Дисс. канд. физ.-мат. Наук. Воронеж. 1972
  277. Dudler R. Dielectric Behavior of Pure BaTi03 at Ultra Low Frequences / R. Dudler, J. Albere, H. Miirser//Ferroelectrics. 1978. V. 21. N. 1−2. P.381−383
  278. JI.H. Динамика доменов и диэлектрические свойства кристаллов ТГС в синусоидальных электрических полях/Л.И. Донцова, Л. Г. Булатова, А. В. Шильников, Н.А. Тихомирова// Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1986. С. 123−139.
  279. А.М. Об одном механизме низкочастотной диэлектрической проницаемости в сегнетоэлектриках / A.M. Савин, Э. С. Попов, А. В. Шильников // ФТТ. 1986. Т.28. № 8. С. 2470−2473
  280. Kamysheva L.N. Dielectric relaxation in ferroelectric TGS / L.N. Kamysheva, A.S. Sidorkin, S.D. Milovidova // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V.84. P. K115-K120
  281. Л.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации в кристалле ТГС / Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, Т. Н. Панкова // Вопросы физики формообразования и фазовых превращений. Калинин. 1985. С.151−156
  282. С.А. Вклад динамики доменных границ в диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектриков в окрестности точки Кюри / С. А. Гриднев, Б. М. Даринский, В. Н. Федосов // Физика и химия обработки материалов. 1979. № 1. С. 117−120
  283. С.А. Механизм низкочастотных диэлектрических потерь вблизи точек фазовых переходов П рода. / С. А. Гриднев, Б. М. Даринский, В. Н. Нечаев // ФТТ. 1981. Т.23. № 8. С.2474−2477.
  284. С.А.Гриднев. Температурные изменения порогового поля диэлектрических потерь триглицинсульфата / С. А. Гриднев, В. Н. Нечаев, В. М. Попов, Л. А. Шувалов // ФТТ. 1985. Т.27.№ 1.С.З-7.
  285. Ю.Камышева Л. Н. Особенности поляризационных свойств дигидрофосфата цезия, обусловленные наличием доменной структуры / Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, А. С. Сидоркин, Ю. С. Бухман // Кристаллография. 1981. Т.26. № 1. С.540 545
  286. Kamysheva L.N. The «freezing» of regularities of the domain structure in the CDP crystal resulting from the structural reconstruction of the domain walls / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin, A.S. Sidorkin // Ferroelectrics. 1981. V.33. P.37−40
  287. Л.Н. Диэлектрическая релаксация кристаллов KDP и CDP. // Сегнетоэлек-трики и пьезоэлектрики. Калинин. 1982. С.48−52.
  288. Kamysheva L.N. Dielectric relaxation in crystals of kh2po4 group / L.N. Kamysheva, A.S. Sidorkin//Ferroelectrics. 1984. V.55. P.205−208
  289. JI.H. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2РО4/Л.Н. Ка-мышева^А.С. Сидоркии, И.Н. Зиновьева//Изв.АН СССР.Сер.физ. 1984. Т.48. № 6. С. 1057−1060
  290. Kamysheva L.N. The reguliriaties of the electrophysical properties of the KDP group crystals connected with the domain structure dynamics / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin // Ferroelectrics. 1987. V.71.P. 281−296
  291. JI.H. Макроскоскопические свойства совершенных и дефектных водород-содержащих монокристаллов сегнетоэлектриков, связанные с доменной структурой. АР Дисс. докг. Физ.-мат. Наук. Воронеж. 1987
  292. С.А. Сегнетоэлектрические кристаллы группы КН2РО4 / С. А. Гриднев, JI.H. Камышева, А. С. Сидоркин // Воронеж. 1981.116 с.
  293. З/P.Kuramoto К. Domain freezing of КН2РО4 single crystal / К. Kuramoto, H. Modegi, E. Na-kamura // Japan. J. Appl. Phys. 1985. V.24, Suppl. 24−2. P.562−564
  294. .Н. Медленные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и сегнето-эластиках: Автореф. Дис. Д-а физ.-мат. Наук/ ВПИ. Воронеж. 1992.28 с.
  295. .Н. Релаксационные явления в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках, обусловленные динамикой доменных границ// Изв.АН.Сер Физ. 1993. Т.57. № 6. С. 57−60.
  296. А.В. Доменные процессы в кристалле SrxBai.xNb206 в широком интервале амплитуд низко- и инфранизкочастотных полей/А.В. Шильников, А. И. Бурханов, Р.Э. Уза-ков, М. А. Шуваев, В. И. Сильверсгов // Изв. АН, сер. Физ. 1995. Т.59. № 9. С. 65−68
  297. KrUger G. Domain Wall Motion Concept to Describe Ferroelectric Rhombohedral PLZT Ceramics // Ferroelectrics. 1976. V. l 1. N 5−6. P.41722
  298. A.B. Об ориентационном вкладе в диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие постоянные сегнетокерамики / А. В. Турик, А. И. Чернобабов // ЖТФ. 1977. Т.47. № 9. С.1944−1948
  299. А.В. Об ориентационном вкладе в физические константы поликристаллических сегнетоэлектриков / А. В. Турик, А. И. Чернобабов // В кн.: Актуальные проблемы современной физики сегнетоэлектрических явлений. Калинин: КГУ. 1978. С.165−173
  300. Arlt G. Complex Elastic, Dielectric and Piezoelectric Constants by Domain Wall Damping in Ferroelectic Ceramics / G. Arlt, H. Dederichs/ZFerroelectrics. 1980. V.29. N 1−2, P. 47−50
  301. Herbiet R. Domain Wall and Volume Contributions to Material Properties of PZT Ceramics / R. Herbiet, U. Robels, H. Dederichs, G. Arlt // Ferroelectrics. 1989. V.98. P.107−121
  302. Dederichs H. Aging of Fe-Doped PZT Ceramics and the Domain Wall Contributions to the Dielectric Constant/H. Dederichs, G. Arlt//Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281−292
  303. А.И. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (1-х) PMN-xPZT / А. И. Бурханов, А. В. Шильников, А. В. Сопит, А. Г. Лучанинов // ФТТ. 2000. Т.42.вып. 5. С. 910−916
  304. Burkhanov АЛ. Dielectric memory effect of (Mn, Fe, Co, Cu, Eu) doped PLZT ceramics / A.I. Burkhanov, A.V. Shilnikov // Ferroelectrics. 1992. V. 131. P.267−273
  305. M.C. Вклад доменов в диэлектрическую проницаемость триглицинсульфата. I. Влияние условий выращивания / М. С. Цедрик, Г. А. Заборовский // Свойства и структура газов, жидкостей и твердых тел. Минск. 1974. С.27−35.
  306. М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Минск.: Наука и техника. 1986 г. 216 с.
  307. В.А. Влияние примесей и ядерных излучений на электрические свойства некоторых сегнетоэлектриков. АР дисс. канд. Физ.-мат. Наук. М. 1963
  308. ЗЗ^.Желудев И. С. Некоторые физические свойства кристаллов сегнетовой соли, подвергшейся радиоактивному облучению / И. С. Желудев, В. А. Юрии // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1960. Т.24. № 11. С. 1334−1336.
  309. В.Е. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата с примесью а-аланина / В. Е. Мудрый, В. А. Юрин // В Сб.: Сегнетоэлектрики и пье-зоэлектрики. Калинин: КГУ. 1977. С.49−55
  310. С.П. Радиацонная физика сегнетоэлектриков типа титаната бария / С. П. Соловьев, Кузьмин // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1970. Т.34. № 12. С. 2604−2611
  311. Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент: «ФАН» УзССР.1986.140 с. Пещиков Е. В. Влияние несовершенств структуры на свойства кристаллов Ташкент: ФАН, УзССР. 1979.114 с.
  312. Lauginie P. Dielectric constant of triglycine sulfate // Proc. Intern. Meet Ferroel. Prague. 1966. V.2. P. 76−80
  313. Hilczer B. Effect of X- and y- radiation on the switching processes in triglycine sulfate // Proc. Intern. Meet. Ferroel. Prague. 1966. V.2. P. 155−158
  314. Pawlaczyk Cz. Influence of Radiation Defects on Dielectric Dispersion of Triglycine Sulfate / Cz. Pawlaczyk, G. Luther// Fizika Dielektrikow i Radiospectroskopia. 1976. V.VIII. P.175−188
  315. Pawlaczyk Cz. Influence of Crystal Lattice Defects on Ferroelectric Dispersion of Triglycine Sulfate / Cz. Pawlaczyk, G. Luther, H. Murser // phys. Stat. sol. (b). 1979. V.91. P.629−631
  316. Pawlowski A. Influence of Radiation Defects on the Critical Behaviour Triglycine Sulfate Single Crystals // Fizika dielektrikov i radiospektroskopia.1977. V.9 N 2. P.223−228 Hilczer В., Pawlowsky A. // Ferroelectrics. 1980 V.25. P.487−490
  317. Ч. Диэлектрическая аномалия в точке Кюри реальных сегнетоэлектриков // Изв. АН СССР Сер. Физич. 1991. Т.55. № 3. С.448−456
  318. Kamysheva L.N. The influence of defects on the process of polarization relaxation in TGS crystals / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin, O.M. Serdyuk II Phys.Stat.Sol.(a).1986.V.97.P.K29-K34
  319. Stankowska J. Correlation between the domain structure and dielectric properties of the TGS crystall // Ferroelectrics. 1978. V.22. P.753−754.
  320. JI.H. Импульсная переполяризация сегнетоэлектрического кристалла CDP/ JI.H. Камышева, С. Н. Дрождин, Ю. С. Золоторубов, О. А. Косарева // Изв. РАН СССР. Сер. Физич. 1995. Т.59. № 9. С.81−84
  321. Л.И. Особенности самопроизвольного движения доменных стенок в монокристаллах триглицинсульфата и титаната бария / Л. И. Донцова, Э. С. Попов // В сб. Физика диэлектриков и полупроводников. 1978. Волгоград: ВПИ. С. 106−115
  322. Малиново кий В.К. О релаксационных токах в твердых телах / В. К. Малиновский, Б. И. Стурман // ЖЭТФ. 1980.Т.79. вып.1/7. С.207−215
  323. Malinovski V.I. Relaxation Currents in Nonequilibrium Ferroelectric Crystal TGS / V.I. Ma-linovski, S.V. Mednikov, L.A. Shuvalov, V.I. Sturman, T.R. Volk // Ferroelectrics. 1981. V.39. N •A P.1209—1216
  324. Michalczyk M. Wplyw defectow wprowadzonych pzer napromieniownie na przewodnicino elektryczne siarczanie troiglicyny / M. Michalczyk, B. Hilczer // Fizika Dielektrikow i Radiospectroskopia. 1977. VJX. P. 217−222
  325. Hilczer B. Electric conductivity of TGS, pure and with lattice defects / B. Hilczer, M. Michalczyk // Ferroelectrics. 1978. V. 22. P.721−723
  326. Meyer K.R. Domain Structure Investigations in Triglycine Sulfate Single Crystals / K.R. Meyer, Cz. Pawlaczyk, B. Hilczer, R. Scoz// Kristall und Technik. l975.V.10,N 7.P.759−764
  327. Milovidova S.D. Electret Effect in Triglycine Sulfate / S.D. Milovidova, N.D. Gavrilova, L.N. Kamisheva, V.K. Novik // Ferroelectrics. 1978 V.17. P.103−104
  328. Fletcher S.R. Structural Studies of Triglycine Sulfate. Part I: Low Radiation Dose (Structure A) / S.R. Fletcher, E.T. Keve, A.C. Scapski // Ferroelectrics. 1976. V.14. P.775 -778
  329. Fleteher S.R. Structural Studies of Triglycine Sulfate. Part П: After X-irradiation Field Treatment (Structure B) / S.R. Fletcher, E.T. Keve, A.C. Scapski//Tem>electrics.l976.V.14.789−799
  330. А.И. Долговременная кинетика активационных спектров пострадиационной релаксации в стеклах / А. И. Гусаров, А. Д. Дмитрюк, А. Н. Кононов, В. А. Машков // ЖЭТФ. 1990. Т. 97. № 2. С.525−540
  331. С.В. Релаксационные токи и униполярность в некоторых полярных диэлектриках. Автореф. Дисс. Канд. Физ.-мат. Наук. М. 1983
  332. В.А. К вопросу о природе униполярности сегнетоэлектрического триглицинсульфата / В. А. Мелешина, И. С. Рез // Изв. АН СССР, сер. Физ. 1964.Т. 28. № 4. С.735−740
  333. С.З. Процессы образования и стабилизации парамагнитных радиационных дефектов в у-облученных кристаллах ТГС / С. З. Шульга, А. П. Демьянчук // Журн. Прикл. Спектроскопии. 1980. Т.22, вып. 2. С.307−312
  334. Volk T.R. Relaxation Currents in Ferroelectrics / T.R. Volk, S.V. Mednikov, L.A. Shuvalov //Ferroelectrics. 1982. V.43. N P. 163−169
  335. Tikhomirova N.A. Study of Domain Dynamics in TGS using nematic liquid crystals / N.A. Tikhomirova, L.I. Dontsova, A.V. Shilnikov // Ferroelectrics. 1980. V. 29. N 1−2, P. 51−53
  336. H.A. Динамика доменной структуры коллинеарных сегнетоэлектрических кристаллов / Н. А. Тихомирова, JI.A. Шувалов, Л. И. Донцова, Л. Г. Булатова, Л. З. Потиха // Кристаллография. 1986. Т. 31. № 11. С. 1151−1159
  337. Л.И. Общие закономерности в формировании доменной структуры чистых и примесных кристаллов ТГС / Л. И. Донцова, Н. А. Тихомирова, Л. Г. Булатова, Р. В. Корина // Кристаллография. 1988. Т. 33. № 2. С. 450−458
  338. Л.И. Дефекты в облученных кристаллах триглицинсульфата / Л. И. Донцова, Н. А. Тихомирова, В. И. Дорогин, Л. И. Черкасова // Труды Всес. Конф. «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» Александров: ВНИИСИМС. 1990.Т.2. С.48−55
  339. Л.И. Доменная структура и процессы 1Ш°-ной переполяризации модельных сегнетоэлектриков. Дисс. Д-ра физ.-мат. Наук. Воронеж. 1991.
  340. .В. Проявление внутреннего поля в кристаллах ТГС / Б. В. Селюк, Н.Д. Гаври-лова, В. К. Новик // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. Т.39. № 5. С. 1052−1066
  341. Ч. Влияние радиационных дефектов на внутреннее смещающее поле в кристаллах триглицинсульфата / Ч. Павлячик, А. Павловский, Б. Хильчер // Кристаллография. 1979. Т.24. № 5. С.1076−1078
  342. Arlt G. Internal bias in ferroelectric ceramics: origin and time dependence / G. Arlt, H. Neumann//Ferroelectrics. 1988 V.87. P.109−120
  343. Lohkamper R. Internal bias in acceptor-doped ВаТЮз ceramics: Numerical evaluation of increase and decrease/R.Lohkamper, H. Neumann, G. Arlt// J.Appl.Phys.1990. V.68, № 8. P.4220−4224
  344. Kittel C. Domain Boundary Motion in Ferroelectric Crystals and the Dielectric Constant at High Frequency // Phys. Rev. 1951. V.83. N 2. P.458
  345. Kittel C. Ferromagnetic Domain Theory / C. Kittel, J.K. Gait // Solid State Phys. NY: Acad. Press INC. Publ. 1956. V.3. P.437−564
  346. Д.Г. Дисперсия в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ. 1961. Т.41. № 1. С.133−138
  347. Д.Г. К теории движения доменных границ в сегнетоэлектриках // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1964. Т.28. № 4. С.703−707
  348. Д.Г. К феноменологической теории переменных во времени процессов в с сегнетоэлектриках и ферритах. АР дисс. канд. фнз.-мат. наук. М.1962
  349. Mazur J. The Temperature Hysteresis of Electric Permittivity of TGS Single Crystals / J. Mazur, A. Jaskiewicz // Acta Physica Polonica. 1968. F.5(l 1). P.859−865
  350. .Д. Изгибные колебания доменных стенок и диэлектрическая дисперсия в сегнетоэлектриках // ФТТ. 1973. Т.15. № 1. С.93−102
  351. В.В. Динамическая поляризация и потери в сегнетоэлектриках / В. В. Демьянов, С. П. Соловьев // ЖЭТФ. 1968.Т.54.№ 5. С.1543−1553
  352. .М. Движение 180° доменной границы в сегнетоэлектриках типа перов-скита/Б.М. Даринский, В.Н. Федосов// Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1971. Т.35. № 9. С.1795−1797
  353. В.Н. Квазиупругие смещения доменных границ в сегнетоэлектриках / В. Н. Федосов, А. С. Сидоркин // ФТТ. 1976. Т. 18. № 6. С.1661−1668
  354. А.С. Влияние подвижных точечных дефектов на процессы переполяризации сегнетоэлектриков / А. С. Сидоркин, В. Н. Федосов // ФТТ. 1977. Т.19. № 6. С.1756−1759
  355. В.Н. Влияние двумерного упорядочения на подвижность доменных границ /
  356. B.Н. Федосов, А. С. Сидоркин // ФТТ. 1977. Т.19. № 8. С.1323−1326
  357. В.Н. Стационарное движение узких сегнетоэлектрических стенок // ФТТ. Т.21.№ 4.1979. С.983−986
  358. .М. Межфазная граница в сегнетоэлектриках / Б. М. Даринский, В. Н. Нечаев, В. Н. Федосов // ФТТ. 1985. Т.27. №. С.1129−1132
  359. А.С. Строение доменных границ в сегнетоэлектриках с точечными заряженными дефектами / А. С. Сидоркин, Б. М. Даринский // ФТТ. Т. 28. № 1.1986. С. 285−288
  360. .М. Фононный механизм торможения 90°-ных доменных границ в сегнетоэлектриках / Б. М. Даринский, С. К. Гурков // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. Т.39. № 4.1. C.682−685
  361. А.Г. Пьезоэлектрический эффект в неполярных гетерогенных сегнетоэлектрических материалах: ВолгГАСА. Волгоград, 2002.277 с.
  362. Mason W.P. Piesoelectric Crystals and Their Applications in Ultrasonics. 1964. New York: Van Nostrand Company. P. 234−254
  363. Tagantsev A.K. Permittivity Enhancement Due to Domain Walls Interacting with Repulsive Defects / A.K. Tagantsev, J. Fousek// Ferroelectrics. 1999. V. 221. P. 193−198
  364. В.Н. О динамике доменных границ в сегнетоэлектриках и ферромагнетиках / В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин // ФТТ. 1988. Т.30. № 6. С.1908−1910
  365. В.Н. Об обобщенном выражении для конфигурационной силы, действующей на границу доменов в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках / В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин // ФТТ. 1988. Т.30. № 8. С.2286−2291
  366. В.Н. Динамическая теория границ доменов и межфазных границ в сегнетоэла-стиках/В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин//Изв. АН СССР. Сер.физич. 1989. Т.53. № 7. С.1267−1275
  367. Nechaev V.N. The dynamic theory of domain boundaries in ferroelectrics and ferromagnetics / V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin // Ferroelectrics. 1989. V.98. №½. P.253−270.
  368. В.Н. Микроскопическая динамическая теория границ доменов и межфазных границ в сегнетоэлектрических кристаллах. / В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин // Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1990. Т.54. № 4. С.637−647.
  369. В.Н. Об изгибных колебаниях 90° границ в сегнетоэлектриках. // ФТТ. 1990. Т.32. № 7. С.2090−2093.
  370. Nechaev V.N. Bending vibrations of domain boundaries in ferroelectrics and ferroelastics. / V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin, V.V. Dezhin // Ferroelectrics. 1990. V. l 11. P.133−140.
  371. B.H. Об изгибных колебаниях межфазных границ в кристаллах / В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин // ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. № 3. С.719−724.
  372. В.Н. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках-сегнетоэлектриках / В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин // Изв. РАН. Сер. Физ. 1995. Т.59. № 9. С.11−25
  373. .М. Колебания доменных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках с точечными дефектами / Б. М. Даринский, А. С. Сидоркин, А. М. Косцов // Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1991. Т.55. № 3. С.583−590
  374. Darinskii B.M. The interaction between a dislocation and domain in ferroelastics / B.M. Darinskii, V.N. Nechaev, A.M. Perevosnikov // Ferroelectrics. 1983. V.48. № 1−2-3. P.17−20.
  375. В.Н. Взаимодействие дислокации с доменной границей в сегнетоэлектрике // ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. № 5. С. 1563−1568.
  376. И.В. Влияние упругих полей точечных дефектов на физические свойства вещества / И. В. Илларионов, В. Н. Нечаев // Изв. Вузов. Физика. 1985. № 10. С.91−94.
  377. Darinskii В.М. The Interaction Energy between a Charge and a Ferroelectric Domain Wall / B.M. Darinskii, V.N. Nechaev, V.N. Fedosov // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V.59 № 2. P.701−705.
  378. Nechaev V.N. On the generalized expression of the configuration force acting on the interfaces and domain boundaries of ferroelectric polycrystals / V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin // Ferroelectrics. 1989. V.90. №½/34. P.29−34.
  379. Ю.Чернышева M.A. Механическое двойникование в кристаллах сегнетовой соли // Докл. АН СССР. 1950. Т.74. № 2. С.247−249
  380. М.А. Влияние электрического поля на двойниковое строение кристаллов сегнетовой соли // Докл. АН СССР. 1951. Т.81. № 6. С.1065−1068
  381. C.JI. Исследование переполяризации сегнетовой соли: Дисс. Канд. Физ.-мат. Наук. 1948.114 с.
  382. Э.С. Процессы переполяризации монокристаллов титаната бария при двух частотном воздействии / Э. С. Попов, C.JI. Рапопорт // Кристаллография. 1968. Т. 13. С.278−283
  383. Л.И. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС / Л. И. Донцова, Л. Г. Булатова, Э. С. Попов и др. // Кристаллография. 1982. Т. 27. № 2. С. 305
  384. А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит. 2000.240 с.
  385. Н.С. Строение межфазных границ между доменами в KDP / Н.С. Афони-кова, И. М. Шмытько // XI Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Т.2. Киев. 1986. С. 268
  386. А.В. Релаксационная поляризация и структурный беспорядок в сегнетоэлектриках / А. В. Турик, Н. Б. Шевченко // В кн.: Сегнетоэлектрики. Р/Д: Изд-во Рост. ун-та. 1983.
  387. Robels U. Shift and Deformation of Histeresis Curve of Ferroelectrics by Defects: An Electrostatic Model / U. Robels, J.H. Calderwood, G. Arlt // J. Appl. Phys. 1995.V.77 (8). P.4002−4008
  388. Gridnev S.A. Influence of electron conductivity on internal friction. / S.A. Gridnev, B.M. Darinskii, V.N. Nechaev // Ferroelectrics. 1982. V.46. № 1−2. P.5−11.
  389. А.В. Инфранизкочастотная дисперсия в титанате свинца / А. В. Турик, В Л. Мащенко, Г. И. Хасабова, АД. Феронов // ФТТ. 1975. Т. 17. вып. 8. С. 2389−2 391 421 .Kittel С. Theory of Antiferroelecric Crystals //Phys. Rev. 1951. V.82. N 5. P.729−732
  390. А.П. Феноменологическая теория сегнетоэлектрического фазового перехода / А. П. Леванюк, Д. Г. Санников // ФТТ. 1970. Т. 12. № 10. С.2993−3000
  391. Д.Г. Термодинамическая теория структурных фазовых переходов различного типа на примере сегнетоэлектриков. АР дисс. докт. физ.-мат. наук. М.1981
  392. Aizu К. Possible species of ferroelectric crystals and of simultaneousely ferroelectric and ferroelastic crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1969. V.27. N 2. P.387−396
  393. Subkinds of the 22 kinds of ferroelectrics, complexity in the narrower sense, and ferro-antiferroelectric phase formations // J. Phys. Soc. Jap. 1966. V.21. № 3. P.2154−2167
  394. B.A. Доменные стенки, антифазные границы и дислокации в кристаллах молибдата гадолиния / В. А. Мелепшна, ВЛ. Инденбом, Х. С. Багдасаров, Т. М. Полховская // Кристаллография. 1973. Т. 18, вып. 6. С.1218—1226
  395. Dvof3k V. A Thermodynamic Theory of gadolinium molybdate // Phys.Stat. Sl.(b). 1971. V.46. P.763−772
  396. А.П. Несобственные сегнетоэлектрики / А. П. Леванюк, Д. Г. Санников // УФН. 1974. Т.112. № 4. С.561−589
  397. И.С. Сегнетоэлектрические фазовые переходы и симметрия кристаллов / И. С. Желудев, Л. А. Шувалов // Кристаллография. 1956. Т.1. № 6. С. 681 Желудев И. С. Симметрия и ее приложения. М.: Атомиздат. 1973.472 с.
  398. К. Ренормализационная группа и 8-разложение/К.Вильсон, Дж. Когут//М.1975
  399. Н.Н. Приложение ренормализационной группы к улучшению формул теории возмущений / Н. Н. Боголюбов, Д. В. Широков // ДАН СССР. 1955. Т.103.№ 3. С.391
  400. Д.В. Ренормгруппа и функциональная автомодельность в различных областях физики // ШФ. 1984. Т.60. С.218
  401. L.P. // Physics.1966. V.2.P.263
  402. Toledano J.C. Order Parameter Symmetries and Free Energy Expansions for Purely Ferroelectric Transitions / J.C. Toledano, P. Toledano H Phys. Rev. В. 1980. V.21. N 3. P. 1139−1172
  403. Ю.М. Термодинамическая теория фазовых переходов. Ростов: Изд. Рост. Унта. 1982.
  404. Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария. Рига: Зинатне. 1971.225 с.
  405. Д.Г. Феноменологическая теория фазовых переходов в сегнетовой соли // ФТТ. 1978. Т.20. № 10. С.2994−3001
  406. Е.Б. Сегнетова соль система с «двойной» критической точкой / Е. Б. Крюкова, А. А. Собянин // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1987. Т.51. № 12. С.2090−2097
  407. А.П. Влияние дефектов на свойства сегнетоэластиков вблизи точек фазовых переходов/А.П. Леванюк, А.С. Сигов//Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1979. Т.43. № 8. С.1561−1566
  408. А.П. Влияние дефектов на свойства сегнетоэлектриков и родственных материалов вблизи точки фазового перехода второго рода / А. П. Леванюк, А. С. Сигов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1981. Т.45. № 9. С.1640−1645
  409. А.П. Аномалии термодинамических величин дефектами вблизи точки фазового перехода в системе с дефектами типа случайная температура / А. П. Леванюк, Б.В. Мо-щинский, А. С. Сигов // ФТТ. 1981. Т.23. № 7. С.2037−2041
  410. А.П. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов / А. П. Леванюк, В. В. Осипов, А. С. Сигов, А. А. Собянин // ЖЭТФ. 1979. Т.76. № 1. С.345−368
  411. Н.В. Термодинамические свойства кристаллов с поляризованными дефектами вблизи точки фазового перехода / Н. В. Грабинский, А. П. Леванюк, А. С. Сигов // ФТТ. 1982. Т.24. № 7. С.1936−1946
  412. Н.И. Поляризованные дефекты и аномалии свойств кристаллов при фазовых переходах / Н. И. Лебедев, А. П. Леванюк, А. С. Сигов //ЖЭТФ. 1983. Т.25. № 10. С.1423−1436
  413. А.И. Точечный дефект вблизи точки структурного перехода / А. И. Морозов, А. С. Сигов // ФТТ. 1983. Т.25. № 5. С.1352−1356
  414. Н.И. Дефекты вблизи точек фазовых переходов: приближение квазиизолированных дефектов / Н. И. Лебедев, А. П. Леванюк, А. И. Морозов, А. С. Сигов // ФТТ. 1983. Т.25. № 10. С.2975−2978
  415. А.П. Структурные фазовые переходы с дефектами / А. П. Леванюк, А. С. Сигов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1985. Т.49. № 2. С.219−226
  416. А.С., Особенности физических свойств кристаллов с дефектами вблизи структурных и магнитных фазовых переходов. Диссдокт. Физ.-мат. Наук. М. МГУ. 1985.
  417. А.С. Особенности процессов релаксации вблизи точек фазового перехода втро-го рода в кристаллах с дефектами // В кн.: Современные проблемы физики релаксационных явлений. Воронеж. 1981. С. З-16
  418. Н.И. Особенности низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости однооосного сегнетоэлектрика с заряженными дефектами / Н. И. Лебедев, А. П. Леванюк,
  419. A.С. Сигов // ФТТ. 1987. Т.29. № 9. С.2666−2670
  420. .М. Аномалии физических свойств сегнетоэлектриков, содержащих заряженные примеси / Б. М. Даринский, В. Н. Нечаев, В. Н. Федосов // ФТТ. 1980. Т.22. № 10. С. З129−3132
  421. А. Теория доменных стенок в упорядоченных средах. М.: Мир. 1977.306 с.
  422. В.А. К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ. 1958. Т.35. № 5(11). С.1175−1180
  423. Л.Н. Термодинамическая теория доменных стенок в сегнетоэлектриках типа перовскита // ФТТ. 1963. Т.5. № 2. С.3183−3187
  424. И.И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков // ФТТ. 1961. Т.З. вып. 12. С.3731−3742
  425. .М. Строение 90°-ной доменной границы в ВаТЮз / Б. М. Даринский,
  426. B.Н. Федосов // ФТТ. 1971. Т.13. № 1. С.22−27
  427. Suda F. Orientation of the Ferroelectric Domain Wall in Triglycine Sulfate Crystals / F. Suda, J. Hatano, H. Futano // J. Phys. Soc. Jap. 1976. V. 41. N 1. P. 188−193
  428. А.Л. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии // УФН. 1974. Т.113. С. 69−104
  429. А.Л. Равновесие фаз в твердом теле // ФТТ. 1986. Т.28. № 10 С.3051−3054
  430. В.И. О доменной структуре сегнетоэлектриков // ЖЭТФ. 1970. Т.77. вып. 6.1. C.2419−2421
  431. А.Л. Неустойчивость приграничных областей и образование зигзагообразных междоменных и межфазных границ // Письма ЖЭТФ. 1988. Т.47. вып. 3. С.141−143
  432. .М. Строение доменной границы в сегнетоэлектриках-полупроводниках / Б. М. Даринский, В. Н. Федосов // ФТП. 1978. Т.12. вып. 3. С.603−605
  433. А.С. Строение доменной границы в сегнетоэлектриках / А. С. Сидоркин, Б. М. Даринский // ФТТ. 1986. Т.28. № 9. С.285−288
  434. В.Н. Термодинамические параметры полидоменного одноосного сегнетоэлектрика // ФТТ. 1980. Т.22.В.11.С.3269−3272
  435. Е.В. Теория фазовых переходов в неоднородные состояния в ограниченных сегнетоэлектриках во внешнем электрическом поле / Е. В. Ченский, В. В. Тарасенко // ЖЭТФ. 1982. Т.83. вып.З. С.1089−1099
  436. .М. Доменная структура в пленках сегнетоэлектрических и пироэлектрических кристаллов / Б. М. Даринский, А. П. Лазарев, А. С. Сигов // Изв. РАН. Сер. Физ. 1996.Т.60.№ 10 С. 177−185
  437. Pavlov S.V. Rearrangment of Domain Structure in Ferroelectrics near Isostructural Phase Transitions // Ferroelectrics. 1993. V.145. P.33−38
  438. Н.Д., Новик B.K., Павлов С. В. Динамика протонов и диэлектрические свойства сегнетоэлектриков / Н. Д. Гаврилова, В. К. Новик, С. В. Павлов // Изв. РАН. Сер. Физ. 1993. Т.57, № 6. С. 128−131
  439. Preisach F. Ober die magnetiche Nachwiikung // Zs. Phys. 1935.V.94. N 5. S.277−302
  440. Е.И. О гистерезисе ферромагнетиков //ЖЭТФ. 1940. Т. 10. вып. 4. С.420−440
  441. А.Ю. Об уравнениях пространственного деформирования не вполне упругих и вязко-пластических тел. // Изв. АН СССР. ОТН 1945. № 3.
  442. М. Оптимальное управление системами, описывемое обыкновенными дифференциальными уравнениями с нелинейными характеристиками гистерезисного типа // Автоматика и телемеханика. 1991. № 12. С. З, 1992. № 1. С.
  443. Pulvari C.F. Phenomenological Theoiy of Polarization Reversal in ВаТЮз Single Ciystals / C.F. Pulvari, W. Kuebler // J. Appl. Phys. 1958. V.29. N 9. P.1315−1321
  444. Nakatani N. One-dimensional model of polarization reversal in TGS // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 2.1989. V.28, N 28−2. P.143−146
  445. Fang P.H. Ferroelectric Switching and the Sievert Integral / P.H. Fang, A. Stegum bene // J. Appl. Phys. 1963. V.34. N 2. P.284−286
  446. M.A. Операторы гистерезисных нелинейностей / М. А. Красносельский, А. В. Покровский // В кн.: Теория операторов в функциональных пространствах. Новосибирск: Наука. 1967. С.167−168
  447. . О возможности аппроксимации петли гистерезиза // В Сб.: Труды Y Международной конференции по нелинейным колебаниям. Киев. 1970. С.503−514
  448. А.А. Математическая модель гистерезиса / А. А. Березовский, Л. П. Нижних // В Сб.: Труды Y Международной конференции по нелинейным колебаниям. Киев. 1970. С.68−71
  449. А.В. К теории гистерезисных нелинейностей // ДАН СССР. 1973. Т.20. № 6. С. 1284−1287
  450. Chua L.O. Mathematic Model for Dynamic Histeresis Loops / L.O. Chua, K.A. Stromstor // Int. J. Eng. Sci. 1971. V.9. P.435−450
  451. B.C. Математическая модель гистерезисных циклов // В Сб.: Труды Горь-ковского политехнического института. Горький. 1975. Т.31. вып.2. С.4−25
  452. А.И. Математическая модель диэлектрического гистерезиса / А. И. Карпов, Ю. М. Поплавко // В Сб.: Свойства сегнетоэлектриков. Минск. 1982. С.3−10
  453. А.И. Гармонический анализ процессов переполяризации монокристаллов ТГС в синусоидальном электрическом поле / А. И. Карпов, Ю. М. Поплавко // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1984. Т.48 Jfe 6. С.1193−1196
  454. В.М. Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках // Изв. АН СССР, серия физич. 1984. Т.48. № 6. С.1042−1056
  455. Н.С. К теории кривых поляризации сегнетоэлектриков // ЖЭТФ. 1959. Т.36. № 4. С.1085−1087
  456. С.Н. Описание петли диэлектрического гистерезиса и коэрцитивного поля кристаллов триглицинсульфата на инфранизких частотах / С. Н. Жаров, В. П. Каменцев // В Сб. Сегнетоэлектрики и пьезэлектрики. Калинин: КГУ. 1987. С.99−103
  457. О.И. Исследование диэлектрического гистерезиса на сверхнизких частотах / О. И. Клят, А. Б. Ляхов // В Сб. Сегнетоэлектрики и пьезэлектрики. Калинин: КГУ. 1987. С.171−174
  458. А.Л. Применение линейной неравновесной термодинамики к описанию процесса переполяризации сегнетоэлектриков / А. Л. Битлер, В.М., Л. М. Щербаков // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1984. Т.48. № 6. С.1158−1161
  459. В.М. Исследование эффекта Баркгаузена в кристаллах триглицинсульфата / В. М. Рудяк, В. Е. Камаев // Изв. АН СССР, серия физич. 1965. Т.29. № 11. С.937−942.
  460. В.Ф. Явления «запаздывания» в процессе переполяризации монокристалла ТГС // В Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ.1981.С.52−58
  461. В.З. Образование зародышей доменов при переключении сегнетоэлектриков / В. З. Бородин, Э. Я. Шнейдер // В сб. сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь. 1993. с. 144 146
  462. А.В. Статистический метод исследования процессов переполяризации керамических сегнетоэлектриков // ФТТ. 1963. Т.5. № 9. С.2406−2408
  463. М.А. К теории гистерезисных явлений в сегнетоэлектриках // ДАН СССР. 1965. Т.К. № 9. С.581−584
  464. Stadler H.L. Nucleation and Growth of Ferroelectric domains in ВаТЮз at fields from 2 to 450 kV/cm / H.L. Stadler, P.J. Zachmanidis // J. Appl. Phys. 1968. V.34. № 11 .P.3255−3260
  465. Stadler H.L. Temperature dependence of 180° wall velocity in ВаТЮз / H.L. Stadler, P.J. Zachmanidis // J.Appl.Phys.l964.V.35. № 10.2895−2899.
  466. Mitsui T. Domain Structure of Rochelle Salt and KH2P04 / T. Mitsui, J. Furiichi // Phys. Rev. 1953. V. 90. N 2. P. 193−202
  467. Abe R. Optical Study of the Resultant Movement of Many Walls in Rochelle Salt // J. Phys. Soc. Jap. 1958. V.13. N.3 P.244−249
  468. Little E. Dynamic behavior of domain walls in barium titanate // Phys. Rev. 1957. V.98 N 4. P.978−984
  469. Drougard M.E. Detailed study of switching current in barium titanate // J. Appl. Phys. 1960. V.31.N2. P. 352−355
  470. Fatuzzo E. Switching mechanism in triglycine sulfate and other ferroelectrics / E. Fatuzzo, W.J. Mere // Phys. Rev. 1959. V. l 16. N 1. P. 61−68
  471. Fatuzzo E. Theoretical consideration on the switching transient in ferroelectrics // Phys. Rev. 1962. V. l 27. N 6. P. 1999−2005-
  472. E. Fatuzzo, W.J. Merz. Ferroelektrisity. AmsterdamrNorth-Holland, 1967
  473. Nakamura T. Kinematic theoiy of ferroelectric domain growth // J. Phys. Soc. Japan. 1960. V. l 5, #8. P.1379—1386
  474. Miller R.C. Mechanism for the sidewise motion of the 180° domain walls in barium titanate / R.C. Miller, G. Weinreicn // Phys.Rev. 1960. V. l 17. N.6. P.1460−1466
  475. .А. Исследование равновесной структуры в кристаллах триглицинсульфата вблизи температуры фазового перехода / Б. А. Струков, В. А. Мелепшна, В. И. Калинин, С. А. Тараскин // Кристаллография. 1972. Т.17. вып. 6. С.1166−1170
  476. Р. Боковое смещение 180°-й стенки в монокристаллах ВаТЮз // Физика диэлектриков. М.: Изд-во АН СССР. 1960. С.329−338
  477. Hayashi М. Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. I. General formulation //J.Phys. Soc. Japan. 1972. V.33. N.3. P.616−628-
  478. Hayashi M. Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. П. Application to barium titanate // J.Phys. Soc. Japan. 1973. V.34. N.5. P.1240−1244-
  479. Hayashi M. A Note on the Domain Wall Motion in Ferroelectric Switching // J. Appl. Phys. Soc. Japan. 1973. V.34, № 5. P. 1686
  480. Colins M.A. Dynamics of Domain Walls in Ferroelectric Materials. 1. Theory / M.A. Colins,
  481. A. Blumen, J.F. Currie, J. Ross //Phys. Rev. l979.V.19. № 7.P.3630−3655
  482. B.H. Движение сегнетоэлектрических доменных границ в сильных полях /
  483. B.Н. Федосов, Е.И. Чурсина//Физ. Низк. Темп.1979. Т.5.№ 6. с.656−658
  484. Nettleton R.E. Lattice dynamical theory of switching in barium titanate // J. Appl. Phys. 1967. V.38.N7. P.2775−2786
  485. . Энергия активации движения доменных стенок в кристаллах ТГС с дефектами // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. Т.39, № 4. С. 846−849
  486. J.А. Возможная модель для описания процесса переполяризации сегнетоэлектриков в слабых электрических полях / J.A. Combs, Е. В. Бурцев, С. П. Червонобродов II Кристаллография. 1982. Т.27. № 5. С.843−850
  487. Е.В. К расчету критического зародыша на межфазной границе в полярной среде (на примере 180°-й доменной границы в сегнетоэлектриках) / Е. В. Бурцев, С.П. Червоноб-родов//ДАН СССР. 1986. Т.294. Т4. С. 828−831.
  488. Chervonobrodov С.Р. Orientational instability of domain boundary in ferroelectrics / C.P. Chervonobrodov, A.L. Roytbuid // Ferroelectrics. 1988. V.83. P. 109−112
  489. Bursian E.V. The importance of the unlocal piezoeffect in domain structure formation in ferroelectrics. // Ferroelectrics. 2004. V.307. P. 177−179
  490. Combs J.A. Single-kink dynamics in a one-dimensional atomic chain: A nonlinear atomistic theory and numerical simulation / J.A. Combs, S. Yip // Phys. Rev. B. 1983. V.28. N 12. P.6873−6885
  491. Wada T. Brownian motion of domain wall and diffusion constants / T. Wada, T.R. Schriffer // Phys. Rev. B. 1978. V.18. N8. P.3897−3912
  492. JI.И. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС / Л. И. Донцова, Л. Г. Булатова, Э. С. Попов и др. // Кристаллография. 1982. Т. 27. № 2. С. 305
  493. Н.Н. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсулфата / Н. Н. Большакова, В. М. Рудяк // Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1991. Т.55. № 3. С.606−612
  494. Н.А. Изучение медленных процессов электрической поляризации сегнетовой соли по наблюдениям за доменной структурой / Н. А. Романюк, И. С. Желудев // Кристаллография. 1960. Т.5. № 3. С.403−408
  495. Wieder Н.Н. Ferroelectric Polarization Reversal in Rochelle Salt // Phys. Rev. 1958. V.10. N 1. P.29−36
  496. Wieder H.H. Activation field and Coercitivity of ferroelectric barium titanate // J. Appl.phys.1957. V.28. N.3 P. 367−369
  497. C.A. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках/ С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ФТТ. 2001. Т. 43, вып. 1. С.80−87
  498. С.А. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ФТТ. 2001. Т. 43, вып. 1. С.88−95
  499. В.А. Влияние термической обработки на электрические свойства сегнетовой соли, содержащей примеси / В. А. Юрин, И. С. Желудев // Кристаллография. 1959. Т.4. № 2. С.253−255
  500. Ф. Изменение ширины доменов в кристаллах триглицинсульфата со временем / Ф. Моравец, В. П. Константинова // Кристаллография. 1968. Т. 13. № 2. С.284−289
  501. Stankowska J. Ageing process in triglicine sulfate single crystals // Acta Phys. Polon.1967. V.31. № 3. P.527−544
  502. Pajak Z. Dielectric Investigation of the Perovscite Type Ferroelectrics. Part 2. Ageing process in Ferroelectrics //Acta Phys. Polon.1959. V.18. № 5. P.507−520
  503. В.П. Исследование доменной структуры триглицинсульфата при старении / В. П. Константинова, Я. Станковска // Кристаллография. 1971. Т. 16. № 1. С. 15 8−163
  504. А. Старение монокристаллов титаната бария // ФТТ. 1960. Т.2. № 6. С. 1276−1282
  505. А.В. Рентгеноструктурные исследования некоторых эффектов переполяризации ЦТС-19 в сильных электрических полях / А. В. Шильников, Л. Д. Гришина, Я. В. Гришин // Рукопись депон. ВИНИТИ № 8534-И87.1987.20.12.
  506. Н.А. Визуализация динамики доменной структуры в коллинеарных сегнетоэлектриках / Н. А. Тихомирова, Л. И. Донцова, С. А. Пикин, Л. А. Шувалов // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т.29, вып.1. с.38−40.
  507. Shur V.Ya. Field Induced Evolution of Heterophase Structure in PLZT Relaxor Ceramics / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, V.P. Kuminov, G.G. Lomakin, S.S. Beloglazov, A. Sternberg, A. Krumins//Ferroelectrics. 1997. V.199. P.159−171
  508. Ozaki T. Ferroelectric Domain Structure Charaterized by Prefractals of the Pentad Cantor Sets in kh2po4// Ferroelectrics.1995. V.172. P.65−77
  509. Shur V.Ya. Geometric Transformation of the Ferroelecrric Domain Structure in Electric Field / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, S.D.Makarov // Ferroelectrics.1995. V.172. P.361−372
  510. Pulvary C.F., Kuebler V. Phenomenological theory of polarization reversal in ВаТЮз single crystals // J. Appl. Phys. 19 5. V.29, # 9. P.1315−1321
  511. Э.С. Об унипопярности частных циклов и электрическом последействии кристаллов триглицинсульфата // Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970. С.89−95
  512. А.В. Диэлектрические свойства монокристаллов дейтерированного триглицинсульфата (DTGS) в ультраслабых низко- и инфранизкочастотных полях / А. В. Шильников, Л .А. Шувалов, А. П. Поздняков, А. В. Сопит // ФТТ. 1999. Т. 41. вып. 6. С.1073−1075
  513. С.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата / С. Н. Дрозвдин С.Н., М. А. Куянцев // ФТТ. 1998. Т. 40. вып. 8. С.1542−1545
  514. В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении внешнего электрического поля и температуры/ В. В. Иванов, М. В. Колышева, Е. А. Клевцова, В. В. Макаров // Материаловедение. 2001. № 7. С. 6−9
  515. А.Г. Остаточная поляризация и пьезоэффект в керамике ЦТСНВ-1 / А. Г. Лучанинов, А. В. Шильников // Изв. АН СССР, сер. Физич. 1983. Т.47. № 4. С.816−813
  516. Е.В. О монодоменной поляризации сегнетоэлектриков с фазовым переходом первого рода // ФТТ. 1970. Т. 12. № 2. С.586−592
  517. Г. М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г. М. Гуро, И. И. Иванчик, Н. Ф. Ковтанюк // ФТТ. 1968. Т.10. № 1. С.135−143
  518. Е.В. Термодинамические соотношения для доменной структуры сегнетоэлектриков //ФТТ. 1972. Т. 14. Вып. 8. С.2241−2246
  519. А.В. Промежуточная моноклинная фаза и электромеханические взаимодействия в кристаллах *РЬТЮэ-н(1-*)РЬ (2п1/зМ>2/з)Оз / А. В. Турик, В. Ю. Тополов // ФТТ. 2002. Т.44, вып. 7. С. 1295−1301
  520. В.Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердых растворах PbxZr^Oj / В. Ю. Тополов, А. В. Турик // ФТТ. 2001. Т.43, вып. 8. С.1525−1527
  521. .Н. Физика размытых фазовых переходов / Б. Н. Ролов, В. Е. Юркевич // Ростов-на-Дону: РГУ.1983
  522. А.С. Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда / А. С. Сидоркин, Б. М. Даринский, А. С. Сигов // ФТТ. 1997. Т. 39, № 5. С.922−924
  523. А.А. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью / А. А. Сидоркин, А. С. Сидоркин, О. В. Рогазинская, С. Д. Миловидова // ФТТ. 2002. Т. 44, № 2. С.344−345
  524. О.М. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате / О. М. Голицина, Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин // ФТТ.1998. Т.40, № 1. С.116−117
  525. И.Б. Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах / И. Б. Берсукер, В. З. Полингер // М.: Наука.1983.
  526. Э.В. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. / Э. В. Бурсиан, Я.Г. Гирш-берг // М.: Прометей. 1989.197 с.
  527. И.П. Вибронная теория сегнетоэлектрическтва и структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках.// В сб.: Межзонная модель сегнетоэлектрика. Л.1983.156.С.С.8−32
  528. И.П. О вибронной теории сегнетоэлектриков / И. П. Консин, Н.Н. Кристоф-фель. В сб.: Межзонная модель сегнетоэлектрика//Л. 1983.156.С. С. 32−68
  529. Э.В. Полярные и когерентные эффекты в сегнетоэлектриках // В сб.: Межзонная модель сегнетоэлектрика// Л. 1983.156.С. С. 88−107
  530. Современная кристаллография / Л. А. Шувалов, А. А. Урусовская, И. С. Желудев и др. Физические свойства кристаллов (в 4-х томах) // М.: Наука, 1981.
  531. Hausdorff G. Dimension und auberes // Mab. Math. Ann. 1919. V.79. P 157−179
  532. Mandelbrot B.B. Les objets fractals: forme, hasard et dimension. Paris: Flammarion. 1975
  533. Mandelbrot B.B.Fractals, Form, Chance and Dimension. San-Francisko: Freeman W-H. 1977
  534. Mandelbrot B.B. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco: W.H.Freeman, 1982.460 p.
  535. Mandelbrot B.B. Fractals in Physics: Squing Clusters, Diffusions, Fractal Measures, and the Unicity of Fractal Dimensionality//J. Stat. Phys. 1984. V. 34. N 5/6. P.895−930
  536. .Б. Самоафинные фрактальные множества. I. Основные фрактальные размерности. П. Размерности длины и поверхности. Ш. Аномалии хаусдорфовой размерности и их смысл // В сб.: Фракталы в физике. М.: Мир. 1988. С. 9−29,30−35,36−47
  537. И.М. Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания// УФН. 1986. Т. 150. № 2. С. 221−255
  538. А.Г. Крупномасштабные фрактальные структуры в лабораторной турбулентности, океане и астрофизике // УФН. 1990. Т.160. № 12. С.189−194
  539. В.С. Синергетика и фракталы в материаловедении / В. С. Иванова, А. С. Баланкин, И. Ж. Бунин, А. А. Оксогоев // М: Наука. 1994.383 с.
  540. Mandelbrot В.В. Physical Properties of New Fractal Model of Percolation Clusters / B.B. Mandelbrot, J. Gefen // Phys. Rev. Lett. 1984. V.52. N 21. P. 1853−1856
  541. Aharony A. Multifractality on Percolation Clusters // In: Time-Dependent Effects in Disordered Materials. New York: Plenum Press. P.163−171
  542. Aharony A. Percolation, Fractals, and Anomalous Diffusion // J. Stat. Phys. 1984. V. 34. N 5/6. P.930
  543. Gefen J. Anomalous Diffusion on Percolation Clusters / J. Gefen, A. Aharony, S. Alexander // Phys. Rev. Lett. 1983. V.50. P. 77−80
  544. Gefen J. Critical Phenomena on Fractal Lattices// J. Gefen, B.B. Mandelbrot, A. Aharony // Phys. Rev. Lett. 1980. V.45. N 11. P. 855−858
  545. .Н. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука. 1991
  546. .Н. Фрактальные кластеры // УФН. 1986. Т. 149, № 2. С.177−217
  547. Hurst Н.Е., Black R.P., Simaika Y.M. Long-Term Storage: An Experimental Study. London: Constable, 1965
  548. Mandelbrot B.B. Fractional Brownian motions, fractional noises and applications./ B.B. Mandelbrot, J.W. Van Ness // SIAM Rev. 1968. V.10. P. 42237
  549. Paladin G. Anomalous Scaling Laws in Multiftactal Objects/ G. Paladin, A. Vulpiani // Phys. Rep. 1987. V. l 56. No. 4. P. 147−225
  550. Gordon J.M., Goldman А.М., Maps J., Costello D., Tiberio R., Whitehead B. Superconducting-normal Phase Boundary of a Fractal Network in a Magnetic Field // Phys. Rev. Lett. 1986. V.56. P. 2280−2283
  551. В.И. Эффект исключенного объема в статистике самоизбегающих блужданий // УФН. 1994. Т. 164 № 6. С.561−601
  552. Малиновский В. К О наноструктуре неупорядоченных тел / В. К. Малиновский, В. Н. Новиков, А. П. Соколов // УФН. 1993. Т.165. № 5. С.119−124
  553. Р.Р. Дробный интеграл и его физическая интерпретация // ТМФ. 1992. Т.90. С. 354−367
  554. С.Г. Интегралы и производные дробного порядка и некоторые их приложения / С. Г. Самко, А. А. Килбас, О. И. Маричев // Минск: Наука и техника, 1987.688 с.
  555. P.P. Диэлектрическая релаксация типа Коула-Коула и самоподобный процесс релаксации / P.P. Нишатуллин, Я. Е. Рябов // Изв. Вузов. Физика. 1997, № 4. С.6−11
  556. С.Б. Фракталы и мультифракталы / С. Б. Божокин, Д. А. Паршин // Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2001.128 с.
  557. М. Фракталы, хаос, степенные законы. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2001.528 с607. де Жен П. Идеи скейлинга в физике полимеров. М.: Мир, 1982.368 с.
  558. В.В. Автомодельная аномальная диффузия и устойчивые законы // УФН. 2003. Т. 173. № 8. С.847
  559. В.В. Фрактальные блуждания и блуждания на фракталах // ЖТФ. 2004. Т. 74. № 7. С.123−126
  560. АЛ. Фрактальная природа крупномасштабных неоднородных состояний в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом / АЛ. Корженевский, JI.C. Камзи-на, О. Ю. Коршунов // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т.61, №. 3. С. 214−216
  561. A.JI. Аномальная диффузия света в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом /A.JI. Корженевский, Л.С.Камзина//ФТТ.1998.Т.40№ 8.С.1537−1541
  562. Шур В .Я. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксор-ной PLZT керамике / ВЛ. Шур, Г. Г. Ломакин, В. П. Куминов, Д. В. Пелегов, С. С. Белоглазов, С. В. Славиковский, ИЛ. Соркин // ФТТ. 1999. Т.41. № 3. С. 505−509
  563. Шур В. Я. Фрактальные кластеры в ЦТСЛ керамике: эволюция в электрическом поле /
  564. B.Я. Шур, Г. Г. Ломакин, С. С. Белоглазов, Д. В. Пелегов, Ф.Э. В. П. Круминып, А.Р. Штернберг// Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1999. вып. 1.5. С. 48−52
  565. Р.П. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации / Р. П. Мейланов, С. А. Садыков // ЖТФ. 1999. Т. 69. № 5. С.128−129
  566. Г. В. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов / Г. В. Встовский, А. Г. Колмаков, И. Ж. Бунин // М.-Ижевск: РХД. 2001.116 с.
  567. В.В. Мультифрактальные свойства зеренных структур в бинарной системе на основе ниобата натрия с неизоструктурными компонентами / В. В. Титов, Л. А. Резниченко,
  568. C.В.Титов, В. Д. Комаров, В.А. Ахназарова//Письма в ЖТФ. 2004. Т.20, вып. 7. С. 42−47
  569. В.А., Прудников А. П. Справочник по операционному исчислению. М.: ВШ. 1965.466 с
  570. Ю.Н. Элементы наследственной механики твердых тел. М.:Наука. 1977.384с.
  571. Ю.Н. Таблицы дробно-экспоненициальных функций отрицательных параметров и интеграла от нее / Ю. Н. Работнов, Л. Х. Палерник, Е. Н. Звонов // М.:Наука. 1969.132 с.
  572. М.Б. Нелинейные фоторефрактивные и динамические процессы в сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок. Дисс. Д-ра физ.-мат. Наук. Волгоград. 1998.
  573. М.Б. Разбавленные изинговые системы. Размытие фазового перехода. Неэргодичность / М. Б. Белоненко, Д. А. Дмитриев // Препринт. Волгоград:ВГУ.2000.32 с.
  574. М.Б. Универсальные свойства фрактальной размерности на пороге протекания / М. Б. Белоненко, В. А. Титов // Вестник Волгоградского государственного университета. Сер. Математика. Физика. 1996. Вып.1. С. 140−144
  575. В.Н. Одномерно разупорядоченные состояния в рамках теории перколяции / В. Н. Удодов, Игнатенко B.C., Симоненко М. Б., Потекаев А. И. // Изв. Вузов. Физика. 1997, № 4. С.109−110
  576. Feigenbaum М. J. The universal metric properties of nonlinear transromation // J. Statist. Phys. 1979. V. 21. P. 669−706
  577. M. Универсальность в поведении нелинейных систем // УФН. 1983. Т. 143.В.2. С. 343−374
  578. А.М. Фрактальная размерность странного аттрактора для хаотических колебаний в контуре с сегнетоэлектриком / А. М. Солодуха, Л. П. Нестеренко // ФТТ. 1996. Т.38, № 6. С. 1896−1898
  579. А.С. Нелинейная динамика в электрическом контуре с сегнетоэлектриком/
  580. A.С. Сидоркин, А. М. Солодуха, Л. П. Нестеренко // ФТТ. 1997. Т. 39. № 5. С.918−919
  581. А.М. Моделирование хаотической динамики для электрического контура с сегнетоэлектриком /А.М. Солодуха, Л. П. Нестеренко // Изв. АН. Сер. Физич. 1997. Т. 61. № 5. С.1009—1011
  582. Ш. М. Низкочастотный токовый шум со спектром 1/f в твердых телах // УФН. 1985. Т. 45, вып. 2. С.285−328
  583. M.V. 1/F noise and other slow? Nonexponentional kinetics in condensed matter// Rev. Mod. Phys. 1988. V. 60, N 2, P.537.
  584. Гудыма Ю.В. llf шум в конденсированных средах: связь с неравновесным фазовым переходом // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. вып. 18. С. 1−5
  585. Bak P., Tang С., Wiesenfeld К. Self-organized criticality: An explanation of 1 If noise // Phys. Rev. Letters. 1987. V. 59. P. 381−384
  586. Bak P., Tang C., Wiesenfeld K. Self-organized criticality // Phys. Rev. A. 1988. V. 38. P. 364−374
  587. Скоков В. Н. Самоорганизация критического состояния и 1 If флуктуации при взаимодействии фазовых переходов в распределенной системе / В. Н. Скоков, В. П. Коверда // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. вып. 20. С.13−19
  588. В.Н. Масштабные преобразования Mf флуктуаций при неравновесных фазовых переходах / В. Н. Скоков, В. П. Коверда // ЖТФ. 2004. Т. 74. вып. 9. С.4−8
  589. В.П. 1 If- шум при неравновесном фазовом переходе / В. П. Коверда, В. Н. Скоков, В. П. Скрипов // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. вып. 5. С.1748
  590. А.М. Устойчивочсь и хаос в двумерных случайно-неоднородных средах и LC-цепочках / А. М. Дыкхне, А. А. Снарский, М.И. Женировский// УФН.2004.Т.174.№ 8.С.887−894
  591. Crawford FW. Impedance Characteristics of Mercury-Vapor Plasma // J. Appl. Phys. 1962. V. 33,1, P. 20−25
  592. Barkley J.R. Antiphase boundaries and their interactions with domain walls in ferroelastic-ferroelectric Gd2(Mo04)3 / J.R. Barkley, W. Jeitschko // J. Appl. Phys. 1973. V.44, № 3. P.938−94
  593. Шур В. Я. Особенности полевых зависимостей параметров переключения в молибдате гадолиния. / В. Я. Шур, В. В. Летучев, Е. Л. Румянцев, Т. Б. Чарикова. // Журнал технической физики, т. 55, в. 8,1985, с. 1666−1669
  594. А.Н. Особенности переключения молибдата гадолиния знакопеременным электрическим полем. / А. Н. Алексеев, М. В. Злоказов, АЛ. Проклов, Н. А. Тихомирова, Л. А. Шувалов. // Изв. АН СССР, серия физическая 1984. Т. 48, № 6, С. 1123 -1125
  595. А.Н. Процессы формирования и перестройки регулярных ориентированных доменных структур в монокристалле молибдата гадолиния / А. Н. Алексеев, АЛ. Проклов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. т.50, № 2. С. 407 411
  596. Н.Н. Исследование перестройки доменной структуры монокристаллов молибдата гадолиния / Н. Н. Большакова, Н. С. Комлякова, Г. М. Некрасова, Т. М. Полховская,
  597. B.М. Рудяк. // Изв. АН СССР Сер. физ. 1981, Т. 45, № 9. С. 1666 -1671
  598. Н.Н. Влияние одноосных механических напряжений на процессы перестройки доменной структуры монокристаллов молибдата гадолиния / Н. Н. Большакова, И. Д. Соколова, И. И. Сорокина, В. М. Рудяк.//Изв. АН СССР.Сер.физ.1986.Т.50, № 7, С. 1442 -1444
  599. А.Н. Кинетика зигзагообразных доменных границ в молибдате гадолиния. / А. Н. Алексеев, A.JI. Проклов, Н. А. Тихомирова, Л. А. Шувалов. // Кристаллография. 1987. Т.32, вып.5. С. 1189−1195
  600. АЛ. Неустойчивость приграничных областей и образование зигзагообразных междоменных и межфазных границ // Письма в ЖЭТФ. Т.47. вып. З, С. 141 -143
  601. А.Н. Процессы формирования и перестройки регулярных ориентированных доменных структур в монокристалле молибдата гадолиния / А. Н. Алексеев, A.JI. Проклов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. т.50, № 2. С. 407 411
  602. Э.Б. Циркуляционные линии и движение антифазных границ в несобственном сегнетоэлектрике. / Э. Б. Сонин, А. К. Таганцев //ЖЭТФ. 1988. Т.94, вып.2, С. 315 328
  603. С.А. Люминисценция кристаллов молибдата гадолиния при неравновесном состоянии доменной структуры / С. А. Флерова, В. Г. Таран, О. Е. Бочков // ФТТ. 1982. Т. 23, № 2. С. 873−875
  604. С.А. Переполяризация и люминисценция монокристаллов Gd2(MoC>4)3 / С. А. Флерова, В. Г. Таран, О. Е. Бочков. // Кристаллография. Т. 27.1982. В. 2. С. 302 304
  605. С.А. Люминисценция при переключении кристаллов, обладающими сенето-электрическими и сегнетоэластическими свойствами / С. А. Флерова, В. Г. Таран // Изв. АН СССР, серия физич., 1979. Т. 43, № 8. С. 1745 -1748
  606. Г. А. Приложение теории алгебраических систем для создания иерархии структур твердых тел, образующихся в равновесных и неравновесных условиях / Г. А. Домрачеев, А. И. Лазарев // ФТТ. 1999. Т. 41, № 5. С. 799 804
  607. Г. А. Кристаллохимия винной кислоты, ее простых и комплексных солей // В кн.: Кристаллические структуры неорганических соединений. Кишинев: Штиница, 1974. С. 103−126
  608. Beevers С.А., Hughes W. Crystal Structure of Rochelle Salt // Proc. Roy. Soc., Ser. A. 1941. V.177. P. 251−259
  609. И.Г., Киоссе Г. А. Кристаллические структуры сегнетоэлектриков семейства сегнетовой соли и твердых растворов на ее основе // В кн.: Структурные исследования неорганических и органических соединений. Кишинев: Штиница, 1985. С. 97−108
  610. Shiozaki Y, Shimizu К., Suzuki Е., Nozaki R. Structural Change in the Paraelectric Phase of Rochelle Salt//J. Kor. Phys. Soc. 1998. V.32. P. S192-S194
  611. Э.С. Мост для измерения электрических параметров сегнетоэлектриков // Исследования по физике сегнетоэлектриков. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та. 1966. С.24−26
  612. В.Д. Диэлектрический спектрометр. А.С. 855 536, 957 127 СССР // Всемирная выставка достижений молодых изобретателей. Болгария. 1985
  613. ATM 150−70. Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых изоляционных материалов на переменном токе // Сб. стандартов США. 1970. ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ № 25. С. 188−207
  614. Klitm H. Dielectric measuring method at ultralow frequencies using a transient recorder/H. Klitm, H. Dederichs //Rev. Sci. Instrum. 1984. V.55 (6). P. 995−996
  615. B.B. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. С. Иванова, С. В. Нехлюдов // ФГГ. 1999. Т. 41. № 3. С.499−504
  616. Цах Р. Диэлектрическая нелинейность некоторых сегнетоэлектрических кристаллов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т.55. № 3. С.474−480
  617. А.М. Хаотические колебания, фракталы и сечение Пуанкаре // Волновые процессы в неоднородных и нелинейных средах: Мат-лы семинаров НОЦ. Воронеж. В ГУ. 2003. С.370−384
  618. А.М. Сечение Пуанкаре фазового портрета нелинейного RLC-контура, содержащего сегнетоэлектрик / А. М. Солодуха, А. С. Сидоркин, А. А. Шевченко // ФТТ. 1993. Т35, № 7. С.204&-2049.
  619. А.С. Моделирование динамики прстранственной структуры сегнетоэлектриче-ского кристалла триглицинсульфата / А. С. Сасов, М. Б. Белоненко // ФТТ. 2006. т.48, № 6. С.1067−1068
  620. A.M. Диэлектрическая дисперсия как признак появления полярной фазы в сегнетоэлектриках / А. М. Лотонов, В. К. Новик, Н.Д. Гаврилова// ФТТ. 2006. Е.48, № 6. С. 969−972
  621. Р.П. Особенности фазовой траектории «фрактального» осциллятора/ Р. П. Мейланов, М. С. Янполов // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, № 1.С. 67−70
  622. A.M. Аномальный избыточный шум в неоднородных упругих телах./ А. М. Дыхне, В. В. Зосимов, С. А. Рыбак // ДАН СССР. 1995. Т.345. с.467−471,
  623. B.C. Стохастический резонанс как индуцированный шумом эффект увеличения степени порядка / B.C. Анищенко и др.//Успехи физ. Наук. 1999. Т. 169, № 1. С. 7−38
  624. А. В. Исследование влияния процесса старения кристалла сегнетовой соли на параметры релаксации электрической поляризации при стационарных и нестационарных температурных условиях / А. В. Шильников,
  625. Э. С. Попов, С. В. Горин, Н. М. Галиярова, Л. А. Шувалов // сб.: «Физика диэлектриков и полупроводников». Волгоград: ВПИ, 1981. С. 74−85.
  626. Galiyarova N. M. Electric Field and Shearing Stress Effect on Rochelle Salt Dielectric Spectrum Parameters / N. M. Galiyarova, S. V. Gorin, A. V. Shil’nikov, D. G. Vasil’ev // Ferroelectric Letters. 1988. V. 8. № 5/6. P. 109−112.
  627. Shil’nikov А. V. On Ferroelectric Sigle Crystalls' Reversible Domain Walls Motion in LF and ILF Electric Fields / A. V. Shil’nikov, N. M. Galiyarova,
  628. S. V. Gorin, E. G. Nadolinskaya, D. G. Vasil’ev, L. H. Vologuirova // Ferroelectrics, 1989. V. 98. P. 3−14.
  629. А. В. О низкочастотных диэлектрических свойствах кристаллов KDP и RbDP / А. В. Шильников, JI. А. Шувалов, JI. X. Вологирова,
  630. Н. М. Галиярова, С. В. Горин // сб.: «Труды Всесоюзной конференции „Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов“ 17−22 сентября 1990 г.» Ч. 1. Александров: ВНИИСИМС. С. 314−318.
  631. N. М. Infralow-Frequency Dispersion of Dielectric Permittivity Due to Irreversible Domain Walls Motion Near Phase Transition Point in Triglycine Sulfate // Ferroelectrics, 1990. V. 111.P. 171−179.
  632. С. В. Горин, Л. X. Вологирова, А. В. Шильников, Л. А. Шувалов // Изв. АН СССР. Сер. физич., 1990. Т. 54. № 4. С. 795−800.
  633. JI. X. О природе плато на температурных зависимостях диэлектрической проницаемости дигидрофосфата цезия / Л. X. Вологирова,
  634. Н. М. Эволюция диэлектрических спектров при изменении соотношения определяющих движение доменных стенок упругих вязких и инертных сил // сб.: «Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики». Тверь: ТГУ, 1993. С. 54−70.
  635. ЪТалиярова Н. М. Критическое замедление низкочастотной релаксации в дейтериро-ванном триглицинсульфате / Н. М. Галиярова, В. А. Федорихин, JI. И. Донцова, А. В. Шильников // Изв. РАН. Сер. физич., 1996. Т. 60. № 10. С. 142−149.
  636. N. М. Fractal Features of Ferroelectrics with Domains and Clusters / N. M. Galiyarova, S. V. Gorin, L. I. Dontsova // J. Korean Phys. Soc., 1998.V. 32. P. S771-S773.
  637. Galiyarova N. M. Fractal Features of Dielectric Response of Ferroelectrics with Domains and Clusters / N. M. Galiyarova, S. V. Gorin // Ferroelectrics, 1999.V. 222. P. 373−379.
  638. Galiyarova N. M. Fractal Features of Domain Boundaries / N. M. Galiyarova, L. I. Dontsova // Ferroelectrics, 1999. V. 222. P. 269−274.
  639. Galiyarova N. M. Fractal Dielectric Response of Multldomain Ferroelectrics from the Irreversible Thermodynamics Standpoint // Ferroelectrics, 1999. V. 222. P. 381−383.
  640. Galiyarova N. M. To the Response of Some Fractal Nonlinear Systems / N. M. Galiyarova, Y. I. Korchmariyuk // Ferroelectrics, 1999. V. 222. P. 389−395.
  641. H. М. Галиярова, А. Б. Бей // Вестник ВолгГАСУ, Сер. Естеств. науки, вып. № 3 (10), 2004. С. 68−73.
  642. N. М. Fractal Dimensionalities and Microstructural Parameters of Piezoceramic PZTNB-1 / N. M. Galiyarova, A. B. Bey, E. A. Kuznetzov, Y. I. Korchmariyuk // Ferroelectrics, 2004. V. 307. P. 205−211.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!