Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
Диссертация
Установлено, что термообработка кристаллов рCdSiAs2 совместно с Cd или As сопровождается сильным снижением эффективности РИ. Термообработка кристаллов рCdSiAsz совместно о Cd практически не влияет на структуру спектров РИ, исходных кристаллов и приводит к образованию доноров 0,054 эВ, которые можно приписать вакансиям в подрешетке мышьяка. Термообработка кристаллов рCdSiAs^овме стно с As вызывает… Читать ещё >
Список литературы
- Горгонова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.-М.: Советское радио, 1968, 268 с.
- Прочухан В.Д., Рудь Ю. В. Перспективы практического применения полупроводников 1978, т.12, вып.2, с, 209−229.
- Averkieva G.K., Goryunova N.A., Proch. uhan V.D., Rud Yu.Y., Serginov M. Elektrically Active Point Defects in CdSiAs2 Crystals. Phys.Stat.Solyd. (a}-, 1971,5,3, p. 571−576.
- Прочухан В.Д., Рудь Ю. В., Сергинов M. Получение и физические свойства соединения Cc/Si'As2, Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1973, т.9, № 7, C. II57-II6I.
- Полупроводники aVcV Под ред. Горюновой Н. А., Валова
- Ю.А. Н.: Советское радио, 1974, 374 с. t t tit
- Dhar S., Nag B.R., Etching Solution for ZnGeP2. J.Chem.1. Phys., 1978, P.120−122.i tit'
- Siegel W., Ziegler E., Fhys. Stat.Sol., (a), 1974, 21, t *p. 639−642.
- Вайполин A.A., Османов 3.0., Рудь Ю. В. Алмаз оподобные полупроводники в стеклообразном состоянии. ФТП, 1965, т.7, с.2266−2268.
- Чалдншев В.А., Покровский В. И. Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита. Изв.Вузов. Физика, I960, JS 2, с.173−181.
- Чалдышев В.А. Возможная структура энергетического спектра кристаллов типа халькопирита. Изв.Вузов. ФизикаД962, J'3 2, с.98−103.
- Sandrock R., Treusch J., Symmetry properties of the Energy Band of the Chalcopirite structure, Z.Naturf., 19 a 844- 850 .
- Ziets M., Eossler U., Bestimung der Energiebandstruc-tur von Kristalien mit chalcopyritditten nach der k-p St’orungerechnung Z.Naturforch. 1964, 19 a, 718, p.850−856.
- Чалдышев B.A., Караваев Г. Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа калькопирита. Изв.Вузов. Физика, 1963, ib 5, с.103−112.
- Караваев Г. Ф. Исследование энергетического спектра и правил отбора для непрямых переходов электронов в кристаллах.-Дисс.канд.физ.-мат.наук. Томск, 1965. — 186 с.
- Гашимзаде Ф.М. Зонная структура полупроводниковых сое2 Л Rдинений типа, А В С g со структурой халькопирита. ФТТ, 1963,5, Г-4, с. II99−1201.
- Гашимзаде Ф.М. Энергетический спектр дырок в полупроводниках со структурой халькопирита. Изв. АН АзССР, Сер.физ.-мат.и техн. наук, 1963, JS 3, с.67−76.
- Goryunova ГГ.A., Poplavnoy A.S., Polygalov Yu.I., Chal-dyshev v.a., Energy Band Structure of Ternary Diamond like A2bV2 Type Semiconductors.- Phys.Stat.Sol., 1970, v.39,9,p.9−17
- Борщевский А.С., Валов Ю. А., Горюнова H.A., Османов Э.О.,
- Рыбкин С.М., Шпеньков Г. П. Излучательная рекомбинация в кристаллах CdGeAs2 и CdSiA$ 2- фтп, 1968, т.2, в.9, с.1367−1369.
- Довлетмурадов Чв, Овезов К, Прочухан Б. Д., Рудь Ю. Б, Сергинов М. Фотоэлектрические свойства и возможности практического использования гомодиодов из CdSiAs2. -ФТП, 1976, т.10, в.9, с.1659−1664.4 ".. it ,
- Averkieva G.K., Goryunova N.A., Prochukhan Y.D., Rud Yu. V., Serginov M. Electric Properties of CdSiAs2, Crystals- Fnys. Stat.Sol., 1969,3^, K5-K8.
- Serginov M., Gorunova N.A., Prochukhan V.D., Rud. Yu. V. High-Temperature Investigation of the Conductivity of CdSiAsi i 4 U
- Cryatal-Phys.Stat.Sol. (a), 1970, K75-K78.
- Сергинов M., Рудь Ю. В., Прочухан Б. Д., Гасанли Ш. М. Исследование электропроводности и постоянной Холла кристаллов CdSiAs^ области низких температур. Всесоюз.конф.по электр. и опт. свойствам кристаллов и сложных соединений типаaW^
- Сергинов М. Получение и исследование физических свойств монокристаллов тройного соединения CdSzAs2 : Автореф.дисс. канн.физ.-мат.наук. Баку, 1971. — 22 с. р/с
- Прочухан В.Д. Полупроводниковые материалы типа АтВ С Материалы У1 зимней школы по физике полупроводников.ЛИЯФ, Л., 1974, с.280−334. '
- Прочухан В, Д. О поведении составляющих решетку элемен2 A Rтов в соединениях типа, А В С g. Б кн.: Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, 1970, с.40−44.
- Прочухан В.Д. Исследования в области химии полупроводников А2В4С52• Дисс.д-ра хим.наук. — Л., 1972. — с.25.
- Грищенко Г. А., Любченко А. В., Тычина И.И. Локальные электронные состояния в монокристаллах Zn
- Аверкиева Г. К., Прочухан В. Д., Таштанова М. О влиянии отклонений от стехиометрии на свойства полупроводника ZnSiASg ДАН СССР, 1972, т.206, IS 3, с.638−640.
- Аверкиева Г. К., Горюнова Н. А., Прочухан В.Д., Серги-нов М. О влиянии отклонений от стехиометрического состава на свойства полупроводника CdSiA$ 2. ДАН СССР, 1970, т. 181, J5 4, с.811−813.
- Григорьева B.C., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Яковен-ко А.А. Собственные доноры в кристаллах ZnGeP2. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, в. З, с.130−132.
- Довлетмурадов Ч., Овезов К., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Сергинов М. Конверсия типа проводимости р- CdSiA$ 2. Письма в ЖТФ, т.1, в.19, с.878−881.
- Аверкиева Г. К., Прочухан В. Д., Сергинов М. О легировании полупроводника CdSlA$ 2 . Изв. АН ЛатвССР, сер. химическая, 1972, !& I, с.9−13.
- Сергинов М., Рудь Ю. В., Прочухан В. Д., Скрипкин В. А. Термоэдс и эффективная масса дырок в Cd$iA$ 2. Всесоюзн. конф. по электр.и опт. свойствам кристаллов и сложных соеди9 A Rнений типа, А В С g• Тезисы докл. Ашхабад, 1971, с.233−234.
- Сергинов М., Рудь Ю. В., Прочухан В. Д., Скрипкин В. А. Термоэдс и эффективная масса дырок в CdSlAs2. Изв. АН ТССР. Сер.физ.-техн., хим. и геол.наук, 1973, J5 3, с.104т106.
- Брудный В.Н., Кривов М. А., Потапов А. И., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В. Радиационные дефекты в кристаллах CdSiASgH Zn$iA$ 2) облученных электронами. ФТП, 1978, том 12, в.6,с.П09-ШЗ.
- Колчанова Н.М., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Сергинов М. Фотопроводимость кристаллов CdSz’A$ 2 • Изв.АН ТССР, сер. физ.-техн.хим и геол. наук, 1973, В I, с.108−110.
- Мосс Т.О. Оптические свойства полупроводников. М., ШГ., 1961, -304 с.
- Аверкиева Г. К., Карымшаков Р. К., Прочухан Б. Д., Серги-нов М. Исследование инфракрасного поглощения в CdSiAs2. -ФТП, 1970, т.4, в. З, с.591−593.
- Лебедев А.А., Овезов К., Прочухан Б. Д., Рудь Ю.В.", Сер-гинов М. Фотопроводимость кристаллов CdSzAs2 Б поляризованном свете. Письма в ЖГФ, 1976, т.2, в.9, с.385−390.4 i * •
- Shay J.S., Buechler Е. Electrorestanse Spectra of CdSiAs2 and CdGeAs2 Phys.Stat.Sol., 1971, B3, 2598−2604
- Shay J.L., Wernick J.H.TernaryChalcopirite Semicond.,* * t
- Growth, Electronic Properties a. Appl.Pergamon.Press, Oxford, 1975.
- Аверкиева Г. К., Горюнова H.A., Прочухан B.I., Рыбкин C.M., Сергинов М., Шретер Ю. Г. Вынужденное рекомбинадионное излучение CdSzA^. ФТП, 1971, т.5, в.1, с.174−175.
- Мальцева И.А., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Сергинов М. Поляризация фотолюминесценции в кристаллах CdSzA$ 2 . ФТП, 1976, т. Ю, в.6, с.1222−1224.
- Сергинов М. Получение и исследование физических свойств монокристаллов тройного соединения CdSlAs2. Дисс. канд.физ.-мат.наук. — Баку, 1971. — 153 с.
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ (Справочник). М.: Наука, 1979, с.207−211.
- Грум-Гржимайло С. Б. Приборы и методы для оптического исследования кристаллов. Изд."Наука", 1972, 128 с.
- Поплавной А.С., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: I ZnSiP2. Изв. Вузов, Физика, 1969, В 7, с.59−66.
- Поплавной А.С., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структуpa энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита:И MgSiP2, Zn GeP2, ZnSiAsz, CdSiP2. Изв. Вузов, Физика, 1970, J& 6, с.95−100.
- Поплавной А.С., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSnP?, Cd$nP2, ZnGeA$ 2, CdGeAs2, Zn$nAs2,CdGeP2> CdSz’A$ 2. Изв. Вузов, Физика, 1970, IS 7, c.17−22.
- Поплавной А.С. Зонная структура динамики решетки и явления переноса в некоторых сложных полупроводниках.Автореф. дисс.докт.физ.-мат.наук. Новосибирск, 1983. — 42 с.
- Мамедов А., Полушина И. К., Рудь Ю. В., Сергинов М. Электрические свойства специально нелегированных монокристаллов р- CdSiAs2. Изв. АН ТССР. Сер.физ.'-техн.хим и геол. наук, 1981, № 4, с.31−39.
- Абдурахимов А.А., Мамедов А., Полушина И. К., Рудь Ю. В., Сергинов М., Довлетмурадов Ч. Энергетический спектр дырок в легированных кристаллах р- CdSzAs2. Изв. АН ТССР. Сер.физ.-техн.хим и геол. наук, 1981, .? 5, с.12−17.
- Prochukhan V.D., Rud Y u.V. Radiation Defects in H+ -irradiated p-CdSiASg and p-ZnSiAs2 Crystals., Radiat.Effects., 1982, v. 59, p. 211−215.
- Блекмор М. Статистика электронов в полупроводниках. -М.: Мир, 1964, 392 с.
- Григорьева B.C., Прочухан В. Д., Руць Ю. В., Яковенко А. А. Подвижность и энергетический спектр дырок в монокристаллах ZnGeP2 . ФТП, 1974, т.8, в.8, с.1582−1585.
- Маделунг Q. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. М.: Мир, 1967. — 478 с.* t
- Siegel W., Ziegler Е., Kiihnel G. Some Electrical Properit! 4, ., ties of ZnSiAs2 Phys.Stat.Sol. (a), 1973, v.18,2,p.521−524.
- Вайполин A.A., Горюнова H.A., Османов Э.0., Рудь IO.B. Новые стеклообразные соединения. ДАН СССР, сер. физическая химия, 1965, т.160, JS 3, с.633−634.
- Вайполин А.А., Османов Э. О., Рудь Ю. В. Алмазоподобные полупроводники в стеклообразном состоянии. ФТТ, 1965, 7, с.2266−2268.
- Тычина И.И. Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeF^ и ZnGef-1 и исследование их свойств: Автореф.дисс.физ.-мат.наук. Киев, 1966. — 19 с.
- Болтовец Н.С., Горюнова Н. А., Прочухан В. Д., Сергинов М. Получение CdSiA$ 2 в стеклообразном состоянии. ДАН СССР, сер. физическая химия, 1970, т.190, $ 3, с.619−620.
- Горюнова Н.А., Златкин Л. Б., Марков Ю. Ф., Стеханов А. И. О существовании алмазоподобного полупроводника в стеклообразном состоянии. ДАН СССР, сер. Физика, 1969, т.181, JS 3, с.582−583.
- Болтовец Н.С., Борщевский А. С., Горюнова Н.А. Вольт-амперные характеристики стеклообразного CdSzA
- Борщевский А.С., Коцюруба E.G. К вопросу о кристаллизации полупрово, цниковых стекол CdGeA$ 2 и CdGeP2 . Физика и химия стекла, 1976, т.2, в.4, с.365−368.
- Горюнова Н.А., Коломиец Б. Т. Новые стеклообразные полупроводники. Изв. АН СССР, серия физическая, 1956, т. XX, JS 20, с.1496−1500.
- Горюнова Н.А., Коломиец Б. Т. К вопросу о закономерностях стеклообразования в халькогенидных стеклах. Стеклообразное состояние. Труды Ш Всесоюзн.совещания.Изд.АН СССР, М.-Л., 1959, с.71−78.
- Серегин П.П., Сивков В. П., Насрединов Ф. С., Картенко Н. Ф., Васильев Л. Н., Бахтияров А.1Д. Механизм влияния примесных атомов золота на электрические и оптические свойства стеклообразных селенидов мышьяка. ФТП, 1976, т.10, в.7, с.1325−1329.
- Коломиец Б.Т., Лебедев Э. А., Рогачев Н. А. Влияние примесей на электрические и оптические свойства стеклообразного селенида мышьяка. ФТП, 1974, т.8, в. З, с.545−548.
- Федотов В.Г., Леонов Е. И., Ивахно В. Н., Горюнова Н. А., Тычина И. И. О некоторых электронных свойствах стеклообразного CdGeP2 . ФТП, 1969, т. З, в. II, с, 1739−1742.
- Петрусенко С.К. В сб.: «Физика конденсированного состояния», КИМ, Киев, 1978, с.78−82.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. 7 Мир, 1982, 664 с.79e Brudnyi V.N., Voevodina O.V., Krivov M.A. Investigationof defects in electron-irradiated CdSiAsp Crystals.-Fiz.Tekhn.- I
- Poluprovod., 1975, v.10,p.1311.
- Кривов М.А., Мелев Б. Г. Электрофизические свойства компенсированного р-ZnSfiAs^, Изв.Вузов, Физика, 1980, 5, с.134−136.
- Brudnyi Y.N., Krivov М.А., Potapov A.I., Polushina I.К.t t «
- Prochukhan V.D., Rud Yu.Y. Change of Electrical Properties in
- Electron Irradiated CdGeAs? Crystals. Phys.Stat.Sol. (a), 1978, * t4.9, p. 761−765.
- Брудный B.H., Воеводин В. Г., Вяткин А. П., Ведерникова• I I • . .
- Т.Н., Воеводина О. В., Грибенников А. И., Кривов М. А., Мелев Б.Г.
- Исследование радиационных дефектов в некоторых соединениях 2 4 S
- А В С g. Всесоюз.конф."Тройные полупроводники и их применение». Тезисы докл., Кишинев, 1978Г
- Глазов В.М., Лебедев В. Б., Молодых А. Д., Пашинкин А.С.о л
- Термическая диссоциация соединений, А В ASg. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1979, 15, с.1730−1734″.
- Мамедов А., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В., Серпшов М., Люминесцентные свойства специально нелегированных кристаллов р- Cc/SiASr,. ФТП, 1982, т.16, в.4, с.722−725.
- Абдурахимов А.А., Мамедов А., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В. Сергинов М. Фотоэлектрические свойства легированных монокристаллов Cc/Sz'As2. 5-я Всесоюз.конф.по физико-химическим основам легирования полупроводников. Тезисы докладов. Москва, 1982.-8с.
- Мамедов А., Паримбеков З. А., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В. Сергинов М. Влияние легирования на рекомбинационнпе излучениемонокристаллов CdSiAs2 . 5-я Всесоюз.конф.по физико-химическим основам легирования полупроводников. Тезисы дохшадов. Москва, 1982, с. 9.
- Абдурахимов А.А., Мамедов А., Рудь Ю.В, Сергинов М. Фотопроводимость и энергетический спектр специально не легированных монокристаллов р- CdSiAs^ Изв. АН ТССР, сер.физ.-техн. хим и геол. наук, 1983, JS I, с.15−24.
- Абдурахимов А.А., Мамедов А., Рудь Ю. В., Сергинов М. Влияние легирования посторонними примесями на фотопроводимость монокристаллов р-CdSi'As2. Изв. АН ТССР, сер.физ.-техн.хим. и геолог. наук, 1983, № 2, с.23−29.
- Мамедов А., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В., Сергинов М. Люминесцентные свойства специально нелегированных кристаллов р- CdSzA^. Изв. АН ТССР, сер.физ.-техн.хим, и геол. наук, 1983, J* 5, с.13−19.
- Мамедов А., Паримбеков З. А., Рудь Ю. В., Сергинов М. Рекомбинационное излучение легированных кристаллов р-CdSiA$ 2 Изв.АН ТССР, серия физ.-техн.хим и геолог. наук, 1984, $ 5, с.
- Шилейка А. Оптические исследования зонной структуры соединений А^В^С^• В кн.: «Многодолинные полупроводники» под ред.Ю.Пожела. Изд. Мокслас, Вильнюс, 1978, с. 145.
- Gross E.F., Novikov B.V., The Fine Structure of the Spectral Curves of Photoconductivity and Luminescence Exciton and its correlation to the Exciton absorption Spectrum. J. Phys. Chem. Solids., 1961,22, 1.
- Мамедов А., Паримбеков 3.A., Рудь Ю. В. «Фотоэлектрические и люминесцентные свойства слоев n-CdSiAs^», Украинский физический журнал, 1984, т.29, В 2, с.290−293.
- Арсенид г an лия. Получение, свойства и применение. Под ред. Касаманды Ф. П. и Наследова Д. Н. Монография. Наука, М., 1973, с. 472.
- Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. ИЛ, М., 1962, с. 253.t 4 * ' t *
- Leite R.C.C., Digiovanni A.J., Frequencyshift with temperature as Evidance for Donor-Acceptor Pair Recombination in4 4 *
- Relatively Pure n-type GaAs, Fhys.Rev., 1967, 7 .
- Yee J.H., Condas G.A., The Excitation Yntensity Effects in the Band-Edge Emission of GaAs and CdBe (E/T). J.Appl.Phys.41 968, 39, 2.
- Камалов M.H., Колесник Л. И., Мильвидский М. Г., Шерша-коЕа И.Н, Влияние стехиометрии на процессы рекомбинации в кристалла: GaAe ФТП, 1980, JS I, с. 159−163.4 «/ ¦ /
- Morgan T.N., Plaskett T.S., Pettiol E.D. Pair Spectra4 41. volving Si Donors in GaP.Phys.Rev., 1969,120,3, p.84−5.о с
- Физика и химия соединений, А В /Йод ред. Медведева С, А. М., Мир, 1970, с. 421.
- В заключение считаю своим приятным долгом выразить мою глубокую благодарность моим научным руководителям Виталию Даниловичу Прочухану и Юрию Васильевичу Рудь за постоянное внимание и всемерную поддержку при выполнении работы.