Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации

Диссертация: Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основе численного моделирования с учетом эффекта саморазогрева полупроводникового кристалла описан режим многочастотной генерации диодов Ганна. Показано, что при малых значениях теплового сопротивления генератора на диоде Ганна зависимость величины субгармонических составляющих выходного сигнала от электрического сопротивления диода Ганна носит немонотонный характер. При больших значениях… Читать ещё >

Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ МНОГОЧАСТОТНЫХ РЕЖИМОВ РАБОТЫ СВЧ ГЕНЕРАТОРОВ НА ДИОДАХ ГАННА.,
    • 1. 1. Моделирование физических процессов в диодах Ганна в схемах СВЧ
      • 1. 1. 1. Математическая модель диода Ганна
      • 1. 1. 2. Эквивалентная схема генератора на диоде Ганна
    • 1. 2. Анализ состояния исследования эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ приборах
    • 1. 3. Современное состояние исследований эффекта саморазогрева диода Ганна
  • II. ЭФФЕКТ АВТОДИННОГО ДЕТЕКТИРОВАНИЯ В СВЧ ГЕНЕРАТОРЕ НА ДИОДЕ ГАННА С НИЗКОЧАСТОТНЫМ КОЛЕБАТЕЛЬНЫМ КОНТУРОМ В ЦЕПИ ПИТАНИЯ
    • 2. 1. Экспериментальные исследования эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна
    • 2. 2. Математическая модель автодинного СВЧ генератора на диоде Ганна
    • 2. 3. Особенности проявления эффекта автодинного детектирования в СВЧ генераторах на диодах Ганна при изменении нагрузки в СВЧ— и НЧ— цепях
  • III. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ДИОДОВ ГАННА В СЛАБЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ С ЧАСТОТОЙ, МОЩНОСТЬЮ И СИГНАЛОМ АВТОДИННОГО ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ГЕНЕРАТОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
    • 3. 1. Математическая модель генератора на диоде Ганна с учетом влияния саморазогрева диодной структуры
    • 3. 2. Переходный процесс установления стационарного режима работы генератора на диоде Ганна
    • 3. 3. Температурные коэффициенты частоты, мощности, детектируемого тока и модуляционные чувствительности по частоте, мощности и детектируемому току
  • IV. ВЛИЯНИЕ САМОРАЗОГРЕВА ДИОДОВ ГАННА НА СПЕКТР ВЫХОДНОГО СИГНАЛА ГЕНЕРАТОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

К перспективным научным направлениям на стыке современной радиофизики и физики полупроводников можно отнести исследование физических процессов в полупроводниковых элементах, используемых для генерации СВЧ колебаний, таких как биполярные и полевые СВЧ транзисторы, лавинно—пролетные диоды, диоды Ганна и туннельные диоды, с учетом влияния на режим работы генераторов на их основе электродинамических систем, в которых они размещены.

Отличительными особенностями полупроводниковых СВЧ генераторов являются малые габариты, вес, низкая мощность, потребляемая от источника питания, возможность использования одного устройства для обеспечения различных радиофизических функций. К числу физических явлений, использование которых позволяет создать устройства, допускающие совмещение различных радиофизических функций, относится эффект автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ генераторах. СВЧ генераторы, работающие в режиме автодинного детектирования, могут быть использованы для контроля параметров технологических процессов, измерения перемещений, скоростей, ускорений, направления движения движущихся объектов, фотопроводимости, химического состава вещества, влажности, проводимости, диэлектрической проницаемости, толщины слоев металлодиэлектрических структур.

Область практического применения могла бы быть еще более расширена, если бы удалось понизить нестабильность их работы во времени, связанную с нелинейностью их импеданса и воздействием различных внешних и внутренних факторов. Тепловые эффекты при этом играют одну из определяющих ролей, усиливая другие механизмы дестабилизации работы генераторов, связанные с особенностями технологического процесса изготовления активных полупроводниковых элементов.

Тепловые процессы в полупроводниковых приборах к настоящему времени изучены не достаточно полно. Экспериментальные исследования их влияния усложняются в связи с затруднениями, возникающими при контроле температуры полупроводникового кристалла.

Проведении теоретических исследований связано с необходимостью в решении сложной системы нелинейных дифференциальных уравнений, описывающих колебательные процессы в полупроводниковой структуре, наряду с уравнением теплового баланса. Поэтому большинство исследователей предпочитают использование упрощенных моделей генераторов и проведение теоретических и экспериментальных исследований, полагая, что температура полупроводникового кристалла фиксирована.

Отказ же от упрощенных моделей полупроводниковых структур, учет влияния электродинамической системы и описание динамики тепловых процессов может позволить выявить ранее не известные особенности в работе генераторов на основе таких структур.

С учетом вышесказанного была сформулирована цель диссертационной работы: исследование особенностей многочастотных режимов работы генераторов на диодах Ганна с учетом нелинейности их импеданса, эффектов автодинного детектирования и саморазогрева диода.

Новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы состоит в следующем:

• Предложена и исследована модель многоконтурного СВЧ генератора на диоде Ганна, позволяющая оперативно исследовать особенности режимов его работы с учетом тепловых процессов в полупроводниковой структуре.

• Описана теоретически взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с выходной мощностью, частотой и сигналом автодинного детектирования генераторов на их основе.

• На основе численного моделирования с учетом эффекта саморазогрева полупроводникового кристалла описан режим многочастотной генерации диодов Ганна. Показано, что при малых значениях теплового сопротивления генератора на диоде Ганна зависимость величины субгармонических составляющих выходного сигнала от электрического сопротивления диода Ганна носит немонотонный характер. При больших значениях теплового сопротивления зависимость величины субгармонических составляющих выходного сигнала от электрического сопротивления диода Ганна монотонно убывает.

• На основе численного моделирования описано влияние саморазогрева диодов Ганна на спектр выходного сигнала генераторов на их основе. Установлено, что режим генерации при напряжениях питания, близких к пороговому, может быть характеризован как сложный динамический процесс, обладающий выраженной структурой. При этом саморазогрев полупроводникового кристалла диода вызывает регуляризацию колебаний. При напряжениях питания, несколько превышающих пороговое значение, саморазогрев кристалла диода Ганна приводит к переходу от периодического к квазипериодическому колебательному процессу и его хаотизации.

Положения, выносимые на защиту:

1. Максимальная длительность импульса питания, при которой обеспечивается заданное значение нестабильности частоты, мощности и сигнала автодинного детектирования генераторов на диодах Ганна, обусловленной изменением условий теплопередачи и температуры окружающей среды, увеличивается с ростом электрического сопротивления полупроводниковой структуры диода.

2. Изменение сопротивления диода Ганна в слабых электрических полях за счет изменения подвижности носителей заряда оказывает более сильное влияние на величину нестабильности частоты, мощности и сигнала автодинного детектирования генераторов на их основе, чем за счет аналогичного изменения площади сечения кристалла диода или концентрации носителей. Увеличение площади сечения кристалла диода или концентрации носителей заряда приводит к более значительному увеличению выходной мощности генерируемого излучения, чем аналогичное увеличение подвижности.

3. Повышение температуры кристалла диода Ганна приводит к подавлению высших гармоник в спектре выходного сигнала. Такая зависимость мощности высших гармоник от степени разогрева полупроводникового кристалла позволяет объяснить известный экспериментальный факт повышения «чистоты» спектра выходного сигнала генераторов на диодах.

Ганна после установления стационарного теплового режима работы.

4. При малых значениях теплового сопротивления генератора зависимость величины субгармонических составляющих выходного сигнала от электрического сопротивления диода Ганна носит немонотонный характер, а при больших значениях теплового сопротивления монотонно убывает.

5. Наблюдающийся экспериментально в диодах Ганна режим генерации при напряжениях питания, близких к пороговому, может бьггь охарактеризован как сложный динамический процесс, обладающий выраженной структурой, причем саморазогрев кристалла вызывает регуляризацию колебаний. С ростом напряжения питания саморазогрев кристалла диода приводит к переходу от периодического к квазипериодическому колебательному процессу и его хаотизации.

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, имеющих подразделы, заключения, списка литературы и приложения. Общий объем диссертации составляет 118 страниц машинописного текста, в том числе основной текст занимает 83 страницы, включая 25 рисунков.

Список литературы

содержит 133 наименования и изложен на 17 страницах.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. В результате теоретического исследования СВЧ генератора на диоде Ганна установлено, что с ростом электрического сопротивления полупроводниковой структуры диода увеличивается максимальная длительность импульса питания, при которой обеспечивается заданное значение нестабильности частоты, мощности и сигнала автодинного детектирования генератора на диоде Ганна, обусловленной изменением теплопередачи и температуры окружающей среды.

2. Установлено, что изменение сопротивления диода Ганна в слабых электрических полях за счет изменения подвижности носителей заряда оказывает более сильное влияние на величину нестабильности частоты, мощности и сигнала автодинного детектирования генераторов на их основе, чем за счет аналогичного изменения площади сечения кристалла диода или концентрации носителей.

3. Установлено, что при увеличении площади сечения кристалла диода или концентрации носителей заряда наблюдается более значительное увеличение выходной мощности генерируемого излучения, чем при аналогичном увеличении подвижности.

4. Теоретически установлено, что при повышении температуры кристалла диода Ганна происходит подавление высших гармоник в спектре выходного сигнала, что позволяет объяснить известный экспериментальный факт повышения «чистоты» спектра выходного сигнала генераторов на диодах Ганна после установления стационарного теплового режима работы.

5. Установлено, что при малых значениях теплового сопротивления генератора на диоде Ганна зависимость величины субгармонических составляющих выходного сигнала от электрического сопротивления диода Ганна носит немонотонный характер. При больших значениях теплового сопротивления зависимость величины субгармонических составляющих выходного сигнала от электрического сопротивления диода Ганна монотонно убывает.

6. Установлено, что наблюдающийся экспериментально в диодах Ганна режим генерации при напряжениях питания, близких к пороговому, может быть характеризован как сложный динамический процесс, обладающий выраженной структурой. При этом саморазогрев полупроводникового кристалла диода вызывает регуляризацию колебаний, что может быть достигнуто уменьшением теплоотвода.

7. Установлено, что при напряжениях питания, несколько превышающих пороговое значение, саморазогрев кристалла диода Ганна приводит к переходу от периодического к квазипериодическому колебательному процессу и его хаотизации.

В заключении хочу выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю Дмитрию Александровичу Усанову и доценту кафедры физики твердого тела Александру Владимировичу Скрипапю за постоянную помощь и поддержку в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение / Под. ред. Г. Уотсона- Пер. с англ. под ред. В. С. Эткина. — М.: Мир, 1972.— 660 с.
  2. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / под ред. М. Хауэрса, Д. Моргана- Пер. с англ. под ред. В. С. Эткина. —М.:Мир, 1979.—444 с.
  3. Д. П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. — М.: Радио и связь, 1982.-112 с.
  4. Н.С., Данюшевский Ю. З. Диодные генераторы и усилители СВЧ. — М.: Радио и связь, 1986.-184 с.
  5. В.А., Лункин Б. В., Совлуков А. С. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. — М.: Энергоатомиздат, 1989.— 208 с.
  6. М.В., Перегонов С. А. СВЧ генераторы и усилители на полупроводниковых приборах. — М.: Сов. радио, 1974.—79 с.
  7. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах / Под ред. Р. А. Валитова, И. А. Попова. —М.: Сов. радио, 1973. —462 с.
  8. Полупроводниковые приборы СВЧ / Под ред. Ф.Брэнда. — М.: Мир, 1972.-146 с.
  9. Микроэлектронные приборы СВЧ / Г. И. Веселов, Е. Н. Егоров, Ю. Н. Алехин и др.-М.: Высш. шк., 1988.-279 с.
  10. Электронные приборы СВЧ, В. М. Березин, В. С. Буряк, Э. М. Гутцайт, В. П. Марин. — М.: Высш. шк., 1985.-296 с.
  11. Новые методы полупроводниковой СВЧ электроники. Эффект Ганна и его применение / Под ред. В.И.Стафеева- Пер. с англ. под ред. Ю. И. Рогозина, В. П. Сандаевского. — М.: Мир, 1968.— 376 с.
  12. Дж. СВЧ—генераторы на горячих электронах. — М.: Мир, 1972.-382 с.
  13. М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна. — М.: сов. радио, 1976.-288 с.
  14. Кац А.М., Хлебцов Н. Г. К линейной теории эффекта Ганна // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ.— 1974, № 5. — С. З— 13.
  15. McCumber D.E., Chynoweth A.G. Theory of negative conductance amplification and of Gunn instabilities in two—valley semiconductors // IEEE Trans. 1966. -vol.ED. -13, № 1. -Р.4−21.ъ
  16. Hakki B.W. Amplification in two—valley semiconductors // J. Appl. Phys. 1966. — vol.38, № 2. — P.808.
  17. P., Куэйт К. Линейная и малосигнальная теория эффекта Ганна // Пер. с англ. в сб. статей «Новые методы полупроводниковой СВЧ — электроники. Эффект Ганна и его применение» / под ред.
  18. B.И.Стафеева. — М.: Мир, 1968.-376 с.
  19. Г. Теория эффекта Ганна // ТИИЭР. 1964.-Т.52, № 12.1. C. 1888−1889.
  20. Sholclew W. Negative resistance arising from transit time in semiconductors diodes // Bell system tech. Journal. —1954.—vol.38, № 7.— P.799 —826.
  21. С.Б., Тагер A.C., Кальфа A.A. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ.— 1976, вып. 10. — С. 19−32.
  22. С.Б., Тагер A.C. Формирование анодного статического домена в диодах Ганна с нелокальной зависимостью v(E) // Радиотехника иэлектроника.- 1983.- Т.28, № 12.-С.2448−2451.
  23. Hakki B.W., Knight S. Microwave phenomena in bulk GaAs // IEEE Trans. Electron Dev. — 1966. — vol.ED. — 13, № 1.-P.94−105.
  24. Д. А., Горбатов С. С., Семенов A.A. Изменение вида вольтамперной характеристики диода Ганна в зависимости от режима его работы на СВЧ // Изв. ВУЗов — Радиоэлектроника. —1991.— Т.34, № 5.-С. 107−108.
  25. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах: Поектирование и расчет / Под ред. И. В. Мальского, Б.В.сестрорецкого. — М.: Сов. радио, 1969.-580 с.
  26. В.А., Роздобудько В. В., Головкин A.C. Автомодулированные СВЧ колебания на диоде Ганна // Изв. ВУЗов — Радиоэлектроника.— 1977. —Т.20, № 10.— С. 85.
  27. .А., Мамзелов И. А., Тузов В. М. Режим работы генераторов при напряжениях, близких к пороговому напряжению образца // Радиотехника.-1980.-Т.35, № 12.-С.44.
  28. ДА., Горбатов С. С., Скрипаль A.B. Особенности низкочастотной генерации СВЧ диодов Ганна // Изв. ВУЗов — Радиоэлектроника.- 1981.-Т.24, № 10.-С.67−69.
  29. В.А., Шарифов Т. М. Подавление паразитных НЧ колебаний в генераторах Ганна // Радиотехника.-1977.-Т.32, № 12.-С.74−78.
  30. Д.А., Горбатов С. С. Генерация субгармоник СВЧ диодом Ганна // Тез. докл. VII Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках». —Паланга, 1989. — ч.1. — С.77 — 78.
  31. Е.П., Коростелев Г. Н., Хрипунов М. В. К модели стохастической автогенерации в генераторах на диодах Ганна // Изв. ВУЗов Радиофизика. — 1987. — Т. ЗО, № 1. — С.96 — 103.
  32. Э.В. Стохастизация низкочастотных колебаний генераторов на МЭП—диоде // Радиотехника и электроника.—1984, — Т.29, № 1.— С. 83 —87.
  33. Р.Е., Косов А. С., Струков И. А. Радиоастрономическая аппаратура // тез. докл. 17 Всесоюзн. конф. 10—12 октября. — Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1985.-С. 157- 158.
  34. Microwave amplification in a d.c.—biased bulk semiconductor / Thim H.W., Barber M.B., Hakki B.W. and other // Appl. Phys. Lett.-1965.-vol.7, № 9. — P. 167 —168.
  35. Thim H.W., Barber M.B. Microwave amplification in a GaAs bulk semiconductors // IEEE Trans. Electron Dev.—1966.—vol.ED. —13, № 1.— P.110— 114.
  36. Thim H.W. Temperature effects in bulk GaAs amplifiers // IEEE Trans. Electron Dev. -1967. vol.ED. -14, № 2. -P.59−62.
  37. ., Бекоун Д. Отрицательная проводимость в СВЧ—диапазоне на основе объемных свойств GaAs // ТИИЭР.-1966.-Т.54, № 6.-С.1И-112.
  38. Foyt A.G., Quist T.M. Bulk GaAs microwave amplifiers // IEEE Trans. Electron Dev. —1966. — vol.ED.— 13, № 1.-P. 199−200.
  39. Tantapom W., Yu S.P., Young I.D. A new high power bulk effect amplifier // Conf. Rec. Int. Electron Dev. Meeting, October 1969.-P.42.
  40. McWhorter A.L., Foyt A.G. Bulk GaAs nagative — conductance amplifiers // Appl. Phys. Lett. -1966. vol.9, № 8. — P.300 — 302.
  41. Upadhyayula C.L., Perlman B.S. Design and performance of transferred electron amplifires using equalizes networks // IEEE Trans. —1973. — vol.SC.-13, №l.-P.29−36.
  42. Perlman B.S. CW—microwave anplification from circuit — stabilised epitaxial GaAs transferred electron devices // IEEE Trans.—vol.SC.—5, № 12. — P.331 —337.
  43. ф. Стабилизация сверхкритических усилителей на основе явления переноса электронов // ТИИЭР. —1969. —Т.57, № 10.-С.141 — 143.
  44. Magarshack I., Mircea A. Wide band CW amplification in X —band with Gunn diodes // Int. Solid State Circuits Conf. Dig. Techn. Papers. Philadelphia. 1970. — P. 134 -135.
  45. П., Йеппсен Б. Влияние диффузии на устойчивость усилителя со сверхкритической структурой с переносом электронов // ТИИЭР. — 1972. — Т.60, -4. — С.143—145.
  46. Ashok К.Т., Walter R.C. An experimental study of stabilised transferred — electron amplifires // IEEE Trans.-1973.-lol.MTT.-21, № 7.-P.447−481.
  47. Pollman H.(Engelmann R.W.H. On supercritical reflection—type amplification and the stability criterion in bulk GaAs devices // Proc. MOGA conf. Amsterdam. 1970.-P. 1624- 1628.
  48. On the mechanizm for microwave amplification in supercritially doped n — GaAs / R. Spitalnik, M.P. Shaw, A. Rabier, I. Magarshak // Appl. Phys. Lett.-1973.-wol.22, № 4.-P. 162−164.
  49. Charlton R., Freeman K.R., Hobson G.S. Stabilization mechanizm for supercritical transferred — elecron amplifires // Electronics Lett.— 1971.— vol.7, № 19.-P.575 577.
  50. E.K. Прибор на отражательном клистроне в автодинном режиме на волне 3.2 см для измерений круговых диаграмм вторичного излучения // Изв. ВУЗов. Приборостроение. — 1961, № 2.— С. 10—13.
  51. А.Ф. Автодинный генератор на магнитроне // Вопросы радиоэлектроники. Сер. общетехническая.—1963, № 2.— С. 10—13.
  52. А.Ф. О чувствительности автодинных СВЧ генераторов ,// Электронная техника. Электроника СВЧ.— 1969, № 1. —С.93 —96.
  53. Absolute load detection with microwave Gunn oscillators / Portraid D., Coon W.A., Huang H.F., Goodrich L.C. // IEEE Trans.-1967.-V. MTT— 14, № 10. — P.656 —670.
  54. Э.М., Дерябкин B.H., Скачков M.H. Простой метод регистрации фотопроводимости на СВЧ // ПТЭ.-1976, № 3. С. 227 — 229.
  55. Intruder detector baser on the С1860 Gunn effect oscillator // Appl. Compon. electron.-1970.-V.7, № 10.-P.78−85.
  56. Д.А., Посадский В. Н., Буренин П. В., Горбатов С. С., Орлов В. Е. Детекторный эффект в усилителях на диодах с переносом электронов // Радиотехника и электроника. -1977. Т.22, № 5. — С. 1085 — 1086.
  57. В.Я. Динамические особенности автодинного отклика СВЧ генераторов // Известия ВУЗов. — Радиоэлектроника. — 1992. — Т.35, № 9— 10. — С.9— 16.
  58. В.Т., Носков В. Я. Автодинные характеристики СВЧ генераторов на полупроводниковых диодах // Электронная техника. — Сер. 1. Электроника СВЧ. 1992, № 7.-С.9- 14.
  59. Неразрушающие физические методы и средства контроля". —СПб.— 1993.-С.58.
  60. В.Н., Лукин Б. В., Совлуков A.C. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. — М.: Энергоатомиздат.— 1989.-208 с.
  61. Nugrent Т., Sjolund A. Sensitivity of doppler radar with selfdetecting diode oscillators // IEEE Trans.-1976.-V. MTT-22, № 5.-P.4494−498.
  62. Пат. CIIIA № 3 659 293 от 25.04.72. Допплеровский радиолокатор для измерения расстояния.
  63. A.c. 1 188 532 СССР. СВЧ—измеритель толщины металлического листа / Е. Л. Барташевский и др.
  64. O.E., Овчаренко A.A. Автодинный измеритель толщины полупроводниковых пленок // Заводская лаборатория. —1984, № 7. — С.36 —38.
  65. Пат. США № 4 117 464. Устройство для обнаружения движущихся объектов с использованием генератора на диоде Ганна в автодинном режиме // ПАТЭ.-опубл. 25.03.84.
  66. Д.А., Скрипаль A.B. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов // Изв. ВУЗов. -Радиоэлектроника. 1987.-Т.ЗО, № 10.-С.76−77.
  67. ДА. СВЧ методы измерения параметров полупроводников.— Саратов: Изд. СГУ.- 1985.-55 с.
  68. Г. Х. Измерение электрофизичеких параметров полупроводников с помощью электр о магнитных полей СВЧ диапазона // Электронная техника, полупроводниковые приборы. — Вып. 21.— 1968. -69 с.
  69. A.A. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах.— М.:физматгиз. —1963. — 403 с.
  70. Ю.Г., Давыдов А. Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ / / Дефектоскопия. 1978, № 11. — С.6 — 67.
  71. Д.А., Скрипаль A.B., Коротин Б. Н., Безменов A.A. Измеритель толщины тонких металлических пленок // Информ. листок о научно — техническом достижении. — Саратов: Изд. Саратовского ЦНТИ. — 1984.
  72. Tefford P.A., Howes М.Т. Modulation schemes in low—cost microwave field sensors // IEEE Trans. Microwave Theory techn.-1983.-V. MTT— 31, № 8. — P.613 — 628.
  73. .Н., Закарлюк Ц. М. Импульсно—допплеровская авгодинная система на диоде Ганна // радиофизика и исследование свойств вещества. Омск: ОГПИ. — 1985. — С.41 — 46.
  74. Д.А., Орлов В. Е., Коротин Б. Н. Быстродействующий амплитудный СВЧ модулятор в системе передачи сигнала с импульсно — кодовой модуляцией // Тез. докл. X Всесоюзной научной конференции «Вакуумная электроника СВЧ». —Минск. —1983.—Т. 1.— С. 40 —41.
  75. И.А., Орлинский С. Б., Рахматулин P.M. Простой импульсный генератор 3 — сантиметрового диапазона для эхо — спектрометра // ПТЭ.-1992, № 2.-С. 171−173.
  76. А.В., Сювашкин B.C. Исследование импульсного генератора на диоде Ганна // Электронная техника. Электроника СВЧ. —1978, № 11. —С.113—116.
  77. А.с. 1 161 898 СССР, МКИ G01R27/26. устройство для измерения параметров диэлектрических материалов / Д. А. Усанов, А. Ю. Вагарин, Б. Н. Коротин /СССР/, -3 584 535/24−09- Заявлено 22.04.83- Опубл. 15.06.85. Бюл. № 22.-2 е.- Ил.
  78. В. А., Михнев В. А. Двухпараметровый контроль листовых материалов диэлектрическими волновыми датчиками // Дефектоскопия. —1989, № 1. — С.51 —56.
  79. ДА., Авдеев А. А. Использование эффекта автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна для двухпараметрового измерения диэлектриков // Дефектоскопия. — 1995, № 4. — С.42 — 45.
  80. Tsai W.C., Rosenbaum E.J. Bias circuit oscillations in Gunn devices // IEEE Trans, in Electron Dev. 1969.-V. ED-16, № 2.-P. 196−202.
  81. A.B., Шарифов T.M. Паразитные колебания в СВЧ генераторах на активных двухполюсниках // Радиотехника. —1997, — Т.32, № 5. — С.57 —63.
  82. А.В., Шарифов Т. М. Подавление паразитных НЧ колебаний в генераторах Ганна // Радиотехника.-1977.-Т.32, № 12.-С.74−77.
  83. В. А. Раздобудько В.В., Головкин A.C. Автомодулированные СВЧ колебания на диоде Ганна // Изв. ВУЗов — радиотехника.— 1977.—Т.20, № 10.— С. 85 —88.
  84. В.А., Мамазелев И. А., Тузов В. М. Режимы работы генераторов на диодах Ганна при напряжениях питания, близких к пороговому напряжению образца // Радиотехника. —1980. — Т.35, № 12.— С. 44 —46.
  85. Д. А., Скрипаль А. В., Авдеев А. А., Бабаян, А В. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания // Радиотехника и электроника. 1996. — Т.46, № 12. — С. 1497 — 1500.
  86. Н.Г., Таздырев В. Н. Вольт — амперные характеристики и терморазогрев GaAs диодов Ганна // Электронная техника — Электроника СВЧ. 1990, № 6. — С. 10 -12.
  87. Ю.В., Дрогаченко АА., Прохоров Э. Д. Исследование частотных свойств диодов Ганна с неоднородным распределением температуры в образце // Радиотехника и электроника. — 1988, № 9. —С. 1947— 1950.
  88. В.И., Котиков В. И. Влияние температуры прибора на энергетические показатели генератора Ганна // Радиотехника. —1975, № 10.— С. 84 —86.
  89. В.З. Влияние температуры на КПД диода Ганна // Радиотехника и электроника. — 1973, № 3. — С.661 — 663.
  90. М.С., Павельев Д. Г., Шкелев Е. И. О температурной зависимости параметров генерации Ганна // Изв. ВУЗов — Радиофизика. 1971. — Т. 14, № 12. — С. 1918 — 1922.
  91. И.Н., Харитонов В. В. Численное моделирование элементов интегральных схем с учетом тепловых эффектов // Изв. ВУЗов.— Радиоэлектроника. -1988. -Т.31, № 12. С. 41 -45.
  92. В.М., Погорелая Л. М., Привалов В. Н. Вольт—амперная характеристика и термоэлектрический разогрев арсенидгаллиевых диодов Ганна // Электронная техника — Электроника СВЧ. —1990, № 6.-С. 10−12.
  93. Ю.В., Полянский Н. Е., Прохоров Э. Д. О возможности работы коротких диодов Ганна на GaAs при температурах активной области выше 500 К / Радиотехника и электроника.—1993, —Т.38, вып. З, — С. 553 —556.
  94. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа. —1969.— 592 с.
  95. К., Роуз —Инс А. Полупроводники типа АщВу / Пер. с англ. М.: Изд. иностр. лит. — 1963.
  96. C.B., Юрченко В. И. Термоупругие деформации в кристалле диода Ганна // Изв. ВУЗов —Радиоэлектроника,—1988. —Т.31, № 1.— С.95−96.
  97. В.М., Погорелая Л. М., Привалов В. Н. Вольт —амперная характеристика и термоэлектрический разогрев арсенидгаллиевых диодов Ганна / Электронная техника — Сер.1 Электроника СВЧ.— 1990, вып.6.-С.10−12.
  98. Э.Д., Шалаев В. А., Белецкий Н. И., Арендарь В. Н. Влияние температуры на ширину вольт — амперной характеристики диода Ганна // Радиотехника и электроника. — 1970. — Т. 15, № 3. — С.644 — 646.
  99. Э.Д., Арендарь В. Н., Белецкий Н. И., Дядченко A.B. Влияние температуры на эффективность генерации диодов Ганна в диапазоне частот // Радиотехника и электроника. —1976, —Т.21, № 11. — С.2449 — 2450.
  100. В.Н., Орлов O.E. исследование стабильности частоты генератора Ганна // Электросвязь. — 1973, № 12. — С.60 —63.
  101. Ф.Я., Мякин Е.И, Савинский В. А., Соловьев Д. Д Повышение стабильности частоты колебаний волноводных генераторов
  102. Ганна / Электронная техника — Сер.1 Электроника СВЧ. —1973,i11. —С. 114 — 116.
  103. Ю.А., Ясинский В. К. Температурное искажение спектра СВЧ сигнала импульсного генератора Ганна / Электронная техника — Сер. электроника СВЧ. 1975, вып.2. — С. 120 — 122.
  104. В.И., Котиков В. И. Влияние температуры прибора на энергетические показатели генератора Ганна / Радиотехника. —1975. — Т. ЗО, № 10.-С.84−88.
  105. Э.Э., нурсте И.О., Фрейдин Б. П. Численное моделирование неизотермических переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах при большой плотности прямого тока // Изв. ВУЗов-Радиоэлектроника.-1989.-Т.32, № 1.-С.80−82.
  106. В.И., Кузнецов В. М. Моделирование диодов Ганна // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. -1970. -Т. 13, № 3. — С.409 — 412.
  107. А.Н., Старосельский В. И. Электронная модель диода Ганна // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. -1971.-Т. 14, № 1.-С.Ю5−106.
  108. A.B., Фомин H.H. Машинное моделирование двухчастотных режимов генератора СВЧ на диоде Ганна // Изв. ВУЗов — Радиоэлектроника. 1982.-Т.25, № 6.-С.51−57.
  109. И.М., Тамарчак Д. Я., Хотунцев Ю. Л. Автодины // Итоги науки и техники —Сер. радиотехника, — 1989. — Т.ЗЗ. — С. З— 175.
  110. Д.А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу // ПТЭ. — 1985, № 1 —С.254.
  111. ДА., Безменов A.A., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины диэлектрических пленок, напыляемых на металл // ПТЭ.— 1986, № 4. — С.227 — 228.
  112. Усанов ДА, Вагарин А. Ю., Вениг С. Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ генераторе на диоде Ганна для измерения параметров диэлектриков // Дефектоскопия, — 1985. — № 6. — С.78 — 82.
  113. Ю.А., Тамарчак Д. Я. Синхронизированные генераторы и автодины на полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь. — 1982.— 240 с.
  114. Murayama К., Ohmi Т. Static Negative Resistance in Highly Doped Gunn Diodes and Application to Switching and Amplification // Japan. J. Appl. Phys. — 1973. — vol. 12, № 12.-P. 1931 -1940.
  115. Perlman В., Upadhyaula C., Siekanowicz W. Microwave Properties and Applications of Negative Conductance Transferred Electron Devices // Proceedings of IEEE. 1971.-v.5, № 8.-P. 1229- 1237.
  116. Исследование переходных процессов в цепи питания генератора на диоде Ганна / А. П. Яковлев, А. И. Абраменков, В. В. Игнатьев, А М. Старинская // Электронная техника. — Сер. 1. Электроника СВЧ.— 1987, Вып.1. —С.24 —27.
  117. Judd A., Hewitt R. Locking behavior of a microwave oscillator // Electron. Lett. 1967. vol.3. № 3. P.108−109.
  118. AC. 1 521 218 СССР МКИ H03 °F 3/55. Полупроводниковый генератор / ДАУсанов, С. С. Горбатов /СССР/. Заявлено 08.04.87. -4 с.% Ил.
  119. Синхронизированный на субгармонике сверхвысокочастотный генератор на диоде Ганна / ДАУсанов, С. С. Горбатов, С. Б. Вениг и др. // ПТЭ. 1993. № 3. С.136— 137.
  120. Д. А., Вениг С. Б., Горбатов С. С., Семенов, А А Влияние нелинейности характеристик импеданса диодов Ганна на работу СВЧ —генераторов на их основе // Изв. ВУЗов. — Сер. Прикладная нелинейная динамика. —1994. — Т.2, № 5. — С.35 — 45.
  121. Микроэлектронные устройства ОЗУ / Г. И. Веселов, Е. М. Егоров, Ю. Н. Алехин и др. М.: Высш. шк. — 1988.— 200 с.
  122. Д. А., Скрипаль А. В., Авдеев, А А. О взаимосвязи характеристик диодов Ганна, работающих в режиме генерации, с их сопротивлением в слабых электрических полях. // ЖТФ.— 1995. — Т.65, Вып. 10.-С. 194−198.
  123. М. И., Томашевский А. К, Шаров П. П, Баймуратов Е. А. Измерение мощности на СВЧ. М.: Сов.радио. —1976.— 168 с.
  124. Д.А., Скрипаль А. В., Бабаян А. В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с термостабильностью и выходной мощностью генераторов на их основе // Изв. ВУЗов — Электроника. 1997, № 5. — С.31 — 36.
  125. Д.А., Скрипаль А. В., Бабаян А. В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на их основе // Письма в ЖТФ. —1998.—Т.24, № 10.— С.1−7.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!