Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки
Диссертация
Впервые применены представления эффекта Френкеля, т. е. понижения энергии ионизации ГЦ под действием электрического поля напряжённостью более 104 В/см к физической модели генерации НЧ шума в барьерных структурах, содержащих ГЦ. Показано, что указанный эффект вызывает сдвиг по частоте точки «излома» на частотной зависимости спектральной плотности мощности НЧ шума, на основании чего обоснована… Читать ещё >
Список литературы
- Букингем М. Шумы в электронных приборах и схемах. /Пер. с англ. Мир, 1986.398 с.
- Коган Ш. М. Низкочастотный шум со спектром типа 1/f в твёрдых телах //УФН. 1985. Т. 145. Вып. 2. С.285−328.
- Астафьева Н.М. Вейвлет-анализ: основы теории и применения (Обзоры актуальных проблем) //УФН. 1996. Т. 166. № 11. С. 1145−1170.
- Бочков Г. Н., Кузовлев Ю. Е. Новое в исследованиях 1/f шума //УФН 1988. Т. 141. Вып. 10. С. 151−176.
- Bell D.A. A survey of 1/f noise in electrical conductors //J. Phys. C.: Solid State Phys. 1980. Vol. 13. P. 4425−4437.
- Жигальский Г. П. Шумы вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических плёнках//УФН. 1997. Т. 167. № 6. С. 623−647.
- Hooge F.N. 1/f noise is no surface effect //Phys. Lett. A. 1969. Vol. 29. P. 139140.
- Van Vliet C.M. A survey of results and future prospects on quantum 1/f noise and 1/f noise in general //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 1. P. 1−21.
- Tacano M. A new approach to the Hooge noise parameter for 1/f noise in semiconductors //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 8. P, 917−918.
- Tacano M., Kanayama Т., Sugiyama Y. lf noise in quarter-micron filaments of GaAs and InP made by focused ion-beam implantation //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 2. P. 193−196.
- Effects of Ar+ back-surface gettering on the properties of flicker noise in n-channel nitrided MOSFET’s /C.Surya, W. Wang, W. Fong e.a. //Solid-State Electron. 1996. Vol. 39. № 11. P. 1577−1580.
- Van der Ziel A. On the noise spectra of semiconductor noise and flicker effect //Physica. 1950. Vol. 16. № 4. P. 359−372.
- Kaulakys В., Meskauskas T. Modeling 1/f noise. //Phys. rev. E. 1998- 58:7013−9.
- Kaulakys B. Autoregressive model of 1/f noise. //Phys. Lett. A. 1999- 257:37−42.
- McWhorter A.L. Semiconductor surface physics /Ed. R.H. Kingston. Philadelphia: University of Pennsylvania press, 1956. P.207.
- Kleipenning T. Low-frequency noise in Schottky barrier diodes //Solid-State Electron. 1979. Vol. 22. № 2. P.121−128.
- Jevtic M.M. Impurity concentration dependence of 1/f noise parameter a in silicon //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 6. P. 1049−1052.
- Fundamental 1/f noise in silicon bipolar transistors /А.Н. Pawlikiewiez, A. Van der Ziel, G.S.Kousik e.a. //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 1. P. 1−21.
- Jevtic M.M. Impurity concentration dependence of 1/f noise parameter a in silicon //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 6. P. 1049−1052.
- Hendrics E.A., Zijlstra J.J. 1/f noise in (100) n-channel Si-MOSFETS from T=4,2 К to T=295 К//Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 6. P. 1105-1111.
- Pellegrini B. On mobility-fluctuation origin of 1/f noise // Solid-State Electron. 1986. Vol. 29. № 12. P. 1279−1287.
- Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990.295 с.
- Источники избыточного шума в транзисторных элементах микросхем /Н.Б. Лукьянчикова, Н. П. Гарбар, М. В. Партыка и др. //Радиотехника и электроника. 1988. Вып. 2. С. 400−408.
- Hsu S.T. Low-frequency excess noise in metal-silicon Schottky barrier diodes //IEEE Trans. Electron. Devices. 1970. Vol. ED-17. № 7. P. 496−506.
- Tacano M., Sugiyama Y. Comparison of l^noise of AlGaAs/GaAs HEMT’s and GaAs MESFET’s //Solid-State Electron. 1991. Vol. 10. № 34. P. 1049−1053.
- Низкочастотные шумы арсенидогаллиевых диодов с барьером Шоттки с неоднородным контактом металл-полупроводник /О.Ю. Малаховский, В. Г. Божков, А. Г. Бычков и др. //Радиотехника и электроника. 1992. Вып. 1. С. 142−149.
- Низкочастотные шумы диодных структур на арсениде галлия /М.Д. Воробьёв, В. Г. Божков, О. Ю. Малаховский и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1987. Вып.1 (186). С. 88−91.
- Surya С., Hsiang T.Y. A thermal activation model for 1/f noise in Si-MOSFET // Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 5. p. 959−964.
- Hallgren R.B. Low-bias-noise spectroscopy of field-effect transistor channels: depletion-region trap models and spectra //Solid-State Electron. 1990. Vol. 8. № 12. P. 1071−1080.
- Scholz F., Hwang J.M., Schroder D.K. Low frequency noise and DLTS as semiconductor device characterization tools //Solid-State Electron. 1988.'Vol. 31. № 2. P. 205−218.
- Yau L.D., Sah C.T. Theory and experiments of low-frequency generation-recombination noise in MOS-ttransistors //IEEE Trans. Electron. Devices. 1969. Vol. ED-16.№ 2.P. 170−177.
- Sah C.T., Hielscher F.H. Evidence of the origin of the Mf noise //Phys. Rev. Letters. 1966. Vol. 17.1 10. P. 956−957.
- Орешкин П.Т. Механизм перезарядки глубоких центров при релаксационной спектроскопии //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 5 (139). С. 3−8.
- Орешкин П.Т. Барьерные слои как резонаторы на глубоких центрах //Известия вузов СССР. Физика. 1990. № 11. С. 21−25.
- Холомина Т.А. Диссертация на соискание учёной степени д. ф.-м. н. по специальности 01.04.10 Физика полупроводников.
- Bosman G., Zijlstra R.J.J. Generation-recombination noise in p-type silicon //Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. № 4. P. 273−280.
- Исследование шумов р+ия±структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными акцепторами /В.М.Арутюнян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян и др. //Изв. вузов СССР. Радиофизика. 1991. Т. 34. № 10−12. С. 1226−1235.
- Haslett J.W., Kendall E.J.M. Temperature dependence of low-frequency excess noise injunction-gate FET’s //IEEE Trans. Electron. Devices. 1972. Vol. ED-19. № 8. P. 943−950.
- Маранц В.Г., Хатунцев А. И. Параметры шумовых центров, влияющих на низкочастотный шум полевых транзисторов с ^-«-переходом //Элек-тронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 8 (100). С. 88−105.
- Noise and deep level transient spectroscopy of deep level (DX) centers in GaAs-GaAlAs heterostructures /L.Kratena, K. Zdansky, J. Sikula e. a. //Noise Phys. Syst. Includ l/f Noise, Biol. Syst. and Membranes: 10th Int. Conf. Budapest. 1990. P. 209−212.
- Булярский C.B., Грушко H.C. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995.399 с.
- Dabrowsky W., Korbel К. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 12. P. 16 571 661.
- Орешкин П.Т., Холомина T.A., Кордюков С. И. Волны объемного заряда и низкочастотный шум в барьерных слоях //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РГРТА, 1995. С. 13−24.
- Кукоев И.Ю. Вейвлет анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах. Автореф. дисс. на соискание учёной степени канд. техн. наук. -М. 2005.20 с.
- Мирошникова И.Н. Глубокоохлаждаемые фотоприёмники на основе антимонида индия. Автореф. дисс. на соискание уч. степени докт. техн. наук. -М. 2005. 39 с.
- Орешкин П.Т. Темновая релаксация заряда в ОПЗ барьерных слоёв. Изв. вузов СССР. Физика 1981. Т. 24. № 9. С. 136−137.
- Зубков М.В. Спектр глубоких уровней в барьерных структурах на кремнии //пути повышения стабильности и надёжности микроэлементов и микросхем: Материалы IV Всес. Научно-технического семинара. Рязань, 1988. С. 47−56.
- Гармаш Ю. В. Релаксационная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках: Дис. на соискание канд. техн. наук: 01.04.10- Рязань 1984. 164 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. М.:Мир, 1984.456 с.
- Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977.448 с.
- Мхитарян З.О., Баргесян Р. С., Арутюнян В. М. Шумовые характеристики кремниевых диодов с примесью серы //Изв. вузов СССР. Радиофизика. 1984. Т. 27. № 9. С.1218−1220.
- Morrison S.R. 1 If noise from levels in a linear or planar array. IV The origin of the Hooge parameter //J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. № 9. P. 4113−4117.
- Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L. Noise spectroscopy of local levels in semiconductors //Semicond. Sci. and Technol. 1994. Vol. 9. № 6. P. 1183−1189.
- Пряников B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. 112 с.
- Кордюков С.И. Низкочастотные шумы в диодах Шоттки: Дис. на соискание канд. техн. наук: 01.04.10- Рязань 1987. 156 с.
- Hooge F.N., Hoppenbrouwers А.М.Н. Amplitude distribution of 1/f noise. Physica, 42. P. 331−339.
- Куликов Е.И. Методы измерения случайных процессов. М.:Радио и связь. 1986. 272 с.
- Соколик С.А., Гуляев A.M., Мирошникова И. Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур //Измерительная техника. 1997. № 1. С. 57−61.
- Гарбар Н.П., Лукьянчикова Н. Б., Абру У. Р. и др. Установка для измерения шумовых характеристик микросхем и дискретных транзисторов на пластинах. //Электронная промышленность. 1991. № 6. С. 27−29.
- Кострюков С.А. Малошумящий усилитель для исследования НЧ шума. // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2001. С.45- 47.
- Кострюков С.А. Автоматизированная установка для измерения СПМ низкочастотных шумов. //Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы междунар. науч.-методич. семинара. -М.:МНТРОЭС им. А. С. Попова, МЭИ, 2003. С. 23−25.
- Кострюков С.А. Повышение помехоустойчивости установки для измерения параметров НЧ-шума. //Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2003. С.27- 29.
- Пиз А. Р. Практическая электроника аналоговых устройств. Поиск неисправностей и отработка проектируемых схем: Пер. с англ. М.:ДМК Пресс, 2001. 320 с.
- Тице У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир. 1982. 512 с.
- Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Пер. с англ. Изд. 5-е. М.:Мир 1998. 704 с.
- Кострюков С.А. Установка шумовой спектроскопии глубоких уровней. //Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды VII международной коференции. Ульяновск: УлГУ, 2005. С. 68−69.
- Кострюков С.А., Холомина Т. А. Программное обеспечение НЧ шумовой спектроскопии глубоких уровней. //Известия вузов. Электроника. 2006. № 4 С. 36−43.
- Марпл C.JI. Цифровой спектральный анализ и его приложения /Под. ред. И. С. Рыжакова. М.:Мир 1990.110 с.
- Кирьянов Д.В. Самоучитель Mathcad 11. СПб.:БХВ-Петербург, 2004. 560 с.
- Свидетельство об отраслевой регистрации разработки «Вычисление спектральной плотности мощности низкочастотных шумов» № 5740 от 21.02.2006.
- Херрис Ф. Дж. Использование окон при гармоническом анализе методом дискретного преобразования Фурье //ТИИЭР. 1987. Т.66. № 1. С.60−96.
- Кострюков С. А., Холомина Т. А. Особенности анализа сигналов низкочастотного шума методом дискретного преобразования Фурье. //Измерительная техника. 2005. № 12. С. 47−50.
- Булычёв A. JL, Галкин В. А. Аналоговые интегральные схемы: Справочник. Мн.: Беларусь. 1994. 382 с.
- Брандт 3. Анализ данных. Статистические и вычислительные методы для научных работников и инженеров: Пер. с англ. М.:Мир. ООО «Издательство ACT», 2003. 686 с.
- Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1974. 831 с.
- Кострюков С.А. Выделение частоты перегиба кривой спектральной плотности мощности НЧ-шума. // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2005. С.31- 34.
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия /Пер. с. англ. Под ред. М. Е. Левинштейна. М.: Мир. 1991. 632 с.
- Маковийчук М.И., Рекшинский В. А. Фликкер-флуктуационный анализ структур микроэлектроники //Заводская лаборатория (диагностика материалов). 1996. № 8. С. 35−37.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках /Пер. с англ. М.: Мир, 1977. 562 с.
- Литвинов В.Г., Лабутин А. В., Гудзев В. В., и др. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Рязань: Рязанский ЦНТИ, информационный листок о НТР № 61−081−02. 2002.4 с.
- Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки /В.Ф.Андриевский, В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако //ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 2. С. 222−226.
- Берман Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.